JPH09306996A - 平坦化パターンの生成方法、平坦化パターンの生成装置及び半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 生成させた平坦化パターンが配線パターンの
レイアウト設計のデザインルールを満たすと共に、平坦
化パターンの図形数やデータ量を抑制する。 【解決手段】 配線パターンを所定量だけ拡大して拡大
配線パターンを生成した後、方形の集合よりなる第１の
ダミー元パターンから拡大配線パターンとの重なり部分
を削除してダミーパターンを生成する。ダミーパターン
を所定量Ｃだけ縮小して縮小ダミーパターン１４を生成
した後、縮小ダミーパターン１４を所定量Ｃだけ拡大し
て平坦化パターン１５を生成する。配線パターン１１と
平坦化パターン１５とを合成して、（ｃ）に示すような
最終パターンを生成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等の半導体
集積回路装置内に形成される配線層を多層化するに際
し、配線層を平坦化するための平坦化パターンを簡易に
生成させる方法及び装置、並びに前記の平坦化パターン
の生成方法を用いて製造される半導体集積回路装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、超ＬＳＩの高集積化のために配線
層の多層化が行なわれている。

【０００３】しかしながら、配線層を多層化すると、下
層の配線パターンの凸凹部が該下層の配線パターンが形
成される配線層の上に形成される層間絶縁膜にも影響を
及ぼすので層間絶縁膜にも凸凹部が現れる。層間絶縁膜
における凸凹部は、上層の配線層の形成時にステップカ
バレージ不良（マスクを用いるパターン露光時に、ウエ
ハ上に焦点深度以上の段差が生じることに起因する焼き
付けミス）を発生させ、これにより、配線層に断線や不
良等の不具合が生じてしまう。このため、層間絶縁膜の
表面の平坦化は、信頼性の高い多層配線構造を実現する
上で必要な技術となっている。

【０００４】従来の層間絶縁膜の平坦化の代表的な技術
として、樹脂塗布法等が用いられてきたが、この方法
は、十分な平坦化が得られないという問題がある。そこ
で、配線同士の隙間部にＣＡＤ技術を用いて平坦化パタ
ーン（補助パターン）を生成することにより、層間絶縁
膜の平坦化を行なう方法が提案されている。

【０００５】ＣＡＤ技術を用いる平坦化パターンの生成
方法としては、例えば、特開平５−２６７４６０号に示
されるものが知られている。

【０００６】以下、図面を参照しながら、従来の平坦化
パターンの生成方法について説明する。図４１（ａ）〜
（ｄ）及び図４２（ａ）（ｂ）は、ＬＳＩ信号を伝搬さ
せるための配線パターンの近傍に、従来の平坦化パター
ンの生成方法により平坦化パターンを生成させる方法に
ついて説明する工程図である。

【０００７】まず、図４１（ａ）に示す配線パターン１
を反転処理して、図４１（ｂ）に示す反転配線パターン
２を生成した後、該反転配線パターン２を縮小する図形
縮小処理を行なって図４１（ｃ）に示すような縮小反転
配線パターン３を生成する。この場合、反転配線パター
ン２を縮小する量は、図４１（ａ）に示すチップ平面に
おける配線パターン１同志の距離のうち最小の距離と同
程度とする。

【０００８】次に、図４１（ｄ）に示すような、単純図
形を繰り返し配置した図形パターンであるダミー元パタ
ーン５を生成した後、縮小反転配線パターン３とダミー
元パターン５との図形論理差演算を行なって、図４２
（ａ）に示すような、平坦化パターン６を生成する。そ
の後、配線パターン１と平坦化パターン６との図形論理
和演算を行なって、図４２（ｂ）に示すような最終パタ
ーンを生成する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
平坦化パターン生成方法によると、配線パターン１の近
傍に生成された平坦化パターン６の中には、配線パター
ン１とダミー元パターン５との位置関係により、ダミー
元パターン５の当初の形状を維持しない、つまりダミー
元パターン５の形状から大きく縮小した微小平坦化パタ
ーン６ａが生成されてしまうことがあり、微小平坦化パ
ターン６ａの中には、配線パターン１のレイアウト設計
のデザインルールを満たさない微小なものが存在すると
いう問題がある。

【００１０】また、平坦化パターン６を生成させた結
果、平坦化パターン６の図形数が膨大になり、データ量
が増加するという問題もある。

【００１１】前記に鑑み、本発明は、生成させた平坦化
パターンが配線パターンのレイアウト設計のデザインル
ールを満たすと共に、平坦化パターンの図形数やデータ
量を抑制することができるような、平坦化パターンの生
成方法及び装置並びに半導体集積回路装置を提供するこ
とを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の平坦
化パターンの生成方法は、配線層における配線パターン
が形成される配線パターン形成領域から所定距離以上離
れた領域に単純図形の集合よりなるダミーパターンを生
成するダミーパターン生成工程と、ダミーパターンを縮
小した後、残存する図形パターンを拡大して平坦化パタ
ーンを生成する平坦化パターン生成工程とを備えてい
る。

【００１３】第１の平坦化パターンの生成方法による
と、単純図形の集合よりなるダミーパターンを縮小した
後、残存する図形パターンを拡大して平坦化パターンを
生成するため、所定の大きさに満たない単純図形は縮小
工程により消滅してしまうので、平坦化パターンは、所
定の大きさ以上の単純図形のみによって構成される。

【００１４】第１の平坦化パターンの生成方法におい
て、ダミーパターン生成工程は、配線パターンを第１の
所定量だけ拡大して拡大配線パターンを生成する工程
と、単純図形を繰り返し配置してダミー元パターンを生
成する工程と、ダミー元パターンから拡大配線パターン
との重なり部分を削除する図形論理差演算処理によりダ
ミーパターンを生成する工程とを含み、平坦化パターン
生成工程は、ダミーパターンを第２の所定量だけ縮小し
て縮小ダミーパターンを生成する工程と、縮小ダミーパ
ターンを第２の所定量だけ拡大して平坦化パターンを生
成する工程とを含むことが好ましい。

【００１５】第１の平坦化パターンの生成方法におい
て、ダミーパターン生成工程は、配線パターンを図形的
に反転させて反転配線パターンを生成する工程と、反転
配線パターンを第１の所定量だけ縮小して縮小反転配線
パターンを生成する工程と、単純図形を繰り返し配置し
てダミー元パターンを生成する工程と、ダミー元パター
ンのうち縮小反転配線パターンとの重なり部分のみを残
存させる図形論理積演算処理によりダミーパターンを生
成する工程とを含み、平坦化パターン生成工程は、ダミ
ーパターンを第２の所定量だけ縮小して縮小ダミーパタ
ーンを生成する工程と、縮小ダミーパターンを第２の所
定量だけ拡大して平坦化パターンを生成する工程とを含
むことが好ましい。

【００１６】本発明に係る第２の平坦化パターンの生成
方法は、配線層における配線パターンが形成される配線
パターン形成領域から第１の所定距離以上離れた領域に
単純図形の集合よりなる第１のダミーパターンを生成す
る第１のダミーパターン生成工程と、第１のダミーパタ
ーンを縮小した後、残存する図形パターンを拡大して第
２のダミーパターンを生成する第２のダミーパターン生
成工程と、配線層における配線パターン形成領域から第
１の所定距離以上離れ且つ第１のダミーパターンから第
２の所定距離以上離れた領域に、平行移動した単純図形
の集合よりなる第３のダミーパターンを生成する第３の
ダミーパターン生成工程と、第３のダミーパターンを縮
小した後に拡大して第４のダミーパターンを生成する第
４のダミーパターン生成工程と、第２のダミーパターン
と第４のダミーパターンとを合成して平坦化パターンを
生成する平坦化パターン生成工程とを備えている。

【００１７】第２の平坦化パターンの生成方法による
と、第１の平坦化パターンの生成方法と同様、単純図形
又は平行移動した単純図形の集合よりなる第１又は第３
のダミーパターンを縮小した後、残存する図形パターン
を拡大して平坦化パターンを生成するため、平坦化パタ
ーンは、所定の大きさ以上の単純図形又は平行移動した
単純図形のみによって構成される。また、第１のダミー
元パターンのほかに第２のダミー元パターンを用いて平
坦化パターンを形成するため、第１のダミー元パターン
のみで平坦化パターンを生成する場合に比べて、配線パ
ターン同士の間において平坦化パターンにより埋められ
ない領域が低減する。

【００１８】第２の平坦化パターンの生成方法におい
て、第１のダミーパターン生成工程は、配線パターンを
第１の所定量だけ拡大して拡大配線パターンを生成する
工程と、単純図形を繰り返し配置して第１のダミー元パ
ターンを生成する工程と、第１のダミー元パターンから
拡大配線パターンとの重なり部分を削除する図形論理差
演算処理により第１のダミーパターンを生成する工程と
を含み、第２のダミーパターン生成工程は、第１のダミ
ーパターンを第２の所定量だけ縮小して第１の縮小ダミ
ーパターンを生成する工程と、第１の縮小ダミーパター
ンを第２の所定量だけ拡大して第２のダミーパターンを
生成する工程とを含み、第３のダミーパターン生成工程
は、第１のダミー元パターンを構成する単純図形を平行
移動して第２のダミー元パターンを生成する工程と、第
２のダミーパターンを第３の所定量だけ拡大して拡大ダ
ミーパターンを生成する工程と、第２のダミー元パター
ンから拡大配線パターン及び拡大ダミーパターンとの重
なり部分を削除する図形論理差演算処理により第３のダ
ミーパターンを生成する工程とを含み、第４のダミーパ
ターン生成工程は、第３のダミーパターンを第４の所定
量だけ縮小して第２の縮小ダミーパターンを生成する工
程と、第２の縮小ダミーパターンを第４の所定量だけ拡
大して第４のダミーパターンを生成する工程とを含み、
平坦化パターン生成工程は、第２のダミーパターンと第
４のダミーパターンとを重ね合わせる図形論理和演算処
理により平坦化パターンを生成する工程を含むことが好
ましい。

【００１９】本発明に係る第３の平坦化パターンの生成
方法は、配線層における配線パターンが形成される配線
パターン形成領域から第１の所定距離以上離れ且つ第１
の所定距離よりも大きい第２の所定距離以内の領域に単
純図形の集合よりなる第１のダミーパターンを生成する
第１のダミーパターン生成工程と、配線層における配線
パターン形成領域から第２の所定距離以上離れた領域に
単純図形よりも大きい少なくとも１つの図形よりなる第
２のダミーパターンを生成する第２のダミーパターン生
成工程と、第１のダミーパターンと第２のダミーパター
ンとを合成して平坦化パターンを生成する平坦化パター
ン生成工程とを備えている。

【００２０】第３の平坦化パターンの生成方法による
と、配線パターン形成領域から第１の所定距離以上離れ
且つ第２の所定距離以内の領域には単純図形の集合より
なる第１の平坦化パターンが生成される一方、配線パタ
ーン形成領域から第２の所定距離以上離れた領域には、
単純図形の集合よりなる平坦化パターンに代えて単純図
形よりも大きい少なくとも１つの図形よりなる第２の平
坦化パターンが生成される。

【００２１】第３の平坦化パターンの生成方法におい
て、第１のダミーパターン生成工程は、配線パターンを
第１の所定量だけ拡大して第１の拡大配線パターンを生
成する工程と、配線パターンを第１の所定量よりも大き
い第２の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを
生成する工程と、第２の拡大配線パターンを反転して反
転パターンを生成する工程と、単純図形を繰り返し配置
してダミー元パターンを生成する工程と、ダミー元パタ
ーンから第１の拡大配線パターン及び反転パターンとの
重なり部分を削除する図形論理差演算処理により第１の
ダミーパターンを生成する工程とを含み、第２のダミー
パターン生成工程は、反転パターンよりなる第２のダミ
ーパターンを生成する工程を含み、平坦化パターン生成
工程は、第１のダミーパターンと第２のダミーパターン
とを重ね合わせる図形論理和演算処理により平坦化パタ
ーンを生成する工程を含むことが好ましい。

【００２２】第３の平坦化パターンの生成方法におい
て、第１のダミーパターン生成工程は、配線パターンを
第１の所定量だけ拡大して拡大配線パターンを生成する
工程と、配線パターンを反転して反転パターンを生成す
る工程と、反転パターンを第１の所定量よりも大きい第
２の所定量だけ縮小して縮小反転パターンを生成する工
程と、単純図形を繰り返し配置してダミー元パターンを
生成する工程と、ダミー元パターンから拡大配線パター
ン及び縮小反転パターンとの重なり部分を削除する図形
論理差演算処理により第１のダミーパターンを生成する
工程とを含み、第２のダミーパターン生成工程は、縮小
反転パターンよりなる第２のダミーパターンを生成する
工程を含み、平坦化パターン生成工程は、第１のダミー
パターンと第２のダミーパターンとを重ね合わせる図形
論理和演算処理により平坦化パターンを生成する工程を
含むことが好ましい。

【００２３】第３の平坦化パターンの生成方法におい
て、第１のダミーパターン生成工程は、配線パターンを
第１の所定量だけ拡大して第１の拡大配線パターンを生
成する工程と、配線パターンを第１の所定量よりも大き
い第２の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを
生成する工程と、第２の拡大配線パターンを反転して第
１の反転パターンを生成する工程と、第１の反転パター
ンを第３の所定量だけ縮小して縮小反転パターンを生成
する工程と、縮小反転パターンを第３の所定量だけ拡大
して第２の反転パターンを生成する工程と、単純図形を
繰り返し配置してダミー元パターンを生成する工程と、
ダミー元パターンから第１の拡大配線パターン及び第２
の反転パターンとの重なり部分を削除する図形論理差演
算処理により第１のダミーパターンを生成する工程とを
含み、第２のダミーパターン生成工程は、第２の反転パ
ターンよりなる第２のダミーパターンを生成する工程を
含み、平坦化パターン生成工程は、第１のダミーパター
ンと第２のダミーパターンとを重ね合わせる図形論理和
演算処理により平坦化パターンを生成する工程を含むこ
とが好ましい。

【００２４】本発明に係る第４の平坦化パターンの生成
方法は、配線層における配線パターンが形成される配線
パターン形成領域から第１の所定距離以上離れ且つ第１
の所定距離よりも大きい第２の所定距離以内の領域に第
１の単純図形の集合よりなる第１のダミーパターンを生
成する第１のダミーパターン生成工程と、配線層におけ
る配線パターン形成領域から第２の所定距離以上離れた
領域に第１の単純図形よりも大きい第２の単純図形の集
合よりなる第２のダミーパターンを生成する第２のダミ
ーパターン生成工程と、第１のダミーパターンと第２の
ダミーパターンとを合成して平坦化パターンを生成する
平坦化パターン生成工程とを備えている。

【００２５】第４の平坦化パターンの生成方法による
と、配線パターン形成領域から第１の所定距離以上離れ
且つ第２の所定距離以内の領域には第１の単純図形の集
合よりなる第１の平坦化パターンが生成される一方、配
線パターン形成領域から第２の所定距離以上離れた領域
には、第１の単純図形よりも大きい第２の単純図形の集
合よりなる第２の平坦化パターンが生成される。

