JPH09288288A - 光機能素子 - Google Patents
光機能素子Info
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- JPH09288288A JPH09288288A JP9973196A JP9973196A JPH09288288A JP H09288288 A JPH09288288 A JP H09288288A JP 9973196 A JP9973196 A JP 9973196A JP 9973196 A JP9973196 A JP 9973196A JP H09288288 A JPH09288288 A JP H09288288A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光双安定特性を有し、かつ作製が容易な光機
能素子を提供することである。 【構成】 光機能素子は非線形Ｙ分岐光導波路からな
り、入力側の分枝ａおよび出力側の分枝ｂ，ｃを有す
る。ＧａＡｓ基板１上に、Ｇａ0.5 Ａｌ0.5 Ａｓからな
るクラッド層２およびＧａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓからなる導
波層３が順に形成されている。導波層３上にはＧａ0.5
Ａｌ0.5 Ａｓからなるクラッド層４がＹ形状に形成さ
れ、一方の出力側の分枝ｂにおけるクラッド層４上にＧ
ａ0.87Ａｌ0.13Ａｓからなる可飽和吸収層５が形成され
ている。
能素子を提供することである。 【構成】 光機能素子は非線形Ｙ分岐光導波路からな
り、入力側の分枝ａおよび出力側の分枝ｂ，ｃを有す
る。ＧａＡｓ基板１上に、Ｇａ0.5 Ａｌ0.5 Ａｓからな
るクラッド層２およびＧａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓからなる導
波層３が順に形成されている。導波層３上にはＧａ0.5
Ａｌ0.5 Ａｓからなるクラッド層４がＹ形状に形成さ
れ、一方の出力側の分枝ｂにおけるクラッド層４上にＧ
ａ0.87Ａｌ0.13Ａｓからなる可飽和吸収層５が形成され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光双安定特性を有
する光機能素子に関する。
する光機能素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、非線形光学効果を利用した光機能
素子が注目を集めている。例えば、電子情報通信学会技
術報告，光量子エレクトロニクス，Ｖｏｌ．９，Ｎｏ．
６８，第１３頁〜１８頁，ＯＱＥ９０−１５および１９
９０年電子情報通信学会春季全国大会予稿集，第４−２
７４頁，Ｃ−２１９には、光屈折率効果（光カー効果）
を用いた非線形Ｙ分岐光導波路および非線形Ｘ分岐光導
波路が提案されている。
素子が注目を集めている。例えば、電子情報通信学会技
術報告，光量子エレクトロニクス，Ｖｏｌ．９，Ｎｏ．
６８，第１３頁〜１８頁，ＯＱＥ９０−１５および１９
９０年電子情報通信学会春季全国大会予稿集，第４−２
７４頁，Ｃ−２１９には、光屈折率効果（光カー効果）
を用いた非線形Ｙ分岐光導波路および非線形Ｘ分岐光導
波路が提案されている。
【０００３】図１２および図１３はそれぞれ上記の文献
に提案されている非線形Ｙ分岐光導波路および非線形Ｘ
分岐光導波路を示す図である。図１２において、入力側
の分枝１１および出力側の分枝１２，１３はそれぞれ単
一モード光導波路からなる。分枝１１および分枝１２は
線形媒質により形成され、分枝１３は非線形媒質により
形成されている。非線形媒質とは、一般に、屈折率が電
界によって変化する媒質をいう。ここで用いる非線形媒
質は光強度（光電力）の増加に伴って屈折率が上昇す
る。分枝１３の幅は分枝１２の幅に比べて狭くなってい
る。それにより、光強度が弱く非線形屈折率効果による
屈折率変化が小さい範囲では、分枝１３の等価屈折率は
分枝１２に比べて低くなっている。
に提案されている非線形Ｙ分岐光導波路および非線形Ｘ
分岐光導波路を示す図である。図１２において、入力側
の分枝１１および出力側の分枝１２，１３はそれぞれ単
一モード光導波路からなる。分枝１１および分枝１２は
線形媒質により形成され、分枝１３は非線形媒質により
形成されている。非線形媒質とは、一般に、屈折率が電
界によって変化する媒質をいう。ここで用いる非線形媒
質は光強度（光電力）の増加に伴って屈折率が上昇す
る。分枝１３の幅は分枝１２の幅に比べて狭くなってい
る。それにより、光強度が弱く非線形屈折率効果による
屈折率変化が小さい範囲では、分枝１３の等価屈折率は
分枝１２に比べて低くなっている。
【０００４】入力光ＩＬを分枝１１より入力する。入力
光ＩＬの光強度が弱いときには、その入力光ＩＬは等価
屈折率の高い分枝１２へ伝搬する。このとき、入力光Ｉ
Ｌの一部は分枝１３へ漏れている。
光ＩＬの光強度が弱いときには、その入力光ＩＬは等価
屈折率の高い分枝１２へ伝搬する。このとき、入力光Ｉ
Ｌの一部は分枝１３へ漏れている。
【０００５】入力光ＩＬの光強度を増加させると、非線
形屈折率効果により分枝１３の等価屈折率が上昇する。
さらに入射光ＩＬの光強度を増加させると、ある値の光
強度で分枝１３の等価屈折率が分枝１２の等価屈折率よ
りも高くなる。これにより、入力光ＩＬは等価屈折率の
高い分枝１３へ伝搬するようになる。
形屈折率効果により分枝１３の等価屈折率が上昇する。
さらに入射光ＩＬの光強度を増加させると、ある値の光
強度で分枝１３の等価屈折率が分枝１２の等価屈折率よ
りも高くなる。これにより、入力光ＩＬは等価屈折率の
高い分枝１３へ伝搬するようになる。
【０００６】このように、入力光ＩＬの光強度を変化さ
せることによりその入力光ＩＬの分枝１２，１３への出
力を切り換えることができる。すなわち、図１２の非線
形Ｙ分岐光導波路は光双安定特性を有する光スイッチと
して動作する。
せることによりその入力光ＩＬの分枝１２，１３への出
力を切り換えることができる。すなわち、図１２の非線
形Ｙ分岐光導波路は光双安定特性を有する光スイッチと
して動作する。
【０００７】次に、図１３において、入力側の分枝２
１，２２および出力側の分枝２３，２４はそれぞれ単一
