JPH09260903A - 誘電体フィルタ - Google Patents

誘電体フィルタ

Info

Publication number
JPH09260903A
JPH09260903A JP8091945A JP9194596A JPH09260903A JP H09260903 A JPH09260903 A JP H09260903A JP 8091945 A JP8091945 A JP 8091945A JP 9194596 A JP9194596 A JP 9194596A JP H09260903 A JPH09260903 A JP H09260903A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
conductive
electroless copper
coating layer
copper plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8091945A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Ito
憲治 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP8091945A priority Critical patent/JPH09260903A/ja
Priority to EP97301813A priority patent/EP0797266B1/en
Priority to EP02022883A priority patent/EP1280223A1/en
Priority to DE69721879T priority patent/DE69721879T2/de
Publication of JPH09260903A publication Critical patent/JPH09260903A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
    • H01P11/007—Manufacturing frequency-selective devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09072—Hole or recess under component or special relationship between hole and component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/1006—Non-printed filter
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10742—Details of leads
    • H05K2201/10886—Other details
    • H05K2201/10909—Materials of terminal, e.g. of leads or electrodes of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10969—Metallic case or integral heatsink of component electrically connected to a pad on PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/282—Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 無電解銅メッキにより導電層を形成したもの
にあって、錆びを生ずることなく、しかも半田付けによ
る、誘電体フィルタ面に形成された導電層の所要端子部
と、プリント基板上の導電路との電気的接続が可能な、
誘電体フィルタを提供する。 【解決手段】 誘電体セラミック基体１の表面に形成さ
れる導電層ｘを、無電解銅メッキ層ｍを形成し、さらに
該無電解銅メッキ層ｍの表面に、導電性が良く、かつ半
田濡れ性の良好な導電性被覆層ｎを形成して構成したか
ら、無電解銅メッキ層ｍは、導電性被覆層ｎにより保護
され、錆びや、硫化反応等を生じず、このため無負荷Ｑ
の低下等の、特性の劣化がない。また誘電体フィルタ１
の外表面に形成された端子部１１ａ，１１ｂと、プリン
ト基板上の所要導電路とを半田付けにより接続する場合
に、導電性被覆層ｎの半田濡れ性により、良好な接続が
施される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板等に
実装される誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】同軸型共振器を備えてなる誘電体フィル
タやマイクロストリップライン型フィルタ等の誘電体フ
ィルタにあって、ＴｉＯ2 −ＢａＯ系誘電体、アルミナ
等のセラミック基体の表面に形成される導電層は、一般
的に、銀焼付けによる方法が行なわれている。しかし、
かかる手段であると、高価でしかも、形成が面倒となる
問題点がある。そこで、これに代わる手段として、無電
解銅メッキ層を形成する手段が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、無電解銅メッキ
層により導電層を形成した場合には、空気中で錆び易
く、または硫化反応により劣化し易く、このため、抵抗
値が上昇して、無負荷Ｑ値が低下し、フィルタの挿入損
失が増大する問題点があった。
【０００４】本発明は、無電解銅メッキにより導電層を
形成した場合にあっても、錆びを生ずることなく、しか
も半田付けによる、誘電体フィルタ面に形成された導電
層の所要端子部と、プリント基板上の導電路との電気的
接続が可能な、誘電体フィルタを提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第一手段は、誘
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を被覆して構成したことを特徴とするプリント基
板等に実装される誘電体セラミックである。この誘電体
セラミック基体は、板状，直方体状，円柱体状等種々の
