JPH09283650A - 気密封着用パッケージ - Google Patents
気密封着用パッケージInfo
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- JPH09283650A JPH09283650A JP8118392A JP11839296A JPH09283650A JP H09283650 A JPH09283650 A JP H09283650A JP 8118392 A JP8118392 A JP 8118392A JP 11839296 A JP11839296 A JP 11839296A JP H09283650 A JPH09283650 A JP H09283650A
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- Japan
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- package
- conductive film
- substrate
- hermetically sealed
- ceramic
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造工数を低減し、コスト低減が計られ、薄
型化しても十分に耐力のある機械的強度の有するパッケ
ージを提供する。 【解決手段】 セラミック及び／または、ガラスセラミ
ックで構成したパッケージ基体６１に内部電極６２を設
け、前記内部電極は前記パッケージ基板の底面に設けら
れた外部電極６６とパッケージ基体を貫通する前記導電
線路６７を介して接続する気密封着用パッケージにおい
て、前記パッケージ基体のセラミック及び／またはガラ
スセラミックを単層の平板状で構成し、そのパッケージ
基体上に内部電極を少なくとも５０μｍ以上の高さを有
する凸状に形成したことを特徴とする。 【効果】パッケージ基体となる絶縁物基体を段差を有し
ない、即ち単層の平板状で構成したので、製造工数の低
減ができ、量産時において大幅なコスト低減ができる。
さらに、パッケージ基体の底板が、単層の平板状の絶縁
物基体となるため、機械的強度を有する、薄型化対応品
として提供できる。
型化しても十分に耐力のある機械的強度の有するパッケ
ージを提供する。 【解決手段】 セラミック及び／または、ガラスセラミ
ックで構成したパッケージ基体６１に内部電極６２を設
け、前記内部電極は前記パッケージ基板の底面に設けら
れた外部電極６６とパッケージ基体を貫通する前記導電
線路６７を介して接続する気密封着用パッケージにおい
て、前記パッケージ基体のセラミック及び／またはガラ
スセラミックを単層の平板状で構成し、そのパッケージ
基体上に内部電極を少なくとも５０μｍ以上の高さを有
する凸状に形成したことを特徴とする。 【効果】パッケージ基体となる絶縁物基体を段差を有し
ない、即ち単層の平板状で構成したので、製造工数の低
減ができ、量産時において大幅なコスト低減ができる。
さらに、パッケージ基体の底板が、単層の平板状の絶縁
物基体となるため、機械的強度を有する、薄型化対応品
として提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は気密パッケージ、更に詳
細には表面弾性波、圧電振動子、半導体素子、集積回路
等が搭載されるセラミック及び／または、ガラスセラミ
ックの気密パッケージに関する。
細には表面弾性波、圧電振動子、半導体素子、集積回路
等が搭載されるセラミック及び／または、ガラスセラミ
ックの気密パッケージに関する。
【０００２】
【従来技術】表面弾性波、圧電振動子、半導体素子、集
積回路等を搭載し、気密に封入する気密パッケージとし
て、機械的強度特性に優れた、アルミナ製のセラミック
パッケージが使用される。
積回路等を搭載し、気密に封入する気密パッケージとし
て、機械的強度特性に優れた、アルミナ製のセラミック
パッケージが使用される。
【０００３】使用されているセラミック気密パッケージ
の構造として、図１に示すものがある（代表例として圧
電振動子用を提示した）。
の構造として、図１に示すものがある（代表例として圧
