JPH09260903A - 誘電体フィルタ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 無電解銅メッキにより導電層を形成したもの
にあって、錆びを生ずることなく、しかも半田付けによ
る、誘電体フィルタ面に形成された導電層の所要端子部
と、プリント基板上の導電路との電気的接続が可能な、
誘電体フィルタを提供する。 【解決手段】 誘電体セラミック基体1の表面に形成さ
れる導電層xを、無電解銅メッキ層mを形成し、さらに
該無電解銅メッキ層mの表面に、導電性が良く、かつ半
田濡れ性の良好な導電性被覆層nを形成して構成したか
ら、無電解銅メッキ層mは、導電性被覆層nにより保護
され、錆びや、硫化反応等を生じず、このため無負荷Q
の低下等の、特性の劣化がない。また誘電体フィルタ1
の外表面に形成された端子部11a,11bと、プリン
ト基板上の所要導電路とを半田付けにより接続する場合
に、導電性被覆層nの半田濡れ性により、良好な接続が
施される。
にあって、錆びを生ずることなく、しかも半田付けによ
る、誘電体フィルタ面に形成された導電層の所要端子部
と、プリント基板上の導電路との電気的接続が可能な、
誘電体フィルタを提供する。 【解決手段】 誘電体セラミック基体1の表面に形成さ
れる導電層xを、無電解銅メッキ層mを形成し、さらに
該無電解銅メッキ層mの表面に、導電性が良く、かつ半
田濡れ性の良好な導電性被覆層nを形成して構成したか
ら、無電解銅メッキ層mは、導電性被覆層nにより保護
され、錆びや、硫化反応等を生じず、このため無負荷Q
の低下等の、特性の劣化がない。また誘電体フィルタ1
の外表面に形成された端子部11a,11bと、プリン
ト基板上の所要導電路とを半田付けにより接続する場合
に、導電性被覆層nの半田濡れ性により、良好な接続が
施される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板等に
実装される誘電体フィルタに関する。
実装される誘電体フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】同軸型共振器を備えてなる誘電体フィル
タやマイクロストリップライン型フィルタ等の誘電体フ
ィルタにあって、TiO2 −BaO系誘電体、アルミナ
等のセラミック基体の表面に形成される導電層は、一般
的に、銀焼付けによる方法が行なわれている。しかし、
かかる手段であると、高価でしかも、形成が面倒となる
問題点がある。そこで、これに代わる手段として、無電
解銅メッキ層を形成する手段が提案されている。
タやマイクロストリップライン型フィルタ等の誘電体フ
ィルタにあって、TiO2 −BaO系誘電体、アルミナ
等のセラミック基体の表面に形成される導電層は、一般
的に、銀焼付けによる方法が行なわれている。しかし、
かかる手段であると、高価でしかも、形成が面倒となる
問題点がある。そこで、これに代わる手段として、無電
解銅メッキ層を形成する手段が提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】一方、無電解銅メッキ
層により導電層を形成した場合には、空気中で錆び易
く、または硫化反応により劣化し易く、このため、抵抗
値が上昇して、無負荷Q値が低下し、フィルタの挿入損
失が増大する問題点があった。
層により導電層を形成した場合には、空気中で錆び易
く、または硫化反応により劣化し易く、このため、抵抗
値が上昇して、無負荷Q値が低下し、フィルタの挿入損
失が増大する問題点があった。
【0004】本発明は、無電解銅メッキにより導電層を
形成した場合にあっても、錆びを生ずることなく、しか
も半田付けによる、誘電体フィルタ面に形成された導電
層の所要端子部と、プリント基板上の導電路との電気的
接続が可能な、誘電体フィルタを提供することを目的と
するものである。
形成した場合にあっても、錆びを生ずることなく、しか
も半田付けによる、誘電体フィルタ面に形成された導電
層の所要端子部と、プリント基板上の導電路との電気的
接続が可能な、誘電体フィルタを提供することを目的と
するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の第一手段は、誘
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を被覆して構成したことを特徴とするプリント基
板等に実装される誘電体セラミックである。この誘電体
セラミック基体は、板状,直方体状,円柱体状等種々の
形状のものが用いられ、同軸型共振器フィルタを備えて
なる誘電体フィルタやマイクロストリップライン型フィ
ルタ等の誘電体フィルタを構成することとなる。
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を被覆して構成したことを特徴とするプリント基
板等に実装される誘電体セラミックである。この誘電体
セラミック基体は、板状,直方体状,円柱体状等種々の
形状のものが用いられ、同軸型共振器フィルタを備えて
なる誘電体フィルタやマイクロストリップライン型フィ
ルタ等の誘電体フィルタを構成することとなる。
【0006】この構成にあって、前記導電性被覆層とし
ては、Ni−B合金,Ni−P合金又はNi−B−P合
金等が提案され得る。
ては、Ni−B合金,Ni−P合金又はNi−B−P合
金等が提案され得る。
【0007】かかる構成にあっては、基体の表面に無電
解メッキ法により銅被膜からなる第一層を形成し、さら
に、Ni−B合金等の導電性被覆層からなる第二層を無
電解メッキ法若しくは電解メッキ法などにより順次形成
した後、エッチングにより、不要な部分を除去して所要
の導電パターンが形成される。
解メッキ法により銅被膜からなる第一層を形成し、さら
に、Ni−B合金等の導電性被覆層からなる第二層を無
電解メッキ法若しくは電解メッキ法などにより順次形成
した後、エッチングにより、不要な部分を除去して所要
の導電パターンが形成される。
【0008】ここで、Ni−B合金,Ni−P合金又は
Ni−B−P合金等の導電性被覆層は、半田濡れ性に優
れており、このため、誘電体材料からなる基体の外表面
に形成された入出力部と、プリント基板上の所要導電路
とを半田付けにより接続する場合に、良好な接続が施さ
れ得る。また、無電解銅メッキ層は、導電性被覆層によ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じない。さらにま
た、かかる導電性被覆層は半田メッキのように、鉛Pb
等の人体に有害な物質を含有しない。
Ni−B−P合金等の導電性被覆層は、半田濡れ性に優
れており、このため、誘電体材料からなる基体の外表面
に形成された入出力部と、プリント基板上の所要導電路
とを半田付けにより接続する場合に、良好な接続が施さ
れ得る。また、無電解銅メッキ層は、導電性被覆層によ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じない。さらにま
た、かかる導電性被覆層は半田メッキのように、鉛Pb
等の人体に有害な物質を含有しない。
【0009】本発明の第二手段は、誘電体材料からなる
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、半田熱で消失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して
構成したことを特徴とするプリント基板等に実装される
誘電体フィルタである。ここで合成樹脂製保護被覆層と
しては、塩化ビニル等が提案され得る。
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、半田熱で消失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して
構成したことを特徴とするプリント基板等に実装される
誘電体フィルタである。ここで合成樹脂製保護被覆層と
しては、塩化ビニル等が提案され得る。
【0010】この構成にあって、誘電体材料からなる基
体上の入出力部に半田付けをすると、溶融した半田の熱
により、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失す
る。従って、プリント基板上に、誘電体フィルタを実装
する場合に、合成樹脂製保護被覆層によって導電層が被
覆されていても、その入出力部で半田付けを施すことに
より、電気的接続を容易に確保し得ることとなる。
体上の入出力部に半田付けをすると、溶融した半田の熱
により、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失す
る。従って、プリント基板上に、誘電体フィルタを実装
