JPH09293851A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH09293851A JPH09293851A JP8102394A JP10239496A JPH09293851A JP H09293851 A JPH09293851 A JP H09293851A JP 8102394 A JP8102394 A JP 8102394A JP 10239496 A JP10239496 A JP 10239496A JP H09293851 A JPH09293851 A JP H09293851A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 垂直転送電極を２層で構成でき、順次走査可
能な固体撮像装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板４中のＰ型領域５と第１層目
の垂直転送電極２と第２層目の垂直転送電極３とのそれ
ぞれの下層に濃度差をもつＮ型領域６が形成され、半導
体基板４の面上には、酸化膜７、シリコン窒化膜８およ
び薄い酸化膜９が積層形成され、この上に、第１層目の
垂直転送電極２を形成し、この第１層目の垂直転送電極
表面を覆うように形成した酸化膜１０を介して第２層目
の垂直転送電極が形成されている。これにより、段差の
少ない２層構成の垂直転送電極が実現できる。
能な固体撮像装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板４中のＰ型領域５と第１層目
の垂直転送電極２と第２層目の垂直転送電極３とのそれ
ぞれの下層に濃度差をもつＮ型領域６が形成され、半導
体基板４の面上には、酸化膜７、シリコン窒化膜８およ
び薄い酸化膜９が積層形成され、この上に、第１層目の
垂直転送電極２を形成し、この第１層目の垂直転送電極
表面を覆うように形成した酸化膜１０を介して第２層目
の垂直転送電極が形成されている。これにより、段差の
少ない２層構成の垂直転送電極が実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は順次走査または全画
素読み出しが可能な固体撮像装置に関する。
素読み出しが可能な固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像装置は、小型軽量、長寿命、低
消費電力、対振性良好などの特長を有しており、ビデオ
カメラ用として、民生用は勿論、放送など業務用にも広
く用いられている。また、近年のマルチメディア分野の
進展にともなって、固体撮像装置は、デジタルスチルカ
メラにも、応用されるようになってきている。このよう
な背景のもと、これまで主流であった飛び越し走査に比
べて、垂直解像度が高く、また、コンピュータとの親和
性が良い、順次走査が可能な固体撮像装置が強く要望さ
れるようになってきている。
消費電力、対振性良好などの特長を有しており、ビデオ
カメラ用として、民生用は勿論、放送など業務用にも広
く用いられている。また、近年のマルチメディア分野の
進展にともなって、固体撮像装置は、デジタルスチルカ
メラにも、応用されるようになってきている。このよう
な背景のもと、これまで主流であった飛び越し走査に比
べて、垂直解像度が高く、また、コンピュータとの親和
性が良い、順次走査が可能な固体撮像装置が強く要望さ
れるようになってきている。
【０００３】以下、従来の順次走査が可能な固体撮像装
置について説明する。図５は従来の固体撮像装置の概略
構成図である。この固体撮像装置は、基本的には、光電
変換素子１、ＣＣＤなどの電荷転送素子を用いた垂直転
送部１３、ＣＣＤなどを用いた水平転送部１４、出力部
１５で構成されている。光電変換素子１に入射した光は
光電変換されて信号電荷を形成し、この信号電荷が光電
変換素子１に蓄積され、走査時間毎に読み出される。光
電変換素子１から読み出された信号電荷は混合すること
なく垂直転送部１３を図面の下方向に垂直転送され、次
に水平１列ごとに信号電荷が水平転送部１４に読み出さ
れ水平転送された後、出力部１５から出力される。
置について説明する。図５は従来の固体撮像装置の概略
構成図である。この固体撮像装置は、基本的には、光電
変換素子１、ＣＣＤなどの電荷転送素子を用いた垂直転
送部１３、ＣＣＤなどを用いた水平転送部１４、出力部
１５で構成されている。光電変換素子１に入射した光は
光電変換されて信号電荷を形成し、この信号電荷が光電