形状のものが用いられ、同軸型共振器フィルタを備えて
なる誘電体フィルタやマイクロストリップライン型フィ
ルタ等の誘電体フィルタを構成することとなる。
【０００６】この構成にあって、前記導電性被覆層とし
ては、Ｎｉ−Ｂ合金，Ｎｉ−Ｐ合金又はＮｉ−Ｂ−Ｐ合
金等が提案され得る。
【０００７】かかる構成にあっては、基体の表面に無電
解メッキ法により銅被膜からなる第一層を形成し、さら
に、Ｎｉ−Ｂ合金等の導電性被覆層からなる第二層を無
電解メッキ法若しくは電解メッキ法などにより順次形成
した後、エッチングにより、不要な部分を除去して所要
の導電パターンが形成される。
【０００８】ここで、Ｎｉ−Ｂ合金，Ｎｉ−Ｐ合金又は
Ｎｉ−Ｂ−Ｐ合金等の導電性被覆層は、半田濡れ性に優
れており、このため、誘電体材料からなる基体の外表面
に形成された入出力部と、プリント基板上の所要導電路
とを半田付けにより接続する場合に、良好な接続が施さ
れ得る。また、無電解銅メッキ層は、導電性被覆層によ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じない。さらにま
た、かかる導電性被覆層は半田メッキのように、鉛Ｐｂ
等の人体に有害な物質を含有しない。
【０００９】本発明の第二手段は、誘電体材料からなる
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、半田熱で消失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して
構成したことを特徴とするプリント基板等に実装される
誘電体フィルタである。ここで合成樹脂製保護被覆層と
しては、塩化ビニル等が提案され得る。
【００１０】この構成にあって、誘電体材料からなる基
体上の入出力部に半田付けをすると、溶融した半田の熱
により、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失す
る。従って、プリント基板上に、誘電体フィルタを実装
する場合に、合成樹脂製保護被覆層によって導電層が被
覆されていても、その入出力部で半田付けを施すことに
より、電気的接続を容易に確保し得ることとなる。
【００１１】本発明の第三手段は、誘電体材料からなる
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆
層を被覆し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消
失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したことを
特徴とするプリント基板等に実装される誘電体フィルタ
である。
【００１２】ここで、導電性被覆層は、上述したよう
に、Ｎｉ−Ｂ合金，Ｎｉ−Ｐ合金又はＮｉ−Ｂ−Ｐ合金
等が提案され得る。また、合成樹脂製保護被覆層として
は、塩化ビニル等が提案され得る。
【００１３】
【発明の実施の形態】添付図面について、本発明の一実
施例を説明する。図１〜３は、単一の誘電体ブロック基
体３に、三つの誘電体同軸共振器２ａ，２ｂ，２ｃを設
けてなる本発明に係る三ポール型高周波用誘電体フィル
タ１を示す。
【００１４】ここで誘電体ブロック基体３は、酸化チタ
ン系のセラミック誘電体からなる直方体状をしており、
各誘電体同軸共振器２ａ，２ｂ，２ｃに対応して夫々三
本の貫通孔４ａ，４ｂ，４ｃが形成されている。この貫
通孔４ａ，４ｂ，４ｃには夫々内導電層６ａ，６ｂ，６
ｃが被覆形成され、さらにその外周面に外導電層（アー
ス導体）７が被覆形成される。またその一端面では外導
電層７の無い開放端面８とし、他端面を誘電体同軸共振
器２ａ，２ｂ，２ｃの各内導電層６ａ，６ｂ，６ｃを外
導電層７により夫々接続して短絡端面９としている。
【００１５】一方、前記誘電体ブロック基体３の一側面
には、開放端面の近傍に外導電層７と絶縁させて入出力
部１１ａ，１１ｂを形成し、該入出力部１１ａを誘電体
ブロック基体３を介して内導電層６ａと容量的に接続
し、入出力部１１ｂを同じくブロック３を介して内導電
層６ｃと容量的に接続している。そして、入出力部１１
ａ，１１ｂの一方を、プリント基板上の所要電路の入力
端に接続し、他方を出力端に接続して、高周波用誘電体
フィルタ１の電気的接続が施される。この電気的接続は
半田付により行なわれる。
【００１６】ここで、内導電層６ａ，６ｂ，６ｃ，外導
電層７及び入出力部１１ａ，１１ｂは、図３で示すよう
に、無電解銅メッキ層ｍを第一層としてなり、該無電解
銅メッキ層ｍの表面に、第二層として導電性が良く、か
つ半田濡れ性の良好な導電性被覆層ｎを形成して構成さ
れた導電層ｘからなる。
【００１７】この内導電層６ａ，６ｂ，６ｃ、外導電層
７及び入出力部１１ａ，１１ｂは、誘電体ブロック基体
３に無電解銅メッキ層ｍを順次形成し、然る後に、これ
らの無電解銅メッキ層ｍ上に、導電性被覆層ｎを順次形
成することにより、被覆形成される。
【００１８】 この無電解銅メッキ層ｍの被膜の厚さ
は、適宜設定され得るが、１〜40μｍ程度の範囲にあっ
て、膜形成が容易である。また導電性被覆層ｎは、無電
解メッキ法によりＮｉ−Ｂメッキ（ワールドメタル製、
商品名ニボロン、ＭＮＰ−Ｍ２）処理を約３０分間行な
うことにより、Ｎｉ−Ｂ合金により形成される。ここ
で、この導電性被覆層ｎの層厚は、高周波帯域における
使用を前提とするなら、0.04〜 1μｍ程度の範囲が、導
電損失が少なく、好ましい。ただし、この範囲に制限さ
れるものではない。また、この層厚は、無電解メッキ時
間の調整により、随意に設定され得る。
【００１９】この導電性被覆層ｎを構成するＮｉ−Ｂ合
金は、半田濡れ性が良い。このため、入出力部１１ａ，
１１ｂを、プリント基板上の所要電路に半田付けにより
接続する場合にあって、その半田付けを容易に施すこと
ができる。
【００２０】このほか、導電性被覆層ｎとしては、Ｎｉ
−Ｐ合金又はＮｉ−Ｂ−Ｐ合金で構成するようにしても
良い。これら、Ｎｉ−Ｂ合金，Ｎｉ−Ｐ合金，Ｎｉ−Ｂ
−Ｐ合金は、前処理法によって異なるものの、銅への密
着が良好であり、また、電気ニッケルメッキに比較し
て、ピンホールが少なく、耐食性も良好である。
【００２１】一方、この手段により形成された導電層ｘ
