JPH09306666A - 有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents
有機電界発光素子の製造方法Info
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- JPH09306666A JPH09306666A JP8115857A JP11585796A JPH09306666A JP H09306666 A JPH09306666 A JP H09306666A JP 8115857 A JP8115857 A JP 8115857A JP 11585796 A JP11585796 A JP 11585796A JP H09306666 A JPH09306666 A JP H09306666A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、微細な素子パターンを有する有機
ＥＬ素子を高精度に形成することが可能な有機ＥＬ素子
の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 ＩＴＯ陽極１２上に、ローダミン系色素
等を混入したフォトレジスト層１４を所望のパターンに
形成する。これらＩＴＯ陽極１２及びフォトレジスト層
１４上に、ＴＰＤからなるホール輸送層１６、Ａｌｑ３
からなる発光層１８、Αｌ陰極２０を積層して形成す
る。次いで、透明ガラス基板１０の裏側からフォトレジ
スト層１４に可視領域の波長のレーザ光を照射する。フ
ォトレジスト層１４に含有されている色素がレーザ光を
吸収する結果、フォトレジスト層１４の分子同士の結合
が開裂し、分解、蒸発する。同時に、フォトレジスト層
１４上のホール輸送層１６、発光層１８、Ａｌ陰極２０
も一緒に除去される。こうして所望のパターンに従って
各有機ＥＬ素子が分離して形成される。
ＥＬ素子を高精度に形成することが可能な有機ＥＬ素子
の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 ＩＴＯ陽極１２上に、ローダミン系色素
等を混入したフォトレジスト層１４を所望のパターンに
形成する。これらＩＴＯ陽極１２及びフォトレジスト層
１４上に、ＴＰＤからなるホール輸送層１６、Ａｌｑ３
からなる発光層１８、Αｌ陰極２０を積層して形成す
る。次いで、透明ガラス基板１０の裏側からフォトレジ
スト層１４に可視領域の波長のレーザ光を照射する。フ
ォトレジスト層１４に含有されている色素がレーザ光を
吸収する結果、フォトレジスト層１４の分子同士の結合
が開裂し、分解、蒸発する。同時に、フォトレジスト層
１４上のホール輸送層１６、発光層１８、Ａｌ陰極２０
も一緒に除去される。こうして所望のパターンに従って
各有機ＥＬ素子が分離して形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光素子や表示素子と
して利用される有機ＥＬ（Electroluminescence ；電界
発光）素子の製造方法に係り、特にレーザアブレーシヨ
ン法を用いて微細加工を行う有機ＥＬ素子の製造方法に
関するものである。
して利用される有機ＥＬ（Electroluminescence ；電界
発光）素子の製造方法に係り、特にレーザアブレーシヨ
ン法を用いて微細加工を行う有機ＥＬ素子の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）に代
わる次世代のフラットパネルディスプレイが多くの関心
を集めている。そしてフラツトパネルディスプレイ用の
表示素子として有機ＥＬ素子が注目され、研究が進めら
れている。有機ＥＬ素子は、一対の電極と、その間に挟
まれた発光性物質を含む少なくとも１層の有機層とによ
り構成される。そして通電時に各電極から注入されたホ
ールと電子が有機層内を移動し、再結合することにより
一重項励起子が生成し、この励起子から光が発せられる
と考えられている。
わる次世代のフラットパネルディスプレイが多くの関心
を集めている。そしてフラツトパネルディスプレイ用の
表示素子として有機ＥＬ素子が注目され、研究が進めら
れている。有機ＥＬ素子は、一対の電極と、その間に挟
まれた発光性物質を含む少なくとも１層の有機層とによ
り構成される。そして通電時に各電極から注入されたホ
ールと電子が有機層内を移動し、再結合することにより
一重項励起子が生成し、この励起子から光が発せられる
と考えられている。
【０００３】また、こうした有機ＥＬ素子の構造として
は、例えば陽極／ホール輸送層／発光層／陰極、又は陽
極／発光層／電子輸送層／陰極といった２層積層構造
や、陽極／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極と
いった３層積層構造がある。
