JPH09283829A - 周波数安定化半導体レーザ光源 - Google Patents
周波数安定化半導体レーザ光源Info
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- JPH09283829A JPH09283829A JP9224196A JP9224196A JPH09283829A JP H09283829 A JPH09283829 A JP H09283829A JP 9224196 A JP9224196 A JP 9224196A JP 9224196 A JP9224196 A JP 9224196A JP H09283829 A JPH09283829 A JP H09283829A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】動作温度範囲が広く、しかも長期にわたって周
波数を安定に制御できる周波数安定化半導体レーザ光源
を実現する。 【解決手段】特定の周波数で吸収線を持つ吸収セルを透
過した半導体レーザの光信号を半導体レーザを電流変調
する変調周波数で同期検波することにより半導体レーザ
の発振周波数と吸収セルの周波数との周波数差を得て、
この周波数差が零になるように半導体レーザの駆動電流
を制御する駆動電流制御部と、半導体レーザの温度を制
御する温度制御部より構成され、周波数を安定化する周
波数安定化半導体レーザ光源において、温度制御部を、
予め設定した温度制御点の信号と、半導体レーザの温度
を検出する温度センサからの出力と、周波数差の信号に
基づいて、半導体レーザの温度を制御する信号を出力す
るように構成する。
波数を安定に制御できる周波数安定化半導体レーザ光源
を実現する。 【解決手段】特定の周波数で吸収線を持つ吸収セルを透
過した半導体レーザの光信号を半導体レーザを電流変調
する変調周波数で同期検波することにより半導体レーザ
の発振周波数と吸収セルの周波数との周波数差を得て、
この周波数差が零になるように半導体レーザの駆動電流
を制御する駆動電流制御部と、半導体レーザの温度を制
御する温度制御部より構成され、周波数を安定化する周
波数安定化半導体レーザ光源において、温度制御部を、
予め設定した温度制御点の信号と、半導体レーザの温度
を検出する温度センサからの出力と、周波数差の信号に
基づいて、半導体レーザの温度を制御する信号を出力す
るように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、周波数安定化半導
体レーザ光源に関し、特に半導体レーザの温度制御にお
いて動作温度範囲を拡張するための改善に関するもので
ある。
体レーザ光源に関し、特に半導体レーザの温度制御にお
いて動作温度範囲を拡張するための改善に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の周波数安定化半導体レーザ光源の
一例を図５に示す。図５において、１は半導体レーザ、
２は半導体レーザ１の出力光を２つに分けるビームスプ
リッタ、３は例えばＣ2Ｈ2分子等の標準物質を封入した
吸収セル、４は吸収セル３を通過した光を検出する受光
素子、５は半導体レーザ１の電流変調信号を発生する発
振器、６は同期検波回路、７は半導体レーザ１の発振周
波数を制御する電流制御回路、８は半導体レーザ１の温
度を検出する温度センサ、９は温度センサ８の出力を参
照して半導体レーザ１の温度を制御する温度制御回路で
ある。１０は恒温槽であり、ここには半導体レーザ１と
温度センサ８とが収納される。
一例を図５に示す。図５において、１は半導体レーザ、
２は半導体レーザ１の出力光を２つに分けるビームスプ
リッタ、３は例えばＣ2Ｈ2分子等の標準物質を封入した
吸収セル、４は吸収セル３を通過した光を検出する受光
素子、５は半導体レーザ１の電流変調信号を発生する発
振器、６は同期検波回路、７は半導体レーザ１の発振周
波数を制御する電流制御回路、８は半導体レーザ１の温
度を検出する温度センサ、９は温度センサ８の出力を参
照して半導体レーザ１の温度を制御する温度制御回路で
ある。１０は恒温槽であり、ここには半導体レーザ１と
温度センサ８とが収納される。
【０００３】このような構成において、半導体レーザ１
の出力光はビームスプリッタ２で２分され、入射光の一
部は出力光として出力され、入射光の残りは反射されて
吸収セル３に入射する。吸収セル３を透過すると、吸収
