JPH09306345A - プラズマディスプレイの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイの製造方法Info
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- JPH09306345A JPH09306345A JP11261296A JP11261296A JPH09306345A JP H09306345 A JPH09306345 A JP H09306345A JP 11261296 A JP11261296 A JP 11261296A JP 11261296 A JP11261296 A JP 11261296A JP H09306345 A JPH09306345 A JP H09306345A
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- Japan
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- glass paste
- plasma display
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマディスプレイの製造方法において、簡
便で高精度の隔壁層を形成するための製造方法を提供す
る。 【解決手段】 凹型金型にガラスペーストを充填する工
程、前記金型内で前記ガラスペーストを金型形状に形成
し隔壁を形成する工程、ガラス基板と前記隔壁を接合す
る工程を含む工程により隔壁層の形成を行うことを特徴
とするプラズマディスプレイの製造方法。
便で高精度の隔壁層を形成するための製造方法を提供す
る。 【解決手段】 凹型金型にガラスペーストを充填する工
程、前記金型内で前記ガラスペーストを金型形状に形成
し隔壁を形成する工程、ガラス基板と前記隔壁を接合す
る工程を含む工程により隔壁層の形成を行うことを特徴
とするプラズマディスプレイの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規なプラズマディ
スプレイの製造方法に関する。本発明は、プラズマディ
スプレイ、プラズマアドレス液晶ディスプレイをはじめ
とするガラス隔壁層が必要なディスプレイの製造に用い
られる。
スプレイの製造方法に関する。本発明は、プラズマディ
スプレイ、プラズマアドレス液晶ディスプレイをはじめ
とするガラス隔壁層が必要なディスプレイの製造に用い
られる。
【０００２】
【従来の技術】近年、ディスプレイにおいて、小型・高
精細化が進んでおり、それに伴って、パターン加工技術
も技術向上が望まれている。特に、プラズマディスプレ
イパネルの隔壁形成には、ガラスなどの無機材料を高精
度かつ高アスペクト比でパターン加工をできる材料が望
まれている。
精細化が進んでおり、それに伴って、パターン加工技術
も技術向上が望まれている。特に、プラズマディスプレ
イパネルの隔壁形成には、ガラスなどの無機材料を高精
度かつ高アスペクト比でパターン加工をできる材料が望
まれている。
【０００３】従来、無機材料のパターン加工を行う場
合、無機粉末と有機バインダーからなるペーストによる
スクリーン印刷が多く用いられている。しかしながらス
クリーン印刷は精度の高いパターンが形成できないとい
う欠点があった。
合、無機粉末と有機バインダーからなるペーストによる
スクリーン印刷が多く用いられている。しかしながらス
クリーン印刷は精度の高いパターンが形成できないとい
う欠点があった。
【０００４】この問題を改良する方法として、特開平１
−２９６５３４号公報、特開平２−１６５５３８号公
報、特開平５−３４２９９２号公報では、感光性ペース
トを用いてフォトリソグラフィ技術に形成する方法が提
案されている。しかしながら、感光性ペーストの感度や
解像度が低いために高アスペクト比、高精細の隔壁が得
られないために、例えば８０μｍを越えるような厚みの
ものをパターン加工する場合、複数回の加工工程（スク
リーン印刷・露光・現像）を必要とするため、工程が長
くなる欠点があった。
−２９６５３４号公報、特開平２−１６５５３８号公
報、特開平５−３４２９９２号公報では、感光性ペース
トを用いてフォトリソグラフィ技術に形成する方法が提
案されている。しかしながら、感光性ペーストの感度や
解像度が低いために高アスペクト比、高精細の隔壁が得
られないために、例えば８０μｍを越えるような厚みの
ものをパターン加工する場合、複数回の加工工程（スク