は、例えば陽極／ホール輸送層／発光層／陰極、又は陽
極／発光層／電子輸送層／陰極といった２層積層構造
や、陽極／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極と
いった３層積層構造がある。
【０００４】また、これらの積層構造を有する有機ＥＬ
素子の製造方法において、電極の形成には、例えば真空
蒸着法、イオンビームスパッタ法等が用いられ、ホール
輸送層、発光層、電子輸送層等の有機層の形成には、例
えば真空蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等が用いられ
る。
素子の製造方法において、電極の形成には、例えば真空
蒸着法、イオンビームスパッタ法等が用いられ、ホール
輸送層、発光層、電子輸送層等の有機層の形成には、例
えば真空蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等が用いられ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機ＥＬ素
子が多数配置されたフラツトパネルディスプレイを作製
する場合、各有機ＥＬ素子を精度よく形成することが要
求される。しかし、上記従来の真空蒸着法等を用いて有
機ＥＬ素子を形成する場合、パターニングされたマスク
と基板との僅かな隙間によるパターンずれが生じるた
め、各有機ＥＬ素子を精度よく作製することは非常に困
難であった。また、各有機ＥＬ素子を微細化しようとす
る場合においても、パターニングするマスクのパターン
の微細化にも限界があるために、有機ＥＬ素子を微細化
することも困難であった。
子が多数配置されたフラツトパネルディスプレイを作製
する場合、各有機ＥＬ素子を精度よく形成することが要
求される。しかし、上記従来の真空蒸着法等を用いて有
機ＥＬ素子を形成する場合、パターニングされたマスク
と基板との僅かな隙間によるパターンずれが生じるた
め、各有機ＥＬ素子を精度よく作製することは非常に困
難であった。また、各有機ＥＬ素子を微細化しようとす
る場合においても、パターニングするマスクのパターン
の微細化にも限界があるために、有機ＥＬ素子を微細化
することも困難であった。
【０００６】そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなさ
れたものであり、微細な素子パターンを有する有機ＥＬ
素子を高精度に形成することが可能な有機ＥＬ素子の製
造方法を提供することを目的とする。
れたものであり、微細な素子パターンを有する有機ＥＬ
素子を高精度に形成することが可能な有機ＥＬ素子の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、レーザアブレ
ーション法を用い、各有機ＥＬ素子を分離すべき微小領
域に高出力のレーザを照射して、その微小分離領域に設
けた物質を蒸発させることにより、各有機ＥＬ素子を分
離し、微細な素子パターンを有する有機ＥＬ素子を高精
度に形成することが可能になることを想到した。従っ
て、上記課題は、以下の本発明に係る有機ＥＬ素子の製
造方法により達成される。
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、レーザアブレ
ーション法を用い、各有機ＥＬ素子を分離すべき微小領
域に高出力のレーザを照射して、その微小分離領域に設
けた物質を蒸発させることにより、各有機ＥＬ素子を分
離し、微細な素子パターンを有する有機ＥＬ素子を高精
度に形成することが可能になることを想到した。従っ
て、上記課題は、以下の本発明に係る有機ＥＬ素子の製
造方法により達成される。
【０００８】即ち、請求項１に係る有機ＥＬ素子の製造
方法は、透明電極上に、所定の形状にパターニングした
レジストを形成する第１の工程と、前記透明電極及び前
記レジスト上に、発光層を含む有機層を形成する第２の
工程と、前記発光層を含む有機層上に、金属電極層を形
成する第３の工程と、前記透明電極側から前記レジスト
に光を照射して、前記レジストを蒸発させると共に、前
記レジスト上の前記発光層を含む有機層及び前記金属電
極層を除去し、前記透明電極上に積層した前記発光層を
含む有機層及び前記金属電極層を分離する第４の工程と
を有することを特徴とする。
方法は、透明電極上に、所定の形状にパターニングした
レジストを形成する第１の工程と、前記透明電極及び前
記レジスト上に、発光層を含む有機層を形成する第２の
工程と、前記発光層を含む有機層上に、金属電極層を形
成する第３の工程と、前記透明電極側から前記レジスト
に光を照射して、前記レジストを蒸発させると共に、前
記レジスト上の前記発光層を含む有機層及び前記金属電
極層を除去し、前記透明電極上に積層した前記発光層を
含む有機層及び前記金属電極層を分離する第４の工程と