（試料Ａ）と、無電解銅メッキ層ｍのみを同様の形成方
法によって導電層ｘの無電解銅メッキ層ｍと同様の膜厚
となるようにして形成した比較品（試料Ｃ）とを対比す
るため、温度45°C で、相対湿度95％，Ｈ2 Ｓ含有濃度
50PPM の高温多湿雰囲気中に、100 時間放置した後、無
負荷Ｑを測定した。
【００２２】図７はその結果を示すものであって、本発
明の無電解銅メッキ層ｍ上に導電性被覆層ｎを形成した
導電層ｘは、無電解銅メッキ層ｍの単一層からなる導電
層よりも、高温多湿雰囲気中で無負荷Ｑが低下しないこ
とが解る。
【００２３】次に、本発明の第二手段について説明す
る。図５，６は、導電層ｙとして、誘電体ブロック基体
１の表面に、無電解銅メッキ層ｍを第一層として形成
し、さらに該無電解銅メッキ層ｍの表面に、塩化ビニル
からなる合成樹脂製保護被覆層ｐを被覆したものであ
る。この無電解銅メッキ層ｍは、半田熱の温度よりも融
点の低い合成樹脂材料であれば良い。
【００２４】この構成にあっては、上述したように無電
解銅メッキ層ｍを無電解メッキ方法によって形成した後
に、塩化ビニル等の合成樹脂材料を溶剤で希釈してなる
溶液中に、浸漬する。而して、無電解銅メッキ層ｍの表
面に保護被覆層ｐが形成される。
【００２５】かかる手段によってなる導電層ｙが形成さ
れた試料Ｂを上述と同様の方法により、高温多湿雰囲気
中における無負荷Ｑ値の変化を調べた結果を、同様に図
７で示している。これより、かかる手段にあっても、試
料Ａと同じく、試料Ｃよりも優れることが解る。すなわ
ち、無電解銅メッキ層ｍが、保護被覆層ｐにより保護さ
れ、このため、空気中の水分等による錆の発生が防止さ
れ、安定した無負荷Ｑ特性を備えることが理解される。
【００２６】ところで、前記保護被覆層ｐの形成により
無電解銅メッキ層ｍが絶縁されることとなる。従って、
入出力部１１ａ，１１ｂを、プリント基板上の所要導電
路と電気的に接続しようとすると、かかる保護被覆層ｐ
により接続不能となるかに思える。しかるに、図６で示
すように、端子部となる導電層ｙに半田付けを施すと、
その半田熱により、保護被覆層ｐが消失してしまい、半
田ロウ２５を介してプリント基板上の所要導電路との電
気的接続を容易に確保することができる。
【００２７】また一方、端子部以外では、導電層ｙを構
成する無電解銅メッキ層ｍが保護被覆層ｐにより絶縁的
に保護されることとなるから、プリント基板上で、内導
電層６ａ，６ｂ，６ｃ及び外導電層７が、他の電気機器
と機械的に接触しても、短絡することがない利点があ
る。
【００２８】図８は第三手段の導電層ｚを示す。すなわ
ち、この構成の誘電体フィルタ１は、前記無電解銅メッ
キ層ｍを表面に形成される第一層とし、該無電解銅メッ
キ層ｍの表面に、第二層として導電性が良く、かつ半田
濡れ性の良好な前記導電性被覆層ｎを形成し、さらにそ
の表面に、塩化ビニルからなる前記合成樹脂製保護被覆
層ｐを被覆した導電層ｚを、誘電体ブロック基体１また
は誘電体セラミック基体２１（後記）に形成するように
したものである。この導電層ｚの構成にあって、無電解
銅メッキ層ｍは、導電性被覆層ｎ及び保護被覆層ｐによ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じず、このため無
負荷Ｑの低下等の、特性の劣化がない。また保護被覆層
ｐにより、導電層表面が絶縁的に保護されて、無用な電
気的短絡を防止できる。さらにまた、誘電体セラミック
上の端子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱によ
り、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失し、その
表面に表われた導電性被覆層の半田濡れ性により、良好
な半田付接続が施され得る。すなわち、かかる構成は、
導電層ｘ，ｙの作用効果を合わせ持つこととなる。
【００２９】本発明は、図９で示すマイクロストリップ
ライン型フィルタ２０にも適用可能である。ここで、図
９−Ａで示すように、誘電体セラミック基体２１の表面
に、複数本平行に配列された帯状共振導電層２２からな
る平行結合型マイクロストリップラインフィルタ回路Ｃ
が形成されてなる。この各帯状共振導電層２２は、その
間隙を介して電磁界結合する。また、該誘電体セラミッ
ク基体２１の下面にはシールド導電層２３が形成され
る。この誘電体セラミック基体２１は、例えば、アルミ
ナのほか、ＴｉＯ2 −ＢａＯ系材料が使用される。さら
に複数の共振導電層のうち、両端部に位置する共振導電
層から基体２１の側面を経て裏面まで伸び（図９−Ｂ参
照）、周囲のシールド導電層２３より絶縁隔離された導
電層部分を形成し、これを表面実装化のため入出力部２
２ａとして利用するようにしている。
【００３０】前記共振導電層２２，２３等の導電パター
ン２４は、図４で示したように、無電解銅メッキ層ｍを
第一層としてなり、該無電解銅メッキ層ｍの表面に、第
二層として導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電
性被覆層ｎを形成して構成された導電層ｘからなる。
【００３１】かかる導電層ｘを用いて、誘電体セラミッ
ク基体２１上の所要の導電パターン２４を形成するに
は、図１０−Ａで示すように、誘電体セラミック基体２
１の表面に無電解銅メッキ層ｍ及び導電性被覆層ｎを形
成した後に、酸素雰囲気中で500 °C の温度で熱処理を
行ない、図１０−Ｂで示すように、その表面に感光性レ
ジストフィルム３０を全面貼付する。そして、該レジス
トフィルム３０上に、導電パターンが現像されたネガフ
イルム３１を被覆し、これを露光する。これにより、導
電パターンの非導電部のみが露光して、レジストフィル
ム３０が消去され、図１０−Ｃのように、ネガフィルム
３１を除去すると、レジストフィルム３０は、導電層ｘ
となる部分のみを被覆することとなる。次に、塩化銅等
のエッチング溶液を用いて、レジストフィルムの無い不
要部分の無電解銅メッキ層ｍ及び導電性被覆層ｎを、エ
ッチングにより除去して図１０−Ｄの形態とする。然る
後に、水酸化ナトリウムの希釈液で、エッチング後に残
った導電層ｘ上のレジストフィルムを剥離する。而し
て、図９のように、誘電体セラミック基体２１上には、