する場合に、合成樹脂製保護被覆層によって導電層が被
覆されていても、その入出力部で半田付けを施すことに
より、電気的接続を容易に確保し得ることとなる。
【0011】本発明の第三手段は、誘電体材料からなる
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆
層を被覆し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消
失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したことを
特徴とするプリント基板等に実装される誘電体フィルタ
である。
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆
層を被覆し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消
失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したことを
特徴とするプリント基板等に実装される誘電体フィルタ
である。
【0012】ここで、導電性被覆層は、上述したよう
に、Ni−B合金,Ni−P合金又はNi−B−P合金
等が提案され得る。また、合成樹脂製保護被覆層として
は、塩化ビニル等が提案され得る。
に、Ni−B合金,Ni−P合金又はNi−B−P合金
等が提案され得る。また、合成樹脂製保護被覆層として
は、塩化ビニル等が提案され得る。
【0013】
【発明の実施の形態】添付図面について、本発明の一実
施例を説明する。図1〜3は、単一の誘電体ブロック基
体3に、三つの誘電体同軸共振器2a,2b,2cを設
けてなる本発明に係る三ポール型高周波用誘電体フィル
タ1を示す。
施例を説明する。図1〜3は、単一の誘電体ブロック基
体3に、三つの誘電体同軸共振器2a,2b,2cを設
けてなる本発明に係る三ポール型高周波用誘電体フィル
タ1を示す。
【0014】ここで誘電体ブロック基体3は、酸化チタ
ン系のセラミック誘電体からなる直方体状をしており、
各誘電体同軸共振器2a,2b,2cに対応して夫々三
本の貫通孔4a,4b,4cが形成されている。この貫
通孔4a,4b,4cには夫々内導電層6a,6b,6
cが被覆形成され、さらにその外周面に外導電層(アー
ス導体)7が被覆形成される。またその一端面では外導
電層7の無い開放端面8とし、他端面を誘電体同軸共振
器2a,2b,2cの各内導電層6a,6b,6cを外
導電層7により夫々接続して短絡端面9としている。
ン系のセラミック誘電体からなる直方体状をしており、
各誘電体同軸共振器2a,2b,2cに対応して夫々三
本の貫通孔4a,4b,4cが形成されている。この貫
通孔4a,4b,4cには夫々内導電層6a,6b,6
cが被覆形成され、さらにその外周面に外導電層(アー
ス導体)7が被覆形成される。またその一端面では外導
電層7の無い開放端面8とし、他端面を誘電体同軸共振
器2a,2b,2cの各内導電層6a,6b,6cを外
導電層7により夫々接続して短絡端面9としている。
【0015】一方、前記誘電体ブロック基体3の一側面
には、開放端面の近傍に外導電層7と絶縁させて入出力
部11a,11bを形成し、該入出力部11aを誘電体
ブロック基体3を介して内導電層6aと容量的に接続
し、入出力部11bを同じくブロック3を介して内導電
層6cと容量的に接続している。そして、入出力部11
a,11bの一方を、プリント基板上の所要電路の入力
端に接続し、他方を出力端に接続して、高周波用誘電体
フィルタ1の電気的接続が施される。この電気的接続は
半田付により行なわれる。
には、開放端面の近傍に外導電層7と絶縁させて入出力
部11a,11bを形成し、該入出力部11aを誘電体
ブロック基体3を介して内導電層6aと容量的に接続
し、入出力部11bを同じくブロック3を介して内導電
層6cと容量的に接続している。そして、入出力部11
a,11bの一方を、プリント基板上の所要電路の入力
端に接続し、他方を出力端に接続して、高周波用誘電体
フィルタ1の電気的接続が施される。この電気的接続は
半田付により行なわれる。
【0016】ここで、内導電層6a,6b,6c,外導
電層7及び入出力部11a,11bは、図3で示すよう
に、無電解銅メッキ層mを第一層としてなり、該無電解
銅メッキ層mの表面に、第二層として導電性が良く、か
つ半田濡れ性の良好な導電性被覆層nを形成して構成さ
れた導電層xからなる。
電層7及び入出力部11a,11bは、図3で示すよう
に、無電解銅メッキ層mを第一層としてなり、該無電解
銅メッキ層mの表面に、第二層として導電性が良く、か
つ半田濡れ性の良好な導電性被覆層nを形成して構成さ
れた導電層xからなる。
【0017】この内導電層6a,6b,6c、外導電層
7及び入出力部11a,11bは、誘電体ブロック基体
3に無電解銅メッキ層mを順次形成し、然る後に、これ
らの無電解銅メッキ層m上に、導電性被覆層nを順次形
成することにより、被覆形成される。
7及び入出力部11a,11bは、誘電体ブロック基体
3に無電解銅メッキ層mを順次形成し、然る後に、これ
らの無電解銅メッキ層m上に、導電性被覆層nを順次形
成することにより、被覆形成される。
【0018】 この無電解銅メッキ層mの被膜の厚さ
は、適宜設定され得るが、1〜40μm程度の範囲にあっ
て、膜形成が容易である。また導電性被覆層nは、無電
解メッキ法によりNi−Bメッキ(ワールドメタル製、
商品名ニボロン、MNP−M2)処理を約30分間行な
うことにより、Ni−B合金により形成される。ここ
で、この導電性被覆層nの層厚は、高周波帯域における
使用を前提とするなら、0.04〜 1μm程度の範囲が、導
電損失が少なく、好ましい。ただし、この範囲に制限さ
れるものではない。また、この層厚は、無電解メッキ時
間の調整により、随意に設定され得る。
は、適宜設定され得るが、1〜40μm程度の範囲にあっ
て、膜形成が容易である。また導電性被覆層nは、無電
解メッキ法によりNi−Bメッキ(ワールドメタル製、
商品名ニボロン、MNP−M2)処理を約30分間行な
うことにより、Ni−B合金により形成される。ここ
で、この導電性被覆層nの層厚は、高周波帯域における
使用を前提とするなら、0.04〜 1μm程度の範囲が、導
電損失が少なく、好ましい。ただし、この範囲に制限さ
れるものではない。また、この層厚は、無電解メッキ時
間の調整により、随意に設定され得る。
【0019】この導電性被覆層nを構成するNi−B合
金は、半田濡れ性が良い。このため、入出力部11a,
11bを、プリント基板上の所要電路に半田付けにより
接続する場合にあって、その半田付けを容易に施すこと
ができる。
金は、半田濡れ性が良い。このため、入出力部11a,
11bを、プリント基板上の所要電路に半田付けにより
接続する場合にあって、その半田付けを容易に施すこと
ができる。
【0020】このほか、導電性被覆層nとしては、Ni
−P合金又はNi−B−P合金で構成するようにしても
良い。これら、Ni−B合金,Ni−P合金,Ni−B
−P合金は、前処理法によって異なるものの、銅への密
着が良好であり、また、電気ニッケルメッキに比較し
て、ピンホールが少なく、耐食性も良好である。
−P合金又はNi−B−P合金で構成するようにしても
良い。これら、Ni−B合金,Ni−P合金,Ni−B
−P合金は、前処理法によって異なるものの、銅への密
着が良好であり、また、電気ニッケルメッキに比較し
て、ピンホールが少なく、耐食性も良好である。
【0021】一方、この手段により形成された導電層x
(試料A)と、無電解銅メッキ層mのみを同様の形成方
法によって導電層xの無電解銅メッキ層mと同様の膜厚
となるようにして形成した比較品(試料C)とを対比す
るため、温度45°C で、相対湿度95%,H2 S含有濃度
50PPM の高温多湿雰囲気中に、100 時間放置した後、無
負荷Qを測定した。
(試料A)と、無電解銅メッキ層mのみを同様の形成方
法によって導電層xの無電解銅メッキ層mと同様の膜厚
となるようにして形成した比較品(試料C)とを対比す
るため、温度45°C で、相対湿度95%,H2 S含有濃度
50PPM の高温多湿雰囲気中に、100 時間放置した後、無
負荷Qを測定した。
【0022】図7はその結果を示すものであって、本発
明の無電解銅メッキ層m上に導電性被覆層nを形成した
導電層xは、無電解銅メッキ層mの単一層からなる導電
層よりも、高温多湿雰囲気中で無負荷Qが低下しないこ
とが解る。
明の無電解銅メッキ層m上に導電性被覆層nを形成した
導電層xは、無電解銅メッキ層mの単一層からなる導電
層よりも、高温多湿雰囲気中で無負荷Qが低下しないこ
とが解る。
【0023】次に、本発明の第二手段について説明す
る。図5,6は、導電層yとして、誘電体ブロック基体