【００２６】第４の平坦化パターンの生成方法におい
て、第１のダミーパターン生成工程は、配線パターンを
第１の所定量だけ拡大して第１の拡大配線パターンを生
成する工程と、配線パターンを第１の所定量よりも大き
い第２の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを
生成する工程と、第２の拡大配線パターンを反転して反
転パターンを生成する工程と、単純図形を繰り返し配置
して第１のダミー元パターンを生成する工程と、第１の
ダミー元パターンから第１の拡大配線パターン及び反転
パターンとの重なり部分を削除する図形論理差演算処理
により第１のダミーパターンを生成する工程とを含み、
第２のダミーパターン生成工程は、単純図形よりも大き
い単純図形を繰り返し配置して第２のダミー元パターン
を生成する工程と、第２のダミー元パターンのうち反転
パターンとの重なり部分のみを残存させる図形論理積演
算処理により第２のダミーパターンを生成する工程とを
含み、平坦化パターン生成工程は、第１のダミーパター
ンと第２のダミーパターンとを重ね合わせる図形論理和
演算処理により平坦化パターンを生成する工程を含むこ
とが好ましい。

【００２７】本発明に係る第５の平坦化パターンの生成
方法は、第１の配線層における第１の配線パターンが形
成される第１の配線パターン形成領域から第１の所定距
離以上離れ且つ第１の所定距離よりも大きい第２の所定
距離以内であって第１の配線層の上層又は下層である第
２の配線層における第２の配線パターンが形成される第
２の配線パターン形成領域から第３の所定距離である第
１の配線層の領域に単純図形の集合よりなる第１のダミ
ーパターンを生成する第１のダミーパターン生成工程
と、第１の配線層における第１の配線パターン形成領域
から第２の所定距離以上離れ且つ第２の配線パターン形
成領域から第３の所定距離以上離れた第１の配線層領域
に単純図形よりも大きい少なくとも１つの図形よりなる
第２のダミーパターンを生成する第２のダミーパターン
生成工程と、第１のダミーパターンと第２のダミーパタ
ーンとを合成して平坦化パターンを生成する平坦化パタ
ーン生成工程とを備えている。

【００２８】第５の平坦化パターンの生成方法による
と、第１の配線パターン形成領域から第１の所定距離以
上離れ且つ第２の所定距離以内であって第２の配線パタ
ーン形成領域から第３の所定距離以内の領域には、単純
図形の集合よりなる第１の平坦化パターンが生成される
一方、第１の配線パターン形成領域から第２の所定距離
以上離れ且つ第２の配線パターン形成領域から第３の所
定距離以上離れた領域には、単純図形の集合よりなる平
坦化パターンに代えて単純図形よりも大きい少なくとも
１つの図形よりなる第２の平坦化パターンが生成され
る。

【００２９】第５の平坦化パターンの生成方法におい
て、第１のダミーパターン生成工程は、第１の配線パタ
ーンを第１の所定量だけ拡大して第１の拡大配線パター
ンを生成する工程と、第２の配線パターンを第２の所定
量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを生成する工程
と、第１の拡大配線パターンと第２の拡大配線パターン
とを重ね合わせる図形論理和演算処理により合成パター
ンを生成する工程、合成パターンを反転させて反転パタ
ーンを生成する工程と、単純図形を繰り返し配置してダ
ミー元パターンを生成する工程と、ダミー元パターンか
ら第１の拡大配線パターン及び反転パターンとの重なり
部分を削除する図形論理差演算処理により第１のダミー
パターンを生成する工程とを含み、第２のダミーパター
ン生成工程は、反転パターンよりなる第２のダミーパタ
ーンを生成する工程を含み、平坦化パターン生成工程
は、第１のダミーパターンと第２のダミーパターンとを
重ね合わせる図形論理和演算処理により平坦化パターン
を生成する工程を含むことが好ましい。

【００３０】本発明に係る第６の平坦化パターンの生成
方法は、第１の配線層における第１の配線パターンが形
成される第１の配線パターン形成領域から第１の所定距
離以上離れ且つ第２の所定距離以内であって第１の配線
層の上層又は下層である第２の配線層における第２の配
線パターンが形成される第２の配線パターン形成領域か
ら第３の所定距離以内である第１の配線層の領域に第１
の単純図形の集合よりなる第１のダミーパターンを生成
する第１のダミーパターン生成工程と、第１の配線層に
おける第１の配線パターン形成領域から第２の所定距離
以上離れ且つ第２の配線パターン形成領域から第３の所
定距離以上離れた領域に第１の単純図形よりも大きい第
２の単純図形の集合よりなる第２のダミーパターンを生
成する第２のダミーパターン生成工程と、第１のダミー
パターンと第２のダミーパターンとを合成して平坦化パ
ターンを生成する平坦化パターン生成工程とを備えてい
る。

【００３１】第６の平坦化パターンの生成方法による
と、第１の配線パターン形成領域から第１の所定距離以
上離れ且つ第２の所定距離以内であって第２の配線パタ
ーン形成領域から第３の所定距離以内の領域には、第１
の単純図形の集合よりなる第１の平坦化パターンが生成
される一方、第１の配線パターン形成領域から第２の所
定距離以上離れ且つ第２の配線パターン形成領域から第
３の所定距離以上離れた領域には、第１の単純図形より
も大きい第２の単純図形の集合よりなる第２の平坦化パ
ターンが生成される。

【００３２】第６の平坦化パターンの生成方法におい
て、第１のダミーパターン生成工程は、第１の配線パタ
ーンを第１の所定量だけ拡大して第１の拡大配線パター
ンを生成する工程と、第２の配線パターンを第２の所定
量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを生成する工程
と、第１の拡大配線パターンと第２の拡大配線パターン
とを重ね合わせる図形論理和演算処理により合成パター
ンを生成する工程、合成パターンを反転させて反転パタ
ーンを生成する工程と、単純図形を繰り返し配置して第
１のダミー元パターンを生成する工程と、第１のダミー
元パターンから第１の拡大配線パターン及び反転パター
ンとの重なり部分を削除する図形論理差演算処理により
第１のダミーパターンを生成する工程とを含み、第２の
ダミーパターン生成工程は、単純図形よりも大きい単純
図形を繰り返し配置して第２のダミー元パターンを生成
する工程と、第２のダミー元パターンのうち反転パター
ンとの重なり部分のみを残存させる図形論理積演算処理
により第２のダミーパターンを生成する工程とを含み、
平坦化パターン生成工程は、第１のダミーパターンと第
２のダミーパターンとを重ね合わせる図形論理和演算処
理により平坦化パターンを生成する工程を含む。

【００３３】本発明に係る第１の平坦化パターンの生成
装置は、配線層における配線パターンを第１の所定量だ
け拡大して拡大配線パターンを生成する第１の図形拡大
処理手段と、単純図形を繰り返し配置してダミー元パタ
ーンを生成するダミー元パターン生成処理手段と、ダミ
ー元パターンから拡大配線パターンとの重なり部分を削
除してダミーパターンを生成する図形論理差演算処理手
段と、ダミーパターンを第２の所定量だけ縮小して縮小
ダミーパターンを生成する図形縮小処理手段と、縮小ダ
ミーパターンを第２の所定量だけ拡大して平坦化パター
ンを生成する第２の図形拡大処理手段とを備えている。

【００３４】本発明に係る第２の平坦化パターンの生成
装置は、配線層における配線パターンを第１の所定量だ
け拡大して拡大配線パターンを生成する第１の図形拡大
処理手段と、単純図形を繰り返し配置して第１のダミー
元パターンを生成する第１のダミー元パターン生成手段
と、第１のダミー元パターンから拡大配線パターンとの
重なり部分を削除して第１のダミーパターンを生成する
図形論理差演算処理手段と、第１のダミーパターンを第
２の所定量だけ縮小して第１の縮小ダミーパターンを生
成する第１の図形縮小処理手段と、第１の縮小ダミーパ
ターンを第２の所定量だけ拡大して第２のダミーパター
ンを生成する第２の図形拡大処理手段と、第１のダミー
元パターンを構成する単純図形を平行移動して第２のダ
ミー元パターンを生成する第２のダミー元パターン生成
手段と、第２のダミーパターンを第３の所定量だけ拡大
して拡大ダミーパターンを生成する第３の図形拡大処理
手段と、第２のダミー元パターンから拡大配線パターン
及び拡大ダミーパターンとの重なり部分を削除して第３
のダミーパターンを生成する図形論理差演算処理手段
と、第３のダミーパターンを第４の所定量だけ縮小して
第２の縮小ダミーパターンを生成する第２の図形縮小処
理手段と、第２の縮小ダミーパターンを第４の所定量だ
け拡大して第４のダミーパターンを生成する第４の図形
拡大処理手段と、第２のダミーパターンと第４のダミー
パターンとを重ね合わせて平坦化パターンを生成する図
形論理和演算処理手段とを備えている。

【００３５】本発明に係る第３の平坦化パターンの生成
装置は、配線層における配線パターンを第１の所定量だ
け拡大して第１の拡大配線パターンを生成する第１の図
形拡大処理手段と、配線パターンを第１の所定量よりも
大きい第２の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パター
ンを生成する第２の図形拡大処理手段と、第２の拡大配
線パターンを反転して反転パターンを生成する図形反転
処理手段と、単純図形を繰り返し配置してダミー元パタ
ーンを生成するダミー元パターン生成手段と、ダミー元
パターンから第１の拡大配線パターン及び反転パターン
との重なり部分を削除してダミーパターンを生成する図
形論理差演算処理と、ダミーパターンと反転パターンと
を重ね合わせて平坦化パターンを生成する図形論理和演
算処理とを備えている。

【００３６】本発明に係る第４の平坦化パターンの生成
装置は、配線層における配線パターンを第１の所定量だ
け拡大して第１の拡大配線パターンを生成する第１の図
形拡大処理手段と、配線パターンを第１の所定量よりも
大きい第２の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パター
ンを生成する第２の図形拡大処理手段と、第２の拡大配
線パターンを反転して反転パターンを生成する図形反転
処理手段と、第１の単純図形を繰り返し配置して第１の
ダミー元パターンを生成する第１のダミー元パターン生
成手段と、第１のダミー元パターンから第１の拡大配線
パターン及び反転パターンとの重なり部分を削除して第
１のダミーパターンを生成する図形論理差演算処理手段
と、第１の単純図形よりも大きい第２の単純図形を繰り
返し配置して第２のダミー元パターンを生成する第２の
ダミー元パターン生成手段と、第２のダミー元パターン
のうち反転パターンとの重なり部分のみを残存させて第
２のダミーパターンを生成する図形論理積演算処理手段
と、第１のダミーパターンと第２のダミーパターンとを
重ね合わせて平坦化パターンを生成する図形論理和演算
処理手段とを備えている。

【００３７】本発明に係る第５の平坦化パターンの生成
装置は、第１の配線層における第１の配線パターンを第
１の所定量だけ拡大して第１の拡大配線パターンを生成
する第１の図形拡大処理手段と、第１の配線層の上層又
は下層である第２の配線層における第２の配線パターン
を第２の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを
生成する第２の図形拡大処理手段と、第１の拡大配線パ
ターンと第２の拡大配線パターンとを重ね合わせて合成
パターンを生成する図形論理和演算処理手段と、合成パ
ターンを反転させて反転パターンを生成する図形反転処
理手段と、単純図形を繰り返し配置してダミー元パター
ンを生成するダミー元パターン生成手段と、ダミー元パ
ターンから第１の拡大配線パターン及び反転パターンと
の重なり部分を削除して第１のダミーパターンを生成す
る図形論理差演算処理手段と、第１のダミーパターンと
反転パターンとを重ね合わせて平坦化パターンを生成す
る図形論理和演算処理手段とを備えている。

【００３８】本発明に係る第６の平坦化パターンの生成
装置は、第１の配線層における第１の配線パターンを第
１の所定量だけ拡大して第１の拡大配線パターンを生成
する第１の図形拡大処理手段と、第１の配線層の上層又
は下層である第２の配線層における第２の配線パターン
を第２の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを
生成する第２の図形拡大処理手段と、第１の拡大配線パ
ターンと第２の拡大配線パターンとを重ね合わせて合成
パターンを生成する図形論理和演算処理手段と、合成パ
ターンを反転させて反転パターンを生成する図形反転処
理手段と、第１の単純図形を繰り返し配置して第１のダ
ミー元パターンを生成する第１のダミー元パターン生成
手段と、第１のダミー元パターンから第１の拡大配線パ
ターン及び反転パターンとの重なり部分を削除して第１
のダミーパターンを生成する図形論理差演算処理手段
と、第１の単純図形よりも大きい第２の単純図形を繰り
返し配置して第２のダミー元パターンを生成する第２の
ダミー元パターン生成手段と、第２のダミー元パターン
のうち反転パターンとの重なり部分のみを残存させて第
２のダミーパターンを生成する図形論理積演算処理手段
と、第１のダミーパターンと第２のダミーパターンとを
重ね合わせて平坦化パターンを生成する図形論理和演算
処理手段とを備えている。

【００３９】本発明に係る第１の半導体集積回路装置
は、半導体基板上の配線層に形成された配線パターン
と、配線層における配線パターンから第１の所定距離以
上離れ且つ第１の所定距離よりも大きい第２の所定距離
以内の領域に形成されており、単純図形の集合よりなる
第１の平坦化パターンと、配線層における配線パターン
から第２の所定距離以上離れた領域に形成されており、
単純図形よりも大きい少なくとも１つの図形よりなる第
２の平坦化パターンと、配線パターン、第１の平坦化パ
ターン及び第２の平坦化パターンの上に形成された層間
絶縁膜とを備えている。

【００４０】本発明に係る第２の半導体集積回路装置
は、半導体基板上の第１の配線層に形成された第１の配
線パターンと、半導体基板上における第１の配線層の上
層又は下層に位置する第２の配線層に形成された第２の
配線パターンと、第１の配線層における、第１の配線パ
ターンから第１の所定距離以上離れ且つ第１の所定距離
よりも大きい第２の所定距離以内であると共に第２の配
線パターンから第３の所定距離以内である領域に形成さ
れており、単純図形の集合よりなる第１の平坦化パター
ンと、第１の配線層における第１の配線パターンから第
２の所定距離以上離れ且つ第２の配線パターンから第３
の所定距離以上離れた領域に形成されており、単純図形
よりも大きい少なくとも１つの図形よりなる第２の平坦
化パターンと、第１の配線層に形成されている第１の配
線パターン、第１の平坦化パターン及び第２の平坦化パ
ターンと、第２の配線層に形成されている第２の配線パ
ターンとの間に形成された層間絶縁膜とを備えている。

【００４１】

【発明の実施の形態】本発明に係る平坦化パターンの生
成方法の各実施形態、各実施形態に用いられる平坦化パ
ターンの生成装置、各実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法を用いて製造される半導体集積回路装置につい
て図面を参照しながら説明する。

【００４２】（第１の実施形態）以下、本発明の第１の
実施形態に係る平坦化パターンの生成方法について図１
（ａ）〜（ｄ）及び図２（ａ）〜（ｃ）並びに図２８の
フロー図を参照しながら説明すると共に、第１の実施形
態に係る平坦化パターンの生成方法に用いられる第１の
平坦化パターン生成装置について図３５を参照しながら
説明する。