を有することを特徴とする。
【０００９】このように本発明に係る有機ＥＬ素子の製
造方法においては、透明電極上に所定の形状にパターニ
ングしたレジストを形成し、これら透明電極及びレジス
ト上に発光層を含む有機層及び金属電極層を順に積層し
た後、透明電極側からレジストに光を照射してレジスト
を蒸発させ、同時にこのレジスト上の発光層を含む有機
層及び金属電極層を除去して、発光層を含む有機層及び
金属電極層を分離することにより、各有機ＥＬ素子の分
離を行うことができる。そして各有機ＥＬ素子が分離さ
れる精度はレジストのパターニング精度に依存し、この
レジスト層のパターニングはフォトリソグラフィ法を用
いて微細かつ高精度に行うことが可能であるため、各有
機ＥＬ素子を高精度に微細化することが可能となる。
造方法においては、透明電極上に所定の形状にパターニ
ングしたレジストを形成し、これら透明電極及びレジス
ト上に発光層を含む有機層及び金属電極層を順に積層し
た後、透明電極側からレジストに光を照射してレジスト
を蒸発させ、同時にこのレジスト上の発光層を含む有機
層及び金属電極層を除去して、発光層を含む有機層及び
金属電極層を分離することにより、各有機ＥＬ素子の分
離を行うことができる。そして各有機ＥＬ素子が分離さ
れる精度はレジストのパターニング精度に依存し、この
レジスト層のパターニングはフォトリソグラフィ法を用
いて微細かつ高精度に行うことが可能であるため、各有
機ＥＬ素子を高精度に微細化することが可能となる。
【００１０】また、上記請求項１記載の有機電界発光素
子の製造方法において、前記発光層を含む有機層は、順
に積層されたホール輸送層及び発光層であるのが好まし
い。従って、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、
陽極／ホール輸送層／発光層／陰極という２層積層構造
の有機ＥＬ素子に適用することが可能である。また、請
求項３に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、上記請求項１
記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記発光
層を含む有機層が、順に積層された発光層及び電子輸送
層である、ことを特徴とする。従って、本発明に係る有
機ＥＬ素子の製造方法は、陽極／発光層／電子輸送層／
陰極という２層積層構造の有機ＥＬ素子に適用すること
が可能である。
子の製造方法において、前記発光層を含む有機層は、順
に積層されたホール輸送層及び発光層であるのが好まし
い。従って、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、
陽極／ホール輸送層／発光層／陰極という２層積層構造
の有機ＥＬ素子に適用することが可能である。また、請
求項３に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、上記請求項１
記載の有機電界発光素子の製造方法において、前記発光
層を含む有機層が、順に積層された発光層及び電子輸送
層である、ことを特徴とする。従って、本発明に係る有
機ＥＬ素子の製造方法は、陽極／発光層／電子輸送層／
陰極という２層積層構造の有機ＥＬ素子に適用すること
が可能である。
【００１１】また、上記請求項１記載の有機電界発光素
子の製造方法において、前記発光層を含む有機層は、順
に積層されたホール輸送層、発光層、及び電子輸送層で
あるのが好ましい。従って、本発明に係る有機ＥＬ素子
の製造方法は、陽極／ホール輸送層／発光層／電子輸送
層／陰極という３層積層構造の有機ＥＬ素子に適用する
ことが可能である。
子の製造方法において、前記発光層を含む有機層は、順
に積層されたホール輸送層、発光層、及び電子輸送層で
あるのが好ましい。従って、本発明に係る有機ＥＬ素子
の製造方法は、陽極／ホール輸送層／発光層／電子輸送
層／陰極という３層積層構造の有機ＥＬ素子に適用する
ことが可能である。
【００１２】また、上記の有機電界発光素子の製造方法
において、前記第１の工程における、前記透明電極上に
形成する前記レジストは、所定の波長の光を吸収する色
素を含有し、前記第４の工程における、前記レジストに
照射する光は、前記所定の波長を有しているのが好まし
い。このように本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法に
おいては、所定の波長の光を吸収する色素を含有するレ
ジストを用い、このレジストに所定の波長を有している
光を照射することにより、この所定の波長を有している
光が照射されると、レジストに含有されている色素が光
を吸収してレジストの分子同士の結合を開裂するため、
容易にレジストを分解、蒸発させることが可能である。
