JPH09293930A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH09293930A JPH09293930A JP10701096A JP10701096A JPH09293930A JP H09293930 A JPH09293930 A JP H09293930A JP 10701096 A JP10701096 A JP 10701096A JP 10701096 A JP10701096 A JP 10701096A JP H09293930 A JPH09293930 A JP H09293930A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高発光効率で不要な発熱の少ない半導体発光
素子を提供する。 【解決手段】 導電型がＰ型で正孔を供給する正孔供給
層１１と、正孔供給層１１につづいて導電型がＮ型で電
子を供給する電子供給層１２と、電子供給層１２につづ
いて供給された電子と正孔とが再結合して光を発光する
発光層１３とを順次有する化合物半導体からなる積層帯
１が基板２の基板面２ａに形成された半導体発光素子で
あって、前記正孔供給層１１及び前記電子供給層１２に
それぞれ接続する電極１１ａ，１２ａが層厚方向に設け
られた構成にしてある。
素子を提供する。 【解決手段】 導電型がＰ型で正孔を供給する正孔供給
層１１と、正孔供給層１１につづいて導電型がＮ型で電
子を供給する電子供給層１２と、電子供給層１２につづ
いて供給された電子と正孔とが再結合して光を発光する
発光層１３とを順次有する化合物半導体からなる積層帯
１が基板２の基板面２ａに形成された半導体発光素子で
あって、前記正孔供給層１１及び前記電子供給層１２に
それぞれ接続する電極１１ａ，１２ａが層厚方向に設け
られた構成にしてある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光を発光する半導
体レーザ又は発光ダイオードとして使用する半導体発光
素子に関するものである。
体レーザ又は発光ダイオードとして使用する半導体発光
素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体発光素子として導
電型がＰ型で正孔を供給する正孔供給層と、正孔供給層
につづいて電子と正孔とが再結合して光を発光する発光
層と、発光層につづいて導電型がＮ型で電子を供給する
電子供給層と、を順次有する積層帯が基板の一面側基板
面に形成されたものが存在する。ただし、このものは、
電極が積層帯の層厚方向における正孔供給層及び基板の
他面側基板面にそれぞれ接続して設けられている。
電型がＰ型で正孔を供給する正孔供給層と、正孔供給層
につづいて電子と正孔とが再結合して光を発光する発光
層と、発光層につづいて導電型がＮ型で電子を供給する
電子供給層と、を順次有する積層帯が基板の一面側基板
面に形成されたものが存在する。ただし、このものは、
電極が積層帯の層厚方向における正孔供給層及び基板の
他面側基板面にそれぞれ接続して設けられている。
【０００３】さらに詳しくは、基板としてシリコン基板
を、積層帯としてＧａＡｓ等の化合物半導体をそれぞれ
使用すると、シリコン基板に他の集積化された素子を形
成することができる。この場合、シリコン半導体で蓄積
された超ＬＳＩ技術、及び化合物半導体の特長である高
速低消費電力特性のそれぞれを生かして、化合物半導体
からなる半導体発光素子と、シリコンからなる他の素子
とを複合化した複合デバイスを実現できる。具体的な方
法として、ＧａＡｓの化合物半導体からなる正孔供給
層、発光層及び電子供給層が、シリコン基板の一面にエ
ピタキシャル成長でもって形成される。
を、積層帯としてＧａＡｓ等の化合物半導体をそれぞれ
使用すると、シリコン基板に他の集積化された素子を形
成することができる。この場合、シリコン半導体で蓄積
された超ＬＳＩ技術、及び化合物半導体の特長である高
速低消費電力特性のそれぞれを生かして、化合物半導体
