JPH09277219A - 中空状セラミック焼結体の製法 - Google Patents
中空状セラミック焼結体の製法Info
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- JPH09277219A JPH09277219A JP9534196A JP9534196A JPH09277219A JP H09277219 A JPH09277219 A JP H09277219A JP 9534196 A JP9534196 A JP 9534196A JP 9534196 A JP9534196 A JP 9534196A JP H09277219 A JPH09277219 A JP H09277219A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 中空状セラミック焼結体を製造する際の歩留
まりが著しく向上する中空状セラミック焼結体の製法を
提供すること。 【解決手段】 Ｓｉ3Ｎ4材料をスプレードライでプレス
用に造粒した粉末を１．５ｔ／ｃｍ2 のＣＩＰで成形
し、粗セラミック成形体を得た。この粗セラミック成形
体に旋盤による生加工を施し、第１及び第２セラミック
成形体１１、１２を得た。第１及び第２セラミック成形
体１１、１２は、製造しようとするガスタービン用部品
を２分割したときの各形状に対応した形状であり、ま
た、両者の密度差はほぼゼロである。両接合面１１ｃ、
１２ｃを合わせ、ラテックスでコーティングし、４ｔ／
ｃｍ2 の圧力でＣＩＰを行った。その後、ラテックスを
除去し、焼成を行い、中空状セラミック焼結体であるガ
スタービン用部品を得た。
まりが著しく向上する中空状セラミック焼結体の製法を
提供すること。 【解決手段】 Ｓｉ3Ｎ4材料をスプレードライでプレス
用に造粒した粉末を１．５ｔ／ｃｍ2 のＣＩＰで成形
し、粗セラミック成形体を得た。この粗セラミック成形
体に旋盤による生加工を施し、第１及び第２セラミック
成形体１１、１２を得た。第１及び第２セラミック成形
体１１、１２は、製造しようとするガスタービン用部品
を２分割したときの各形状に対応した形状であり、ま
た、両者の密度差はほぼゼロである。両接合面１１ｃ、
１２ｃを合わせ、ラテックスでコーティングし、４ｔ／
ｃｍ2 の圧力でＣＩＰを行った。その後、ラテックスを
除去し、焼成を行い、中空状セラミック焼結体であるガ
スタービン用部品を得た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも２つの
セラミック成形体を接合し焼結することにより中空状セ
ラミック焼結体を製造する方法に関する。
セラミック成形体を接合し焼結することにより中空状セ
ラミック焼結体を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、少なくとも２つのセラミック
成形体を接合し焼結することにより中空状セラミック焼
結体を製造する方法としては、特開昭６４−３３０８０
号公報に開示されたものが知られている。
成形体を接合し焼結することにより中空状セラミック焼
結体を製造する方法としては、特開昭６４−３３０８０
号公報に開示されたものが知られている。
【０００３】即ち、特開昭６４−３３０８０号公報に
は、図１１に示すように、２つの構成部分３１、３２か
らなるパイプ３０が記載されている。このパイプ３０を
製造するには、まず構成部分３１、３２を嵩密度の密度
差が５〜１５％となるように成形し、次いで両者を接合
したあとコールドアイソスタティックプレス（以下「Ｃ
ＩＰ」という）に付し、その後焼成している。
は、図１１に示すように、２つの構成部分３１、３２か
らなるパイプ３０が記載されている。このパイプ３０を
製造するには、まず構成部分３１、３２を嵩密度の密度
差が５〜１５％となるように成形し、次いで両者を接合
したあとコールドアイソスタティックプレス（以下「Ｃ
ＩＰ」という）に付し、その後焼成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６４−３３０８０号公報の製法によれば、構成部分３
