JPH09260969A - 信号増幅回路 - Google Patents

信号増幅回路

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JPH09260969A
JPH09260969A JP6672496A JP6672496A JPH09260969A JP H09260969 A JPH09260969 A JP H09260969A JP 6672496 A JP6672496 A JP 6672496A JP 6672496 A JP6672496 A JP 6672496A JP H09260969 A JPH09260969 A JP H09260969A
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JP
Japan
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output
circuit
transistor
signal
voltage
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JP6672496A
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Ryuichi Yamashita
隆一 山下
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Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】信号増幅回路の信号入力が電源電圧と接地電圧
との間の全振幅で変化する場合に信号入力レベルが接地
電圧付近においても正常な信号出力を得る。 【解決手段】信号入力が非反転入力端aに入力するバイ
ポーラ型の差動増幅入力段10と、この差動増幅入力段
の非反転出力端cの出力により駆動制御されるプッシュ
プル出力回路22を備えたバイポーラ型の出力回路段2
0と、差動増幅入力段の非反転入力端の電圧と非反転出
力端の電圧とを比較する電圧比較回路31と、電圧比較
回路の比較出力により出力回路段の動作を制御する制御
回路32とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
形成される信号増幅回路に係り、特にバイポーラ型の差
動増幅入力段を有する信号増幅回路に関するもので、例
えばAV(オーディオ・ビデオ)用の電子機器に使用さ
れるものである。
【0002】
【従来の技術】図4は、従来の信号増幅回路の一例を示
す。この信号増幅回路は、バイポーラ型の差動増幅入力
段10と、この差動増幅入力段の後段に接続され、上記
差動増幅入力段とともに電圧フォロア回路を形成するバ
イポーラ型の出力回路段20とからなる。
【0003】上記差動増幅入力段10は、信号入力端I
Nにベースが接続された増幅入力用の第1のPNPトラ
ンジスタQ1と、この第1のPNPトランジスタとエミ
ッタ同士が共通接続されて差動対をなす第2のPNPト
ランジスタQ2と、この差動増幅対トランジスタのエミ
ッタ共通接続点と電源電圧(VCC)ノードとの間に接続
された第1の定電流源I1と、前記差動増幅対トランジ
スタの負荷として接地電圧(GND)ノードとの間に接
続されたカレントミラー回路を形成するNPNトランジ
スタQ3、Q4とからなる。ここで、第1のPNPトラ
ンジスタQ1のベースは非反転入力端a、第2のPNP
トランジスタQ2のベースは反転入力端b、第1のPN
PトランジスタQ1のコレクタは非反転出力端cであ
る。
【0004】前記出力回路段20は、前記差動増幅入力
段10の非反転出力端cの信号が入力するエミッタ接地
増幅回路21と、このエミッタ接地増幅回路の出力信号
によりプッシュプル駆動され、その信号出力端が前記差
動増幅入力段の反転入力端bである第2のPNPトラン
ジスタQ2のベースに帰還接続されたプッシュプル出力
回路22とからなる。
【0005】上記プッシュプル出力回路22は、電源ノ
ードと接地ノードとの間にプッシュプル接続された出力
用(電流吐出用)のNPNトランジスタQ8および出力
用(電流吸込用)のPNPトランジスタQ9からなり、