リーン印刷・露光・現像）を必要とするため、工程が長
くなる欠点があった。
【０００５】また、特開平２−１６５５３８号公報で
は、感光性ペーストを転写紙上にコーティングした後、
転写フィルムをガラス基板上に転写して隔壁を形成する
方法が、特開平３−５７１３８号公報では、フォトレジ
スト層の溝に誘電体ペーストを充填して隔壁を形成する
方法がそれぞれ提案されている。また特開平４−１０９
５３６号公報では、感光性有機フィルムを用いて隔壁を
形成する方法が提案されている。
は、感光性ペーストを転写紙上にコーティングした後、
転写フィルムをガラス基板上に転写して隔壁を形成する
方法が、特開平３−５７１３８号公報では、フォトレジ
スト層の溝に誘電体ペーストを充填して隔壁を形成する
方法がそれぞれ提案されている。また特開平４−１０９
５３６号公報では、感光性有機フィルムを用いて隔壁を
形成する方法が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法では、転写フィルムやフォトレジストあるいは有
機フィルムを必要とするために工程が増えるという問題
点があった。また、高精細度や高アスペクト比を有する
隔壁を得るには至っていない。
の方法では、転写フィルムやフォトレジストあるいは有
機フィルムを必要とするために工程が増えるという問題
点があった。また、高精細度や高アスペクト比を有する
隔壁を得るには至っていない。
【０００７】本発明者らは上記欠点のないプラズマディ
スプレイの製造方法について鋭意検討して本発明に到達
した。特に、高アスペクト比かつ高精度の隔壁層の形成
を可能にして、高品位テレビジョンＴＶ（ＨＤＴＶ）に
対応可能なプラズマディスプレイを提供することを目的
とする。
スプレイの製造方法について鋭意検討して本発明に到達
した。特に、高アスペクト比かつ高精度の隔壁層の形成
を可能にして、高品位テレビジョンＴＶ（ＨＤＴＶ）に
対応可能なプラズマディスプレイを提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、凹型
金型にガラスペーストを充填する工程、前記金型内で前
記ガラスペーストを金型形状に形成し隔壁を形成する工
程、ガラス基板と前記隔壁を接合する工程を含む工程に
より隔壁層の形成を行うことを特徴とするプラズマディ
スプレイの製造方法である。
金型にガラスペーストを充填する工程、前記金型内で前
記ガラスペーストを金型形状に形成し隔壁を形成する工
程、ガラス基板と前記隔壁を接合する工程を含む工程に
より隔壁層の形成を行うことを特徴とするプラズマディ
スプレイの製造方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、通常、隔壁部分を形成
するための凹型金型の形成工程（Ｉ．金型作製工程）、
凹型金型に隔壁部分となるガラスペーストを充填する工
程（ＩＩ．充填工程）、金型内でガラスを金型形状に形
成し隔壁部分を形成する工程（ＩＩＩ．金型内隔壁部分
形成工程）、予め電極層を形成した背面ガラス基板と金
型内に形成されている隔壁部分との接合工程（ＩＶ．背
面ガラス基板／隔壁接合工程）によって構成される。
するための凹型金型の形成工程（Ｉ．金型作製工程）、
凹型金型に隔壁部分となるガラスペーストを充填する工
程（ＩＩ．充填工程）、金型内でガラスを金型形状に形
成し隔壁部分を形成する工程（ＩＩＩ．金型内隔壁部分
形成工程）、予め電極層を形成した背面ガラス基板と金
型内に形成されている隔壁部分との接合工程（ＩＶ．背
面ガラス基板／隔壁接合工程）によって構成される。
【００１０】以下、図面を参照して各工程を説明する。
【００１１】図１に示すように、フォトレジスト法によ
って、３層以上、好ましくは〜の３段階に分けてパ
ターンを形成し、〜の段階毎にメッキ法によってパ
ターン幅が異なる３層の型を形成する。この際、隔壁部
分になる凹部は隔壁の先端部からガラス基板との接合近
辺にかけて隔壁幅を拡大させ凹型金型を作製する。それ
によって強度の安定をはかることができ、更に、背面ガ
ラス基板と隔壁を接合後に、容易に金型が剥離可能にな
る。
って、３層以上、好ましくは〜の３段階に分けてパ
ターンを形成し、〜の段階毎にメッキ法によってパ
ターン幅が異なる３層の型を形成する。この際、隔壁部
分になる凹部は隔壁の先端部からガラス基板との接合近
辺にかけて隔壁幅を拡大させ凹型金型を作製する。それ
によって強度の安定をはかることができ、更に、背面ガ
ラス基板と隔壁を接合後に、容易に金型が剥離可能にな