電振動子用を提示した）。
【０００４】図１は、絶縁物基体が複数層のセラミック
層で形成された従来のセラミックパッケージの断面図で
あり、通常、複数枚のグリーンシートの各々所定箇所
に、導体膜（通常はタングステン、モリブデンマンガン
など）をパターン印刷し、積層、圧着、次いで焼成し作
製される。すなわち、基板となる平板状の下層セラミッ
ク層１と段差を形成するための中間セラミック層２と上
記中間セラミック層２の上部に積層される額縁状の上層
セラミック層３を有し、前記上層セラミック層３に金属
シールリング４を固着するための金属メタライズ層５を
設け、前記金属メタライズ層５と金属シールリング４を
ロー付けなどによって接着した構造になっている（金属
シールリングを設けない場合もある、この場合、前記金
属メタライズ層に直接カバーを被せる）。
層で形成された従来のセラミックパッケージの断面図で
あり、通常、複数枚のグリーンシートの各々所定箇所
に、導体膜（通常はタングステン、モリブデンマンガン
など）をパターン印刷し、積層、圧着、次いで焼成し作
製される。すなわち、基板となる平板状の下層セラミッ
ク層１と段差を形成するための中間セラミック層２と上
記中間セラミック層２の上部に積層される額縁状の上層
セラミック層３を有し、前記上層セラミック層３に金属
シールリング４を固着するための金属メタライズ層５を
設け、前記金属メタライズ層５と金属シールリング４を
ロー付けなどによって接着した構造になっている（金属
シールリングを設けない場合もある、この場合、前記金
属メタライズ層に直接カバーを被せる）。
【０００５】前述のような気密パッケージは、内部電極
６を有しており、前記内部電極６は中間セラミック層２
で形成される段差上に露出して形成されており、前記内
部電極６に接続する導電線路７１が下方に伸長し、下層
セラミック１の底面に形成される外部電極７に接続して
導通するとともに、前記外部電極７は側面に設けられた
側面導通膜７２に接続した構造になっている。この側面
導通膜７２は中間セラミック層２の上端まで形成されて
いる。図２は、上述のアルミナ製で作製された、セラミ
ックパッケージの一例として、上部からの斜視図であ
る。
６を有しており、前記内部電極６は中間セラミック層２
で形成される段差上に露出して形成されており、前記内
部電極６に接続する導電線路７１が下方に伸長し、下層
セラミック１の底面に形成される外部電極７に接続して
導通するとともに、前記外部電極７は側面に設けられた
側面導通膜７２に接続した構造になっている。この側面
導通膜７２は中間セラミック層２の上端まで形成されて
いる。図２は、上述のアルミナ製で作製された、セラミ
ックパッケージの一例として、上部からの斜視図であ
る。
【０００６】従来のパッケージ内に搭載する素子、例え
ば水晶振動子の場合、図３に示すように内部電極６の上
面に、素子８を導電性の接着剤９で導通固定する。
ば水晶振動子の場合、図３に示すように内部電極６の上
面に、素子８を導電性の接着剤９で導通固定する。
【０００７】内部電極９と対峙しているところには、セ
ラミック（この場合はアルミナ）の台座１０が設けてあ
り、水晶を平行にセットする目的と、衝撃等に対する応
力緩和受台面としての破壊防止目的のための保持を補佐
する役目を果たしている。
ラミック（この場合はアルミナ）の台座１０が設けてあ
り、水晶を平行にセットする目的と、衝撃等に対する応
力緩和受台面としての破壊防止目的のための保持を補佐
する役目を果たしている。
【０００８】素子搭載後は、内部を気密にパッケージす
るため、金属、セラミック、ガラス、及びガラスセラミ
ック製などのカバー（図示せず）を被せて、前記メタラ
イズ層５または金属シールリング４とパラレルシーム溶
接法、プロジェクション抵抗溶接法、レーザービーム溶
接法、冷間圧接法、ろう付け法、はんだシール法、低融
点ガラスシール法、接着剤シール法などの封止方法によ
り、気密封着される。
るため、金属、セラミック、ガラス、及びガラスセラミ
ック製などのカバー（図示せず）を被せて、前記メタラ
イズ層５または金属シールリング４とパラレルシーム溶
接法、プロジェクション抵抗溶接法、レーザービーム溶