上記NPNトランジスタQ8およびPNPトランジスタ
Q9の直列接続点が信号出力端OUTとなる。
【0006】また、前記エミッタ接地増幅回路21は、
前記差動増幅入力段の非反転出力端cの出力信号がベー
スに入力し、エミッタが接地されたNPNトランジスタ
Q7と、電源ノードと上記NPNトランジスタQ7のコ
レクタとの間に直列に接続された第2の定電流源I2、
バイアス電圧生成・温度特性補償用のそれぞれダイオー
ド接続されたNPNトランジスタQ5およびPNPトラ
ンジスタQ6とからなる。
【0007】そして、上記第2の定電流源I2とダイオ
ード接続されたNPNトランジスタQ5との直列接続点
が前記出力用のNPNトランジスタQ8のベースに接続
され、前記ダイオード接続されたPNPトランジスタQ
6とエミッタ接地されたNPNトランジスタQ7との直
列接続点が前記出力用のPNPトランジスタQ9のベー
スに接続されている。
【0008】上記構成の信号増幅回路においては、信号
入力端INの入力信号(例えば正弦波信号)が入力非反
転入力端aに入力し、非反転入力端aと反転入力端bと
の間の差電圧信号(差動入力信号)を増幅して信号出力
端OUTから出力するが、電圧フォロア回路を形成して
いるので増幅利得は1である。
【0009】この場合、正弦波信号入力レベルが信号出
力端OUTの直流レベルに等しい時(差動入力信号が入
力しない無信号時)には、差動増幅対トランジスタQ
1、Q2の電流が等しい状態で平衡している。
【0010】そして、正弦波信号入力レベルが信号出力
端OUTの直流レベルより高い上側半波期間では、第1
のPNPトランジスタQ1のコレクタ電流が第2のPN
PトランジスタQ2のコレクタ電流よりも小さくなり、
エミッタ接地トランジスタQ7のベース電流が減少して
そのコレクタ電流が減少し、出力用のNPNトランジス
タQ8のベース電位およびPNPトランジスタQ9のベ
ース電位がそれぞれ上昇し、出力用のNPNトランジス
タQ8の電流が増加し、出力用のPNPトランジスタQ
9の電流が減少し、信号出力端OUTの電位が上昇す
る。
【0011】これに対して、正弦波信号入力レベルが信
号出力端OUTの直流レベルより低い下側半波期間で
は、第1のPNPトランジスタQ1のコレクタ電流が第
2のPNPトランジスタQ2のコレクタ電流よりも大き
くなり、エミッタ接地トランジスタQ7のベース電流が
増加してそのコレクタ電流が増加し、出力用のNPNト
ランジスタQ8のベース電位およびPNPトランジスタ
Q9のベース電位がそれぞれ低下し、出力用のNPNト
ランジスタQ8の電流が減少し、出力用のPNPトラン
ジスタQ9の電流が増加し、信号出力端OUTの電位が
低下する。
【0012】ところで、正弦波信号入力が例えば図5
(a)に示すように電源ノードの電圧VCCと接地電圧G
NDとの間の全振幅で変化する場合、入力振幅が小さい
時には線形動作が得られるが、入力振幅が大きい時には
以下に述べるような理由により図5(b)に示すように
正常な信号出力が得られなくなるという問題がある。
【0013】即ち、正弦波信号の下側半波期間では、入
力レベルが低下すると、第1のPNPトランジスタQ1
のコレクタ電流が増加し、エミッタ接地トランジスタQ
7のベース電流が増加し、第1のPNPトランジスタQ
1のベース電位とエミッタ接地トランジスタQ7のベー
ス電位とが接近する。さらに、正弦波信号入力レベルが
接地電圧GND付近まで低下し、エミッタ接地トランジ
スタQ7のベース電位よりも低下すると、第1のPNP
トランジスタQ1が飽和動作領域に入り、信号入力レベ
ルがVBEQ7+VCEQ1−VEBQ1以下(VBEQ7はエミッタ接
地トランジスタQ7のベース・エミッタ間電圧、VCEQ1
は第1のPNPトランジスタQ1のコレクタ・エミッタ
間電圧、VEBQ1は第1のPNPトランジスタQ1のエミ
ッタ・ベース間電圧)になると、第1のPNPトランジ
スタQ1のベース電流が信号入力端INに流れ出し、エ
ミッタ接地トランジスタQ7のベース電流が減少する。
【0014】すると、エミッタ接地トランジスタQ7が
それまで第2の定電流源I2の定電流を引き込んでいた
能力が弱くなり、出力用のPNPトランジスタQ9がカ
ットオフ状態になる。この場合、第2の定電流源I2は