セル内に封入されている標準物質（例えばＣ2Ｈ2分子）
により特定周波数に吸収が生じる。この透過光は受光素
子４により検出され電気信号に変換される。
の出力光はビームスプリッタ２で２分され、入射光の一
部は出力光として出力され、入射光の残りは反射されて
吸収セル３に入射する。吸収セル３を透過すると、吸収
セル内に封入されている標準物質（例えばＣ2Ｈ2分子）
により特定周波数に吸収が生じる。この透過光は受光素
子４により検出され電気信号に変換される。
【０００４】同期検波回路６は、電流変調周波数である
発振器５の出力信号に基づき前記受光素子４の出力信号
を同期検波することにより微分波形が得られる。更に詳
述すれば、図６の（Ａ）に示すような吸収特性を持つ吸
収セル３を透過した光信号（受光素子４の出力信号）を
同期検波回路６で同期検波すると同図（Ｂ）に示すよう
な微分波形の信号が出力される。
発振器５の出力信号に基づき前記受光素子４の出力信号
を同期検波することにより微分波形が得られる。更に詳
述すれば、図６の（Ａ）に示すような吸収特性を持つ吸
収セル３を透過した光信号（受光素子４の出力信号）を
同期検波回路６で同期検波すると同図（Ｂ）に示すよう
な微分波形の信号が出力される。
【０００５】この信号（電圧信号）は、半導体レーザ１
の発振周波数が吸収線周波数の中心と一致しているとき
は零となり、半導体レーザ１の発振周波数が吸収線周波
数の中心から外れるとその高低に応じて正負の電圧出力
となる。要するにこの同期検波回路６を含む回路部分で
周波数弁別を行っている。
の発振周波数が吸収線周波数の中心と一致しているとき
は零となり、半導体レーザ１の発振周波数が吸収線周波
数の中心から外れるとその高低に応じて正負の電圧出力
となる。要するにこの同期検波回路６を含む回路部分で
周波数弁別を行っている。
【０００６】前記微分波形の変曲点に半導体レーザ１の
発振周波数を制御すれば、発振周波数が標準物質の吸収
線の中心に制御され、周波数の安定化を実現することが
できる。電流制御回路７は同期検波回路６の出力に対応
した電流を発振器５からの出力周波数で変調して出力す
る。この電流信号は半導体レーザ１に供給され、半導体
レーザ１の発振周波数を制御する。すなわち、電流制御
回路７は半導体レーザ１をその発振周波数が前記微分波
形の変曲点に、換言すれば吸収線周波数の中心に、一致
するよう電流駆動する。
発振周波数を制御すれば、発振周波数が標準物質の吸収
線の中心に制御され、周波数の安定化を実現することが
できる。電流制御回路７は同期検波回路６の出力に対応
した電流を発振器５からの出力周波数で変調して出力す
る。この電流信号は半導体レーザ１に供給され、半導体
レーザ１の発振周波数を制御する。すなわち、電流制御
回路７は半導体レーザ１をその発振周波数が前記微分波
形の変曲点に、換言すれば吸収線周波数の中心に、一致
するよう電流駆動する。
【０００７】半導体レーザ１および温度センサ８は恒温
槽１０の内部に配設されている。温度センサ８は半導体
レーザ１の温度を検出し、その出力は温度制御回路９に
入力される。温度制御回路９は予め設定した設定温度と
温度センサ８での検出温度との差を検出し、温度差が零
になるように恒温槽１０の温度を制御する。
槽１０の内部に配設されている。温度センサ８は半導体
レーザ１の温度を検出し、その出力は温度制御回路９に
入力される。温度制御回路９は予め設定した設定温度と
温度センサ８での検出温度との差を検出し、温度差が零
になるように恒温槽１０の温度を制御する。
【０００８】一般に半導体レーザ１の発振周波数は温度
に影響され易く、温度に比例して発振周波数も変化す
る。そのため半導体レーザ１を恒温槽１０内に設け、恒
温槽１０の温度を温度センサ８で検出し、この検出温度
に基づいて温度制御回路９により半導体レーザ１の温度
を制御することにより、発振周波数がより安定化された
出力光を得ることができる。
に影響され易く、温度に比例して発振周波数も変化す
る。そのため半導体レーザ１を恒温槽１０内に設け、恒
温槽１０の温度を温度センサ８で検出し、この検出温度
に基づいて温度制御回路９により半導体レーザ１の温度
を制御することにより、発振周波数がより安定化された
出力光を得ることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな周波数安定化半導体レーザ光源では、半導体レーザ
１と温度センサ８の間の熱抵抗が大きい場合、制御点
