JPH09260825A - 半田供給装置 - Google Patents

半田供給装置

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JPH09260825A
JPH09260825A JP9053496A JP9053496A JPH09260825A JP H09260825 A JPH09260825 A JP H09260825A JP 9053496 A JP9053496 A JP 9053496A JP 9053496 A JP9053496 A JP 9053496A JP H09260825 A JPH09260825 A JP H09260825A
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JP
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solder
film
solder supply
supply film
substrate
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JP9053496A
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English (en)
Inventor
Kazuhito Yamada
和仁 山田
Yoshinori Wakihara
義範 脇原
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH09260825A publication Critical patent/JPH09260825A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 半田供給フィルムからパッドへの半田転写率
を向上して不良の発生を格段に低減することができると
ともに、連続自動的に各パッドに対して半田を供給す
る。 【解決手段】 多面取り基板18に形成された各パッケ
ージ基板領域20おける各フリップチップ実装用パッド
21に対して半田を供給するに際して、各パッケージ基
板領域20のそれぞれについて各パッド21と半田層1
1Aとが対応するように個片状の半田供給フィルム11
を配置するとともに、半田供給フィルム11として複数
個の各半田層11Aの内最も外側に存在する半田層と半
田供給用フィルム11の外縁との間隔が3.0mm以内
に形成されたフィルムを使用するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田層を有する半
田供給フィルムを使用して基板に形成されたパッドに対
して半田を供給する半田供給装置に関し、特に、基板に
おける複数の各領域に半田フラックスを塗布した後、そ
れぞれのパッケージ基板領域に対応して個片状の半田供
給フィルムを重ねた状態でリフロー処理を行うことによ
り、リフロー処理時に半田フラックスから発生するガス
を効率的に半田供給フィルムの外方に逃がし、半田供給
フィルムからパッドへの半田転写率を向上して不良の発
生を格段に低減しつつ、連続的に且つ自動的に各パッド
に対して半田を供給することが可能な半田供給装置に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体チップが搭載される半
導体パッケージ用基板、COB基板等における接続パッ
ド等に半田を供給する方法として、半導体パッケージ用
基板等に形成される複数の各接続パッドの配置パターン
に対応して必要な半田層を予めキャリアフィルム等の支
持体上に形成しておき、支持体の各半田層と半導体パッ
ケージ用基板の各接続パッド(半田フラックスが塗布さ
れている)とを相互に重ね合わせた状態で、加熱治具を
介して加熱処理を行ったり、また、加熱リフロー処理を
行うことにより、各半田層を各接続パッドに供給する方
法が提案されている。
【0003】例えば、特開昭63−45891号公報に
は、耐熱性の支持体フィルムの表面における所定箇所に
て電解メッキ法により選択的に付着させた複数の半田層
を有し、加熱により半田層が電子回路素子等の被転写体
の所定箇所に転写される半田転写キャリアフィルム及び
その半田転写キャリアフィルムを使用した半田転写方法
が記載されている。かかる半田転写キャリアフィルムを
使用して半田層を被転写体(プリント回路基板等)の所
定箇所に形成されたランド、リード等に転写するには、
