JPH09270564A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の製造方法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の製造方法Info
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- JPH09270564A JPH09270564A JP7884596A JP7884596A JPH09270564A JP H09270564 A JPH09270564 A JP H09270564A JP 7884596 A JP7884596 A JP 7884596A JP 7884596 A JP7884596 A JP 7884596A JP H09270564 A JPH09270564 A JP H09270564A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓｉ基板上に高品質なII−VI族化合物半導体
を成長させる製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板上にII−VI族化合物半導体を成
長させる前のＳｉ基板熱処理時にＡｓＨ3 を導入する。
ＡｓＨ3 の流量は５μｍｏｌ／ｍｉｎ以上３６０μｍｏ
ｌ／ｍｉｎ以下とする。本発明を発光ダイオードの製造
に適用した場合は、Ｓｉ基板１１の熱処理時にＡｓＨ3
を、例えば２３μｍｏｌ／ｍｉｎ導入する。その後、ｎ
型ＺｎＳｅクラッド層１２、ＺｎＣｄＳｅ活性層１３、
ｐ型ＺｎＳｅクラッド層１４を順次成長させる。更に、
成長層の１部分をｎ型ＺｎＳｅクラッド層１２の途中ま
で選択的にエッチングし、ｎ型半導体側の電極１５とし
て例えばＩｎを蒸着する。また、ｐ型ＺｎＳｅクラッド
層１４にはｐ型半導体側の電極１６として例えばＡｕを
蒸着する。
を成長させる製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板上にII−VI族化合物半導体を成
長させる前のＳｉ基板熱処理時にＡｓＨ3 を導入する。
ＡｓＨ3 の流量は５μｍｏｌ／ｍｉｎ以上３６０μｍｏ
ｌ／ｍｉｎ以下とする。本発明を発光ダイオードの製造
に適用した場合は、Ｓｉ基板１１の熱処理時にＡｓＨ3
を、例えば２３μｍｏｌ／ｍｉｎ導入する。その後、ｎ
型ＺｎＳｅクラッド層１２、ＺｎＣｄＳｅ活性層１３、
ｐ型ＺｎＳｅクラッド層１４を順次成長させる。更に、
成長層の１部分をｎ型ＺｎＳｅクラッド層１２の途中ま
で選択的にエッチングし、ｎ型半導体側の電極１５とし
て例えばＩｎを蒸着する。また、ｐ型ＺｎＳｅクラッド
層１４にはｐ型半導体側の電極１６として例えばＡｕを
蒸着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はII−VI族化合物半導
体の製造方法に関し、更に詳しくはII−VI族化合物半導
体を用いた発光素子の製造に適用して好適な製造方法に
関する。
体の製造方法に関し、更に詳しくはII−VI族化合物半導
体を用いた発光素子の製造に適用して好適な製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、II−VI族化合物半導体を用いた発
光ダイオードまたはレーザダイオード等の発光素子は、
ＧａＡｓ基板またはＺｎＳｅ基板上に作成されている。
〔Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３３（１９９
４）Ｌ９３８，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６６
（１９９５）１１５〕
光ダイオードまたはレーザダイオード等の発光素子は、
ＧａＡｓ基板またはＺｎＳｅ基板上に作成されている。
〔Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３３（１９９
４）Ｌ９３８，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６６
（１９９５）１１５〕
【０００３】しかしながら、上述したＧａＡｓ基板また
はＺｎＳｅ基板は高価であり、またウェハーの大きさは
３インチ程度のものにとどまっている。
はＺｎＳｅ基板は高価であり、またウェハーの大きさは
３インチ程度のものにとどまっている。
【０００４】これに対してＳｉ基板は安価であり、また
８インチ程度の大面積基板も作成されている。しかし、
ＺｎＳｅをＳｉ基板上に成長させようとした場合、成長
初期にＳｉとＳｅとが結合してアモルファス層を形成す
