JPH09306975A - 被処理基板の移載装置 - Google Patents
被処理基板の移載装置Info
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- JPH09306975A JPH09306975A JP14227496A JP14227496A JPH09306975A JP H09306975 A JPH09306975 A JP H09306975A JP 14227496 A JP14227496 A JP 14227496A JP 14227496 A JP14227496 A JP 14227496A JP H09306975 A JPH09306975 A JP H09306975A
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Abstract
ト)を用いてウエハカセット内の被処理基板例えばウエ
ハを処理ステ−ションに移載するにあたり、ウエハの汚
染をできるだけ防止することができる装置を提供するこ
と。 【解決手段】 壁部2によりウエハカセット3の載置領
域(第1の雰囲気)とウエハの移載領域(第2の雰囲
気)とを区画し、壁部2に開口部21を形成し、ここに
ウエハカセット3を第1の雰囲気側から装着して、第2
の雰囲気側からウエハカセット3内のウエハを取り出
す。前記開口部21とウエハカセット3との間の隙間を
Oリング22で封止すると共に、開口部21の第2の雰
囲気側の周縁部と壁部用蓋体51との間にシ−ル部材5
4を介在させ、開口部21内の雰囲気を第1及び第2の
雰囲気から封止し、開口部21内を排気しながらN2 ガ
スを供給する。
Description
装置に関する。
ーティクル汚染を抑えるために密閉型のウエハカセット
が検討されている。この密閉型のウエハカセット1は、
例えば図8に示すように、ウエハWを例えば13枚収納
するカセット本体10と、このカセット本体10に形成
されたウエハ取り出し口を、Oリング12を介して気密
に塞ぐための蓋体11とを備えており、この蓋体11
は、例えば蓋体11に図示しないキ−を差し込むことに
よりロックされてカセット本体10に固定されるように
構成されている。
減させるためには、ウエハカセットが置かれるカセット
載置領域とウエハの移載領域とを区画し、後者の領域の
クリ−ン度を前者の領域よりも高くすることが望まし
い。このため前記カセット載置領域を第1の雰囲気、ウ
エハの移載領域を第2の雰囲気と呼ぶことにすると、第
1の雰囲気と第2の雰囲気とを壁部13にて区画し、処
理の際には、壁部13に形成された開口部14に第1の
雰囲気側から前記ウエハカセット1を装着し、このウエ
ハカセット1内のウエハを第2の雰囲気側から取り出す
システムを検討している。
て説明すると、壁部13の開口部14にウエハカセット
1を装着したときに、前記開口部14の周縁部において
ウエハカセット1と壁部13との間及び、開閉機構15
と壁部13との間に、約2mm程度の隙間が形成される
ように各部を構成すると共に、第1の雰囲気よりも第2
の雰囲気を陽圧に設定して第2の雰囲気から、クリ−ン
エアをこの隙間を介して常時第1の雰囲気側へ流出さ
せ、第1の雰囲気側から第2の雰囲気側へパーティクル
が侵入することを防ぐようにしている。なお図中16は
載置台、17は開口部14の蓋部である。
間を流れるエアが渦を巻き、一方隙間を形成する壁部1
3、ウエハカセット1、及び開閉機構15の各面の表面
近傍では、エアが非常に緩やかで流速が零に近いため、
第1の雰囲気側のエアが第2の雰囲気から流れ込むエア
の渦に巻き込まれて、前記表面に沿って第2の雰囲気側
に流れ込んでしまう。これによりエアと共にパーティク
ルが第2の雰囲気側に侵入してしまい、せっかく密閉型
のウエハカセット1を用いてウエハのパーティクル汚染
を防止しようとしているのに、その趣旨が十分生かされ
