JPH09260449A - シリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法 - Google Patents
シリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法Info
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- JPH09260449A JPH09260449A JP8093618A JP9361896A JPH09260449A JP H09260449 A JPH09260449 A JP H09260449A JP 8093618 A JP8093618 A JP 8093618A JP 9361896 A JP9361896 A JP 9361896A JP H09260449 A JPH09260449 A JP H09260449A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便且つ迅速で安価な手法によりシリコン単
結晶の結晶欠陥を評価する。 【解決手段】 シリコン単結晶基板１表面の自然酸化膜
２を除去する工程と、自然酸化膜２が除去されたシリコ
ン単結晶基板１表面上に銅４を堆積させる工程と、表面
に銅４が堆積したシリコン単結晶基板１をアルカリ性水
溶液でエッチングする工程と、エッチングされたシリコ
ン単結晶表面１を目視または光学顕微鏡により観察して
シリコン単結晶基板１の結晶欠陥３を評価する。
結晶の結晶欠陥を評価する。 【解決手段】 シリコン単結晶基板１表面の自然酸化膜
２を除去する工程と、自然酸化膜２が除去されたシリコ
ン単結晶基板１表面上に銅４を堆積させる工程と、表面
に銅４が堆積したシリコン単結晶基板１をアルカリ性水
溶液でエッチングする工程と、エッチングされたシリコ
ン単結晶表面１を目視または光学顕微鏡により観察して
シリコン単結晶基板１の結晶欠陥３を評価する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の基板とし
て用いられるシリコン単結晶の結晶欠陥の評価方法に関
する。
て用いられるシリコン単結晶の結晶欠陥の評価方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶に発生する結晶欠陥を評
価する方法としては、シリコン単結晶インゴットから作
製したシリコン基板を、フッ酸、硝酸、酢酸及び水から
構成される液或いはフッ酸、クロム酸及び水から構成さ
れる液を用いてエッチングを行う方法が最も簡便且つ迅
速で安価な方法として一般に使用されている。
価する方法としては、シリコン単結晶インゴットから作
製したシリコン基板を、フッ酸、硝酸、酢酸及び水から
構成される液或いはフッ酸、クロム酸及び水から構成さ
れる液を用いてエッチングを行う方法が最も簡便且つ迅
速で安価な方法として一般に使用されている。
【０００３】これらのエッチング液を用いてエッチング
を行うと、結晶欠陥のある部分とない部分とでエッチン
グ速度に差が生じる、所謂選択エッチングが可能となる
ため、選択エッチングされた基板表面を目視或いは光学
顕微鏡にて観察することにより、結晶欠陥の評価が可能
となる。
を行うと、結晶欠陥のある部分とない部分とでエッチン
グ速度に差が生じる、所謂選択エッチングが可能となる
ため、選択エッチングされた基板表面を目視或いは光学
顕微鏡にて観察することにより、結晶欠陥の評価が可能
となる。
【０００４】しかし、少なくとも７．０×１０16ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ3の高濃度の砒素又はアンチモンをドーパン
トとして含んだシリコン単結晶においては、上記選択エ
ッチングを実施しても、ドーパントが低濃度の場合に比
べてエッチング速度が遅くなるため、結晶欠陥のある部
分とない部分におけるエッチングの選択性が小さくな
り、結晶欠陥を観察することはできない。
ｍｓ／ｃｍ3の高濃度の砒素又はアンチモンをドーパン
トとして含んだシリコン単結晶においては、上記選択エ
ッチングを実施しても、ドーパントが低濃度の場合に比
べてエッチング速度が遅くなるため、結晶欠陥のある部
分とない部分におけるエッチングの選択性が小さくな
り、結晶欠陥を観察することはできない。
【０００５】そこで、上記シリコン単結晶の結晶欠陥を