るため、成長層の結晶性が悪化することが知られてい
る。そのため、分子線エピタキシー法によるＳｉ基板上
へのＺｎＳｅの成長においては、成長前の基板表面にＡ
ｓ分子線を照射し、基板表面をＡｓで覆うことにより、
このアモルファス層の形成を抑えることが試みられてき
た〔Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ．，４５（１９９２）１３４
００〕。
８インチ程度の大面積基板も作成されている。しかし、
ＺｎＳｅをＳｉ基板上に成長させようとした場合、成長
初期にＳｉとＳｅとが結合してアモルファス層を形成す
るため、成長層の結晶性が悪化することが知られてい
る。そのため、分子線エピタキシー法によるＳｉ基板上
へのＺｎＳｅの成長においては、成長前の基板表面にＡ
ｓ分子線を照射し、基板表面をＡｓで覆うことにより、
このアモルファス層の形成を抑えることが試みられてき
た〔Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ．，４５（１９９２）１３４
００〕。
【０００５】しかしながら、有機金属化学気相成長法に
よるＳｉ基板上へのＺｎＳｅの成長において、上述した
アモルファス層の形成を抑制する有効な手法が見いださ
れていないのが現状である。
よるＳｉ基板上へのＺｎＳｅの成長において、上述した
アモルファス層の形成を抑制する有効な手法が見いださ
れていないのが現状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、安価、且つ大面積化が容易なＳｉ基板上に高品質な
II−VI族化合物半導体を成長させる製造方法を提供しよ
うとするものである。
は、安価、且つ大面積化が容易なＳｉ基板上に高品質な
II−VI族化合物半導体を成長させる製造方法を提供しよ
うとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
成されたものであり、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｍｇから成る群より
選ばれた１種以上のII族元素と、Ｓｅ、Ｓから成る群よ
り選ばれた１種以上のVI族元素とから成るII−VI族化合
物半導体を半導体基板上に成長させるようにしたII−VI
族化合物半導体の製造方法において、半導体基板として
Ｓｉを用い、且つ前記II−VI族化合物半導体の成長前の
基板熱処理時にＡｓＨ3 を導入し、この流量を５μｍｏ
ｌ／ｍｉｎ以上３６０μｍｏｌ／ｍｉｎ以下とする。
成されたものであり、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｍｇから成る群より
選ばれた１種以上のII族元素と、Ｓｅ、Ｓから成る群よ
り選ばれた１種以上のVI族元素とから成るII−VI族化合
物半導体を半導体基板上に成長させるようにしたII−VI
族化合物半導体の製造方法において、半導体基板として
Ｓｉを用い、且つ前記II−VI族化合物半導体の成長前の
基板熱処理時にＡｓＨ3 を導入し、この流量を５μｍｏ
ｌ／ｍｉｎ以上３６０μｍｏｌ／ｍｉｎ以下とする。
【０００８】前記II−VI族化合物半導体はＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳｅまたはＺｎＭｇＳＳｅ
とする。
Ｓｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳｅまたはＺｎＭｇＳＳｅ
とする。
【０００９】半導体基板上へのII−VI族化合物半導体の
成長方法は有機金属化学気相成長法、分子線エピタキシ
ー法またはガス原料を用いた分子線エピタキシー法を用
いて上記課題を解決する。
成長方法は有機金属化学気相成長法、分子線エピタキシ
ー法またはガス原料を用いた分子線エピタキシー法を用
いて上記課題を解決する。
【００１０】従って本発明によるII−VI族化合物半導体
を成長させる製造方法によれば、Ｓｉ基板の熱処理時に
ＡｓＨ3 を導入することにより、成長初期のアモルファ
ス層の形成を抑制することができ、また、ＡｓＨ3 流量
を５μｍｏｌ／ｍｉｎ以上３６０μｍｏｌ／ｍｉｎ以下
とすることにより、良好な表面モフォロジーおよび結晶
性を有したII−VI族化合物半導体をＳｉ基板上に成長す
ることができる。
を成長させる製造方法によれば、Ｓｉ基板の熱処理時に
ＡｓＨ3 を導入することにより、成長初期のアモルファ
ス層の形成を抑制することができ、また、ＡｓＨ3 流量
を５μｍｏｌ／ｍｉｎ以上３６０μｍｏｌ／ｍｉｎ以下
とすることにより、良好な表面モフォロジーおよび結晶