【００４３】まず、ステップＳＡ１において、配線パタ
ーンを入力した後、ステップＳＡ２において、図１
（ａ）に示すように、単純図形例えば方形を繰り返し配
置した図形パターンである第１のダミー元パターン１０
を生成する。この場合、第１のダミー元パターン１０を
構成する方形の１辺の長さＡの値は半導体製造プロセス
上の配線パターンのルールを満たす最小値以上の大きさ
に設定すると共に、第１のダミー元パターン１０を構成
する方形同士の間隔ａの値は半導体製造プロセス上の配
線パターン同士の間隔のルールを満たす最小値以上の大
きさに設定する。

【００４４】次に、ステップＳＡ３において、図３５に
示す図形拡大処理手段１００により、図１（ｂ）に示す
配線パターン１１を所定量Ｂだけ拡大して図１（ｃ）に
示す拡大配線パターン１２を生成する。この場合、所定
量Ｂの値は、配線パターン１１と最終的に得られる平坦
化パターン１５（図２（ｂ）を参照）との間で最小限満
たさなければならない間隔の値である。拡大配線パター
ン１２は、配線パターン１１の近傍において平坦化パタ
ーン１５を置くことを禁止する領域を意味する。

【００４５】次に、ステップＳＡ４において、図３５に
示す図形論理差演算手段１０１により、第１のダミー元
パターン１０から拡大配線パターン１２との重なり部分
を削除する図形の論理差演算処理を行なって、図１
（ｄ）に示すような、ダミーパターン１３を生成する。

【００４６】次に、ステップＳＡ５において、図３５に
示す図形縮小処理手段１０２により、ダミーパターン１
３を所定量Ｃだけ縮小して縮小ダミーパターン１４を生
成する。この場合、所定量Ｃの値は、半導体製造プロセ
ス上の配線パターンのルールを満たす最小値の１／２の
値であって、方形の１辺の長さＡの値の１／２よりも小
さい値に設定する。

【００４７】次に、ステップＳＡ６において、図３５に
示す図形拡大処理手段１０３により、縮小ダミーパター
ン１４を所定量Ｃだけ拡大して平坦化パターン１５を生
成する。平坦化パターン１５は、ダミーパターン１３か
ら半導体製造プロセス上の配線パターンのルールを満た
さない図形を削除したパターンとなる。

【００４８】次に、ステップＳＡ７において、図２０に
示す図形論理和演算処理手段１０４により、配線パター
ン１１と平坦化パターン１５との図形の論理和演算処理
を行なって、図２（ｃ）に示すような最終パターンを生
成する。

【００４９】以上のように、第１の実施形態によると、
平坦化パターン１５を生成する工程において、ダミーパ
ターン１３を所定量Ｃだけ縮小して縮小ダミーパターン
１４を生成した後、残存する縮小ダミーパターン１４を
所定量Ｃだけ拡大して平坦化パターン１５を生成するの
で、半導体製造プロセス上の配線パターンのルールを満
たさない平坦化パターン１５が生成されない。

【００５０】また、第１のダミー元パターン１０の一辺
の長さＡの値を半導体製造プロセス上の配線パターンの
ルールを満たす最小値以上に設定し且つ前述の縮小工程
及び拡大工程を経たことにより、平坦化パターン１５の
大きさを大きくすることができるので、平坦化パターン
１５の図形数やデータ量を抑制することができる。

【００５１】尚、前記第１の実施形態に代えて、配線パ
ターン１１を反転させて反転配線パターンを生成した
後、該反転配線パターンを所定量だけ縮小して縮小反転
配線パターンを生成し、その後、第１のダミー元パター
ン１０から縮小反転配線パターンとの重なり部分を削除
する図形の論理差演算処理を行なって、図１（ｄ）に示
すようなダミーパターン１３を生成してもよい。

【００５２】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係る平坦化パターンの生成方法について、図
１（ａ）、図３（ａ）〜（ｄ）、図４（ａ）〜（ｄ）、
図５（ａ）〜（ｄ）、図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ａ）
〜（ｄ）、図８（ａ）〜（ｄ）及び図９（ａ）〜
（ｄ）、並びに図２９及び図３０のフロー図を参照しな
がら説明すると共に、第２の実施形態に係る平坦化パタ
ーンの生成方法に用いられる第２の平坦化パターンの生
成装置について図３６を参照しながら説明する。

【００５３】まず、ステップＳＢ１において、配線パタ
ーンを入力した後、ステップＳＢ２において、第１のダ
ミー元パターン１０を生成する。

【００５４】次に、ステップＳＢ３において、図１
（ａ）に示す第１のダミー元パターン１０をｘ方向又は
ｙ方向にそれぞれ異なった移動量だけ移動させて、図３
（ａ）に示す第２のダミー元パターン２１、図３（ｂ）
に示す第３のダミー元パターン２２、図３（ｃ）に示す
第４のダミー元パターン２３及び図３（ｄ）に示す第５
のダミー元パターン２４をそれぞれ生成する。第１〜第
５のダミー元パターン１０、２１〜２４は図３６に示す
使用データ切替え手段２００により切り替えて出力され
る。

【００５５】次に、ステップＳＢ４において、図３６に
示す図形拡大処理手段２０１により、図４（ａ）に示す
配線パターン２５を所定量Ｂだけ拡大して図４（ｂ）に
示す拡大配線パターン２６を生成し、生成された拡大配
線パターン２６は図３６に示す使用データ切替え手段２
０２に出力される。所定量Ｂの値は、配線パターン２５
と最終的に得られる平坦化パターン（図９（ｄ）を参
照）との間で最小限満たさなければならない間隔の値で
ある。拡大配線パターン２６は、配線パターン２５の近
傍において図９（ｄ）に示す平坦化パターンを置くこと
を禁止する領域を意味する。

【００５６】次に、ステップＳＢ５において、図３６に
示す図形論理差演算処理手段２０３により、図１（ａ）
に示す第１のダミー元パターン１０から拡大配線パター
ン２６との重なり部分を削除する図形の論理差演算処理
を行なって、図４（ｄ）に示すような、第１ダミーパタ
ーン２７を生成する。

【００５７】次に、ステップＳＢ６において、図３６に
示す図形縮小処理手段２０４により、第１ダミーパター
ン２７を所定量Ｃだけ縮小して第１縮小ダミーパターン
２８を生成する。この場合、所定量Ｃの値は、半導体製
造プロセス上の配線パターンのルールを満たす最小値の
１／２の値であって、方形の１辺の長さＡの値の１／２
よりも小さい値に設定する。

【００５８】次に、ステップＳＢ７において、図３６に
示す図形拡大処理手段２０５により、第１縮小ダミーパ
ターン２８を所定量Ｃだけ拡大して図５（ａ）に示す第
２ダミーパターン２９を生成する。第２ダミーパターン
２９は、第１ダミーパターン２７のうちから半導体製造
プロセス上の配線パターンのルールを満たさない図形を
削除したパターンとなる。第２ダミーパターン２９は使
用データ切替え手段２０６に出力されると共に図形拡大
処理手段２０７を介して図形論理和演算処理手段２０８
に出力される。

【００５９】次に、ステップＳＢ８において、図３６に
示す図形論理和演算処理手段２０８により、配線パター
ン２５と第２ダミーパターン２９との図形の論理和演算
処理を行なって、図５（ｂ）に示すような配線パターン
２５と第２ダミーパターン２９とが合成されてなる第１
合成パターンを生成する。

【００６０】次に、ステップＳＢ９において、図３６に
示す図形拡大処理手段２０７により、第２ダミーパター
ン２９を所定量Ｄだけ拡大して図５（ｃ）に示す第１拡
大ダミーパターン３０を生成する。この場合、所定量Ｄ
の値は、配線パターン２５と最終的に得られる図９
（ｄ）に示す平坦化パターンとの間で最小限満たさなけ
ればならない間隔の値である。

【００６１】次に、ステップＳＢ１０において、図３６
に示す図形論理和演算処理手段２０８により、拡大配線
パターン２６と第１拡大ダミーパターン３０との図形の
論理和演算処理を行なって、図５（ｄ）に示すような第
１拡大合成パターン３１を生成する。第１拡大合成パタ
ーン３１は、配線パターン２５及び第２ダミーパターン
２９の各近傍に図９（ｄ）に示す平坦化パターンを置く
ことを禁止する領域を示す。

【００６２】次に、ステップＳＢ１１において、図３６
に示す図形論理差演算処理手段２０３により、図３
（ａ）に示す第２ダミー元パターン２１から第１拡大合
成パターン３１との重なり部分を削除する図形の論理差
演算処理を行なって、図６（ａ）に示すような第３ダミ
ーパターン３２を生成する。

【００６３】次に、ステップＳＢ１２において、図３６
に示す図形縮小処理手段２０４により、第３ダミーパタ
ーン３２を所定量Ｄだけ縮小して第２縮小ダミーパター
ン３３を生成する。

【００６４】次に、ステップＳＢ１３において、図３６
に示す図形拡大処理手段２０５により、第２縮小ダミー
パターン３３を所定量Ｄだけ拡大して図６（ｃ）に示す
第４ダミーパターン３４を生成する。第４ダミーパター
ン３４は、第２ダミーパターン２１から半導体製造プロ
セス上の配線パターンのルールを満たさない図形を削除
したパターンとなる。

【００６５】次に、ステップＳＢ１４において、図３６
に示す図形論理和演算処理手段２０８により、図５
（ｂ）に示す第１合成パターンと第４ダミーパターン３
４との図形の論理和演算処理を行なって、図６（ｄ）に
示すような、配線パターン２５と第２ダミーパターン２
９と第４ダミーパターン３４とが合成されてなる第２合
成パターンを生成する。

【００６６】次に、ステップＳＢ１５において、図３６
に示す図形拡大処理手段２０７により、第４ダミーパタ
ーン３４を所定量Ｄだけ拡大して図７（ａ）に示す第２
拡大ダミーパターン３５を生成した後、ステップＳＢ１
６において、拡大配線パターン２６と第２拡大ダミーパ
ターン３５との図形の論理和演算処理を行なって、図７
（ｂ）に示すような第２拡大合成パターン３６を生成す
る。

【００６７】次に、ステップＳＢ１７において、図３６
に示す図形論理差演算処理手段２０３により、図３
（ｂ）に示す第３ダミー元パターン２２から第２拡大合
成パターン３６との重なり部分を削除する図形の論理差
演算処理を行なって、図７（ｃ）に示すような第５ダミ
ーパターン３７を生成する。

【００６８】次に、ステップＳＢ１８において、図３６
に示す図形縮小処理手段２０４により、第５ダミーパタ
ーン３７を所定量Ｃだけ縮小して第３縮小ダミーパター
ン３８を生成する。

【００６９】次に、ステップＳＢ１９において、図３６
に示す図形拡大処理手段２０５により、第３縮小ダミー
パターン３８を所定量Ｃだけ拡大して図８（ａ）に示す
第６ダミーパターン３９を生成する。

【００７０】次に、ステップＳＢ２０において、図３６
に示す図形論理和演算処理手段２０８により、図６
（ｄ）に示す第２合成パターンと第６ダミーパターン３
９との図形の論理和演算処理を行なって、図８（ｂ）に
示すような配線パターン２５と第２ダミーパターン２９
と第４ダミーパターン３４と第６ダミーパターン３９と
が合成されてなる第３合成パターンを生成する。

【００７１】次に、ステップＳＢ２１において、図３６
に示す図形拡大処理手段２０７により、第６ダミーパタ
ーン３９を所定量Ｄだけ拡大して図８（ｃ）に示す第３
拡大ダミーパターン４０を生成した後、ステップＳＢ２
２において、図３６に示す図形論理和演算処理手段２０
８により、拡大配線パターン２６と第３拡大ダミーパタ
ーン４０との図形の論理和演算処理を行なって、図８
（ｄ）に示すような第３拡大合成パターン４１を生成す
る。

【００７２】次に、ステップＳＢ２３において、図３６
に示す図形論理差演算処理手段２０３により、図３
（ｃ）に示す第４ダミー元パターン２３から第３拡大合
成パターン４１との重なり部分を削除する図形の論理差
演算処理を行なって、図９（ａ）に示すような、第７ダ
ミーパターン４２を生成する。

【００７３】次に、ステップＳＢ２４において、図３６
に示す図形縮小処理手段２０４により、第７ダミーパタ
ーン４２を所定量Ｃだけ縮小して第４縮小ダミーパター
ン４３を生成する。

【００７４】次に、ステップＳＢ２５において、図３６
に示す図形拡大処理手段２０５により、第４縮小ダミー
パターン４３を所定量Ｃだけ拡大して図９（ｃ）に示す
第８ダミーパターン４４を生成する。

【００７５】次に、ステップＳＢ２６において、図３６
に示す図形論理和演算処理手段２０９により、図８
（ｂ）に示す第３合成パターンと第８ダミーパターン４
４との図形の論理和演算処理を行なって、図９（ｄ）に
示すような配線パターン２５と第２ダミーパターン２９
と第４ダミーパターン３４と第６ダミーパターン３９と
第８ダミーパターン４４とが合成されてなる第４合成パ
ターンを生成する。この第４合成パターンは、図１
（ａ）のダミーパターン１０、図３（ａ）示す第２ダミ
ー元パターン２１、図３（ｂ）に示す第３ダミー元パタ
ーン２２及び図３（ｃ）に示す第４ダミー元パターン２
３に基づいて生成した最終的な平坦化パターンである
が、図３（ｄ）に示す第５ダミー元パターン２３をも加
味した平坦化パターンを前記の同様のプロセスにより生
成することも可能である。

【００７６】以上のように、第２の実施形態によると、
第１の実施形態と同様、半導体製造プロセス上の配線パ
ターンのルールを満たさない平坦化パターンが生成され
ることがないまた、第２の実施形態によると、第１のダ
ミー元パターン１０の他に該第１のダミー元パターン１
０を平行移動して得られる第２〜第４のダミー元パター
ン２１〜２３を用いて平坦化パターンを形成するため、
第１の実施形態に比べて平坦化パターンを構成する単純
図形の大きさが大きくなるので、平坦化パターンの図形
数やデータ量を抑制することができる。

【００７７】さらに、第２の実施形態によると、第１〜
第４のダミー元パターン１０、２１〜２３を用いて平坦
化パターンを形成するため、第１の実施形態に比べて配
線パターン同士の間において平坦化パターンにより埋め
られない領域を低減できるので、プロセス上必要とされ
る配線層の平坦度を満足する平坦化パターンを形成する
ことができる。

【００７８】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係る平坦化パターンの生成方法について図１
０（ａ）（ｂ）、図１１（ａ）（ｂ）及び図１２（ａ）
（ｂ）並びに図３１のフロー図を参照しながら説明する
と共に、第３の実施形態に係る平坦化パターンの生成方
法に用いられる第３の平坦化パターンの生成装置につい
て図３７を参照しながら説明する。

【００７９】前述した第１〜第５のダミー元パターン１
０、２１〜２４は、図３７に示す使用データ切替え手段
３００により切り替えて出力されて適宜用いられるが、
第３の実施形態においては、第１のダミー元パターン１
０を用いる場合について説明する。