また、このレジストは有機ＥＬ素子の作製において透明
電極表面の清浄化を目的として一般的に用いられる酸素
プラズマ処理の際に分解、蒸発しないものが好ましい。
において、前記第１の工程における、前記透明電極上に
形成する前記レジストは、所定の波長の光を吸収する色
素を含有し、前記第４の工程における、前記レジストに
照射する光は、前記所定の波長を有しているのが好まし
い。このように本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法に
おいては、所定の波長の光を吸収する色素を含有するレ
ジストを用い、このレジストに所定の波長を有している
光を照射することにより、この所定の波長を有している
光が照射されると、レジストに含有されている色素が光
を吸収してレジストの分子同士の結合を開裂するため、
容易にレジストを分解、蒸発させることが可能である。
また、このレジストは有機ＥＬ素子の作製において透明
電極表面の清浄化を目的として一般的に用いられる酸素
プラズマ処理の際に分解、蒸発しないものが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。図１乃至図５は、それ
ぞれ本発明の一の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造
方法を示す工程断面図である。先ず、図１に示すよう
に、透明ガラス基板１０上に、例えば真空蒸着法を用い
てＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を蒸着して、ＩＴＯ陽
極１２を形成する。続いて、このＩＴＯ陽極１２上に、
例えば塗布法を用いて、フォトレジスト層１４を形成す
る。このフォトレジスト層１４の材料としては、例えば
耐熱性のポリイミド系レジストに、レーザ色素として知
られるローダミン系色素やクマリン系色素等を混入した
ものを用いる。
本発明の実施の形態を説明する。図１乃至図５は、それ
ぞれ本発明の一の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造
方法を示す工程断面図である。先ず、図１に示すよう
に、透明ガラス基板１０上に、例えば真空蒸着法を用い
てＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を蒸着して、ＩＴＯ陽
極１２を形成する。続いて、このＩＴＯ陽極１２上に、
例えば塗布法を用いて、フォトレジスト層１４を形成す
る。このフォトレジスト層１４の材料としては、例えば
耐熱性のポリイミド系レジストに、レーザ色素として知
られるローダミン系色素やクマリン系色素等を混入した
ものを用いる。
【００１４】その後、フォトリソグラフィ法を用いて、
ＵＶ（ultra-violet rays;紫外線）照射による露光及び
現像を行い、フォトレジスト層１４を所望のパターンに
パターニングする。このとき、フォトレジスト層１４は
フォトリソグラフィ法を用いてパターニングされるた
め、微細なパターンのフォトレジスト層１４を高精度に
形成することが可能である。
ＵＶ（ultra-violet rays;紫外線）照射による露光及び
現像を行い、フォトレジスト層１４を所望のパターンに
パターニングする。このとき、フォトレジスト層１４は
フォトリソグラフィ法を用いてパターニングされるた
め、微細なパターンのフォトレジスト層１４を高精度に
形成することが可能である。
【００１５】次いで、図２に示すように、ＩＴＯ陽極１
２及び所望のパターンにパターニングしたフォトレジス
ト層１４上に、例えば真空蒸着法を用いて、例えばホー
ル輸送層の材料としてのＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）４，４’−ジア
ミノビフェニル）、例えば発光層の材料としてのＡｌｑ
３（トリス（８−キノリノ一ル）アルミニウム）、例え
ば陰極の材料としてのΑｌ（アルミニウム）を順に積層
して、ＴＰＤからなるホール輸送層１６、Ａｌｑ３から
なる発光層１８、Αｌ陰極２０を形成する。こうして、
透明ガラス基板１０上に、ＩＴＯ陽極１２、ホール輸送
層１６、発光層１８、及びＡｌ陰極２０が順に積層さ
れ、各有機ＥＬ素子に共通の構造が形成される。
２及び所望のパターンにパターニングしたフォトレジス
ト層１４上に、例えば真空蒸着法を用いて、例えばホー
ル輸送層の材料としてのＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）４，４’−ジア
ミノビフェニル）、例えば発光層の材料としてのＡｌｑ
３（トリス（８−キノリノ一ル）アルミニウム）、例え
ば陰極の材料としてのΑｌ（アルミニウム）を順に積層
して、ＴＰＤからなるホール輸送層１６、Ａｌｑ３から
なる発光層１８、Αｌ陰極２０を形成する。こうして、