評価するためには、（１）Ｘ線トポグラフ像を撮影する
方法、（２）透過型電子顕微鏡で観察する方法、（３）
基板上へエピタキシャル成長を行い、エピタキシャル層
中へ基板の結晶欠陥を導入した後、上記選択エッチング
を実施し、エッチングされたエピタキシャル層表面を観
察する方法を用いていた。
評価するためには、（１）Ｘ線トポグラフ像を撮影する
方法、（２）透過型電子顕微鏡で観察する方法、（３）
基板上へエピタキシャル成長を行い、エピタキシャル層
中へ基板の結晶欠陥を導入した後、上記選択エッチング
を実施し、エッチングされたエピタキシャル層表面を観
察する方法を用いていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述の方法
では、Ｘ線発生装置、電子線発生装置又はエピタキシャ
ル装置を使用しなければならず、簡便性及び迅速性に欠
け、コスト高であるという問題があった。
では、Ｘ線発生装置、電子線発生装置又はエピタキシャ
ル装置を使用しなければならず、簡便性及び迅速性に欠
け、コスト高であるという問題があった。
【０００７】そこで本発明は、上記の点を解決し、より
簡便且つ迅速にしかも低コストで結晶欠陥を評価する方
法を提供することを目的とする。
簡便且つ迅速にしかも低コストで結晶欠陥を評価する方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１記載の発
明は、シリコン単結晶基板表面の自然酸化膜を除去する
工程と、自然酸化膜が除去された該シリコン単結晶基板
表面上に銅を堆積させる工程と、表面に銅が堆積した該
シリコン単結晶基板をアルカリ性水溶液でエッチングす
る工程と、エッチングされた該シリコン単結晶表面を目
視または光学顕微鏡により観察する工程を有することを
特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提
供する。
明は、シリコン単結晶基板表面の自然酸化膜を除去する
工程と、自然酸化膜が除去された該シリコン単結晶基板
表面上に銅を堆積させる工程と、表面に銅が堆積した該
シリコン単結晶基板をアルカリ性水溶液でエッチングす
る工程と、エッチングされた該シリコン単結晶表面を目
視または光学顕微鏡により観察する工程を有することを
特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法を提
供する。
【０００９】本願の請求項２記載の発明は、請求項１記
載の結晶欠陥評価方法において、前記シリコン単結晶基
板のドーパントが砒素またはアンチモンであり、その濃
度が少なくとも７．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であ
ることを特徴とする結晶欠陥評価方法を提供する。
載の結晶欠陥評価方法において、前記シリコン単結晶基
板のドーパントが砒素またはアンチモンであり、その濃
度が少なくとも７．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であ
ることを特徴とする結晶欠陥評価方法を提供する。
【００１０】本願の請求項３記載の発明は、請求項１記
載の結晶欠陥評価方法において、前記銅を堆積させる工
程が、自然酸化膜が除去された該シリコン単結晶基板表
面上に、銅イオンを含む水溶液を塗布するか若くは該シ
リコン単結晶基板を銅イオンを含む水溶液中へ浸漬する
工程であることを特徴とする結晶欠陥評価方法を提供す
る。
載の結晶欠陥評価方法において、前記銅を堆積させる工
程が、自然酸化膜が除去された該シリコン単結晶基板表
面上に、銅イオンを含む水溶液を塗布するか若くは該シ
リコン単結晶基板を銅イオンを含む水溶液中へ浸漬する
工程であることを特徴とする結晶欠陥評価方法を提供す
る。
【００１１】本願の請求項４記載の発明は、請求項３記
載の結晶欠陥評価方法において、前記銅イオンを含む水
溶液中の銅イオン濃度が５ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍであ
ることを特徴とする結晶欠陥評価方法を提供する。
載の結晶欠陥評価方法において、前記銅イオンを含む水
溶液中の銅イオン濃度が５ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍであ
ることを特徴とする結晶欠陥評価方法を提供する。
【００１２】本願の請求項５記載の発明は、請求項１記
