JPH09284001A - パルス出力回路 - Google Patents

パルス出力回路

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JPH09284001A
JPH09284001A JP9213796A JP9213796A JPH09284001A JP H09284001 A JPH09284001 A JP H09284001A JP 9213796 A JP9213796 A JP 9213796A JP 9213796 A JP9213796 A JP 9213796A JP H09284001 A JPH09284001 A JP H09284001A
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JP
Japan
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transfer gate
channel transistor
signal
pulse
input signal
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Pending
Application number
JP9213796A
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English (en)
Inventor
Tetsuya Matsumoto
哲也 松本
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】パルス出力回路で発生する高調波ノイズを低減
する。 【解決手段】一端を電源に接続し第1のパルス入力信号
と第1のパルス入力信号の逆相信号である第2のパルス
入力信号により導通および非導通を制御する第1のトラ
ンスファゲートと、一端を基準電位点に接続し第1のパ
ルス入力信号と第2のパルス入力信号により第1のトラ
ンスファゲートの導通および非導通とは逆の状態に制御
する第2のトランスファゲートとを含むパルス出力回路
において、第1のトランスファゲートの他端を第2のト
ランスファゲートの他端と接続して信号出力端とし、こ
の出力端の立上りおよび立下り電圧波形を実質的に等し
くする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路に適
用可能なパルス出力回路に関し、特にパルス密度変調等
のディジタル信号すなわち本来はアナログ量である信号
をディジタル化したパルス信号の出力回路に関する。
【0002】
【従来の技術】パルス密度変調(以下PDMという)技
術は、通信分野に限らずオーディオ分野にも広く用いら
れるようになり最近重要性が高まっている。
【0003】PDMの動作原理を図7を参照して説明す
る。アナログ信号のレベルを“1”のパルス信号の単位
時間内の密度(パルス数)に比例して対応させる。すな
わち、同数の“1”と“0”を交互に配列したときを基
準レベル、“1”の方が多いときは基準レベルより大き
いアナログ信号とし、“0”の方が多いときは基準レベ
ルより小さいアナログ信号としてアナログ信号とディジ
タル信号とを対応させる。
【0004】従来のPDM回路の出力部を図8を参照し
て説明すると、ソースを電源に接続しゲートを入力端子
1に接続したPチャネルトランジスタP1と、ソースを
接地に接続しゲートを入力端子1に接続しドレインをP
チャネルトランジスタP1のドレインに接続したNチャ
ネルトランジスタN1とから構成されるインバータ2
と、このインバータ2の出力端子からの信号の低周波領
域を通過させるローパスフィルタ3とから構成されてい
る。
【0005】このPDM回路の出力部において電源Vd
dの電圧を5Vとし、入力信号INとして“1”レベル
および“0”レベルが交互に等しく繰り返えされる信号
が入力されると、インバータ2からは5Vおよび0Vの
信号が交互に等しく出力され、ローパスフィルタ3の出
力端子4に生じるアナログ信号Voは2.5Vの基準レ
ベルとなる。いま、図7のAに示すように入力信号IN
として“1”レベルの方が“0”レベルより多く配置さ
れた信号がインバータ2に入力すると、アナログ信号V
oは2.5Vより高い電圧レベルとなり、また図7のB
に示すように0”レベルの方が“1”レベルより多く配
置された信号がインバータ2に入力すると、アナログ信
号Voは2.5Vより低い電圧レベルとなる。こうし
て、1ビットのディジタル信号がアナログ信号に変換さ
れる。
【0006】ところで、図8に示したインバータ2を構
成するPチャネルトランジスタP1およびNチャネルト
ランジスタN1は、その静特性においてドレイン・ソー
ス間電圧とドレイン電流は3極管領域では比例しないた
め、ドレイン抵抗はドレイン・ソース間電圧に依存する
非線形抵抗となる。そしてその値は、Pチャネルトラン
ジスタとNチャネルトランジスタとでは一般に異なって
いる。図9に、図8に示すインバータ2の出力をシミュ