１、３２の密度差が５〜１５％であるため、両構成部分
３１、３２を接合したのちＣＩＰを行っている時に割れ
るとか、焼結時にひびが入るとか、仮に焼結できたとし
ても両者の寸法が合わないとかの不具合が生じるおそれ
があった。
６４−３３０８０号公報の製法によれば、構成部分３
１、３２の密度差が５〜１５％であるため、両構成部分
３１、３２を接合したのちＣＩＰを行っている時に割れ
るとか、焼結時にひびが入るとか、仮に焼結できたとし
ても両者の寸法が合わないとかの不具合が生じるおそれ
があった。
【０００５】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、中空状セラミック焼結体を製造する際の歩留まりが
著しく向上する中空状セラミック焼結体の製法を提供す
ることを目的とする。
り、中空状セラミック焼結体を製造する際の歩留まりが
著しく向上する中空状セラミック焼結体の製法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段、発明の実施の形態及び発
明の効果】上記課題を解決するため、本発明の中空状セ
ラミック焼結体の製法は、中空状セラミック焼結体を２
以上に分割したときの各形状に対応するセラミック成形
体を、それぞれの密度差が±５％以内となるように成形
する成形工程と、前記成形工程で製造したセラミック成
形体同士を等方圧プレスにより接合する接合工程と、前
記接合工程で接合したセラミック成形体を焼結して中空
状セラミック焼結体とする焼結工程とを含んでなること
を特徴とする。
明の効果】上記課題を解決するため、本発明の中空状セ
ラミック焼結体の製法は、中空状セラミック焼結体を２
以上に分割したときの各形状に対応するセラミック成形
体を、それぞれの密度差が±５％以内となるように成形
する成形工程と、前記成形工程で製造したセラミック成
形体同士を等方圧プレスにより接合する接合工程と、前
記接合工程で接合したセラミック成形体を焼結して中空
状セラミック焼結体とする焼結工程とを含んでなること
を特徴とする。
【０００７】本発明においては、まず、目的とする中空
状セラミック焼結体を２以上に分割したときの各形状に
対応するセラミック成形体を成形する（成形工程）。こ
のとき、各セラミック成形体の密度差が±５％以内とな
るようにする。密度差がこの範囲を超える場合には、接
合工程において等方圧プレスを行う時に割れたり、焼結
工程の際にクラックや割れが入ったり、焼結後に寸法が
合わなかったりするおそれがある。これらの問題点は、
本発明で製造しようとするセラミック焼結体が中空状で
あるため、一層起こりやすい。
状セラミック焼結体を２以上に分割したときの各形状に
対応するセラミック成形体を成形する（成形工程）。こ
のとき、各セラミック成形体の密度差が±５％以内とな
るようにする。密度差がこの範囲を超える場合には、接
合工程において等方圧プレスを行う時に割れたり、焼結
工程の際にクラックや割れが入ったり、焼結後に寸法が
合わなかったりするおそれがある。これらの問題点は、
本発明で製造しようとするセラミック焼結体が中空状で
あるため、一層起こりやすい。
【０００８】成形工程において、各セラミック成形体の
密度差を±５％以内とするには、例えば、１つの粗セラ
ミック成形体を成形し、この粗セラミック成形体から各
セラミック成形体を得るようにしてもよい。この場合、
各セラミック成形体の密度は元となる粗セラミック成形
体と一致するため、密度差をほぼゼロにすることができ
る。あるいは、各セラミック成形体を成形するに当り、
セラミック組成物を等方圧プレス、射出成形又は押出成
形等にて、予め成形時のプレス圧と密度の関係を求めた
上で、成形・生加工を行ってもよい。このうち、ＣＩＰ
のような等方圧プレスにて成形することが、密度の管理
を容易に行うことができ、しかも射出成形等に比べて設
備費や成形コストが嵩まない点で好ましい。なお、成形
体の密度は周知の方法を用いて測定することができる
が、複雑形状の場合には、例えば、既知の密度を有する