載の結晶欠陥評価方法において、前記銅を堆積させる工
程において光を照射することを特徴とする結晶欠陥評価
方法を提供する。
載の結晶欠陥評価方法において、前記銅を堆積させる工
程において光を照射することを特徴とする結晶欠陥評価
方法を提供する。
【００１３】本願の請求項６記載の発明は、請求項１記
載の結晶欠陥評価方法において、前記アルカリ性水溶液
によるエッチング工程が、水酸化ナトリウム又は水酸化
カリウム水溶液を使用し、その濃度が０．０１〜２．５
モル／リットルであり、その温度が５〜９５℃であるこ
とを特徴とする請求項１記載の結晶欠陥評価方法。を提
供する。
載の結晶欠陥評価方法において、前記アルカリ性水溶液
によるエッチング工程が、水酸化ナトリウム又は水酸化
カリウム水溶液を使用し、その濃度が０．０１〜２．５
モル／リットルであり、その温度が５〜９５℃であるこ
とを特徴とする請求項１記載の結晶欠陥評価方法。を提
供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１５】まず、チョクラルスキー法により引き上げ
た、シリコン単結晶インゴットの一部よりシリコン単結
晶基板１を作製する。シリコン単結晶基板１の作製方法
は、公知のシリコン単結晶基板作製方法で良い。ただ
し、シリコン単結晶基板１の表面及び表面から深さ数μ
ｍ程度は、スライス等による加工歪みが残留していない
状態である必要があるため、シリコン単結晶基板１は、
鏡面研磨工程前のケミカルエッチング基板であることが
好ましいが、鏡面研磨工程後の基板であっても良い。シ
リコン単結晶基板１の表面は、通常、自然酸化膜２が形
成されており、さらに結晶欠陥３を有している（図１
（ａ））。
た、シリコン単結晶インゴットの一部よりシリコン単結
晶基板１を作製する。シリコン単結晶基板１の作製方法
は、公知のシリコン単結晶基板作製方法で良い。ただ
し、シリコン単結晶基板１の表面及び表面から深さ数μ
ｍ程度は、スライス等による加工歪みが残留していない
状態である必要があるため、シリコン単結晶基板１は、
鏡面研磨工程前のケミカルエッチング基板であることが
好ましいが、鏡面研磨工程後の基板であっても良い。シ
リコン単結晶基板１の表面は、通常、自然酸化膜２が形
成されており、さらに結晶欠陥３を有している（図１
（ａ））。
【００１６】次に、フッ酸を含む水溶液中にシリコン単
結晶基板１を浸漬し、その表面に形成されている自然酸
化膜２を除去する（図１（ｂ））。なお、フッ酸水溶液
浸漬後のシリコン単結晶基板１の表面が撥水性となるこ
とにより、自然酸化膜２が除去されたことが確認できれ
ば、使用するフッ酸水溶液の濃度及び浸漬時間に特に制
限はない。
結晶基板１を浸漬し、その表面に形成されている自然酸
化膜２を除去する（図１（ｂ））。なお、フッ酸水溶液
浸漬後のシリコン単結晶基板１の表面が撥水性となるこ
とにより、自然酸化膜２が除去されたことが確認できれ
ば、使用するフッ酸水溶液の濃度及び浸漬時間に特に制
限はない。
【００１７】次いで、自然酸化膜が除去されたシリコン
単結晶基板１の表面に銅イオンを含む水溶液を塗布する
か若くは銅イオンを含む水溶液中へ浸漬させるかして銅
４を堆積させる。シリコン単結晶基板１への銅の堆積を
促進するため、銅イオンを含む水溶液を塗布若くは水溶
液に浸漬中に、ハロゲンランプ等により光を照射しても
よい。堆積した銅は、シリコン単結晶基板１の表面より
内部に拡散するが、表面に結晶欠陥がある部分では銅は
その欠陥に集り易く、欠陥のない部分よりも深く侵入
し、析出物を形成する（図１（ｃ））。
単結晶基板１の表面に銅イオンを含む水溶液を塗布する
か若くは銅イオンを含む水溶液中へ浸漬させるかして銅
４を堆積させる。シリコン単結晶基板１への銅の堆積を
促進するため、銅イオンを含む水溶液を塗布若くは水溶
液に浸漬中に、ハロゲンランプ等により光を照射しても
よい。堆積した銅は、シリコン単結晶基板１の表面より
内部に拡散するが、表面に結晶欠陥がある部分では銅は
その欠陥に集り易く、欠陥のない部分よりも深く侵入
し、析出物を形成する（図１（ｃ））。
【００１８】なお、使用する水溶液中の銅イオンの濃度
は、５〜２０００ｐｐｍが適切である。この濃度範囲の
下限を下回った場合、銅の堆積に長時間を必要とするこ
とになり、効率的でない。また、反対に上回った場合
は、銅が表面に大量に堆積してしまい、取り扱いにくく
なるうえ、銅イオンを含む水溶液作製に必要な硝酸銅等
の材料が多く必要であり、経済的でない。