モード光導波路からなる。分枝２１，２２，２３は線形
媒質により形成され、分枝２４は非線形媒質により形成
されている。分枝２１，２２の幅は等しく、分枝２３は
分枝２４に比べて広くなっている。それにより、光強度
が弱く非線形屈折率効果による屈折率変化が小さい範囲
では、分枝２３の等価屈折率は分枝２４の等価屈折率に
比べて高くなっている。
１，２２および出力側の分枝２３，２４はそれぞれ単一
モード光導波路からなる。分枝２１，２２，２３は線形
媒質により形成され、分枝２４は非線形媒質により形成
されている。分枝２１，２２の幅は等しく、分枝２３は
分枝２４に比べて広くなっている。それにより、光強度
が弱く非線形屈折率効果による屈折率変化が小さい範囲
では、分枝２３の等価屈折率は分枝２４の等価屈折率に
比べて高くなっている。
【０００８】信号光ＳＬを分枝２１より入力し、制御光
ＣＬを分枝２２より入力する。制御光ＣＬの光強度が弱
いときには、信号光ＳＬおよび制御光ＣＬは等価屈折率
の高い分枝２３へ伝搬する。
ＣＬを分枝２２より入力する。制御光ＣＬの光強度が弱
いときには、信号光ＳＬおよび制御光ＣＬは等価屈折率
の高い分枝２３へ伝搬する。
【０００９】制御光ＣＬの光強度を増加させると、非線
形屈折率効果により分枝２４の等価屈折率が上昇する。
さらに制御光ＣＬの光強度を増加させると、ある値の光
強度で分枝２４の等価屈折率が分枝２３の等価屈折率よ
りも高くなる。それにより、信号光ＳＬは等価屈折率の
高い分枝２４へ伝搬し、制御光ＣＬは等価屈折率の低い
分枝２３へ伝搬する。
形屈折率効果により分枝２４の等価屈折率が上昇する。
さらに制御光ＣＬの光強度を増加させると、ある値の光
強度で分枝２４の等価屈折率が分枝２３の等価屈折率よ
りも高くなる。それにより、信号光ＳＬは等価屈折率の
高い分枝２４へ伝搬し、制御光ＣＬは等価屈折率の低い
分枝２３へ伝搬する。
【００１０】このように、制御光ＣＬの光強度を変化さ
せることにより信号光ＳＬの分枝２３，２４への出力を
切り換えることができる。すなわち、図１２の非線形Ｘ
分岐光導波路も光双安定特性を有する光スイッチとして
動作する。
せることにより信号光ＳＬの分枝２３，２４への出力を
切り換えることができる。すなわち、図１２の非線形Ｘ
分岐光導波路も光双安定特性を有する光スイッチとして
動作する。
【００１１】また、信号光ＳＬによる分枝２４の屈折率
変化が十分大きければ、その後制御光ＣＬの光強度が低
下しても信号光ＳＬは分枝２４への伝搬し続ける。すな
わち、図１２の非線形Ｘ分岐光導波路は光メモリとして
も動作する。
変化が十分大きければ、その後制御光ＣＬの光強度が低
下しても信号光ＳＬは分枝２４への伝搬し続ける。すな
わち、図１２の非線形Ｘ分岐光導波路は光メモリとして
も動作する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記の文献には、非線
形Ｙ分岐光導波路および非線形Ｘ分岐光導波路における
非線形媒質として半導体ドープガラスまたは多重量子井
戸構造光導波路を用いることが記載されている。しかし
ながら、線形媒質からなる光導波路と同一平面の一部分
に異なる材料の半導体ドープガラスまたは多重量子井戸
構造光導波路を作製することは非常に困難である。
形Ｙ分岐光導波路および非線形Ｘ分岐光導波路における
非線形媒質として半導体ドープガラスまたは多重量子井
戸構造光導波路を用いることが記載されている。しかし
ながら、線形媒質からなる光導波路と同一平面の一部分
に異なる材料の半導体ドープガラスまたは多重量子井戸
構造光導波路を作製することは非常に困難である。
【００１３】本発明の目的は、光双安定特性を有し、か
つ作製が容易な光機能素子を提供することである。
つ作製が容易な光機能素子を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る光機能素子は、入力側光導波路と、入力側光
導波路から分岐する複数の出力側光導波路と、複数の出
力側光導波路のいずれかに沿って設けられた可飽和吸収
層とを備える。
発明に係る光機能素子は、入力側光導波路と、入力側光
導波路から分岐する複数の出力側光導波路と、複数の出
力側光導波路のいずれかに沿って設けられた可飽和吸収
層とを備える。
【００１５】ここで、可飽和吸収層とは、所定の波長の
光に対して可飽和吸収特性を有する層をいう。第１の発
明に係る光機能素子において、可飽和吸収層が設けられ
た出力側光導波路の等価屈折率は、他の出力側光導波路
に比べて高くなる。入力側光導波路への入力光の光強度
が低い場合には、可飽和吸収層の吸収係数が高いので、
可飽和吸収層を有する出力側光導波路における光の吸収
損失が大きくなる。したがって、入力光は、吸収損失の
小さい他の出力側光導波路へ伝搬する。
光に対して可飽和吸収特性を有する層をいう。第１の発
明に係る光機能素子において、可飽和吸収層が設けられ
た出力側光導波路の等価屈折率は、他の出力側光導波路
に比べて高くなる。入力側光導波路への入力光の光強度
が低い場合には、可飽和吸収層の吸収係数が高いので、
可飽和吸収層を有する出力側光導波路における光の吸収
損失が大きくなる。したがって、入力光は、吸収損失の
小さい他の出力側光導波路へ伝搬する。
【００１６】入力光の光強度を増加させた場合、ある値
の光強度で可飽和吸収層の吸収係数が急激に低下し、可
飽和吸収層を有する出力側光導波路における光の吸収損
失が小さくなる。それにより、入力光は、可飽和吸収層
を有する等価屈折率の高い出力側光導波路へ伝搬する。
の光強度で可飽和吸収層の吸収係数が急激に低下し、可
飽和吸収層を有する出力側光導波路における光の吸収損
失が小さくなる。それにより、入力光は、可飽和吸収層
を有する等価屈折率の高い出力側光導波路へ伝搬する。
【００１７】このように、入力光の光強度を変化させる
ことによりその入力光が出力される出力側光導波路を切
り換えることができる。すなわち、光機能素子は光双安
定特性を有する光スイッチとして動作する。
ことによりその入力光が出力される出力側光導波路を切
り換えることができる。すなわち、光機能素子は光双安
定特性を有する光スイッチとして動作する。
【００１８】また、入力光が可飽和吸収層を有する出力
側光導波路に切り換わった後には、可飽和吸収層に既に