変換素子１に蓄積され、走査時間毎に読み出される。光
電変換素子１から読み出された信号電荷は混合すること
なく垂直転送部１３を図面の下方向に垂直転送され、次
に水平１列ごとに信号電荷が水平転送部１４に読み出さ
れ水平転送された後、出力部１５から出力される。
【０００４】図４は、従来の固体撮像装置の光電変換素
子と垂直転送部とを、より詳細に示した平面図である。
垂直転送部は第１層目の垂直転送電極２、第２層目の垂
直転送電極３および第３層目の垂直転送電極１１で構成
され、これらの垂直転送電極は光電変換素子１の上下の
間隙を介して水平方向の他の垂直転送電極と共通化され
ている。図３は図４の中の垂直転送部における図中の符
号でＢ−Ｂ’部の断面構成図である。
子と垂直転送部とを、より詳細に示した平面図である。
垂直転送部は第１層目の垂直転送電極２、第２層目の垂
直転送電極３および第３層目の垂直転送電極１１で構成
され、これらの垂直転送電極は光電変換素子１の上下の
間隙を介して水平方向の他の垂直転送電極と共通化され
ている。図３は図４の中の垂直転送部における図中の符
号でＢ−Ｂ’部の断面構成図である。
【０００５】構成要素としては、２は第１層目の垂直転
送電極、３は第２層目の垂直転送電極、４は基板、５は
Ｐ型領域、６はＮ型領域、７は酸化膜、８はシリコン窒
化膜、９は酸化膜、１０は酸化膜、１１は第３層目の垂
直転送電極、１２は酸化膜である。
送電極、３は第２層目の垂直転送電極、４は基板、５は
Ｐ型領域、６はＮ型領域、７は酸化膜、８はシリコン窒
化膜、９は酸化膜、１０は酸化膜、１１は第３層目の垂
直転送電極、１２は酸化膜である。
【０００６】前記基板４はＮ型シリコン基板である。製
造工程順に言うと、まず、この基板４中に基板主面から
選択拡散によりＰ型領域５を形成する。ついで、このＰ
型領域５中に基板４の主面から選択拡散によりＮ型領域
６を形成する。さらに、基板４の主面上には、酸化膜７
を形成する。さらに、酸化膜７上にはシリコン窒化膜８
を形成し、シリコン窒化膜８上には薄い酸化膜９を形成
する。
造工程順に言うと、まず、この基板４中に基板主面から
選択拡散によりＰ型領域５を形成する。ついで、このＰ
型領域５中に基板４の主面から選択拡散によりＮ型領域
６を形成する。さらに、基板４の主面上には、酸化膜７
を形成する。さらに、酸化膜７上にはシリコン窒化膜８
を形成し、シリコン窒化膜８上には薄い酸化膜９を形成
する。
【０００７】次に、減圧ＣＶＤによって第１層目の垂直
転送電極２を成長させてドライエッチング工程で第１層
目の垂直転送電極２を形成し、第１層目の垂直転送電極
２の表面を覆うように酸化膜１０を形成する。次に、減
圧ＣＶＤによって第２層目の垂直転送電極３を成長させ
てドライエッチング工程で第２層目の垂直転送電極３を
形成する。
転送電極２を成長させてドライエッチング工程で第１層
目の垂直転送電極２を形成し、第１層目の垂直転送電極
２の表面を覆うように酸化膜１０を形成する。次に、減
圧ＣＶＤによって第２層目の垂直転送電極３を成長させ
てドライエッチング工程で第２層目の垂直転送電極３を
形成する。
【０００８】次に、第２層目の垂直転送電極３の表面を
覆うように酸化膜１２を形成し、ついで、減圧ＣＶＤに
よって第３層目の垂直転送電極１１を成長させてドライ
エッチング工程で第３層目の垂直転送電極１１を形成す
る。
覆うように酸化膜１２を形成し、ついで、減圧ＣＶＤに
よって第３層目の垂直転送電極１１を成長させてドライ
エッチング工程で第３層目の垂直転送電極１１を形成す
る。
【０００９】このような構成の固体撮像装置に位相が１
／３ずつずれた垂直駆動パルスを垂直転送電極２、３お
よび１１に印加することにより、光電変換素子１の信号
電荷を、混合することなく、独立に垂直転送する。
／３ずつずれた垂直駆動パルスを垂直転送電極２、３お
よび１１に印加することにより、光電変換素子１の信号
電荷を、混合することなく、独立に垂直転送する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、垂直転送電極を３層形成する必要がある
ため、製造工程が多くなり、また光電変換素子と垂直転
送電極の段差が大きくなり遮光層の形成が困難であると
いう課題を有していた。
来の構成では、垂直転送電極を３層形成する必要がある
ため、製造工程が多くなり、また光電変換素子と垂直転
送電極の段差が大きくなり遮光層の形成が困難であると
いう課題を有していた。