1の表面に、無電解銅メッキ層mを第一層として形成
し、さらに該無電解銅メッキ層mの表面に、塩化ビニル
からなる合成樹脂製保護被覆層pを被覆したものであ
る。この無電解銅メッキ層mは、半田熱の温度よりも融
点の低い合成樹脂材料であれば良い。
る。図5,6は、導電層yとして、誘電体ブロック基体
1の表面に、無電解銅メッキ層mを第一層として形成
し、さらに該無電解銅メッキ層mの表面に、塩化ビニル
からなる合成樹脂製保護被覆層pを被覆したものであ
る。この無電解銅メッキ層mは、半田熱の温度よりも融
点の低い合成樹脂材料であれば良い。
【0024】この構成にあっては、上述したように無電
解銅メッキ層mを無電解メッキ方法によって形成した後
に、塩化ビニル等の合成樹脂材料を溶剤で希釈してなる
溶液中に、浸漬する。而して、無電解銅メッキ層mの表
面に保護被覆層pが形成される。
解銅メッキ層mを無電解メッキ方法によって形成した後
に、塩化ビニル等の合成樹脂材料を溶剤で希釈してなる
溶液中に、浸漬する。而して、無電解銅メッキ層mの表
面に保護被覆層pが形成される。
【0025】かかる手段によってなる導電層yが形成さ
れた試料Bを上述と同様の方法により、高温多湿雰囲気
中における無負荷Q値の変化を調べた結果を、同様に図
7で示している。これより、かかる手段にあっても、試
料Aと同じく、試料Cよりも優れることが解る。すなわ
ち、無電解銅メッキ層mが、保護被覆層pにより保護さ
れ、このため、空気中の水分等による錆の発生が防止さ
れ、安定した無負荷Q特性を備えることが理解される。
れた試料Bを上述と同様の方法により、高温多湿雰囲気
中における無負荷Q値の変化を調べた結果を、同様に図
7で示している。これより、かかる手段にあっても、試
料Aと同じく、試料Cよりも優れることが解る。すなわ
ち、無電解銅メッキ層mが、保護被覆層pにより保護さ
れ、このため、空気中の水分等による錆の発生が防止さ
れ、安定した無負荷Q特性を備えることが理解される。
【0026】ところで、前記保護被覆層pの形成により
無電解銅メッキ層mが絶縁されることとなる。従って、
入出力部11a,11bを、プリント基板上の所要導電
路と電気的に接続しようとすると、かかる保護被覆層p
により接続不能となるかに思える。しかるに、図6で示
すように、端子部となる導電層yに半田付けを施すと、
その半田熱により、保護被覆層pが消失してしまい、半
田ロウ25を介してプリント基板上の所要導電路との電
気的接続を容易に確保することができる。
無電解銅メッキ層mが絶縁されることとなる。従って、
入出力部11a,11bを、プリント基板上の所要導電
路と電気的に接続しようとすると、かかる保護被覆層p
により接続不能となるかに思える。しかるに、図6で示
すように、端子部となる導電層yに半田付けを施すと、
その半田熱により、保護被覆層pが消失してしまい、半
田ロウ25を介してプリント基板上の所要導電路との電
気的接続を容易に確保することができる。
【0027】また一方、端子部以外では、導電層yを構
成する無電解銅メッキ層mが保護被覆層pにより絶縁的
に保護されることとなるから、プリント基板上で、内導
電層6a,6b,6c及び外導電層7が、他の電気機器
と機械的に接触しても、短絡することがない利点があ
る。
成する無電解銅メッキ層mが保護被覆層pにより絶縁的
に保護されることとなるから、プリント基板上で、内導
電層6a,6b,6c及び外導電層7が、他の電気機器
と機械的に接触しても、短絡することがない利点があ
る。
【0028】図8は第三手段の導電層zを示す。すなわ
ち、この構成の誘電体フィルタ1は、前記無電解銅メッ
キ層mを表面に形成される第一層とし、該無電解銅メッ
キ層mの表面に、第二層として導電性が良く、かつ半田
濡れ性の良好な前記導電性被覆層nを形成し、さらにそ
の表面に、塩化ビニルからなる前記合成樹脂製保護被覆
層pを被覆した導電層zを、誘電体ブロック基体1また
は誘電体セラミック基体21(後記)に形成するように
したものである。この導電層zの構成にあって、無電解
銅メッキ層mは、導電性被覆層n及び保護被覆層pによ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じず、このため無
負荷Qの低下等の、特性の劣化がない。また保護被覆層
pにより、導電層表面が絶縁的に保護されて、無用な電
気的短絡を防止できる。さらにまた、誘電体セラミック
上の端子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱によ
り、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失し、その
表面に表われた導電性被覆層の半田濡れ性により、良好
な半田付接続が施され得る。すなわち、かかる構成は、
導電層x,yの作用効果を合わせ持つこととなる。
ち、この構成の誘電体フィルタ1は、前記無電解銅メッ
キ層mを表面に形成される第一層とし、該無電解銅メッ
キ層mの表面に、第二層として導電性が良く、かつ半田
濡れ性の良好な前記導電性被覆層nを形成し、さらにそ
の表面に、塩化ビニルからなる前記合成樹脂製保護被覆
層pを被覆した導電層zを、誘電体ブロック基体1また
は誘電体セラミック基体21(後記)に形成するように
したものである。この導電層zの構成にあって、無電解
銅メッキ層mは、導電性被覆層n及び保護被覆層pによ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じず、このため無
負荷Qの低下等の、特性の劣化がない。また保護被覆層
pにより、導電層表面が絶縁的に保護されて、無用な電
気的短絡を防止できる。さらにまた、誘電体セラミック
上の端子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱によ
り、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失し、その
表面に表われた導電性被覆層の半田濡れ性により、良好
な半田付接続が施され得る。すなわち、かかる構成は、
導電層x,yの作用効果を合わせ持つこととなる。
【0029】本発明は、図9で示すマイクロストリップ
ライン型フィルタ20にも適用可能である。ここで、図
9−Aで示すように、誘電体セラミック基体21の表面
に、複数本平行に配列された帯状共振導電層22からな
る平行結合型マイクロストリップラインフィルタ回路C
が形成されてなる。この各帯状共振導電層22は、その
間隙を介して電磁界結合する。また、該誘電体セラミッ
ク基体21の下面にはシールド導電層23が形成され
る。この誘電体セラミック基体21は、例えば、アルミ
ナのほか、TiO2 −BaO系材料が使用される。さら
に複数の共振導電層のうち、両端部に位置する共振導電
層から基体21の側面を経て裏面まで伸び(図9−B参
照)、周囲のシールド導電層23より絶縁隔離された導
電層部分を形成し、これを表面実装化のため入出力部2
2aとして利用するようにしている。
ライン型フィルタ20にも適用可能である。ここで、図
9−Aで示すように、誘電体セラミック基体21の表面
に、複数本平行に配列された帯状共振導電層22からな
る平行結合型マイクロストリップラインフィルタ回路C
が形成されてなる。この各帯状共振導電層22は、その
間隙を介して電磁界結合する。また、該誘電体セラミッ
ク基体21の下面にはシールド導電層23が形成され
る。この誘電体セラミック基体21は、例えば、アルミ
ナのほか、TiO2 −BaO系材料が使用される。さら
に複数の共振導電層のうち、両端部に位置する共振導電
層から基体21の側面を経て裏面まで伸び(図9−B参
照)、周囲のシールド導電層23より絶縁隔離された導
電層部分を形成し、これを表面実装化のため入出力部2
2aとして利用するようにしている。
【0030】前記共振導電層22,23等の導電パター
ン24は、図4で示したように、無電解銅メッキ層mを
第一層としてなり、該無電解銅メッキ層mの表面に、第
二層として導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電
性被覆層nを形成して構成された導電層xからなる。
ン24は、図4で示したように、無電解銅メッキ層mを
第一層としてなり、該無電解銅メッキ層mの表面に、第
二層として導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電
性被覆層nを形成して構成された導電層xからなる。
【0031】かかる導電層xを用いて、誘電体セラミッ
ク基体21上の所要の導電パターン24を形成するに
は、図10−Aで示すように、誘電体セラミック基体2
1の表面に無電解銅メッキ層m及び導電性被覆層nを形
成した後に、酸素雰囲気中で500 °C の温度で熱処理を