透明ガラス基板１０上に、ＩＴＯ陽極１２、ホール輸送
層１６、発光層１８、及びＡｌ陰極２０が順に積層さ
れ、各有機ＥＬ素子に共通の構造が形成される。
【００１６】次いで、図３に示すように、光源として高
出力のレーザ、例えばＫｒ（クリプトン）イオンレーザ
又はＡｒ（アルゴン）イオンレーザを用い、透明ガラス
基板１０の裏側からフォトレジスト層１４にレーザ光を
照射する。
出力のレーザ、例えばＫｒ（クリプトン）イオンレーザ
又はＡｒ（アルゴン）イオンレーザを用い、透明ガラス
基板１０の裏側からフォトレジスト層１４にレーザ光を
照射する。
【００１７】このとき、透明ガラス基板１０及びＩＴＯ
陽極１２は、Ｋｒイオンレーザ又はＡｒイオンレーザが
出力する可視領域の波長のレーザ光を透過する。また、
ホール輸送層１６をなすＴＰＤや発光層１８をなすＡｌ
ｑ３等の有機物は、レーザ光によっては分解、蒸発し難
い。しかし、フォトレジスト層１４に含有されているロ
ーダミン系色素やクマリン系色素等のレーザ色素は可視
領域の波長のレーザ光を吸収する特性をもっている。そ
の結果、こうしたレーザ色素を含有しているフォトレジ
スト層１４は、可視領域の波長のレーザ光の照射によ
り、その分子同士の結合が開裂して、分解、蒸発する。
陽極１２は、Ｋｒイオンレーザ又はＡｒイオンレーザが
出力する可視領域の波長のレーザ光を透過する。また、
ホール輸送層１６をなすＴＰＤや発光層１８をなすＡｌ
ｑ３等の有機物は、レーザ光によっては分解、蒸発し難
い。しかし、フォトレジスト層１４に含有されているロ
ーダミン系色素やクマリン系色素等のレーザ色素は可視
領域の波長のレーザ光を吸収する特性をもっている。そ
の結果、こうしたレーザ色素を含有しているフォトレジ
スト層１４は、可視領域の波長のレーザ光の照射によ
り、その分子同士の結合が開裂して、分解、蒸発する。
【００１８】従って、図４に示すように、このフォトレ
ジスト層１４の分解、蒸発に伴い、フォトレジスト層１
４上に積層されたホール輸送層１６、発光層１８、Ａｌ
陰極２０もフォトレジスト層１４と一緒に除去される。
即ち、所望のパターンにパターニングしたフォトレジス
ト層１４上のホール輸送層１６、発光層１８、Ａｌ陰極
２０のみが選択的に除去されて、例えばホール輸送層１
６はホール輸送層１６ａとホール輸送層１６ｂに、発光
層１８は発光層１８ａと発光層１８ｂに、Ａｌ陰極２０
はＡｌ陰極２０ａとＡｌ陰極２０ｂにそれぞれ切り離さ
れる。
ジスト層１４の分解、蒸発に伴い、フォトレジスト層１
４上に積層されたホール輸送層１６、発光層１８、Ａｌ
陰極２０もフォトレジスト層１４と一緒に除去される。
即ち、所望のパターンにパターニングしたフォトレジス
ト層１４上のホール輸送層１６、発光層１８、Ａｌ陰極
２０のみが選択的に除去されて、例えばホール輸送層１
６はホール輸送層１６ａとホール輸送層１６ｂに、発光
層１８は発光層１８ａと発光層１８ｂに、Ａｌ陰極２０
はＡｌ陰極２０ａとＡｌ陰極２０ｂにそれぞれ切り離さ
れる。
【００１９】そして図５に示すように、ＩＴＯ陽極１２
並びにその上に積層されたホール輸送層１６ａ、発光層
１８ａ、及びＡｌ陰極２０ａからなる有機ＥＬ素子２２
ａと、ＩＴＯ陽極１２並びにその上に積層されたホール
輸送層１６ｂ、発光層１８ｂ、及びＡｌ陰極２０ｂから
なる有機ＥＬ素子２２ｂとが分離して形成される。即
ち、所望のパターンに従って各有機ＥＬ素子が分離して
形成されることになる。
並びにその上に積層されたホール輸送層１６ａ、発光層
１８ａ、及びＡｌ陰極２０ａからなる有機ＥＬ素子２２
ａと、ＩＴＯ陽極１２並びにその上に積層されたホール
輸送層１６ｂ、発光層１８ｂ、及びＡｌ陰極２０ｂから
なる有機ＥＬ素子２２ｂとが分離して形成される。即
ち、所望のパターンに従って各有機ＥＬ素子が分離して
形成されることになる。
【００２０】このように本実施の形態に係る有機ＥＬ素
子の製造方法によれば、各有機ＥＬ素子の分離領域のパ
ターンにパターニングしたフォトレジスト層１４をＩＴ
Ｏ陽極１２上に形成し、これらＩＴＯ陽極１２及びフォ
トレジスト層１４上にホール輸送層１６、発光層１８、
及びΑｌ陰極２０を順に積層した後、フォトレジスト層
１４にレーザ光を照射して分解、蒸発させるというレー
ザアブレーション法を用いて、フォトレジスト層１４と
共にその上に積層されたホール輸送層１６、発光層１
８、Ａｌ陰極２０をも除去することにより、各有機ＥＬ
素子の分離を行うことができる。
子の製造方法によれば、各有機ＥＬ素子の分離領域のパ
ターンにパターニングしたフォトレジスト層１４をＩＴ
Ｏ陽極１２上に形成し、これらＩＴＯ陽極１２及びフォ
トレジスト層１４上にホール輸送層１６、発光層１８、
及びΑｌ陰極２０を順に積層した後、フォトレジスト層
１４にレーザ光を照射して分解、蒸発させるというレー
ザアブレーション法を用いて、フォトレジスト層１４と