性を有したII−VI族化合物半導体をＳｉ基板上に成長す
ることができる。
【００１１】このため、安価、且つ大面積化が容易なＳ
ｉ基板上に高品質なII−VI族化合物半導体を成長させる
ことができ、発光素子、即ち発光ダイオード、レーザダ
イオード等の製造に用いて好適であり、コストダウンお
よび生産性の向上を図ることができる。
ｉ基板上に高品質なII−VI族化合物半導体を成長させる
ことができ、発光素子、即ち発光ダイオード、レーザダ
イオード等の製造に用いて好適であり、コストダウンお
よび生産性の向上を図ることができる。
【００１２】
【実施例】本発明の実施例について図１ないし図４を参
照して説明する。まず本発明を、Ｓｉ基板上へのＺｎＳ
ｅ層の成長に適用した第一の実施例について説明する。
この第一の実施例においては結晶成長方法として有機金
属化学気相成長法を用い、Ｚｎ原料としてジメチルジン
ク（ＤＭＺｎ）を、Ｓｅ原料としてジメチルセレン（Ｄ
ＭＳｅ）を用いる。
照して説明する。まず本発明を、Ｓｉ基板上へのＺｎＳ
ｅ層の成長に適用した第一の実施例について説明する。
この第一の実施例においては結晶成長方法として有機金
属化学気相成長法を用い、Ｚｎ原料としてジメチルジン
ク（ＤＭＺｎ）を、Ｓｅ原料としてジメチルセレン（Ｄ
ＭＳｅ）を用いる。
【００１３】第一の実施例は図１に示すようにＳｉ基板
１上にＺｎＳｅ層２を成長させる前の基板熱処理時に、
２３μｍｏｌ／ｍｉｎのＡｓＨ3 を導入する。尚、Ｚｎ
Ｓｅ層２の膜厚は０．４μｍである。
１上にＺｎＳｅ層２を成長させる前の基板熱処理時に、
２３μｍｏｌ／ｍｉｎのＡｓＨ3 を導入する。尚、Ｚｎ
Ｓｅ層２の膜厚は０．４μｍである。
【００１４】図２は上述の資料のＸ線回折スペクトルの
測定結果であって、同図から分かるように、ＺｎＳｅに
よるＸ線回折ピークの半値幅は５７０秒程度である。Ｓ
ｉ基板とＺｎＳｅとの間には約４％の格子不整が存在し
ており、また、ＺｎＳｅ層２の膜厚が薄いにもかかわら
ず、良好な結晶性を有しているといえる。このＸ線回折
ピークの半値幅の値がＧａＡｓ基板上に成長した同程度
の膜厚を有するＺｎＳｅのそれと同等となっている。
測定結果であって、同図から分かるように、ＺｎＳｅに
よるＸ線回折ピークの半値幅は５７０秒程度である。Ｓ
ｉ基板とＺｎＳｅとの間には約４％の格子不整が存在し
ており、また、ＺｎＳｅ層２の膜厚が薄いにもかかわら
ず、良好な結晶性を有しているといえる。このＸ線回折
ピークの半値幅の値がＧａＡｓ基板上に成長した同程度
の膜厚を有するＺｎＳｅのそれと同等となっている。
【００１５】これに対して、基板熱処理時にＡｓＨ3 を
流さなかった試料のＸ線回折ピークの半値幅は１１００
秒程度であり、基板熱処理時にＡｓＨ3 を流すことによ
りＺｎＳｅ層２の結晶性が大幅に改善されていることが
分かる。
流さなかった試料のＸ線回折ピークの半値幅は１１００
秒程度であり、基板熱処理時にＡｓＨ3 を流すことによ
りＺｎＳｅ層２の結晶性が大幅に改善されていることが
分かる。
【００１６】上述したような結晶性の改善は、ＡｓＨ3
が熱分解してできたＡｓによりＳｉ基板表面が覆われ、
成長初期のアモルファス層の形成が抑制されるためであ
ると考えられる。
が熱分解してできたＡｓによりＳｉ基板表面が覆われ、
成長初期のアモルファス層の形成が抑制されるためであ
ると考えられる。
【００１７】図３は、横軸に基板熱処理時のＡｓＨ3 流
量を、縦軸にＸ線回折ピークの半値幅をとったものであ
る。同図から分かるように、ＡｓＨ3 を３６０μｍｏｌ
／ｍｉｎ流した場合でも、流さない場合に比べて結晶性
の改善が認められる。しかしながら、ＡｓＨ3 流量を増
加するにつれて表面モフォロジーが荒れる傾向にあるこ
とからＡｓＨ3 流量の上限値は３６０μｍｏｌ／ｍｉｎ
が適当であるといえる。また、ＡｓＨ3 流量を５μｍｏ
ｌ／ｍｉｎより少なくするのは、その流量の制御が非常
に困難であることから、ＡｓＨ3 流量の下限値は５μｍ
ｏｌ／ｍｉｎが適当であるといえる。
量を、縦軸にＸ線回折ピークの半値幅をとったものであ
る。同図から分かるように、ＡｓＨ3 を３６０μｍｏｌ
／ｍｉｎ流した場合でも、流さない場合に比べて結晶性
の改善が認められる。しかしながら、ＡｓＨ3 流量を増
加するにつれて表面モフォロジーが荒れる傾向にあるこ
とからＡｓＨ3 流量の上限値は３６０μｍｏｌ／ｍｉｎ
が適当であるといえる。また、ＡｓＨ3 流量を５μｍｏ
ｌ／ｍｉｎより少なくするのは、その流量の制御が非常
に困難であることから、ＡｓＨ3 流量の下限値は５μｍ
ｏｌ／ｍｉｎが適当であるといえる。
【００１８】以上のように、第一の実施例によれば、Ｓ
ｉ基板１上にＺｎＳｅ層２を成長させる前の基板熱処理