【００８０】まず、ステップＳＣ１において、配線パタ
ーンを入力した後、ステップＳＣ２において、第１のダ
ミー元パターン１０を生成する。

【００８１】次に、ステップＳＣ３において、図３７に
示す図形拡大処理手段３０１により、図１０（ａ）に示
す配線パターン５０を所定量Ｂだけ拡大して図１０
（ｂ）に示す第１拡大配線パターン５１を生成する。こ
の場合、所定量Ｂの値は、配線パターン５０と最終的に
得られる平坦化パターン（図１２（ｂ）を参照）との間
で最小限満たさなければならない間隔の値である。第１
拡大配線パターン５１は、配線パターン５０の近傍にお
いて平坦化パターンを置くことを禁止する領域を意味す
る。

【００８２】次に、ステップＳＣ４において、図３７に
示す図形拡大処理手段３０２により、図１０（ａ）に示
す配線パターン５０を所定量Ｅだけ拡大して図１１
（ａ）に示す第２拡大配線パターン５２を生成する。所
定量Ｅの値は第１の実施形態で用いた第１のダミー元パ
ターン１０の単純図形である方形の一辺の大きさＡの値
と、方形同士の間隔ａの値と、配線パターン５０近傍の
平坦化パターンを置くことを禁止する領域の幅である所
定量Ｂの値との合計値以上の大きさである。

【００８３】次に、ステップＳＣ５において、図３７に
示す図形反転処理手段３０３により、第２拡大配線パタ
ーン５２に対して図形を反転する反転処理を行なって、
図１１（ｂ）に示す反転パターン５３を生成する。

【００８４】次に、ステップＳＣ６において、図３７に
示す図形論理和演算処理手段３０４により、第１拡大配
線パターン５１と反転パターン５３との図形の論理和演
算処理を行なって、図１２（ａ）に示す合成パターンを
生成する。この合成パターンは、配線パターン５０の近
傍の領域において、第１のダミー元パターン１０よりな
る平坦化パターンを置くことを禁止する領域を示す。図
１２（ａ）に示す合成パターンは、図３７に示す使用デ
ータ切替え手段３０５を介して図３７に示す図形論理差
演算処理手段３０５に出力される。

【００８５】次に、ステップＳＣ７において、図３７に
示す図形論理差演算処理手段３０５により、図１（ａ）
に示す第１のダミー元パターン１０から図１２（ａ）に
示す合成パターンとの重なり部分を削除する図形の論理
差演算処理を行ない、得られる図形パターンは、図３７
に示す図形縮小処理手段３０６、図形拡大処理手段３０
７及び使用データ切替え手段３０８を介して図形論理和
演算処理手段３０９に出力される。

【００８６】次に、同じくステップＳＣ７において、図
３７に示す図形論理和演算処理手段３０９により、第１
のダミー元パターン１０から図１２（ａ）に示す合成パ
ターンとの重なり部分を削除する図形の論理差演算処理
により得られた図形パターンと、配線パターン５０及び
反転パターン５３との図形の論理和演算処理を行なっ
て、図１２（ｂ）に示す最終的な平坦化パターンを生成
する。

【００８７】尚、図３７に示す図形縮小処理手段３０
６、図形拡大処理手段３０７、使用データ切替え手段３
１０、図形論理和演算処理手段３１１、図形拡大処理手
段３１２は、第３の実施形態においては用いられていな
いが、図３５に示す図形縮小処理手段２０４、図形拡大
処理手段２０５、使用データ切替え手段２０２、図形論
理和演算処理手段２０８、図形拡大処理手段２０７とそ
れぞれ同様の機能を持っている。

【００８８】以上のように、第３の実施形態によると、
配線パターン５０の近傍以外の領域において反転パター
ン５３に相当する平面パターンよりなる平坦化パターン
を形成するため、単純図形よりなる平坦化パターンを形
成する場合に比べて、平坦化パターンの図形数やデータ
量を抑制することができる。

【００８９】尚、前記第３の実施形態に代えて、配線パ
ターン５０を反転して反転パターンを生成した後、該反
転パターンを所定量だけ縮小して縮小反転パターンを生
成し、第１のダミー元パターン１０から第１の拡大配線
パターン５１及び前記縮小反転パターンとの重なり部分
を削除する図形論理差演算処理により得られたダミーパ
ターンと前記縮小反転パターンとを図形論理和演算処理
して平坦化パターンを生成してもよいし、又は、第２の
拡大配線パターン５２を反転して第１の反転パターンを
生成した後、該第１の反転パターンを所定量だけ縮小し
て縮小反転パターンを生成し、その後、該縮小反転パタ
ーンを所定量だけ拡大して第２の反転パターンを生成し
た後、第１のダミー元パターン１０からから第１の拡大
配線パターン５２及び前記第２の反転パターンとの重な
り部分を削除する図形論理差演算処理により得られたダ
ミーパターンと前記第２の反転パターンとを図形論理和
演算処理して平坦化パターンを生成してもよい。

【００９０】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態に係る平坦化パターンの生成方法について図１
３（ａ）（ｂ）及び図１４（ａ）（ｂ）並びに図３２に
示すフロー図を参照しながら説明すると共に、第４の実
施形態に係る平坦化パターンの生成方法に用いられる第
４の平坦化パターン生成装置について図３８を参照しな
がら説明する。

【００９１】前述した第１〜第５のダミー元パターン１
０、２１〜２４は、図３８に示す使用データ切替え手段
４００により切り替えて出力されて適宜用いられるが、
第４の実施形態においては、第１のダミー元パターン１
０を用いる場合について説明する。

【００９２】まず、ステップＳＤ１において、配線パタ
ーンを入力した後、ステップＳＤ２において、第１のダ
ミー元パターン１０を生成すると共に、第１のダミー元
パターン１０の単純図形よりも大きい単純図形例えば方
形よりなる図１３（ａ）に示す第６ダミーパターン５５
を生成する。

【００９３】次に、第３の実施形態と同様にして、図３
８に示す図形拡大処理手段４０１により、ステップＳＤ
３において、図１０（ａ）に示す配線パターン５０を所
定量Ｂだけ拡大して図１０（ｂ）に示す第１拡大配線パ
ターン５１を生成した後、図３８に示す図形拡大処理手
段４０２により、ステップＳＤ４において、配線パター
ン５０を所定量だけ拡大して第２拡大配線パターン５２
を生成し、その後、ステップＳＤ５において、図３８に
示す図形反転処理手段４０３により、第２拡大配線パタ
ーン５２を反転して図１１（ｂ）に示す反転パターン５
３を生成する。

【００９４】次に、ステップＳＤ６において、図３８に
示す図形論理差演算処理手段４０４により、第６ダミー
パターン５５から図１１（ｂ）に示す反転パターン５３
との重なり部分を削除する図形の論理差演算処理を行な
って、図１３（ｂ）に示すような第７ダミーパターン５
６を生成する。

【００９５】次に、ステップＳＤ７において、図３８に
示す図形論理和演算処理手段４０５により、第７ダミー
パターン５６と図１０（ｂ）に示す第１拡大配線パター
ン５１との図形の論理和演算処理を行なって、図１４
（ａ）に示すような合成パターンを生成する。図１４
（ａ）の合成パターンは、図１０（ａ）に示す配線パタ
ーン５０の近傍において第１のダミー元パターン１０よ
り生成された平坦化パターンを置くことを禁止する領域
を示している。図１４（ａ）に示す合成パターンは、図
３８に示す使用データ切替え手段４０６を介して図３８
に示す図形論理差演算処理手段４０７に出力される。

【００９６】次に、ステップＳＤ８において、図３８に
示す図形論理差演算処理手段４０７により、図１（ａ）
に示す第１のダミー元パターン１０から図１４（ａ）に
示す合成パターンとの重なり部分を削除する図形の論理
差演算処理を行ない、得られる図形パターンは、図３８
に示す図形縮小処理手段４０８、図形拡大処理手段４０
９及び使用データ切替え手段４１０を介して図形論理和
演算処理手段４１１に出力される。

【００９７】次に、同じくステップＳＤ８において、図
３８に示す図形論理和演算処理手段４１１により、第１
のダミー元パターン１０から図１４（ａ）に示す合成パ
ターンとの重なり部分を削除する図形の論理差演算処理
を行なって得られた図形パターンと配線パターン５０と
第７ダミーパターン５６との図形の論理和演算処理を行
なって、図１４（ｂ）に示す最終的な平坦化パターンを
生成する。

【００９８】尚、図３８に示す図形縮小処理手段４０
８、図形拡大処理手段４０９、図形論理和演算処理手段
４１２及び図形拡大処理手段４１３は、第４の実施形態
においては用いられていないが、図３５に示す図形縮小
処理手段２０４、図形拡大処理手段２０５、図形論理和
演算処理手段２０８及び図形拡大処理手段２０７とそれ
ぞれ同様の機能を持っている。

【００９９】以上のように、第４の実施形態によると、
配線パターン５０の近傍以外の領域において、第１のダ
ミー元パターン１０の単純図形よりも大きい単純図形よ
りなる第６ダミー元パターン５５によって平坦化パター
ンを生成するため、第１又は第２実施形態の第１のダミ
ー元パターン１０を用いる場合に比べて平坦化パターン
の図形数やデータ量を抑制することができる。この場
合、配線パターン５０の近傍以外の領域においては、第
３の実施形態のように平面パターンを形成していないの
で、配線パターン５０が形成される配線層の上層又は下
層の配線層における平坦化パターンによる寄生容量の増
加を抑制することができる。すなわち、平坦化パターン
の図形数やデータ量の低減と上層又は下層の配線層にお
ける寄生容量の増加の抑制との両立を図ることができ
る。

【０１００】（第５の実施形態）以下、本発明の第５の
実施形態に係る平坦化パターンの生成方法について図１
５（ａ）（ｂ）、図１６（ａ）（ｂ）及び図１７（ａ）
（ｂ）並びに図３３のフロー図を参照しながら説明する
と共に、第５の実施形態に係る平坦化パターンの生成方
法に用いられる第５の平坦化パターンの生成装置につい
て図３９を参照しながら説明する。

【０１０１】図１５（ａ）は、平坦化パターンを生成さ
せる第１の配線パターンとしての配線パターン５０と、
該配線パターン５０の上層又は下層の配線層に形成され
る第２の配線パターンとしての他層配線パターン６０と
を示している。

【０１０２】前述した第１〜第５のダミー元パターン１
０、２１〜２４は、図３９に示す使用データ切替え手段
５００により切り替えて出力されて適宜用いられるが、
第５の実施形態においては、第１のダミー元パターン１
０を用いる場合について説明する。

【０１０３】まず、ステップＳＥ１において、配線パタ
ーン５０及び他層配線パターン６０を出力した後、ステ
ップＳＥ２において、第１のダミー元パターン１０を生
成する。

【０１０４】次に、ステップＳＥ３において、図３９に
示す図形拡大処理手段５０１により、他層配線パターン
６０を所定量Ｆだけ拡大して図１５（ｂ）に示す第３の
拡大配線パターン６１（前述した第１の拡大配線パター
ン５１及び第２の拡大配線パターン５２は後に引用する
ため、ここでは最初に登場するが便宜上第３の拡大配線
パターンと称する。）を生成する。第３の拡大配線パタ
ーン６１は、他層配線パターン６０の寄生容量の増加を
抑制する平坦化パターンを生成させる領域を示す。従っ
て、所定量Ｆの値としては、他層配線パターン６０の近
傍に平坦化パターンを生成することによって、他層配線
パターン６０の寄生容量の増加を抑制する領域を確保で
きる値に設定する。

【０１０５】次に、ステップＳＥ４において、図３９に
示す図形拡大処理手段５０２により、第３の実施形態と
同様に、配線パターン５０を所定量Ｅだけ拡大して、図
１１（ａ）に示す第２拡大配線パターン５２を生成す
る。

【０１０６】次に、ステップＳＥ５において、図３９に
示す図形論理和演算処理手段５０３により、第３の拡大
配線パターン６１と第２の拡大配線パターン５２との図
形の論理和演算処理を行なって、図１６（ａ）に示すよ
うな第１の合成パターンを生成する。

【０１０７】次に、ステップＳＥ６において、図３９に
示す図形反転処理手段５０４により、図１６（ａ）に示
す第１の合成パターンを図形的に反転処理して、図１６
（ｂ）に示す反転パターン６２を生成する。

【０１０８】次に、ステップＳＥ７において、図３９に
示す図形拡大処理手段５０５により、第３の実施形態と
同様に、図１０（ａ）に示す配線パターン５０を所定量
Ｂだけ拡大して図１０（ｂ）に示す第１拡大配線パター
ン５１を生成する。

【０１０９】次に、ステップＳＥ８において、図３９に
示す図形論理和演算処理手段５０６により、反転パター
ン６２と図１０（ａ）に示す第１の拡大配線パターン５
１との図形の論理和演算処理を行なって、図１７（ａ）
に示す第２の合成パターンを生成する。第２の合成パタ
ーンは、配線パターン５０の近傍において第１のダミー
元パターン１０よりなる平坦化パターンを置くことを禁
止する領域を示す。第２の合成パターンは、図３９に示
す使用データ切替え手段５０７を介して図形論理差演算
処理手段５０８に出力される。

【０１１０】次に、同じくステップＳＥ８において、図
３９に示す図形論理差演算処理手段５０８により、図１
（ａ）に示す第１のダミー元パターン１０から第１の拡
大配線パターン５１との重なり部分を削除する図形の論
理差演算処理を行ない、得られる図形パターンは、図４
０に示す図形縮小処理手段５０９、図形拡大処理手段５
１０及び使用データ切替え手段５１１を介して図形論理
和演算処理手段５１２に出力される。

【０１１１】次に、ステップＳＥ９において、図３９に
示す図形論理和演算処理手段５１２は、図１（ａ）に示
す第１のダミー元パターン１０から第１の拡大配線パタ
ーン５１との重なり部分を削除する図形の論理差演算処
理を行なって得られる図形パターンと、第１の配線パタ
ーン５０及び反転パターン６２との図形の論理和演算処
理を行なって、図１７（ｂ）に示すような最終的な平坦
化パターンを生成する。

【０１１２】尚、図３９に示す図形縮小処理手段５０
９、図形拡大処理手段５１０、図形拡大処理手段５１３
及び図形論理和演算処理手段５１４は、第５の実施形態
においては用いられていないが、図３５に示す図形縮小
処理手段２０４、図形拡大処理手段２０５、図形拡大処
理手段２０７及び図形論理和演算処理手段２０８とそれ
ぞれ同様の機能を持っている。

【０１１３】以上のように、第５の実施形態によると、
配線パターン５０の近傍以外の領域で且つ上層又は下層
の他層配線パターン６０の近傍以外の領域において、反
転パターン６２に相当する平面パターンよりなる平坦化
パターンを形成するため、寄生容量の増加を抑制しつつ
平坦化パターンの図形数やデータ量を低減できる。