【００１１】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、垂直転送電極を２層で構成できる順次走査可能な固
体撮像装置を提供することを目的とする。
で、垂直転送電極を２層で構成できる順次走査可能な固
体撮像装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の固体撮像装置は、垂直転送部が各光電変換
素子それぞれに対し連続する２つの垂直転送電極からな
る単位垂直転送電極群と、それぞれの垂直転送電極下層
の半導体表面の不純物濃度が異なる濃度に形成されてい
る。これにより、垂直転送電極２層で、順次走査可能な
固体撮像装置が実現できる。
に、本発明の固体撮像装置は、垂直転送部が各光電変換
素子それぞれに対し連続する２つの垂直転送電極からな
る単位垂直転送電極群と、それぞれの垂直転送電極下層
の半導体表面の不純物濃度が異なる濃度に形成されてい
る。これにより、垂直転送電極２層で、順次走査可能な
固体撮像装置が実現できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、半導体基板上に、２次元的に配置された複数個の光
電変換素子と前記光電変換素子に隣接し光電変換素子か
ら読み出した信号電荷を垂直転送する垂直転送部と、前
記垂直転送部から転送した信号電荷を水平転送する水平
転送部とを有する固体撮像装置であって、前記垂直転送
部は各光電変換素子それぞれに対し連続する２つの垂直
転送電極からなる単位垂直転送電極群で構成したもので
あり、各光電変換素子の信号電荷を、混合することな
く、独立に垂直転送できるという作用を有する。
は、半導体基板上に、２次元的に配置された複数個の光
電変換素子と前記光電変換素子に隣接し光電変換素子か
ら読み出した信号電荷を垂直転送する垂直転送部と、前
記垂直転送部から転送した信号電荷を水平転送する水平
転送部とを有する固体撮像装置であって、前記垂直転送
部は各光電変換素子それぞれに対し連続する２つの垂直
転送電極からなる単位垂直転送電極群で構成したもので
あり、各光電変換素子の信号電荷を、混合することな
く、独立に垂直転送できるという作用を有する。
【００１４】本発明の請求項２に記載の発明は、半導体
基板上に、２次元的に配置された複数個の光電変換素子
と前記光電変換素子に隣接し光電変換素子から読み出し
た信号電荷を垂直転送する垂直転送部と、前記垂直転送
部から転送した信号電荷を水平転送する水平転送部とを
有する固体撮像装置であって、半導体基板上に絶縁膜を
形成する工程と、前記絶縁膜上に第１層目の電荷転送電
極を形成する工程と、前記第１層目の電荷転送電極上に
第１のフォトレジストパターンを形成する工程と、前記
第１のフォトレジストパターンをマスクとしてイオン注
入を行う工程と、前記第１のフォトレジストパターンを
除去せずに、第２のフォトレジストパターンを形成する
工程と前記第１のフォトレジストパターンと前記第２の
フォトレジストパターンとをマスクとしてドライエッチ
ングにより前記第１層目の電荷転送電極を形成する工程
と、前記第１のフォトレジストパターンと前記第２のフ
ォトレジストパターンとを除去したのち、第３のフォト
レジストパターンを形成し、前記第３のフォトレジスト
パターンをマスクとしてイオン注入を行う工程と前記第
３のフォトレジストパターンを除去したのち、層間絶縁
膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に第２層目の電
荷転送電極を形成する工程と、前記第２層目の電荷転送
電極上に第４のフォトレジストパターンを形成し、前記
第４のフォトレジストパターンをマスクとして、ドライ
エッチングにより前記第２層目の電荷転送電極を形成す
る工程とを備えたものであり、この製造方法により製造
期間が短縮でき、かつ低コスト化が実現できる。また、
各光電変換素子の信号電荷を混合することなく独立に垂
直転送できるという作用を有する。
基板上に、２次元的に配置された複数個の光電変換素子
と前記光電変換素子に隣接し光電変換素子から読み出し
た信号電荷を垂直転送する垂直転送部と、前記垂直転送
部から転送した信号電荷を水平転送する水平転送部とを
有する固体撮像装置であって、半導体基板上に絶縁膜を
形成する工程と、前記絶縁膜上に第１層目の電荷転送電
極を形成する工程と、前記第１層目の電荷転送電極上に
第１のフォトレジストパターンを形成する工程と、前記
第１のフォトレジストパターンをマスクとしてイオン注
入を行う工程と、前記第１のフォトレジストパターンを