不溶性の樹脂又はゴムを用いて成形体に一定量被覆し、
この状態でアルキメデス法を用いて密度を測定するのが
好ましい。
密度差を±５％以内とするには、例えば、１つの粗セラ
ミック成形体を成形し、この粗セラミック成形体から各
セラミック成形体を得るようにしてもよい。この場合、
各セラミック成形体の密度は元となる粗セラミック成形
体と一致するため、密度差をほぼゼロにすることができ
る。あるいは、各セラミック成形体を成形するに当り、
セラミック組成物を等方圧プレス、射出成形又は押出成
形等にて、予め成形時のプレス圧と密度の関係を求めた
上で、成形・生加工を行ってもよい。このうち、ＣＩＰ
のような等方圧プレスにて成形することが、密度の管理
を容易に行うことができ、しかも射出成形等に比べて設
備費や成形コストが嵩まない点で好ましい。なお、成形
体の密度は周知の方法を用いて測定することができる
が、複雑形状の場合には、例えば、既知の密度を有する
不溶性の樹脂又はゴムを用いて成形体に一定量被覆し、
この状態でアルキメデス法を用いて密度を測定するのが
好ましい。
【０００９】続いて、セラミック成形体同士を等方圧プ
レスにより接合する（接合工程）。等方圧プレスの圧力
値は、接合後のセラミック成形体の密度が成形工程で得
られたセラミック成形体の密度よりも大きくなるように
定める。例えば、成形工程を１．５ｔ／ｃｍ2 のＣＩＰ
で行った場合、接合工程では１．５〜１０ｔ／ｃｍ2の
ＣＩＰを行うことが好ましい。尚、接合後のセラミック
成形体を焼結前に加工する（例えば合わせ面の段差をな
くすように切削する等）場合には、密度が大きくなり過
ぎないように圧力値を定める（上述の例では例えば１．
５〜２ｔ／ｃｍ 2 ）。
レスにより接合する（接合工程）。等方圧プレスの圧力
値は、接合後のセラミック成形体の密度が成形工程で得
られたセラミック成形体の密度よりも大きくなるように
定める。例えば、成形工程を１．５ｔ／ｃｍ2 のＣＩＰ
で行った場合、接合工程では１．５〜１０ｔ／ｃｍ2の
ＣＩＰを行うことが好ましい。尚、接合後のセラミック
成形体を焼結前に加工する（例えば合わせ面の段差をな
くすように切削する等）場合には、密度が大きくなり過
ぎないように圧力値を定める（上述の例では例えば１．
５〜２ｔ／ｃｍ 2 ）。
【００１０】この接合工程において、等方圧プレスによ
り接合する前に、各セラミック成形体同士の接合面を合
わせたあと、ラテックス等により少なくとも合わせ面を
シールすることが好ましい。これは、等方圧プレスを行
う際には加圧媒体中で加圧するが、この加圧媒体が合わ
せ面に侵入しないようにするためである。尚、ラテック
ス等は、焼成前に手で取り除いてもよいし、焼成温度以
下又は材料に悪影響を与えない温度以下（例えば４５０
℃の炉）で焼いてもよい。
り接合する前に、各セラミック成形体同士の接合面を合
わせたあと、ラテックス等により少なくとも合わせ面を
シールすることが好ましい。これは、等方圧プレスを行
う際には加圧媒体中で加圧するが、この加圧媒体が合わ
せ面に侵入しないようにするためである。尚、ラテック
ス等は、焼成前に手で取り除いてもよいし、焼成温度以
下又は材料に悪影響を与えない温度以下（例えば４５０
℃の炉）で焼いてもよい。
【００１１】また、接合工程において、等方圧プレスに
より接合する前に、各セラミック成形体の接合面に揮発
性液体を塗布して湿潤させたあと各接合面を合わせても
よい。あるいは、各セラミック成形体同士の接合面を合
わせたあと、その合わせ面に揮発性液体を流し込んでも
よい。いずれの場合も、各接合面は弱い力ながら接合す
るため、等方圧プレスを行う上で取り扱いが容易とな
る。ここで、揮発性液体としては、例えばエタノール、
メタノール、アセトン等が挙げられる。また、各セラミ
ック成形体同士の接合面を合わせたあと、その合わせ面
に共素地泥漿を流し込んでもよい。この場合、合わせ面
に隙間があったとしても、共素地泥漿により埋めること
ができる。ここで、共素地泥漿としては、例えば揮発性
液体にセラミック成形体のセラミック成分を分散させた
ものが挙げられる。