【０１１４】（第６の実施形態）以下、本発明の第６の
実施形態に係る平坦化パターンの生成方法について図１
８（ａ）（ｂ）及び図１９並びに図３３のフロー図を参
照しながら説明すると共に、第６の実施形態に係る平坦
化パターンの生成方法に用いられる第６の平坦化パター
ンの生成装置について図４０を参照しながら説明する。

【０１１５】前述した第１〜第５のダミー元パターン１
０、２１〜２４は、図４０に示す使用データ切替え手段
６００により切り替えて出力されて適宜用いられるが、
第６の実施形態においては、第１のダミー元パターン１
０を用いる場合について説明する。

【０１１６】まず、ステップＳＦ１において、配線パタ
ーン５０及び他層配線パターン６０を入力した後、ステ
ップＳＦ２において、第１のダミー元パターン１０を生
成する。

【０１１７】次に、ステップＳＦ３において、図４０に
示す図形拡大処理手段６０１により、第３の実施形態と
同様に、図１０（ａ）に示す配線パターン５０を所定量
Ｂだけ拡大して図１０（ｂ）に示す第１拡大配線パター
ン５１を生成する。

【０１１８】次に、ステップＳＦ４において、図４０に
示す図形拡大処理手段６０２により、第５の実施形態と
同様に、他層配線パターン６０を所定量Ｆだけ拡大して
図１５（ｂ）に示す第３の拡大配線パターン６１を生成
する。

【０１１９】次に、ステップＳＦ５において、図４０に
示す図形拡大処理手段６０３により、第３の実施形態と
同様に、配線パターン５０を所定量Ｅだけ拡大して図１
１（ａ）に示す第２拡大配線パターン５２を生成する。

【０１２０】次に、ステップＳＦ６において、図４０に
示す図形論理和演算処理手段６０４により、第５の実施
形態と同様に、第３の拡大配線パターン６１と第２の拡
大配線パターン５２との図形の論理和演算処理を行なっ
て、図１６（ａ）に示すような第１の合成パターンを生
成する。

【０１２１】次に、ステップＳＦ７において、図４０に
示す図形論理差演算処理手段６０５により、図１３
（ａ）に示す大きい方形よりなるダミーパターン５５か
ら図１６（ａ）に示す第１合成パターンとの重なり部分
の図形を削除する図形の論理差演算処理を行なって、図
１８（ａ）に示す第８ダミーパターン７０を生成する。

【０１２２】次に、ステップＳＦ８において、図４０に
示す図形論理和演算手段６０６により、図１０（ｂ）に
示す第１の拡大配線パターン５１と、図１８（ａ）に示
す第８ダミーパターン７０との図形の論理和演算処理を
行なって、図１８（ｂ）に示す第２の合成パターンを生
成する。第２の合成パターンは図４０に示す使用データ
切替え手段６０７を介して図形論理差演算処理手段６０
８に出力される。

【０１２３】次に、ステップＳＦ９において、図４０に
示す図形論理差演算処理手段６０８により、図１（ａ）
に示した配線パターン１０から第１の拡大配線パターン
５１との重なり部分を削除する図形の論理差演算処理を
行ない、得られる図形パターンは、図４０に示す図形縮
小処理手段６０９、図形拡大処理手段６１０及び使用デ
ータ切替え手段６１１を介して図形論理和演算処理手段
６１２に出力される。

【０１２４】次に、同じくステップＳＦ９において、図
４０に示す図形論理和演算処理手段６１２は、図１
（ａ）に示した配線パターン１０から第１の拡大配線パ
ターン５１との重なり部分を削除する図形の論理差演算
処理を行なって得られる図形パターンと、第１の配線パ
ターン５０及び第８ダミーパターン７０との図形の論理
和演算処理を行なって、図１９に示すような最終的な平
坦化パターンを生成する。

【０１２５】尚、図４０に示す図形縮小処理手段６０
９、図形拡大処理手段６１０、図形論理和演算処理手段
６１３及び図形拡大処理手段６１４は、第６の実施形態
においては用いられていないが、図３５に示す図形縮小
処理手段２０４、図形拡大処理手段２０５、図形論理和
演算処理手段２０８及び図形拡大処理手段２０７とそれ
ぞれ同様の機能を持っている。

【０１２６】以上のように、第６の実施形態によると、
配線パターン５０の近傍以外の領域で且つ上層又は下層
の他層配線パターン６０の近傍以外の領域において、第
１のダミー元パターン１０の単純図形よりも大きい単純
図形よりなる第６ダミー元パターン５５よりなる平坦化
パターンを形成するため、平坦化パターンの図形数やデ
ータ量の低減と寄生容量の増加の抑制との両立を一層図
ることができる。

【０１２７】尚、以上説明した第１〜第６の実施形態に
おいては、単純図形として方形を用いたが、これに代え
て、三角形、丸形、多角形、ストライプ状又は格子状等
の模様を使用することが可能である。

【０１２８】（第７の実施形態）以下、本発明の第７の
実施形態に係る半導体集積回路装置について、図２０
（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明する。

【０１２９】図２０（ａ）は第７の実施形態に係る半導
体集積回路装置の平面構造を示し、図２０（ｂ）は図２
０（ａ）におけるＸ−Ｘ線の断面構造を示している。該
半導体集積回路装置は、半導体基板８０上の配線層に形
成された配線パターン８１と、配線層における配線パタ
ーン８１から第１の所定距離以上離れ且つ第１の所定距
離よりも大きい第２の所定距離以内の領域に形成されて
おり、単純図形、例えば方形の集合よりなる第１の平坦
化パターン８２と、配線層における配線パターン８１か
ら第２の所定距離以上離れた領域に形成されており、平
面状の図形よりなる第２の平坦化パターン８３と、配線
パターン８１、第１の平坦化パターン８２及び第２の平
坦化パターン８３の上に全面に亘って形成された層間絶
縁膜８４とを備えており、層間絶縁膜８４の上には図示
は省略しているが上層の配線パターンが形成されてい
る。

【０１３０】第７の実施形態によると、配線層における
配線パターン８１が形成されていない領域には、第１の
平坦化パターン８２及び第２の平坦化パターン８３が形
成されているため、層間絶縁膜８４の上面はほぼ平坦で
ある。また、配線パターン８１から第２の所定距離以上
離れた領域には、平面状の図形よりなる第２の平坦化パ
ターン８３が形成されているため、単純図形の集合より
なる第１の平坦化パターン８２に比べて、図形数やデー
タ量を抑制することができる。

【０１３１】以下、第７の実施形態に係る半導体集積回
路装置の第１の製造方法について、図２１（ａ）〜
（ｃ）を参照しながら説明する。尚、図２１（ａ）〜
（ｃ）は、図２０（ａ）におけるＸ−Ｘ線の断面と対応
している。

【０１３２】まず、図２１（ａ）に示すように、半導体
基板８０の上に、配線パターン８１を形成すると共に、
第３の実施形態に係る平坦化パターンの生成方法を用い
て第１の平坦化パターン８２及び第２の平坦化パターン
８３を形成する。

【０１３３】次に、図２１（ｂ）に示すように、配線パ
ターン８１、第１の平坦化パターン８２及び第２の平坦
化パターン８３の上に全面に亘って層間絶縁膜８４を形
成する。前述のように、層間絶縁膜８４の上面はほぼ平
坦であるが、ミクロ的に見ると、層間絶縁膜８４の上面
は、該層間絶縁膜８４の下に配線パターン８１、第１の
平坦化パターン８２又は第２の平坦化パターン８３が存
在する部位と存在しない部位との間で若干の凹凸があ
る。

【０１３４】次に、層間絶縁膜８４の上部８４ａをＣＭ
Ｐ（Chemical Mechanical Polish）装置により研磨し
て、図２１（ｃ）に示すように、層間絶縁膜８４の上面
を完全に平坦化する。その後、図示は省略するが、平坦
化された層間絶縁膜８４の上に上層の配線パターンを形
成する。

【０１３５】以下、第７の実施形態に係る半導体集積回
路装置の第１の製造方法を評価するために、従来の半導
体集積回路装置の製造方法について図４３（ａ）〜
（ｃ）を参照しながら説明する。

【０１３６】まず、図４３（ａ）に示すように、半導体
基板９０の上に配線パターン９１を形成した後、図４３
（ｂ）に示すように、配線パターン９１の上に層間絶縁
膜９２を形成する。このようにすると、層間絶縁膜９２
の上面には、配線パターン９１の有無に対応して大きな
凹凸が形成される。その後、図４３（ｃ）に示すよう
に、層間絶縁膜９２の表面部９２ａをＣＭＰ装置により
研磨すると、層間絶縁膜９２に対する研磨速度が配線パ
ターン９１の有無に応じて異なるため、ＣＭＰ装置によ
る研磨を行なうにも拘わらず、研磨層間絶縁膜９２の上
面には凹凸が残存する。

【０１３７】これに対して、第７の実施形態に係る半導
体集積回路装置の第１の製造方法によると、半導体基板
８０の配線層に第１の平坦化パターン８２及び第２の平
坦化パターンを形成して層間絶縁膜８４の上面をほぼ平
坦にしているため、ＣＭＰを行なった後の層間絶縁膜８
４の上面は完全に平坦である。

【０１３８】以下、第７の実施形態に係る半導体集積回
路装置の第２の製造方法について、図２２（ａ）〜
（ｄ）を参照しながら説明する。尚、図２２（ａ）〜
（ｄ）は、図２０（ａ）におけるＸ−Ｘ線の断面と対応
している。

【０１３９】まず、図２２（ａ）に示すように、半導体
基板８０の上に、配線パターン８１を形成すると共に、
第３の実施形態に係る平坦化パターンの生成方法を用い
て第１の平坦化パターン８２及び第２の平坦化パターン
８３を形成する。

【０１４０】次に、図２２（ｂ）に示すように、配線パ
ターン８１、第１の平坦化パターン８２及び第２の平坦
化パターン８３の上に全面に亘って層間絶縁膜８４を形
成する。前述のように、層間絶縁膜８４の上面はほぼ平
坦であるが、ミクロ的に見ると、層間絶縁膜８４の上面
は、該層間絶縁膜８４の下に配線パターン８１、第１の
平坦化パターン８２又は第２の平坦化パターン８３が存
在する部位と存在しない部位との間で若干の凹凸があ
る。

【０１４１】次に、層間絶縁膜８４の上に粘性を有する
樹脂８５を表面が平坦になるように塗布する。

【０１４２】次に、樹脂８５及び層間絶縁膜８４の上部
をエッチバック法により除去して、図２２（ｄ）に示す
ように、層間絶縁膜８４の上面を完全に平坦化する。そ
の後、図示は省略するが、平坦化された層間絶縁膜８４
の上に上層の配線パターンを形成する。

【０１４３】以下、第７の実施形態に係る半導体集積回
路装置の第３の製造方法について、図２３（ａ）〜
（ｄ）を参照しながら説明する。尚、図２３（ａ）〜
（ｄ）は、図２０（ａ）におけるＸ−Ｘ線の断面と対応
している。

【０１４４】まず、図２３（ａ）に示すように、半導体
基板８０の上に配線パターン８１を形成した後、図２３
（ｂ）に示すように、配線パターン８１の上に全面に亘
って層間絶縁膜８４を形成する。このようにすると、層
間絶縁膜８４における下側に配線パターン８１が存在す
る領域には凸部８４ｂが形成される。

【０１４５】次に、図２３（ｃ）に示すように、層間絶
縁膜８４の上に、第３の実施形態に係る平坦化パターン
の生成方法を用いて、配線パターン８１と異なる材料よ
りなる第１の平坦化パターン８２及び第２の平坦化パタ
ーン８３を形成する。第１の平坦化パターン８２及び第
２の平坦化パターン８３は、配線パターン８１からそれ
ぞれ第１及び第２の所定距離だけ離れているため、層間
絶縁膜８４における凸部８４ｂが形成されていない領域
に形成される。

【０１４６】次に、第１の平坦化パターン８２、第２の
平坦化パターン８３及び層間絶縁膜８４の凸部８４ｂを
ＣＭＰ装置により研磨して、図２２（ｄ）に示すよう
に、層間絶縁膜８４の上面を完全に平坦化する。その
後、図示は省略するが、平坦化された層間絶縁膜８４の
上に上層の配線パターンを形成する。

【０１４７】以下、第７の実施形態に係る半導体集積回
路装置の第４の製造方法について、図２４（ａ）〜
（ｄ）を参照しながら説明する。尚、図２４（ａ）〜
（ｄ）は、図２０（ａ）におけるＸ−Ｘ線の断面と対応
している。

【０１４８】まず、図２４（ａ）に示すように、半導体
基板８０の上に配線パターン８１を形成した後、図２４
（ｂ）に示すように、配線パターン８１の上に全面に亘
って下層の層間絶縁膜８４Ａを形成する。このようにす
ると、下層の層間絶縁膜８４Ａにおける下側に配線パタ
ーン８１が存在する領域には凸部８４ｂが形成される。

【０１４９】次に、図２４（ｃ）に示すように、下層の
層間絶縁膜８４Ａの上に、第３の実施形態に係る平坦化
パターンの生成方法を用いて第１の平坦化パターン８２
及び第２の平坦化パターン８３を形成する。第１の平坦
化パターン８２及び第２の平坦化パターン８３は、配線
パターン８１からそれぞれ第１及び第２の所定距離だけ
離れているため、下層の層間絶縁膜８４Ａにおける凸部
８４ｂが形成されていない領域に形成される。

【０１５０】次に、第１の平坦化パターン８２、第２の
平坦化パターン８３及び下層の層間絶縁膜８４Ａの上に
全面に亘って上層の層間絶縁膜８４Ｂを堆積する。この
ようにすると、第１の平坦化パターン８２及び第２の平
坦化パターン８３が、下層の層間絶縁膜８４Ａにおける
凸部８４ｂが形成されていない領域に形成されているた
め、上層の層間絶縁膜８４Ｂの上面はほぼ平坦である。

【０１５１】その後、図示は省略するが、ほぼ平坦であ
る上層の層間絶縁膜８４Ｂの上に上層の配線パターンを
形成する。

【０１５２】（第８の実施形態）以下、本発明の第８の
実施形態に係る半導体集積回路装置について、図２５、
図２６及び図２７を参照しながら説明する。

【０１５３】図２５は第８の実施形態に係る半導体集積
回路装置の平面構造を示しており、該半導体集積回路装
置は、半導体基板８０上の第１の配線層に形成された第
１の配線パターン８１と、第１の配線層の上層又は下層
に位置する第２の配線層に形成された第２の配線パター
ン８６とを備えている。図２６は、第２の配線層が第１
の配線層の下層に位置する場合の図２５におけるＹ−Ｙ
線の断面構造を示し、図２７は、第２の配線層が第１の
配線層の上層に位置する場合の図２５におけるＹ−Ｙ線
の断面構造を示している。

【０１５４】第１の配線層における、第１の配線パター
ン８１から第１の所定距離以上離れ且つ第１の所定距離
よりも大きい第２の所定距離以内であると共に第２の配
線パターン８６から第３の所定距離以内である領域に
は、単純図形の集合よりなる第１の平坦化パターン８２
が形成されている。また、第１の配線層における第１の
配線パターン８１から第２の所定距離以上離れ且つ第２
の配線パターン８６から第３の所定距離以上離れた領域
には、単純図形よりも大きい複数の図形よりなる第２の
平坦化パターン８３が形成されている。