時にＡｓＨ3 を導入することにより、良好な結晶性を有
したＺｎＳｅ層２を作成することができる。また、Ａｓ
Ｈ3 流量を５μｍｏｌ／ｍｉｎ以上３６０μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ以下とすることにより、ＺｎＳｅ層２のモフォロジ
ーを良好にすることができる。
ｉ基板１上にＺｎＳｅ層２を成長させる前の基板熱処理
時にＡｓＨ3 を導入することにより、良好な結晶性を有
したＺｎＳｅ層２を作成することができる。また、Ａｓ
Ｈ3 流量を５μｍｏｌ／ｍｉｎ以上３６０μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ以下とすることにより、ＺｎＳｅ層２のモフォロジ
ーを良好にすることができる。
【００１９】つぎに、本発明を発光ダイオードの製造に
適用した第二の実施例について図４を参照して説明す
る。この第二の実施例においては、Ｓｉ基板１１の熱処
理時にＡｓＨ3 を、例えば２３μｍｏｌ／ｍｉｎ導入す
る。その後、図４に示すように、ｎ型ＺｎＳｅクラッド
層１２、ＺｎＣｄＳｅ活性層１３、ｐ型ＺｎＳｅクラッ
ド層１４を順次成長させる。その後、成長層の１部分を
ｎ型ＺｎＳｅクラッド層１２の途中まで選択的にエッチ
ングし、ｎ型半導体側の電極１５として例えばＩｎを蒸
着する。また、ｐ型ＺｎＳｅクラッド層１４にはｐ型半
導体側の電極１６として例えばＡｕを蒸着する。
適用した第二の実施例について図４を参照して説明す
る。この第二の実施例においては、Ｓｉ基板１１の熱処
理時にＡｓＨ3 を、例えば２３μｍｏｌ／ｍｉｎ導入す
る。その後、図４に示すように、ｎ型ＺｎＳｅクラッド
層１２、ＺｎＣｄＳｅ活性層１３、ｐ型ＺｎＳｅクラッ
ド層１４を順次成長させる。その後、成長層の１部分を
ｎ型ＺｎＳｅクラッド層１２の途中まで選択的にエッチ
ングし、ｎ型半導体側の電極１５として例えばＩｎを蒸
着する。また、ｐ型ＺｎＳｅクラッド層１４にはｐ型半
導体側の電極１６として例えばＡｕを蒸着する。
【００２０】前記第二の実施例によれば、Ｓｉ基板の熱
処理時にＡｓＨ3 を流し、その後成長を開始することに
より、発光ダイオードを構成する各層を高品質に作成す
ることができる。そのため、安価、且つ大面積化が容易
なＳｉ基板上に、高効率、長寿命の発光ダイオードを作
成することができ、従って、製造コストの削減、生産性
の向上が可能となる。
処理時にＡｓＨ3 を流し、その後成長を開始することに
より、発光ダイオードを構成する各層を高品質に作成す
ることができる。そのため、安価、且つ大面積化が容易
なＳｉ基板上に、高効率、長寿命の発光ダイオードを作
成することができ、従って、製造コストの削減、生産性
の向上が可能となる。
【００２１】尚、本発明は上述した実施例に限定される
ものではなく、本発明の技術的思想を具現化する他の例
に用いて良いことは論を待たない。例えば、第二の実施
例においては、本発明を発光ダイオードの製造に適用し
た場合について説明したが、図４に示す構造と同様の構
造のレーザダイオードの製造に用いることも可能であ
る。
ものではなく、本発明の技術的思想を具現化する他の例
に用いて良いことは論を待たない。例えば、第二の実施
例においては、本発明を発光ダイオードの製造に適用し
た場合について説明したが、図４に示す構造と同様の構
造のレーザダイオードの製造に用いることも可能であ
る。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるII−
IV族化合物半導体の製造方法によれば、成長開始前の基
板熱処理時に５μｍｏｌ／ｍｉｎ以上３６０μｍｏｌ／
ｍｉｎ以下のＡｓＨ3 を導入することにより、安価、且
つ大面積化が容易なＳｉ基板上に高品質なII−IV族化合
物半導体の成長が可能となる。
IV族化合物半導体の製造方法によれば、成長開始前の基
板熱処理時に５μｍｏｌ／ｍｉｎ以上３６０μｍｏｌ／
ｍｉｎ以下のＡｓＨ3 を導入することにより、安価、且
つ大面積化が容易なＳｉ基板上に高品質なII−IV族化合
物半導体の成長が可能となる。
【図１】 本発明の第一の実施例によるＺｎＳｅ層の成
長方法を説明するための断面図である。
長方法を説明するための断面図である。
【図２】 本発明の第一の実施例によるＺｎＳｅ層のＸ
線回折スペクトルの測定結果を示す図である。
線回折スペクトルの測定結果を示す図である。
【図３】 本発明の第一の実施例によるＺｎＳｅ層のＸ
線回折ピーク半値幅の、ＡｓＨ3 流量依存性の測定結果
を示すグラフである。
線回折ピーク半値幅の、ＡｓＨ3 流量依存性の測定結果
を示すグラフである。
【図４】 本発明の第二の実施例による発光ダイオード