より接合する前に、各セラミック成形体の接合面に揮発
性液体を塗布して湿潤させたあと各接合面を合わせても
よい。あるいは、各セラミック成形体同士の接合面を合
わせたあと、その合わせ面に揮発性液体を流し込んでも
よい。いずれの場合も、各接合面は弱い力ながら接合す
るため、等方圧プレスを行う上で取り扱いが容易とな
る。ここで、揮発性液体としては、例えばエタノール、
メタノール、アセトン等が挙げられる。また、各セラミ
ック成形体同士の接合面を合わせたあと、その合わせ面
に共素地泥漿を流し込んでもよい。この場合、合わせ面
に隙間があったとしても、共素地泥漿により埋めること
ができる。ここで、共素地泥漿としては、例えば揮発性
液体にセラミック成形体のセラミック成分を分散させた
ものが挙げられる。
【００１２】また、セラミック成形体同士の接合面の形
状は特に限定されるものではないが、略円錐台状である
ことが好ましい。例えば、接合面が円筒状であれば、接
合面の精度が低いと隙間が生じてしまい両者が接合しな
いというおそれがあるが、接合面が略円錐台状であれ
ば、接合面の精度が低くても両者は接合する。このた
め、接合面が略円錐台状であることが好ましいのであ
る。
状は特に限定されるものではないが、略円錐台状である
ことが好ましい。例えば、接合面が円筒状であれば、接
合面の精度が低いと隙間が生じてしまい両者が接合しな
いというおそれがあるが、接合面が略円錐台状であれ
ば、接合面の精度が低くても両者は接合する。このた
め、接合面が略円錐台状であることが好ましいのであ
る。
【００１３】最後に、接合したセラミック成形体を焼結
して中空状セラミック焼結体とする（焼結工程）。この
ときの焼成温度は、用いるセラミック材料に応じて適宜
定める。以上のように、本発明の中空状セラミック焼結
体の製法によれば、接合工程において等方圧プレスを行
う時に割れたり、焼結工程の際にひびが入ったり、焼結
後に寸法が合わなかったりするおそれがないため、中空
状セラミック焼結体を製造する際の歩留まりが著しく向
上するという効果が得られる。特に、大型部品、長尺部
品または複雑形状品は生加工が困難なので、本発明の製
法を適用することによりコスト低減、歩留まり及び寸法
精度の向上を図ることができる。
して中空状セラミック焼結体とする（焼結工程）。この
ときの焼成温度は、用いるセラミック材料に応じて適宜
定める。以上のように、本発明の中空状セラミック焼結
体の製法によれば、接合工程において等方圧プレスを行
う時に割れたり、焼結工程の際にひびが入ったり、焼結
後に寸法が合わなかったりするおそれがないため、中空
状セラミック焼結体を製造する際の歩留まりが著しく向
上するという効果が得られる。特に、大型部品、長尺部
品または複雑形状品は生加工が困難なので、本発明の製
法を適用することによりコスト低減、歩留まり及び寸法
精度の向上を図ることができる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明の好適な実施例を図面に基づ
いて説明する。尚、本発明の実施の形態は、下記の実施
例に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲
に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもな
い。
いて説明する。尚、本発明の実施の形態は、下記の実施
例に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲
に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもな
い。
【００１５】図１は粗セラミック成形体を成形するため
のＣＩＰ用の型の概略断面図、図２は粗セラミック成形
体の断面図、図３は各セラミック成形体の断面図、図４
は各セラミック成形体を接合した接合体の断面図、図５
は中空状セラミック焼結体であるガスタービン用部品の
断面図である。
のＣＩＰ用の型の概略断面図、図２は粗セラミック成形
体の断面図、図３は各セラミック成形体の断面図、図４