なくなってしまう。また例えばウエハボ−トへのウエハ
の移載領域を窒素ガス雰囲気として、自然酸化膜の成長
を防止しようとする装置においては、処理領域中の酸素
濃度を管理することが難しくなってしまう。
内でウエハの位置合わせを行うことができず、ウエハカ
セットからウエハを取り出した後にウエハの位置合わせ
を行う必要がある。さらにウエハカセットの交換は、カ
セット本体10に蓋体11を取り付けてから、ウエハカ
セット1を壁部13から取り外し、新しいウエハカセッ
ト1を壁部13の開口部14に装着して行われるもので
あり、蓋体13の着脱や、ウエハカセット1自体の着脱
に時間がかかるため、ウエハカセット1の交換にかなり
の時間がかかってしまう。従って密閉型のウエハカセッ
トを用いるシステムを組むにあたっては、ウエハの位置
合わせの時間及びウエハカセットの交換の時間が加算さ
れてくるため、スル−プットが低下しないような工夫を
検討することが要請される。
ものであり、その目的は、密閉型の被処理基板カセット
を用いて被処理基板の移載を行なう場合に、被処理基板
の移載領域のクリ−ン度の低下を抑えることのできる被
処理基板の移載装置を提供することにある。また本発明
の他の目的は、密閉型の被処理基板カセットを用いて被
処理基板の移載を行なう場合に、スル−プットの向上を
図ることができる被処理基板の移載装置を提供すること
にある。
載装置は、第1の雰囲気と第2の雰囲気とを区画すると
共に被処理基板の受け渡し用の開口部が形成された壁部
と、被処理基板を収納するカセット本体とこのカセット
本体の被処理基板取り出し口を気密に塞ぐための蓋体と
を有する密閉型の被処理基板カセットと、を備え、前記
被処理基板カセットを前記第1の雰囲気側から前記壁部
に取り付けて、前記第2の雰囲気内の移載機構により前
記カセットに対して被処理基板の受け渡しを行うための
装置であって、前記第1の雰囲気側に設けられ、前記被
処理基板カセットを、被処理基板取り出し口が前記開口
部に適合するように載置するためのカセット載置部と、
前記壁部の開口部の周縁部と前記被処理基板カセットの
被処理基板取り出し口の周縁部との間を封止して当該カ
セット内空間と前記第1の雰囲気とを気密に区画するた
めの封止部と、前記壁部の開口部を気密に塞ぐための壁
部用の蓋体と、前記壁部用の蓋体を開閉するための第1
の開閉手段と、前記カセットの蓋体を開閉するための第
2の開閉手段と、を備えたことを特徴とする。
の着脱方向に対向する面の間に介在すると共に弾性のあ
る封止部材により構成し、被処理基板カセットを壁部に
対して封止部材の弾性力に抗して押圧するための押圧機
構を設けるようにしてもよいし、前記被処理基板カセッ
トを壁部に押圧したときの当該カセットの着脱方向の位
置を検出するための検出手段と、前記検出手段の検出値
に基づいて被処理基板カセット内への移載機構の伸び出
しストロ−クを制御する制御手段とを設けるようにして
もよい。
に取り付けたときに、壁部用の蓋体と被処理基板カセッ
トとの間に形成される空間に清浄気体を通気させるため
の手段を設けるようにしてもよいし、前記空間に当該空
間を減圧するための減圧手段を設けるようにしてもよ
い。ここで第2の雰囲気が不活性ガス雰囲気である場合
には、清浄気体は不活性ガスとされる。
前記被処理基板カセットの収納枚数以上の被処理基板が
保持される中間受け渡し台と、被処理基板に対して処理
を行うための処理ステ−ションと、被処理基板の位置合
わせを行うための位置合わせ機構と、前記被処理基板カ
セットと中間受け渡し台と位置合わせ機構との間で被処
理基板を移載するための第1の移載機構と、被処理基板
を前記中間受け渡し台と処理ステ−ションとの間で移載
するための第2の移載機構とを夫々設けたことを特徴と
する。ここで位置合わせ機構は、中間受け渡し台に組み
合わせて設けてもよい。
被処理基板の移載装置を縦型熱処理装置に適用した例を
示す図であり、図2はその要部を示す断面図である。こ