半田転写キャリアフィルムの各半田層と被転写体の各ラ
ンド(半田フラックスが塗布されている)等とが相互に
対向するように重ねて配置するとともに、半田層が形成
されていない半田転写キャリアフィルムの面側から加熱
治具を介して加圧し、各半田層を溶融させることにより
各半田層を被転写体の各ランド等上に転写するものであ
る。
【0004】また、特開平3−106590号公報に
は、樹脂フィルム上に被予備半田対象物(基板)におけ
る被予備半田パターン(導体回路)に対応してパターン
化しつつエッチング法や半田メッキ法により付着させら
れた半田を有する半田供給用フィルム及びその半田供給
用フィルムを使用した予備半田付け方法が記載されてい
る。かかる半田供給用フィルムを使用して半田を基板の
導体回路に供給するには、半田供給用フィルムの半田と
基板の導体回路(半田フラックスが塗布されている)と
が相互に対向するように重ねて配置した状態で加熱リフ
ロー処理を行った後、樹脂フィルムを基板から剥すこと
により、導体回路上に半田を供給するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記各
特開昭63−45891号公報、特開平3−10659
0号公報に記載された半田供給方法では、通常、半田供
給用キャリアフィルムの半田層を加熱溶融させたり、
又、半田供給用フィルムのリフロー処理前に、半田が供
給されるべきランドや導体回路には半田フラックスを塗
布しておく必要があり、かかる半田フラックスには、一
般に、イソプロピルアルコール等の溶媒を含有してい
る。これより、半田供給用キャリアフィルムの半田層を
加熱溶融させたり又半田供給用フィルムのリフロー処理
時に、半田フラックスから溶媒が蒸発してガスが発生す
ることに起因して、半田供給用キャリアフィルム、半田
供給用フィルムが被転写体におけるパッド等の導体、基
板の導体回路から浮き上がってしまう虞が多分に存す
る。このように、半田供給用キャリアフィルム、半田供
給用フィルムが浮き上がると、パッド等に対して適正に
半田が供給されなくなってしまい、この結果、半田転写
率が極端に低下して不良の発生率が上昇してしまう問題
がある。
【0006】特に、パッド等を有する基板が、複数個の
基板領域(例えば、各基板領域には半導体素子が実装さ
れる)を一体に形成してなる基板である場合には、半田
供給用キャリアや半田供給フィルムも基板の大きさに合
わせてサイズの大きなフィルムを使用する必要がある。
このように大きな半田供給用キャリア、半田供給用フィ
ルムを使用すると、前記したように、リフロー処理時に
パッド等の上に塗布されている半田フラックスに含有さ
れた溶媒の蒸発によって発生するガスは、益々半田供給
用キャリア、半田供給フィルムの外方に逃げ難くなる。
従って、このような基板の場合には、リフロー処理時に
半田供給用キャリア、半田供給フィルムが前記の場合以
上に基板から浮き上がってしまうこととなり、これによ
りパッド等に対して適正に半田が供給されなくなって半
田転写率が極端に低下して不良の発生率が更に上昇して
しまう。
【0007】このような半田供給用キャリアフィルム、
半田供給用フィルムの浮き上がりを防止するには、これ
らの各フィルムの上面に重しを載置することが考えられ
るが、重しが軽すぎる場合には前記の問題は解消され
ず、一方、重しが重すぎる場合にはパッド等の上に供給
される半田が重しの重量によって潰れすぎてしまい、こ
れよりパッド間でブリッジ(ショート)が発生して不良
となってしまう。このように、重しの重量を選択するこ
とにより半田供給用キャリアフィルムや半田供給用フィ
ルムの浮き上がりを防止することは困難なものである。
【0008】特に、前記した半田供給用キャリアや半田
供給用フィルムを使用する従来の半田供給装置では、連
続的且つ自動的に重しを各フィルムの上面に載置してい
く機構は採用されておらず、また、多面取り基板の場合
には各フィルムの上面に載置すべき重し自体の重量が大
きくなることから、重し載置機構も大型化してコスト上
からも採用し難いものである。
【0009】本発明は前記従来の問題点を解消するため
になされたものであり、半田供給フィルムに形成された
半田層と半田フラックスが塗布された基板のパッドとを
重ねた状態でリフロー処理を行うに際して、半田フラッ
クスに含有される溶媒が蒸発した場合においても、溶媒
の蒸発に伴って発生するガスを効率的且つ確実に半田供
給フィルムの外方へ逃がすことにより、半田供給フィル
ムからパッドへの半田転写率を向上して不良の発生を格