所要の無電解銅メッキ層ｍ及び導電性被覆層ｎからなる
導電層ｘによってなる導電パターン２４が形成されるこ
ととなる。
【００３２】
【発明の効果】本発明は上述のように、第一手段は、誘
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を形成して構成したから、無電解銅メッキ層は、
導電性被覆層により保護され、錆びや、硫化反応等を生
じず、このため無負荷Ｑの低下等の、特性の劣化がな
い。誘電体フィルタの外表面に形成された端子部と、プ
リント基板上の所要導電路とを半田付けにより接続する
場合に、導電性被覆層の半田濡れ性により、良好な接続
が施され得る。さらにまたかかる導電性被覆層は半田メ
ッキのような、人体に有害な鉛Ｐｂを含有しない。
【００３３】また第二手段は、誘電体材料からなる基体
表面に形成される導電層を、導電路となる無電解銅メッ
キ層と共に、無電解銅メッキ層を半田熱で消失する合成
樹脂製保護被覆層で被覆したから、保護被覆層により、
無電解銅メッキ層が保護されて、錆びや、硫化反応等を
生じず、このため無負荷Ｑの低下等の、特性の劣化がな
く、しかも導電層表面が絶縁的に保護されて、無用な電
気的短絡を防止できる。また、誘電体セラミック上の端
子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱により、そ
の最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失するから、プリ
ント基板上の電路との電気的接続に支障もない。
【００３４】さらに第三手段は、誘電体材料からなる基
体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅メ
ッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面に、
導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆層を
被覆し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消失す
る合成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したから、上述
の第一手段と第二手段の効果を合わせ持つことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】三段型高周波用誘電体フィルタ１の斜視図であ
る。
【図２】高周波用誘電体フィルタ１の裏からみた斜視図
である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】第一手段における導電層ｘの構成を示す縦断側
面図である。
【図５】第二手段における導電層ｙの構成を示す縦断側
面図である。
【図６】導電層ｙに半田付を施した状態の縦断側面図で
ある。
【図７】各試料Ａ，Ｂ，Ｃの試験結果を示すグラフであ
る。
【図８】第三手段における導電層ｚの構成を示す縦断側
面図である。
【図９】マイクロストリップライン型フィルタの斜視図
であり、Ａは表面側を、Ｂは一部裏面側を示す。
【図１０】導電層ｘを用いた導電パターン２４の形成手
段を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 高周波用誘電体フィルタ ２ａ〜２ｃ 誘電体同軸共振器 ３ 誘電体ブロック基体 ４ａ〜４ｃ 貫通孔 ６ａ〜６ｃ 内導電層 ７ 外導電層 ２０ マイクロストリップライン型フィルタ ２１ 誘電体基板 ２２ 共振導電層 ２３ シールド導電層 ２４ 導電パターン ｘ，ｙ，ｚ 導電層 ｍ 無電解銅メッキ層 ｎ 導電性被覆層 ｐ 保護被覆層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１１月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 誘電体フィルタ
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント基板等に
実装される誘電体フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】同軸型共振器を備えてなる誘電体フィル
タやマイクロストリップライン型フィルタ等の誘電体フ
ィルタにあって、ＴｉＯ2 −ＢａＯ系誘電体、アルミナ
等のセラミック基体の表面に形成される導電層は、一般
的に、銀焼付けによる方法が行なわれている。しかし、
かかる手段であると、高価でしかも、形成が面倒となる
問題点がある。そこで、これに代わる手段として、無電
解銅メッキ層を形成する手段が提案されている（特開昭
５４−１０８５５４号参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、無電解銅メッキ
層により導電層を形成した場合には、空気中で錆び易
く、または硫化反応により劣化し易く、このため、抵抗
値が上昇して、無負荷Ｑ値が低下し、フィルタの挿入損
失が増大する問題点があった。
【０００４】本発明は、無電解銅メッキにより導電層を
形成した場合にあっても、錆びを生ずることなく、しか
も半田付けによる、誘電体フィルタ面に形成された導電
層の所要端子部と、プリント基板上の導電路との電気的
接続が可能な、誘電体フィルタを提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第一手段は、誘
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を被覆して構成したことを特徴とするプリント基
板等に実装される誘電体フィルタである。ここで、この
誘電体フィルタに係る基体は、板状，直方体状，円柱体
状等種々の形状のものが用いられ、同軸型共振器フィル
タを備えてなる誘電体フィルタやマイクロストリップラ
イン型フィルタ等の誘電体フィルタを構成することとな
る。
【０００６】この構成にあって、前記導電性被覆層とし
ては、Ｎｉ−Ｂ合金，Ｎｉ−Ｐ合金又はＮｉ−Ｂ−Ｐ合
金等が提案され得る。
【０００７】かかる構成にあっては、基体の表面に無電
解メッキ法により銅被膜からなる第一層を形成し、さら