の装置は、壁部2によりウエハカセット載置領域である
第1の雰囲気S1と、ウエハの移載領域である第2の雰
囲気S2とに区画されている。この壁部2には、図2に
示すように、ウエハの受け渡し用の開口部21が形成さ
れており、この開口部21の第1の雰囲気S1側の周縁
部には、段部21aが形成されている。
セット3の着脱方向に対向する面)には封止部をなす弾
性材例えばテフロンよりなるOリング22が設けられて
いる。このOリング22は、ウエハカセット3の周縁部
と、前記壁部2の開口部21との間を封止して、第1の
雰囲気S1とウエハカセット3内空間とを気密に区画す
るためのものである。また前記開口部21を囲む壁部2
の内周面に夫々開口するように、窒素(N2 )ガス供給
路23と排気路24とが設けられており、N2ガス供給
路23及び排気路24の他端側には、夫々N2 ガス供給
源25と、真空ポンプ26とが接続されている。
は、被処理基板カセットをなす密閉型のウエハカセット
3が壁部2に密着されている。このウエハカセット3
は、例えば図3に示すように、例えば13枚の被処理基
板であるウエハWを棚状に保持するようにウエハ保持部
30が多段に形成されたカセット本体31と、このカセ
ット本体31のウエハ取り出し口である開口部33を気
密に塞ぐための蓋体32とを備えている。
本体31の開口部33の内側に入り込むように設けられ
ており、カセット本体31の内周面には、蓋体32のス
トッパとなる突状部34が形成されていて、蓋体32と
突状部34との間にはOリング35が設けられている。
また蓋体32には、例えば2か所に鍵穴36aが設けら
れており、この鍵穴36aに後述の第2の開閉機構に設
けられたキ−36を挿入して回すことにより、蓋体32
の上端と下端とから例えば4本のロックピン37が突出
して、カセット本体31に蓋体32が固定されるように
構成されている。またカセット本体31の開口部33の
周縁部は外側に屈曲して鍔部31aとして形成されてい
る。
のステ−ジ41上に載置されており、このカセット載置
部4により、ウエハカセット3は前記ウエハの受け渡し
用の開口部21に適合する位置に保持され、前記鍔部3
1aの鍔面が前記ウエハの受け渡し用開口部21の段部
21aの段面にOリング22を介して密接するように、
前記開口部21に装着される。図1では、便宜上壁部2
及びカセット載置部4は、通常の位置よりも手前側に描
かれているが、実際にはこれらは後述する第1の移載機
構8A側に寄った位置にある。
起41aが形成されたステ−ジ41と、ステ−ジ41を
支持するためのステ−ジ支持台42と、ウエハカセット
3の着脱方向に基台44上に設けられたガイドレ−ル4
3とを備え、ステ−ジ支持台42が前記ガイドレ−ル4
3上を前記着脱方向に移動できるように構成されてい
る。
ジ41の突起41aと適合するように凹部31bが形成
されており、この凹部31bに突起41aが係合してウ
エハカセット3のステ−ジ41上での位置合わせが行わ
れるように構成されている。また前記ステ−ジ支持台4
2の後方側(処理領域S2と反対側)には、ステ−ジ支
持台42を壁部2側へ押圧するための例えばエアシリン
ダよりなる押圧機構45が設けられている。
21の第2の雰囲気S2側には、例えば図4に示すよう
に、前記開口部21の処理領域S2側を気密に塞ぐため
の壁部2用の蓋体51が設けられている。この蓋体51
は、第2の雰囲気S2側の開口部21の周縁部を覆う大
きさに形成されており、第1の開閉機構によって開閉さ
れるように構成されている。この第1の開閉機構は、蓋
体51を昇降軸55aにより昇降させるための昇降基台
55と、この昇降基台55を水平方向に移動させるため
の水平基台56とを備えている。
体32を開閉するための第2の開閉手段52が組み合わ
せて設けられており、この第2の開閉手段52は、キ−
36を進退、回転させるキ−操作機構53を有してい