共にその上に積層されたホール輸送層１６、発光層１
８、Ａｌ陰極２０をも除去することにより、各有機ＥＬ
素子の分離を行うことができる。
【００２１】そして各有機ＥＬ素子が分離される精度は
フォトレジスト層１４のパターンの精度に依存し、この
フォトレジスト層１４のパターンはフォトリソグラフィ
法を用いて微細かつ高精度に形成することが可能である
ため、各有機ＥＬ素子を高精度に微細化することが可能
となる。従って、有機ＥＬ素子を用いたフラツトパネル
ディスプレイにおいて、その画素の高精度な微細化を実
現することができる。
フォトレジスト層１４のパターンの精度に依存し、この
フォトレジスト層１４のパターンはフォトリソグラフィ
法を用いて微細かつ高精度に形成することが可能である
ため、各有機ＥＬ素子を高精度に微細化することが可能
となる。従って、有機ＥＬ素子を用いたフラツトパネル
ディスプレイにおいて、その画素の高精度な微細化を実
現することができる。
【００２２】なお、上記実施の形態に係る有機ＥＬ素子
の製造方法においては、ＫｒイオンレーザやＡｒイオン
レーザ等の高出力のレーザを用い、透明ガラス基板１０
の裏側からフォトレジスト層１４にレーザ光を照射した
が、フォトレジスト層１４を分解、蒸発するために照射
する光の光源としては、レーザに限られるものではな
く、例えばフラッシュランプ等を利用することも可能で
ある。また、有機ＥＬ素子の微小領域に限らず素子全面
の広い範囲に照射してもよい。
の製造方法においては、ＫｒイオンレーザやＡｒイオン
レーザ等の高出力のレーザを用い、透明ガラス基板１０
の裏側からフォトレジスト層１４にレーザ光を照射した
が、フォトレジスト層１４を分解、蒸発するために照射
する光の光源としては、レーザに限られるものではな
く、例えばフラッシュランプ等を利用することも可能で
ある。また、有機ＥＬ素子の微小領域に限らず素子全面
の広い範囲に照射してもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る有機ＥＬ素子の製造方法によれば、透明電極上に所定
の形状にパターニングしたレジストを形成し、これら透
明電極及びレジスト上に、発光層を含む有機層及び金属
電極層を順に積層した後、透明電極側からレジストに光
を照射してレジストを蒸発させ、同時にこのレジスト上
の発光層を含む有機層及び金属電極層を除去して、発光
層を含む有機層及び金属電極層を分離することにより、
各有機ＥＬ素子の分離を行うことができる。このとき、
各有機ＥＬ素子が分離される精度はレジストのパターニ
ング精度に依存し、このレジスト層のパターニングはフ
ォトリソグラフィ法を用いて微細かつ高精度に行うこと
が可能であるため、各有機ＥＬ素子を高精度に微細化す
ることが可能となる。従って、有機ＥＬ素子を用いたフ
ラットパネルディスプレイにおいて、その画素の高精度
な微細化を実現することができる。
る有機ＥＬ素子の製造方法によれば、透明電極上に所定
の形状にパターニングしたレジストを形成し、これら透
明電極及びレジスト上に、発光層を含む有機層及び金属
電極層を順に積層した後、透明電極側からレジストに光
を照射してレジストを蒸発させ、同時にこのレジスト上
の発光層を含む有機層及び金属電極層を除去して、発光
層を含む有機層及び金属電極層を分離することにより、
各有機ＥＬ素子の分離を行うことができる。このとき、
各有機ＥＬ素子が分離される精度はレジストのパターニ
ング精度に依存し、このレジスト層のパターニングはフ
ォトリソグラフィ法を用いて微細かつ高精度に行うこと
が可能であるため、各有機ＥＬ素子を高精度に微細化す
ることが可能となる。従って、有機ＥＬ素子を用いたフ
ラットパネルディスプレイにおいて、その画素の高精度
な微細化を実現することができる。
【図１】本発明の一の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の
製造方法を示す工程断面図（その１）である。
製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図２】本発明の一の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の
製造方法を示す工程断面図（その２）である。
製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図３】本発明の一の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の
製造方法を示す工程断面図（その３）である。
製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図４】本発明の一の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の