（設定温度）と半導体レーザの温度との誤差は大きくな
る。半導体レーザの発振周波数は温度変化に大きく影響
されるため、周囲温度が大きく変化すると周波数偏差も
大きくなり、電流による半導体レーザの周波数制御の範
囲を越えてしまい周波数の安定化が困難となる。
うな周波数安定化半導体レーザ光源では、半導体レーザ
１と温度センサ８の間の熱抵抗が大きい場合、制御点
（設定温度）と半導体レーザの温度との誤差は大きくな
る。半導体レーザの発振周波数は温度変化に大きく影響
されるため、周囲温度が大きく変化すると周波数偏差も
大きくなり、電流による半導体レーザの周波数制御の範
囲を越えてしまい周波数の安定化が困難となる。
【００１０】そこで、周囲温度をモニタし、周囲温度の
変化に対して制御点を補正する回路を設ければ、動作温
度範囲を広くすることができることが分かる。これを実
現するための方式として、周囲温度変化に応じて温度制
御点を補正するために温度センサを付加する方式を本願
出願人は出願した（特開平６−７３１２６）。しかしな
がらこの場合、周囲温度変化に対して周波数制御量がど
のくらい変化するのか予め測定し、補償量を決める必要
がある。また、補償量は使用する半導体レーザによりば
らつきがあり、各光源ごとに測定する必要があり、問題
である。
変化に対して制御点を補正する回路を設ければ、動作温
度範囲を広くすることができることが分かる。これを実
現するための方式として、周囲温度変化に応じて温度制
御点を補正するために温度センサを付加する方式を本願
出願人は出願した（特開平６−７３１２６）。しかしな
がらこの場合、周囲温度変化に対して周波数制御量がど
のくらい変化するのか予め測定し、補償量を決める必要
がある。また、補償量は使用する半導体レーザによりば
らつきがあり、各光源ごとに測定する必要があり、問題
である。
【００１１】また、半導体レーザは一定の温度、注入電
流の動作であっても波長が経時変化するため、長期にわ
たって吸収線に周波数制御できないという問題がある。
流の動作であっても波長が経時変化するため、長期にわ
たって吸収線に周波数制御できないという問題がある。
【００１２】本発明の目的は、このような点に鑑み、周
囲温度変化によりドリフトする半導体レーザの注入電流
に対する制御量により温度制御点を補正する回路を付加
することにより、動作温度範囲が広く、しかも長期にわ
たって周波数を安定に制御できる周波数安定化半導体レ
ーザ光源を実現することにある。
囲温度変化によりドリフトする半導体レーザの注入電流
に対する制御量により温度制御点を補正する回路を付加
することにより、動作温度範囲が広く、しかも長期にわ
たって周波数を安定に制御できる周波数安定化半導体レ
ーザ光源を実現することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明では、特定の周波数で吸収線を持つ吸収
セルを透過した半導体レーザの光信号を半導体レーザを
電流変調する変調周波数で同期検波することにより前記
半導体レーザの発振周波数と前記吸収セルの特定の周波
数との周波数差を得て、この周波数差が零になるように
前記半導体レーザの駆動電流を制御する駆動電流制御部
と、前記半導体レーザの温度を制御する温度制御部より
構成され、周波数を安定化する周波数安定化半導体レー
ザ光源において、前記温度制御部は、予め設定した温度
制御点の信号と、前記半導体レーザの温度を検出する温
度センサからの出力と、前記周波数差の信号に基づい
て、半導体レーザの温度を制御する信号を出力するよう
に構成されたことを特徴とする。
るために本発明では、特定の周波数で吸収線を持つ吸収
セルを透過した半導体レーザの光信号を半導体レーザを
電流変調する変調周波数で同期検波することにより前記
半導体レーザの発振周波数と前記吸収セルの特定の周波
数との周波数差を得て、この周波数差が零になるように
前記半導体レーザの駆動電流を制御する駆動電流制御部
と、前記半導体レーザの温度を制御する温度制御部より
構成され、周波数を安定化する周波数安定化半導体レー
ザ光源において、前記温度制御部は、予め設定した温度
制御点の信号と、前記半導体レーザの温度を検出する温
度センサからの出力と、前記周波数差の信号に基づい
て、半導体レーザの温度を制御する信号を出力するよう
に構成されたことを特徴とする。
【００１４】温度制御部は、半導体レーザの周囲温度と
温度制御点との差を考慮して温度制御するだけでなく、