【０１５５】第１の配線層にそれぞれ形成されている第
１の配線パターン８１、第１の平坦化パターン８２及び
第２の平坦化パターン８３と、第２の配線層に形成され
ている第２の配線パターン８６との間には層間絶縁膜８
４が形成されている。

【０１５６】尚、第８の実施形態に係る半導体集積回路
装置の製造方法については、第５の実施形態に係る平坦
化パターンの生成方法を用いて第１の平坦化パターン８
２及び第２の平坦化パターン８３を形成する以外の工程
は周知であるため、説明を省略する。

【０１５７】また、第７の実施形態に係る半導体集積回
路装置においては第３の実施形態に係る平坦化パターン
の生成方法を用い、第８の実施形態に係る半導体集積回
路装置の製造方法においては第５の実施形態に係る平坦
化パターンの生成方法を用いたが、これに代えて、第１
〜第５の実施形態に係る平坦化パターンの生成方法を適
宜用いて平坦化パターンを形成してもよいのは当然であ
る。

【０１５８】

【発明の効果】第１の平坦化パターンの生成方法による
と、平坦化パターンは、所定の大きさ以上の単純図形の
みによって構成されるので、縮小工程における縮小量を
調整することにより半導体製造プロセス上の配線パター
ンのルールを満たさない平坦化パターンが生成されなく
なるようにできると共に、平坦化パターンを構成する単
純図形の数及びデータ量を低減することができる。

【０１５９】第１の平坦化パターンの生成方法におい
て、ダミー元パターンから、配線パターンを第１の所定
量だけ拡大して得た拡大配線パターンとの重なり部分を
削除してダミーパターンを生成すると、配線パターンが
形成される配線パターン形成領域から所定距離以上離れ
た領域に単純図形の集合よりなるダミーパターンを確実
に生成することができる。また、ダミーパターンを第２
の所定量だけ縮小して縮小ダミーパターンを生成した
後、該縮小ダミーパターンを第２の所定量だけ拡大して
平坦化パターンを生成すると、平坦化パターンを構成す
る単純図形の数及びデータ量を確実に低減することがで
きる。

【０１６０】第１の平坦化パターンの生成方法におい
て、ダミー元パターンのうち、配線パターンが図形的に
反転されてなる反転配線パターンを第１の所定量だけ縮
小して得た縮小反転配線パターンとの重なり部分のみを
残存させてダミーパターンを生成すると、配線パターン
が形成される配線パターン形成領域から所定距離以上離
れた領域に単純図形の集合よりなるダミーパターンを確
実に生成することができる。また、ダミーパターンを第
２の所定量だけ縮小して縮小ダミーパターンを生成した
後、該縮小ダミーパターンを第２の所定量だけ拡大して
平坦化パターンを生成すると、平坦化パターンを構成す
る単純図形の数及びデータ量を確実に低減することがで
きる。

【０１６１】第２の平坦化パターンの生成方法による
と、第１の平坦化パターンの生成方法と同様、平坦化パ
ターンを構成する単純図形の数及びデータ量を低減する
ことができる上に、第１のダミー元パターンのほかに第
２のダミー元パターンを用いて平坦化パターンを形成す
るため、配線パターン同士の間において平坦化パターン
により埋められない領域を低減できるので、プロセス上
必要とされる配線層の平坦度を満足する平坦化パターン
を形成することができる。

【０１６２】第２の平坦化パターンの生成方法におい
て、第１のダミー元パターンを構成する単純図形を平行
移動して得た第２のダミー元パターンから、配線パター
ンが第１の所定量だけ拡大されてなる拡大配線パターン
及び第１のダミー元パターンよりなる第１のダミーパタ
ーンが第２の所定量だけ拡大されてなる拡大ダミーパタ
ーンとの重なり部分を削除して第４のダミーパターンを
生成すると、配線パターン同士の間において第１のダミ
ー元パターンよりなる平坦化パターンによって埋められ
ない領域を第２のダミー元パターンによって埋めること
ができる。

【０１６３】第３の平坦化パターンの生成方法による
と、配線パターン形成領域から第２の所定距離以上離れ
た領域には、単純図形よりなる平坦化パターンに代えて
単純図形よりも大きい少なくとも１つの図形よりなる平
坦化パターンが生成されるので、単純図形の集合のみに
よって平坦化パターンを構成する場合に比べて、平坦化
パターンの図形数やデータ量を低減することができる。

【０１６４】第３の平坦化パターンの生成方法におい
て、ダミー元パターンから、配線パターンを第１の所定
量だけ拡大して得た第１の拡大配線パターン及び配線パ
ターンが第２の所定量だけ拡大されてなる第２の拡大配
線パターンを反転して得た反転パターンとの重なり部分
を削除して第１のダミーパターンを生成すると、配線パ
ターンから第１の所定距離以上離れ且つ第１の所定距離
よりも大きい第２の所定距離以内の領域に、単純図形の
集合よりなる第１のパターンを確実に生成することがで
きる。また、反転パターンにより第２のダミーパターン
を生成すると、配線パターン形成領域から第２の所定距
離以上離れた領域に、単純図形よりも大きい少なくとも
１つの図形よりなる平坦化パターンを確実に生成するこ
とができる。

【０１６５】第３の平坦化パターンの生成方法におい
て、ダミー元パターンから、配線パターンが第１の所定
量だけ拡大して得た第１の拡大配線パターン及び配線パ
ターンが反転されてなる反転パターンを第２の所定量だ
け縮小して得た縮小反転パターンとの重なり部分を削除
して第１のダミーパターンを生成すると、配線パターン
形成領域から第１の所定距離以上離れ且つ第１の所定距
離よりも大きい第２の所定距離以内の領域に、単純図形
の集合よりなる第１のパターンを確実に生成することが
できる。また、縮小反転パターンにより第２のダミーパ
ターンを生成すると、配線パターン形成領域から第２の
所定距離以上離れた領域に、単純図形よりも大きい少な
くとも１つの図形よりなる平坦化パターンを確実に生成
することができる。

【０１６６】第３の平坦化パターンの生成方法におい
て、ダミー元パターンから、配線パターンが第１の所定
量だけ拡大して得た第１の拡大配線パターン及び配線パ
ターンが第２の所定量だけ拡大されてなる第２の拡大配
線パターンを反転して得た第２の反転パターンとの重な
り部分を削除して第１のダミーパターンを生成すると、
配線パターン形成領域から第１の所定距離以上離れ且つ
第１の所定距離よりも大きい第２の所定距離以内の領域
に、単純図形の集合よりなる第１のパターンを確実に生
成することができる。また、第２の反転パターンにより
第２のダミーパターンを生成すると、配線パターン形成
領域から第２の所定距離以上離れた領域に、単純図形よ
りも大きい少なくとも１つの図形よりなる平坦化パター
ンを確実に生成することができる。

【０１６７】第４の平坦化パターンの生成方法による
と、配線パターン形成領域から第２の所定距離以上離れ
た領域には、第１の単純図形よりなる平坦化パターンに
代えて第１の単純図形よりも大きい第２の単純図形の集
合よりなる平坦化パターンが生成されるので、平坦化パ
ターンの図形数やデータ量を低減することができる。ま
た、配線パターン形成領域から第２の所定距離以上離れ
た領域においては、第２の単純図形の集合よりなる平坦
化パターンが生成されるため、配線パターンが形成され
る配線層の上層又は下層の配線層において平坦化パター
ンに起因する寄生容量が増加する事態を抑制することが
できる。このため、平坦化パターンの図形数やデータ量
の低減と第２の配線層における寄生容量の増加の抑制と
の両立を図ることができる。

【０１６８】第４の平坦化パターンの生成方法におい
て、第１の単純図形よりも大きい第２の単純図形の集合
よりなる第２のダミー元パターンのうち、配線パターン
が第２の所定量だけ拡大されてなる第２の拡大配線パタ
ーンを反転して得た反転パターンとの重なり部分のみを
残して第２のダミーパターンを生成すると、配線パター
ン形成領域から第２の所定距離以上離れた領域において
は、第２の単純図形の集合よりなる平坦化パターンが確
実に生成される。

【０１６９】第５の平坦化パターンの生成方法による
と、第１の配線パターン形成領域から第２の所定距離以
上離れ且つ第２の配線パターン形成領域から第３の所定
距離以上離れた領域には、単純図形の集合よりなる平坦
化パターンに代えて単純図形よりも大きい少なくとも１
つの図形よりなる平坦化パターンが生成されるので、寄
生容量の増加を抑制しつつ平坦化パターンの図形数やデ
ータ量を低減することができる。

【０１７０】第５の平坦化パターンの生成方法におい
て、第１の配線パターンが第１の所定量だけ拡大されて
なる第１の拡大配線パターンと第２の配線パターンが第
２の所定量だけ拡大されてなる第２の拡大配線パターン
とを重ね合わせて得た合成パターンを反転させて第２の
ダミーパターンを生成すると、第１の配線パターン形成
領域から第２の所定距離以上離れ且つ第２の配線パター
ン形成領域から第３の所定距離以上離れた領域に、単純
図形よりも大きい少なくとも１つの図形よりなる平坦化
パターンを確実に生成することができる。

【０１７１】第６の平坦化パターンの生成方法による
と、第１の配線パターン形成領域から第２の所定距離以
上離れ且つ第２の配線パターン形成領域から第３の所定
距離以上離れた領域に、第１の単純図形よりも大きい第
２の単純図形の集合よりなる平坦化パターンを生成する
と、寄生容量の増加を一層抑制しつつ平坦化パターンの
図形数やデータ量を低減することができる。

【０１７２】第６の平坦化パターンの生成方法におい
て、第１の単純図形よりも大きい第２の単純図形よりな
る第２のダミー元パターンのうち、第１の配線パターン
が第１の所定量だけ拡大された第１の拡大配線パターン
と第２の配線パターンが第２の所定量だけ拡大された第
２の拡大配線パターンとが重ね合わされてなる合成パタ
ーンを反転して得た反転パターンとの重なり部分のみを
残存させて第２のダミーパターンを生成すると、第１の
配線パターン形成領域から第２の所定距離以上離れ且つ
第２の配線パターン形成領域から第３の所定距離以上離
れた領域に、第１の単純図形よりも大きい第２の単純図
形の集合よりなる平坦化パターンを確実に生成すること
ができる。

【０１７３】第１の平坦化パターンの生成装置による
と、第１の平坦化パターンの生成方法を確実に実現する
ことができ、第２の平坦化パターンの生成装置による
と、第２の平坦化パターンの生成方法を確実に実現する
ことができ、第３の平坦化パターンの生成装置による
と、第３の平坦化パターンの生成方法を確実に実現する
ことができ、第４の平坦化パターンの生成装置による
と、第４の平坦化パターンの生成方法を確実に実現する
ことができ、第５の平坦化パターンの生成装置による
と、第５の平坦化パターンの生成方法を確実に実現する
ことができ、第６の平坦化パターンの生成装置による
と、第６の平坦化パターンの生成方法を確実に実現する
ことができる。

【０１７４】第１の半導体集積回路装置によると、配線
層における配線パターンから第１の所定距離以上離れ且
つ第２の所定距離以内の領域には単純図形の集合よりな
る第１の平坦化パターンが生成されている一方、配線層
における配線パターンから第２の所定距離以上離れた領
域には、単純図形よりも大きい少なくとも１つの図形よ
りなる第２の平坦化パターンが形成されているため、単
純図形の集合のみよりなる平坦化パターンを形成する場
合に比べて、平坦化パターンの図形数やデータ量を低減
することができる。

【０１７５】第２の半導体集積回路装置によると、第１
の配線層における第１の配線パターンから第１の所定距
離以上離れ且つ第２の所定距離以内であると共に第２の
配線パターン領域から第３の所定距離以内の領域には、
単純図形の集合よりなる第１の平坦化パターンが形成さ
れており、また、第２の配線層における第１の配線パタ
ーンから第２の所定距離以上離れ且つ第２の配線パター
ンから第３の所定距離以上離れた領域には、単純図形の
集合よりなる平坦化パターンに代えて単純図形よりも大
きい少なくとも１つの図形よりなる第２の平坦化パター
ンが形成されているため、寄生容量の増加を抑制しつつ
平坦化パターンの図形数やデータ量を低減することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係
る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図であ
る。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係
る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図であ
る。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係
る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図であ
る。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係
る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図であ
る。

【図５】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係
る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図であ
る。

【図６】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係
る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図であ
る。

【図７】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係
る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図であ
る。

【図８】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係
る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図であ
る。

【図９】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係
る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図であ
る。

【図１０】（ａ），（ｂ）は本発明の第３の実施形態に
係る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図で
ある。

【図１１】（ａ），（ｂ）は本発明の第３の実施形態に
係る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図で
ある。

【図１２】（ａ），（ｂ）は本発明の第３の実施形態に
係る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図で
ある。

【図１３】（ａ），（ｂ）は本発明の第４の実施形態に
係る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図で
ある。

【図１４】（ａ），（ｂ）は本発明の第４の実施形態に
係る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図で
ある。

【図１５】（ａ），（ｂ）は本発明の第５の実施形態に
係る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図で
ある。

【図１６】（ａ），（ｂ）は本発明の第５の実施形態に
係る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図で
ある。

【図１７】（ａ），（ｂ）は本発明の第５の実施形態に
係る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図で
ある。

【図１８】（ａ），（ｂ）は本発明の第６の実施形態に
係る平坦化パターンの生成方法の各工程を示す平面図で
ある。

【図１９】本発明の第６の実施形態に係る平坦化パター
ンの生成方法の工程を示す平面図である。

【図２０】（ａ）は本発明の第７の実施形態に係る半導
体集積回路装置の平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
るＸ−Ｘ線の断面図である。

【図２１】（ａ）〜（ｃ）は前記第７の実施形態に係る
半導体集積回路装置の第１の製造方法の各工程を示す断
面図である。

【図２２】（ａ）〜（ｄ）は前記第７の実施形態に係る
半導体集積回路装置の第２の製造方法の各工程を示す断
面図である。

【図２３】（ａ）〜（ｄ）は前記第７の実施形態に係る
半導体集積回路装置の第３の製造方法の各工程を示す断
面図である。

【図２４】（ａ）〜（ｄ）は前記第７の実施形態に係る
半導体集積回路装置の第４の製造方法の各工程を示す断
面図である。

【図２５】本発明の第８の実施形態に係る半導体集積回
路装置の平面図である。

【図２６】前記第８の実施形態に係る半導体集積回路装
置において、第２の配線層が第１の配線層の下層に位置
する場合の図２５におけるＹ−Ｙ線の断面図である。

【図２７】前記第８の実施形態に係る半導体集積回路装
置において、第２の配線層が第１の配線層の上層に位置
する場合の図２５におけるＹ−Ｙ線の断面図である。

【図２８】前記第１の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法のフロー図である。

【図２９】前記第２の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法の前半のフロー図である。

【図３０】前記第２の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法の後半のフロー図である。

【図３１】前記第３の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法のフロー図である。

【図３２】前記第４の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法のフロー図である。

【図３３】前記第５の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法のフロー図である。

【図３４】前記第６の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法のフロー図である。

【図３５】前記第１の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法に用いる第１の平坦化パターンの生成装置のブ
ロック図である。