は、５〜２０００ｐｐｍが適切である。この濃度範囲の
下限を下回った場合、銅の堆積に長時間を必要とするこ
とになり、効率的でない。また、反対に上回った場合
は、銅が表面に大量に堆積してしまい、取り扱いにくく
なるうえ、銅イオンを含む水溶液作製に必要な硝酸銅等
の材料が多く必要であり、経済的でない。
【００１９】次いで、その銅が堆積した基板をアルカリ
性水溶液、例えば水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム
水溶液に浸漬する。これにより、基板表面に堆積してい
る銅は、表面から剥離するため、シリコン基板表面が露
出しエッチングされる。その際、銅の析出物が形成され
ている結晶欠陥部分のエッチングは、欠陥のない部分に
比べて速く進行するため、エッチング後に光学顕微鏡に
てエッチピット５として観察できる（図１（ｄ））。
性水溶液、例えば水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム
水溶液に浸漬する。これにより、基板表面に堆積してい
る銅は、表面から剥離するため、シリコン基板表面が露
出しエッチングされる。その際、銅の析出物が形成され
ている結晶欠陥部分のエッチングは、欠陥のない部分に
比べて速く進行するため、エッチング後に光学顕微鏡に
てエッチピット５として観察できる（図１（ｄ））。
【００２０】上記水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム
水溶液の濃度及び温度は、それぞれ０．０１〜２．５モ
ル／リットル、５〜９５℃の範囲が適切である。これら
の温度及び濃度のうち、少なくとも一方がその適切な範
囲の下限を下回った場合、基板表面のエッチングに長時
間を必要とすることになり、効率的でない。また、反対
に上回った場合は、エッチングが速すぎるため、結晶欠
陥が観察しにくくなる。
水溶液の濃度及び温度は、それぞれ０．０１〜２．５モ
ル／リットル、５〜９５℃の範囲が適切である。これら
の温度及び濃度のうち、少なくとも一方がその適切な範
囲の下限を下回った場合、基板表面のエッチングに長時
間を必要とすることになり、効率的でない。また、反対
に上回った場合は、エッチングが速すぎるため、結晶欠
陥が観察しにくくなる。
【００２１】上述した工程を実施することにより、シリ
コン単結晶の結晶欠陥の評価をすることができる。特
に、少なくとも７．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の高
濃度の砒素又はアンチモンをドーパントとして含むシリ
コン単結晶基板において、従来必要とされたＸ線発生装
置や電子線発生装置、エピタキシャル装置といった高価
で手間の掛かる装置を使用することなく、上述した簡便
且つ迅速で安価な手法により、結晶欠陥の評価を行うこ
とができる。
コン単結晶の結晶欠陥の評価をすることができる。特
に、少なくとも７．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の高
濃度の砒素又はアンチモンをドーパントとして含むシリ
コン単結晶基板において、従来必要とされたＸ線発生装
置や電子線発生装置、エピタキシャル装置といった高価
で手間の掛かる装置を使用することなく、上述した簡便
且つ迅速で安価な手法により、結晶欠陥の評価を行うこ
とができる。
【００２２】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。
【００２３】（実施例１）まず、チョクラルスキー法に
より作製され、結晶の面方位が（１００）であり、砒素
が２．０×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3ドープされた、結
晶欠陥（スリップ転位）の入ったシリコン単結晶インゴ
ットから、直径１５０ｍｍ、厚さ６５０μｍのケミカル
エッチング基板を作製した。この基板を、濃度２５％の
フッ酸水溶液に５分浸漬して、表面の自然酸化膜を除去
した。その後、銅イオン濃度１００ｐｐｍの硝酸銅とフ
ッ酸の混合水溶液（水溶液濃度２３℃）に浸し、ハロゲ
ンランプで光を照射しながら１０分間保持し、基板表面
に銅を堆積させた。さらに、この銅が堆積した基板を、
０．０８９モル／リットルの水酸化ナトリウム水溶液
（水溶液温度２３℃）に１時間浸漬させた。これによ
り、シリコン基板は表面から約０．７μｍがエッチング