製造方法を示す工程断面図（その４）である。
製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図５】本発明の一の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の
製造方法を示す工程断面図（その５）である。
製造方法を示す工程断面図（その５）である。
１０……透明ガラス基板、１２……ＩＴＯ陽極、１４…
…フォトレジスト層、１６、１６ａ、１６ｂ……ホール
輸送層、１８、１８ａ、１８ｂ……発光層、２０、２０
ａ、２０ｂ……Ａｌ陰極、２２ａ、２２ｂ……有機ＥＬ
素子。
…フォトレジスト層、１６、１６ａ、１６ｂ……ホール
輸送層、１８、１８ａ、１８ｂ……発光層、２０、２０
ａ、２０ｂ……Ａｌ陰極、２２ａ、２２ｂ……有機ＥＬ
素子。
Claims (5)
- 【請求項１】 透明電極上に、所定の形状にパターニン
グしたレジストを形成する第１の工程と、 前記透明電極及び前記レジスト上に、発光層を含む有機
層を形成する第２の工程と、 前記発光層を含む有機層上に、金属電極層を形成する第
３の工程と、 前記透明電極側から前記レジストに光を照射して、前記
レジストを蒸発させると共に、前記レジスト上の前記発
光層を含む有機層及び前記金属電極層を除去し、前記透
明電極上に積層した前記発光層を含む有機層及び前記金
属電極層を分離する第４の工程とを有することを特徴と
する有機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の有機電界発光素子の製造
方法において、 前記発光層を含む有機層が、順に積層されたホール輸送
層及び発光層であることを特徴とする有機電界発光素子
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の有機電界発光素子の製造
方法において、 前記発光層を含む有機層が、順に積層された発光層及び
電子輸送層であることを特徴とする有機電界発光素子の
製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の有機電界発光素子の製造
方法において、 前記発光層を含む有機層が、順に積層されたホール輸送
層、発光層、及び電子輸送層であることを特徴とする有
機電界発光素子の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の有機
電界発光素子の製造方法において、 前記第１の工程における、前記透明電極上に形成する前
記レジストが、所定の波長の光を吸収する色素を含有
し、 前記第４の工程における、前記レジストに照射する光
が、前記所定の波長を有していることを特徴とする有機
電界発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11585796A JP3849726B2 (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11585796A JP3849726B2 (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306666A true JPH09306666A (ja) | 1997-11-28 |
| JP3849726B2 JP3849726B2 (ja) | 2006-11-22 |
Family
ID=14672867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11585796A Expired - Fee Related JP3849726B2 (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 有機電界発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3849726B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1154398A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-14 | Eastman Kodak Company | Forming preformed images in organic electroluminescent devices |
| WO2003069960A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Byoung-Choo Park | Organic semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2005032735A (ja) * | 2000-09-25 | 2005-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子 |
