JPH09283590A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH09283590A JPH09283590A JP8983196A JP8983196A JPH09283590A JP H09283590 A JPH09283590 A JP H09283590A JP 8983196 A JP8983196 A JP 8983196A JP 8983196 A JP8983196 A JP 8983196A JP H09283590 A JPH09283590 A JP H09283590A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 効率的に被処理体の冷却を行うことが可能な
マルチチャンバ型の半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 ロードロックチャンバ１１の略中央部に
は、搬送ロボット１２が設けられている。ロードロック
チャンバ１１の内部には、複数枚のウエハＷを収容した
ウエハストレージエレベータ１３が設けられている。ロ
ードロックチャンバ１１の周りには、搬送ロボット１２
を中心として放射状に、ウエハストレージエレベータ１
３からみて時計回りに、オリフラチャンバ１４、成膜チ
ャンバ１５、冷却チャンバ１６およびエッチチャンバ１
７が設けられている。
マルチチャンバ型の半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 ロードロックチャンバ１１の略中央部に
は、搬送ロボット１２が設けられている。ロードロック
チャンバ１１の内部には、複数枚のウエハＷを収容した
ウエハストレージエレベータ１３が設けられている。ロ
ードロックチャンバ１１の周りには、搬送ロボット１２
を中心として放射状に、ウエハストレージエレベータ１
３からみて時計回りに、オリフラチャンバ１４、成膜チ
ャンバ１５、冷却チャンバ１６およびエッチチャンバ１
７が設けられている。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造プロセスにおい
て、複数のチャンバを備えたマルチチャンバ型半導体製
造装置が用いられている。このマルチチャンバ型半導体
製造装置は、内部に搬送手段が備え付けられた搬送室を
具備する。この搬送室には、少なくとも一つの処理室が
連設されている。処理室では、半導体ウエハに対して各
種処理、例えば、ＣＶＤやエッチングが施されるように
なっている。
て、複数のチャンバを備えたマルチチャンバ型半導体製
造装置が用いられている。このマルチチャンバ型半導体
製造装置は、内部に搬送手段が備え付けられた搬送室を
具備する。この搬送室には、少なくとも一つの処理室が
連設されている。処理室では、半導体ウエハに対して各
種処理、例えば、ＣＶＤやエッチングが施されるように
なっている。
【０００３】より具体的には、半導体ウエハに対して成
膜処理およびエッチング処理を連続的に施すためのマル
チチャンバ型半導体製造装置は、搬送室と、搬送室に隣
接して、半導体ウエハのオリフラを一方向に揃えるため
のオリフラ合わせ機構を備えたオリフラチャンバ、半導
体ウエハの上に成膜するための成膜チャンバ、成膜後の
半導体ウエハに対してエッチングを施すためのエッチチ
ャンバが設けられている。搬送室のほぼ中央には、半導
体ウエハを各チャンバの間で搬送するための搬送手段が
備え付けられている。さらに、搬送室に隣接して、複数
枚の半導体ウエハを収容するウエハ収容部が設けれてい
る。
膜処理およびエッチング処理を連続的に施すためのマル
チチャンバ型半導体製造装置は、搬送室と、搬送室に隣
接して、半導体ウエハのオリフラを一方向に揃えるため
のオリフラ合わせ機構を備えたオリフラチャンバ、半導
体ウエハの上に成膜するための成膜チャンバ、成膜後の
半導体ウエハに対してエッチングを施すためのエッチチ
ャンバが設けられている。搬送室のほぼ中央には、半導
体ウエハを各チャンバの間で搬送するための搬送手段が