接法、冷間圧接法、ろう付け法、はんだシール法、低融
点ガラスシール法、接着剤シール法などの封止方法によ
り、気密封着される。
【０００９】従来のセラミックパッケージは、図３に示
すように、水晶を搭載する内部電極及び対峙する台座を
設置し、それ以外の素子上下面部は、振動特性上、空間
を形成する必要がある。この空間を形成する従来の方法
は、図４に示すように、複数枚（本図例では３枚）のグ
リーンシート４１、４２、４３を所定形状に打ち抜き、
順次積層、圧着して、内部空間を形成している。
すように、水晶を搭載する内部電極及び対峙する台座を
設置し、それ以外の素子上下面部は、振動特性上、空間
を形成する必要がある。この空間を形成する従来の方法
は、図４に示すように、複数枚（本図例では３枚）のグ
リーンシート４１、４２、４３を所定形状に打ち抜き、
順次積層、圧着して、内部空間を形成している。
【００１０】また従来のセラミックパッケージは、図５
に示すように、半導体素子や表面弾性波などをパッケー
ジ内部最底面に搭載後、内部電極との導通法としてワイ
ヤーボンディング１１などで導通配線する場合もある。
このときに素子８の上面と内部電極６の上面は、ボンデ
ィング性から、レベルを極力同一面上に合わせる必要が
ある。そのため、従来のセラミックパッケージは、複数
枚（本図例では３枚）のグリーンシートを所定形状に打
ち抜き、積層、圧着して、内部最底面と内部電極面に段
差を形成している。
に示すように、半導体素子や表面弾性波などをパッケー
ジ内部最底面に搭載後、内部電極との導通法としてワイ
ヤーボンディング１１などで導通配線する場合もある。
このときに素子８の上面と内部電極６の上面は、ボンデ
ィング性から、レベルを極力同一面上に合わせる必要が
ある。そのため、従来のセラミックパッケージは、複数
枚（本図例では３枚）のグリーンシートを所定形状に打
ち抜き、積層、圧着して、内部最底面と内部電極面に段
差を形成している。
【００１１】また従来のセラミックパッケージは、プリ
ント基板上に搭載された後に（通常は外部電極部に、は
んだ付けされる。）はんだ付けの信頼性を向上するため
に、はんだフィレットの形成を視認できるように、最底
部の外部電極７の他にパッケージ基体の側面（側面導電
膜７２）にも、それと導通した導体膜を形成している。
ント基板上に搭載された後に（通常は外部電極部に、は
んだ付けされる。）はんだ付けの信頼性を向上するため
に、はんだフィレットの形成を視認できるように、最底
部の外部電極７の他にパッケージ基体の側面（側面導電
膜７２）にも、それと導通した導体膜を形成している。
【００１２】このときにおいて、従来のパッケージは、
多層のセラミックで構成されているため、側面の導体膜
は各層ごとに必要に応じて形成でき、即ち中間セラミッ
ク層２までの形成が可能となる（中間までの形成とする
のは、上部導体膜やカバーなどとのショート不良対
策）。
多層のセラミックで構成されているため、側面の導体膜
は各層ごとに必要に応じて形成でき、即ち中間セラミッ
ク層２までの形成が可能となる（中間までの形成とする
のは、上部導体膜やカバーなどとのショート不良対
策）。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来のセラミックパッ
ケージの構造は、内部空間を形成するために複数のグリ
ーンシートを必要とすることと、個々のシートはそれぞ
れ金型等で所定形状に打ち抜きする必要があることと、
内部電極と外部電極７との導通線路７１を形成するため
の導体膜形成作業が増大することなどの製造工数上、コ
スト低減の支障になっている。
ケージの構造は、内部空間を形成するために複数のグリ
ーンシートを必要とすることと、個々のシートはそれぞ
れ金型等で所定形状に打ち抜きする必要があることと、
内部電極と外部電極７との導通線路７１を形成するため
の導体膜形成作業が増大することなどの製造工数上、コ
スト低減の支障になっている。
【００１４】さらに、近年、移動体通信関連分野の機器
類は、高密度、高周波にともない、パッケージも軽薄短
小化の要求が強くなっている。特に薄型化においては、
最低限の内部空間でかつパッケージの総高さを低くする
必要があり、パッケージの底板部をできる限り薄くする