レーションした信号波形図を示すが、図9からわかるよ
うにインバータ2の立上りと立下り電圧波形は相似形で
なく、入力信号INが“1”レベルと“0”レベルの交
互の直流信号に相当する信号であっても、図8のローパ
スフィルタ3のアナログ信号Voは基準レベルの2.5
Vとはならない。また、入力信号INとして直流信号に
相当するPDM信号をインバータ2に入力した場合、イ
ンバータ2の立上りと立下り電圧波形が異なるためにア
ナログ信号Voに高調波ノイズが発生する。これを図1
0を参照して説明すると、図10は図8で立上り時間5
n秒、立下り時間10n秒のインバータ2の入力に直流
信号に相当するPDM信号を入力し、ローパスフィルタ
3のアナログ信号VoをFFT(高速フーリエ変換)し
たものであり、a,b,cに示すように60dB程度の
高調波ノイズが発生している。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のPDM
回路の出力部を構成するインバータ2は、Pチャネルト
ランジスタP1,NチャネルトランジスタN1がその静
特性における3極管領域で非線形のドレイン抵抗をもつ
ため、インバータ2の立上りと立下り出力電圧波形が異
なっており、ローパスフィルタ3のアナログ信号Voに
基準レベルのずれや高調波ノイズが発生するという問題
点がある。設計上、PチャネルトランジスタP1とNチ
ャネルトランジスタN1のチャネル長およびチャネル幅
を最適化してインバータ2の出力の立上り時間と立下り
時間を等しくすることは可能であるが、トランジスタの
プロセスパラメータのばらつきによって、Pチャネルト
ランジスタP1とNチャネルトランジスタN1のバラン
スがくずれ、PDM回路を搭載した集積回路を量産する
際にはインバータ2の立上りと立下り出力電圧波形を実
質的に等しくすることは困難である。さらに、Pチャネ
ルトランジスタP1とNチャネルトランジスタN1のド
レインどうしが直結されているため、インバータ2に貫
通電流が流れ消費電力が増大するという問題点がある。
【0008】本発明の目的は、アナログ信号Voの基準
レベルのずれや高調波ノイズが発生するのを防止すると
共に、インバータの貫通電流を抑えて消費電力を低減す
ることができるパルス出力回路を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のパルス出力回路
は、一端を電源に接続し第1のパルス入力信号と前記第
1のパルス入力信号の逆相信号である第2のパルス入力
信号により導通および非導通を制御する第1のトランス
ファゲートと、一端を基準電位点に接続し前記第1のパ
ルス入力信号と前記第2のパルス入力信号により前記第
1のトランスファゲートの導通および非導通とは逆の状
態に制御する第2のトランスファゲートとを含むパルス
出力回路において、前記第1のトランスファゲートの他
端を前記第2のトランスファゲートの他端と接続して信
号出力端とすることを特徴としている。
【0010】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例について図面
を参照して説明する。
【0011】図1は本発明の一つの実施の形態を示す回
路図である。
【0012】本発明の実施の形態のパルス出力回路10
は、ソースおよびドレインをそれぞれ共通接続したPチ
ャネルトランジスタP2とNチャネルトランジスタN2
とから構成されるトランスファゲート8と、ソースおよ
びドレインをそれぞれ共通接続したPチャネルトランジ
スタP3とNチャネルトランジスタN3とから構成され
るトランスファゲート9と、トランスファゲート7,8
のゲートにそれぞれ接続される入力端子1,5と出力端
6とを備えている。
【0013】次に本発明の実施の形態のパルス出力回路
10の動作について説明する。
【0014】まず、入力信号INがハイレベルからロウ
レベルへ入力信号INバーがロウレベルからハイレベル
へ変化すると、PチャネルトランジスタP2およびNチ
ャネルトランジスタN2がともにオンに、Pチャネルト
ランジスタP3およびNチャネルトランジスタN3がと
もにオフへと変化し、電源Vddからトランスファゲー
ト8およびパルス出力回路の出力端6を介してローパス
フィルタの入力端子7に電流が流れ、入力端子7に接続
している負荷を充電する。
【0015】次に、入力信号INがロウレベルからハイ
レベルへ入力信号INバーがハイレベルからロウレベル
へ変化すると、PチャネルトランジスタP2およびNチ
ャネルトランジスタN2がともにオフに、Pチャネルト
ランジスタP3およびNチャネルトランジスタN3がと
もにオンへと変化し、ローパスフィルタ3の入力端子7
からパルス出力回路の出力端6およびトランスファゲー
ト9を介して接地に電流が流れ、出力端6はハイレベル
からロウレベルへと変化する。
【0016】製造工程においてプロセスパラメータが変
動し、PチャネルトランジスタP2,P3およびNチャ
ネルトランジスタN2,N3の特性が変化しても、Pチ