備え付けられている。さらに、搬送室に隣接して、複数
枚の半導体ウエハを収容するウエハ収容部が設けれてい
る。
【０００４】このようなマルチチャンバ型半導体製造装
置において、次のような処理が行われている。第１に、
搬送手段が、ウエハ収容部から半導体ウエハを搬出し、
オリフラチャンバに搬入する。このオリフラチャンバに
おいて、半導体ウエハのオリフラ合わせが行われる。次
に、搬送手段が、オリフラチャンバから半導体ウエハを
搬出し、成膜チャンバに搬入する。この成膜チャンバで
は、半導体ウエハの表面に成膜処理が施される。成膜処
理終了後、搬送手段が半導体ウエハを取り出し、エッチ
チャンバに搬入する。このエッチチャンバ内では、成膜
チャンバで半導体ウエハの表面に形成された膜に対して
エッチング処理が施される。その後、搬送手段がエッチ
チャンバから半導体ウエハを取り出し、ウエハ収容部に
半導体ウエハを戻す。
置において、次のような処理が行われている。第１に、
搬送手段が、ウエハ収容部から半導体ウエハを搬出し、
オリフラチャンバに搬入する。このオリフラチャンバに
おいて、半導体ウエハのオリフラ合わせが行われる。次
に、搬送手段が、オリフラチャンバから半導体ウエハを
搬出し、成膜チャンバに搬入する。この成膜チャンバで
は、半導体ウエハの表面に成膜処理が施される。成膜処
理終了後、搬送手段が半導体ウエハを取り出し、エッチ
チャンバに搬入する。このエッチチャンバ内では、成膜
チャンバで半導体ウエハの表面に形成された膜に対して
エッチング処理が施される。その後、搬送手段がエッチ
チャンバから半導体ウエハを取り出し、ウエハ収容部に
半導体ウエハを戻す。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
マルチチャンバ型半導体製造装置を用いたウエハプロセ
スにおいて、成膜処理後に半導体ウエハを冷却する必要
が生じる場合がある。例えば、半導体装置の製造プロセ
スにおける、コンタクトホールまたはビアホール内への
プラグ形成では、コンタクトホールまたはビアホールを
含む半導体ウエハの表面上に、低圧ＣＶＤにより、タン
グステンのような高融点金属を堆積させた後、この高融
点金属層をエッチバックしてコンタクトホール内にプラ
グを充填している。
マルチチャンバ型半導体製造装置を用いたウエハプロセ
スにおいて、成膜処理後に半導体ウエハを冷却する必要
が生じる場合がある。例えば、半導体装置の製造プロセ
スにおける、コンタクトホールまたはビアホール内への
プラグ形成では、コンタクトホールまたはビアホールを
含む半導体ウエハの表面上に、低圧ＣＶＤにより、タン
グステンのような高融点金属を堆積させた後、この高融
点金属層をエッチバックしてコンタクトホール内にプラ
グを充填している。
【０００６】このプラグ形成工程において、コンタクト
ホールまたはビアホール内に露出する下地層への高融点
金属の影響を防止するために、コンタクトホールまたは
ビアホール内に露出する下地層を少なくとも含む半導体
ウエハの表面上に、例えば、窒化チタンからなるバリア
層を形成している。
ホールまたはビアホール内に露出する下地層への高融点
金属の影響を防止するために、コンタクトホールまたは
ビアホール内に露出する下地層を少なくとも含む半導体
ウエハの表面上に、例えば、窒化チタンからなるバリア
層を形成している。
【０００７】以上のようなプラグ形成工程に上述のマル
チチャンバ型半導体製造装置を用いた場合、成膜チャン
バで半導体ウエハの表面にＣＶＤにより高融点金属を堆
積し、次いで、エッチチャンバで高融点金属層のエッチ
バックを行う。この際に、半導体ウエハは、ＣＶＤ処理
により、例えば、４００〜６００℃に加熱される。この
ように高温の半導体ウエハに対してエッチング処理を施
した場合、その放射熱によりエッチチャンバ内の部品が
劣化するおそれがある。また、エッチング処理の温度条
件を制御することが困難である。このため、エッチチャ
ンバに半導体ウエハを搬入する前に半導体ウエハを冷却
する必要がある。
チチャンバ型半導体製造装置を用いた場合、成膜チャン