十分な光が吸収されているので、入力光の光強度をある
程度減少させても、可飽和吸収層の吸収係数が低く保た
れ、入力光は可飽和吸収層を有する出力側光導波路へ伝
搬し続ける。すなわち、光機能素子は光メモリとしても
動作する。
側光導波路に切り換わった後には、可飽和吸収層に既に
十分な光が吸収されているので、入力光の光強度をある
程度減少させても、可飽和吸収層の吸収係数が低く保た
れ、入力光は可飽和吸収層を有する出力側光導波路へ伝
搬し続ける。すなわち、光機能素子は光メモリとしても
動作する。
【００１９】さらに、出力側光導波路に沿って可飽和吸
収層を設けることにより、同一平面の一部分に異なる材
料からなる光導波路を作製する必要がなくなり、光機能
素子を容易に製造することができる。
収層を設けることにより、同一平面の一部分に異なる材
料からなる光導波路を作製する必要がなくなり、光機能
素子を容易に製造することができる。
【００２０】第２の発明に係る光機能素子は、互いに合
流する複数の入力側光導波路と、複数の入力側光導波路
の合流部から分岐する複数の出力側光導波路と、複数の
出力側光導波路のいずれかに沿って設けられた可飽和吸
収層とを備える。
流する複数の入力側光導波路と、複数の入力側光導波路
の合流部から分岐する複数の出力側光導波路と、複数の
出力側光導波路のいずれかに沿って設けられた可飽和吸
収層とを備える。
【００２１】第２の発明に係る光機能素子において、可
飽和吸収層が設けられた出力側光導波路の等価屈折率
は、他の出力側光導波路に比べて高くなる。１つの入力
側光導波路への入力光の光強度が低い場合には、可飽和
吸収層の吸収係数が高いので、可飽和吸収層を有する出
力側光導波路における光の吸収損失が大きくなる。した
がって、他の入力側光導波路への入力光は、吸収損失の
小さい他の出力側光導波路へ伝搬する。
飽和吸収層が設けられた出力側光導波路の等価屈折率
は、他の出力側光導波路に比べて高くなる。１つの入力
側光導波路への入力光の光強度が低い場合には、可飽和
吸収層の吸収係数が高いので、可飽和吸収層を有する出
力側光導波路における光の吸収損失が大きくなる。した
がって、他の入力側光導波路への入力光は、吸収損失の
小さい他の出力側光導波路へ伝搬する。
【００２２】上記の１つの入力光の光強度を増加させた
場合、ある値の光強度で可飽和吸収層の吸収係数が急激
に低下し、可飽和吸収層を有する出力側光導波路におけ
る光の吸収損失が小さくなる。それにより、上記の他の
入力光は、可飽和吸収層を有する等価屈折率の高い出力
側光導波路へ伝搬する。
場合、ある値の光強度で可飽和吸収層の吸収係数が急激
に低下し、可飽和吸収層を有する出力側光導波路におけ
る光の吸収損失が小さくなる。それにより、上記の他の
入力光は、可飽和吸収層を有する等価屈折率の高い出力
側光導波路へ伝搬する。
【００２３】このように、１つの入力側光導波路への入
力光の光強度を変化させることにより他の入力側光導波
路への入力光が出力される出力側光導波路を切り換える
ことができる。すなわち、光機能素子は光双安定特性を
有する光スイッチとして動作する。
力光の光強度を変化させることにより他の入力側光導波
路への入力光が出力される出力側光導波路を切り換える
ことができる。すなわち、光機能素子は光双安定特性を
有する光スイッチとして動作する。
【００２４】また、他の入力側光導波路への入力光が可
飽和吸収層を有する出力側光導波路に切り換わった後に
は、可飽和吸収層に既に十分な光が吸収されているの
で、１つの入力側光導波路への入力光の光強度をある程
度減少させても、可飽和吸収層の吸収係数が低く保た
れ、他の入力側光導波路への入力光は可飽和吸収層を有
する出力側光導波路へ伝搬し続ける。すなわち、光機能
素子は光メモリとしても動作する。
飽和吸収層を有する出力側光導波路に切り換わった後に
は、可飽和吸収層に既に十分な光が吸収されているの
で、１つの入力側光導波路への入力光の光強度をある程
度減少させても、可飽和吸収層の吸収係数が低く保た
れ、他の入力側光導波路への入力光は可飽和吸収層を有
する出力側光導波路へ伝搬し続ける。すなわち、光機能
素子は光メモリとしても動作する。
【００２５】さらに、出力側光導波路に沿って可飽和吸
収層を設けることは容易であるので、光機能素子を容易
に製造することができる。第３の発明に係る光機能素子
は、第１または第２の発明に係る光機能素子の構成にお
いて、可飽和吸収層が、入力側光導波路への入力光のエ
ネルギーとほぼ等しいエネルギーのバンドギャップを有
するものである。
収層を設けることは容易であるので、光機能素子を容易
に製造することができる。第３の発明に係る光機能素子
は、第１または第２の発明に係る光機能素子の構成にお
いて、可飽和吸収層が、入力側光導波路への入力光のエ
ネルギーとほぼ等しいエネルギーのバンドギャップを有
するものである。
【００２６】これにより、入力光が可飽和吸収層に吸収
されるので、入力光の光強度を変化させて可飽和吸収層
を有する出力側光導波路における光の吸収損失を変化さ
せることにより、入力光が出力される出力側光導波路を
確実に切り換えることができる。
されるので、入力光の光強度を変化させて可飽和吸収層
を有する出力側光導波路における光の吸収損失を変化さ
せることにより、入力光が出力される出力側光導波路を
確実に切り換えることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施例によ
る光機能素子の模式的斜視図である。図１の光機能素子
は非線形Ｙ分岐光導波路からなり、入力側の分枝ａおよ
び出力側の分枝ｂ，ｃを有する。
る光機能素子の模式的斜視図である。図１の光機能素子
は非線形Ｙ分岐光導波路からなり、入力側の分枝ａおよ
び出力側の分枝ｂ，ｃを有する。
【００２８】ＧａＡｓ基板１上に、厚さ１μｍのＧａ
0.5 Ａｌ0.5 Ａｓからなるクラッド層２および厚さ０．
１μｍのＧａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓからなる導波層３が順に
形成されている。導波層３上には、厚さ０．３μｍのＧ
ａ0.5 Ａｌ0.5 Ａｓからなるクラッド層４がＹ形状に形
成され、一方の出力側の分枝ｂにおけるクラッド層４上