除去せずに、第２のフォトレジストパターンを形成する
工程と前記第１のフォトレジストパターンと前記第２の
フォトレジストパターンとをマスクとしてドライエッチ
ングにより前記第１層目の電荷転送電極を形成する工程
と、前記第１のフォトレジストパターンと前記第２のフ
ォトレジストパターンとを除去したのち、第３のフォト
レジストパターンを形成し、前記第３のフォトレジスト
パターンをマスクとしてイオン注入を行う工程と前記第
３のフォトレジストパターンを除去したのち、層間絶縁
膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に第２層目の電
荷転送電極を形成する工程と、前記第２層目の電荷転送
電極上に第４のフォトレジストパターンを形成し、前記
第４のフォトレジストパターンをマスクとして、ドライ
エッチングにより前記第２層目の電荷転送電極を形成す
る工程とを備えたものであり、この製造方法により製造
期間が短縮でき、かつ低コスト化が実現できる。また、
各光電変換素子の信号電荷を混合することなく独立に垂
直転送できるという作用を有する。
【００１５】本発明の請求項３に記載の発明は、前記第
１層目の電荷転送電極と前記第２層目の電荷転送電極を
高融点金属で形成した固体撮像装置であり、転送電極の
低抵抗化を図れることにより、高速駆動および低電圧化
ができるという作用を有する。
１層目の電荷転送電極と前記第２層目の電荷転送電極を
高融点金属で形成した固体撮像装置であり、転送電極の
低抵抗化を図れることにより、高速駆動および低電圧化
ができるという作用を有する。
【００１６】本発明の請求項４に記載の発明は、前記第
１の電荷転送電極と前記第２の電荷転送電極を高融点金
属の蒸着で形成する固体撮像装置の製造方法であり、こ
の製造方法により、製造期間が短縮でき、かつ低コスト
化が実現でき、また、各光電変換素子の信号電荷を、混
合することなく、独立に垂直転送でき、さらに転送電極
の低抵抗化を図れることにより、高速駆動および低電圧
化ができるという作用を有する。
１の電荷転送電極と前記第２の電荷転送電極を高融点金
属の蒸着で形成する固体撮像装置の製造方法であり、こ
の製造方法により、製造期間が短縮でき、かつ低コスト
化が実現でき、また、各光電変換素子の信号電荷を、混
合することなく、独立に垂直転送でき、さらに転送電極
の低抵抗化を図れることにより、高速駆動および低電圧
化ができるという作用を有する。
【００１７】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図２は、本発明の第１の実施の形態に
おける固体撮像装置を説明するための平面構成図であ
り、図１は、図２のＡ−Ａ’の断面図である。
を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図２は、本発明の第１の実施の形態に
おける固体撮像装置を説明するための平面構成図であ
り、図１は、図２のＡ−Ａ’の断面図である。
【００１８】構成要素としては、図中の符号で、１は光
電変換素子、２は第１層目の垂直転送電極、３は第２層
目の垂直転送電極、４はＮ型シリコン基板、５はＰ型領
域、６はＮ型領域、７は酸化膜、８はシリコン窒化膜、
９は酸化膜、１０は酸化膜を示す。
電変換素子、２は第１層目の垂直転送電極、３は第２層
目の垂直転送電極、４はＮ型シリコン基板、５はＰ型領
域、６はＮ型領域、７は酸化膜、８はシリコン窒化膜、
９は酸化膜、１０は酸化膜を示す。
【００１９】なお図２に示す光電変換素子は、実際に
は、水平９４８個×垂直４８６個を一例とするように、
数多くの光電変換素子が配列されている。垂直転送部は
第１層目の垂直転送電極２と第２層目の垂直転送電極３
とを単位として構成され、垂直転送電極２は、光電変換
素子１の上下の間隙を介して水平方向の他の垂直転送部
と共通化されている。図１に示すように、第１層目の垂
直転送電極２の下層の半導体基板表面に不純物濃度の異
なるＮ-型領域６およびＮ+型領域６´が形成されてお
り、また第２層目の垂直転送電極３の下層の半導体基板
表面にも不純物濃度の異なるＮ-型領域６およびＮ+型領
域６´が形成されている。以上のような構成により順次
走査が可能であり、図１および図２に示すように、垂直
転送電極を２層で構成できるため、製造工程数を削減で
き、さらに光電変換部と垂直転送部との段差を軽減でき
る。
は、水平９４８個×垂直４８６個を一例とするように、
数多くの光電変換素子が配列されている。垂直転送部は