バで半導体ウエハの表面にＣＶＤにより高融点金属を堆
積し、次いで、エッチチャンバで高融点金属層のエッチ
バックを行う。この際に、半導体ウエハは、ＣＶＤ処理
により、例えば、４００〜６００℃に加熱される。この
ように高温の半導体ウエハに対してエッチング処理を施
した場合、その放射熱によりエッチチャンバ内の部品が
劣化するおそれがある。また、エッチング処理の温度条
件を制御することが困難である。このため、エッチチャ
ンバに半導体ウエハを搬入する前に半導体ウエハを冷却
する必要がある。
【０００８】従来のマルチチャンバ型半導体装置では、
成膜チャンバから取り出された半導体ウエハを、搬送手
段の上に暫時放置して冷却した後にエッチチャンバに搬
入している。しかし、搬送室内は、ロードロックタイプ
の装置の場合、通常、約４００ｍＴｏｒｒ、窒素雰囲気
に維持されているため、半導体ウエハの冷却効率が非常
に悪く、冷却に長時間を要する。この結果、スループッ
トが著しく低下する。
成膜チャンバから取り出された半導体ウエハを、搬送手
段の上に暫時放置して冷却した後にエッチチャンバに搬
入している。しかし、搬送室内は、ロードロックタイプ
の装置の場合、通常、約４００ｍＴｏｒｒ、窒素雰囲気
に維持されているため、半導体ウエハの冷却効率が非常
に悪く、冷却に長時間を要する。この結果、スループッ
トが著しく低下する。
【０００９】スループットの向上を重視するあまり、十
分に冷却されていない半導体ウエハをエッチチャンバに
搬入し、エッチング処理を行った場合、エッチングの温
度条件が変化し、例えば、タングステン／窒化チタンの
エッチング選択比が低下することがある。また、応力に
起因して高融点金属層の一部が剥離し、パーティクルが
増加するおそれがある。さらに、エッチチャンバ内の耐
熱性の低い部品の劣化が起こり、装置のメンテナンスを
頻繁に行う必要が生じ、結果としてスループットが低下
する。
分に冷却されていない半導体ウエハをエッチチャンバに
搬入し、エッチング処理を行った場合、エッチングの温
度条件が変化し、例えば、タングステン／窒化チタンの
エッチング選択比が低下することがある。また、応力に
起因して高融点金属層の一部が剥離し、パーティクルが
増加するおそれがある。さらに、エッチチャンバ内の耐
熱性の低い部品の劣化が起こり、装置のメンテナンスを
頻繁に行う必要が生じ、結果としてスループットが低下
する。
【００１０】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、効率的に被処理体の冷却を行うことが可能なマ
ルチチャンバ型の半導体製造装置を提供する。
であり、効率的に被処理体の冷却を行うことが可能なマ
ルチチャンバ型の半導体製造装置を提供する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
を搬送する搬送手段を備えた搬送室、前記搬送室に隣接
して設けられた、前記半導体ウエハに処理を施すための
処理室、および、前記搬送室に隣接して設けられた、前
記半導体ウエハを冷却するための冷却室を具備すること
を特徴とする半導体製造装置を提供する。
を搬送する搬送手段を備えた搬送室、前記搬送室に隣接
して設けられた、前記半導体ウエハに処理を施すための
処理室、および、前記搬送室に隣接して設けられた、前
記半導体ウエハを冷却するための冷却室を具備すること
を特徴とする半導体製造装置を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明の半導体製造装置
の第１実施形態を示す概略図である。図中１１は、ロー
ドロックチャンバである。ロードロックチャンバ１１の
略中央部には、搬送ロボット１２が設けられている。こ
の搬送ロボット１２は、ウエハ搬送用ブレード１２ａを
回転および進退自在に保持している。また、ロードロッ
クチャンバ１１の内部には、複数枚のウエハＷを収容し
たウエハストレージエレベータ１３が設けられている。
ウエハストレージエレベータ１３は、ウエハＷの主面に
対して略垂直の方向に昇降自在になっている。