に、Ｎｉ−Ｂ合金等の導電性被覆層からなる第二層を無
電解メッキ法若しくは電解メッキ法などにより順次形成
した後、エッチングにより、不要な部分を除去して所要
の導電パターンが形成される。
【０００８】ここで、Ｎｉ−Ｂ合金，Ｎｉ−Ｐ合金又は
Ｎｉ−Ｂ−Ｐ合金等の導電性被覆層は、半田濡れ性に優
れており、このため、誘電体材料からなる基体の外表面
に形成された入出力部と、プリント基板上の所要導電路
とを半田付けにより接続する場合に、良好な接続が施さ
れ得る。また、無電解銅メッキ層は、導電性被覆層によ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じない。さらにま
た、かかる導電性被覆層は半田メッキのように、鉛（Ｐ
ｂ）等の人体に有害な物質を含有しない。
【０００９】本発明の第二手段は、誘電体材料からなる
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、半田熱で消失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して
構成したことを特徴とするプリント基板等に実装される
誘電体フィルタである。ここで合成樹脂製保護被覆層と
しては、塩化ビニル等が提案され得る。
【００１０】この構成にあって、誘電体材料からなる基
体上の入出力部に半田付けをすると、溶融した半田の熱
により、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失す
る。従って、プリント基板上に、誘電体フィルタを実装
する場合に、合成樹脂製保護被覆層によって導電層が被
覆されていても、その入出力部で半田付けを施すことに
より、電気的接続を容易に確保し得ることとなる。
【００１１】本発明の第三手段は、誘電体材料からなる
基体の表面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅
メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面
に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆
層を被覆し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消
失する合成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したことを
特徴とするプリント基板等に実装される誘電体フィルタ
である。
【００１２】ここで、導電性被覆層は、上述したよう
に、Ｎｉ−Ｂ合金，Ｎｉ−Ｐ合金又はＮｉ−Ｂ−Ｐ合金
等が提案され得る。また、合成樹脂製保護被覆層として
は、塩化ビニル等が提案され得る。
【００１３】
【発明の実施の形態】添付図面について、本発明の一実
施例を説明する。図１〜３は、単一の誘電体ブロック基
体３に、三つの誘電体同軸共振器２ａ，２ｂ，２ｃを設
けてなる本発明に係る三ポール型高周波用誘電体フィル
タ１を示す。
【００１４】ここで誘電体ブロック基体３は、酸化チタ
ン系のセラミック誘電体からなる直方体状をしており、
各誘電体同軸共振器２ａ，２ｂ，２ｃに対応して夫々三
本の貫通孔４ａ，４ｂ，４ｃが形成されている。この貫
通孔４ａ，４ｂ，４ｃには夫々内導電層６ａ，６ｂ，６
ｃが被覆形成され、さらにその外周面に外導電層（アー
ス導体）７が被覆形成される。またその一端面では外導
電層７の無い開放端面８とし、他端面を誘電体同軸共振
器２ａ，２ｂ，２ｃの各内導電層６ａ，６ｂ，６ｃを外
導電層７により夫々接続して短絡端面９としている。
【００１５】一方、前記誘電体ブロック基体３の一側面
には、開放端面の近傍に外導電層７と絶縁させて入出力
部１１ａ，１１ｂを形成し、該入出力部１１ａを誘電体
ブロック基体３を介して内導電層６ａと容量的に接続
し、入出力部１１ｂを同じくブロック３を介して内導電
層６ｃと容量的に接続している。そして、入出力部１１
ａ，１１ｂの一方を、プリント基板上の所要電路の入力
端に接続し、他方を出力端に接続して、高周波用誘電体
フィルタ１の電気的接続が施される。この電気的接続は
半田付により行なわれる。
【００１６】ここで、内導電層６ａ，６ｂ，６ｃ，外導
電層７及び入出力部１１ａ，１１ｂは、図３で示すよう
に、無電解銅メッキ層ｍを第一層としてなり、該無電解
銅メッキ層ｍの表面に、第二層として導電性が良く、か
つ半田濡れ性の良好な導電性被覆層ｎを形成して構成さ
れた導電層ｘからなる。
【００１７】この内導電層６ａ，６ｂ，６ｃ、外導電層
７及び入出力部１１ａ，１１ｂは、誘電体ブロック基体
３に無電解銅メッキ層ｍを順次形成し、然る後に、これ
らの無電解銅メッキ層ｍ上に、導電性被覆層ｎを順次形
成することにより、被覆形成される。
【００１８】 この無電解銅メッキ層ｍの被膜の厚さ
は、適宜設定され得るが、１〜40μｍ程度の範囲にあっ
て、膜形成が容易である。また導電性被覆層ｎは、無電
解メッキ法によりＮｉ−Ｂメッキ（ワールドメタル製、
商品名ニボロン、ＭＮＰ−Ｍ２）処理を約３０分間行な
うことにより、Ｎｉ−Ｂ合金により形成される。ここ
で、この導電性被覆層ｎの層厚は、高周波帯域における
使用を前提とするなら、0.04〜 1μｍ程度の範囲が、導
電損失が少なく、好ましい。ただし、この範囲に制限さ
れるものではない。また、この層厚は、無電解メッキ時
間の調整により、随意に設定され得る。
【００１９】この導電性被覆層ｎを構成するＮｉ−Ｂ合
金は、半田濡れ性が良い。このため、入出力部１１ａ，
１１ｂを、プリント基板上の所要電路に半田付けにより
接続する場合にあって、その半田付けを容易に施すこと
ができる。
【００２０】このほか、導電性被覆層ｎとしては、Ｎｉ
−Ｐ合金又はＮｉ−Ｂ−Ｐ合金で構成するようにしても
良い。これら、Ｎｉ−Ｂ合金，Ｎｉ−Ｐ合金，Ｎｉ−Ｂ
−Ｐ合金は、前処理法によって異なるものの、銅への密
着が良好であり、また、電気ニッケルメッキに比較し
て、ピンホールが少なく、耐食性も良好である。
【００２１】一方、この手段により形成された導電層ｘ
（試料Ａ）と、無電解銅メッキ層ｍのみを同様の形成方
法によって導電層ｘの無電解銅メッキ層ｍと同様の膜厚
となるようにして形成した比較品（試料Ｃ）とを対比す