る。
【００１２】図１で作製した金型内に図２に示すよう
に、スパッタ法などにより４００℃以上に耐える剥離
膜、例えばＳｉを含有する離型膜などを形成する。
に、スパッタ法などにより４００℃以上に耐える剥離
膜、例えばＳｉを含有する離型膜などを形成する。
【００１３】剥離膜を形成した後に図３のようにフォト
レジストパターン法などによって昇華剤の膜、すなわち
昇華膜を形成する。昇華膜の厚みは３０μｍ以上とす
る。昇華膜形成の目的は、後述するガラスペーストの金
型上面よりも５０〜７０μｍ高く充填するために必要で
ある。すなわち、隔壁部分のガラスペーストを５００〜
６００℃前後で焼成する時点で、体積収縮が起こるが、
体積収縮後も間隔部分の背面ガラス基板との接合部が金
型上面より２０μｍ以上の高さを保持させるためであ
る。昇華膜は、隔壁部分のガラスペーストが溶融加熱の
段階で急速な横へのガラス流動を防止しつつ、ガラスペ
ーストの溶融完了時点で昇華によって除去される。昇華
剤以外にガラス溶融時に壁となる物質を形成する方法も
あるが、４００℃以上の耐熱性を有する物質で、かつ、
ガラスペーストを溶融後に洗浄工程を加える必要があ
り、生産プロセス上の余分な工程が付加されることと、
形成された隔壁（金型より高く突出している）部分を洗
浄などによって損傷するおそれがある。
レジストパターン法などによって昇華剤の膜、すなわち
昇華膜を形成する。昇華膜の厚みは３０μｍ以上とす
る。昇華膜形成の目的は、後述するガラスペーストの金
型上面よりも５０〜７０μｍ高く充填するために必要で
ある。すなわち、隔壁部分のガラスペーストを５００〜
６００℃前後で焼成する時点で、体積収縮が起こるが、
体積収縮後も間隔部分の背面ガラス基板との接合部が金
型上面より２０μｍ以上の高さを保持させるためであ
る。昇華膜は、隔壁部分のガラスペーストが溶融加熱の
段階で急速な横へのガラス流動を防止しつつ、ガラスペ
ーストの溶融完了時点で昇華によって除去される。昇華
剤以外にガラス溶融時に壁となる物質を形成する方法も
あるが、４００℃以上の耐熱性を有する物質で、かつ、
ガラスペーストを溶融後に洗浄工程を加える必要があ
り、生産プロセス上の余分な工程が付加されることと、
形成された隔壁（金型より高く突出している）部分を洗
浄などによって損傷するおそれがある。
【００１４】昇華膜で形成した金型に図４に示すよう
に、隔壁になるガラスペーストを昇華膜よりも５〜１０
μｍ高い位置に充填する。すなわち、ガラスペーストの
量が凹型金型内の体積よりも多くなるように充填する。
充填するガラスペーストは熱軟化温度が３５０〜６００
℃のガラス粒子を５０重量％以上含有することが好まし
い。また、充填するガラスペーストのガラス粒子の粒子
径は、１〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍであり、さ
らに、粒子径が１〜５μｍのガラス粒子を５０重量％以
上含有するものであることが好ましい。さらに充填する
ガラスペーストの形状は球形率が６０個数％以上の球状
粒子を用いることが好ましい。粒子を５μｍ以下にする
ことによって、溶融後の体積収縮率を小さくすることが
できる。
に、隔壁になるガラスペーストを昇華膜よりも５〜１０
μｍ高い位置に充填する。すなわち、ガラスペーストの
量が凹型金型内の体積よりも多くなるように充填する。
充填するガラスペーストは熱軟化温度が３５０〜６００
℃のガラス粒子を５０重量％以上含有することが好まし
い。また、充填するガラスペーストのガラス粒子の粒子
径は、１〜１０μｍ、好ましくは１〜５μｍであり、さ
らに、粒子径が１〜５μｍのガラス粒子を５０重量％以
上含有するものであることが好ましい。さらに充填する
ガラスペーストの形状は球形率が６０個数％以上の球状
粒子を用いることが好ましい。粒子を５μｍ以下にする
ことによって、溶融後の体積収縮率を小さくすることが
できる。
【００１５】充填したガラスペーストを５００〜６００
℃に加熱して溶融する。その後、冷却してガラスペース
トを金型形状に形成し隔壁を形成する。背面ガラス基板
と接合する前に隔壁部分だけを金型内で溶融成形するこ
とによって、ガラス基板との接合時には既に精度の高い
安定した隔壁を形成するためである。
℃に加熱して溶融する。その後、冷却してガラスペース
トを金型形状に形成し隔壁を形成する。背面ガラス基板
と接合する前に隔壁部分だけを金型内で溶融成形するこ
とによって、ガラス基板との接合時には既に精度の高い
安定した隔壁を形成するためである。