【図３６】前記第２の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法に用いる第２の平坦化パターンの生成装置のブ
ロック図である。

【図３７】前記第３の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法に用いる第３の平坦化パターンの生成装置のブ
ロック図である。

【図３８】前記第４の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法に用いる第４の平坦化パターンの生成装置のブ
ロック図である。

【図３９】前記第５の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法に用いる第５の平坦化パターンの生成装置のブ
ロック図である。

【図４０】前記第６の実施形態に係る平坦化パターンの
生成方法に用いる第６の平坦化パターンの生成装置のブ
ロック図である。

【図４１】（ａ）〜（ｄ）は従来の平坦化パターンの生
成方法の各工程を示す平面図である。

【図４２】（ａ），（ｂ）は従来の平坦化パターンの生
成方法の各工程を示す平面図である。

【図４３】（ａ）〜（ｃ）は従来の半導体集積回路装置
の製造方法の各工程を示す断面図である。

【符号の説明】

１０ 第１のダミー元パターン １１ 配線パターン １２ 拡大配線パターン １３ ダミーパターン １４ 縮小ダミーパターン １５ 平坦化パターン ２１ 第２のダミー元パターン ２２ 第３のダミー元パターン ２３ 第４のダミー元パターン ２４ 第５のダミー元パターン ２５ 配線パターン ２６ 拡大配線パターン ２７ 第１ダミーパターン ２８ 第１縮小ダミーパターン ２９ 第２ダミーパターン ３０ 第１拡大ダミーパターン ３１ 第１拡大合成パターン ３２ 第３ダミーパターン ３３ 第３ダミーパターン ３４ 第４ダミーパターン ３５ 第２拡大ダミーパターン ３６ 第２拡大合成パターン ３７ 第５ダミーパターン ３８ 第３縮小ダミーパターン ３９ 第６ダミーパターン ４０ 第３拡大ダミーパターン ４１ 第３拡大合成パターン ４２ 第７ダミーパターン ４３ 第４縮小ダミーパターン ４４ 第８ダミーパターン ５０ 配線パターン ５１ 第１拡大配線パターン ５２ 第２拡大配線パターン ５３ 反転パターン ５５ 第６ダミーパターン ５６ 第７ダミーパターン ６０ 他層配線パターン ６１ 第３の拡大配線パターン ６２ 反転パターン ７０ 第８ダミーパターン ８０ 半導体基板 ８１ 配線パターン（第１の配線パターン） ８２ 第１の平坦化パターン ８３ 第２の平坦化パターン ８４ 層間絶縁膜 ８４ａ 層間絶縁膜の上部 ８４ｂ 層間絶縁膜の凸部 ８４Ａ 下層の層間絶縁膜 ８４Ｂ 上層の層間絶縁膜 ８５ 樹脂 ８６ 第２の配線パターン １００ 図形拡大処理手段 １０１ 図形論理差演算手段 １０２ 図形縮小処理手段 １０３ 図形拡大処理手段 １０４ 図形論理和演算処理手段 ２００ 使用データ切替え手段 ２０１ 図形拡大処理手段 ２０２ 使用データ切替え手段 ２０３ 図形論理差演算処理手段 ２０４ 図形縮小処理手段 ２０５ 図形拡大処理手段 ２０６ 使用データ切替え手段 ２０７ 図形拡大処理手段 ２０８ 図形論理和演算処理手段 ２０９ 図形論理和演算処理手段 ３００ 使用データ切替え手段 ３０１ 図形拡大処理手段 ３０２ 図形拡大処理手段 ３０３ 図形反転処理手段 ３０４ 図形論理和演算処理手段 ３０５ 使用データ切替え手段 ３０６ 図形縮小処理手段 ３０７ 図形拡大処理手段 ３０８ 使用データ切替え手段 ３０９ 図形論理和演算処理手段 ３１０ 使用データ切替え手段 ３１１ 図形論理和演算処理手段 ３１２ 図形拡大処理手段 ４００ 使用データ切替え手段 ４０１ 図形拡大処理手段 ４０２ 図形拡大処理手段 ４０３ 図形反転処理手段 ４０４ 図形論理差演算処理手段 ４０５ 論理和演算処理手段 ４０６ 使用データ切替え手段 ４０７ 図形論理差演算処理手段 ４０８ 図形縮小処理手段 ４０９ 図形拡大処理手段 ４１０ 使用データ切替え手段 ４１１ 図形論理和演算処理手段 ４１２ 図形論理和演算処理手段 ４１３ 図形拡大処理手段 ５００ 使用データ切替え手段 ５０１ 図形拡大処理手段 ５０２ 図形拡大処理手段 ５０３ 図形論理和演算処理手段 ５０４ 図形反転処理手段 ５０５ 図形拡大処理手段 ５０６ 図形論理和演算処理手段 ５０７ 使用データ切替え手段 ５０８ 図形論理差演算処理手段 ５０９ 図形縮小処理手段 ５１０ 図形拡大処理手段 ５１１ 使用データ切替え手段 ５１２ 図形論理和演算処理手段 ５１３ 図形拡大処理手段 ５１４ 図形論理和演算処理手段 ６００ 使用データ切替え手段 ６０１ 図形拡大処理手段 ６０２ 図形拡大処理手段 ６０３ 図形拡大処理手段 ６０４ 図形論理和演算処理手段 ６０５ 図形論理差演算処理手段 ６０６ 図形論理和演算手段 ６０７ 使用データ切替え手段 ６０８ 図形論理差演算処理手段 ６０９ 図形縮小処理手段 ６１０ 図形拡大処理手段 ６１１ 使用データ切替え手段 ６１２ 図形論理和演算処理手段 ６１３ 図形論理和演算処理手段 ６１４ 図形拡大処理手段