るため、温度45°C で、相対湿度95％，Ｈ2 Ｓ含有濃度
50PPM の高温多湿雰囲気中に、100 時間放置した後、無
負荷Ｑを測定した。
【００２２】図７はその結果を示すものであって、本発
明の無電解銅メッキ層ｍ上に導電性被覆層ｎを形成した
導電層ｘは、無電解銅メッキ層ｍの単一層からなる導電
層よりも、高温多湿雰囲気中で無負荷Ｑが低下しないこ
とが解る。
【００２３】次に、本発明の第二手段について説明す
る。図５，６は、導電層ｙとして、誘電体ブロック基体
１の表面に、無電解銅メッキ層ｍを第一層として形成
し、さらに該無電解銅メッキ層ｍの表面に、塩化ビニル
からなる合成樹脂製保護被覆層ｐを被覆したものであ
る。この保護被覆層ｐは、半田熱により容易に消失する
合成樹脂材料であれば良い。
【００２４】この構成にあっては、上述したように無電
解銅メッキ層ｍを無電解メッキ方法によって形成した後
に、塩化ビニル等の合成樹脂材料を溶剤で希釈してなる
溶液中に、浸漬する。而して、無電解銅メッキ層ｍの表
面に保護被覆層ｐが形成される。
【００２５】かかる手段によってなる導電層ｙが形成さ
れた試料Ｂを上述と同様の方法により、高温多湿雰囲気
中における無負荷Ｑ値の変化を調べた結果を、同様に図
７で示している。これより、かかる手段にあっても、試
料Ａと同じく、試料Ｃよりも優れることが解る。すなわ
ち、無電解銅メッキ層ｍが、保護被覆層ｐにより保護さ
れ、このため、空気中の水分等による錆の発生が防止さ
れ、安定した無負荷Ｑ特性を備えることが理解される。
【００２６】ところで、前記保護被覆層ｐの形成により
無電解銅メッキ層ｍが絶縁されることとなる。従って、
入出力部１１ａ，１１ｂを、プリント基板上の所要導電
路と電気的に接続しようとすると、かかる保護被覆層ｐ
により接続不能となるかに思える。しかるに、図６で示
すように、端子部となる導電層ｙに半田付けを施すと、
その半田熱により、保護被覆層ｐが消失してしまい、半
田ロウ２５を介してプリント基板上の所要導電路との電
気的接続を容易に確保することができる。
【００２７】また一方、端子部以外では、導電層ｙを構
成する無電解銅メッキ層ｍが保護被覆層ｐにより絶縁的
に保護されることとなるから、プリント基板上で、内導
電層６ａ，６ｂ，６ｃ及び外導電層７が、他の電気機器
と機械的に接触しても、短絡することがない利点があ
る。
【００２８】図８は第三手段の導電層ｚを示す。すなわ
ち、この構成の誘電体フィルタ１は、前記無電解銅メッ
キ層ｍを表面に形成される第一層とし、該無電解銅メッ
キ層ｍの表面に、第二層として導電性が良く、かつ半田
濡れ性の良好な前記導電性被覆層ｎを形成し、さらにそ
の表面に、塩化ビニルからなる前記合成樹脂製保護被覆
層ｐを被覆した導電層ｚを、誘電体ブロック基体１また
は誘電体セラミック基体２１（後記）に形成するように
したものである。この導電層ｚの構成にあって、無電解
銅メッキ層ｍは、導電性被覆層ｎ及び保護被覆層ｐによ
り保護され、錆びや、硫化反応等を生じず、このため無
負荷Ｑの低下等の、特性の劣化がない。また保護被覆層
ｐにより、導電層表面が絶縁的に保護されて、無用な電
気的短絡を防止できる。さらにまた、誘電体セラミック
上の端子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱によ
り、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失し、その
表面に表われた導電性被覆層の半田濡れ性により、良好
な半田付接続が施され得る。すなわち、かかる構成は、
導電層ｘ，ｙの作用効果を合わせ持つこととなる。
【００２９】本発明は、図９で示すマイクロストリップ
ライン型フィルタ２０にも適用可能である。ここで、図
９−Ａで示すように、誘電体セラミック基体２１の表面
に、複数本平行に配列された帯状共振導電層２２からな
る平行結合型マイクロストリップラインフィルタ回路Ｆ
が形成されてなる。この各帯状共振導電層２２は、その
間隙を介して夫々電磁界結合する。また、該誘電体セラ
ミック基体２１の下面にはシールド導電層２３が形成さ
れる。この誘電体セラミック基体２１は、例えば、アル
ミナのほか、ＴｉＯ2 −ＢａＯ系材料が使用される。さ
らに複数の共振導電層のうち、両端部に位置する共振導
電層から基体２１の側面を経て裏面まで伸び（図９−Ｂ
参照）、周囲のシールド導電層２３より絶縁隔離された
導電層部分を形成し、これを表面実装化のため入出力部
２２ａとして利用するようにしている。
【００３０】前記共振導電層２２，２３等の導電パター
ン２４は、図４で示したように、無電解銅メッキ層ｍを
第一層としてなり、該無電解銅メッキ層ｍの表面に、第
二層として導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電
性被覆層ｎを形成して構成された導電層ｘからなる。
【００３１】かかる導電層ｘを用いて、誘電体セラミッ
ク基体２１上の所要の導電パターン２４を形成するに
は、図１０−Ａで示すように、誘電体セラミック基体２
１の表面に無電解銅メッキ層ｍ及び導電性被覆層ｎを形
成した後に、酸素雰囲気中で500 °C の温度で熱処理を
行ない、図１０−Ｂで示すように、その表面に感光性レ
ジストフィルム３０を全面貼付する。そして、該レジス
トフィルム３０上に、導電パターンが現像されたネガフ
イルム３１を被覆し、これを露光する。これにより、導
電パターンの非導電部のみが感光し、非感光部をエッチ
ングすると、図１０−Ｃのように、レジストフィルム３
０は、導電層ｘとなる部分のみを被覆することとなる。
次に、塩化銅等のエッチング溶液を用いて、不要部分の
無電解銅メッキ層ｍ及び導電性被覆層ｎを、エッチング
により除去して図１０−Ｄの形態とする。然る後に、水
酸化ナトリウムの希釈液で、エッチング後に残った導電
層ｘ上のレジストフィルムを除去する。而して、図９の
ように、誘電体セラミック基体２１上には、所要の無電
解銅メッキ層ｍ及び導電性被覆層ｎからなる導電層ｘに
よってなる導電パターン２４が形成されることとなる。
【００３２】
【発明の効果】本発明の第一手段は、上述のように、誘
電体材料からなる基体の表面に形成される導電層を、無