段に低減することができるとともに、連続的に且つ自動
的に各パッドに対して半田を供給することができる半田
供給装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
請求項1に係る半田供給装置は、複数のパッドが形成さ
れた領域の複数個が一体に設けられた基板を保持する基
板保持手段と、前記領域のそれぞれについて、各パッド
に半田を供給する半田層が形成された半田供給フィルム
をその半田層とパッドとがそれそれ対応するように配置
させる半田供給フィルム配置手段と、前記領域のそれぞ
れについて、前記半田供給フィルム上に重しを載置する
重し載置手段とを備えた構成とされる。
【0011】前記構成を有する請求項1の半田供給装置
では、基板保持手段を介して保持された基板に形成され
た各領域のそれぞれについて、半田供給フィルム配置手
段により半田供給フィルムが配置される。このとき、半
田供給フィルムは、領域内の各パッドと半田供給フィル
ムの各半田層とがそれぞれ対応するように各領域上に配
置されている。この後、重し載置手段により、領域内の
それぞれにおける半田供給フィルム上に重しが載置され
る。このように、各領域上に半田供給フィルム及び重し
を重ねた状態で本願の半田供給装置あるいは別途装置を
設けリフロー手段による加熱リフロー処理が行われれ
ば、これにより半田供給フィルムの半田層が加熱溶融さ
れて領域における各パッドに対して半田が供給される。
【0012】前記請求項1の半田供給装置では、半田供
給フィルムに形成された半田層と半田フラックスが塗布
された基板における領域内のパッドとを重ねた状態でリ
フロー処理を行うに際して、半田フラックスに含有され
る溶媒が蒸発した場合においても、各領域毎に個片状の
半田供給フィルムを対応させているので、溶媒の蒸発に
伴って発生するガスを効率的且つ確実に半田供給フィル
ムの外方へ逃がすことが可能となり、従って、半田供給
フィルムからパッドへの半田転写率を向上して不良の発
生を格段に低減することが可能となるとともに、連続的
に且つ自動的に各パッドに対して半田を供給することが
可能となる。
【0013】また、請求項2に係る半田供給装置は、請
求項1の半田供給装置において、前記半田供給フィルム
は、半田層がパッドの整列状態に対応して形成されてお
り、半田層の内最も外側に存在する半田層と半田供給フ
ィルムの外縁との間隔が3.0mm以内に形成された構
成を有する。かかる請求項2の半田供給装置では、半田
供給フィルムの半田層の内最も外側に存在する半田層と
半田供給フィルムの外縁との間隔が3.0mm以内に形
成されているので、パッドに塗布された半田フラックス
に含有されている溶媒が蒸発した場合でも、溶媒の蒸発
に伴って発生するガスを更に効率的且つ確実に半田供給
フィルムの外方へ逃がすことが可能となり、従って、半
田供給フィルムからパッドへの半田転写率を更に向上し
て不良の発生を格段に低減することが可能となるもので
ある。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半田供給装置
について、本発明を具体化した実施形態に基づき図面を
参照しつつ詳細に説明する。先ず、本実施形態に係る半
田供給装置について図1に基づき説明する。図1は半田
供給装置を模式的に示す平面図である。図1において、
半田供給装置1は操作ステージ2を有し、かかる操作ス
テージ2上には、半田供給フィルムステージ3、半田供
給フィルムステージ3と平行に配置された重しステージ
4、半田供給フィルムステージ3と重しステージ4との
略中間位置に配置されたセンタリングステージ5、及
び、センタリングステージ5に並設された認識ステージ
6がそれぞれ設けられている。また、操作ステージ2に
おいて、センタリングステージ5及び認識ステージ6に
隣接してコンベア7が配設されており、更に、コンベア
7の上流側(図1中、左側)には半田フラックス塗布装
置8が配置されるとともに、コンベア7の下流側(図1
中、右側)にはリフロー炉9が配置されている。
【0015】ここに、半田供給フィルムステージ3に
は、格子状に区画されて複数個の収納部(図1において
は、便宜上9個の収納部が設けられている)を有するフ
ィルムトレイ10が着脱可能に配設されており、各収納
部には半田供給フィルム11が収納されている。各半田
供給フィルム11には、複数個の半田層11Aが所定の
正方形状のパターンに従って整列状態で形成されてお
