JPH09281499A - 液晶表示装置用基板の配向方法及び該基板を用いた液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示装置用基板の配向方法及び該基板を用いた液晶表示素子Info
- Publication number
- JPH09281499A JPH09281499A JP8779996A JP8779996A JPH09281499A JP H09281499 A JPH09281499 A JP H09281499A JP 8779996 A JP8779996 A JP 8779996A JP 8779996 A JP8779996 A JP 8779996A JP H09281499 A JPH09281499 A JP H09281499A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発塵による液晶表示素子の表示品位が低下と
いう問題や、それを抑制するため洗浄を製造工程に加え
る必要があるため生産性が低下するという問題があるラ
ビング操作を行わず、発塵による表示品位の低下がない
配向方法、及び該配向方法により得られる液晶表示装置
用基板を提供する。 【解決手段】 ２枚の基板間に液晶が挟持された液晶表
示装置において、該基板の少なくとも一方の基板に磁化
プラズマを照射することによる液晶表示装置用基板の配
向方法、及び該液晶表示装置用基板を用いた液晶表示素
子。
いう問題や、それを抑制するため洗浄を製造工程に加え
る必要があるため生産性が低下するという問題があるラ
ビング操作を行わず、発塵による表示品位の低下がない
配向方法、及び該配向方法により得られる液晶表示装置
用基板を提供する。 【解決手段】 ２枚の基板間に液晶が挟持された液晶表
示装置において、該基板の少なくとも一方の基板に磁化
プラズマを照射することによる液晶表示装置用基板の配
向方法、及び該液晶表示装置用基板を用いた液晶表示素
子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置用基板
の配向方法及びそれを用いた液晶表示素子に関するもの
である。
の配向方法及びそれを用いた液晶表示素子に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】現在広く普及しているねじれネマティッ
ク方式（TN、STN方式）の液晶表示素子においては、液
晶分子を一定方向に配列させるためにポリイミド、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコール等の
有機高分子膜を基板に形成させ、その表面をナイロン、
レーヨン、綿等の布で擦る（ラビングする）という操作
を行っている。
ク方式（TN、STN方式）の液晶表示素子においては、液
晶分子を一定方向に配列させるためにポリイミド、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコール等の
有機高分子膜を基板に形成させ、その表面をナイロン、
レーヨン、綿等の布で擦る（ラビングする）という操作
を行っている。
【０００３】しかし、ラビング操作による配向処理は、
発塵による液晶表示素子の表示品位が低下という問題
や、それを抑制するため洗浄を製造工程に加える必要が
あるため生産性が低下するという問題がある。
発塵による液晶表示素子の表示品位が低下という問題
や、それを抑制するため洗浄を製造工程に加える必要が
あるため生産性が低下するという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ラビングを
行わず、発塵による表示品位の低下がない配向方法、及
び該配向方法により得られる液晶表示装置用基板を与え
るものである。
行わず、発塵による表示品位の低下がない配向方法、及
び該配向方法により得られる液晶表示装置用基板を与え
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、２枚の基板間
に液晶が挟持された液晶表示装置において、該基板の少
なくとも一方の基板に磁化プラズマを照射することによ
る液晶表示装置用基板の配向方法、及び該液晶表示装置
用基板を用いた液晶表示素子である。
に液晶が挟持された液晶表示装置において、該基板の少
なくとも一方の基板に磁化プラズマを照射することによ
る液晶表示装置用基板の配向方法、及び該液晶表示装置
用基板を用いた液晶表示素子である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明では、液晶表示装置用基板
あるいは基板上に形成された有機高分子膜に真空中でプ
ラズマ処理することによる配向させる。被処理部材を特
定のプラズマ室に入れ、希薄ガスを導入後、該ガスをプ
ラズマ化し、外部から磁界をかける。あるいは磁界中で
放電によってプラズマをつくることにより、荷電粒子が
サイクロトロン運動を行い高密度のプラズマを得ること
が出来る。該プラズマを照射することにより、被処理物
の表面形状、分子鎖の配列等が変化することにより、液
晶分子の配向制御をおこなうことができる。
あるいは基板上に形成された有機高分子膜に真空中でプ
ラズマ処理することによる配向させる。被処理部材を特
定のプラズマ室に入れ、希薄ガスを導入後、該ガスをプ
ラズマ化し、外部から磁界をかける。あるいは磁界中で
放電によってプラズマをつくることにより、荷電粒子が
サイクロトロン運動を行い高密度のプラズマを得ること
が出来る。該プラズマを照射することにより、被処理物
の表面形状、分子鎖の配列等が変化することにより、液
晶分子の配向制御をおこなうことができる。
【０００７】磁化プラズマの照射においては、基板表面
に対するプラズマ照射の角度をある程度、垂直方向から
ずらすことにより、液晶を配向させることが可能であ
る。また、ある特定の領域の配向状態を変化させること
も、プラズマ照射の際にマスクを用いることにより可能
である。
に対するプラズマ照射の角度をある程度、垂直方向から
ずらすことにより、液晶を配向させることが可能であ
る。また、ある特定の領域の配向状態を変化させること
も、プラズマ照射の際にマスクを用いることにより可能
である。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明するが、本発明
はこれらの実施例によって何ら限定されるものではな
い。
はこれらの実施例によって何ら限定されるものではな
い。
【０００９】（実施例１）液晶配向剤（住友ベークライ
ト社製、ＣＲＤ−８４３１）をITO付きガラス基板のITO
上にスピンコートにより塗布し、熱風オーブン中200℃
で焼成し500nmのポリイミド膜を形成した。次に、この
ポリイミド膜に、磁界により収束させたプラズマを基板
に対する角度が15度になるように照射した。その後、特