【００１６】金型内に溶融後形成された図５の隔壁部分
と予め電極と形成した背面ガラス基板を、図６に示すよ
うに一定の間隔で位置決めして昇温させる。この時に炉
の室内温度はガラスペーストの溶融温度を保持し、金型
を補助的ヒーターとして利用し背面ガラス基板内面（接
合面）と隔壁接合部を局部的に溶融直前の温度まで昇温
させる。この状態で隔壁部分と背面ガラス基板とを一定
の間隔を縮めるように圧力を加え接合させる。接合時の
背面ガラス基板と金型との間隔を圧着後も一定に保つこ
とによって、背面ガラス基板上に形成されている５〜１
０μｍ厚みの電極と金型が接触し、電極を損傷すること
を防止する効果がある。
と予め電極と形成した背面ガラス基板を、図６に示すよ
うに一定の間隔で位置決めして昇温させる。この時に炉
の室内温度はガラスペーストの溶融温度を保持し、金型
を補助的ヒーターとして利用し背面ガラス基板内面（接
合面）と隔壁接合部を局部的に溶融直前の温度まで昇温
させる。この状態で隔壁部分と背面ガラス基板とを一定
の間隔を縮めるように圧力を加え接合させる。接合時の
背面ガラス基板と金型との間隔を圧着後も一定に保つこ
とによって、背面ガラス基板上に形成されている５〜１
０μｍ厚みの電極と金型が接触し、電極を損傷すること
を防止する効果がある。
【００１７】接合後、徐々に冷却し背面ガラス基板と隔
壁部の接合を確認後、図７のように金型を剥離させる。
壁部の接合を確認後、図７のように金型を剥離させる。
【００１８】以上の工程で作製された隔壁層を有するガ
ラス基板はプラズマディスプレイの前面側もしくは背面
側に用いることができる。また、プラズマアドレス液晶
ディスプレイのアドレス部分の放電を行うための基板と
して用いることができる。
ラス基板はプラズマディスプレイの前面側もしくは背面
側に用いることができる。また、プラズマアドレス液晶
ディスプレイのアドレス部分の放電を行うための基板と
して用いることができる。
【００１９】形成した隔壁層の間に蛍光体を塗布した後
に、前背面のガラス基板を合わせて封着し、ヘリウム、
ネオン、キセノン等の希ガスを封入することによって、
プラズマディスプレイのパネル部分を製造できる。
に、前背面のガラス基板を合わせて封着し、ヘリウム、
ネオン、キセノン等の希ガスを封入することによって、
プラズマディスプレイのパネル部分を製造できる。
【００２０】さらに、駆動用のドライバーＩＣを実装す
ることによって、プラズマディスプレイを製造すること
ができる。
ることによって、プラズマディスプレイを製造すること
ができる。
【００２１】
【実施例】以下に、本発明を実施例を用いて、具体的に
説明する。ただし、本発明はこれに限定はされない。
説明する。ただし、本発明はこれに限定はされない。
【００２２】実施例１ 図１に示すように、フォトレジスト法によって、〜
の３段階に分けて、パターンを形成し、〜の段階毎
にメッキ法によって５０μｍ厚みの型を形成した。この
方法によって、隔壁部分になる凹部は３０μｍ×５０μ
ｍ、４０μｍ×５０μｍ、５０μｍ×５０μｍと隔壁の
先端部からガラス基板との接合近辺にかけて隔壁幅が１
０μｍずつ拡大したものであった。かくして、サイズ５
０ｍｍ角、凹部のピッチ１５０μｍ、線幅３０μｍ、深
さ１５０μｍの金型を作製した。
の３段階に分けて、パターンを形成し、〜の段階毎
にメッキ法によって５０μｍ厚みの型を形成した。この
方法によって、隔壁部分になる凹部は３０μｍ×５０μ
ｍ、４０μｍ×５０μｍ、５０μｍ×５０μｍと隔壁の
先端部からガラス基板との接合近辺にかけて隔壁幅が１
０μｍずつ拡大したものであった。かくして、サイズ５
０ｍｍ角、凹部のピッチ１５０μｍ、線幅３０μｍ、深
さ１５０μｍの金型を作製した。
【００２３】作製した金型内に図２に示すようにスパッ
タ法によってＳｉを含有する離型剤の膜、すなわち剥離
膜を形成した。剥離膜を形成した後に図３のようにフォ
トレジストパターン法によって、昇華剤の膜、すなわち
昇華膜を形成した。昇華剤の厚みは３０μｍ以上とし
た。昇華膜で形成した金型に図４に示すように、隔壁に
なる、酸化ビスマスを含有する粒子径３μｍのガラス粉
末とポリメタクリル酸とγ−ブチルラクトンからなるガ
ラスペーストガラスペーストを昇華膜よりも１０μｍ高
い位置に充填した。
タ法によってＳｉを含有する離型剤の膜、すなわち剥離
膜を形成した。剥離膜を形成した後に図３のようにフォ
トレジストパターン法によって、昇華剤の膜、すなわち
昇華膜を形成した。昇華剤の厚みは３０μｍ以上とし