電解銅メッキ層を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の
表面に、導電性が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性
被覆層を形成して構成した。このため、無電解銅メッキ
層は、導電性被覆層により保護され、錆びや、硫化反応
等を生じず、このため無負荷Ｑの低下等の、特性の劣化
がない。また、誘電体フィルタの外表面に形成された端
子部と、プリント基板上の所要導電路とを半田付けによ
り接続する場合に、導電性被覆層の半田濡れ性により、
良好な接続が施され得る。さらにまたかかる導電性被覆
層は半田メッキのような、人体に有害な鉛Ｐｂを含有し
ない。
【００３３】第二手段は、誘電体材料からなる基体表面
に形成される導電層を、導電路となる無電解銅メッキ層
と共に、無電解銅メッキ層を半田熱で消失する合成樹脂
製保護被覆層で被覆した。このため、保護被覆層によ
り、無電解銅メッキ層が保護されて、錆びや、硫化反応
等を生じず、このため無負荷Ｑの低下等の、特性の劣化
がなく、しかも導電層表面が絶縁的に保護されて、無用
な電気的短絡を防止できる。また、誘電体セラミック上
の端子部に半田付けをすると、溶融した半田の熱によ
り、その最上層の合成樹脂製保護被覆層が消失するか
ら、プリント基板上の電路との電気的接続に支障もな
い。
【００３４】第三手段は、誘電体材料からなる基体の表
面に形成される導電層を、基体表面に無電解銅メッキ層
を形成し、さらに該無電解銅メッキ層の表面に、導電性
が良く、かつ半田濡れ性の良好な導電性被覆層を被覆
し、さらに導電性被覆層の表面に、半田熱で消失する合
成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したから、上述の第
一手段と第二手段の効果を合わせ持つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】三段型高周波用誘電体フィルタ１の斜視図であ
る。
【図２】高周波用誘電体フィルタ１の裏からみた斜視図
である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】第一手段における導電層ｘの構成を示す縦断側
面図である。
【図５】第二手段における導電層ｙの構成を示す縦断側
面図である。
【図６】導電層ｙに半田付を施した状態の縦断側面図で
ある。
【図７】各試料Ａ，Ｂ，Ｃの試験結果を示すグラフであ
る。
【図８】第三手段における導電層ｚの構成を示す縦断側
面図である。
【図９】マイクロストリップライン型フィルタの斜視図
であり、Ａは表面側を、Ｂは一部裏面側を示す。
【図１０】導電層ｘを用いた導電パターン２４の形成手
段を示す説明図である。
【符号の説明】 １ 高周波用誘電体フィルタ ２ａ〜２ｃ 誘電体同軸共振器 ３ 誘電体ブロック基体 ４ａ〜４ｃ 貫通孔 ６ａ〜６ｃ 内導電層 ７ 外導電層 ２０ マイクロストリップライン型フィルタ ２１ 誘電体基板 ２２ 共振導電層 ２３ シールド導電層 ２４ 導電パターン ｘ，ｙ，ｚ 導電層 ｍ 無電解銅メッキ層 ｎ 導電性被覆層 ｐ 保護被覆層
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図９】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１０】

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】誘電体材料からなる基体の表面に形成され
    る導電層を、基体表面に無電解銅メッキ層を形成し、さ
    らに該無電解銅メッキ層の表面に、導電性が良く、かつ
    半田濡れ性の良好な導電性被覆層を被覆して構成したこ
    とを特徴とするプリント基板等に実装される誘電体フィ
    ルタ。
  2. 【請求項２】誘電体材料からなる基体の表面に形成され
    る導電層を、基体表面に無電解銅メッキ層を形成し、さ
    らに該無電解銅メッキ層の表面に、半田熱で消失する合
    成樹脂製保護被覆層で被覆して構成したことを特徴とす
    るプリント基板等に実装される誘電体フィルタ。
  3. 【請求項３】誘電体材料からなる基体の表面に形成され
    る導電層を、基体表面に無電解銅メッキ層を形成し、さ
    らに該無電解銅メッキ層の表面に、導電性が良く、かつ
    半田濡れ性の良好な導電性被覆層を被覆し、さらに導電
    性被覆層の表面に、半田熱で消失する合成樹脂製保護被
    覆層で被覆して構成したことを特徴とするプリント基板
    等に実装される誘電体フィルタ。
  4. 【請求項４】前記導電性被覆層が、Ｎｉ−Ｂ合金，Ｎｉ
    −Ｐ合金又はＮｉ−Ｂ−Ｐ合金からなることを特徴とす
    る請求項１又は請求項３記載の誘電体フィルタ。
  5. 【請求項５】合成樹脂製保護被覆層が塩化ビニルからな
    ることを特徴とする請求項２又は請求項３記載の誘電体
    フィルタ。
JP8091945A 1996-03-19 1996-03-19 誘電体フィルタ Pending JPH09260903A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8091945A JPH09260903A (ja) 1996-03-19 1996-03-19 誘電体フィルタ
EP97301813A EP0797266B1 (en) 1996-03-19 1997-03-18 Dielectric filter and method of making same
EP02022883A EP1280223A1 (en) 1996-03-19 1997-03-18 Dielectric filter and method of making same
DE69721879T DE69721879T2 (de) 1996-03-19 1997-03-18 Dielektrisches Filter und Verfahren zu dessen Herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8091945A JPH09260903A (ja) 1996-03-19 1996-03-19 誘電体フィルタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09260903A true JPH09260903A (ja) 1997-10-03