を参照して説明する。図１は、本発明の半導体製造装置
の第１実施形態を示す概略図である。図中１１は、ロー
ドロックチャンバである。ロードロックチャンバ１１の
略中央部には、搬送ロボット１２が設けられている。こ
の搬送ロボット１２は、ウエハ搬送用ブレード１２ａを
回転および進退自在に保持している。また、ロードロッ
クチャンバ１１の内部には、複数枚のウエハＷを収容し
たウエハストレージエレベータ１３が設けられている。
ウエハストレージエレベータ１３は、ウエハＷの主面に
対して略垂直の方向に昇降自在になっている。
【００１３】ロードロックチャンバ１１の周りには、搬
送ロボット１２を中心として放射状に、各種処理室が設
けられている。より具体的には、ウエハストレージエレ
ベータ１３からみて時計回りに、オリフラチャンバ１
４、成膜チャンバ１５、冷却チャンバ１６およびエッチ
チャンバ１７が設けられている。各処理室１４〜１７と
ロードロックチャンバ１１とは、ウエハＷが通過可能な
開口部１４ａ、１５ａ、１６ａおよび１７ａを介して連
通している。各開口部１４ａ〜１７ａには、開閉自在な
チャンバスリットバルブ１４ｂ，１５ｂ，１６ｂおよび
１７ｂが設けられている。これらのチャンバスリットバ
ルブ１４ｂ〜１７ｂは、閉状態で、開口部１４ａ〜１７
ａを気密に閉塞し、各処理室１４〜１７とロードロック
チャンバ１１との間のガスの行き来を無くす。
送ロボット１２を中心として放射状に、各種処理室が設
けられている。より具体的には、ウエハストレージエレ
ベータ１３からみて時計回りに、オリフラチャンバ１
４、成膜チャンバ１５、冷却チャンバ１６およびエッチ
チャンバ１７が設けられている。各処理室１４〜１７と
ロードロックチャンバ１１とは、ウエハＷが通過可能な
開口部１４ａ、１５ａ、１６ａおよび１７ａを介して連
通している。各開口部１４ａ〜１７ａには、開閉自在な
チャンバスリットバルブ１４ｂ，１５ｂ，１６ｂおよび
１７ｂが設けられている。これらのチャンバスリットバ
ルブ１４ｂ〜１７ｂは、閉状態で、開口部１４ａ〜１７
ａを気密に閉塞し、各処理室１４〜１７とロードロック
チャンバ１１との間のガスの行き来を無くす。
【００１４】オリフラチャンバ１４は、その内部に、ウ
エハＷのオリフラを一方向に揃えるためのオリフラ合わ
せ機構を備えている。成膜チャンバ１５は、ウエハＷの
表面に成膜処理を施すための成膜手段を備えている。こ
の実施形態では、低圧ＣＶＤ装置を備えている。冷却チ
ャンバ１６ではウエハＷが冷却される。この実施形態で
は、冷却チャンバ１６の内部は、約９０Ｔｏｒｒの圧力
および１００％Ｈ2雰囲気に維持されている。エッチチ
ャンバ１７は、成膜チャンバ１５でウエハＷの表面に形
成された膜をエッチングするためのエッチング手段を備
えている。
エハＷのオリフラを一方向に揃えるためのオリフラ合わ
せ機構を備えている。成膜チャンバ１５は、ウエハＷの
表面に成膜処理を施すための成膜手段を備えている。こ
の実施形態では、低圧ＣＶＤ装置を備えている。冷却チ
ャンバ１６ではウエハＷが冷却される。この実施形態で
は、冷却チャンバ１６の内部は、約９０Ｔｏｒｒの圧力
および１００％Ｈ2雰囲気に維持されている。エッチチ
ャンバ１７は、成膜チャンバ１５でウエハＷの表面に形
成された膜をエッチングするためのエッチング手段を備
えている。
【００１５】以上のような構成からなる本実施形態に係
る半導体製造装置１０を用いて、ウエハＷにＷプラグを
形成する場合について説明する。
る半導体製造装置１０を用いて、ウエハＷにＷプラグを
形成する場合について説明する。
【００１６】以下で処理するウエハＷには、既にシリコ
ン基板の表面に層間絶縁膜が形成され、この層間絶縁膜
の所定箇所にはシリコン基板の一部を露出するコンタク
トホールが形成されている。さらに、コンタクトホール
内部に露出したシリコン基板の一部を含む層間絶縁層の
表面には、層間絶縁層を構成するシリコン酸化膜とタン
グステンとの密着性を高めるための窒化チタン膜が形成
されている。窒化チタン膜は、タングステンがシリコン
酸化膜上では成長し難いが窒化チタンの上では成長しや