り、かかる半田供給フィルム11を介して、後述する多
面取り基板18の各パッケージ基板領域20に形成され
た各フリップチップ実装用パッド21のそれぞれに対し
て半田が供給される。また、半田供給フィルム11は、
後述するように、吸着ノズル12により収納部からピッ
クアップされてセンタリングステージ5まで移送され
る。
【0016】ここで、半田供給フィルム11の詳細な構
成について図2に基づき説明する。図2は半田供給フィ
ルム11の平面図であり、半田供給フィルム11は、パ
ッケージ基板領域20に対応するサイズに形成されてお
り、例えば、20mm×20mmの大きさを有する。か
かる半田供給フィルム11は、ガラスエポキシ樹脂製の
プリプレグ上に、Sn63・Pb37の組成を有する半
田合金からなる半田箔を積層し、更に真空熱圧着処理を
介してプリプレグと半田箔とを積層一体化した後、エッ
チング処理を介して所定パターンに従って整列状態で複
数個の半田層11Aを形成することにより得られる。
尚、図2に示す半田供給フィルム11は、その複数個を
同時に生成すべく一枚のシート(多面取りシート)の状
態で前記のように作成した後、パッケージ基板領域20
のサイズに合わせて切断することにより個片状に形成し
たものである。
【0017】ここに、半田供給フィルム11において、
半田層11Aは、その径150μmであり0.25mm
ピッチにて1000個形成されている。また、半田層1
1Aの厚さは50μmである。また、前記のように形成
された半田層11Aの内、最も外側に存在する半田層1
1B(正方形状に整列状態で形成され半田層11Aの内
その外周に存在する半田層11B)と半田供給フィルム
11の外縁11Cとの間隔Lは、3.0mm以内に形成
されており、望ましくは2.0mm以内、例えば1.0
mm程度が好ましい。このように間隔Lを3.0mm以
内に形成することにより、パッケージ基板領域20の各
パッド21上に半田を供給するに際して、半田供給フィ
ルム11の各半田層11Aからパッド21への半田転写
率を向上することができる。この点については後述す
る。
【0018】重しステージ4には、前記フィルムトレイ
10と同様、格子状に区画されて複数個の収納部(図1
においては、前記半田供給フィルム11の個数に合わせ
て9個の収納部が設けられている)を有する重しトレイ
13が配設されており、各収納部にはガラス製又はセラ
ミック、金属等の重し14が収納されている。各重し1
4は、後述するように、前記吸着ノズル12により収納
部からピックアップされてセンタリングステージ5まで
移送される。
【0019】センタリングステージ5は、吸着ノズル1
2を介して移送された半田供給フィルム11や重し吸着
ノズル15を介して移送された重し14を所定位置に位
置決めするためのステージである。かかるセンタリング
ステージ5には、センタリングステージ5上で可動に配
置された位置決め枠16が付設されており、この位置決
め枠16により前記のように吸着ノズル12を介して移
送された半田供給フィルム11、重し14がセンタリン
グステージ5上で所定位置に位置決めされる。尚、セン
タリングステージ5には多数の吸引孔(図示せず)が形
成されており、位置決め枠16により位置決めされた半
田供給フィルム11や重し14は、センタリングステー
ジ5に付設された吸引装置(図示せず)により吸引孔を
介して位置決め固定される。
【0020】認識ステージ6は、前記のようにセンタリ
ングステージ5にて位置決めされた半田供給フィルム1
1を吸引ノズル17を介して移送する際に通過されて、
かかる通過中に撮像カメラ(図示せず)により撮影され
て得られた画像データについて所定の画像処理を行うこ
とにより半田供給フィルム11の位置補正を行うための
ステージである。
【0021】コンベア7は、半田フラックス塗布装置8
を介して半田フラックスが塗布された多面取り基板18
を両側のベルト7Aにより連続的に搬送する作用を行
い、その搬送された多面取り基板18は、予め所定位置
にセットされている治具ブロック19上で停止された
後、治具ブロック19が上昇されてクランプで固定され
る。このようにクランプされた状態で、多面取り基板1
8上には後述するように半田供給フィルム11、重し1
4が載置され、この後、コンベア7を介してリフロー炉
9に搬送される。尚、治具ブロック19上における多面
取り基板18のクランプは、治具ブロック19に形成さ
れた吸引孔19Aを介して吸引装置(図示せず)にて吸
引することにより行われる。
【0022】ここで、多面取り基板18について図3に