第１層目の垂直転送電極２と第２層目の垂直転送電極３
とを単位として構成され、垂直転送電極２は、光電変換
素子１の上下の間隙を介して水平方向の他の垂直転送部
と共通化されている。図１に示すように、第１層目の垂
直転送電極２の下層の半導体基板表面に不純物濃度の異
なるＮ-型領域６およびＮ+型領域６´が形成されてお
り、また第２層目の垂直転送電極３の下層の半導体基板
表面にも不純物濃度の異なるＮ-型領域６およびＮ+型領
域６´が形成されている。以上のような構成により順次
走査が可能であり、図１および図２に示すように、垂直
転送電極を２層で構成できるため、製造工程数を削減で
き、さらに光電変換部と垂直転送部との段差を軽減でき
る。
【００２０】（実施の形態２）固体撮像装置の製造方法
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００２１】図６〜図１０は本発明の固体撮像装置の製
造方法を各工程段階順に示したものである。
造方法を各工程段階順に示したものである。
【００２２】構成要素としては、図中の符号で、２は第
１層目の垂直転送電極、３は第２層目の垂直転送電極、
４はＮ型シリコン基板、５はＰ型領域、６はＮ型領域、
７は酸化膜、８はシリコン窒化膜、９は酸化膜、１０は
酸化膜、１２は酸化膜、１６は第１のフォトレジストパ
ターン、１７はリン、１８は第２のフォトレジストパタ
ーン、１９は第３のフォトレジストパターン、２０はボ
ロン、２１は第４のフォトレジストパターンを示す。
１層目の垂直転送電極、３は第２層目の垂直転送電極、
４はＮ型シリコン基板、５はＰ型領域、６はＮ型領域、
７は酸化膜、８はシリコン窒化膜、９は酸化膜、１０は
酸化膜、１２は酸化膜、１６は第１のフォトレジストパ
ターン、１７はリン、１８は第２のフォトレジストパタ
ーン、１９は第３のフォトレジストパターン、２０はボ
ロン、２１は第４のフォトレジストパターンを示す。
【００２３】まず、図６に示すように、この基板４中に
主面から拡散導入によりＰ型領域５を形成する。このＰ
型領域５中に基板４の主面から拡散導入によりＮ型領域
６を形成する。Ｎ型領域６上には、酸化膜７が形成され
ている。酸化膜７上にはシリコン窒化膜８が形成されて
いる。シリコン窒化膜８上には薄い酸化膜９が形成され
ている。
主面から拡散導入によりＰ型領域５を形成する。このＰ
型領域５中に基板４の主面から拡散導入によりＮ型領域
６を形成する。Ｎ型領域６上には、酸化膜７が形成され
ている。酸化膜７上にはシリコン窒化膜８が形成されて
いる。シリコン窒化膜８上には薄い酸化膜９が形成され
ている。
【００２４】次に、図７に示すように、減圧ＣＶＤによ
って第１層目の垂直転送電極２を成長させる。しかるの
ちに第１のフォトレジストパターン１６を形成し、この
第１のフォトレジストパターン１６をマスクとしてリン
（Ｐ）イオン１７を注入して、Ｎ+型領域６を形成す
る。
って第１層目の垂直転送電極２を成長させる。しかるの
ちに第１のフォトレジストパターン１６を形成し、この
第１のフォトレジストパターン１６をマスクとしてリン
（Ｐ）イオン１７を注入して、Ｎ+型領域６を形成す
る。
【００２５】次に、図８に示すように、第１のフォトレ
ジストパターン１６を除去せずにさらに第２のフォトレ
ジストパターン１８を形成し、この第１のフォトレジス
トパターン１６と第２のフォトレジストパターン１８と
をマスクとしてドライエッチング工程で第１層目の垂直
転送電極２を形成する。
ジストパターン１６を除去せずにさらに第２のフォトレ
ジストパターン１８を形成し、この第１のフォトレジス
トパターン１６と第２のフォトレジストパターン１８と
をマスクとしてドライエッチング工程で第１層目の垂直
転送電極２を形成する。
【００２６】次に、第１のフォトレジストパターン１６
と第２のフォトレジストパターン１８とを除去し、図９
に示すように、第３のフォトレジストパターン１９を形
成する。この第３のフォトレジストパターン１９と垂直
転送電極２とをマスクとしてボロン（Ｂ）イオン２０を
注入して、Ｎ-型領域を形成する。図９においてボロン
（Ｂ）イオンを注入する場合、第１の垂直転送電極２を
用いてセルフアラインメントで行うことにより、電荷の
垂直転送が容易に行えるように所定の不純物分布領域に
形成される作用がある。
と第２のフォトレジストパターン１８とを除去し、図９
に示すように、第３のフォトレジストパターン１９を形
成する。この第３のフォトレジストパターン１９と垂直
転送電極２とをマスクとしてボロン（Ｂ）イオン２０を