され、スリップ転位がある部分はエッチピットとして、
集光灯下において目視又は光学顕微鏡にて観察できた。
図２（ａ）に集光灯下において目視により観察したスリ
ップ転位の平面図を、図２（ｂ）に光学顕微鏡で観察し
たスリップ転位（エッチピット）の平面図をそれぞれ示
した。
より作製され、結晶の面方位が（１００）であり、砒素
が２．０×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3ドープされた、結
晶欠陥（スリップ転位）の入ったシリコン単結晶インゴ
ットから、直径１５０ｍｍ、厚さ６５０μｍのケミカル
エッチング基板を作製した。この基板を、濃度２５％の
フッ酸水溶液に５分浸漬して、表面の自然酸化膜を除去
した。その後、銅イオン濃度１００ｐｐｍの硝酸銅とフ
ッ酸の混合水溶液（水溶液濃度２３℃）に浸し、ハロゲ
ンランプで光を照射しながら１０分間保持し、基板表面
に銅を堆積させた。さらに、この銅が堆積した基板を、
０．０８９モル／リットルの水酸化ナトリウム水溶液
（水溶液温度２３℃）に１時間浸漬させた。これによ
り、シリコン基板は表面から約０．７μｍがエッチング
され、スリップ転位がある部分はエッチピットとして、
集光灯下において目視又は光学顕微鏡にて観察できた。
図２（ａ）に集光灯下において目視により観察したスリ
ップ転位の平面図を、図２（ｂ）に光学顕微鏡で観察し
たスリップ転位（エッチピット）の平面図をそれぞれ示
した。
【００２４】（実施例２）結晶の面方位が（１１１）で
あり、アンチモンが７．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
ドープされたシリコン単結晶インゴットから作製した、
スリップ転位の入ったシリコン基板を用いた以外は、実
施例１と同様に行った。シリコン単結晶基板は表面から
約０．１３μｍがエッチングされ、スリップ転位がある
部分はエッチピットとして、光学顕微鏡又は集光灯下に
おいて目視にて観察できた。
あり、アンチモンが７．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
ドープされたシリコン単結晶インゴットから作製した、
スリップ転位の入ったシリコン基板を用いた以外は、実
施例１と同様に行った。シリコン単結晶基板は表面から
約０．１３μｍがエッチングされ、スリップ転位がある
部分はエッチピットとして、光学顕微鏡又は集光灯下に
おいて目視にて観察できた。
【００２５】（実施例３）水酸化ナトリウム水溶液の濃
度が１．０モル／リットルである以外は、実施例１と同
様に行った。シリコン基板は表面から約０．９μｍがエ
ッチングされ、スリップ転位がある部分はエッチピット
として、光学顕微鏡又は集光灯下において目視にて観察
できた。
度が１．０モル／リットルである以外は、実施例１と同
様に行った。シリコン基板は表面から約０．９μｍがエ
ッチングされ、スリップ転位がある部分はエッチピット
として、光学顕微鏡又は集光灯下において目視にて観察
できた。
【００２６】（実施例４）アルカリ性水溶液に０．１モ
ル／リットルの水酸化カリウム水溶液を用いた以外は、
実施例１と同様に行った。シリコン基板は表面から約
１．７μｍがエッチングされ、スリップ転位がある部分
はエッチピットとして、光学顕微鏡又は集光灯下におい
て目視にて観察できた。
ル／リットルの水酸化カリウム水溶液を用いた以外は、
実施例１と同様に行った。シリコン基板は表面から約
１．７μｍがエッチングされ、スリップ転位がある部分
はエッチピットとして、光学顕微鏡又は集光灯下におい
て目視にて観察できた。
【００２７】（比較例１）水酸化ナトリウム水溶液の濃
度が２．６モル／リットルである以外は、実施例１と同
様に行った。シリコン基板は表面から約３μｍがエッチ
ングされたが、スリップ転位がある部分はエッチピット
として観察できたものの、不鮮明であった。
度が２．６モル／リットルである以外は、実施例１と同
様に行った。シリコン基板は表面から約３μｍがエッチ
ングされたが、スリップ転位がある部分はエッチピット
として観察できたものの、不鮮明であった。
【００２８】なお、前記各実施例は、結晶欠陥としてス
リップ転位を対象としたが、酸素析出物、格子間酸素、
原子空孔などの点欠陥やそれに起因した２次欠陥に対し
ても、本発明の評価方法が適用できることを確認した。
リップ転位を対象としたが、酸素析出物、格子間酸素、
原子空孔などの点欠陥やそれに起因した２次欠陥に対し