からなる半導体発光素子と、シリコンからなる他の素子
とを複合化した複合デバイスを実現できる。具体的な方
法として、ＧａＡｓの化合物半導体からなる正孔供給
層、発光層及び電子供給層が、シリコン基板の一面にエ
ピタキシャル成長でもって形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
発光素子では、シリコン基板の一面にエピタキシャル成
長でもって、正孔供給層、発光層及び電子供給層を設け
た積層帯を形成して、電子と正孔とが再結合して発光層
にて光を発光することができる。
発光素子では、シリコン基板の一面にエピタキシャル成
長でもって、正孔供給層、発光層及び電子供給層を設け
た積層帯を形成して、電子と正孔とが再結合して発光層
にて光を発光することができる。
【０００５】しかしながら、ＧａＡｓはシリコンに比べ
格子定数が約４％、また熱膨張係数が約２．５倍大き
い。したがって、結晶性のよいＧａＡｓからなる積層帯
をシリコン基板の一面に形成することが困難であった。
格子定数の差は格子不整合、すなわち格子歪みによる格
子欠陥を発生させ、熱膨張係数の差はエピタキシャル成
長後の冷却過程でシリコン基板に反りを発生させる。通
電電流がこのＧａＡｓ化合物半導体とシリコン基板との
間の界面近傍で発生した欠陥を通過すると、発光効率が
低下して、かつ不要な発熱を生じる。
格子定数が約４％、また熱膨張係数が約２．５倍大き
い。したがって、結晶性のよいＧａＡｓからなる積層帯
をシリコン基板の一面に形成することが困難であった。
格子定数の差は格子不整合、すなわち格子歪みによる格
子欠陥を発生させ、熱膨張係数の差はエピタキシャル成
長後の冷却過程でシリコン基板に反りを発生させる。通
電電流がこのＧａＡｓ化合物半導体とシリコン基板との
間の界面近傍で発生した欠陥を通過すると、発光効率が
低下して、かつ不要な発熱を生じる。
【０００６】本発明は、上記事由に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、高発光効率で不要な発熱
の少ない半導体発光素子を提供することにある。
で、その目的とするところは、高発光効率で不要な発熱
の少ない半導体発光素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項１記載のものは、導電型がＰ型で正孔を
供給する正孔供給層と、正孔供給層につづいて導電型が
Ｎ型で電子を供給する電子供給層と、電子供給層につづ
いて供給された電子と正孔とが再結合して光を発光する
発光層とを順次有する化合物半導体からなる積層帯が基
板の基板面に形成された半導体発光素子であって、前記
正孔供給層及び前記電子供給層にそれぞれ接続する電極
が層厚方向に設けられた構成にしてある。
ために、請求項１記載のものは、導電型がＰ型で正孔を
供給する正孔供給層と、正孔供給層につづいて導電型が
Ｎ型で電子を供給する電子供給層と、電子供給層につづ
いて供給された電子と正孔とが再結合して光を発光する
発光層とを順次有する化合物半導体からなる積層帯が基
板の基板面に形成された半導体発光素子であって、前記
正孔供給層及び前記電子供給層にそれぞれ接続する電極
が層厚方向に設けられた構成にしてある。
【０００８】請求項２記載のものは、請求項１記載のも
のにおいて、前記基板は、シリコン基板と前記積層帯を
形成するシリコン活性層との間に、格子歪み及び熱膨張
率差を緩衝する酸化シリコン緩衝層を設けたＳＯＩ基板
でもって形成された構成にしてある。
のにおいて、前記基板は、シリコン基板と前記積層帯を
形成するシリコン活性層との間に、格子歪み及び熱膨張
率差を緩衝する酸化シリコン緩衝層を設けたＳＯＩ基板
でもって形成された構成にしてある。
【０００９】請求項３記載のものは、請求項１記載のも
のにおいて、前記正孔供給層が光の低屈折率特性を、前
記電子供給層が光の導光路特性をそれぞれ有して形成さ
れて、前記積層帯は前記発光層につづいて導光路特性を
有した導光層と低屈折率特性を有した低屈折率層とを前