基づき説明する。図3は半田フラックス塗布装置8を介
して半田フラックスが塗布された後の多面取り基板18
を模式的に示し、図3(A)は多面取り基板18の平面
図、図3(B)は多面取り基板18中におけるパッケー
ジ基板領域の断面図である。図3において、多面取り基
板18は複数個のパッケージ基板領域20が一体に設け
られており(図3(A)中では、前記半田供給フィルム
11、重し14の個数に合わせて9個のパッケージ基板
領域20が設けられている)、各パッケージ基板領域2
0には、各種の半導体素子、例えば、フリップチップ
(FC)を実装するため複数個のフリップチップ実装用
パッド21が、前記半田供給フィルム11における各半
田層11Aのパターンに合致する正方形状のパターンに
従って整列状態で形成されている。また、各パッケージ
基板領域20において、その対角位置には2つの認識マ
ーク22が形成されている。認識マーク22は、コンベ
ア7の上方に配設された撮像カメラ(図示せず)を介し
て、各フリップチップ実装用パッド21と共に撮影さ
れ、その得られた画像データに所定の画像処理を施すこ
とにより各パッド21の画像データの位置補正を行う際
の基準として使用されるマークである。更に、半田フラ
ックス塗布装置8を通過した後の多面取り基板18にお
いて、その各パッケージ基板領域20における各フリッ
プチップ実装用パッド21上には半田フラックス23が
塗布されている。尚、半田フラックス23は、半田供給
フィルム11の各半田層11Aから各パッケージ基板領
域20のフリップチップ実装用パッド21に半田を供給
する際に必要となるものである。
【0023】次に、前記のように構成された半田供給装
置1により、半田供給フィルム11を使用して多面取り
基板18の各パッケージ基板領域20におけるフリップ
チップ実装用パッド21に半田を供給する手順について
図1乃至図5を参照して説明する。ここに、図4は半田
フラックス21を塗布した後の多面取り基板18の各パ
ッケージ基板領域20のそれぞれに半田供給フィルム1
1を配置した状態を模式的に示し、図4(A)は多面取
り基板18の平面図、図4(B)は多面取り基板18に
おけるパッケージ基板領域20の断面図、図5は半田供
給フィルム11を配置した後の多面取り基板18の各パ
ッケージ基板領域20のそれぞれに重し14を載置した
状態を模式的に示し、図5(A)は多面取り基板18の
平面図、図5(B)は多面取り基板18におけるパッケ
ージ基板領域20の断面図である。
【0024】先ず、半田供給フィルム11をフィルムト
レイ10の各収納部に収納した後そのフィルムトレイ1
0を半田供給フィルムステージ3に対してセットし、ま
た、重し14を重しトレイ13の各収納部に収納した後
その重しトレイ13を重しステージ4にセットする。こ
のように各フィルムトレイ10、重しトレイ13をセッ
トした後半田供給装置1の電源をオンするとコンベア7
が駆動され、これによ半田フラックス塗布装置8を介し
て各パッケージ基板領域20におけるフリップチップ実
装用パッド21上に半田フラックス23が塗布された多
面取り基板18(図3参照)がコンベア7上を右方向に
移送されていく。そして、コンベア7は、多面取り基板
18が治具ブロック19に対応する所定位置に到達した
時点で停止され、この後、吸引装置、吸引孔19Aによ
り多面取り基板18を吸引固定した状態で、治具ブロッ
ク19が所定位置まで上昇される。これにより、多面取
り基板18は治具ブロック19を介してクランプされ
る。この状態が図1に示されている。
【0025】前記のように多面取り基板18がクランプ
された後吸着ノズル12が半田供給フィルムステージ3
方向に駆動され、かかる吸着ノズル12を介して半田供
給フィルム11がフィルムトレイ10の収納部からピッ
クアップされるとともに、センタリングステージ5まで
移送される。センタリングステージ5では、半田供給フ
ィルム11が位置決め枠16により所定位置に位置決め
される。このとき、コンベア7上では治具ブロック19
によりクランプされた多面取り基板18の各パッケージ
基板領域20に形成されたパッド21及び認識マーク2
2が撮像カメラにより撮影されるとともに、その得られ
た画像データに所定の画像処理を施して各パッド21の
画像データの位置補正を行う。
【0026】これに続いて、吸着ノズル17がセンタリ
ングステージ5方向に駆動され、位置決め枠16により
位置決めれている半田供給フィルム11をピックアップ
するとともに、認識ステージ6まで移送する。認識ステ