る。第2の雰囲気S2側の開口部21の周縁部には、壁
部用蓋体51の周縁部との間を気密に塞ぐように、伸縮
自在な蛇腹状のシ−ル部材54が吸盤により固定されて
いる。
移載や位置合わせのための機構に関して図1を参照しな
がら説明する。第2の雰囲気S2には、ウエハを一旦仮
置きするための中間受け渡し台6と、この前段側に配置
され、ウエハの向きの位置合わせを行なう位置合わせ機
構7と、前記中間受け渡し台6の後段側に配置され、熱
処理ステ−ションの一部をなす例えばウエハボ−トWB
と、ウエハカセット3と中間受け渡し台6と位置合わせ
機構7との間でウエハの受け渡しを行なう第1の移載機
構8Aと、中間受け渡し台6とウエハボ−トWBとの間
でウエハの受け渡しを行なう第2の移載機構8Bとが設
けられている。
の位置合わせを行う機構が組み合わされており、1カセ
ット分(13枚)以上例えば5カセット分のウエハを搭
載できるように、65段に配列されたウエハWの中心の
位置合わせ用の載置リング61を備えている。各載置リ
ング61は、ウエハWの周縁に対応する位置に沿って例
えば左右対称位置に例えば5本ずつ合計10配列された
円錐状のテ−パピン62を備えていて、このテ−パピン
62の先端側の間と、後端側の間は、夫々前記第1の移
載機構8Aと第2の移載機構8Bの進入空間を形成して
いる。
配列された固定基台71を備えており、各固定基台71
には、ウエハWの裏面を保持して駆動部73により鉛直
軸のまわりに回転するタ−ンテ−ブル72と、タ−ンテ
−ブル72上のウエハのノッチやオリフラを検出するた
めの光センサ74が設けられている。この位置合わせ機
構7では、光センサ74からの検出信号に基づいてタ−
ンテ−ブル72の回転角が制御され、ウエハが所定の向
きに位置合わせされる。
構8Bは、ウエハを複数枚例えば5枚一括して移載で
き、また1枚づつの移載もできるように例えば5枚の移
載ア−ム81を備えており、進退自在、昇降自在、回転
自在に構成されると共に、各アーム81のピッチ(上下
間隔)を可変できるようになっている。
明する。先ずウエハWが収納されたウエハカセット3を
カセット載置部4に載置して、押圧機構45により押圧
し、これによりウエハカセット3の鍔部31aの鍔面を
ウエハの受け渡し用開口部21の段部21aの段面にO
リング22を介して押圧し、第1の雰囲気S1と開口部
21との間を気密にシ−ルする。
蓋体51とウエハカセット3との間)を真空ポンプ26
により排気路24を介して例えば0.07MPa程度に
減圧しながら、当該開口部21にN2 ガス供給路23に
より清浄ガスである不活性ガス例えばN2 ガスを供給
し、当該空間のエアをN2 ガスにより置換する。次いで
第2の開閉手段52のキ−操作機構53のキ−36が、
ウエハカセット3の蓋体32の鍵穴36aに挿入されて
回され、これによりロックピン37が解除されて前記蓋
体32が開かれる。
り壁部用蓋体51を後退させてから昇降基台55により
下降させて、壁部用蓋体51を蓋体32と共に、前記開
口部21から取り外す。この後第1の移載機構8Aの移
載ア−ム81をウエハカセット3内に進入させてカセッ
ト3の5枚のウエハWを一括して掬い上げて保持し、中
間受け渡し台6に移載する。中間受け渡し台6では、前
記移載ア−ム81が載置リング61の先端側のア−ムの
進入空間に進入し、載置リング61のテ−パピン62の
テ−パ面の内周面にウエハWの周縁が当接するようにウ
エハWを載置する。これによりウエハWの周縁はテ−パ
ピン62のテ−パ面により規制されるため、ウエハWの
中心の位置合わせが行なわれる。
枚のウエハWを中間受け渡し台6に移載した後、壁部用
の蓋体51によりウエハの受け渡し用の開口部21を閉
じる。そして空のウエハカセット3を新しいウエハカセ
ット3に交換するが、その交換の間に第2の雰囲気S2
では、ウエハWの位置合わせ及びウエハボ−トへの移載
が行われる。
うに、中間受け渡し台6に載置されているウエハWを、