記基板面側にて順次設けた構成にしてある。
のにおいて、前記正孔供給層が光の低屈折率特性を、前
記電子供給層が光の導光路特性をそれぞれ有して形成さ
れて、前記積層帯は前記発光層につづいて導光路特性を
有した導光層と低屈折率特性を有した低屈折率層とを前
記基板面側にて順次設けた構成にしてある。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図１乃至図
３に基づいて以下に説明する。
３に基づいて以下に説明する。
【００１１】１１は正孔供給層で、Ａｓ−３０Ａｌ−２
０Ｇａ（ａｔ％）の組成により、層状に形成され、導電
型がＰ型で、正孔を供給するとともに、光の低屈折率特
性を有して光が閉じこめられて外部に拡散することを防
止し、一面側にＰ型電極１１ａが接続されている。
０Ｇａ（ａｔ％）の組成により、層状に形成され、導電
型がＰ型で、正孔を供給するとともに、光の低屈折率特
性を有して光が閉じこめられて外部に拡散することを防
止し、一面側にＰ型電極１１ａが接続されている。
【００１２】１２は電子供給層で、Ａｓ−１５Ａｌ−３
５Ｇａ（ａｔ％）の組成により、正孔供給層１１につづ
いて層状に形成され、導電型がＮ型で、電子を供給する
とともに、光の導光路特性を有して厚さ方向に対して直
交方向へ光を導光する。正孔供給層１１のＰ型電極１１
ａ対応位置のみ残してエッチングして正孔供給層１１を
除去して、一面側にＮ型電極１２ａが接続されている。
５Ｇａ（ａｔ％）の組成により、正孔供給層１１につづ
いて層状に形成され、導電型がＮ型で、電子を供給する
とともに、光の導光路特性を有して厚さ方向に対して直
交方向へ光を導光する。正孔供給層１１のＰ型電極１１
ａ対応位置のみ残してエッチングして正孔供給層１１を
除去して、一面側にＮ型電極１２ａが接続されている。
【００１３】１３は発光層で、Ａｓ−５０Ｇａ（ａｔ
％）の組成により、真性で、電子供給層１２につづいて
層状に形成され、正孔供給層１１から供給された正孔及
び電子供給層１２から供給された電子とが再結合して光
を発光する。
％）の組成により、真性で、電子供給層１２につづいて
層状に形成され、正孔供給層１１から供給された正孔及
び電子供給層１２から供給された電子とが再結合して光
を発光する。
【００１４】１４は導光層で、Ａｓ−１５Ａｌ−３５Ｇ
ａ（ａｔ％）の組成により、真性で、発光層１３につづ
いて層状に形成され、光の導光路特性を有して厚さ方向
に対して直交方向へ光を導光する。
ａ（ａｔ％）の組成により、真性で、発光層１３につづ
いて層状に形成され、光の導光路特性を有して厚さ方向
に対して直交方向へ光を導光する。
【００１５】１５は低屈折率層で、Ａｓ−３０Ａｌ−２
０Ｇａ（ａｔ％）の組成により、真性で、導光層１４に
つづいて層状に形成され、光の低屈折率特性を有して光
が閉じこめられて外部に拡散することを防止する。
０Ｇａ（ａｔ％）の組成により、真性で、導光層１４に
つづいて層状に形成され、光の低屈折率特性を有して光
が閉じこめられて外部に拡散することを防止する。
【００１６】１６は緩衝層で、Ａｓ−５０Ｇａ（ａｔ
％）の組成により、真性で、低屈折率層１５につづいて
層状に形成され、後述するシリコン活性層２３と低屈折
率層１５との間の格子歪みを緩衝して、正孔供給層１
１、電子供給層１２、発光層１３及び導光層１４のそれ
ぞれの層の結晶性を、欠陥を少なくして良好にする。こ
こで、正孔供給層１１、電子供給層１２、発光層１３、
導光層１４、低屈折率層１５及び緩衝層１６のそれぞれ
の層でもって積層帯１を形成する。
％）の組成により、真性で、低屈折率層１５につづいて
層状に形成され、後述するシリコン活性層２３と低屈折
率層１５との間の格子歪みを緩衝して、正孔供給層１
１、電子供給層１２、発光層１３及び導光層１４のそれ
ぞれの層の結晶性を、欠陥を少なくして良好にする。こ
こで、正孔供給層１１、電子供給層１２、発光層１３、
導光層１４、低屈折率層１５及び緩衝層１６のそれぞれ
の層でもって積層帯１を形成する。