すいので、タングステンの核成長を促進する働きもあ
る。
ン基板の表面に層間絶縁膜が形成され、この層間絶縁膜
の所定箇所にはシリコン基板の一部を露出するコンタク
トホールが形成されている。さらに、コンタクトホール
内部に露出したシリコン基板の一部を含む層間絶縁層の
表面には、層間絶縁層を構成するシリコン酸化膜とタン
グステンとの密着性を高めるための窒化チタン膜が形成
されている。窒化チタン膜は、タングステンがシリコン
酸化膜上では成長し難いが窒化チタンの上では成長しや
すいので、タングステンの核成長を促進する働きもあ
る。
【００１７】第１に、搬送ロボット１２が、ウエハスト
レージエレベータからウエハＷを搬出し、オリフラチャ
ンバ１４内に搬入する。このオリフラチャンバ１４にお
いて、ウエハＷのオリフラ合わせを行う。
レージエレベータからウエハＷを搬出し、オリフラチャ
ンバ１４内に搬入する。このオリフラチャンバ１４にお
いて、ウエハＷのオリフラ合わせを行う。
【００１８】オリフラ合わせ終了後、搬送ロボット１２
が、オリフラチャンバ１４からウエハＷを搬出し、成膜
チャンバ１５に搬入する。この成膜チャンバ１５では、
ウエハＷの表面にタングステンがＣＶＤにより堆積され
る。この結果、コンタクトホール内を含む層間絶縁膜の
上側にタングステン層が形成される。この実施形態で
は、ＣＶＤ処理終了後のウエハＷは約４５０℃まで加熱
されている。
が、オリフラチャンバ１４からウエハＷを搬出し、成膜
チャンバ１５に搬入する。この成膜チャンバ１５では、
ウエハＷの表面にタングステンがＣＶＤにより堆積され
る。この結果、コンタクトホール内を含む層間絶縁膜の
上側にタングステン層が形成される。この実施形態で
は、ＣＶＤ処理終了後のウエハＷは約４５０℃まで加熱
されている。
【００１９】成膜処理終了後、搬送ロボット１２がウエ
ハＷを取り出し、冷却チャンバ１６に搬入する。冷却チ
ャンバ１６内にウエハＷを放置してウエハＷを冷却す
る。冷却チャンバ１６内は、上述のように、水素雰囲気
および高圧力（約９０Ｔｏｒｒ)に維持されている。こ
のため、ウエハＷを約１２０秒間放置することにより、
約６００℃までウエハＷが冷却される。
ハＷを取り出し、冷却チャンバ１６に搬入する。冷却チ
ャンバ１６内にウエハＷを放置してウエハＷを冷却す
る。冷却チャンバ１６内は、上述のように、水素雰囲気
および高圧力（約９０Ｔｏｒｒ)に維持されている。こ
のため、ウエハＷを約１２０秒間放置することにより、
約６００℃までウエハＷが冷却される。
【００２０】冷却処理終了後、搬送ロボット１２が、ウ
エハＷを冷却チャンバ１６から搬出し、次いで、エッチ
チャンバ１７に搬入する。このエッチチャンバ１７内で
は、タングステン膜に対してエッチング処理が施され
る。より具体的には、ＳＦ６プラズマエッチング（圧力
約１００〜３００ｍＴｏｒｒ、ＲＦ出力約１００〜１０
００Ｗ、温度約２０℃）で、タングステンをエッチバッ
クする。この結果、コンタクトホール内を除き、層間絶
縁膜の上側のタングステンを除去して、タングステンか
らなるプラグが形成される。
エハＷを冷却チャンバ１６から搬出し、次いで、エッチ
チャンバ１７に搬入する。このエッチチャンバ１７内で
は、タングステン膜に対してエッチング処理が施され
る。より具体的には、ＳＦ６プラズマエッチング（圧力
約１００〜３００ｍＴｏｒｒ、ＲＦ出力約１００〜１０
００Ｗ、温度約２０℃）で、タングステンをエッチバッ
クする。この結果、コンタクトホール内を除き、層間絶
縁膜の上側のタングステンを除去して、タングステンか
らなるプラグが形成される。
【００２１】上述の半導体製造装置１０を用いたプラグ
形成工程では、成膜チャンバ１５で成膜処理が施された
冷却チャンバ１６でウエハＷを冷却した後、エッチチャ
ンバ１７でエッチング処理が行われる。このため、エッ
チチャンバ１７に搬入されるウエハＷの温度は既にエッ
チング処理に影響を与えない程度まで冷却されている。
この結果、エッチング処理の温度条件を制御しやすく、
プロセスを安定化することができる。例えば、エッチン
グの温度条件が変化し、タングステン／窒化チタンのエ