| US7338820B2 (en) | 2002-12-19 | 2008-03-04 | 3M Innovative Properties Company | Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes |
| US7732003B2 (en) | 2003-08-08 | 2010-06-08 | Seiko Epson Corporation | Bank forming method, wiring pattern forming method, electro-optical device, and electronic apparatus |
| EP2315289A3 (en) * | 2001-05-23 | 2011-09-28 | Plastic Logic Limited | Laser patterning of devices |
| CN110140228A (zh) * | 2016-12-13 | 2019-08-16 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 制备有机电子器件的方法、有机电子器件和包含该有机电子器件的装置 |
-
1996
- 1996-05-10 JP JP11585796A patent/JP3849726B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
| EP1154398A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-14 | Eastman Kodak Company | Forming preformed images in organic electroluminescent devices |
| JP2005032735A (ja) * | 2000-09-25 | 2005-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | エレクトロルミネッセント素子 |
| EP2315289A3 (en) * | 2001-05-23 | 2011-09-28 | Plastic Logic Limited | Laser patterning of devices |
| WO2003069960A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Byoung-Choo Park | Organic semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US7338820B2 (en) | 2002-12-19 | 2008-03-04 | 3M Innovative Properties Company | Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes |
| US8173453B2 (en) | 2002-12-19 | 2012-05-08 | 3M Innovative Properties Company | Laser patterning of encapsulated organic light emitting diodes |
| US7732003B2 (en) | 2003-08-08 | 2010-06-08 | Seiko Epson Corporation | Bank forming method, wiring pattern forming method, electro-optical device, and electronic apparatus |
| CN110140228A (zh) * | 2016-12-13 | 2019-08-16 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 制备有机电子器件的方法、有机电子器件和包含该有机电子器件的装置 |
| CN110140228B (zh) * | 2016-12-13 | 2022-02-11 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 制备有机电子器件的方法、有机电子器件和包含该有机电子器件的装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3849726B2 (ja) | 2006-11-22 |
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