駆動電流制御部で検出された周波数差も併せて考慮して
温度制御する。これにより、周囲温度変動によりレーザ
の発振周波数の変化があっても温度制御の方に振り替え
られて制御されるため、半導体レーザへの注入電流の制
御量が制御範囲を越えて周波数制御ができなくなるとい
う事態は避けられる。
温度制御点との差を考慮して温度制御するだけでなく、
駆動電流制御部で検出された周波数差も併せて考慮して
温度制御する。これにより、周囲温度変動によりレーザ
の発振周波数の変化があっても温度制御の方に振り替え
られて制御されるため、半導体レーザへの注入電流の制
御量が制御範囲を越えて周波数制御ができなくなるとい
う事態は避けられる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明を詳しく
説明する。図１は本発明に係る周波数安定化半導体レー
ザ光源の一実施例を示す構成図である。なお、図５と同
等部分には同一符号を付してある。
説明する。図１は本発明に係る周波数安定化半導体レー
ザ光源の一実施例を示す構成図である。なお、図５と同
等部分には同一符号を付してある。
【００１６】図において、１は半導体レーザ、２はビー
ムスプリッタ、３は例えばHCN分子を封入した吸収セ
ル、４は受光素子、５は発振器である。６は同期検波回
路であり、受光素子４の出力を発振器５の出力で同期検
波し、半導体レーザ１の周波数と吸収セル３の吸収線の
中心周波数との誤差信号を出力する。
ムスプリッタ、３は例えばHCN分子を封入した吸収セ
ル、４は受光素子、５は発振器である。６は同期検波回
路であり、受光素子４の出力を発振器５の出力で同期検
波し、半導体レーザ１の周波数と吸収セル３の吸収線の
中心周波数との誤差信号を出力する。
【００１７】６ａは電流制御用のＰＩＤ（比例・積分・
微分）回路、７は半導体レーザ１の注入電流を制御する
電流制御回路、８は半導体レーザ１の温度をモニタする
温度センサ、１０は恒温槽、１３は注入電流の制御信号
の周波数帯域を調整して温度制御系に加えるための低域
ろ波器、１４はＰＩＤ回路、９ａは温度センサ８とＰＩ
Ｄ回路１４の出力から半導体レーザ１の温度を制御する
温度制御回路である。
微分）回路、７は半導体レーザ１の注入電流を制御する
電流制御回路、８は半導体レーザ１の温度をモニタする
温度センサ、１０は恒温槽、１３は注入電流の制御信号
の周波数帯域を調整して温度制御系に加えるための低域
ろ波器、１４はＰＩＤ回路、９ａは温度センサ８とＰＩ
Ｄ回路１４の出力から半導体レーザ１の温度を制御する
温度制御回路である。
【００１８】温度制御回路９ａにおいて、１６は電流
源、１８は帰還抵抗１７を有する第１の増幅器、２０は
電圧源、２３は帰還抵抗２２を有する第２の増幅器、２
４は制御回路である。増幅器１８には温度センサ８の出
力と電流源１６の電流が入力され、その出力は抵抗１９
を介して増幅器２３に加えられる。増幅器２３にはまた
抵抗２１を介して電圧源２０の電圧が印加されると共に
抵抗１５を介してＰＩＤ回路１４の出力が加えられる。
源、１８は帰還抵抗１７を有する第１の増幅器、２０は
電圧源、２３は帰還抵抗２２を有する第２の増幅器、２
４は制御回路である。増幅器１８には温度センサ８の出
力と電流源１６の電流が入力され、その出力は抵抗１９
を介して増幅器２３に加えられる。増幅器２３にはまた
抵抗２１を介して電圧源２０の電圧が印加されると共に
抵抗１５を介してＰＩＤ回路１４の出力が加えられる。
【００１９】なお、ここでは、吸収セル３、受光素子
４、発振器５、同期検波回路６、ＰＩＤ回路６ａから成
る部分を駆動電流制御部という。また、温度制御回路９
ａと低域ろ波器１３、ＰＩＤ回路１４、抵抗１５から成
る部分を温度制御部と呼ぶ。
４、発振器５、同期検波回路６、ＰＩＤ回路６ａから成
る部分を駆動電流制御部という。また、温度制御回路９
ａと低域ろ波器１３、ＰＩＤ回路１４、抵抗１５から成
る部分を温度制御部と呼ぶ。
【００２０】このような構成における動作を図２ないし
図４を参照して次に説明する。図５に示す従来例では、
温度センサ８の測定点が一定の温度になるように制御さ
れるため、周囲温度が変化すると半導体レーザ１と温度
センサ８の間の熱抵抗により半導体レーザ１の温度は図
２に示すように制御点（ＴＬＤ０）に対して誤差を生じ
る。
図４を参照して次に説明する。図５に示す従来例では、
温度センサ８の測定点が一定の温度になるように制御さ
れるため、周囲温度が変化すると半導体レーザ１と温度