Family

ID=14040734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8091945A Pending JPH09260903A (ja) 1996-03-19 1996-03-19 誘電体フィルタ

Country Status (3)

Country Link
EP (2) EP1280223A1 (ja)
JP (1) JPH09260903A (ja)
DE (1) DE69721879T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6549101B2 (en) 1999-09-17 2003-04-15 Tdk Corporation Dielectric filter, and method of manufacturing the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1241729A1 (en) * 2001-03-16 2002-09-18 TDK Corporation Dielectric filter and method of manufacturing the same
US6809612B2 (en) * 2002-04-30 2004-10-26 Cts Corporation Dielectric block signal filters with cost-effective conductive coatings
US10312563B2 (en) 2016-11-08 2019-06-04 LGS Innovations LLC Ceramic filter with differential conductivity

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5235139A (en) * 1990-09-12 1993-08-10 Macdermid, Incorprated Method for fabricating printed circuits
JPH06196901A (ja) * 1992-12-25 1994-07-15 Kyocera Corp 誘電体共振器
US5499004A (en) * 1993-03-12 1996-03-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric filter having interstage coupling using adjacent electrodes
JPH07193403A (ja) * 1993-12-24 1995-07-28 Murata Mfg Co Ltd 共振器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6549101B2 (en) 1999-09-17 2003-04-15 Tdk Corporation Dielectric filter, and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0797266B1 (en) 2003-05-14
DE69721879D1 (de) 2003-06-18
EP0797266A2 (en) 1997-09-24
EP0797266A3 (en) 1998-07-22
DE69721879T2 (de) 2004-05-19
EP1280223A1 (en) 2003-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102342187B (zh) 覆盖膜及其制造方法以及柔性印刷布线板
JPH09260903A (ja) 誘電体フィルタ
JPS61244057A (ja) 端子接続構造およびその接続方法
SE519461C2 (sv) Elektronisk komponent och radioterminal utnyttjande denna
EP1289352A2 (en) High-frequency circuit device and method for manufacturing the same
JPS5846161B2 (ja) 耐熱性絶縁体基板の導電端子
JP3740374B2 (ja) 多数個取り配線基板
JP2006137184A (ja) 電気電子部品用金属材料及びその製造方法
JPH09270330A (ja) 電子部品
JPS62198191A (ja) マイクロ波用集積回路基板の製法
JP2641010B2 (ja) チップ状電子部品
JP3959070B2 (ja) 電子部品のめっき方法及びそれに用いるマスク用部材
JP4051783B2 (ja) ジャンパー抵抗器
JPH07297513A (ja) 抵抗体付きセラミックプリント配線板及びその製造方法
CA2162941A1 (en) Method and apparatus to contact plating bar without exposing contact copper or rework of the contact pad plating
JPH11126797A (ja) 配線基板の接続構造
JPH06224340A (ja) チップ型電子部品
JPH0521935A (ja) 回路基板
JP2002314309A (ja) 高周波用電子部品の製造方法
JP2018037447A (ja) セラミックス配線基板の製造方法
JPH11283863A (ja) 電子部品及びその製造方法
JPH0737743A (ja) チップ型コイルの製造方法
JPH05327154A (ja) 配線基板
JP2003168909A (ja) チップアンテナ
JP2003198229A (ja) チップアンテナの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040120