傾向になる。このような薄型のパッケージを、プリント
基板に実装するときまたはその後の使用中に他の外力に
より基板が変形を生じた場合に、パッケージにストレス
がかかり、破壊するという問題がある（評価方法とし
て、ＥＩＡＪ−ＲＣＸ−０１０４／１０１の耐基板曲げ
性試験などがあり、事前にシュミレーション評価ができ
る）。
類は、高密度、高周波にともない、パッケージも軽薄短
小化の要求が強くなっている。特に薄型化においては、
最低限の内部空間でかつパッケージの総高さを低くする
必要があり、パッケージの底板部をできる限り薄くする
傾向になる。このような薄型のパッケージを、プリント
基板に実装するときまたはその後の使用中に他の外力に
より基板が変形を生じた場合に、パッケージにストレス
がかかり、破壊するという問題がある（評価方法とし
て、ＥＩＡＪ−ＲＣＸ−０１０４／１０１の耐基板曲げ
性試験などがあり、事前にシュミレーション評価ができ
る）。
【００１５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の目的
は、上記課題をかかえた気密封着用パッケージを製造す
るに際し、製造工数を低減し、コスト低減が計られ、薄
型化しても十分に耐力のある機械的強度の有するパッケ
ージを提供することにある。
は、上記課題をかかえた気密封着用パッケージを製造す
るに際し、製造工数を低減し、コスト低減が計られ、薄
型化しても十分に耐力のある機械的強度の有するパッケ
ージを提供することにある。
【００１６】本発明者は、前記目的を達成するために、
複数層のグリーンシートを単層にすることが有効ではな
いかと考えて検討した結果、本発明に到達した。即ち、
本発明は、セラミック及び／または、ガラスセラミック
で構成したパッケージ基体に内部電極を設け、前記内部
電極は前記パッケージ基板の底面に設けられた外部電極
とパッケージ基体を貫通する前記導電線路を介して接続
する気密封着用パッケージにおいて、前記パッケージ基
体のセラミック及び／またはガラスセラミックを単層の
平板状で構成し、そのパッケージ基体上に内部電極を少
なくとも５０μｍ以上の高さを有する凸状に形成したこ
とを特徴とする。
複数層のグリーンシートを単層にすることが有効ではな
いかと考えて検討した結果、本発明に到達した。即ち、
本発明は、セラミック及び／または、ガラスセラミック
で構成したパッケージ基体に内部電極を設け、前記内部
電極は前記パッケージ基板の底面に設けられた外部電極
とパッケージ基体を貫通する前記導電線路を介して接続
する気密封着用パッケージにおいて、前記パッケージ基
体のセラミック及び／またはガラスセラミックを単層の
平板状で構成し、そのパッケージ基体上に内部電極を少
なくとも５０μｍ以上の高さを有する凸状に形成したこ
とを特徴とする。
【００１７】また本発明による気密封着用パッケージの
製造方法によれば、パッケージ基板となるグリーンシー
トに導電線路用スルホールと側面導電膜用スルホールを
形成する工程、前記導電線路用スルホールを導電性物質
で充填し表裏面に貫通する導電線路を形成し、さらに前
記側面導電膜用スルホールに前記グリーンシート裏面か
ら前記側面導電膜用スルホールの中間部まで導電膜を形
成し、側面導電膜を設ける工程、前記グリーンシートの
裏面に前記導電線路と側面導電膜とが接続するように導
電膜を形成して外部電極を設ける工程、前記グリーンシ
ートの表面に前記導電線路と接続するように高さ５０μ
ｍ以上の内部電極を形成する工程、前記側面導電膜用ス
ルホールに形成された側面導電膜が露出するようにグリ
ーンシートを切断する工程を含むことを特徴とする。
製造方法によれば、パッケージ基板となるグリーンシー
トに導電線路用スルホールと側面導電膜用スルホールを
形成する工程、前記導電線路用スルホールを導電性物質
で充填し表裏面に貫通する導電線路を形成し、さらに前
記側面導電膜用スルホールに前記グリーンシート裏面か
ら前記側面導電膜用スルホールの中間部まで導電膜を形
成し、側面導電膜を設ける工程、前記グリーンシートの
裏面に前記導電線路と側面導電膜とが接続するように導
電膜を形成して外部電極を設ける工程、前記グリーンシ
ートの表面に前記導電線路と接続するように高さ５０μ