それまで通り定電流を流そうとするので、出力用のNP
NトランジスタQ8はベース電流が大きくなって飽和動
作状態になり、信号出力端OUTの電位が電源電圧VCC
付近まで上昇するようになり、出力信号波形に著しい歪
が発生する。つまり、出力回路段20の線形動作が不可
能になり、正常な信号出力が得られなくなる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
プッシュプル出力型の信号増幅回路は、信号入力レベル
が電源電圧と接地電圧との間の全振幅で変化する場合に
信号入力レベルが接地電圧付近において、電流吸込用の
出力トランジスタがカットオフ状態になり、正常な信号
出力が得られなくなるという問題があった。
【0016】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、信号入力レベルが電源電圧と接地電圧との間
の全振幅で変化する場合に信号入力レベルが接地電圧付
近においても、電流吸込用の出力トランジスタがカット
オフ状態になることなく、正常な信号出力が得られる信
号増幅回路を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明の信号増幅回路
は、信号入力が非反転入力端に入力するバイポーラ型の
差動増幅入力段と、この差動増幅入力段の非反転出力端
の出力により駆動制御されるプッシュプル出力回路を備
えたバイポーラ型の出力回路段と、上記差動増幅入力段
の非反転入力端の電圧と非反転出力端の電圧とを比較す
る電圧比較回路と、上記電圧比較回路の比較出力により
前記出力回路段の動作を制御する制御回路とを具備する
ことを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】差動増幅入力段の非反転入力端に
入力する正弦波信号入力レベルが電源ノードの電圧と接
地電圧との間の全振幅で変化する場合、正弦波信号入力
レベルが信号出力端の直流レベルより低い下側半波期間
において接地電圧付近まで低下すると、この状態を電圧
比較回路が検知し、その比較出力により制御回路はプッ
シュプル出力回路の出力用トランジスタのベース電流を
制御し、出力回路段の正常動作を確保するように制御す
る。
【0019】従って、プッシュプル出力回路の信号出力
端の電圧は、電源電圧付近まで上昇することはなく、出
力信号波形に著しい歪が発生することもなく、正常な出
力信号が得られる。
【0020】以下、図面を参照して本発明の実施の形態
を詳細に説明する。図1および図2は、本発明の信号増
幅回路の一実施の形態に係るブロック構成および回路構
成を示している。
【0021】この信号増幅回路は、バイポーラ型の差動
増幅入力段10と、この差動増幅入力段により駆動制御
されるプッシュプル出力回路22を備え、上記差動増幅
入力段とともに電圧フォロア回路を形成するバイポーラ
型の出力回路段20と、上記差動増幅入力段の非反転入
力端aの電圧と非反転出力端cの電圧とを比較する電圧
比較回路31と、上記電圧比較回路の比較出力により前
記出力回路段20の動作を制御する制御回路32とから
なる。
【0022】上記差動増幅入力段10は、信号入力端I
Nにベースが接続された増幅入力用の第1のPNPトラ
ンジスタQ1と、この第1のPNPトランジスタとエミ
ッタ同士が共通接続されて差動対をなす第2のPNPト
ランジスタQ2と、この差動増幅対トランジスタのエミ
ッタ共通接続点と電源電圧(VCC)ノードとの間に接続
された第1の定電流源I1と、前記差動増幅対トランジ
スタの負荷として接地電圧(GND)ノードとの間に接
続されたカレントミラー回路を形成するNPNトランジ
スタQ3、Q4とからなる。ここで、第1のPNPトラ
ンジスタQ1のベースは非反転入力端a、第2のPNP
トランジスタQ2のベースは反転入力端b、第1のPN
PトランジスタQ1のコレクタは非反転出力端cであ
る。
【0023】前記出力回路段20は、前記差動増幅入力
段10の非反転出力端cの信号が入力するエミッタ接地
増幅回路21と、このエミッタ接地増幅回路の出力信号
によりプッシュプル駆動され、その信号出力端が前記差
動増幅入力段の反転入力端bである第2のPNPトラン
ジスタQ2のベースに直接に帰還接続されたプッシュプ