は各セラミック成形体を接合した接合体の断面図、図５
は中空状セラミック焼結体であるガスタービン用部品の
断面図である。
【００１６】本実施例は、下記の成形工程、接合工程、
焼結工程を経ることにより図５に示すガスタービン用部
品１を製造した一例である。 ［１］成形工程 図１に示す型２０は、筒状ゴム型２１と、この筒状ゴム
型２１の一方の開口部分を閉塞する第１円盤状ゴム型２
２と、筒状ゴム型２１の他方の開口部分を閉塞する第２
円盤状ゴム型２３と、筒状ゴム型２１の軸中心に配置さ
れたプレスピン２４とを備えている。プレスピン２４
は、円筒を２段に重ねた構造であり、小径側が第１円盤
状ゴム型２２の中央に設けられた孔に差し込まれ、大径
側が第２円盤状ゴム型２３の中央に設けられた孔に差し
込まれている。
焼結工程を経ることにより図５に示すガスタービン用部
品１を製造した一例である。 ［１］成形工程 図１に示す型２０は、筒状ゴム型２１と、この筒状ゴム
型２１の一方の開口部分を閉塞する第１円盤状ゴム型２
２と、筒状ゴム型２１の他方の開口部分を閉塞する第２
円盤状ゴム型２３と、筒状ゴム型２１の軸中心に配置さ
れたプレスピン２４とを備えている。プレスピン２４
は、円筒を２段に重ねた構造であり、小径側が第１円盤
状ゴム型２２の中央に設けられた孔に差し込まれ、大径
側が第２円盤状ゴム型２３の中央に設けられた孔に差し
込まれている。
【００１７】この型２０のうち、筒状ゴム型２１、第１
及び第２円盤状ゴム型２２、２３、プレスピン２４によ
り囲まれた部分にα−Ｓｉ3Ｎ4、Ｙ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ａｌ
2Ｏ3の各粉末を重量比で８８：６：３：３で湿式混合し
て得たスラリーをスプレードライでプレス用に乾燥造粒
した粉末を入れ、１．５ｔ／ｃｍ2 のＣＩＰで成形し、
図２に示す粗セラミック成形体１０を得た。この粗セラ
ミック成形体１０は、円柱形状であって、その中心には
段差をもった貫通孔１０ａが設けられている。
及び第２円盤状ゴム型２２、２３、プレスピン２４によ
り囲まれた部分にα−Ｓｉ3Ｎ4、Ｙ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ａｌ
2Ｏ3の各粉末を重量比で８８：６：３：３で湿式混合し
て得たスラリーをスプレードライでプレス用に乾燥造粒
した粉末を入れ、１．５ｔ／ｃｍ2 のＣＩＰで成形し、
図２に示す粗セラミック成形体１０を得た。この粗セラ
ミック成形体１０は、円柱形状であって、その中心には
段差をもった貫通孔１０ａが設けられている。
【００１８】この粗セラミック成形体１０に旋盤による
生加工を施し、図３に示す第１及び第２セラミック成形
体１１、１２を得た。第１セラミック成形体１１は、円
筒部１１ａとリング部１１ｂとを備え、リング部１１ｂ
の外周は略円錐台状に形成されて接合面１１ｃを成して
いる。第２セラミック成形体１２は、略ラッパ状の筒体
であり、大径側の開口には第１セラミック成形体１１の
接合面１１ｃと略一致する略円錐台状の接合面１２ｃが
形成されている。
生加工を施し、図３に示す第１及び第２セラミック成形
体１１、１２を得た。第１セラミック成形体１１は、円
筒部１１ａとリング部１１ｂとを備え、リング部１１ｂ
の外周は略円錐台状に形成されて接合面１１ｃを成して
いる。第２セラミック成形体１２は、略ラッパ状の筒体
であり、大径側の開口には第１セラミック成形体１１の
接合面１１ｃと略一致する略円錐台状の接合面１２ｃが
形成されている。
【００１９】尚、第１及び第２セラミック成形体１１、
１２は、図５のガスタービン用部品を破線ｐにて２つに
分割したときの各形状に対応している。また、第１及び
第２セラミック成形体１１、１２は、共に粗セラミック
成形体１０を生加工したものであるため、両者の密度差
はほぼゼロであり±５％以内である。 ［２］接合工程 第１セラミック成形体１１の接合面１１ｃと第２セラミ
ック成形体１２の接合面１２ｃにエタノールを塗布して
湿潤させ、両接合面１１ｃ、１２ｃを合わせ、図４に示