ッチング選択比が低下するのを防止することができる。
形成工程では、成膜チャンバ１５で成膜処理が施された
冷却チャンバ１６でウエハＷを冷却した後、エッチチャ
ンバ１７でエッチング処理が行われる。このため、エッ
チチャンバ１７に搬入されるウエハＷの温度は既にエッ
チング処理に影響を与えない程度まで冷却されている。
この結果、エッチング処理の温度条件を制御しやすく、
プロセスを安定化することができる。例えば、エッチン
グの温度条件が変化し、タングステン／窒化チタンのエ
ッチング選択比が低下するのを防止することができる。
【００２２】また、冷却チャンバ１６を設けたことによ
り、ロードロックチャンバ１１に放置させてウエハＷを
冷却した場合に比べて、冷却に適した条件および方法で
ウエハＷを効率良く冷却できるため、ウエハＷの冷却に
必要な時間を短縮し、プラグ形成工程のスループットを
向上できる。例えば、圧力約４００ｍＴｏｒｒ、Ｎ2雰
囲気のロードロックチャンバ１１内に２分間放置してウ
エハＷを約２００℃までしか冷却できなかった。これに
対して、圧力９０Ｔｏｒｒ、Ｈ2雰囲気の冷却チャンバ
１６内でウエハＷを冷却した場合には２分間でウエハＷ
を約６０℃まで十分に冷却することができた。
り、ロードロックチャンバ１１に放置させてウエハＷを
冷却した場合に比べて、冷却に適した条件および方法で
ウエハＷを効率良く冷却できるため、ウエハＷの冷却に
必要な時間を短縮し、プラグ形成工程のスループットを
向上できる。例えば、圧力約４００ｍＴｏｒｒ、Ｎ2雰
囲気のロードロックチャンバ１１内に２分間放置してウ
エハＷを約２００℃までしか冷却できなかった。これに
対して、圧力９０Ｔｏｒｒ、Ｈ2雰囲気の冷却チャンバ
１６内でウエハＷを冷却した場合には２分間でウエハＷ
を約６０℃まで十分に冷却することができた。
【００２３】より具体的には、圧力約４００ｍＴｏｒ
ｒ、Ｎ2雰囲気のロードロックチャンバ１１内に放置し
た後にウエハＷをエッチチャンバ１７に入れた場合に
は、エッチチャンバ１７内の部材は劣化が激しく、ウエ
ハＷの処理枚数約３０００枚で交換する必要がある。こ
れに対して、この実施形態の半導体製造装置１０では、
処理枚数が１２０００枚を超えても安定したプロセスが
可能であり、エッチチャンバ１７の部材を交換する必要
がなかった。この結果、装置のメンテナンスを頻繁に行
う必要がなく、スループットを向上することができた。
ｒ、Ｎ2雰囲気のロードロックチャンバ１１内に放置し
た後にウエハＷをエッチチャンバ１７に入れた場合に
は、エッチチャンバ１７内の部材は劣化が激しく、ウエ
ハＷの処理枚数約３０００枚で交換する必要がある。こ
れに対して、この実施形態の半導体製造装置１０では、
処理枚数が１２０００枚を超えても安定したプロセスが
可能であり、エッチチャンバ１７の部材を交換する必要
がなかった。この結果、装置のメンテナンスを頻繁に行
う必要がなく、スループットを向上することができた。
【００２４】また、応力に起因してタングステン層の一
部が剥離し、パーティクルが増加するのを防止できる。
この例では、放射状タイプのマルチチャンバ型半導体製
造装置について説明したが、中央に搬送室を設け、その
両側に複数の処理室を配置した線形型の半導体製造装置
であっても良い。
部が剥離し、パーティクルが増加するのを防止できる。
この例では、放射状タイプのマルチチャンバ型半導体製
造装置について説明したが、中央に搬送室を設け、その
両側に複数の処理室を配置した線形型の半導体製造装置
であっても良い。
【００２５】さらに、この例では、ロードロック室が搬
送室を兼ねたタイプの半導体製造装置について説明した
が、ロードロック室および搬送室が別々に設けられてい
ても良い。
送室を兼ねたタイプの半導体製造装置について説明した
が、ロードロック室および搬送室が別々に設けられてい
ても良い。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体製
造装置は、効率的に被処理体の冷却を行い、プロセスの
安定化およびスループットの向上を達成することが可能
である。