ル出力回路22とからなる。このような回路接続によ
り、差動増幅入力段10と出力回路段20とは、電圧フ
ォロア回路を形成している。
【0024】上記プッシュプル出力回路22は、電源ノ
ードと接地ノードとの間にプッシュプル接続された出力
用(電流吐出用)のNPNトランジスタQ8および出力
用(電流吸込用)のPNPトランジスタQ9からなり、
上記NPNトランジスタQ8およびPNPトランジスタ
Q9の直列接続点が信号出力端OUTとなる。
【0025】また、前記エミッタ接地増幅回路21は、
前記差動増幅入力段の非反転出力端cの出力信号がベー
スに入力し、エミッタが接地されたNPNトランジスタ
Q7と、電源ノードと上記NPNトランジスタQ7のコ
レクタとの間に直列に接続された第2の定電流源I2、
バイアス電圧生成用のそれぞれダイオード接続されたN
PNトランジスタQ5およびPNPトランジスタQ6と
からなる。
【0026】そして、上記第2の定電流源I2とダイオ
ード接続されたNPNトランジスタQ5との直列接続点
が前記出力用のNPNトランジスタQ8のベースに接続
され、前記ダイオード接続されたPNPトランジスタQ
6とエミッタ接地されたNPNトランジスタQ7との直
列接続点が前記出力用のPNPトランジスタQ9のベー
スに接続されている。
【0027】前記電圧比較回路31は、前記差動増幅入
力段10の非反転入力端aの電圧と非反転出力端cの電
圧が対応してベースに入力し、それぞれのコレクタが接
地電圧に接続された第3のPNPトランジスタQ12お
よび第4のPNPトランジスタQ13と、上記第3のP
NPトランジスタQ12とダーリントン接続された第5
のPNPトランジスタQ10と、前記第4のPNPトラ
ンジスタQ13とダーリントン接続され、コレクタが接
地電圧に接続され、前記第5のPNPトランジスタQ1
0とエミッタ同士が共通接続されて差動対をなす第6の
PNPトランジスタQ11と、この差動対トランジスタ
Q10、Q11のエミッタ共通接続点と電源ノードとの
間に接続された第3の定電流源I3と、前記第5のPN
PトランジスタQ10のコレクタと接地電圧との間に接
続された抵抗素子R1とからなる。
【0028】前記制御回路32は、前記電圧比較回路3
0の比較出力により前記出力回路段20のプッシュプル
出力回路22の出力用トランジスタQ9のベースバイア
スを制御するものである。本例では、上記制御回路32
は、電圧比較回路20の比較出力がベースに与えられ、
前記出力用トランジスタQ9のベースと接地電圧との間
にコレクタ・エミッタ間が接続されたNPNトランジス
タQ14からなる。
【0029】上記構成の信号増幅回路においては、信号
入力端INの入力信号(例えば正弦波信号)が入力非反
転入力端aに入力し、非反転入力端aと反転入力端bと
の間の差電圧信号(差動入力信号)を増幅して信号出力
端OUTから出力するが、電圧フォロア回路を形成して
いるので増幅利得は1である。
【0030】この場合、正弦波信号入力レベルが信号出
力端OUTの直流レベルに等しい時(差動入力信号が入
力しない無信号時)には、差動増幅対トランジスタQ
1、Q2の電流が等しい状態で平衡している。
【0031】そして、正弦波信号入力レベルが信号出力
端OUTの直流レベルより高い上側半波期間では、第1
のPNPトランジスタQ1のコレクタ電流が第2のPN
PトランジスタQ2のコレクタ電流よりも小さくなり、
エミッタ接地トランジスタQ7のベース電流が減少して
そのコレクタ電流が減少し、出力用のNPNトランジス
タQ8のベース電位およびPNPトランジスタQ9のベ
ース電位がそれぞれ上昇し、出力用のNPNトランジス
タQ8の電流が増加し、出力用のPNPトランジスタQ
9の電流が減少し、信号出力端OUTの電位が上昇す
る。
【0032】これに対して、正弦波信号入力レベルが信
号出力端OUTの直流レベルより低い下側半波期間で
は、第1のPNPトランジスタQ1のコレクタ電流が第
2のPNPトランジスタQ2のコレクタ電流よりも大き
くなり、エミッタ接地トランジスタQ7のベース電流が
増加してそのコレクタ電流が増加し、出力用のNPNト
ランジスタQ8のベース電位およびPNPトランジスタ
Q9のベース電位がそれぞれ低下し、出力用のNPNト
ランジスタQ8の電流が減少し、出力用のPNPトラン