ージ6においては、撮像カメラを介して半田供給フィル
ム11に形成されている半田層11Aの内四隅位置に存
在する4つの半田層11B(最も外側に存在する半田層
11の内四隅位置にある半田層11B)に基づいて、半
田供給フィルム11の中心角度、吸着位置を補正して位
置補正を行う(X、Y、θを補正して基板上のパッド位
置とフィルム上の半田層の位置を合わせてキャリアを載
せる)。尚、この時に、半田供給フィルム11の全ての
半田層11Aを撮影し、その画像データから半田層11
Aの有無を検査してもよい。前記のように位置補正を行
った後、半田供給フィルム11は吸着ノズル17により
治具ブロック19上にクランプされた多面取り基板18
のパッケージ基板領域20上に配置される。このとき、
半田供給フィルム11の各半田層11Aとパッケージ基
板領域20の各フリップチップ実装用パッド21との位
置精度は、±10μm程度の範囲にある。この状態が図
4に示されている。
【0027】この後、吸着ノズル12が重しステージ4
方向に駆動され、かかる吸着ノズル12を介して重し1
4が重しトレイ13の収納部からピックアップされると
ともに、センタリングステージ5まで移送される。セン
タリングステージ5では、重し14が位置決め枠16に
より所定位置に位置決めされる。これに続いて、吸着ノ
ズル17がセンタリングステージ5方向に駆動され、位
置決め枠16により位置決めされている重し14をピッ
クアップするとともに、治具ブロック19上にクランプ
された多面取り基板18のパッケージ基板領域20上に
配置された半田供給フィルム11上に載置される。この
ように、重し14が半田供給フィルム11上に載置され
ると、重し14により半田供給フィルム11の下方に存
在する半田フラックス23に荷重がかけられ、これによ
り余分の半田フラックス23が半田供給フィルム11の
外方へ流れる。この状態が図5に示されている。そし
て、前記した一連の動作が、多面取り基板18の各パッ
ケージ基板領域20のそれぞれについて行われる。これ
により、各パッケージ基板領域20には、それぞれ半田
供給フィルム11及び重し14がセットされる。
【0028】前記のように半田供給フィルム11及び重
し14を各パッケージ基板領域20に対してセットした
後、治具ブロック19を下降して多面取り基板18をベ
ルト7Aに載置し、コンベア7を駆動して多面取り基板
18をリフロー炉9に搬送する。そして、リフロー炉9
を介してリフロー処理を行う。かかるリフロー処理を行
った後多面取り基板18から重し14、半田供給フィル
ム11を取り除くことにより、半田供給フィルム11の
各半田層11Aから各パッケージ基板領域20の各フリ
ップチップ実装用パッド21に半田が供給されて半田バ
ンプが形成される。このとき、半田バンプの上端面は、
重し14の重量により平坦面に形成されている。そし
て、更に必要であれば、前記と同様にして、再度半田フ
ラックス塗布、再リフロー(再溶融)処理してから半田
バンプの平坦化を行い形状を整えても良い。
【0029】ここで、半田供給フィルム11において、
各半田層11Aの内最も外側に存在する半田層11Bと
半田供給フィルム11の外縁11Cとの間隔Lを種々変
更しながら、前記した各処理を介して各半田層11Aか
ら各フリップチップ実装用パッド21へ半田を供給する
について、間隔Lと良品の収率との関係を調べた。かか
る関係について図6に基づき説明する。図6は間隔Lと
良品の収率との関係を示すグラフであり、縦軸は収率、
横軸は間隔Lを示す。尚、このグラフは、フリップチッ
プ実装用パッド21が1000個形成されたパッケージ
基板領域20に対して、半田層11Aが1000個形成
された半田供給フィルム11を使用し、100枚の半田
供給フィルム11をランダムに抽出して半田供給を行っ
た結果を示す。また、1000個のフリップチップ実装
パッド21に対して、1個でも半田供給不良が発見され
た場合には、不良品としてカウントした。
【0030】図6において、間隔Lが1mmで98%、
2mmである場合には95%の収率が得られ、間隔Lが
3mmでは80%の収率が得られている。この程度の収
率が得られれば、特に問題はない。しかし、間隔Lが3
mm以上の場合、例えば、間隔Lが4mmでは収率は6
0%となり、更に、間隔Lが大きくなるに従って収率は
低下していくことが分かる(間隔Lが5mmでは収率5
0%、間隔Lが6mmでは収率25%である)。
【0031】これは、前記リフロー処理中に、半田フラ