す接合体１３とした。このようにエタノールを塗布して
接合面１１ｃ、１２ｃを合わせることで、すでに弱い力
ながら接合していた。尚、合わせられた接合面１１ｃ、
１２ｃを合わせ面１３ｃと称する。
１２は、図５のガスタービン用部品を破線ｐにて２つに
分割したときの各形状に対応している。また、第１及び
第２セラミック成形体１１、１２は、共に粗セラミック
成形体１０を生加工したものであるため、両者の密度差
はほぼゼロであり±５％以内である。 ［２］接合工程 第１セラミック成形体１１の接合面１１ｃと第２セラミ
ック成形体１２の接合面１２ｃにエタノールを塗布して
湿潤させ、両接合面１１ｃ、１２ｃを合わせ、図４に示
す接合体１３とした。このようにエタノールを塗布して
接合面１１ｃ、１２ｃを合わせることで、すでに弱い力
ながら接合していた。尚、合わせられた接合面１１ｃ、
１２ｃを合わせ面１３ｃと称する。
【００２０】次いで、Ｓｉ3Ｎ4材料をエタノールに懸濁
させた共素地泥漿を接合体１３の合わせ面１３ｃに流し
込んだ。このように共素地泥漿を流し込むことで、合わ
せ面１３ｃの隙間が埋められた。続いて、エタノールを
充分蒸発させた後、接合体１３の全面にラテックスを塗
布し、乾燥させた。このラテックスは、第１及び第２セ
ラミック成形体１１、１２の収縮に追従し、後述するＣ
ＩＰを行うときの加圧媒体の侵入を防ぐものである。
させた共素地泥漿を接合体１３の合わせ面１３ｃに流し
込んだ。このように共素地泥漿を流し込むことで、合わ
せ面１３ｃの隙間が埋められた。続いて、エタノールを
充分蒸発させた後、接合体１３の全面にラテックスを塗
布し、乾燥させた。このラテックスは、第１及び第２セ
ラミック成形体１１、１２の収縮に追従し、後述するＣ
ＩＰを行うときの加圧媒体の侵入を防ぐものである。
【００２１】続いて、ラテックスをコーティングした接
合体１３を４ｔ／ｃｍ2 の圧力でＣＩＰを行った。その
後、この接合体１３を焼成温度以下である４５０℃の炉
で焼くことによりラテックスを除去した。 ［３］焼結工程 ＣＩＰを行った接合体１３を常圧の窒素雰囲気中、１７
００℃で４時間という条件下で焼成を行い、中空状セラ
ミック焼結体である図５のガスタービン用部品１を得
た。このガスタービン用部品１にはひび割れや寸法違い
などが生じていなかった。また、このガスタービン用部
品１は、ガスタービン用として十分な強度を有してい
た。
合体１３を４ｔ／ｃｍ2 の圧力でＣＩＰを行った。その
後、この接合体１３を焼成温度以下である４５０℃の炉
で焼くことによりラテックスを除去した。 ［３］焼結工程 ＣＩＰを行った接合体１３を常圧の窒素雰囲気中、１７
００℃で４時間という条件下で焼成を行い、中空状セラ
ミック焼結体である図５のガスタービン用部品１を得
た。このガスタービン用部品１にはひび割れや寸法違い
などが生じていなかった。また、このガスタービン用部
品１は、ガスタービン用として十分な強度を有してい
た。
【００２２】尚、このガスタービン用部品１は、貫通孔
１ａに燃焼器の金属性の燃料噴射口が配置されるもので
あり、外部の形状に沿ってガスが流通するものである。 ［その他の実施例］図６〜図１０に示すような中空状セ
ラミック焼結体についても、上記実施例と同様にして製
造することができる。
１ａに燃焼器の金属性の燃料噴射口が配置されるもので
あり、外部の形状に沿ってガスが流通するものである。 ［その他の実施例］図６〜図１０に示すような中空状セ
ラミック焼結体についても、上記実施例と同様にして製
造することができる。
【００２３】即ち、図６の中空状セラミック焼結体２を
製造する際には、各セラミック成形体の形状は、破線ａ
により切断して２分割した形状に対応させてもよいし、
破線ｂにより切断して２分割した形状に対応させてもよ
い（尚、破線ａと破線ｂで切断して３分割した形状に対
応させてもよい）。
製造する際には、各セラミック成形体の形状は、破線ａ
により切断して２分割した形状に対応させてもよいし、
破線ｂにより切断して２分割した形状に対応させてもよ
い（尚、破線ａと破線ｂで切断して３分割した形状に対
応させてもよい）。