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 配線層における配線パターンが形成され
   る配線パターン形成領域から所定距離以上離れた領域に
   単純図形の集合よりなるダミーパターンを生成するダミ
   ーパターン生成工程と、 前記ダミーパターンを縮小した後、残存する図形パター
   ンを拡大して平坦化パターンを生成する平坦化パターン
   生成工程とを備えていることを特徴とする平坦化パター
   ンの生成方法。
2. 【請求項２】 前記ダミーパターン生成工程は、 前記配線パターンを第１の所定量だけ拡大して拡大配線
   パターンを生成する工程と、 前記単純図形を繰り返し配置してダミー元パターンを生
   成する工程と、 前記ダミー元パターンから前記拡大配線パターンとの重
   なり部分を削除する図形論理差演算処理により前記ダミ
   ーパターンを生成する工程とを含み、 前記平坦化パターン生成工程は、 前記ダミーパターンを第２の所定量だけ縮小して縮小ダ
   ミーパターンを生成する工程と、 前記縮小ダミーパターンを前記第２の所定量だけ拡大し
   て前記平坦化パターンを生成する工程とを含むことを特
   徴とする請求項１に記載の平坦化パターンの生成方法。
3. 【請求項３】 前記ダミーパターン生成工程は、 前記配線パターンを図形的に反転させて反転配線パター
   ンを生成する工程と、 前記反転配線パターンを第１の所定量だけ縮小して縮小
   反転配線パターンを生成する工程と、 前記単純図形を繰り返し配置してダミー元パターンを生
   成する工程と、 前記ダミー元パターンのうち前記縮小反転配線パターン
   との重なり部分のみを残存させる図形論理積演算処理に
   より前記ダミーパターンを生成する工程とを含み、 前記平坦化パターン生成工程は、 前記ダミーパターンを第２の所定量だけ縮小して縮小ダ
   ミーパターンを生成する工程と、 前記縮小ダミーパターンを前記第２の所定量だけ拡大し
   て前記平坦化パターンを生成する工程とを含むことを特
   徴とする請求項１に記載の平坦化パターンの生成方法。
4. 【請求項４】 配線層における配線パターンが形成され
   る配線パターン形成領域から第１の所定距離以上離れた
   領域に単純図形の集合よりなる第１のダミーパターンを
   生成する第１のダミーパターン生成工程と、 前記第１のダミーパターンを縮小した後、残存する図形
   パターンを拡大して第２のダミーパターンを生成する第
   ２のダミーパターン生成工程と、 前記配線層における前記配線パターン形成領域から前記
   第１の所定距離以上離れ且つ前記第１のダミーパターン
   から第２の所定距離以上離れた領域に、平行移動した前
   記単純図形の集合よりなる第３のダミーパターンを生成
   する第３のダミーパターン生成工程と、 前記第３のダミーパターンを縮小した後、残存する図形
   パターンを拡大して第４のダミーパターンを生成する第
   ４のダミーパターン生成工程と、 前記第２のダミーパターンと前記第４のダミーパターン
   とを合成して平坦化パターンを生成する平坦化パターン
   生成工程とを備えていることを特徴とする平坦化パター
   ンの生成方法。
5. 【請求項５】 前記第１のダミーパターン生成工程は、 前記配線パターンを第１の所定量だけ拡大して拡大配線
   パターンを生成する工程と、 前記配線層に前記単純図形を繰り返し配置して第１のダ
   ミー元パターンを生成する工程と、 前記第１のダミー元パターンから前記拡大配線パターン
   との重なり部分を削除する図形論理差演算処理により前
   記第１のダミーパターンを生成する工程とを含み、 前記第２のダミーパターン生成工程は、 前記第１のダミーパターンを第２の所定量だけ縮小して
   第１の縮小ダミーパターンを生成する工程と、 前記第１の縮小ダミーパターンを前記第２の所定量だけ
   拡大して前記第２のダミーパターンを生成する工程とを
   含み、 前記第３のダミーパターン生成工程は、 前記第１のダミー元パターンを構成する単純図形を平行
   移動して第２のダミー元パターンを生成する工程と、 前記第２のダミーパターンを第３の所定量だけ拡大して
   拡大ダミーパターンを生成する工程と、 前記第２のダミー元パターンから前記拡大配線パターン
   及び前記拡大ダミーパターンとの重なり部分を削除する
   図形論理差演算処理により前記第３のダミーパターンを
   生成する工程とを含み、 前記第４のダミーパターン生成工程は、 前記第３のダミーパターンを第４の所定量だけ縮小して
   第２の縮小ダミーパターンを生成する工程と、 前記第２の縮小ダミーパターンを前記第４の所定量だけ
   拡大して前記第４のダミーパターンを生成する工程とを
   含み、 前記平坦化パターン生成工程は、 前記第２のダミーパターンと前記第４のダミーパターン
   とを重ね合わせる図形論理和演算処理により前記平坦化
   パターンを生成する工程を含むことを特徴とする請求項
   ４に記載の平坦化パターンの生成方法。
6. 【請求項６】 配線層における配線パターンが形成され
   る配線パターン形成領域から第１の所定距離以上離れ且
   つ前記第１の所定距離よりも大きい第２の所定距離以内
   の領域に単純図形の集合よりなる第１のダミーパターン
   を生成する第１のダミーパターン生成工程と、 前記配線層における前記配線パターン形成領域から前記
   第２の所定距離以上離れた領域に、前記単純図形よりも
   大きい少なくとも１つの図形よりなる第２のダミーパタ
   ーンを生成する第２のダミーパターン生成工程と、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
   とを合成して平坦化パターンを生成する平坦化パターン
   生成工程とを備えていることを特徴とする平坦化パター
   ンの生成方法。
7. 【請求項７】 前記第１のダミーパターン生成工程は、 前記配線パターンを第１の所定量だけ拡大して第１の拡
   大配線パターンを生成する工程と、 前記配線パターンを前記第１の所定量よりも大きい第２
   の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを生成す
   る工程と、 前記第２の拡大配線パターンを反転して反転パターンを
   生成する工程と、 前記単純図形を繰り返し配置してダミー元パターンを生
   成する工程と、 前記ダミー元パターンから前記第１の拡大配線パターン
   及び前記反転パターンとの重なり部分を削除する図形論
   理差演算処理により前記第１のダミーパターンを生成す
   る工程とを含み、 前記第２のダミーパターン生成工程は、 前記反転パターンよりなる前記第２のダミーパターンを
   生成する工程を含み、 前記平坦化パターン生成工程は、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
   とを重ね合わせる図形論理和演算処理により前記平坦化
   パターンを生成する工程を含むことを特徴とする請求項
   ６に記載の平坦化パターンの生成方法。
8. 【請求項８】 前記第１のダミーパターン生成工程は、 前記配線パターンを第１の所定量だけ拡大して拡大配線
   パターンを生成する工程と、 前記配線パターンを反転して反転パターンを生成する工
   程と、 前記反転パターンを前記第１の所定量よりも大きい第２
   の所定量だけ縮小して縮小反転パターンを生成する工程
   と、 前記単純図形を繰り返し配置してダミー元パターンを生
   成する工程と、 前記ダミー元パターンから前記拡大配線パターン及び前
   記縮小反転パターンとの重なり部分を削除する図形論理
   差演算処理により前記第１のダミーパターンを生成する
   工程とを含み、 前記第２のダミーパターン生成工程は、 前記縮小反転パターンよりなる前記第２のダミーパター
   ンを生成する工程を含み、 前記平坦化パターン生成工程は、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
   とを重ね合わせる図形論理和演算処理により前記平坦化
   パターンを生成する工程を含むことを特徴とする請求項
   ６に記載の平坦化パターンの生成方法。
9. 【請求項９】 前記第１のダミーパターン生成工程は、 前記配線パターンを第１の所定量だけ拡大して第１の拡
   大配線パターンを生成する工程と、 前記配線パターンを前記第１の所定量よりも大きい第２
   の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを生成す
   る工程と、 前記第２の拡大配線パターンを反転して第１の反転パタ
   ーンを生成する工程と、 前記第１の反転パターンを第３の所定量だけ縮小して縮
   小反転パターンを生成する工程と、 前記縮小反転パターンを前記第３の所定量だけ拡大して
   第２の反転パターンを生成する工程と、 前記単純図形を繰り返し配置してダミー元パターンを生
   成する工程と、 前記ダミー元パターンから前記第１の拡大配線パターン
   及び前記第２の反転パターンとの重なり部分を削除する
   図形論理差演算処理により前記第１のダミーパターンを
   生成する工程とを含み、 前記第２のダミーパターン生成工程は、 前記第２の反転パターンよりなる前記第２のダミーパタ
   ーンを生成する工程を含み、 前記平坦化パターン生成工程は、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
   とを重ね合わせる図形論理和演算処理により前記平坦化
   パターンを生成する工程を含むことを特徴とする請求項
   ６に記載の平坦化パターンの生成方法。
10. 【請求項１０】 配線層における配線パターンが形成さ
    れる配線パターン形成領域から第１の所定距離以上離れ
    且つ前記第１の所定距離よりも大きい第２の所定距離以
    内の領域に第１の単純図形の集合よりなる第１のダミー
    パターンを生成する第１のダミーパターン生成工程と、 前記配線層における前記配線パターン形成領域から前記
    第２の所定距離以上離れた領域に前記第１の単純図形よ
    りも大きい第２の単純図形の集合よりなる第２のダミー
    パターンを生成する第２のダミーパターン生成工程と、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
    とを合成して平坦化パターンを生成する平坦化パターン
    生成工程とを備えていることを特徴とする平坦化パター
    ンの生成方法。
11. 【請求項１１】 前記第１のダミーパターン生成工程
    は、 前記配線パターンを第１の所定量だけ拡大して第１の拡
    大配線パターンを生成する工程と、 前記配線パターンを前記第１の所定量よりも大きい第２
    の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを生成す
    る工程と、 前記第２の拡大配線パターンを反転して反転パターンを
    生成する工程と、 前記第１の単純図形を繰り返し配置して第１のダミー元
    パターンを生成する工程と、 前記第１のダミー元パターンから前記第１の拡大配線パ
    ターン及び前記反転パターンとの重なり部分を削除する
    図形論理差演算処理により前記第１のダミーパターンを
    生成する工程とを含み、 前記第２のダミーパターン生成工程は、 前記第２の単純図形を繰り返し配置して第２のダミー元
    パターンを生成する工程と、 前記第２のダミー元パターンのうち前記反転パターンと
    の重なり部分のみを残存させる図形論理積演算処理によ
    り前記第２のダミーパターンを生成する工程とを含み、 前記平坦化パターン生成工程は、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
    とを重ね合わせる図形論理和演算処理により前記平坦化
    パターンを生成する工程を含むことを特徴とする請求項
    １０に記載の平坦化パターンの生成方法。
12. 【請求項１２】 第１の配線層における第１の配線パタ
    ーンが形成される第１の配線パターン形成領域から第１
    の所定距離以上離れ且つ前記第１の所定距離よりも大き
    い第２の所定距離以内であって前記第１の配線層の上層
    又は下層である第２の配線層における第２の配線パター
    ンが形成される第２の配線パターン形成領域から第３の
    所定距離以内である前記第１の配線層の領域に単純図形
    の集合よりなる第１のダミーパターンを生成する第１の
    ダミーパターン生成工程と、 前記第１の配線層における前記第１の配線パターン形成
    領域から前記第２の所定距離以上離れ且つ前記第２の配
    線パターン形成領域から前記第３の所定距離以上離れた
    前記第１の配線層領域に前記単純図形よりも大きい少な
    くとも１つの図形よりなる第２のダミーパターンを生成
    する第２のダミーパターン生成工程と、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
    とを合成して平坦化パターンを生成する平坦化パターン
    生成工程とを備えていることを特徴とする平坦化パター
    ンの生成方法。
13. 【請求項１３】 前記第１のダミーパターン生成工程
    は、 前記第１の配線パターンを第１の所定量だけ拡大して第
    １の拡大配線パターンを生成する工程と、 前記第２の配線パターンを第２の所定量だけ拡大して第
    ２の拡大配線パターンを生成する工程と、 前記第１の拡大配線パターンと前記第２の拡大配線パタ
    ーンとを重ね合わせる図形論理和演算処理により合成パ
    ターンを生成する工程、 前記合成パターンを反転させて反転パターンを生成する
    工程と、 前記単純図形を繰り返し配置してダミー元パターンを生
    成する工程と、 前記ダミー元パターンから前記第１の拡大配線パターン
    及び前記反転パターンとの重なり部分を削除する図形論
    理差演算処理により前記第１のダミーパターンを生成す
    る工程とを含み、 前記第２のダミーパターン生成工程は、 前記反転パターンよりなる前記第２のダミーパターンを
    生成する工程を含み、 前記平坦化パターン生成工程は、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
    とを重ね合わせる図形論理和演算処理により前記平坦化
    パターンを生成する工程を含むことを特徴とする請求項
    １２に記載の平坦化パターンの生成方法。
14. 【請求項１４】 第１の配線層における第１の配線パタ
    ーンが形成される第１の配線パターン形成領域から第１
    の所定距離以上離れ且つ第２の所定距離以内であって前
    記第１の配線層の上層又は下層である第２の配線層にお
    ける第２の配線パターンが形成される第２の配線パター
    ン形成領域から第３の所定距離以内である前記第１の配
    線層の領域に第１の単純図形の集合よりなる第１のダミ
    ーパターンを生成する第１のダミーパターン生成工程
    と、 前記第１の配線層における前記第１の配線パターン形成
    領域から前記第２の所定距離以上離れ且つ前記第２の配
    線パターン形成領域から前記第３の所定距離以上離れた
    領域に前記第１の単純図形よりも大きい第２の単純図形
    の集合よりなる第２のダミーパターンを生成する第２の
    ダミーパターン生成工程と、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
    とを合成して平坦化パターンを生成する平坦化パターン
    生成工程とを備えていることを特徴とする平坦化パター
    ンの生成方法。
15. 【請求項１５】 前記第１のダミーパターン生成工程
    は、 前記第１の配線パターンを第１の所定量だけ拡大して第
    １の拡大配線パターンを生成する工程と、 前記第２の配線パターンを第２の所定量だけ拡大して第
    ２の拡大配線パターンを生成する工程と、 前記第１の拡大配線パターンと前記第２の拡大配線パタ
    ーンとを重ね合わせる図形論理和演算処理により合成パ
    ターンを生成する工程、 前記合成パターンを反転させて反転パターンを生成する
    工程と、 前記第１の単純図形を繰り返し配置して第１のダミー元
    パターンを生成する工程と、 前記第１のダミー元パターンから前記第１の拡大配線パ
    ターン及び前記反転パターンとの重なり部分を削除する
    図形論理差演算処理により前記第１のダミーパターンを
    生成する工程とを含み、 前記第２のダミーパターン生成工程は、 前記第２の単純図形を繰り返し配置して第２のダミー元
    パターンを生成する工程と、 前記第２のダミー元パターンのうち前記反転パターンと
    の重なり部分のみを残存させる図形論理積演算処理によ
    り前記第２のダミーパターンを生成する工程とを含み、 前記平坦化パターン生成工程は、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
    とを重ね合わせる図形論理和演算処理により前記平坦化
    パターンを生成する工程を含むことを特徴とする請求項
    １４に記載の平坦化パターンの生成方法。
16. 【請求項１６】 配線層における配線パターンを第１の
    所定量だけ拡大して拡大配線パターンを生成する第１の
    図形拡大処理手段と、 単純図形を繰り返し配置してダミー元パターンを生成す
    るダミー元パターン生成処理手段と、 前記ダミー元パターンから前記拡大配線パターンとの重
    なり部分を削除してダミーパターンを生成する図形論理
    差演算処理手段と、 前記ダミーパターンを第２の所定量だけ縮小して縮小ダ
    ミーパターンを生成する図形縮小処理手段と、 前記縮小ダミーパターンを前記第２の所定量だけ拡大し
    て平坦化パターンを生成する第２の図形拡大処理手段と
    を備えていることを特徴とする平坦化パターンの生成装
    置。
17. 【請求項１７】 配線層における配線パターンを第１の
    所定量だけ拡大して拡大配線パターンを生成する第１の
    図形拡大処理手段と、 前記単純図形を繰り返し配置して第１のダミー元パター
    ンを生成する第１のダミー元パターン生成手段と、 前記第１のダミー元パターンから前記拡大配線パターン
    との重なり部分を削除して第１のダミーパターンを生成
    する図形論理差演算処理手段と、 前記第１のダミーパターンを第２の所定量だけ縮小して
    第１の縮小ダミーパターンを生成する第１の図形縮小処
    理手段と、 前記第１の縮小ダミーパターンを前記第２の所定量だけ
    拡大して第２のダミーパターンを生成する第２の図形拡
    大処理手段と、 前記第１のダミー元パターンを構成する単純図形を平行
    移動して第２のダミー元パターンを生成する第２のダミ
    ー元パターン生成手段と、 前記第２のダミーパターンを第３の所定量だけ拡大して
    拡大ダミーパターンを生成する第３の図形拡大処理手段
    と、 前記第２のダミー元パターンから前記拡大配線パターン
    及び前記拡大ダミーパターンとの重なり部分を削除して
    第３のダミーパターンを生成する図形論理差演算処理手
    段と、 前記第３のダミーパターンを第４の所定量だけ縮小して
    第２の縮小ダミーパターンを生成する第２の図形縮小処
    理手段と、 前記第２の縮小ダミーパターンを前記第４の所定量だけ
    拡大して前記第４のダミーパターンを生成する第４の図
    形拡大処理手段と、 前記第２のダミーパターンと前記第４のダミーパターン
    とを重ね合わせて平坦化パターンを生成する図形論理和
    演算処理手段とを備えていることを特徴とする平坦化パ
    ターンの生成装置。
18. 【請求項１８】 配線層における配線パターンを第１の
    所定量だけ拡大して第１の拡大配線パターンを生成する
    第１の図形拡大処理手段と、 前記配線パターンを前記第１の所定量よりも大きい第２
    の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを生成す
    る第２の図形拡大処理手段と、 前記第２の拡大配線パターンを反転して反転パターンを
    生成する図形反転処理手段と、 前記配線層に単純図形を繰り返し配置してダミー元パタ
    ーンを生成するダミー元パターン生成手段と、 前記ダミー元パターンから前記第１の拡大配線パターン
    及び前記反転パターンとの重なり部分を削除してダミー
    パターンを生成する図形論理差演算処理と、 前記ダミーパターンと前記反転パターンとを重ね合わせ
    て平坦化パターンを生成する図形論理和演算処理とを備
    えていることを特徴とする平坦化パターンの生成装置。
19. 【請求項１９】 配線層における配線パターンを第１の
    所定量だけ拡大して第１の拡大配線パターンを生成する
    第１の図形拡大処理手段と、 前記配線パターンを前記第１の所定量よりも大きい第２
    の所定量だけ拡大して第２の拡大配線パターンを生成す
    る第２の図形拡大処理手段と、 前記第２の拡大配線パターンを反転して反転パターンを
    生成する図形反転処理手段と、 第１の単純図形を繰り返し配置して第１のダミー元パタ
    ーンを生成する第１のダミー元パターン生成手段と、 前記第１のダミー元パターンから前記第１の拡大配線パ
    ターン及び前記反転パターンとの重なり部分を削除して
    第１のダミーパターンを生成する図形論理差演算処理手
    段と、 前記第１の単純図形よりも大きい第２の単純図形を繰り
    返し配置して第２のダミー元パターンを生成する第２の
    ダミー元パターン生成手段と、 前記第２のダミー元パターンのうち前記反転パターンと
    の重なり部分のみを残存させて第２のダミーパターンを
    生成する図形論理積演算処理手段と、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
    とを重ね合わせて平坦化パターンを生成する図形論理和
    演算処理手段とを備えていることを特徴とする平坦化パ
    ターンの生成装置。
20. 【請求項２０】 第１の配線層における第１の配線パタ
    ーンを第１の所定量だけ拡大して第１の拡大配線パター
    ンを生成する第１の図形拡大処理手段と、 前記第１の配線層の上層又は下層である第２の配線層に
    おける第２の配線パターンを第２の所定量だけ拡大して
    第２の拡大配線パターンを生成する第２の図形拡大処理
    手段と、 前記第１の拡大配線パターンと前記第２の拡大配線パタ
    ーンとを重ね合わせて合成パターンを生成する図形論理
    和演算処理手段と、 前記合成パターンを反転させて反転パターンを生成する
    図形反転処理手段と、 単純図形を繰り返し配置してダミー元パターンを生成す
    るダミー元パターン生成手段と、 前記ダミー元パターンから前記第１の拡大配線パターン
    及び前記反転パターンとの重なり部分を削除して第１の
    ダミーパターンを生成する図形論理差演算処理手段と、 前記第１のダミーパターンと前記反転パターンとを重ね
    合わせて平坦化パターンを生成する図形論理和演算処理
    手段とを備えていることを特徴とする平坦化パターンの
    生成装置。
21. 【請求項２１】 第１の配線層における第１の配線パタ
    ーンを第１の所定量だけ拡大して第１の拡大配線パター
    ンを生成する第１の図形拡大処理手段と、 前記第１の配線層の上層又は下層である第２の配線層に
    おける第２の配線パターンを第２の所定量だけ拡大して
    第２の拡大配線パターンを生成する第２の図形拡大処理
    手段と、 前記第１の拡大配線パターンと前記第２の拡大配線パタ
    ーンとを重ね合わせて合成パターンを生成する図形論理
    和演算処理手段と、 前記合成パターンを反転させて反転パターンを生成する
    図形反転処理手段と、 第１の単純図形を繰り返し配置して第１のダミー元パタ
    ーンを生成する第１のダミー元パターン生成手段と、 前記第１のダミー元パターンから前記第１の拡大配線パ
    ターン及び前記反転パターンとの重なり部分を削除して
    第１のダミーパターンを生成する図形論理差演算処理手
    段と、 前記第１の単純図形よりも大きい第２の単純図形を繰り
    返し配置して第２のダミー元パターンを生成する第２の
    ダミー元パターン生成手段と、 前記第２のダミー元パターンのうち前記反転パターンと
    の重なり部分のみを残存させて第２のダミーパターンを
    生成する図形論理積演算処理手段と、 前記第１のダミーパターンと前記第２のダミーパターン
    とを重ね合わせて平坦化パターンを生成する図形論理和
    演算処理手段とを備えていることを特徴とする平坦化パ
    ターンの生成装置。
22. 【請求項２２】 半導体基板上の配線層に形成された配
    線パターンと、 前記配線層における前記配線パターンから第１の所定距
    離以上離れ且つ前記第１の所定距離よりも大きい第２の
    所定距離以内の領域に形成されており、単純図形の集合
    よりなる第１の平坦化パターンと、 前記配線層における前記配線パターンから前記第２の所
    定距離以上離れた領域に形成されており、前記単純図形
    よりも大きい少なくとも１つの図形よりなる第２の平坦
    化パターンと、 前記配線パターン、第１の平坦化パターン及び第２の平
    坦化パターンの上に形成された層間絶縁膜とを備えてい
    ることを特徴とする半導体集積回路装置。
23. 【請求項２３】 半導体基板上の第１の配線層に形成さ
    れた第１の配線パターンと、 前記半導体基板上における前記第１の配線層の上層又は
    下層に位置する第２の配線層に形成された第２の配線パ
    ターンと、 前記第１の配線層における、前記第１の配線パターンか
    ら第１の所定距離以上離れ且つ前記第１の所定距離より
    も大きい第２の所定距離以内であると共に前記第２の配
    線パターンから第３の所定距離以内である領域に形成さ
    れており、単純図形の集合よりなる第１の平坦化パター
    ンと、 前記第１の配線層における前記第１の配線パターンから
    前記第２の所定距離以上離れ且つ前記第２の配線パター
    ンから前記第３の所定距離以上離れた領域に形成されて
    おり、前記単純図形よりも大きい少なくとも１つの図形
    よりなる第２の平坦化パターンと、 前記第１の配線層に形成されている前記第１の配線パタ
    ーン、第１の平坦化パターン及び第２の平坦化パターン
    と、前記第２の配線層に形成されている前記第２の配線
    パターンとの間に形成された層間絶縁膜とを備えている
    ことを特徴とする半導体集積回路装置。