センサ８の間の熱抵抗により半導体レーザ１の温度は図
２に示すように制御点（ＴＬＤ０）に対して誤差を生じ
る。
【００２１】一般に半導体レーザ１の温度と発振周波数
は図３に示すように比例関係にあり、制御点（ＴＬＤ
０）との誤差は周波数偏差となって電流制御の制御偏差
となる。したがって、周囲温度が大きく変化すると制御
偏差も大きくなり、半導体レーザ１の周波数安定化が困
難となる。また、電流制御のＰＩＤ出力（ＶPID）は図
４に示すように周囲温度に対してほぼ比例関係になる。
この場合半導体レーザ１の発振周波数ドリフトによる誤
差成分も含む。
は図３に示すように比例関係にあり、制御点（ＴＬＤ
０）との誤差は周波数偏差となって電流制御の制御偏差
となる。したがって、周囲温度が大きく変化すると制御
偏差も大きくなり、半導体レーザ１の周波数安定化が困
難となる。また、電流制御のＰＩＤ出力（ＶPID）は図
４に示すように周囲温度に対してほぼ比例関係になる。
この場合半導体レーザ１の発振周波数ドリフトによる誤
差成分も含む。
【００２２】さて、図１において、温度センサ８からは
恒温槽１０内の温度（絶対温度）に比例した電流が出力
され、増幅器１８により電圧に変換される。このとき、
増幅器１８の出力が摂氏に比例した電圧となるように電
流源１６で入力電流を調整する。
恒温槽１０内の温度（絶対温度）に比例した電流が出力
され、増幅器１８により電圧に変換される。このとき、
増幅器１８の出力が摂氏に比例した電圧となるように電
流源１６で入力電流を調整する。
【００２３】他方、電圧源２０の出力電圧により制御点
（ＴＬＤ０）を設定し、増幅器２３により制御点との誤
差信号を出力する。制御回路２４は増幅器２３の出力に
より半導体レーザ１の温度をＰＩＤ制御する。ＰＩＤ回
路６ａの出力は、温度制御に適切な周波数帯域だけを取
り出す低域ろ波器１３と利得調整と制御のためのＰＩＤ
回路１４を通して、温度制御の加算点（増幅器２３の入
力端）に抵抗１５経由で加えられる。
（ＴＬＤ０）を設定し、増幅器２３により制御点との誤
差信号を出力する。制御回路２４は増幅器２３の出力に
より半導体レーザ１の温度をＰＩＤ制御する。ＰＩＤ回
路６ａの出力は、温度制御に適切な周波数帯域だけを取
り出す低域ろ波器１３と利得調整と制御のためのＰＩＤ
回路１４を通して、温度制御の加算点（増幅器２３の入
力端）に抵抗１５経由で加えられる。
【００２４】抵抗１５の大きさは必要な温度補償量から
抵抗１９と２１との大きさの関係で求められる。温度補
償は周囲温度変動によって発生する温度偏差を打ち消す
方向に行われる。したがって、注入電流の制御量は温度
制御に振り替えられるので、半導体レーザ１の発振周波
数の変化があっても電流の制御量が制御範囲を越えるこ
とはない。
抵抗１９と２１との大きさの関係で求められる。温度補
償は周囲温度変動によって発生する温度偏差を打ち消す
方向に行われる。したがって、注入電流の制御量は温度
制御に振り替えられるので、半導体レーザ１の発振周波
数の変化があっても電流の制御量が制御範囲を越えるこ
とはない。
【００２５】なお、本発明の以上の説明は、説明および
例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎな
い。したがって本発明はその本質から逸脱せずに多くの
変更、変形をなし得ることは当業者に明らかである。
例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎな
い。したがって本発明はその本質から逸脱せずに多くの
変更、変形をなし得ることは当業者に明らかである。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、周
囲温度変化に対して半導体レーザの温度制御点を補正す
る回路を付加したことによって動作温度範囲を拡張する
ことができ、外乱に対する余裕が大きくなるという効果
がある。また、長期にわたる安定な周波数制御も可能で
ある。
囲温度変化に対して半導体レーザの温度制御点を補正す
る回路を付加したことによって動作温度範囲を拡張する
ことができ、外乱に対する余裕が大きくなるという効果
がある。また、長期にわたる安定な周波数制御も可能で
ある。
【図１】本発明に係る周波数安定化半導体レーザ光源の
一実施例を示す構成図
一実施例を示す構成図
【図２】半導体レーザの温度特性を示す図
【図３】半導体レーザの周波数特性を示す図