に洗浄処理は行わず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方
向が90度ねじれるように6μmのギャップ間隔で貼り合わ
せ、ネマチック液晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組
み立てた。液晶の配向状態を観察したところ、全面良好
な一軸配向性を示しており120℃／500時間処理後も液晶
配向性の乱れは観察されなかった。
ト社製、ＣＲＤ−８４３１）をITO付きガラス基板のITO
上にスピンコートにより塗布し、熱風オーブン中200℃
で焼成し500nmのポリイミド膜を形成した。次に、この
ポリイミド膜に、磁界により収束させたプラズマを基板
に対する角度が15度になるように照射した。その後、特
に洗浄処理は行わず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方
向が90度ねじれるように6μmのギャップ間隔で貼り合わ
せ、ネマチック液晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組
み立てた。液晶の配向状態を観察したところ、全面良好
な一軸配向性を示しており120℃／500時間処理後も液晶
配向性の乱れは観察されなかった。
【００１０】（実施例２）液晶配向剤（住友ベークライ
ト社製、ＣＲＤ−８４３１）を、実施例１と同様に、塗
布、焼成し塗膜を形成した。次に、このポリアミド膜全
面に、磁界により収束させたプラズマを基板に対して垂
直になるように照射した。その後、特に洗浄処理は行わ
ず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方向が90度ねじれる
ように6μmのギャップ間隔で貼り合わせ、ネマチック液
晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組み立てた。液晶の
配向状態を観察したところ、セル全面がランダム配向で
あった。
ト社製、ＣＲＤ−８４３１）を、実施例１と同様に、塗
布、焼成し塗膜を形成した。次に、このポリアミド膜全
面に、磁界により収束させたプラズマを基板に対して垂
直になるように照射した。その後、特に洗浄処理は行わ
ず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方向が90度ねじれる
ように6μmのギャップ間隔で貼り合わせ、ネマチック液
晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組み立てた。液晶の
配向状態を観察したところ、セル全面がランダム配向で
あった。
【００１１】（実施例３）液晶配向剤（住友ベークライ
ト社製、ＣＲＤ−８４７１）を、実施例１と同様に、塗
布、焼成し塗膜を形成した。次に、このポリアミド膜全
面に、磁界により収束させたプラズマを基板に対する角
度が１５度になるように照射した。その後、特に洗浄処
理は行わず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方向が90度
ねじれるように6μmのギャップ間隔で貼り合わせ、ネマ
チック液晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組み立て
た。液晶の配向状態を観察したところ、全面良好な一軸
配向性を示しており120℃／500時間処理後も液晶配向性
の乱れは観察されなかった。
ト社製、ＣＲＤ−８４７１）を、実施例１と同様に、塗
布、焼成し塗膜を形成した。次に、このポリアミド膜全
面に、磁界により収束させたプラズマを基板に対する角
度が１５度になるように照射した。その後、特に洗浄処
理は行わず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方向が90度
ねじれるように6μmのギャップ間隔で貼り合わせ、ネマ
チック液晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組み立て
た。液晶の配向状態を観察したところ、全面良好な一軸
配向性を示しており120℃／500時間処理後も液晶配向性
の乱れは観察されなかった。
【００１２】（実施例４）液晶配向剤（住友ベークライ
ト社製、ＣＲＤ−８４３１）を、実施例１と同様に、塗
布、焼成し塗膜を形成した。次に、このポリアミド膜全
面に、磁界により収束させたプラズマを基板に対して垂
直になるように照射した。その後、特に洗浄処理は行わ
ず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方向が90度ねじれる
ように6μmのギャップ間隔で貼り合わせ、ネマチック液
晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組み立てた。液晶の
配向状態を観察したところ、セル全面がランダム配向で
あった。
ト社製、ＣＲＤ−８４３１）を、実施例１と同様に、塗
布、焼成し塗膜を形成した。次に、このポリアミド膜全
面に、磁界により収束させたプラズマを基板に対して垂
直になるように照射した。その後、特に洗浄処理は行わ
ず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方向が90度ねじれる
ように6μmのギャップ間隔で貼り合わせ、ネマチック液
晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組み立てた。液晶の
配向状態を観察したところ、セル全面がランダム配向で
あった。
【００１３】（実施例５）液晶配向剤（住友ベークライ
ト社製、ＣＲＤ−８４５２）を、実施例１と同様に、塗
布、焼成し塗膜を形成した。次に、このポリアミド膜全
面に、磁界により収束させたプラズマを基板に対する角
度が１５度になるように照射した。その後、特に洗浄処
理は行わず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方向が90度
ねじれるように6μmのギャップ間隔で貼り合わせ、ネマ
チック液晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組み立て
た。液晶の配向状態を観察したところ、全面良好な一軸
配向性を示しており120℃／500時間処理後も液晶配向性
の乱れは観察されなかった。
ト社製、ＣＲＤ−８４５２）を、実施例１と同様に、塗
布、焼成し塗膜を形成した。次に、このポリアミド膜全
面に、磁界により収束させたプラズマを基板に対する角
度が１５度になるように照射した。その後、特に洗浄処
理は行わず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方向が90度
ねじれるように6μmのギャップ間隔で貼り合わせ、ネマ
チック液晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組み立て