【００１７】２は基板で、ＳＯＩ基板により、３層の層
状に形成され、シリコン基板２１１と、そのシリコン基
板２１１につづいて層状に形成された酸化シリコン緩衝
層２２と、その酸化シリコン緩衝層２２につづいて、シ
リコン基板２１１より薄く層状に形成されたシリコン活
性層２３とが配置されている。シリコン活性層２３の基
板面２ａに積層帯１が形成されて、酸化シリコン緩衝層
２２がシリコン基板２１と積層帯１との間の格子歪み及
び熱膨張率の差を緩衝する。
状に形成され、シリコン基板２１１と、そのシリコン基
板２１１につづいて層状に形成された酸化シリコン緩衝
層２２と、その酸化シリコン緩衝層２２につづいて、シ
リコン基板２１１より薄く層状に形成されたシリコン活
性層２３とが配置されている。シリコン活性層２３の基
板面２ａに積層帯１が形成されて、酸化シリコン緩衝層
２２がシリコン基板２１と積層帯１との間の格子歪み及
び熱膨張率の差を緩衝する。
【００１８】このものの動作を説明する。Ｐ型電極１１
ａ及びＮ型電極１２ａ間に通電すると、発光層１３は正
孔供給層１１から正孔が、電子供給層１２から電子がそ
れぞれ供給されて、正孔と電子とが再結合して発光す
る。このとき、正孔供給層１１及び前記電子供給層１２
にそれぞれ接続するＰ型電極１１ａ及びＮ型電極１２ａ
が、層厚方向で基板２に対して一面側に設けられている
ので、電流が正孔供給層１１、発光層１３及び電子供給
層１２に流れて。それらの層を除いた層に流れることが
ない。すなわち、電流が、光を発光する発光層１３とシ
リコン活性層２３との界面での欠陥を、つまり導光層１
４、低屈折率層１５及び緩衝層１６での、化合物半導体
とシリコン活性層２３との格子定数の差に起因して発生
する欠陥を、経由せずに流れることになる。
ａ及びＮ型電極１２ａ間に通電すると、発光層１３は正
孔供給層１１から正孔が、電子供給層１２から電子がそ
れぞれ供給されて、正孔と電子とが再結合して発光す
る。このとき、正孔供給層１１及び前記電子供給層１２
にそれぞれ接続するＰ型電極１１ａ及びＮ型電極１２ａ
が、層厚方向で基板２に対して一面側に設けられている
ので、電流が正孔供給層１１、発光層１３及び電子供給
層１２に流れて。それらの層を除いた層に流れることが
ない。すなわち、電流が、光を発光する発光層１３とシ
リコン活性層２３との界面での欠陥を、つまり導光層１
４、低屈折率層１５及び緩衝層１６での、化合物半導体
とシリコン活性層２３との格子定数の差に起因して発生
する欠陥を、経由せずに流れることになる。
【００１９】発光層１３で発光した光は、発光層１３を
両面から挟むよう設けられた低屈折率特性を有した正孔
供給層１１及び低屈折率層１５によって、閉じこめられ
る。さらに光は、同様に挟むよう設けられた導光路特性
を有する電子供給層１２及び導光層１４によって、積層
帯１の厚さ方向に対して直交方向へ導光されて、すなわ
ちその直交方向で集中して出力される。
両面から挟むよう設けられた低屈折率特性を有した正孔
供給層１１及び低屈折率層１５によって、閉じこめられ
る。さらに光は、同様に挟むよう設けられた導光路特性
を有する電子供給層１２及び導光層１４によって、積層
帯１の厚さ方向に対して直交方向へ導光されて、すなわ
ちその直交方向で集中して出力される。
【００２０】かかる第１実施形態の半導体発光素子にあ
っては、上記したように、正孔を供給する正孔供給層１
１及び電子を供給する電子供給層１２にそれぞれ接続す
る電極が層厚方向に設けられたから、電流が、光を発光
する発光層１３とシリコン活性層２３との界面近傍での
欠陥を経由して通電された従来と異なって、界面近傍で
の欠陥を経由せずに通電されて、電子と正孔との再結合
の確立を増大し発光効率を向上でき、不要な発熱を防ぐ
ことができる。
っては、上記したように、正孔を供給する正孔供給層１
１及び電子を供給する電子供給層１２にそれぞれ接続す
る電極が層厚方向に設けられたから、電流が、光を発光
する発光層１３とシリコン活性層２３との界面近傍での
欠陥を経由して通電された従来と異なって、界面近傍で