行ない、図10−Bで示すように、その表面に感光性レ
ジストフィルム30を全面貼付する。そして、該レジス
トフィルム30上に、導電パターンが現像されたネガフ
イルム31を被覆し、これを露光する。これにより、導
電パターンの非導電部のみが露光して、レジストフィル
ム30が消去され、図10−Cのように、ネガフィルム
31を除去すると、レジストフィルム30は、導電層x
となる部分のみを被覆することとなる。次に、塩化銅等
のエッチング溶液を用いて、レジストフィルムの無い不
要部分の無電解銅メッキ層m及び導電性被覆層nを、エ
ッチングにより除去して図10−Dの形態とする。然る
後に、水酸化ナトリウムの希釈液で、エッチング後に残
った導電層x上のレジストフィルムを剥離する。而し
て、図9のように、誘電体セラミック基体21上には、
所要の無電解銅メッキ層m及び導電性被覆層nからなる
導電層xによってなる導電パターン24が形成されるこ
ととなる。
ク基体21上の所要の導電パターン24を形成するに
は、図10−Aで示すように、誘電体セラミック基体2
1の表面に無電解銅メッキ層m及び導電性被覆層nを形
成した後に、酸素雰囲気中で500 °C の温度で熱処理を
行ない、図10−Bで示すように、その表面に感光性レ
ジストフィルム30を全面貼付する。そして、該レジス
トフィルム30上に、導電パターンが現像されたネガフ
イルム31を被覆し、これを露光する。これにより、導
電パターンの非導電部のみが露光して、レジストフィル
ム30が消去され、図10−Cのように、ネガフィルム
31を除去すると、レジストフィルム30は、導電層x
となる部分のみを被覆することとなる。次に、塩化銅等
のエッチング溶液を用いて、レジストフィルムの無い不
要部分の無電解銅メッキ層m及び導電性被覆層nを、エ
ッチングにより除去して図10−Dの形態とする。然る
後に、水酸化ナトリウムの希釈液で、エッチング後に残
った導電層x上のレジストフィルムを剥離する。而し
て、図9のように、誘電体セラミック基体21上には、
所要の無電解銅メッキ層m及び導電性被覆層nからなる
導電層xによってなる導電パターン24が形成されるこ
ととなる。
【0032】
【発明の効果】本発明は上述のように、第一手段は、誘
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を形成して構成したから、無電解銅メッキ層は、
導電性被覆層により保護され、錆びや、硫化反応等を生
じず、このため無負荷Qの低下等の、特性の劣化がな
い。誘電体フィルタの外表面に形成された端子部と、プ
リント基板上の所要導電路とを半田付けにより接続する
場合に、導電性被覆層の半田濡れ性により、良好な接続
が施され得る。さらにまたかかる導電性被覆層は半田メ
ッキのような、人体に有害な鉛Pbを含有しない。
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を形成して構成したから、無電解銅メッキ層は、
導電性被覆層により保護され、錆びや、硫化反応等を生
じず、このため無負荷Qの低下等の、特性の劣化がな
い。誘電体フィルタの外表面に形成された端子部と、プ
リント基板上の所要導電路とを半田付けにより接続する
場合に、導電性被覆層の半田濡れ性により、良好な接続
が施され得る。さらにまたかかる導電性被覆層は半田メ
ッキのような、人体に有害な鉛Pbを含有しない。
【0033】また第二手段は、誘電体材料からなる基体
表面に形成される導電層を、導電路となる無電解銅メッ
キ層と共に、無電解銅メッキ層を半田熱で消失する合成
樹脂製保護被覆層で被覆したから、保護被覆層により、
無電解銅メッキ層が保護されて、錆びや、硫化反応等を
生じず、このため無負荷Qの低下等の、特性の劣化がな
く、しかも導電層表面が絶縁的に保護されて、無用な電
気的短絡を防止できる。また、誘電体セラミック上の端
子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱により、そ
の最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失するから、プリ
ント基板上の電路との電気的接続に支障もない。
表面に形成される導電層を、導電路となる無電解銅メッ
キ層と共に、無電解銅メッキ層を半田熱で消失する合成
樹脂製保護被覆層で被覆したから、保護被覆層により、
無電解銅メッキ層が保護されて、錆びや、硫化反応等を
生じず、このため無負荷Qの低下等の、特性の劣化がな
く、しかも導電層表面が絶縁的に保護されて、無用な電
気的短絡を防止できる。また、誘電体セラミック上の端
子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱により、そ
の最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失するから、プリ
ント基板上の電路との電気的接続に支障もない。
【0034】さらに第三手段は、誘電体材料からなる基
体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅メ
ッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面に、
導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆層を
被覆し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消失す
る合成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したから、上述
の第一手段と第二手段の効果を合わせ持つことができ
る。
体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅メ
ッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面に、
導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆層を
被覆し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消失す
る合成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したから、上述
の第一手段と第二手段の効果を合わせ持つことができ
る。
【図1】三段型高周波用誘電体フィルタ1の斜視図であ
る。
る。
【図2】高周波用誘電体フィルタ1の裏からみた斜視図
である。
である。
【図3】図2のA−A断面図である。
【図4】第一手段における導電層xの構成を示す縦断側
面図である。
面図である。
【図5】第二手段における導電層yの構成を示す縦断側
面図である。
面図である。
【図6】導電層yに半田付を施した状態の縦断側面図で
ある。
ある。
【図7】各試料A,B,Cの試験結果を示すグラフであ
る。
る。
【図8】第三手段における導電層zの構成を示す縦断側
面図である。
面図である。
【図9】マイクロストリップライン型フィルタの斜視図
であり、Aは表面側を、Bは一部裏面側を示す。
であり、Aは表面側を、Bは一部裏面側を示す。
【図10】導電層xを用いた導電パターン24の形成手
段を示す説明図である。
段を示す説明図である。
1 高周波用誘電体フィルタ 2a〜2c 誘電体同軸共振器 3 誘電体ブロック基体 4a〜4c 貫通孔 6a〜6c 内導電層 7 外導電層 20 マイクロストリップライン型フィルタ 21 誘電体基板 22 共振導電層 23 シールド導電層 24 導電パターン x,y,z 導電層 m 無電解銅メッキ層 n 導電性被覆層 p 保護被覆層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成8年11月27日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 誘電体フィルタ
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板等に
実装される誘電体フィルタに関する。
実装される誘電体フィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】同軸型共振器を備えてなる誘電体フィル
タやマイクロストリップライン型フィルタ等の誘電体フ
ィルタにあって、TiO2 −BaO系誘電体、アルミナ
等のセラミック基体の表面に形成される導電層は、一般
的に、銀焼付けによる方法が行なわれている。しかし、
かかる手段であると、高価でしかも、形成が面倒となる
問題点がある。そこで、これに代わる手段として、無電
解銅メッキ層を形成する手段が提案されている(特開昭