ックス23に含有されるイソプロピルアルコール等の溶
媒が蒸発することに起因して発生したガスによる影響に
基くものと考えられる。即ち、間隔Lが3mm以内の場
合には、半田フラックス23中の溶媒が蒸発してガスが
発生しても、間隔Lが小さいことに基づきそのガスは半
田供給フィルム11の外縁11Cから外方に容易に逃げ
ることができることから、半田供給フィルム11がパッ
ケージ基板領域20から浮き上がることはなく、これよ
り各半田層11Aからパッド21に対して適正に半田が
供給されたものと解される。これに対して、間隔Lが3
mmを超えた場合には、その間隔Lが大きいことに起因
して、半田フラックス23中の溶媒が蒸発して発生した
ガスは、半田供給フィルム11の外縁11Cから外方へ
容易に逃げることができず、この結果、半田供給時に半
田供給フィルム11がパッケージ基板領域20から浮き
上がってしまい、各半田層11Aからパッド21に対し
て適正に半田が供給されなくなるものと解される。
【0032】以上詳細に説明した通り本実施形態に係る
半田供給装置1では、多面取り基板18に形成された各
パッケージ基板領域20おける各フリップチップ実装用
パッド21に対して半田を供給するに際して、各パッケ
ージ基板領域20のそれぞれについて各パッド21と半
田層11Aとが対応するように個片状の半田供給フィル
ム11を配置するとともに、半田供給フィルム11とし
て複数個の各半田層11Aの内最も外側に存在する半田
層11Bと半田供給用フィルム11の外縁11Cとの間
隔が3.0mm以内に形成されたフィルムを使用するよ
うに構成したので、パッド21に塗布された半田フラッ
クス23に含有されている溶媒が蒸発した場合でも、溶
媒の蒸発に伴って発生するガスを効率的且つ確実に半田
供給用フィルム11の外方へ逃がすことができる。従っ
て、半田供給フィルム11からパッド21への半田転写
率を向上して不良の発生を格段に低減することができる
ものである。
【0033】尚、本発明は前記実施形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の
改良、変形が可能であることは勿論である。例えば、前
記実施形態では、半田フィルム供給ステージ3とセンタ
リングステージ5との間、及び、重しステージ4とセン
タリングステージ5との間で移動可能な吸着ノズル1
2、及び、センタリングステージ5と認識ステージ6と
の間で移動可能な吸着ノズル17を設ける構成とした
が、2つの吸着ノズルにより半田供給フィルム11、重
し14の移送動作を独立して行ってもよいし、又、吸着
ノズルを増加してもよい。
【0034】また、前記実施形態ではフィルムトレイ1
0、重しトレイ13は、それぞれ各半田供給フィルムス
テージ3、重しステージ4に対して着脱可能であるが、
フィルムトレイ10、重しトレイ13の数を増加した
り、又、自動的にトレイ交換が可能な段積み方式にして
もよい。更に、前記実施形態では、多面取り基板18の
各フリップチップ実装用パッド21を撮影する撮像カメ
ラはコンベア7の上方に付設されているが、吸着ヘッド
17に付設する構成としてもよい。また、多面取り基板
18は1つの治具ブロック19にクランプされている
が、例えば、2つのステージを設け、それぞれに多面取
り基板18をクランプしてタクトアップさせる構成にし
てもよい。
【0035】また、前記実施形態では、半田フラックス
塗布装置8を別に設ける構成としたが、半田供給装置1
内にディスペンサ方式、スタンプ方式等のフラックス塗
布ノズルを配設する構成にしてもよい。更に、前記実施
形態では、複数個のパッケージ基板領域20が形成され
た多面取り基板18を例にとって説明したが、パッケー
ジ基板領域20が相互に別個独立した個片基板について
も適用することができる。この場合、各個片基板を搬送
治具板に載置してコンベア7上を搬送し、治具ブロック
19にて搬送治具板を吸引固定するように構成すればよ
い。又、搬送治具上に基板を並べた状態にしても良い。
【0036】また、前記実施形態では、コンベア7を介
して多面取り基板18を搬送するようにしたが、半田供
給ステージ3等と同様の基板ステージを設けるととも
に、その基板ステージに多面取り基板18を収納した基
板トレイを配設し、吸着ノズルを介して多面取り基板1
8を治具ブロック19上にクランプするように構成して
もよい。更に、フラックス塗布装置を半田供給装置内に
配設しても良い。半田供給フィルムと基板との位置合わ
せを行う方法としては、吸引ヘッドを基板上に移動し、