第1の移載機構8Aの移載ア−ム81により位置合わせ
機構7のタ−ンテ−ブル72に移載して、既述のように
ウエハWのノッチの位置合わせを行なう。なお位置合わ
せ機構7では、図示しない突き上げピンをタ−ンテ−ブ
ル72上面から突出させ、この突き上げピンを介してタ
−ンテ−ブル72上にウエハWを受け渡す。
第1の移載機構8Aにより中間受け渡し台6に移載した
後、中間受け渡し台6から第2の移載機構8Bの移載ア
−ム81によりウエハボ−トWBに移載し、例えばこの
ウエハボ−トWBの上方に配置された熱処理炉Hに、こ
のウエハボ−トWBを搬入して所定の熱処理を行なう。
カセット3が壁部2のウエハの受け渡し用の開口部21
に装着されていないときには、壁部用蓋体51により前
記開口部21は閉じられると共に、壁部用蓋体51と前
記開口部21の周縁部との間はシ−ル部材54によりシ
−ルされているので、第1の雰囲気S1のクリ−ン度の
低いエアが第2の雰囲気S2に侵入することが抑えられ
る。
装着された後は、開口部21におけるウエハカセット3
と壁部用蓋体51との間に形成された隙間には、第1の
雰囲気S1のエアが侵入しているが、この隙間にN2 ガ
スを供給しながら減圧することにより、前記エアがN2
ガスで置換され、前記エアにより隙間に持ち込まれたパ
ーティクルも排気路24を介して除去される。
隙間の雰囲気のクリ−ン度は高く、またウエハカセット
3と壁部2との間のOリング22により、第1の雰囲気
S1と第2の雰囲気S2とは気密にシ−ルされているの
で、第2の雰囲気S2内のクリ−ン度が低下することが
抑えられる。
とする処理装置においては、開口部21内自体が窒素ガ
ス雰囲気となっているので、第2の雰囲気S2内に酸素
ガスが実質入り込むおそれがなく、第2の雰囲気S2を
所定の窒素ガス雰囲気とすることができる。なお清浄ガ
スとしてはN2 ガス以外のアルゴン等の不活性ガスやク
リ−ン度の高いエアを用いることができる。
ハカセット3内の全部のウエハWを先ず中間受け渡し台
6に移載して仮置きし、ウエハカセット3内を空にして
交換できる状態にしているため、ウエハWの位置合わせ
作業及びウエハボ−トWBへの移載作業と、ウエハカセ
ット3の交換作業とを並行して行うことができる。従っ
てウエハWの位置合わせ、移載に要する時間とウエハカ
セット3の交換作業に要する時間との足し合せがなくな
り、カセット3内のウエハが処理ステ−ション内への搬
入されるまでの時間を短縮することができる。密閉型の
ウエハカセット3の場合には、ウエハカセット3の交換
に長い時間を要し、またウエハWをウエハカセット3か
ら取り出した後位置合わせを行なわなければならない事
情があることから今後の処理システムに対し、スループ
ットを図る上で非常に有効な手法である。
体51と第2の開閉手段52とは一体ではなく別個に設
けるようにしてもよいし、N2 ガス供給路23と排気路
24とは必ずしも設けなくてもよい。また封止部材はO
リング22に限られるものではないし、押圧機構45を
設けない構成としてもよい。さらに位置合わせ機構7に
てウエハWの中心、周方向の位置合わせを行ない、中間
受け渡し台6では位置合わせを行なわないようにしても
よい。ウエハWの中心、周方向の位置合わせの両方は、
例えばタ−ンテ−ブル72と載置リング61とを組み合
わせ、両者を相対的に昇降自在な構成とすることで実現
できる。
6を設けた場合には、上述の如く効果があるが、この場
合従来のような、第2の雰囲気S2を第1の雰囲気S1
よりも陽圧に設定し、第2の雰囲気S2からエアを流出
させることにより、第1の雰囲気S1から第2の雰囲気
S2へのエアの侵入を防ぐタイプのシステムに適用して
もよい。
図6により説明する。本実施の形態は、ウエハカセット
3がウエハの受け渡し用の開口部21の段部21aに押
圧されたときに、これらの間に封止部材としてOリング
22のような弾性材を用いた場合、例えばOリング22