ジスタQ9の電流が増加し、信号出力端OUTの電位が
低下する。
【0033】この場合、正弦波信号入力が、例えば図3
(a)に示すように電源ノードの電圧VCCと接地電圧G
NDとの間の全振幅で変化する時でも、以下に述べるよ
うな理由により図3(b)に示すように正常な信号出力
が得られる。
【0034】即ち、正弦波信号の下側半波期間におい
て、入力レベルが低下すると、第1のPNPトランジス
タQ1のコレクタ電流が増加し、エミッタ接地トランジ
スタQ7のベース電流が増加し、上記第1のPNPトラ
ンジスタQ7のベース電位とエミッタ接地トランジスタ
Q7のベース電位とが接近する。
【0035】この間、電圧比較回路31は差動増幅入力
段10の非反転入力端aの電圧(第1のPNPトランジ
スタQ1のベース電位)と非反転出力端cの電圧(第1
のPNPトランジスタQ1のコレクタ電位、エミッタ接
地トランジスタQ7のベース電位)とを比較し、非反転
入力端aの電圧>非反転出力端cの電圧である期間には
トランジスタQ12、Q10がオフ、トランジスタQ1
3、Q11がオンになり、抵抗素子R1の電圧降下が発
生せず、比較出力は“L”レベルである。
【0036】これにより、制御回路32のNPNトラン
ジスタQ14はオフ状態であり、前記プッシュプル出力
回路22の出力用のPNPトランジスタQ9のベースバ
イアスに影響を与えないので、プッシュプル出力回路2
2は通常通り線形動作を行う。
【0037】さらに、正弦波信号入力レベルが低下し、
第1のPNPトランジスタQ1のベース電位がエミッタ
接地トランジスタQ7のベース電位(0.7V程度)よ
りも低下して第1のPNPトランジスタQ1が飽和動作
領域に入る前に、つまり、信号入力レベルがVBEQ7+V
CEQ1−VEBQ1以下(VBEQ7はエミッタ接地トランジスタ
Q7のベース・エミッタ間電圧、VCEQ1は第1のPNP
トランジスタQ1のコレクタ・エミッタ間電圧、VEBQ1
は第1のPNPトランジスタQ1のエミッタ・ベース間
電圧)以下になる前に、電圧比較回路31が非反転入力
端aの電圧<非反転出力端cの電圧であることを検知
し、トランジスタQ12、Q10がオン、トランジスタ
Q13、Q11がオフになり、抵抗素子R1の電圧降下
が発生し、比較出力が“H”レベルになる。
【0038】これにより、制御回路32のNPNトラン
ジスタQ14はオン状態になり、プッシュプル出力回路
22の出力用のPNPトランジスタQ9のベース電流お
よび第2の定電流源I2からの電流を吸い取り、第2の
定電流源I2からの電流がプッシュプル出力回路22の
出力用のNPNトランジスタQ8のベースに流れ込まな
いように制御する。つまり、出力用のPNPトランジス
タQ9は、カットオフ状態になることはなく正常動作が
可能になり、出力用のNPNトランジスタQ8は、ベー
ス電流が大きくなって飽和動作状態になることもない。
【0039】従って、信号出力端OUTの電圧は、接地
電位VSSよりも制御回路32のトランジスタQ14のコ
レクタ・エミッタ間電圧VCEQ14 と出力用のPNPトラ
ンジスタQ9のエミッタ・ベース間電圧VEBQ9との和だ
け高い値に固定されるようになる。つまり、従来例のよ
うに信号出力端OUTの電圧が電源電圧VCC付近まで上
昇することはなく、出力信号波形に著しい歪が発生する
こともなく、正常な出力信号が得られる。
【0040】なお、電圧比較回路31の入力段トランジ
スタがダーリントン接続されているので、第1のPNP
トランジスタQ1が飽和動作領域に入るまで正弦波信号
入力レベルが低下しても、トランジスタQ10が第1の
PNPトランジスタQ1より先に飽和動作領域に入るこ
とはないので、電圧比較回路31の出力は制御回路32
のトランジスタQ14に所要のベースバイアスを与えて
正常に動作させることが可能である。
【0041】また、従来例のように信号出力端OUTの
電圧が電源電圧VCC付近まで上昇することを防止する対
策として、第1のPNPトランジスタQ1にダーリント
ン接続するように別のPNPトランジスタを追加した場
合には、第1のPNPトランジスタQ1のベース入力波
形の上側振幅の上限がVCC−VEB(VEBは(上記追加し
たPNPトランジスタのエミッタ・ベース間電圧、0.