注入して、Ｎ-型領域を形成する。図９においてボロン
（Ｂ）イオンを注入する場合、第１の垂直転送電極２を
用いてセルフアラインメントで行うことにより、電荷の
垂直転送が容易に行えるように所定の不純物分布領域に
形成される作用がある。
【００２７】次に、図１０に示すように、第３のフォト
レジストパターン１９を除去したのち、第１層目の垂直
転送電極２の表面を覆うように酸化膜１０を形成する。
次に、減圧ＣＶＤによって第２層目の垂直転送電極３を
成長させ、第４のフォトレジストパターン２１を形成す
る。
レジストパターン１９を除去したのち、第１層目の垂直
転送電極２の表面を覆うように酸化膜１０を形成する。
次に、減圧ＣＶＤによって第２層目の垂直転送電極３を
成長させ、第４のフォトレジストパターン２１を形成す
る。
【００２８】次に、この第４のフォトレジストパターン
２１をマスクとしてドライエッチング工程で図１１に示
すように、第２層目の垂直転送電極３を形成する。
２１をマスクとしてドライエッチング工程で図１１に示
すように、第２層目の垂直転送電極３を形成する。
【００２９】実施の形態において、第１層目の垂直転送
電極２および第２層目の垂直転送電極３は、電圧を印加
することにより、下層の半導体基板に電界をかけ電荷転
送を行うもので、導電性物質により構成されている。導
電性物質としては、低抵抗のものほどよく、例えばポリ
シリコンに不純物をドープしたもの、金属あるいは金属
化合物が使用でき、とりわけ、金属および金属化合物と
してはタングステンなどの高融点金属が耐熱性の点で好
ましい。
電極２および第２層目の垂直転送電極３は、電圧を印加
することにより、下層の半導体基板に電界をかけ電荷転
送を行うもので、導電性物質により構成されている。導
電性物質としては、低抵抗のものほどよく、例えばポリ
シリコンに不純物をドープしたもの、金属あるいは金属
化合物が使用でき、とりわけ、金属および金属化合物と
してはタングステンなどの高融点金属が耐熱性の点で好
ましい。
【００３０】
【発明の効果】本発明の固体撮像装置によれば、垂直転
送部が各光電変換素子それぞれに対し連続する２つの垂
直転送電極からなる単位垂直転送電極群から構成されて
おり、垂直転送電極を２層で構成できるため、製造工程
数を増やすことなく、かつ、光電変換部と垂直転送部の
段差を大きくすることなく、順次走査が可能であり、従
来に比べて低コストで順次走査対応の固体撮像装置を実
現できる。また、駆動回路の簡略化を実現できる。
送部が各光電変換素子それぞれに対し連続する２つの垂
直転送電極からなる単位垂直転送電極群から構成されて
おり、垂直転送電極を２層で構成できるため、製造工程
数を増やすことなく、かつ、光電変換部と垂直転送部の
段差を大きくすることなく、順次走査が可能であり、従
来に比べて低コストで順次走査対応の固体撮像装置を実
現できる。また、駆動回路の簡略化を実現できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における固体撮像装
置の断面図
置の断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態における固体撮像装
置を説明するための平面構成図
置を説明するための平面構成図
【図３】一般的な順次走査が可能な固体撮像装置の概略
断面図
断面図
【図４】一般的な順次走査が可能な固体撮像装置の概略
平面構成図
平面構成図
【図５】一般的な順次走査が可能な固体撮像装置の概略
構成図
構成図
【図６】本発明による固体撮像装置の製造方法を示す断
面図
面図
【図７】（ａ）は本発明による固体撮像装置の製造方法
を示す断面図 （ｂ）は本発明による固体撮像装置の製造方法を示す平
面図
を示す断面図 （ｂ）は本発明による固体撮像装置の製造方法を示す平
面図
【図８】（ａ）は本発明による固体撮像装置の製造方法
を示す断面図 （ｂ）は本発明による固体撮像装置の製造方法を示す平
面図
を示す断面図 （ｂ）は本発明による固体撮像装置の製造方法を示す平
面図
【図９】（ａ）は本発明による固体撮像装置の製造方法
を示す断面図 （ｂ）は本発明による固体撮像装置の製造方法を示す平
面図
を示す断面図 （ｂ）は本発明による固体撮像装置の製造方法を示す平
面図
【図１０】（ａ）は本発明による固体撮像装置の製造方
法を示す断面図 （ｂ）は本発明による固体撮像装置の製造方法を示す平
面図
法を示す断面図 （ｂ）は本発明による固体撮像装置の製造方法を示す平
面図