に厚さ０．０２μｍのＧａ0.87Ａｌ0.13Ａｓからなる可
飽和吸収層５が形成されている。クラッド層４の各分枝
ａ，ｂ，ｃの幅Ｗは例えば４μｍである。
0.5 Ａｌ0.5 Ａｓからなるクラッド層２および厚さ０．
１μｍのＧａ0.8 Ａｌ0.2 Ａｓからなる導波層３が順に
形成されている。導波層３上には、厚さ０．３μｍのＧ
ａ0.5 Ａｌ0.5 Ａｓからなるクラッド層４がＹ形状に形
成され、一方の出力側の分枝ｂにおけるクラッド層４上
に厚さ０．０２μｍのＧａ0.87Ａｌ0.13Ａｓからなる可
飽和吸収層５が形成されている。クラッド層４の各分枝
ａ，ｂ，ｃの幅Ｗは例えば４μｍである。
【００２９】光源として例えば波長７８０ｎｍのレーザ
光を出射する半導体レーザが使用され、入力側の分枝ａ
に入力光ＩＬが入力される。可飽和吸収層５は、入力光
ＩＬの波長に相当するエネルギーとほぼ等しいエネルギ
ーのバンドギャップを有する。
光を出射する半導体レーザが使用され、入力側の分枝ａ
に入力光ＩＬが入力される。可飽和吸収層５は、入力光
ＩＬの波長に相当するエネルギーとほぼ等しいエネルギ
ーのバンドギャップを有する。
【００３０】図２は図１の光機能素子の出力側の分枝
ｂ，ｃの断面図である。ここで、光機能素子の周囲の媒
質の屈折率をｎ0 とし、可飽和吸収層５の屈折率をｎSA
とし、クラッド層４の屈折率をｎC1とする。また、導波
層３の屈折率をｎWGとし、クラッド層２の屈折率をｎC2
とする。
ｂ，ｃの断面図である。ここで、光機能素子の周囲の媒
質の屈折率をｎ0 とし、可飽和吸収層５の屈折率をｎSA
とし、クラッド層４の屈折率をｎC1とする。また、導波
層３の屈折率をｎWGとし、クラッド層２の屈折率をｎC2
とする。
【００３１】導波層３の屈折率ｎWGが最も高く、可飽和
吸収層５の屈折率ｎSAは周囲の媒質（例えば空気）の屈
折率ｎ0 よりも高い。図２に示すように、分枝ｂ，ｃに
おけるクラッド層４の下部の導波層３にそれぞれ光導波
路ＷＧが形成される。
吸収層５の屈折率ｎSAは周囲の媒質（例えば空気）の屈
折率ｎ0 よりも高い。図２に示すように、分枝ｂ，ｃに
おけるクラッド層４の下部の導波層３にそれぞれ光導波
路ＷＧが形成される。
【００３２】この光機能素子では、出力側の分枝ｂにお
けるクラッド層４上に周囲の媒質の屈折率ｎ0 よりも高
い屈折率ｎSAを有する可飽和吸収層５が設けられている
ので、分枝ｂの光導波路ＷＧの等価屈折率が分枝ｃの光
導波路ＷＧの等価屈折率よりも高くなっている。
けるクラッド層４上に周囲の媒質の屈折率ｎ0 よりも高
い屈折率ｎSAを有する可飽和吸収層５が設けられている
ので、分枝ｂの光導波路ＷＧの等価屈折率が分枝ｃの光
導波路ＷＧの等価屈折率よりも高くなっている。
【００３３】図３に可飽和吸収層５における光強度と吸
収係数との関係を示す。可飽和吸収層５は、そのバンド
ギャップのエネルギーにほぼ相当する波長の光を吸収す
るが、ある量以上の光を吸収すると、それ以上光を吸収
することができなくなる。したがって、可飽和吸収層５
の吸収係数は、入力光の光強度が小さい範囲では高くな
っているが、光強度がある値を越えると吸収係数が急激
に低下する。すなわち、可飽和吸収層５は、所定の波長
の入力光の光強度がある値を越えると、その入力光を吸
収せず、入力光に対して透明になる。
収係数との関係を示す。可飽和吸収層５は、そのバンド
ギャップのエネルギーにほぼ相当する波長の光を吸収す
るが、ある量以上の光を吸収すると、それ以上光を吸収
することができなくなる。したがって、可飽和吸収層５
の吸収係数は、入力光の光強度が小さい範囲では高くな
っているが、光強度がある値を越えると吸収係数が急激
に低下する。すなわち、可飽和吸収層５は、所定の波長
の入力光の光強度がある値を越えると、その入力光を吸
収せず、入力光に対して透明になる。
【００３４】次に、図４を参照しながら図１の光機能素
子の動作を説明する。上記のように、分枝ｂには可飽和
吸収層５が設けられているので、分枝ｂの等価屈折率は
分枝ｃの等価屈折率に比べて高くなっている。
子の動作を説明する。上記のように、分枝ｂには可飽和
吸収層５が設けられているので、分枝ｂの等価屈折率は
分枝ｃの等価屈折率に比べて高くなっている。
【００３５】図４（ａ）に示すように、入力光ＩＬを分
枝ａより入力する。入力光ＩＬの光強度が小さいときに
は、分枝ｂの可飽和吸収層５の吸収係数が高いので、分
枝ｂにおいて光の吸収損失が生じる。そのため、入力光
ＩＬは、吸収損失の小さい分枝ｃへ伝搬する。このと
き、入力光ＩＬの一部は分枝ｂにも漏れている。
枝ａより入力する。入力光ＩＬの光強度が小さいときに
は、分枝ｂの可飽和吸収層５の吸収係数が高いので、分
枝ｂにおいて光の吸収損失が生じる。そのため、入力光
ＩＬは、吸収損失の小さい分枝ｃへ伝搬する。このと
き、入力光ＩＬの一部は分枝ｂにも漏れている。
【００３６】入力光ＩＬの光強度を増加させると、図３
に示したように、ある値の光強度で可飽和吸収層５の吸
収係数が急激に低下し、分枝ｂにおける光の吸収損失が
急激に減少する。その結果、入力光ＩＬは等価屈折率の
高い分枝ｂへ伝搬する。
に示したように、ある値の光強度で可飽和吸収層５の吸
収係数が急激に低下し、分枝ｂにおける光の吸収損失が
急激に減少する。その結果、入力光ＩＬは等価屈折率の
高い分枝ｂへ伝搬する。
【００３７】図５（ａ），（ｂ）は分枝ｂおよび分枝ｃ
における入力光強度と出力光強度との関係を示す図であ
る。図５（ａ）に示すように、分枝ｂでは、入力光強度
を増加させた場合、光強度Ｉ2 で出力光強度が急峻に上
昇する。その後入力光強度を減少させた場合、光強度Ｉ
2 よりも低い光強度Ｉ1 で出力光強度が急峻に低下す
る。一方、図５（ｂ）に示すように、分枝ｃでは、入力
光強度を増加させた場合、光強度Ｉ2 で出力光強度が急
峻に低下する。その後入力光強度を減少させた場合、光
強度Ｉ1 で出力光強度が急峻に上昇する。すなわち、入
力光強度によって分枝ｂ，ｃの出力比が切り換わる。
における入力光強度と出力光強度との関係を示す図であ
る。図５（ａ）に示すように、分枝ｂでは、入力光強度
を増加させた場合、光強度Ｉ2 で出力光強度が急峻に上
昇する。その後入力光強度を減少させた場合、光強度Ｉ
2 よりも低い光強度Ｉ1 で出力光強度が急峻に低下す