54−108554号参照)。
タやマイクロストリップライン型フィルタ等の誘電体フ
ィルタにあって、TiO2 −BaO系誘電体、アルミナ
等のセラミック基体の表面に形成される導電層は、一般
的に、銀焼付けによる方法が行なわれている。しかし、
かかる手段であると、高価でしかも、形成が面倒となる
問題点がある。そこで、これに代わる手段として、無電
解銅メッキ層を形成する手段が提案されている(特開昭
54−108554号参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】一方、無電解銅メッキ
層により導電層を形成した場合には、空気中で錆び易
く、または硫化反応により劣化し易く、このため、抵抗
値が上昇して、無負荷Q値が低下し、フィルタの挿入損
失が増大する問題点があった。
層により導電層を形成した場合には、空気中で錆び易
く、または硫化反応により劣化し易く、このため、抵抗
値が上昇して、無負荷Q値が低下し、フィルタの挿入損
失が増大する問題点があった。
【0004】本発明は、無電解銅メッキにより導電層を
形成した場合にあっても、錆びを生ずることなく、しか
も半田付けによる、誘電体フィルタ面に形成された導電
層の所要端子部と、プリント基板上の導電路との電気的
接続が可能な、誘電体フィルタを提供することを目的と
するものである。
形成した場合にあっても、錆びを生ずることなく、しか
も半田付けによる、誘電体フィルタ面に形成された導電
層の所要端子部と、プリント基板上の導電路との電気的
接続が可能な、誘電体フィルタを提供することを目的と
するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の第一手段は、誘
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を被覆して構成したことを特徴とするプリント基
板等に実装される誘電体フィルタである。ここで、この
誘電体フィルタに係る基体は、板状,直方体状,円柱体
状等種々の形状のものが用いられ、同軸型共振器フィル
タを備えてなる誘電体フィルタやマイクロストリップラ
イン型フィルタ等の誘電体フィルタを構成することとな
る。
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を被覆して構成したことを特徴とするプリント基
板等に実装される誘電体フィルタである。ここで、この
誘電体フィルタに係る基体は、板状,直方体状,円柱体
状等種々の形状のものが用いられ、同軸型共振器フィル
タを備えてなる誘電体フィルタやマイクロストリップラ
イン型フィルタ等の誘電体フィルタを構成することとな
る。
【0006】この構成にあって、前記導電性被覆層とし
ては、Ni−B合金,Ni−P合金又はNi−B−P合
金等が提案され得る。
ては、Ni−B合金,Ni−P合金又はNi−B−P合
金等が提案され得る。
【0007】かかる構成にあっては、基体の表面に無電
解メッキ法により銅被膜からなる第一層を形成し、さら
に、Ni−B合金等の導電性被覆層からなる第二層を無
電解メッキ法若しくは電解メッキ法などにより順次形成
した後、エッチングにより、不要な部分を除去して所要
の導電パターンが形成される。
解メッキ法により銅被膜からなる第一層を形成し、さら
に、Ni−B合金等の導電性被覆層からなる第二層を無
電解メッキ法若しくは電解メッキ法などにより順次形成
した後、エッチングにより、不要な部分を除去して所要
の導電パターンが形成される。
【0008】ここで、Ni−B合金,Ni−P合金又は
Ni−B−P合金等の導電性被覆層は、半田濡れ性に優
れており、このため、誘電体材料からなる基体の外表面
に形成された入出力部と、プリント基板上の所要導電路
とを半田付けにより接続する場合に、良好な接続が施さ
れ得る。また、無電解銅メッキ層は、導電性被覆層によ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じない。さらにま
た、かかる導電性被覆層は半田メッキのように、鉛(P
b)等の人体に有害な物質を含有しない。
Ni−B−P合金等の導電性被覆層は、半田濡れ性に優
れており、このため、誘電体材料からなる基体の外表面
に形成された入出力部と、プリント基板上の所要導電路
とを半田付けにより接続する場合に、良好な接続が施さ
れ得る。また、無電解銅メッキ層は、導電性被覆層によ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じない。さらにま
た、かかる導電性被覆層は半田メッキのように、鉛(P
b)等の人体に有害な物質を含有しない。
【0009】本発明の第二手段は、誘電体材料からなる
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、半田熱で消失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して
構成したことを特徴とするプリント基板等に実装される
誘電体フィルタである。ここで合成樹脂製保護被覆層と
しては、塩化ビニル等が提案され得る。
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、半田熱で消失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して
構成したことを特徴とするプリント基板等に実装される
誘電体フィルタである。ここで合成樹脂製保護被覆層と
しては、塩化ビニル等が提案され得る。
【0010】この構成にあって、誘電体材料からなる基
体上の入出力部に半田付けをすると、溶融した半田の熱
により、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失す
る。従って、プリント基板上に、誘電体フィルタを実装
する場合に、合成樹脂製保護被覆層によって導電層が被
覆されていても、その入出力部で半田付けを施すことに
より、電気的接続を容易に確保し得ることとなる。
体上の入出力部に半田付けをすると、溶融した半田の熱
により、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失す
る。従って、プリント基板上に、誘電体フィルタを実装
する場合に、合成樹脂製保護被覆層によって導電層が被
覆されていても、その入出力部で半田付けを施すことに
より、電気的接続を容易に確保し得ることとなる。
【0011】本発明の第三手段は、誘電体材料からなる
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆
層を被覆し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消
失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したことを
特徴とするプリント基板等に実装される誘電体フィルタ
である。
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆
層を被覆し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消
失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したことを
特徴とするプリント基板等に実装される誘電体フィルタ
である。
【0012】ここで、導電性被覆層は、上述したよう
に、Ni−B合金,Ni−P合金又はNi−B−P合金
等が提案され得る。また、合成樹脂製保護被覆層として
は、塩化ビニル等が提案され得る。
に、Ni−B合金,Ni−P合金又はNi−B−P合金
等が提案され得る。また、合成樹脂製保護被覆層として
は、塩化ビニル等が提案され得る。
【0013】
【発明の実施の形態】添付図面について、本発明の一実
施例を説明する。図1〜3は、単一の誘電体ブロック基
体3に、三つの誘電体同軸共振器2a,2b,2cを設
けてなる本発明に係る三ポール型高周波用誘電体フィル
タ1を示す。
施例を説明する。図1〜3は、単一の誘電体ブロック基
体3に、三つの誘電体同軸共振器2a,2b,2cを設
けてなる本発明に係る三ポール型高周波用誘電体フィル
タ1を示す。
【0014】ここで誘電体ブロック基体3は、酸化チタ
ン系のセラミック誘電体からなる直方体状をしており、
各誘電体同軸共振器2a,2b,2cに対応して夫々三
本の貫通孔4a,4b,4cが形成されている。この貫
通孔4a,4b,4cには夫々内導電層6a,6b,6
cが被覆形成され、さらにその外周面に外導電層(アー
ス導体)7が被覆形成される。またその一端面では外導
電層7の無い開放端面8とし、他端面を誘電体同軸共振
器2a,2b,2cの各内導電層6a,6b,6cを外