の製造方法を説明するための断面図である。
の製造方法を説明するための断面図である。
１，１１…Ｓｉ基板、２…ＺｎＳｅ層、１２…ｎ型Ｚｎ
Ｓｅクラッド層 １３…ＺｎＣｄＳｅ活性層、１４…ｐ型ＺｎＳｅクラッ
ド層 １５，１６…電極
Ｓｅクラッド層 １３…ＺｎＣｄＳｅ活性層、１４…ｐ型ＺｎＳｅクラッ
ド層 １５，１６…電極
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｚｎ、Ｃｄ、Ｍｇから成る群より選ばれ
た１種以上のII族元素と、Ｓｅ、Ｓから成る群より選ば
れた１種以上のVI族元素とから成るII−VI族化合物半導
体を半導体基板上に成長させるようにしたII−VI族化合
物半導体の製造方法において、 半導体基板としてＳｉを用い、且つ前記II−VI族化合物
半導体の成長前の基板熱処理時にＡｓＨ3 を導入するこ
とを特徴とするII−VI族化合物半導体の製造方法。 - 【請求項２】 前記基板熱処理時のＡｓＨ3 流量を５μ
ｍｏｌ／ｍｉｎ以上３６０μｍｏｌ／ｍｉｎ以下とする
ことを特徴とする、請求項１に記載のII−VI族化合物半
導体の製造方法。 - 【請求項３】 前記II−VI族化合物半導体はＺｎＳ、Ｚ
ｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳｅまたはＺｎＭｇＳＳ
ｅであることを特徴とする、請求項１に記載のII−VI族
化合物半導体の製造方法。 - 【請求項４】 前記II−VI族化合物半導体はＺｎＳ、Ｚ
ｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＣｄＳｅまたはＺｎＭｇＳＳ
ｅであることを特徴とする、請求項２に記載のII−VI族
化合物半導体の製造方法。 - 【請求項５】 半導体基板上へのII−VI族化合物半導体
の成長方法は有機金属化学気相成長法、分子線エピタキ
シー法またはガス原料を用いた分子線エピタキシー法で
あることを特徴とする、請求項１に記載のII−VI族化合
物半導体の製造方法。 - 【請求項６】 半導体基板上へのII−VI族化合物半導体
の成長方法は有機金属化学気相成長法、分子線エピタキ
シー法またはガス原料を用いた分子線エピタキシー法で
あることを特徴とする、請求項２に記載のII−VI族化合
物半導体の製造方法。 - 【請求項７】 半導体基板上へのII−VI族化合物半導体
の成長方法は有機金属化学気相成長法、分子線エピタキ
シー法またはガス原料を用いた分子線エピタキシー法で
あることを特徴とする、請求項３に記載のII−VI族化合
物半導体の製造方法。 - 【請求項８】 半導体基板上へのII−VI族化合物半導体
の成長方法は有機金属化学気相成長法、分子線エピタキ
シー法またはガス原料を用いた分子線エピタキシー法で
あることを特徴とする、請求項４に記載のII−VI族化合
物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7884596A JPH09270564A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7884596A JPH09270564A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270564A true JPH09270564A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=13673173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7884596A Pending JPH09270564A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270564A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003081698A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ＺｎＯＳＳｅ混晶半導体 |
-
1996
- 1996-04-01 JP JP7884596A patent/JPH09270564A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003081698A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ＺｎＯＳＳｅ混晶半導体 |
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