ャネルトランジスタP2、P3どうしおよびNチャネル
トランジスタN2,N3どうしの特性は相互に相関関係
を保っているので、PチャネルトランジスタP2,P3
およびNチャネルトランジスタN2,N3のトランジス
タサイズをそれぞれ同一にすれば、トランスファゲート
8とトランスファゲート9のオン抵抗は入力電圧によら
ず同一となる。このため、ローパスフィルタ3のアナロ
グ信号Voの立上り波形と立下り波形は実質的に等しく
なり、アナログ信号Voに重畳する高調波ノイズは従来
に較べて大幅に改善する。これを図3を参照して説明す
ると、図3は図1で入力信号IN,INバーに直流成分
に相当するパルス信号を入力し、ローパスフィルタ3の
アナログ信号VoをFFT解析したグラフである。オフ
セット分を差し引いた高調波ノイズのみを図10に示す
従来の高調波ノイズと比較すると、従来例に較べて10
0dB以上S/Nが改善されることがわかる。
【0017】また、一般的にPチャネルトランジスタ単
体、Nチャネルトランジスタ単体およびトランスファゲ
ートの入力電圧に対するオン抵抗の変化は、図4のよう
になることが知られている。図4からわかるように、ト
ランスファゲートのオン抵抗はPチャネルトランジスタ
単体およびNチャネルトランジスタ単体のオン抵抗に較
べて低く、かつ電圧依存性が少ない。このため、本発明
によるパルス出力回路10はトランスファゲート8,9
のオン抵抗が小さいことと入力信号IN,INバーの立
上りおよび立下り電圧にあまり依存せずにオン抵抗が決
まるため、パルス出力回路10の出力インピーダンスの
非線形性に起因する高調波ノイズの発生が少ない。
【0018】さらに、PチャネルトランジスタP2,P
3およびNチャネルトランジスタN2,N3のトランジ
スタサイズをそれぞれ等しくすると、トランスファゲー
ト8とトランスファゲート9のオン抵抗の温度特性は等
しくなるので、温度変化があってもパルス出力回路の立
上りおよび立下り電圧波形は実質的に同一となり、ロー
パスフィルタ3の出力電圧Voに高調波ノイズは発生し
ない。
【0019】また、図5に示すようにPチャネルトラン
ジスタP2とNチャネルトランジスタN2のゲート・ソ
ース間あるいはゲート・ドレイン間には寄生容量Cp,
Cnが存在しており、図8に示す従来のインバータ2で
はゲートに印加されたパルス信号がこれらの寄生容量を
介してノイズとして出力に漏れてくる。いま、図6
(a)に示すパルス信号が図5のPチャネルトランジス
タP2のゲートに印加され、図6(b)に示す(a)と
逆相信号であるパルス信号が図5のNチャネルトランジ
スタN2のゲートに印加されたとすると、図6(c)に
示すノイズが寄生容量Cpを介して出力端に生じ、図6
(d)に示すノイズが寄生容量Cnを介して出力端に生
じるが、(c)および(d)からわかるようにそれぞれ
のノイズは逆相であるため、出力端6では互いに打ち消
し合う。従って、本実施例によるパルス出力回路10は
MOSトランジスタの寄生容量に起因するノイズに強い
という特徴がある。
【0020】次に、図1,図2を参照して本発明の第2
の実施例の形態について説明する。なお、図2において
図1と共通の構成要素には共通の参照文字/数字を付し
てある。
【0021】本実施の形態によるパルス出力回路11
は、第1の実施の形態によるパルス出力回路10のトラ
ンスファゲート8と出力端6との間に抵抗R1を、トラ
ンスファゲート9と出力端6との間に抵抗R2を設けた
ものである。抵抗R1または抵抗R2によって、出力端
6の立上りまたは立下り時の貫通電流を抑制することが
でき貫通電流を低減することができる。また、抵抗R1
と抵抗R2をポリシリコン抵抗などの同一種類で形成し
かつ抵抗値を等しくすると、抵抗R1と抵抗R2の相対
比は精度よく制御できるので、パルス出力回路11の立
上りおよび立下り電圧波形は第1の実施の形態に対して
実質的に一層等しくなる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、本発明に
よるパルス出力回路は立上りと立下り出力電圧波形が実
質的に等しいので、ローパスフィルタの出力電圧に重畳
して発生する高調波ノイズを大幅に改善することができ
る。また、パルス出力回路の立上りおよび立下り時の出
力電圧波形に影響する2つのトランスファゲートの特性
の整合がとれており、かつ出力インピーダンスの電圧依
存性が小さいので、製造工程でのトランジスタパラメー
タや本発明によるパルス出力回路を搭載した集積回路の
使用温度が変化しても、安定して高調波ノイズを抑制す
ることができる。
【0023】さらに、トランスファゲートを構成するP
チャネルトランジスタとNチャネルトランジスタの各ゲ
ートに寄生する寄生容量によりパルス出力回路の出力端
に発生するノイズは、Pチャネルトランジスタで発生す
るノイズとNチャネルトランジスタで発生するノイズが
互いに打ち消し合うので、MOSトランジスタの寄生容
量に起因する誤動作は生じない。
【0024】また、第2の実施例においてはトランスフ
ァゲートに流れる貫通電流を抵抗によって抑えることが