ｍ以上の内部電極を形成する工程、前記側面導電膜用ス
ルホールに形成された側面導電膜が露出するようにグリ
ーンシートを切断する工程を含むことを特徴とする。
【００１８】また、基体上に少なくとも５０μｍ以上の
高さを有する絶縁体膜で凸状に形成した特徴を有する。
高さを有する絶縁体膜で凸状に形成した特徴を有する。
【００１９】本発明において、絶縁物基体のグリーンシ
ートは、１枚で済むため、打ち抜き工数の低減、さら
に、内外電極導通線路等の導体膜形成作業の低減がで
き、大幅なコスト低減が計れる。
ートは、１枚で済むため、打ち抜き工数の低減、さら
に、内外電極導通線路等の導体膜形成作業の低減がで
き、大幅なコスト低減が計れる。
【００２０】また、圧電振動子などの搭載後の素子上下
面の内部空間を最小限の設定、ならびに表面弾性波や半
導体素子の厚みに対応した内部電極高さの設定により、
デッドスペースをなくすことで総高さを変えずに、パッ
ケージ基体の単層セラミック及び／または、ガラスセラ
ミックを従来品よりも厚くでき、即ち高強度の耐力のあ
る構造となる。
面の内部空間を最小限の設定、ならびに表面弾性波や半
導体素子の厚みに対応した内部電極高さの設定により、
デッドスペースをなくすことで総高さを変えずに、パッ
ケージ基体の単層セラミック及び／または、ガラスセラ
ミックを従来品よりも厚くでき、即ち高強度の耐力のあ
る構造となる。
【００２１】また、導体膜及び絶縁体膜の厚みを５０μ
ｍ以上としたのは、圧電振動子の場合に、絶縁物基体の
反り、および衝撃時による素子のたわみ等を考慮しての
下面最低空間である。
ｍ以上としたのは、圧電振動子の場合に、絶縁物基体の
反り、および衝撃時による素子のたわみ等を考慮しての
下面最低空間である。
【００２２】次に、はんだ付けの信頼性向上目的の絶縁
物基体側面への導体膜形成であるが、本発明者は、検討
を重ねた結果、以下の方法によって可能になることを見
い出した。
物基体側面への導体膜形成であるが、本発明者は、検討
を重ねた結果、以下の方法によって可能になることを見
い出した。
【００２３】即ち、スルーホール印刷法にて裏面方向か
ら導体印刷を行い単層絶縁物のパッケージ基体の中間部
まで導電膜を形成する。そして前記スルホールにかかる
ように切断を行い、前記導電膜を露出させる。
ら導体印刷を行い単層絶縁物のパッケージ基体の中間部
まで導電膜を形成する。そして前記スルホールにかかる
ように切断を行い、前記導電膜を露出させる。
【００２４】なお、本パッケージにおいて、単層の絶縁
物基体には、１層以上を積層し、平板状の単層として一
体化した後、使用することも含まれる。
物基体には、１層以上を積層し、平板状の単層として一
体化した後、使用することも含まれる。
【００２５】
【作用】本発明によれば、量産効果の高いかつ低コスト
で、高強度の薄型の圧電振動子用、表面弾性波用、半導
体素子用、および集積回路用等の気密封着用パッケージ
を供給できる。
で、高強度の薄型の圧電振動子用、表面弾性波用、半導
体素子用、および集積回路用等の気密封着用パッケージ
を供給できる。
【００２６】
【実施例】本実施例を図面を用いてさらに詳細に説明す
る。
る。
【００２７】図６は、本発明を説明するための圧電振動
子用の一実施例を示す断面図である。単層のセラミック
及び／または、ガラスセラミックで構成されたパッケー
ジ基体６１の上部には、素子を搭載するための凸状の内
部電極６２と台座６３が形成されている。そしてその周
囲全周には、額状の金属メタライズ層６４を形成し、さ
らにその上面にはカバー封止するための金属性のシール
リング６５が、ろう付けによって接合している。また、
導通線路６７は、外部電極６６と内部電極６２を導通す
るために、絶縁基体６１に小穴をあけて導電体を形成す
る。
子用の一実施例を示す断面図である。単層のセラミック
及び／または、ガラスセラミックで構成されたパッケー
ジ基体６１の上部には、素子を搭載するための凸状の内
部電極６２と台座６３が形成されている。そしてその周
囲全周には、額状の金属メタライズ層６４を形成し、さ
らにその上面にはカバー封止するための金属性のシール
リング６５が、ろう付けによって接合している。また、