7V程度)に制限されることになり、都合が悪い。
【0042】なお、上記実施の形態では、差動増幅入力
段10と出力回路段20とが電圧フォロア回路を形成す
るように接続した例を示したが、差動増幅入力段10と
出力回路段20との接続関係は種々の変更が可能であ
り、例えば差動増幅入力段10の反転入力端と接地端と
の間に抵抗素子を接続し、出力段回路の信号出力端と差
動増幅入力段10の反転入力端とを抵抗素子を介して帰
還接続するように変更してもよい。
【0043】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、信号入
力レベルが電源電圧と接地電圧との間の全振幅で変化す
る場合に信号入力レベルが接地電圧付近においても、電
流吸込用の出力トランジスタがカットオフ状態になるこ
となく、正常な信号出力が得られる信号増幅回路を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る信号増幅回路
を示すブロック図。
【図2】図1の信号増幅回路を示す回路図。
【図3】図2の信号増幅回路の動作例を示す波形図。
【図4】従来の信号増幅回路の一例を示す回路図。
【図5】図4の信号増幅回路の動作例を示す波形図。
【符号の説明】
10…バイポーラ型の差動増幅入力段、20…バイポー
ラ型の出力回路段、21…エミッタ接地増幅回路、22
…プッシュプル出力回路、31…電圧比較回路、32…
制御回路、Q1〜Q14…バイポーラトランジスタ、I
1…第1の定電流源、I2…第2の定電流源、I3…第
3の定電流源、R1…抵抗素子、IN…信号入力端、a
…差動増幅入力段の非反転入力端、b…差動増幅入力段
の反転入力端、c…差動増幅入力段の非反転出力端、O
UT…信号出力端。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 信号入力が非反転入力端に入力するバイ
    ポーラ型の差動増幅入力段と、この差動増幅入力段の非
    反転出力端の出力により駆動制御されるプッシュプル出
    力回路を備えたバイポーラ型の出力回路段と、上記差動
    増幅入力段の非反転入力端の電圧と非反転出力端の電圧
    とを比較する電圧比較回路と、上記電圧比較回路の比較
    出力により前記出力回路段の動作を制御する制御回路と
    を具備することを特徴とする信号増幅回路。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の信号増幅回路において、
    前記制御回路は、電圧比較回路の比較出力により前記出
    力回路段のプッシュプル出力回路の出力用トランジスタ
    のベースバイアスを制御することを特徴とする信号増幅
    回路。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の信号増幅回路において、
    前記制御回路は、電圧比較回路の比較出力がベースに与
    えられ、前記出力用トランジスタのベースと接地電圧と
    の間にコレクタ・エミッタ間が接続されたトランジスタ
    からなることを特徴とする信号増幅回路。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載の信号
    増幅回路において、前記差動増幅入力段は、非反転入力
    端にベースが接続された増幅入力用の第1のPNPトラ
    ンジスタと、この第1のPNPトランジスタとエミッタ
    同士が共通接続されて差動対をなす第2のPNPトラン
    ジスタと、この差動増幅対トランジスタのエミッタ共通
    接続点と電源ノードとの間に接続された第1の定電流源
    と、前記差動増幅対トランジスタの負荷として接地ノー
    ドとの間に接続されたカレントミラー回路を形成するN
    PNトランジスタとからなり、前記出力回路段は、前記
    差動増幅入力段の第1のPNPトランジスタのコレクタ
    の信号が入力するエミッタ接地増幅回路と、このエミッ
    タ接地増幅回路の出力信号によりプッシュプル駆動さ
    れ、その信号出力端が前記差動増幅入力段の反転入力端
    である第2のPNPトランジスタのベースに帰還接続さ
    れたプッシュプル出力回路とからなり、上記プッシュプ
    ル出力回路は、電源ノードと接地ノードとの間にプッシ
    ュプル接続された電流吐出用のNPNトランジスタおよ
    び電流吸込用のPNPトランジスタからなり、上記出力
    用のNPNトランジスタおよびPNPトランジスタの直
    列接続点が信号出力端となり、前記エミッタ接地増幅回
    路は、前記差動増幅入力段の出力信号がベースに入力
    し、エミッタが接地されたNPNトランジスタと、電源
    ノードと上記NPNトランジスタのコレクタとの間に直
    列に接続された第2の定電流源、バイアス電圧生成用の
    それぞれダイオード接続されたNPNトランジスタおよ
    びPNPトランジスタとからなり、上記第2の定電流源
    とダイオード接続されたNPNトランジスタとの直列接
    続点が前記出力用のNPNトランジスタのベースに接続
    され、前記ダイオード接続されたPNPトランジスタと
    エミッタ接地されたNPNトランジスタとの直列接続点
    が前記出力用のPNPトランジスタのベースに接続され
    ていることを特徴とする信号増幅回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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