の潰れ代が安定しないため、ウエハカセット3毎にウエ
ハカセット3の着脱方向の固定位置がまちまちであるこ
とに着眼してなされたものである。
ということは、ウエハWを中心の位置合わせを行なって
ウエハカセット3内に収納したとしても、第1の移載機
構8Aの移載ア−ム81側から見ると、ウエハカセット
3内のウエハWの受取り位置が異なってしまう。従って
移載ア−ム81のストロ−クが同じであれば、ウエハW
が移載ア−ム81に移載された段階でウエハWの中心位
置がずれてしまうので、再度中心の位置合わせが必要と
なる。本実施の形態は、このような問題を解決するため
になされたものである。
ところは、カセット載置部4の前方側(第2の雰囲気S
2側)にカセット載置部4の固定位置を検出するための
検出手段9例えばマイクロデジタルスケ−ルを設けると
共に、この検出手段9の検出信号を第1の移載機構8A
の制御手段Cに入力し、この制御手段Cにて前記入力信
号に基づいて移載ア−ム81のストロ−クを決定するこ
とである。
本体91からストック92が所定距離突出した構造であ
って、このストック92が押されて本体に突入した距離
を測定することにより、0.1mmのオ−ダで移動距離
を検出できるものであり、本実施の形態では、カセット
載置部4が少なくともOリング22に当接する手前から
例えばカセット載置部4が初期の位置(ウエハカセット
3が載置されるときの位置)に停止しているときに、こ
のストック92の先端が、前記カセット載置部4の前面
に当接するように配置される。このようにするとストッ
ク92の位置が分かるので、カセット載置部4の位置が
分かり、マイクロデジタルスケ−ルからの検出信号は、
ウエハカセット3の位置情報として制御手段Cに送信さ
れ、移載ア−ム81のストロ−クつまりウエハカセット
3への進入距離が制御される。
22の潰れ代が小さく、ウエハカセット3の移動距離が
予め予定されている移動距離(図中に破線で示す)より
も短い場合には、移載ア−ム81のウエハカセット3へ
の進入距離を長くする。また図7(b)に示すように、
Oリング22の潰れ代が大きく、ウエハカセット3の移
動距離が予め予定されている移動距離よりも長い場合に
は、移載ア−ム81のウエハカセット3への進入距離を
短くする。
離に応じて、移載ア−ム81の進入距離を制御し、ウエ
ハWの受け取り位置を制御すれば、Oリング22の潰れ
代が異なっても、移載ア−ム81上のウエハWの位置は
常に同じとなるため、ウエハWの中心の位置は一定であ
り、移載ア−ム81によるウエハWの移載の精度が高く
なり、新たに中心の位置合わせを行なう必要はなくな
る。
出手段9として、上述のマイクロデジタルスケ−ルの代
わりに、例えばカセット載置部4のレ−ル43に例えば
ガラススケ−ル等のスケ−リング機器を設け、これによ
りカセット載置部4の移動距離を検出するなど他の手段
を採用してもよい。また本発明は被処理基板として液晶
ディスプレイ基板を用いた装置に適用してもよい。
クル汚染をできるだけ低減するために、密閉型の被処理
基板カセットを用い、しかも被処理基板カセットの置か
れる第1の雰囲気と被処理基板の移載が行なわれる第2
の雰囲気とを区画して、被処理基板カセット装着のため
の開口部を封止しているので、被処理基板の置かれる雰
囲気はいつも清浄度が高く被処理基板の汚染を防止する
ことができる。
脱方向の固定位置を検出して、これに基づいて移載機構
の被処理基板カセット内での被処理基板の受取り位置を
制御するようにしたので、封止部材の潰れ代が一定でな
くても、移載機構上の被処理基板の位置が一定となり、
移載機構による被処理基板の移載の精度が向上する。さ
らに本発明によれば、被処理基板カセットの交換と、被
処理基板の移載及び位置合わせを並行して行なうことが
できるのでスル−プットが向上する。
置を縦型熱処理装置に適用した例を示す概略斜視図であ
る。
す断面図である。
を示す斜視図である。