導通線路６７は、外部電極６６と内部電極６２を導通す
るために、絶縁基体６１に小穴をあけて導電体を形成す
る。
【００２８】はんだ付けの信頼性向上に必要である絶縁
基体６１の側面には、側面導体膜６８が外部電極６６と
導通されている。
基体６１の側面には、側面導体膜６８が外部電極６６と
導通されている。
【００２９】図７及び図８は、図６の形状・構造を理解
するために、上部方向と下部方向から見た斜視図であ
る。
するために、上部方向と下部方向から見た斜視図であ
る。
【００３０】図９から図１２は、絶縁基体に導体膜およ
び絶縁体膜を形成するための工程を図解したものであ
り、順序については、特に指定されない。実施例によれ
ば、下記工程となる。
び絶縁体膜を形成するための工程を図解したものであ
り、順序については、特に指定されない。実施例によれ
ば、下記工程となる。
【００３１】（１）単層の絶縁パッケージ基体となるグ
リーンシート９１を所定位置に打ち抜き加工する。すな
わち、導電線路６７となる導電線路用スルホール９２
と、側面導電膜６８となる側面用スルホール９３を上下
に貫通するように穿設する（図９参照）
リーンシート９１を所定位置に打ち抜き加工する。すな
わち、導電線路６７となる導電線路用スルホール９２
と、側面導電膜６８となる側面用スルホール９３を上下
に貫通するように穿設する（図９参照）
【００３２】（２）内外電極に導通させるために、前記
導電線路６７を形成するために、導電線路用スルホール
９２に導電体９４を充填するとともに、側面導電膜６８
を形成するように前記側面用スルホール９３に導電膜９
５を形成する。このとき、前記導電膜９５は底面９５１
と側面９５２にかけて形成されるとともに、前記側面９
５２はグリーンシート９１の前記スルホール９３の中間
部まで形成される（図１０参照）。
導電線路６７を形成するために、導電線路用スルホール
９２に導電体９４を充填するとともに、側面導電膜６８
を形成するように前記側面用スルホール９３に導電膜９
５を形成する。このとき、前記導電膜９５は底面９５１
と側面９５２にかけて形成されるとともに、前記側面９
５２はグリーンシート９１の前記スルホール９３の中間
部まで形成される（図１０参照）。
【００３３】（３）次に底部の外部電極６６を形成す
る。このとき、前記底面９５１に形成された導電膜と外
部電極６６が接続し、また前記導電線路用の導電体９４
（導通線路６７）とも接続するようにする（図１１参
照）。 （４）前記グリーンシート９１の図９などの反対面（表
面となる）に前記導通線路６７に接続するように内部電
極６２を形成するとともに、封止用の周囲額状の金属メ
タライズ層６４を形成する（図１２参照）。さらに素子
台座１０となる絶縁体層を形成する。
る。このとき、前記底面９５１に形成された導電膜と外
部電極６６が接続し、また前記導電線路用の導電体９４
（導通線路６７）とも接続するようにする（図１１参
照）。 （４）前記グリーンシート９１の図９などの反対面（表
面となる）に前記導通線路６７に接続するように内部電
極６２を形成するとともに、封止用の周囲額状の金属メ
タライズ層６４を形成する（図１２参照）。さらに素子
台座１０となる絶縁体層を形成する。
【００３４】さらに、図１１の破線部分（図１２の矢印
に相当する）を切断することによって、本発明の封着用
のパッケージとすることができる。
に相当する）を切断することによって、本発明の封着用
のパッケージとすることができる。
【００３５】図１３ａ、ｂは、本発明を説明するための
圧電振動子用の他の実施例の斜視図及び断面図を示し、
単層のセラミック及び／または、ガラスセラミックのパ
ッケージ基体１３１の上部には、素子を搭載するための
凸状の内部電極１３２と絶縁体台座１３３が形成されて
いる。そしてその周囲全周には、カバー封止するための
額状の金属メタライズ層１３４を形成している。
圧電振動子用の他の実施例の斜視図及び断面図を示し、
単層のセラミック及び／または、ガラスセラミックのパ
ッケージ基体１３１の上部には、素子を搭載するための
凸状の内部電極１３２と絶縁体台座１３３が形成されて
いる。そしてその周囲全周には、カバー封止するための
額状の金属メタライズ層１３４を形成している。