の欠陥を経由せずに通電されて、電子と正孔との再結合
の確立を増大し発光効率を向上でき、不要な発熱を防ぐ
ことができる。
【００２１】また、基板２がシリコン基板２１とシリコ
ン活性層２３との間に酸化シリコン緩衝層２２を設けた
ＳＯＩ基板でもって形成されるから、酸化シリコン緩衝
層２２が、シリコン基板２１とシリコン活性層２３に形
成された積層帯１との間の格子歪み及び熱膨張率の差を
緩衝して、欠陥が少ないので結晶性がよく、かつ熱膨張
率差に起因する反りが少ない積層帯１を形成して、さら
に発光効率を向上できる。
ン活性層２３との間に酸化シリコン緩衝層２２を設けた
ＳＯＩ基板でもって形成されるから、酸化シリコン緩衝
層２２が、シリコン基板２１とシリコン活性層２３に形
成された積層帯１との間の格子歪み及び熱膨張率の差を
緩衝して、欠陥が少ないので結晶性がよく、かつ熱膨張
率差に起因する反りが少ない積層帯１を形成して、さら
に発光効率を向上できる。
【００２２】また、正孔供給層１１が光の低屈折率特性
を、電子供給層１２が光の導光路特性をそれぞれ有して
形成されて、積層帯１は発光層１３につづいて導光路特
性を有した導光層１４と低屈折率特性を有した低屈折率
層１５とを基板面２ａ側にて順次設けたから、発光層１
３で発光した光が、発光層１３に対して両側に設けられ
た正孔供給層１１及び低屈折率層１５でもって閉じこめ
られて、さらに、同様に両側に設けられた電子供給層１
２及び導光層１４でもって積層帯１の厚さ方向に対して
直交方向へ導光されて、すなわちその直交方向で集中し
て出力されて、いわゆる半導体レーザを実現できる。
を、電子供給層１２が光の導光路特性をそれぞれ有して
形成されて、積層帯１は発光層１３につづいて導光路特
性を有した導光層１４と低屈折率特性を有した低屈折率
層１５とを基板面２ａ側にて順次設けたから、発光層１
３で発光した光が、発光層１３に対して両側に設けられ
た正孔供給層１１及び低屈折率層１５でもって閉じこめ
られて、さらに、同様に両側に設けられた電子供給層１
２及び導光層１４でもって積層帯１の厚さ方向に対して
直交方向へ導光されて、すなわちその直交方向で集中し
て出力されて、いわゆる半導体レーザを実現できる。
【００２３】なお、本実施形態では、積層帯１を正孔供
給層１１、電子供給層１２、発光層１３、導光層１４、
低屈折率層１５及び緩衝層１６の６層で形成したが、正
孔供給層１１及び電子供給層１２にそれぞれ電極が接続
されていれば、正孔供給層１１、電子供給層１２及び発
光層１３の３層で形成してもよく、限定されない。
給層１１、電子供給層１２、発光層１３、導光層１４、
低屈折率層１５及び緩衝層１６の６層で形成したが、正
孔供給層１１及び電子供給層１２にそれぞれ電極が接続
されていれば、正孔供給層１１、電子供給層１２及び発
光層１３の３層で形成してもよく、限定されない。
【００２４】また、本実施形態では、基板２をＳＯＩ基
板でもって形成したが、ＧａＡｓ等の化合物半導体から
なる基板２でもよく、限定されない。
板でもって形成したが、ＧａＡｓ等の化合物半導体から
なる基板２でもよく、限定されない。
【００２５】また、図２に示すように、電子供給層１２
と発光層１３との間にスペーサ層１７を設けてもよい。
スペーサ層は、Ａｓ−１５Ａｌ−３５Ｇａ（ａｔ％）の
組成により、層状に形成され、真性で、電子供給層１２
からの不純物散乱を抑制して、電子の移動度が向上して
電気抵抗を低減する。
と発光層１３との間にスペーサ層１７を設けてもよい。
スペーサ層は、Ａｓ−１５Ａｌ−３５Ｇａ（ａｔ％）の
組成により、層状に形成され、真性で、電子供給層１２
からの不純物散乱を抑制して、電子の移動度が向上して
電気抵抗を低減する。
【００２６】また、図３に示すように、シリコンパワー
デバイス等のシリコンからなる別の素子３を、ＳＯＩ基
板の基板面２ａに設けて複合デバイスを形成してもよ
い。この場合、ＳＯＩ基板の酸化シリコン緩衝層２２に
よって別の素子と電気的に分離された状態となって、電
子及び正孔の供給をＰ型電極１１ａ及びＮ型電極１２ａ