ト、シ−ル部材、第2の開閉手段、壁部用蓋体を示す斜
視図である。
明する平面図である。
断面図である。
を説明する説明図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 第1の雰囲気と第2の雰囲気とを区画す
ると共に被処理基板の受け渡し用の開口部が形成された
壁部と、被処理基板を収納するカセット本体とこのカセ
ット本体の被処理基板取り出し口を気密に塞ぐための蓋
体とを有する密閉型の被処理基板カセットと、を備え、
前記被処理基板カセットを前記第1の雰囲気側から前記
壁部に取り付けて、前記第2の雰囲気内の移載機構によ
り前記カセットに対して被処理基板の受け渡しを行うた
めの装置であって、 前記第1の雰囲気側に設けられ、前記被処理基板カセッ
トを、被処理基板取り出し口が前記開口部に適合するよ
うに載置するためのカセット載置部と、 前記壁部の開口部の周縁部と前記被処理基板カセットの
被処理基板取り出し口の周縁部との間を封止して当該カ
セット内空間と前記第1の雰囲気とを気密に区画するた
めの封止部と、 前記壁部の開口部を気密に塞ぐための壁部用の蓋体と、 前記壁部用の蓋体を開閉するための第1の開閉手段と、 前記カセットの蓋体を開閉するための第2の開閉手段
と、を備えたことを特徴とする被処理基板の移載装置。 - 【請求項2】 封止部は、被処理基板カセットの着脱方
向に対向する面の間に介在し、弾性のある封止部材によ
り構成され、 前記被処理基板カセットを前記封止部材の弾性力に抗し
て壁部に対して押圧するための押圧機構を設けたことを
特徴とする請求項1記載の被処理基板の移載装置。 - 【請求項3】 被処理基板カセットを壁部に取り付けた
ときに、壁部用の蓋体と被処理基板カセットとの間に形
成される空間に清浄気体を通気させるための手段を設け
ることを特徴とする請求項1又は2記載の被処理基板の
移載装置。 - 【請求項4】 第2の雰囲気が不活性ガス雰囲気であ
り、清浄気体は不活性ガスであることを特徴とする請求
項3記載の被処理基板の移載装置。 - 【請求項5】 前記壁部用の蓋体と被処理基板カセット
との間に形成される空間を減圧するための減圧手段を設
けたことを特徴とする請求項3又は4記載の被処理基板
の移載装置。 - 【請求項6】 前記被処理基板カセットを封止部材の弾
性力に抗して、壁部に押圧したときの当該カセットの着
脱方向の位置を検出するための検出手段と、 前記検出手段の検出値に基づいて被処理基板カセット内
への移載機構の伸び出しストロ−クを制御する制御手段
と、を備えたことを特徴とする請求項2記載の被処理基
板の移載装置。 - 【請求項7】 第1の雰囲気と第2の雰囲気とを区画す
ると共に被処理基板の受け渡し用の開口部が形成された
壁部と、被処理基板を収納するカセット本体とこのカセ
ット本体の被処理基板取り出し口を気密に塞ぐための蓋
体とを有する密閉型の被処理基板カセットと、を備え、
前記被処理基板カセットを前記第1の雰囲気側から前記
壁部に取り付けて、前記第2の雰囲気内の移載機構によ
り前記カセットに対して被処理基板の受け渡しを行うた
めの装置であって、 前記第2の雰囲気側には、 前記被処理基板カセットの収納枚数以上の被処理基板が
保持される中間受け渡し台と、前記被処理基板に対して
処理を行うための処理ステ−ションと、前記被処理基板
の位置合わせを行うための位置合わせ機構と、前記被処
理基板カセットと中間受け渡し台と位置合わせ機構との
間で被処理基板を移載するための第1の移載機構と、前
記被処理基板を前記中間受け渡し台と処理ステ−ション
との間で移載するための第2の移載機構と、を設けたこ
とを特徴とする被処理基板の移載装置。 - 【請求項8】 位置合わせ機構は、中間受け渡し台に組
み合わせて設けられていることを特徴とする請求項7記
載の被処理基板の移載装置。
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