【００３６】また、導通線路１３６は、同様に外部電極
と内部電極を導通するために、絶縁パッケージ基体１３
１に小穴をあけて導電体を形成する。
と内部電極を導通するために、絶縁パッケージ基体１３
１に小穴をあけて導電体を形成する。
【００３７】はんだ付けの信頼性向上に必要であるパッ
ケージ基体１３１の側面には、導体膜１３７が外部電極
１３５と導通されている。
ケージ基体１３１の側面には、導体膜１３７が外部電極
１３５と導通されている。
【００３８】パッケージ基体１に、セラミック、ガラ
ス、およびガラスセラミック製のカバーを、低融点ガラ
ス、接着剤等の接合剤を介して気密封着して振動子を封
入するか、図１３ｂに示すように金属製のキャップ（ま
たはカバー）を、直接溶接するか、または、はんだ、低
融点ガラス、ろう材、接着剤等の接合剤を介して振動子
などを気密封着する。
ス、およびガラスセラミック製のカバーを、低融点ガラ
ス、接着剤等の接合剤を介して気密封着して振動子を封
入するか、図１３ｂに示すように金属製のキャップ（ま
たはカバー）を、直接溶接するか、または、はんだ、低
融点ガラス、ろう材、接着剤等の接合剤を介して振動子
などを気密封着する。
【００３９】図１４は、本発明の表面弾性波、半導体素
子用の一実施例を示す。
子用の一実施例を示す。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、パッケージ基体となる
絶縁物基体を段差を有しない、即ち単層の平板状で構成
したので、製造工数の低減ができ、量産時において大幅
なコスト低減ができる。さらに、パッケージ基体の底板
が、単層の平板状の絶縁物基体となるため、機械的強度
を有する、薄型化対応品として提供できる。
絶縁物基体を段差を有しない、即ち単層の平板状で構成
したので、製造工数の低減ができ、量産時において大幅
なコスト低減ができる。さらに、パッケージ基体の底板
が、単層の平板状の絶縁物基体となるため、機械的強度
を有する、薄型化対応品として提供できる。
【図１】従来の気密封着用パッケージの断面図。
【図２】従来の気密封着用パッケージの斜視図。
【図３】従来の気密封着用パッケージの素子の搭載状態
を示す断面図。
を示す断面図。
【図４】従来の気密封着用パッケージの製造方法を示す
説明図。
説明図。
【図５】従来の気密封着用パッケージの他の例の断面
図。
図。
【図６】本発明の気密封着用パッケージの断面図。
【図７】本発明の気密封着用パッケージの上方よりの斜
視図。
視図。
【図８】本発明の気密封着用パッケージの下方よりの斜
視図。
視図。
【図９】本発明の気密封着用パッケージの製造方法を説
明する図。
明する図。
【図１０】本発明の気密封着用パッケージの製造方法を
説明する図。
説明する図。
【図１１】本発明の気密封着用パッケージの製造方法を
説明する図。
説明する図。
【図１２】本発明の気密封着用パッケージの製造方法を
説明する図。
説明する図。
【図１３】本発明の気密封着用パッケージの他の例の
図。
図。
【図１４】本発明の気密封着用パッケージの他の例の
図。
図。
６１ パッケージ基体 ６２ 内部電極 ６３ 台座 ６４ 金属メタライズ層 ６５ 導電線路 ６６ 外部電極 ６７ 側面導電膜
Claims (5)
- 【請求項１】セラミック及び／または、ガラスセラミッ
クで構成したパッケージ基体に内部電極を設け、前記内
部電極は前記パッケージ基板の底面に設けられた外部電
極とパッケージ基体を貫通する前記導電線路を介して接
続する気密封着用パッケージにおいて、前記パッケージ
基体のセラミック及び／またはガラスセラミックを単層
の平板状で構成し、そのパッケージ基体上に内部電極を
少なくとも５０μｍ以上の高さを有する凸状に形成した
ことを特徴とする気密封着用パッケージ。 - 【請求項２】請求項１記載のパッケージにおいて、絶縁
物基体上に少なくとも５０μｍ以上の高さを有する絶縁
体膜で凸状に形成した台座を有することを特徴とする気
密封着用パッケージ。 - 【請求項３】請求項１または２記載の気密封着用パッケ
ージにおいて、外部電極は、パッケージ基体である単層
のセラミック及び／または、ガラスセラミックの底部か
ら側面の中間部まで側面導通膜を形成して構成したこと