る。一方、図５（ｂ）に示すように、分枝ｃでは、入力
光強度を増加させた場合、光強度Ｉ2 で出力光強度が急
峻に低下する。その後入力光強度を減少させた場合、光
強度Ｉ1 で出力光強度が急峻に上昇する。すなわち、入
力光強度によって分枝ｂ，ｃの出力比が切り換わる。
【００３８】このように、入力光ＩＬの光強度を変化さ
せることによりその入力光ＩＬの分枝ｂ，ｃへの出力を
切り換えることができる。すなわち、図１の光機能素子
は光双安定特性を有する光スイッチとして動作する。
せることによりその入力光ＩＬの分枝ｂ，ｃへの出力を
切り換えることができる。すなわち、図１の光機能素子
は光双安定特性を有する光スイッチとして動作する。
【００３９】また、入力光ＩＬの光強度がＩ１とＩ２の
間に設定されている場合、出力が分枝ｂへ切り換わった
後には、分枝ｂの可飽和吸収層５には既に十分な光が吸
収されているので、入力光ＩＬの光強度をある程度減少
させても可飽和吸収層５の吸収係数が低く保たれ、入力
光ＩＬは分枝ｂへ伝搬し続ける。すなわち、図１の光機
能素子は光メモリとしても動作する。
間に設定されている場合、出力が分枝ｂへ切り換わった
後には、分枝ｂの可飽和吸収層５には既に十分な光が吸
収されているので、入力光ＩＬの光強度をある程度減少
させても可飽和吸収層５の吸収係数が低く保たれ、入力
光ＩＬは分枝ｂへ伝搬し続ける。すなわち、図１の光機
能素子は光メモリとしても動作する。
【００４０】このような光スイッチおよび光メモリの動
作は、外部からの制御光によっても実現可能である。す
なわち、入力光ＩＬの光強度を一定とし、可飽和吸収層
の部分に例えばその上部側から、または基板が制御光を
透過する場合は基板の裏面側から、あるいはこれら２つ
の側から等、適宜外部から制御光を照射することによ
り、出力を分枝ｃから分枝ｂへ切り換えることができ
る。入力光ＩＬの光強度をＩ１とＩ２の間に設定した場
合、光メモリとして動作する。
作は、外部からの制御光によっても実現可能である。す
なわち、入力光ＩＬの光強度を一定とし、可飽和吸収層
の部分に例えばその上部側から、または基板が制御光を
透過する場合は基板の裏面側から、あるいはこれら２つ
の側から等、適宜外部から制御光を照射することによ
り、出力を分枝ｃから分枝ｂへ切り換えることができ
る。入力光ＩＬの光強度をＩ１とＩ２の間に設定した場
合、光メモリとして動作する。
【００４１】可飽和吸収層５はクラッド層２、導波層３
およびクラッド層４と同様にＭＯＣＶＤ法（有機金属気
相成長法）、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）
等によりＧａＡｓ基板上に連続的に成長させることがで
きるので、作製が容易である。
およびクラッド層４と同様にＭＯＣＶＤ法（有機金属気
相成長法）、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）
等によりＧａＡｓ基板上に連続的に成長させることがで
きるので、作製が容易である。
【００４２】図６は本発明の第２の実施例による光機能
素子の模式的斜視図である。図６の光機能素子は非線形
Ｘ分岐光導波路からなり、入力側の分枝Ａ，Ｂおよび出
力側の分枝Ｃ，Ｄを有する。
素子の模式的斜視図である。図６の光機能素子は非線形
Ｘ分岐光導波路からなり、入力側の分枝Ａ，Ｂおよび出
力側の分枝Ｃ，Ｄを有する。
【００４３】ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２および導
波層３が順に形成されている。導波層３上にはクラッド
層４がＸ形状に形成され、一方の出力側の分枝Ｃにおけ
るクラッド層４上に可飽和吸収層５が形成されている。
クラッド層２、導波層３、クラッド層４および可飽和吸
収層５の材料および厚さは図１の光機能素子と同様であ
る。
波層３が順に形成されている。導波層３上にはクラッド
層４がＸ形状に形成され、一方の出力側の分枝Ｃにおけ
るクラッド層４上に可飽和吸収層５が形成されている。
クラッド層２、導波層３、クラッド層４および可飽和吸
収層５の材料および厚さは図１の光機能素子と同様であ
る。
【００４４】信号光ＳＬおよび制御光ＣＬとしては第１
の実施例と同様に７８０ｎｍの半導体レーザ光を使用し
た。本実施例の光機能素子では、出力側の分枝Ｃにおけ
るクラッド層４上に周囲の媒質よりも高い屈折率を有す
る可飽和吸収層５が設けられているので、分枝Ｃの光導
波路の等価屈折率が分枝Ｄの光導波路の等価屈折率より
も高くなっている。
の実施例と同様に７８０ｎｍの半導体レーザ光を使用し
た。本実施例の光機能素子では、出力側の分枝Ｃにおけ
るクラッド層４上に周囲の媒質よりも高い屈折率を有す
る可飽和吸収層５が設けられているので、分枝Ｃの光導
波路の等価屈折率が分枝Ｄの光導波路の等価屈折率より
も高くなっている。
【００４５】次に、図７を参照しながら図６の光機能素
子の動作の一例を説明する。ここでは、分枝Ｂの等価屈
折率が分枝Ａの等価屈折率に比べて高いものとする。図
７（ａ）に示すように、信号光ＳＬを分枝Ｂより入力
し、制御光ＣＬを分枝Ａより入力する。制御光ＣＬの光
強度が小さいときには、図３に示したように、可飽和吸
収層５の吸収係数が高く、分枝Ｃにおいて光の吸収損失
が生じる。そのため、信号光ＳＬは吸収損失の小さい分
枝Ｄへ伝搬する。
子の動作の一例を説明する。ここでは、分枝Ｂの等価屈
折率が分枝Ａの等価屈折率に比べて高いものとする。図
７（ａ）に示すように、信号光ＳＬを分枝Ｂより入力
し、制御光ＣＬを分枝Ａより入力する。制御光ＣＬの光
強度が小さいときには、図３に示したように、可飽和吸
収層５の吸収係数が高く、分枝Ｃにおいて光の吸収損失
が生じる。そのため、信号光ＳＬは吸収損失の小さい分
枝Ｄへ伝搬する。
【００４６】制御光ＣＬの光強度を増加させると、ある
値の光強度で可飽和吸収層５の吸収係数が急激に低下
し、分枝Ｃにおける光の吸収損失が小さくなる。その結
果、図７（ｂ）に示すように、信号光ＳＬは、等価屈折
率の高い分枝Ｃへ伝搬する。
値の光強度で可飽和吸収層５の吸収係数が急激に低下
し、分枝Ｃにおける光の吸収損失が小さくなる。その結
果、図７（ｂ）に示すように、信号光ＳＬは、等価屈折
率の高い分枝Ｃへ伝搬する。
【００４７】このように、制御光ＣＬの光強度を変化さ