【図１１】（ａ）は本発明による固体撮像装置の製造方
法を示す断面図 （ｂ）は本発明による固体撮像装置の製造方法を示す平
面図
法を示す断面図 （ｂ）は本発明による固体撮像装置の製造方法を示す平
面図
【符号の説明】 １ 光電変換素子 ２ 第１層目の垂直転送電極 ３ 第２層目の垂直転送電極 ４ Ｎ型シリコン基板 ５ Ｐ型領域 ６ Ｎ型領域 ７ 酸化膜 ８ シリコン窒化膜 ９ 酸化膜 １０ 酸化膜 １１ 第３層目の垂直転送電極 １２ 酸化膜 １３ 垂直転送部 １４ 水平転送部 １５ 出力部 １６ 第１のフォトレジストパターン １７ リン １８ 第２のフォトレジストパターン １９ 第３のフォトレジストパターン ２０ ボロン ２１ 第４のフォトレジストパターン
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に、２次元的に配置された
複数個の光電変換素子と前記光電変換素子に隣接し光電
変換素子から読み出した信号電荷を垂直転送する垂直転
送部と、前記垂直転送部から転送した信号電荷を水平転
送する水平転送部とを有する固体撮像装置であって、前
記垂直転送部は各光電変換素子それぞれに対し連続する
２つの垂直転送電極からなる単位垂直転送電極群で構成
され、各光電変換素子の信号電荷を混合することなく独
立に垂直転送する手段を備えた固体撮像装置。 - 【請求項２】 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程
と、前記絶縁膜上に第１層目の電荷転送電極を形成する
工程と、前記第１層目の電荷転送電極上に第１のフォト
レジストパターンを形成する工程と、前記第１のフォト
レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行う工程
と、前記第１のフォトレジストパターンを除去せずに、
第２のフォトレジストパターンを形成する工程と前記第
１のフォトレジストパターンと前記第２のフォトレジス
トパターンとをマスクとしてドライエッチングにより前
記第１層目の電荷転送電極を形成する工程と、前記第１
のフォトレジストパターンと前記第２のフォトレジスト
パターンとを除去したのち、第３のフォトレジストパタ
ーンを形成し、前記第３のフォトレジストパターンをマ
スクとしてイオン注入を行う工程と前記第３のフォトレ
ジストパターンを除去したのち、層間絶縁膜を形成する
工程と、前記層間絶縁膜上に第２層目の電荷転送電極を
形成する工程と、前記第２層目の電荷転送電極上に第４
のフォトレジストパターンを形成し、前記第４のフォト
レジストパターンをマスクとして、ドライエッチングに
より前記第２層目の電荷転送電極を形成する工程とを備
えた固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１層目の電荷転送電極と前記第２
層目の電荷転送電極との少なくとも一方を高融点金属で
形成した請求項１記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】 前記第１層目の電荷転送電極と前記第２
層目の電荷転送電極との少なくとも一方を高融点金属の
蒸着膜で形成する工程を備えた請求項２記載の固体撮像
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8102394A JPH09293851A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8102394A JPH09293851A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293851A true JPH09293851A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14326240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8102394A Pending JPH09293851A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293851A (ja) |
-
1996
- 1996-04-24 JP JP8102394A patent/JPH09293851A/ja active Pending
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