を特徴とする気密封着用パッケージ。 - 【請求項４】パッケージ基板となるグリーンシートに導
電線路用スルホールと側面導電膜用スルホールを形成す
る工程、前記導電線路用スルホールを導電性物質で充填
し表裏面に貫通する導電線路を形成し、さらに前記側面
導電膜用スルホールに前記グリーンシート裏面から前記
側面導電膜用スルホールの中間部まで導電膜を形成し、
側面導電膜を設ける工程、前記グリーンシートの裏面に
前記導電線路と側面導電膜とが接続するように導電膜を
形成して外部電極を設ける工程、前記グリーンシートの
表面に前記導電線路と接続するように高さ５０μｍ以上
の内部電極を形成する工程、前記側面導電膜用スルホー
ルに形成された側面導電膜が露出するようにグリーンシ
ートを切断する工程を含むことを特徴とする気密封着用
パッケージの製造方法。 - 【請求項５】前記グリーンシート表面に高さ５０μｍ以
上の絶縁膜よりなる台座を設けることを特徴とする請求
項４記載の気密封着用パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8118392A JPH09283650A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 気密封着用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8118392A JPH09283650A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 気密封着用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283650A true JPH09283650A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14735552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8118392A Pending JPH09283650A (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | 気密封着用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283650A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6507139B1 (en) | 1997-06-30 | 2003-01-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus having an electronic component located on a surface of a package member with a space therebetween |
-
1996
- 1996-04-16 JP JP8118392A patent/JPH09283650A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6507139B1 (en) | 1997-06-30 | 2003-01-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus having an electronic component located on a surface of a package member with a space therebetween |
| US6871388B2 (en) | 1997-06-30 | 2005-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming an electronic component located on a surface of a package member with a space therebetween |
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