カメラを間に挿入して半田層と基板パッドをカメラに移
して両方の画像の位置を合わせるように、ヘッドを移動
させ位置決めを行う方法が良い。また、半田供給装置は
半田バンプ以外にTAB、TCP、QFP等の半田プリ
コートにも適用できる。
【0037】
【発明の効果】以上説明した通り本発明は、半田供給フ
ィルムに形成された半田層と半田フラックスが塗布され
た多面取り基板におけるパッケージ基板領域のパッドと
を重ねた状態でリフロー処理を行うに際して、半田フラ
ックスに含有される溶媒が蒸発した場合においても、溶
媒の蒸発に伴って発生するガスを効率的且つ確実に半田
供給フィルムの外方へ逃がすことにより、半田供給フィ
ルムからパッドへの半田転写率を向上して不良の発生を
格段に低減することができるとともに、連続的に且つ自
動的に各パッドに対して半田を供給することができる半
田供給装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半田供給装置を模式的に示す平面図である。
【図2】半田供給フィルムの平面図である。
【図3】半田フラックス塗布装置を介して半田フラック
スが塗布された後の多面取り基板を模式的に示し、図3
(A)は多面取り基板の平面図、図3(B)は多面取り
基板中におけるパッケージ基板領域の断面図である。
【図4】半田フラックスを塗布した後の多面取り基板の
各パッケージ基板領域のそれぞれに半田供給フィルムを
配置した状態を模式的に示し、図4(A)は多面取り基
板の平面図、図4(B)は多面取り基板におけるパッケ
ージ基板領域の断面図である。
【図5】半田供給フィルムを配置した後の多面取り基板
の各パッケージ基板領域のそれぞれに重しを載置した状
態を模式的に示し、図5(A)は多面取り基板の平面
図、図5(B)は多面取り基板におけるパッケージ基板
領域の断面図である。
【図6】間隔Lと良品の収率との関係を示すグラフであ
【符号の説明】
1 半田供給装置 3 半田供給フィルムステージ 4 重しステージ 5 センタリングステージ 6 認識ステージ 7 コンベア 8 半田フラックス塗布装置 9 リフロー炉 10 フィルムトレイ 11 半田供給フィルム 11A 半田層 11B 外側の半田層 11C 半田供給フィルムの外縁 12、17 吸着ノズル 13 重しトレイ 14 重し 18 多面取り基板 19 治具ブロック 20 パッケージ基板領域 21 フリップチップ実装用パッド 23 半田フラックス

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のパッドが形成された領域の複数
    個が一体に設けられた基板を保持する基板保持手段と、 前記領域のそれぞれについて、各パッドに半田を供給す
    る半田層が形成された半田供給フィルムをその半田層と
    パッドとがそれそれ対応するように配置させる半田供給
    フィルム配置手段と、 前記領域のそれぞれについて、前記半田供給フィルム上
    に重しを載置する重し載置手段とを備えたことを特徴と
    する半田供給装置。
  2. 【請求項2】 前記半田供給フィルムは、半田層がパ
    ッドの整列状態に対応して形成されており、半田層の内
    最も外側に存在する半田層と半田供給フィルムの外縁と
    の間隔が3.0mm以内に形成されていることを特徴と
    する請求項1記載の半田供給装置。
JP9053496A 1996-03-18 1996-03-18 半田供給装置 Pending JPH09260825A (ja)

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JP9053496A JPH09260825A (ja) 1996-03-18 1996-03-18 半田供給装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100674501B1 (ko) * 1999-12-24 2007-01-25 삼성전자주식회사 플립 칩 본딩 기술을 이용한 반도체 칩 실장 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100674501B1 (ko) * 1999-12-24 2007-01-25 삼성전자주식회사 플립 칩 본딩 기술을 이용한 반도체 칩 실장 방법

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