【００２４】図７の中空状セラミック焼結体３を製造す
る際には、各セラミック成形体の形状は、破線ｃにより
切断して２分割した形状に対応させてもよいし、破線ｄ
により切断して２分割した形状に対応させてもよい
（尚、破線ｃと破線ｄで切断して３分割した形状に対応
させてもよい）。
る際には、各セラミック成形体の形状は、破線ｃにより
切断して２分割した形状に対応させてもよいし、破線ｄ
により切断して２分割した形状に対応させてもよい
（尚、破線ｃと破線ｄで切断して３分割した形状に対応
させてもよい）。
【００２５】図８の中空状セラミック焼結体４を製造す
る際には、各セラミック成形体の形状は、破線ｅにより
切断して２分割した形状に対応させてもよいし、破線ｆ
により切断して２分割した形状に対応させてもよいし、
破線ｇにより切断して２分割した形状に対応させてもよ
い（尚、破線ｅ〜ｇの２箇所以上で切断して３分割以上
にしてもよい）。
る際には、各セラミック成形体の形状は、破線ｅにより
切断して２分割した形状に対応させてもよいし、破線ｆ
により切断して２分割した形状に対応させてもよいし、
破線ｇにより切断して２分割した形状に対応させてもよ
い（尚、破線ｅ〜ｇの２箇所以上で切断して３分割以上
にしてもよい）。
【００２６】図９の中空状セラミック焼結体５を製造す
る際には、各セラミック成形体の形状は、破線ｈにより
切断して２分割した形状に対応させてもよいし、破線ｉ
により切断して２分割した形状に対応させてもよいし、
破線ｊにより切断して２分割した形状に対応させてもよ
い（尚、破線ｈ〜ｊの２箇所以上で切断して３分割以上
にしてもよい）。
る際には、各セラミック成形体の形状は、破線ｈにより
切断して２分割した形状に対応させてもよいし、破線ｉ
により切断して２分割した形状に対応させてもよいし、
破線ｊにより切断して２分割した形状に対応させてもよ
い（尚、破線ｈ〜ｊの２箇所以上で切断して３分割以上
にしてもよい）。
【００２７】図１０の中空状セラミック焼結体６を製造
する際には、各セラミック成形体の形状は、破線ｋと破
線ｍ（もしくは破線ｎ）により切断して３分割した形状
に対応させてもよいし、破線ｌと破線ｍ（もしくは破線
ｎ）により切断して３分割した形状に対応させてもよい
（尚、破線ｋ〜ｎの３箇所以上で切断して４分割以上に
してもよい）。
する際には、各セラミック成形体の形状は、破線ｋと破
線ｍ（もしくは破線ｎ）により切断して３分割した形状
に対応させてもよいし、破線ｌと破線ｍ（もしくは破線
ｎ）により切断して３分割した形状に対応させてもよい
（尚、破線ｋ〜ｎの３箇所以上で切断して４分割以上に
してもよい）。
【図１】 粗セラミック成形体を成形するためのＣＩＰ
用の型の概略断面図である。
用の型の概略断面図である。
【図２】 粗セラミック成形体の断面図である。
【図３】 第１及び第２セラミック成形体の断面図であ
る。
る。
【図４】 第１及び第２セラミック成形体を接合した接
合体の断面図である。
合体の断面図である。
【図５】 ガスタービン用部品の縦断面図である。
【図６】 他の中空状セラミック焼結体の縦断面図であ
る。
る。
【図７】 他の中空状セラミック焼結体の縦断面図であ
る。
る。
【図８】 他の中空状セラミック焼結体の縦断面図であ
る。
る。
【図９】 他の中空状セラミック焼結体の縦断面図であ
る。
る。
【図１０】 他の中空状セラミック焼結体の縦断面図で
ある。
ある。
【図１１】 従来の製法により製造されたパイプの銃断
面図である。
面図である。
１・・・ガスタービン用部品、 １０・・・粗セラミ
ック成形体、１１・・・第１セラミック成形体、１１ｃ
・・・接合面、１２・・・第２セラミック成形体、１２
ｃ・・・接合面、１３・・・接合体、 １
３ｃ・・・合わせ面、２０・・・型
ック成形体、１１・・・第１セラミック成形体、１１ｃ
・・・接合面、１２・・・第２セラミック成形体、１２
ｃ・・・接合面、１３・・・接合体、 １
３ｃ・・・合わせ面、２０・・・型
Claims (6)
- 【請求項１】 中空状セラミック焼結体を２以上に分割
したときの各形状に対応するセラミック成形体を、それ