導電層7により夫々接続して短絡端面9としている。
ン系のセラミック誘電体からなる直方体状をしており、
各誘電体同軸共振器2a,2b,2cに対応して夫々三
本の貫通孔4a,4b,4cが形成されている。この貫
通孔4a,4b,4cには夫々内導電層6a,6b,6
cが被覆形成され、さらにその外周面に外導電層(アー
ス導体)7が被覆形成される。またその一端面では外導
電層7の無い開放端面8とし、他端面を誘電体同軸共振
器2a,2b,2cの各内導電層6a,6b,6cを外
導電層7により夫々接続して短絡端面9としている。
【0015】一方、前記誘電体ブロック基体3の一側面
には、開放端面の近傍に外導電層7と絶縁させて入出力
部11a,11bを形成し、該入出力部11aを誘電体
ブロック基体3を介して内導電層6aと容量的に接続
し、入出力部11bを同じくブロック3を介して内導電
層6cと容量的に接続している。そして、入出力部11
a,11bの一方を、プリント基板上の所要電路の入力
端に接続し、他方を出力端に接続して、高周波用誘電体
フィルタ1の電気的接続が施される。この電気的接続は
半田付により行なわれる。
には、開放端面の近傍に外導電層7と絶縁させて入出力
部11a,11bを形成し、該入出力部11aを誘電体
ブロック基体3を介して内導電層6aと容量的に接続
し、入出力部11bを同じくブロック3を介して内導電
層6cと容量的に接続している。そして、入出力部11
a,11bの一方を、プリント基板上の所要電路の入力
端に接続し、他方を出力端に接続して、高周波用誘電体
フィルタ1の電気的接続が施される。この電気的接続は
半田付により行なわれる。
【0016】ここで、内導電層6a,6b,6c,外導
電層7及び入出力部11a,11bは、図3で示すよう
に、無電解銅メッキ層mを第一層としてなり、該無電解
銅メッキ層mの表面に、第二層として導電性が良く、か
つ半田濡れ性の良好な導電性被覆層nを形成して構成さ
れた導電層xからなる。
電層7及び入出力部11a,11bは、図3で示すよう
に、無電解銅メッキ層mを第一層としてなり、該無電解
銅メッキ層mの表面に、第二層として導電性が良く、か
つ半田濡れ性の良好な導電性被覆層nを形成して構成さ
れた導電層xからなる。
【0017】この内導電層6a,6b,6c、外導電層
7及び入出力部11a,11bは、誘電体ブロック基体
3に無電解銅メッキ層mを順次形成し、然る後に、これ
らの無電解銅メッキ層m上に、導電性被覆層nを順次形
成することにより、被覆形成される。
7及び入出力部11a,11bは、誘電体ブロック基体
3に無電解銅メッキ層mを順次形成し、然る後に、これ
らの無電解銅メッキ層m上に、導電性被覆層nを順次形
成することにより、被覆形成される。
【0018】 この無電解銅メッキ層mの被膜の厚さ
は、適宜設定され得るが、1〜40μm程度の範囲にあっ
て、膜形成が容易である。また導電性被覆層nは、無電
解メッキ法によりNi−Bメッキ(ワールドメタル製、
商品名ニボロン、MNP−M2)処理を約30分間行な
うことにより、Ni−B合金により形成される。ここ
で、この導電性被覆層nの層厚は、高周波帯域における
使用を前提とするなら、0.04〜 1μm程度の範囲が、導
電損失が少なく、好ましい。ただし、この範囲に制限さ
れるものではない。また、この層厚は、無電解メッキ時
間の調整により、随意に設定され得る。
は、適宜設定され得るが、1〜40μm程度の範囲にあっ
て、膜形成が容易である。また導電性被覆層nは、無電
解メッキ法によりNi−Bメッキ(ワールドメタル製、
商品名ニボロン、MNP−M2)処理を約30分間行な
うことにより、Ni−B合金により形成される。ここ
で、この導電性被覆層nの層厚は、高周波帯域における
使用を前提とするなら、0.04〜 1μm程度の範囲が、導
電損失が少なく、好ましい。ただし、この範囲に制限さ
れるものではない。また、この層厚は、無電解メッキ時
間の調整により、随意に設定され得る。
【0019】この導電性被覆層nを構成するNi−B合
金は、半田濡れ性が良い。このため、入出力部11a,
11bを、プリント基板上の所要電路に半田付けにより
接続する場合にあって、その半田付けを容易に施すこと
ができる。
金は、半田濡れ性が良い。このため、入出力部11a,
11bを、プリント基板上の所要電路に半田付けにより
接続する場合にあって、その半田付けを容易に施すこと
ができる。
【0020】このほか、導電性被覆層nとしては、Ni
−P合金又はNi−B−P合金で構成するようにしても
良い。これら、Ni−B合金,Ni−P合金,Ni−B
−P合金は、前処理法によって異なるものの、銅への密
着が良好であり、また、電気ニッケルメッキに比較し
て、ピンホールが少なく、耐食性も良好である。
−P合金又はNi−B−P合金で構成するようにしても
良い。これら、Ni−B合金,Ni−P合金,Ni−B
−P合金は、前処理法によって異なるものの、銅への密
着が良好であり、また、電気ニッケルメッキに比較し
て、ピンホールが少なく、耐食性も良好である。
【0021】一方、この手段により形成された導電層x
(試料A)と、無電解銅メッキ層mのみを同様の形成方
法によって導電層xの無電解銅メッキ層mと同様の膜厚
となるようにして形成した比較品(試料C)とを対比す
るため、温度45°C で、相対湿度95%,H2 S含有濃度
50PPM の高温多湿雰囲気中に、100 時間放置した後、無
負荷Qを測定した。
(試料A)と、無電解銅メッキ層mのみを同様の形成方
法によって導電層xの無電解銅メッキ層mと同様の膜厚
となるようにして形成した比較品(試料C)とを対比す
るため、温度45°C で、相対湿度95%,H2 S含有濃度
50PPM の高温多湿雰囲気中に、100 時間放置した後、無
負荷Qを測定した。
【0022】図7はその結果を示すものであって、本発
明の無電解銅メッキ層m上に導電性被覆層nを形成した
導電層xは、無電解銅メッキ層mの単一層からなる導電
層よりも、高温多湿雰囲気中で無負荷Qが低下しないこ
とが解る。
明の無電解銅メッキ層m上に導電性被覆層nを形成した
導電層xは、無電解銅メッキ層mの単一層からなる導電
層よりも、高温多湿雰囲気中で無負荷Qが低下しないこ
とが解る。
【0023】次に、本発明の第二手段について説明す
る。図5,6は、導電層yとして、誘電体ブロック基体
1の表面に、無電解銅メッキ層mを第一層として形成
し、さらに該無電解銅メッキ層mの表面に、塩化ビニル
からなる合成樹脂製保護被覆層pを被覆したものであ
る。この保護被覆層pは、半田熱により容易に消失する
合成樹脂材料であれば良い。
る。図5,6は、導電層yとして、誘電体ブロック基体
1の表面に、無電解銅メッキ層mを第一層として形成
し、さらに該無電解銅メッキ層mの表面に、塩化ビニル
からなる合成樹脂製保護被覆層pを被覆したものであ
る。この保護被覆層pは、半田熱により容易に消失する
合成樹脂材料であれば良い。
【0024】この構成にあっては、上述したように無電
解銅メッキ層mを無電解メッキ方法によって形成した後
に、塩化ビニル等の合成樹脂材料を溶剤で希釈してなる
溶液中に、浸漬する。而して、無電解銅メッキ層mの表
面に保護被覆層pが形成される。
解銅メッキ層mを無電解メッキ方法によって形成した後
に、塩化ビニル等の合成樹脂材料を溶剤で希釈してなる
溶液中に、浸漬する。而して、無電解銅メッキ層mの表
面に保護被覆層pが形成される。
【0025】かかる手段によってなる導電層yが形成さ
れた試料Bを上述と同様の方法により、高温多湿雰囲気
中における無負荷Q値の変化を調べた結果を、同様に図
7で示している。これより、かかる手段にあっても、試
料Aと同じく、試料Cよりも優れることが解る。すなわ
ち、無電解銅メッキ層mが、保護被覆層pにより保護さ
れ、このため、空気中の水分等による錆の発生が防止さ
れ、安定した無負荷Q特性を備えることが理解される。
れた試料Bを上述と同様の方法により、高温多湿雰囲気
中における無負荷Q値の変化を調べた結果を、同様に図
7で示している。これより、かかる手段にあっても、試
料Aと同じく、試料Cよりも優れることが解る。すなわ
ち、無電解銅メッキ層mが、保護被覆層pにより保護さ
れ、このため、空気中の水分等による錆の発生が防止さ
れ、安定した無負荷Q特性を備えることが理解される。
【0026】ところで、前記保護被覆層pの形成により
無電解銅メッキ層mが絶縁されることとなる。従って、
入出力部11a,11bを、プリント基板上の所要導電
路と電気的に接続しようとすると、かかる保護被覆層p
により接続不能となるかに思える。しかるに、図6で示
すように、端子部となる導電層yに半田付けを施すと、
その半田熱により、保護被覆層pが消失してしまい、半
田ロウ25を介してプリント基板上の所要導電路との電
気的接続を容易に確保することができる。