できるので、消費電力を低減することができる効果があ
る。
【0025】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す回路図であ
る。
【図2】本発明の第2の実施の形態を示す回路図であ
る。
【図3】図1のローパスフィルタのアナログ信号Voを
FFTしたグラフである。
【図4】Pチャネルトランジスタ、Nチャネルトランジ
スタ、トランスファゲートそれぞれのオン抵抗と入力電
圧との関係を表したグラフである。
【図5】MOSトランジスタのゲートに寄生する寄生容
量を含むパルス出力回路の一部を表す等価回路図であ
る。
【図6】図5に示すトランスファゲートにパルス信号が
入力した場合に、トランスファゲートの出力端に生じる
ノイズを説明するための波形図である。
【図7】PDMの動作原理を説明するための図である。
【図8】従来例を示す回路図である。
【図9】図8に示すインバータの出力端に於ける電圧波
形を示す図である。
【図10】図8の回路において、入力に直流成分に相当
するパルス信号を入力し、ローパスフィルタのアナログ
信号をFFTしたグラフである。
【符号の説明】
1,5,7 入力端子 2 インバータ 3 ローパスフィルタ 4 出力端子 6 出力端 8,9 トランスファゲート P1,P2,P3 Pチャネルトランジスタ N1,N2,N3 Nチャネルトランジスタ R1,R2 抵抗 Cp,Cn 寄生容量

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一端を電源に接続し第1のパルス入力信
    号と前記第1のパルス入力信号の逆相信号である第2の
    パルス入力信号により導通および非導通を制御する第1
    のトランスファゲートと、 一端を基準電位点に接続し前記第1のパルス入力信号と
    前記第2のパルス入力信号により前記第1のトランスフ
    ァゲートの導通および非導通とは逆の状態に制御する第
    2のトランスファゲートとを含むパルス出力回路におい
    て、 前記第1のトランスファゲートの他端を前記第2のトラ
    ンスファゲートの他端と接続して信号出力端とすること
    を特徴とするパルス出力回路。
  2. 【請求項2】前記第1のトランスファゲートを構成する
    第1のPチャネルトランジスタおよび第1のNチャネル
    トランジスタと、 前記第2のトランスファゲートを構成する第2のPチャ
    ネルトランジスタおよび第2のNチャネルトランジスタ
    において、 前記第1のPチャネルトランジスタと前記第2のPチャ
    ネルトランジスタおよび前記第1のNチャネルトランジ
    スタと前記第2のNチャネルトランジスタはそれぞれ同
    一サイズであることを特徴とする請求項1記載のパルス
    出力回路。
  3. 【請求項3】 一端を電源に接続し第1のパルス入力信
    号と前記第1のパルス入力信号の逆相信号である第2の
    パルス入力信号により導通および非導通を制御する第1
    のトランスファゲートと、 一端を基準電位点に接続し前記第1のパルス入力信号と
    前記第2のパルス入力信号により前記第1のトランスフ
    ァゲートの導通および非導通とは逆の状態に制御する第
    2のトランスファゲートと前記第1のトランスファゲー
    トの他端を一端に接続した第1の抵抗と、 前記第2のトランスファゲートの他端を一端に接続した
    第2の抵抗とを含むパルス出力回路において、 前記第1の抵抗の他端を前記第2の抵抗の他端に接続し
    て信号出力端とすることを特徴とするパルス出力回路。
  4. 【請求項4】 前記第1の抵抗の抵抗値と前記第2の抵
    抗の抵抗値とを等しくした請求項3記載のパルス出力回
    路。
JP9213796A 1996-04-15 1996-04-15 パルス出力回路 Pending JPH09284001A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199425A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置のセルレイアウト方法及び半導体装置
CN102420578A (zh) * 2010-09-27 2012-04-18 安凯(广州)微电子技术有限公司 一种片上低通滤波器

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199425A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置のセルレイアウト方法及び半導体装置
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Legal Events

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Effective date: 19991109