を使用して、基板２に対してそれぞれの電極側から行っ
て、集積化に適した構造とすることができる。
デバイス等のシリコンからなる別の素子３を、ＳＯＩ基
板の基板面２ａに設けて複合デバイスを形成してもよ
い。この場合、ＳＯＩ基板の酸化シリコン緩衝層２２に
よって別の素子と電気的に分離された状態となって、電
子及び正孔の供給をＰ型電極１１ａ及びＮ型電極１２ａ
を使用して、基板２に対してそれぞれの電極側から行っ
て、集積化に適した構造とすることができる。
【００２７】
【発明の効果】請求項１記載のものは、正孔を供給する
正孔供給層及び電子を供給する電子供給層にそれぞれ接
続する電極が層厚方向に設けられたから、電流が、光を
発光する発光層と基板面との界面近傍での欠陥を経由し
て通電された従来と異なって、界面近傍での欠陥を経由
せずに通電されて、電子と正孔との再結合の確立を増大
し発光効率を向上でき、不要な発熱を防ぐことができ
る。
正孔供給層及び電子を供給する電子供給層にそれぞれ接
続する電極が層厚方向に設けられたから、電流が、光を
発光する発光層と基板面との界面近傍での欠陥を経由し
て通電された従来と異なって、界面近傍での欠陥を経由
せずに通電されて、電子と正孔との再結合の確立を増大
し発光効率を向上でき、不要な発熱を防ぐことができ
る。
【００２８】請求項２記載のものは、請求項１記載のも
のの効果に加えて、基板がシリコン基板とシリコン活性
層との間に酸化シリコン緩衝層を設けたＳＯＩ基板でも
って形成されたから、酸化シリコン緩衝層が、シリコン
基板とシリコン活性層に形成された積層帯との間の格子
歪み及び熱膨張率の差を緩衝して、欠陥が少ないので結
晶性がよく、かつ熱膨張率差に起因する反りが少ない積
層帯を形成して、さらに発光効率を向上できる。また、
シリコン活性層に集積化されたシリコンデバイスを形成
して、そのシリコンデバイスと複合化した複合デバイス
を実現できる。
のの効果に加えて、基板がシリコン基板とシリコン活性
層との間に酸化シリコン緩衝層を設けたＳＯＩ基板でも
って形成されたから、酸化シリコン緩衝層が、シリコン
基板とシリコン活性層に形成された積層帯との間の格子
歪み及び熱膨張率の差を緩衝して、欠陥が少ないので結
晶性がよく、かつ熱膨張率差に起因する反りが少ない積
層帯を形成して、さらに発光効率を向上できる。また、
シリコン活性層に集積化されたシリコンデバイスを形成
して、そのシリコンデバイスと複合化した複合デバイス
を実現できる。
【００２９】請求項３記載のものは、請求項１記載のも
のの効果に加えて、正孔供給層が光の低屈折率特性を、
電子供給層が光の導光路特性をそれぞれ有して形成され
て、積層帯は発光層につづいて導光路特性を有した導光
層と低屈折率特性を有した低屈折率層とを基板面側にて
順次設けたから、発光層で発光した光が、発光層に対し
て両側に設けられた正孔供給層及び低屈折率層でもって
閉じこめられて、さらに、同様に両側に設けられた電子
供給層及び導光層でもって積層帯の厚さ方向に対して直
交方向へ導光されて、すなわちその直交方向で集中して
出力されて、いわゆる半導体レーザを実現できる。
のの効果に加えて、正孔供給層が光の低屈折率特性を、
電子供給層が光の導光路特性をそれぞれ有して形成され
て、積層帯は発光層につづいて導光路特性を有した導光
層と低屈折率特性を有した低屈折率層とを基板面側にて
順次設けたから、発光層で発光した光が、発光層に対し
て両側に設けられた正孔供給層及び低屈折率層でもって
閉じこめられて、さらに、同様に両側に設けられた電子
供給層及び導光層でもって積層帯の厚さ方向に対して直
交方向へ導光されて、すなわちその直交方向で集中して
出力されて、いわゆる半導体レーザを実現できる。
【図１】本発明の第１実施形態を示す断面図である。
【図２】同上の電子供給層と発光層との間にスペーサ層
を設けた断面図である。
を設けた断面図である。
【図３】同上の別の素子をＳＯＩ基板の基板面に設けた
断面図である。
断面図である。