せることにより信号光ＳＬの分枝Ｃ，Ｄへの出力を切り
換えることができる。すなわち、図６の光機能素子は双
安定特性を有する光スイッチとして動作する。
せることにより信号光ＳＬの分枝Ｃ，Ｄへの出力を切り
換えることができる。すなわち、図６の光機能素子は双
安定特性を有する光スイッチとして動作する。
【００４８】また、信号光ＳＬが分枝Ｃへ切り換わった
後には、分枝Ｃの可飽和吸収層５には既に十分な光が吸
収されているので、制御光ＣＬの光強度をある程度減少
させても可飽和吸収層５の吸収係数が低く保たれ、信号
光ＳＬは分枝Ｃへ伝搬し続ける。すなわち、図６の光機
能素子は光メモリとしても動作する。
後には、分枝Ｃの可飽和吸収層５には既に十分な光が吸
収されているので、制御光ＣＬの光強度をある程度減少
させても可飽和吸収層５の吸収係数が低く保たれ、信号
光ＳＬは分枝Ｃへ伝搬し続ける。すなわち、図６の光機
能素子は光メモリとしても動作する。
【００４９】なお、図６の光機能素子を光スイッチとし
て用いる場合には、可飽和吸収層５が制御光ＣＬに対し
て可飽和吸収特性を示せばよいが、図６の光機能素子を
光メモリとして用いる場合には、可飽和吸収層５が信号
光ＳＬおよび制御光ＣＬの両方に対して可飽和吸収特性
を示す必要がある。
て用いる場合には、可飽和吸収層５が制御光ＣＬに対し
て可飽和吸収特性を示せばよいが、図６の光機能素子を
光メモリとして用いる場合には、可飽和吸収層５が信号
光ＳＬおよび制御光ＣＬの両方に対して可飽和吸収特性
を示す必要がある。
【００５０】次に、図８および図９を参照しながら図６
の光機能素子の動作の他の例を説明する。ここでは、分
枝Ａ，Ｂの等価屈折率が等しいものとする。また、上記
のように、出力側の分枝Ｃにおけるクラッド層４上には
可飽和吸収層５が設けられているので、分枝Ｃの光導波
路の等価屈折率が分枝Ｄの光導波路の等価屈折率よりも
高くなっている。
の光機能素子の動作の他の例を説明する。ここでは、分
枝Ａ，Ｂの等価屈折率が等しいものとする。また、上記
のように、出力側の分枝Ｃにおけるクラッド層４上には
可飽和吸収層５が設けられているので、分枝Ｃの光導波
路の等価屈折率が分枝Ｄの光導波路の等価屈折率よりも
高くなっている。
【００５１】図８（ａ）に示すように、分枝Ａおよび分
枝Ｂに波長が例えば７８０ｎｍと等しく、同相の光Ｌ
１，Ｌ２をそれぞれ入力すると、分枝Ａ，Ｂに偶モード
が励振され、結合光導波路で基本モード（０次モード）
に変換される。
枝Ｂに波長が例えば７８０ｎｍと等しく、同相の光Ｌ
１，Ｌ２をそれぞれ入力すると、分枝Ａ，Ｂに偶モード
が励振され、結合光導波路で基本モード（０次モード）
に変換される。
【００５２】通常、結合光導波路に生じる偶モードは等
価屈折率の高い光導波路に大きな山を有し、結合光導波
路に生じる奇モードは等価屈折率の低い光導波路に大き
な山を有する。したがって、基本モードの光は等価屈折
率の高い光導波路に出力され、１次モードの光は等価屈
折率の低い光導波路に出力される。
価屈折率の高い光導波路に大きな山を有し、結合光導波
路に生じる奇モードは等価屈折率の低い光導波路に大き
な山を有する。したがって、基本モードの光は等価屈折
率の高い光導波路に出力され、１次モードの光は等価屈
折率の低い光導波路に出力される。
【００５３】しかしながら、本実施例の光機能素子で
は、光Ｌ１，Ｌ２の光強度が小さいときに可飽和吸収層
５により分枝Ｃにおける光の吸収損失が大きくなるた
め、図８（ａ）に示すように、基本モードの光のほとん
どが吸収損失の小さい分枝Ｄに伝搬し、出力光Ｌ３とし
て出力される。
は、光Ｌ１，Ｌ２の光強度が小さいときに可飽和吸収層
５により分枝Ｃにおける光の吸収損失が大きくなるた
め、図８（ａ）に示すように、基本モードの光のほとん
どが吸収損失の小さい分枝Ｄに伝搬し、出力光Ｌ３とし
て出力される。
【００５４】光Ｌ１，Ｌ２の光強度を増加させると、あ
る値の光強度で可飽和吸収層５の吸収係数が急激に低下
し、分枝Ｃにおける光の吸収損失が小さくなる。その結
果、図８（ｂ）に示すように、基本モードの光のほとん
どが等価屈折率の高い分枝Ｃへ伝搬し、出力光Ｌ３とし
て出力される。
る値の光強度で可飽和吸収層５の吸収係数が急激に低下
し、分枝Ｃにおける光の吸収損失が小さくなる。その結
果、図８（ｂ）に示すように、基本モードの光のほとん
どが等価屈折率の高い分枝Ｃへ伝搬し、出力光Ｌ３とし
て出力される。
【００５５】一方、図９（ａ）に示すように、分枝Ａお
よび分枝Ｂに波長の等しい逆相の光Ｌ１，Ｌ２をそれぞ
れ入力すると、分枝Ａ，Ｂに奇モードが励振され、結合
光導波路で１次モードに変換される。そのため、光強度
が小さいときには吸収損失の小さい分枝Ｄに出力光Ｌ３
として出力される。光強度を増加させると、可飽和吸収
層の吸収係数は急激に低下するが、この場合も等価屈折
率の小さい分枝Ｄに出力光Ｌ３として出力される。すな
わち、光強度にかかわらず分枝Ｄに出力されることにな
る。光Ｌ１，Ｌ２の光強度を増加させると、ある値の光
強度で可飽和吸収層５の吸収係数が急激に低下し、図９
（ｂ）に示すように、１次モードの光のほとんどが等価
屈折率の低い分枝Ｄへ伝搬し、出力光Ｌ３として出力さ
れる。
よび分枝Ｂに波長の等しい逆相の光Ｌ１，Ｌ２をそれぞ
れ入力すると、分枝Ａ，Ｂに奇モードが励振され、結合
光導波路で１次モードに変換される。そのため、光強度
が小さいときには吸収損失の小さい分枝Ｄに出力光Ｌ３
として出力される。光強度を増加させると、可飽和吸収
層の吸収係数は急激に低下するが、この場合も等価屈折
率の小さい分枝Ｄに出力光Ｌ３として出力される。すな
わち、光強度にかかわらず分枝Ｄに出力されることにな
る。光Ｌ１，Ｌ２の光強度を増加させると、ある値の光
強度で可飽和吸収層５の吸収係数が急激に低下し、図９
（ｂ）に示すように、１次モードの光のほとんどが等価
屈折率の低い分枝Ｄへ伝搬し、出力光Ｌ３として出力さ
れる。
【００５６】この結果、次のような動作が可能になる。
図１０において、光Ｌ１の光強度を図中Ｐとする。最初
光Ｌ２がない状態で、出力光は分枝Ｄに出力されている
とする（図１０（ａ）参照）。ここに光Ｌ１と同相で光
強度が同程度の光Ｌ２を制御光として入力すると、合計
の光強度が図中Ｉ２を越えるため、出力は分枝Ｃに切り