無電解銅メッキ層mが絶縁されることとなる。従って、
入出力部11a,11bを、プリント基板上の所要導電
路と電気的に接続しようとすると、かかる保護被覆層p
により接続不能となるかに思える。しかるに、図6で示
すように、端子部となる導電層yに半田付けを施すと、
その半田熱により、保護被覆層pが消失してしまい、半
田ロウ25を介してプリント基板上の所要導電路との電
気的接続を容易に確保することができる。
【0027】また一方、端子部以外では、導電層yを構
成する無電解銅メッキ層mが保護被覆層pにより絶縁的
に保護されることとなるから、プリント基板上で、内導
電層6a,6b,6c及び外導電層7が、他の電気機器
と機械的に接触しても、短絡することがない利点があ
る。
成する無電解銅メッキ層mが保護被覆層pにより絶縁的
に保護されることとなるから、プリント基板上で、内導
電層6a,6b,6c及び外導電層7が、他の電気機器
と機械的に接触しても、短絡することがない利点があ
る。
【0028】図8は第三手段の導電層zを示す。すなわ
ち、この構成の誘電体フィルタ1は、前記無電解銅メッ
キ層mを表面に形成される第一層とし、該無電解銅メッ
キ層mの表面に、第二層として導電性が良く、かつ半田
濡れ性の良好な前記導電性被覆層nを形成し、さらにそ
の表面に、塩化ビニルからなる前記合成樹脂製保護被覆
層pを被覆した導電層zを、誘電体ブロック基体1また
は誘電体セラミック基体21(後記)に形成するように
したものである。この導電層zの構成にあって、無電解
銅メッキ層mは、導電性被覆層n及び保護被覆層pによ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じず、このため無
負荷Qの低下等の、特性の劣化がない。また保護被覆層
pにより、導電層表面が絶縁的に保護されて、無用な電
気的短絡を防止できる。さらにまた、誘電体セラミック
上の端子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱によ
り、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失し、その
表面に表われた導電性被覆層の半田濡れ性により、良好
な半田付接続が施され得る。すなわち、かかる構成は、
導電層x,yの作用効果を合わせ持つこととなる。
ち、この構成の誘電体フィルタ1は、前記無電解銅メッ
キ層mを表面に形成される第一層とし、該無電解銅メッ
キ層mの表面に、第二層として導電性が良く、かつ半田
濡れ性の良好な前記導電性被覆層nを形成し、さらにそ
の表面に、塩化ビニルからなる前記合成樹脂製保護被覆
層pを被覆した導電層zを、誘電体ブロック基体1また
は誘電体セラミック基体21(後記)に形成するように
したものである。この導電層zの構成にあって、無電解
銅メッキ層mは、導電性被覆層n及び保護被覆層pによ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じず、このため無
負荷Qの低下等の、特性の劣化がない。また保護被覆層
pにより、導電層表面が絶縁的に保護されて、無用な電
気的短絡を防止できる。さらにまた、誘電体セラミック
上の端子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱によ
り、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失し、その
表面に表われた導電性被覆層の半田濡れ性により、良好
な半田付接続が施され得る。すなわち、かかる構成は、
導電層x,yの作用効果を合わせ持つこととなる。
【0029】本発明は、図9で示すマイクロストリップ
ライン型フィルタ20にも適用可能である。ここで、図
9−Aで示すように、誘電体セラミック基体21の表面
に、複数本平行に配列された帯状共振導電層22からな
る平行結合型マイクロストリップラインフィルタ回路F
が形成されてなる。この各帯状共振導電層22は、その
間隙を介して夫々電磁界結合する。また、該誘電体セラ
ミック基体21の下面にはシールド導電層23が形成さ
れる。この誘電体セラミック基体21は、例えば、アル
ミナのほか、TiO2 −BaO系材料が使用される。さ
らに複数の共振導電層のうち、両端部に位置する共振導
電層から基体21の側面を経て裏面まで伸び(図9−B
参照)、周囲のシールド導電層23より絶縁隔離された
導電層部分を形成し、これを表面実装化のため入出力部
22aとして利用するようにしている。
ライン型フィルタ20にも適用可能である。ここで、図
9−Aで示すように、誘電体セラミック基体21の表面
に、複数本平行に配列された帯状共振導電層22からな
る平行結合型マイクロストリップラインフィルタ回路F
が形成されてなる。この各帯状共振導電層22は、その
間隙を介して夫々電磁界結合する。また、該誘電体セラ
ミック基体21の下面にはシールド導電層23が形成さ
れる。この誘電体セラミック基体21は、例えば、アル
ミナのほか、TiO2 −BaO系材料が使用される。さ
らに複数の共振導電層のうち、両端部に位置する共振導
電層から基体21の側面を経て裏面まで伸び(図9−B
参照)、周囲のシールド導電層23より絶縁隔離された
導電層部分を形成し、これを表面実装化のため入出力部
22aとして利用するようにしている。
【0030】前記共振導電層22,23等の導電パター
ン24は、図4で示したように、無電解銅メッキ層mを
第一層としてなり、該無電解銅メッキ層mの表面に、第
二層として導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電
性被覆層nを形成して構成された導電層xからなる。
ン24は、図4で示したように、無電解銅メッキ層mを
第一層としてなり、該無電解銅メッキ層mの表面に、第
二層として導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電
性被覆層nを形成して構成された導電層xからなる。
【0031】かかる導電層xを用いて、誘電体セラミッ
ク基体21上の所要の導電パターン24を形成するに
は、図10−Aで示すように、誘電体セラミック基体2
1の表面に無電解銅メッキ層m及び導電性被覆層nを形
成した後に、酸素雰囲気中で500 °C の温度で熱処理を
行ない、図10−Bで示すように、その表面に感光性レ
ジストフィルム30を全面貼付する。そして、該レジス
トフィルム30上に、導電パターンが現像されたネガフ
イルム31を被覆し、これを露光する。これにより、導
電パターンの非導電部のみが感光し、非感光部をエッチ
ングすると、図10−Cのように、レジストフィルム3
0は、導電層xとなる部分のみを被覆することとなる。
次に、塩化銅等のエッチング溶液を用いて、不要部分の
無電解銅メッキ層m及び導電性被覆層nを、エッチング
により除去して図10−Dの形態とする。然る後に、水
酸化ナトリウムの希釈液で、エッチング後に残った導電
層x上のレジストフィルムを除去する。而して、図9の
ように、誘電体セラミック基体21上には、所要の無電
解銅メッキ層m及び導電性被覆層nからなる導電層xに
よってなる導電パターン24が形成されることとなる。
ク基体21上の所要の導電パターン24を形成するに
は、図10−Aで示すように、誘電体セラミック基体2
1の表面に無電解銅メッキ層m及び導電性被覆層nを形
成した後に、酸素雰囲気中で500 °C の温度で熱処理を
行ない、図10−Bで示すように、その表面に感光性レ
ジストフィルム30を全面貼付する。そして、該レジス
トフィルム30上に、導電パターンが現像されたネガフ
イルム31を被覆し、これを露光する。これにより、導
電パターンの非導電部のみが感光し、非感光部をエッチ
ングすると、図10−Cのように、レジストフィルム3
0は、導電層xとなる部分のみを被覆することとなる。
次に、塩化銅等のエッチング溶液を用いて、不要部分の
無電解銅メッキ層m及び導電性被覆層nを、エッチング
により除去して図10−Dの形態とする。然る後に、水
酸化ナトリウムの希釈液で、エッチング後に残った導電
層x上のレジストフィルムを除去する。而して、図9の
ように、誘電体セラミック基体21上には、所要の無電
解銅メッキ層m及び導電性被覆層nからなる導電層xに
よってなる導電パターン24が形成されることとなる。
【0032】
【発明の効果】本発明の第一手段は、上述のように、誘
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を形成して構成した。このため、無電解銅メッキ
層は、導電性被覆層により保護され、錆びや、硫化反応
等を生じず、このため無負荷Qの低下等の、特性の劣化
がない。また、誘電体フィルタの外表面に形成された端
子部と、プリント基板上の所要導電路とを半田付けによ