１ 積層帯 １１ 正孔供給層 １１ａ 電極（Ｐ型） １２ 電子供給層 １２ａ 電極（Ｎ型） １３ 発光層 ２ 基板 ２ａ 基板面 ２１ シリコン基板 ２２ 酸化シリコン緩衝層 ２３ シリコン活性層
Claims (3)
- 【請求項１】 導電型がＰ型で正孔を供給する正孔供給
層と、正孔供給層につづいて導電型がＮ型で電子を供給
する電子供給層と、電子供給層につづいて供給された電
子と正孔とが再結合して光を発光する発光層とを順次有
する化合物半導体からなる積層帯が基板の基板面に形成
された半導体発光素子であって、 前記正孔供給層及び前記電子供給層にそれぞれ接続する
電極が層厚方向に設けられたことを特徴とする半導体発
光素子。 - 【請求項２】 前記基板は、シリコン基板と前記積層帯
を形成するシリコン活性層との間に、格子歪み及び熱膨
張率差を緩衝する酸化シリコン緩衝層を設けたＳＯＩ基
板でもって形成されてなることを特徴とする請求項１記
載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記正孔供給層が光の低屈折率特性を、
前記電子供給層が光の導光路特性をそれぞれ有して形成
されて、前記積層帯は前記発光層につづいて導光路特性
を有した導光層と低屈折率特性を有した低屈折率層とを
前記基板面側にて順次設けたことを特徴とする請求項１
記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10701096A JPH09293930A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10701096A JPH09293930A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293930A true JPH09293930A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14448220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10701096A Pending JPH09293930A (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293930A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8237761B2 (en) | 2006-10-27 | 2012-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor member, semiconductor article manufacturing method, and LED array using the manufacturing method |
-
1996
- 1996-04-26 JP JP10701096A patent/JPH09293930A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8237761B2 (en) | 2006-10-27 | 2012-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor member, semiconductor article manufacturing method, and LED array using the manufacturing method |
| US8670015B2 (en) | 2006-10-27 | 2014-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor member, semiconductor article manufacturing method, and LED array using the manufacturing method |
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