造装置は、効率的に被処理体の冷却を行い、プロセスの
安定化およびスループットの向上を達成することが可能
である。
【図１】本発明の半導体製造装置の第１実施形態を示す
概略図。
概略図。
１０…半導体製造装置、１１…ロードロックチャンバ、
１２…搬送手段、１３…ウエハストレージエレベータ、
１４…オリフラチャンバ、１５…成膜チャンバ、１６…
冷却チャンバ、１７…エッチチャンバ。
１２…搬送手段、１３…ウエハストレージエレベータ、
１４…オリフラチャンバ、１５…成膜チャンバ、１６…
冷却チャンバ、１７…エッチチャンバ。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体ウエハを搬送する搬送手段を備え
た搬送室、 前記搬送室に隣接して設けられた、前記半導体ウエハに
処理を施すための処理室、および、 前記搬送室に隣接して設けられた、前記半導体ウエハを
冷却するための冷却室を具備することを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項２】 少なくとも２つの処理室を具備し、第１
の処理室での処理および第２の処理室での処理の間に冷
却室で半導体ウエハを冷却する請求項１記載の半導体製
造装置。 - 【請求項３】 第１の処理室で半導体ウエハに成膜処理
がなされかつ第２の処理室で前記半導体ウエハにエッチ
ング処理がなされる請求項２記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 冷却室内が水素雰囲気である請求項１な
いし３のいずれか一つに記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8983196A JPH09283590A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8983196A JPH09283590A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283590A true JPH09283590A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=13981715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8983196A Pending JPH09283590A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283590A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6360687B1 (en) | 1998-11-26 | 2002-03-26 | Speedfam-Ipec Co., Ltd | Wafer flattening system |
| US6896513B2 (en) * | 2002-09-12 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Large area substrate processing system |
-
1996
- 1996-04-12 JP JP8983196A patent/JPH09283590A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6360687B1 (en) | 1998-11-26 | 2002-03-26 | Speedfam-Ipec Co., Ltd | Wafer flattening system |
| US6896513B2 (en) * | 2002-09-12 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Large area substrate processing system |
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