り接続する場合に、導電性被覆層の半田濡れ性により、
良好な接続が施され得る。さらにまたかかる導電性被覆
層は半田メッキのような、人体に有害な鉛Pbを含有し
ない。
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を形成して構成した。このため、無電解銅メッキ
層は、導電性被覆層により保護され、錆びや、硫化反応
等を生じず、このため無負荷Qの低下等の、特性の劣化
がない。また、誘電体フィルタの外表面に形成された端
子部と、プリント基板上の所要導電路とを半田付けによ
り接続する場合に、導電性被覆層の半田濡れ性により、
良好な接続が施され得る。さらにまたかかる導電性被覆
層は半田メッキのような、人体に有害な鉛Pbを含有し
ない。
【0033】第二手段は、誘電体材料からなる基体表面
に形成される導電層を、導電路となる無電解銅メッキ層
と共に、無電解銅メッキ層を半田熱で消失する合成樹脂
製保護被覆層で被覆した。このため、保護被覆層によ
り、無電解銅メッキ層が保護されて、錆びや、硫化反応
等を生じず、このため無負荷Qの低下等の、特性の劣化
がなく、しかも導電層表面が絶縁的に保護されて、無用
な電気的短絡を防止できる。また、誘電体セラミック上
の端子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱によ
り、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失するか
ら、プリント基板上の電路との電気的接続に支障もな
い。
に形成される導電層を、導電路となる無電解銅メッキ層
と共に、無電解銅メッキ層を半田熱で消失する合成樹脂
製保護被覆層で被覆した。このため、保護被覆層によ
り、無電解銅メッキ層が保護されて、錆びや、硫化反応
等を生じず、このため無負荷Qの低下等の、特性の劣化
がなく、しかも導電層表面が絶縁的に保護されて、無用
な電気的短絡を防止できる。また、誘電体セラミック上
の端子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱によ
り、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失するか
ら、プリント基板上の電路との電気的接続に支障もな
い。
【0034】第三手段は、誘電体材料からなる基体の表
面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅メッキ層
を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面に、導電性
が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆層を被覆
し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消失する合
成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したから、上述の第
一手段と第二手段の効果を合わせ持つことができる。
面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅メッキ層
を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面に、導電性
が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆層を被覆
し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消失する合
成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したから、上述の第
一手段と第二手段の効果を合わせ持つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】三段型高周波用誘電体フィルタ1の斜視図であ
る。
る。
【図2】高周波用誘電体フィルタ1の裏からみた斜視図
である。
である。
【図3】図2のA−A断面図である。
【図4】第一手段における導電層xの構成を示す縦断側
面図である。
面図である。
【図5】第二手段における導電層yの構成を示す縦断側
面図である。
面図である。
【図6】導電層yに半田付を施した状態の縦断側面図で
ある。
ある。
【図7】各試料A,B,Cの試験結果を示すグラフであ
る。
る。
【図8】第三手段における導電層zの構成を示す縦断側
面図である。
面図である。
【図9】マイクロストリップライン型フィルタの斜視図
であり、Aは表面側を、Bは一部裏面側を示す。
であり、Aは表面側を、Bは一部裏面側を示す。
【図10】導電層xを用いた導電パターン24の形成手
段を示す説明図である。
段を示す説明図である。
【符号の説明】 1 高周波用誘電体フィルタ 2a〜2c 誘電体同軸共振器 3 誘電体ブロック基体 4a〜4c 貫通孔 6a〜6c 内導電層 7 外導電層 20 マイクロストリップライン型フィルタ 21 誘電体基板 22 共振導電層 23 シールド導電層 24 導電パターン x,y,z 導電層 m 無電解銅メッキ層 n 導電性被覆層 p 保護被覆層
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図9
【補正方法】変更
【補正内容】
【図9】
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図10
【補正方法】変更
【補正内容】
【図10】
Claims (5)
- 【請求項1】誘電体材料からなる基体の表面に形成され
る導電層を、基体表面に無電解銅メッキ層を形成し、さ
らに該無電解銅メッキ層の表面に、導電性が良く、かつ
半田濡れ性の良好な導電性被覆層を被覆して構成したこ
とを特徴とするプリント基板等に実装される誘電体フィ
ルタ。 - 【請求項2】誘電体材料からなる基体の表面に形成され
る導電層を、基体表面に無電解銅メッキ層を形成し、さ
らに該無電解銅メッキ層の表面に、半田熱で消失する合
成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したことを特徴とす
るプリント基板等に実装される誘電体フィルタ。 - 【請求項3】誘電体材料からなる基体の表面に形成され
る導電層を、基体表面に無電解銅メッキ層を形成し、さ
らに該無電解銅メッキ層の表面に、導電性が良く、かつ
半田濡れ性の良好な導電性被覆層を被覆し、さらに導電
性被覆層の表面に、半田熱で消失する合成樹脂製保護被
覆層で被覆して構成したことを特徴とするプリント基板
等に実装される誘電体フィルタ。 - 【請求項4】前記導電性被覆層が、Ni−B合金,Ni
−P合金又はNi−B−P合金からなることを特徴とす
る請求項1又は請求項3記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項5】合成樹脂製保護被覆層が塩化ビニルからな
ることを特徴とする請求項2又は請求項3記載の誘電体
フィルタ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8091945A JPH09260903A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 誘電体フィルタ |
EP97301813A EP0797266B1 (en) | 1996-03-19 | 1997-03-18 | Dielectric filter and method of making same |
EP02022883A EP1280223A1 (en) | 1996-03-19 | 1997-03-18 | Dielectric filter and method of making same |
DE69721879T DE69721879T2 (de) | 1996-03-19 | 1997-03-18 | Dielektrisches Filter und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8091945A JPH09260903A (ja) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09260903A true JPH09260903A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=14040734
Family Applications (1)
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040120 |