換わる（図１０（ｂ）参照）。光Ｌ２を再びなくして
も、光強度はＩ１以下にならないため、分枝Ｃに出力さ
れたままになる（図１０（ｃ）参照）。この状態で、光
Ｌ２を光Ｌ１と逆相で入力すると、出力は分枝Ｄに切り
換わる（図１０（ｄ）参照）。光Ｌ２をなくしても、や
はり出力は分枝Ｄのままである（図１０（ｅ）参照）。
すなわち、光Ｌ１を変化させることなく、光Ｌ２の位相
によって出力を分枝Ｃと分枝Ｄの間で切り換え、光Ｌ２
がないときには状態を記憶するという光メモリとして動
作する。
図１０において、光Ｌ１の光強度を図中Ｐとする。最初
光Ｌ２がない状態で、出力光は分枝Ｄに出力されている
とする（図１０（ａ）参照）。ここに光Ｌ１と同相で光
強度が同程度の光Ｌ２を制御光として入力すると、合計
の光強度が図中Ｉ２を越えるため、出力は分枝Ｃに切り
換わる（図１０（ｂ）参照）。光Ｌ２を再びなくして
も、光強度はＩ１以下にならないため、分枝Ｃに出力さ
れたままになる（図１０（ｃ）参照）。この状態で、光
Ｌ２を光Ｌ１と逆相で入力すると、出力は分枝Ｄに切り
換わる（図１０（ｄ）参照）。光Ｌ２をなくしても、や
はり出力は分枝Ｄのままである（図１０（ｅ）参照）。
すなわち、光Ｌ１を変化させることなく、光Ｌ２の位相
によって出力を分枝Ｃと分枝Ｄの間で切り換え、光Ｌ２
がないときには状態を記憶するという光メモリとして動
作する。
【００５７】また、第１の実施例と同様に、外部光によ
る制御も可能である。なお、上記第１および第２の実施
例では、可飽和吸収層５が分枝ｂ，Ｃにおけるクラッド
層４上のみに形成されているが、これに限らず、例えば
図１０に示すように、可飽和吸収層５を分枝ｂのクラッ
ド層４を含む矩形の領域に形成してもよい。
る制御も可能である。なお、上記第１および第２の実施
例では、可飽和吸収層５が分枝ｂ，Ｃにおけるクラッド
層４上のみに形成されているが、これに限らず、例えば
図１０に示すように、可飽和吸収層５を分枝ｂのクラッ
ド層４を含む矩形の領域に形成してもよい。
【００５８】また、上記第１および第２の実施例の光機
能素子では、可飽和吸収層５が光導波路の上部に設けら
れているが、可飽和吸収層５を光導波路の下部に設けて
もよく、あるいは可飽和吸収層５を光導波路の側部に設
けてもよい。なお、導波層３下のクラッド層２を設けな
くてもよい。
能素子では、可飽和吸収層５が光導波路の上部に設けら
れているが、可飽和吸収層５を光導波路の下部に設けて
もよく、あるいは可飽和吸収層５を光導波路の側部に設
けてもよい。なお、導波層３下のクラッド層２を設けな
くてもよい。
【００５９】さらに、上記第１および第２の実施例の光
機能素子では、光導波路および可飽和吸収層がＧａＡｌ
Ａｓ系半導体により形成されているが、光導波路および
可飽和吸収層の材料はこれに限定されず、例えば、Ｉｎ
ＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＺｎＳＳｅ系、Ｇａ
ＡｌＮ系、ＩｎＧａＡｌＮ系等の種々の半導体およびこ
れらの混晶や量子井戸を用いてもよい。さらに、ガラス
やＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等の誘電体材料を光導波
路として用い、可飽和吸収層として半導体ドープガラス
を用いてもよい。
機能素子では、光導波路および可飽和吸収層がＧａＡｌ
Ａｓ系半導体により形成されているが、光導波路および
可飽和吸収層の材料はこれに限定されず、例えば、Ｉｎ
ＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＺｎＳＳｅ系、Ｇａ
ＡｌＮ系、ＩｎＧａＡｌＮ系等の種々の半導体およびこ
れらの混晶や量子井戸を用いてもよい。さらに、ガラス
やＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等の誘電体材料を光導波
路として用い、可飽和吸収層として半導体ドープガラス
を用いてもよい。
【００６０】上記第２の実施例の光機能素子において、
信号光ＳＬおよび制御光ＣＬとして７８０ｎｍの半導体
レーザ光を使用したが、信号光ＳＬと制御光ＣＬの波長
が等しい必要はなく、それぞれ可飽和吸収層のバンドギ
ャップにほぼ等しいエネルギーを持つ波長の光であれば
よい。また、それぞれインコヒーレント光であっても構
わない。
信号光ＳＬおよび制御光ＣＬとして７８０ｎｍの半導体
レーザ光を使用したが、信号光ＳＬと制御光ＣＬの波長
が等しい必要はなく、それぞれ可飽和吸収層のバンドギ
ャップにほぼ等しいエネルギーを持つ波長の光であれば
よい。また、それぞれインコヒーレント光であっても構
わない。
【図１】本発明の第１の実施例による光機能素子の模式
的斜視図である。
的斜視図である。
【図２】図１の光機能素子の出力側の分枝の断面図であ
る。
る。
【図３】図１の光機能素子の可飽和吸収層における光強
度と吸収係数との関係を示す図である。
度と吸収係数との関係を示す図である。
【図４】図１の光機能素子の動作の一例を示す図であ
る。
る。
【図５】図１の光機能素子の入力光強度と２つの出力側
の分枝の出力光強度との関係を示す図である。
の分枝の出力光強度との関係を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施例による光機能素子の模式
的斜視図である。
的斜視図である。
【図７】図６の光機能素子の動作の一例を示す図であ
る。
る。
【図８】図６の光機能素子の動作の他の例を示す図であ
る。
る。
【図９】図６の光機能素子の動作の他の例を示す図であ
る。
る。
【図１０】図９の動作における入力光強度と出力光強度
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図１１】可飽和吸収層の他の例を示す平面図である。
【図１２】従来の非線形Ｙ分岐光導波路を示す図であ
る。
る。
【図１３】従来の非線形Ｘ分岐光導波路を示す図であ
る。
る。
１ ＧａＡｓ基板 ２，４ クラッド層 ３ 導波層 ５ 可飽和吸収層 ａ，ｂ，ｃ，Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ 分枝
Claims (3)