た。液晶の配向状態を観察したところ、全面良好な一軸
配向性を示しており120℃／500時間処理後も液晶配向性
の乱れは観察されなかった。
【００１４】（実施例６）液晶配向剤（住友ベークライ
ト社製、ＣＲＤ−８４３１）を、実施例１と同様に、塗
布、焼成し塗膜を形成した。次に、このポリアミド膜全
面に、磁界により収束させたプラズマを基板に対して垂
直になるように照射した。その後、特に洗浄処理は行わ
ず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方向が90度ねじれる
ように6μmのギャップ間隔で貼り合わせ、ネマチック液
晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組み立てた。液晶の
配向状態を観察したところ、セル全面がランダム配向で
あった。
ト社製、ＣＲＤ−８４３１）を、実施例１と同様に、塗
布、焼成し塗膜を形成した。次に、このポリアミド膜全
面に、磁界により収束させたプラズマを基板に対して垂
直になるように照射した。その後、特に洗浄処理は行わ
ず２枚の基板を、磁化プラズマ照射方向が90度ねじれる
ように6μmのギャップ間隔で貼り合わせ、ネマチック液
晶（ZLI-1132）を注入してTNセルを組み立てた。液晶の
配向状態を観察したところ、セル全面がランダム配向で
あった。
【００１５】実施例１−６の評価結果は表１に示すとお
りである。
りである。
【００１６】
【表１】
【００１７】（比較例）実施例１と同様にポリアミドを
基板に塗布、焼成して塗膜を形成した。配向処理とし
て、磁化プラズマではなく、綿布によるラビングを行
い、洗浄せずに貼り合わせ、液晶注入を行った。その結
果、数ヶ所にラビングによると思われるコンタミ（ゴ
ミ）が存在し、液晶配向の乱れが観察された。
基板に塗布、焼成して塗膜を形成した。配向処理とし
て、磁化プラズマではなく、綿布によるラビングを行
い、洗浄せずに貼り合わせ、液晶注入を行った。その結
果、数ヶ所にラビングによると思われるコンタミ（ゴ
ミ）が存在し、液晶配向の乱れが観察された。
【００１８】
【発明の効果】本発明において、ポリアミドを配向膜と
した場合、液晶の配向処理方法として、磁化プラズマを
照射させることにより、従来の配向処理であるラビング
法で問題となっている発塵が全くない配向状態を形成で
きる。
した場合、液晶の配向処理方法として、磁化プラズマを
照射させることにより、従来の配向処理であるラビング
法で問題となっている発塵が全くない配向状態を形成で
きる。
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に有機高分子膜が形成された２枚の
基板間に液晶が挟持された液晶表示装置において、該基
板の少なくとも一方の基板に磁化プラズマを照射するこ
とによる液晶表示装置用基板の配向方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の配向方法により得られる
液晶表示装置用基板を用いた液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8779996A JPH09281499A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 液晶表示装置用基板の配向方法及び該基板を用いた液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8779996A JPH09281499A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 液晶表示装置用基板の配向方法及び該基板を用いた液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09281499A true JPH09281499A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=13925037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8779996A Withdrawn JPH09281499A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 液晶表示装置用基板の配向方法及び該基板を用いた液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09281499A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004104682A1 (en) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Kent State University | Method of plasma beam bombardment of aligning films for liquid crystals |
| KR101251574B1 (ko) * | 2010-09-02 | 2013-04-08 | 경희대학교 산학협력단 | 광학 보상필름 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-04-10 JP JP8779996A patent/JPH09281499A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004104682A1 (en) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Kent State University | Method of plasma beam bombardment of aligning films for liquid crystals |
| US7714965B2 (en) | 2003-05-19 | 2010-05-11 | Kent State University | Method of plasma beam bombardment of aligning films for liquid crystals |
| US7777850B2 (en) | 2003-05-19 | 2010-08-17 | Kent State University | Method of plasma beam bombardment of aligning films for liquid crystals |
| KR101251574B1 (ko) * | 2010-09-02 | 2013-04-08 | 경희대학교 산학협력단 | 광학 보상필름 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040624 |