ぞれの密度差が±５％以内となるように成形する成形工
程と、 前記成形工程で製造したセラミック成形体同士を等方圧
プレスにより接合する接合工程と、 前記接合工程で接合したセラミック成形体を焼結して中
空状セラミック焼結体とする焼結工程とを含んでなるこ
とを特徴とする中空状セラミック焼結体の製法。 - 【請求項２】 前記成形工程において、１つの粗セラミ
ック成形体を成形し、該粗セラミック成形体から各セラ
ミック成形体を得ることを特徴とする請求項１記載の中
空状セラミック焼結体の製法。 - 【請求項３】 前記成形工程において、等方圧プレスを
利用して成形することを特徴とする請求項１又は２記載
の中空状セラミック焼結体の製法。 - 【請求項４】 前記成形工程において、前記セラミック
成形体は成形した後に生加工を施すことを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の中空状セラミック焼結体
の製法。 - 【請求項５】 前記接合工程において、前記セラミック
成形体同士を等方圧プレスにより接合する前に、前記セ
ラミック成形体同士の接合面に共素地泥漿を流し込むこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の中空状
セラミック焼結体の製法。 - 【請求項６】 前記接合工程において、前記セラミック
成形体同士の接合面が略円錐台状であることを特徴とす
る請求項１〜５のいずれかに記載の中空状セラミック焼
結体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9534196A JPH09277219A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 中空状セラミック焼結体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9534196A JPH09277219A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 中空状セラミック焼結体の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09277219A true JPH09277219A (ja) | 1997-10-28 |
Family
ID=14135000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9534196A Pending JPH09277219A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 中空状セラミック焼結体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09277219A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005186033A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Fuji Xerox Co Ltd | マイクロリアクターチップの作製方法 |
-
1996
- 1996-04-17 JP JP9534196A patent/JPH09277219A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005186033A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Fuji Xerox Co Ltd | マイクロリアクターチップの作製方法 |
| JP4492120B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-06-30 | 富士ゼロックス株式会社 | マイクロリアクターチップの作製方法 |
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