た。昇華膜で形成した金型に図４に示すように、隔壁に
なる、酸化ビスマスを含有する粒子径３μｍのガラス粉
末とポリメタクリル酸とγ−ブチルラクトンからなるガ
ラスペーストガラスペーストを昇華膜よりも１０μｍ高
い位置に充填した。
【００２４】金型内に充填したガラスペーストを５８０
℃に加熱して溶融し、その後４００℃に冷却した。
℃に加熱して溶融し、その後４００℃に冷却した。
【００２５】金型内に溶融後形成された図５の隔壁部分
と、感光性ペーストを用いてフォトリソグラフィー法で
電極を形成した背面ガラス基板を、２０μｍの間隔で位
置決めして金型を接合し、５００℃に加熱した。この時
に、炉の室内温度は、５００℃前後に保持し、金型を補
助的ヒーターとして利用し背面ガラス基板内面（接合
面）と隔壁接合部が局部的に溶融直前の温度まで昇温さ
せた。この状態で、２０μｍ間隔を１５μｍ以下まで圧
力を加え接合させた。接合時の背面ガラス基板と金型と
の間隔を圧着後も１５μｍに保つことによって、背面ガ
ラス基板上に形成されている１０μｍ厚みの電極と金型
が接触し、電極を損傷することを防止した。接合後、徐
々に５０℃まで冷却し、背面ガラス基板と隔壁部の接合
を確認後、図７のように金型を剥離させた。
と、感光性ペーストを用いてフォトリソグラフィー法で
電極を形成した背面ガラス基板を、２０μｍの間隔で位
置決めして金型を接合し、５００℃に加熱した。この時
に、炉の室内温度は、５００℃前後に保持し、金型を補
助的ヒーターとして利用し背面ガラス基板内面（接合
面）と隔壁接合部が局部的に溶融直前の温度まで昇温さ
せた。この状態で、２０μｍ間隔を１５μｍ以下まで圧
力を加え接合させた。接合時の背面ガラス基板と金型と
の間隔を圧着後も１５μｍに保つことによって、背面ガ
ラス基板上に形成されている１０μｍ厚みの電極と金型
が接触し、電極を損傷することを防止した。接合後、徐
々に５０℃まで冷却し、背面ガラス基板と隔壁部の接合
を確認後、図７のように金型を剥離させた。
【００２６】かくして得られた隔壁部は、ガラス基板上
に均一にガラス隔壁が形成された。電子顕微鏡で形状を
確認したところ、均一な形状ができていることをが確認
できた。
に均一にガラス隔壁が形成された。電子顕微鏡で形状を
確認したところ、均一な形状ができていることをが確認
できた。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、高精度の隔壁を簡便な
工程で形成できる。特に、１５０μｍ以下のピッチと１
２０μｍ以上の高さの隔壁形成が可能となり、高品位の
映像を可能にする、プラズマディスプレイが提供でき
る。
工程で形成できる。特に、１５０μｍ以下のピッチと１
２０μｍ以上の高さの隔壁形成が可能となり、高品位の
映像を可能にする、プラズマディスプレイが提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明で使用する凹型金型の１例の概略断面
図。
図。
【図２】 本発明で使用する剥離膜を形成した凹型金型
の１例の概略断面図。
の１例の概略断面図。
【図３】 本発明で使用する昇華膜を形成した凹型金型
の１例の概略断面図。
の１例の概略断面図。
【図４】 本発明で使用する凹型金型にガラスペースト
を充填した状態の１例の概略断面図。
を充填した状態の１例の概略断面図。
【図５】 本発明で使用する凹型金型に充填したガラス
ペーストを溶融・冷却した状態の１例の概略断面図。
ペーストを溶融・冷却した状態の１例の概略断面図。
【図６】 本発明で凹型金型に充填したガラスペースト
から形成された隔壁とガラス基板が接合した状態の１例
の概略断面図。
から形成された隔壁とガラス基板が接合した状態の１例
の概略断面図。
【図７】 本発明で凹型金型に充填したガラスペースト
から形成された隔壁を金型とガラス基板から剥離した状
態の１例の概略断面図。
から形成された隔壁を金型とガラス基板から剥離した状
態の１例の概略断面図。
Claims (6)
- 【請求項１】 凹型金型にガラスペーストを充填する工
程、前記金型内で前記ガラスペーストを金型形状に形成
し隔壁を形成する工程、ガラス基板と前記隔壁を接合す
る工程を含む工程により隔壁層の形成を行うことを特徴
とするプラズマディスプレイの製造方法。 - 【請求項２】 凹型金型が、ガラスペーストを充填する
パターン幅が異なる３つ以上の層からなる凹型金型であ
ることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレ
イの製造方法。 - 【請求項３】 ガラスペーストが、熱軟化温度が３５０
〜６００℃のガラス粒子を５０重量％以上含有すること
を特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイの製
造方法。 - 【請求項４】 ガラスペーストが、粒子径が１〜５μｍ
のガラス粒子を５０重量％以上含有することを特徴とす
る請求項１記載のプラズマディスプレイの製造方法。 - 【請求項５】 凹型金型が内部に剥離剤の層を形成した
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ
の製造方法。 - 【請求項６】 凹型金型内にガラスペーストを充填する
際に、前記ガラスペースト量が凹型内の体積よりも多く
なるように充填することを特徴とする請求項１記載のプ
ラズマディスプレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261296A JPH09306345A (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | プラズマディスプレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11261296A JPH09306345A (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | プラズマディスプレイの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306345A true JPH09306345A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14591101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11261296A Pending JPH09306345A (ja) | 1996-05-07 | 1996-05-07 | プラズマディスプレイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306345A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000013198A1 (fr) * | 1998-08-28 | 2000-03-09 | Fujitsu Limited | Ecran a plasma et procede de fabrication de celui-ci |
| US6333142B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-12-25 | Fujitsu Limited | Master for barrier rib transfer mold, and method for forming barrier ribs of plasma display panel using the same |
| JP2004330330A (ja) * | 2003-05-02 | 2004-11-25 | Institute Of Physical & Chemical Research | ハニカム構造体を鋳型としたメゾ構造体の作製 |
-
1996
- 1996-05-07 JP JP11261296A patent/JPH09306345A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6333142B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-12-25 | Fujitsu Limited | Master for barrier rib transfer mold, and method for forming barrier ribs of plasma display panel using the same |
| WO2004075232A1 (ja) * | 1998-06-24 | 2004-09-02 | Osamu Toyoda | 隔壁転写凹版用の元型及びそれを用いたプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法 |
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