- 【請求項１】 入力側光導波路と、 前記入力側光導波路から分岐する複数の出力側光導波路
と、 前記複数の出力側光導波路のいずれかに沿って設けられ
た可飽和吸収層とを備えたことを特徴とする光機能素
子。 - 【請求項２】 互いに合流する複数の入力側光導波路
と、 前記複数の入力側光導波路の合流部から分岐する複数の
出力側光導波路と、 前記複数の出力側光導波路のいずれかに沿って設けられ
た可飽和吸収層とを備えたことを特徴とする光機能素
子。 - 【請求項３】 前記可飽和吸収層は、前記入力側光導波
路への入力光のエネルギーとほぼ等しいエネルギーのバ
ンドギャップを有することを特徴とする請求項１または
２記載の光機能素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9973196A JPH09288288A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 光機能素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9973196A JPH09288288A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 光機能素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09288288A true JPH09288288A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14255208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9973196A Pending JPH09288288A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 光機能素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09288288A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104483803A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-01 | 欧阳征标 | 光子晶体全光自或变换逻辑门 |
| CN104536237A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-22 | 欧阳征标 | 光子晶体全光学抗干扰自锁触发开关 |
| WO2016095849A1 (zh) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | 深圳大学 | 光子晶体全光与变换逻辑门 |
| US10139562B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-11-27 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Planar lightwave circuit-based integrated optical chip |
| JP2020178334A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 方可成 | 多重ビット光コンピューティングシステム |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP9973196A patent/JPH09288288A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104483803A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-01 | 欧阳征标 | 光子晶体全光自或变换逻辑门 |
| CN104536237A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-22 | 欧阳征标 | 光子晶体全光学抗干扰自锁触发开关 |
| WO2016095849A1 (zh) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | 深圳大学 | 光子晶体全光与变换逻辑门 |
| WO2016095845A1 (zh) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | 深圳大学 | 光子晶体全光学抗干扰自锁触发开关 |
| US20170293075A1 (en) * | 2014-12-19 | 2017-10-12 | Ouyang Zhengbiao | Photonic crystal all-optical anti-interference self-locking trigger switch |
| US10416386B2 (en) | 2014-12-19 | 2019-09-17 | Zhengbiao OUYANG | Photonic crystal all-optical anti-interference self-locking trigger switch |
| CN104483803B (zh) * | 2014-12-19 | 2021-05-07 | 深圳大学 | 光子晶体全光自或变换逻辑门 |
| US10139562B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-11-27 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Planar lightwave circuit-based integrated optical chip |
| JP2020178334A (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 方可成 | 多重ビット光コンピューティングシステム |
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