【図４】ＰＩＤ回路の周囲温度に対する出力特性を示す
図
図
【図５】従来の周波数安定化半導体レーザ光源の一例を
示す構成図
示す構成図
【図６】吸収信号と同期検波出力の関係を示す特性曲線
図である。
図である。
１ 半導体レーザ ２ ビームスプリッタ ３ 吸収セル ４ 受光素子 ５ 発振器 ６ 同期検波回路 ６ａ ＰＩＤ回路 ７ 電流制御回路 ８ 温度センサ ９ａ 温度制御回路 １０ 恒温槽 １３ 低域ろ波器 １４ ＰＩＤ回路 １５ 抵抗 １６ 電流源 １７，１９，２１，２２ 抵抗 １８，２３ 増幅器 ２０ 電圧源 ２４ ＰＩＤ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 立川 義彦 東京都武蔵野市中町２丁目９番32号 横河 電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】特定の周波数で吸収線を持つ吸収セルを透
過した半導体レーザの光信号を半導体レーザを電流変調
する変調周波数で同期検波することにより前記半導体レ
ーザの発振周波数と前記吸収セルの特定の周波数との周
波数差を得て、この周波数差が零になるように前記半導
体レーザの駆動電流を制御する駆動電流制御部と、前記
半導体レーザの温度を制御する温度制御部より構成さ
れ、周波数を安定化する周波数安定化半導体レーザ光源
において、 前記温度制御部は、予め設定した温度制御点の信号と、
前記半導体レーザの温度を検出する温度センサからの出
力と、前記周波数差の信号に基づいて、半導体レーザの
温度を制御する信号を出力するように構成されたことを
特徴とする周波数安定化半導体レーザ光源。 - 【請求項２】前記温度制御部は、温度制御に適した周波
数帯域だけの信号を取り出す低域ろ波器と利得調整と制
御のためのＰＩＤ回路を備え、前記低域ろ波器とＰＩＤ
回路を通して周波数差の信号を取り込むように構成した
ことを特徴とする請求項１記載の周波数安定化半導体レ
ーザ光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9224196A JPH09283829A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 周波数安定化半導体レーザ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9224196A JPH09283829A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 周波数安定化半導体レーザ光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283829A true JPH09283829A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14048948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9224196A Pending JPH09283829A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 周波数安定化半導体レーザ光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283829A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114138030A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-03-04 | 西安北方华创微电子装备有限公司 | 温度控制方法和半导体工艺设备 |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP9224196A patent/JPH09283829A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114138030A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-03-04 | 西安北方华创微电子装备有限公司 | 温度控制方法和半导体工艺设备 |
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