ても、本発明の評価方法が適用できることを確認した。
【００２９】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、簡便
且つ迅速で安価な手法により、結晶欠陥の評価をするこ
とができる。特に、少なくとも７．０×１０16ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ3の高濃度の砒素又はアンチモンを含むシリコ
ン半導体基板において、従来必要とされたＸ線発生装置
や電子線発生装置、エピタキシャル装置といった高価で
手間の掛かる装置を使用することなく、結晶欠陥の評価
を行うことができる。
且つ迅速で安価な手法により、結晶欠陥の評価をするこ
とができる。特に、少なくとも７．０×１０16ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ3の高濃度の砒素又はアンチモンを含むシリコ
ン半導体基板において、従来必要とされたＸ線発生装置
や電子線発生装置、エピタキシャル装置といった高価で
手間の掛かる装置を使用することなく、結晶欠陥の評価
を行うことができる。
【図１】本発明のシリコン単結晶の結晶欠陥評価方法に
おける結晶欠陥評価工程を示す断面図であり、（ａ）は
表面に自然酸化膜が形成されているシリコン基板の断面
図、（ｂ）は自然酸化膜除去後のシリコン基板の断面
図、（ｃ）は表面に銅を堆積させたシリコン基板の断面
図、（ｄ）はアルカリ水溶液によるエッチング工程後の
シリコン基板の断面図である。
おける結晶欠陥評価工程を示す断面図であり、（ａ）は
表面に自然酸化膜が形成されているシリコン基板の断面
図、（ｂ）は自然酸化膜除去後のシリコン基板の断面
図、（ｃ）は表面に銅を堆積させたシリコン基板の断面
図、（ｄ）はアルカリ水溶液によるエッチング工程後の
シリコン基板の断面図である。
【図２】本発明のシリコン単結晶の結晶欠陥評価方法に
より得られたスリップ転位の観察例を示す平面図であ
り、（ａ）はシリコン基板全面を集光灯下で目視により
スリップ転位を観察した例、（ｂ）は光学顕微鏡により
（ａ）のスリップ転位部分を拡大観察した例を示す。
より得られたスリップ転位の観察例を示す平面図であ
り、（ａ）はシリコン基板全面を集光灯下で目視により
スリップ転位を観察した例、（ｂ）は光学顕微鏡により
（ａ）のスリップ転位部分を拡大観察した例を示す。
１ シリコン単結晶基板 ２ 自然酸化膜 ３ 結晶欠陥 ４ 銅 ５ エッチピット ６ スリップ転位 ７ スリップ転位部分のエッチピット
Claims (6)
- 【請求項１】 シリコン単結晶基板表面の自然酸化膜を
除去する工程と、自然酸化膜が除去された該シリコン単
結晶基板表面上に銅を堆積させる工程と、表面に銅が堆
積した該シリコン単結晶基板をアルカリ性水溶液でエッ
チングする工程と、エッチングされた該シリコン単結晶
表面を目視または光学顕微鏡により観察する工程を有す
ることを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価
方法。 - 【請求項２】 前記シリコン単結晶基板のドーパントは
砒素またはアンチモンであり、その濃度は少なくとも
７．０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であることを特徴と
する請求項１記載の結晶欠陥評価方法。 - 【請求項３】 前記銅を堆積させる工程は、自然酸化膜
が除去された該シリコン単結晶基板表面上に、銅イオン
を含む水溶液を塗布するか若くは該シリコン単結晶基板
を銅イオンを含む水溶液中へ浸漬する工程であることを
特徴とする請求項１記載の結晶欠陥評価方法。 - 【請求項４】 前記銅イオンを含む水溶液中の銅イオン
濃度は５ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍであることを特徴とす
る請求項３記載の結晶欠陥評価方法。 - 【請求項５】 前記銅を堆積させる工程において光を照
射することを特徴とする請求項１記載の結晶欠陥評価方
法。 - 【請求項６】 前記アルカリ性水溶液によるエッチング
工程は、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム水溶液を
使用し、その濃度は０．０１〜２．５モル／リットルで
あり、その温度は５〜９５℃であることを特徴とする請
求項１記載の結晶欠陥評価方法。
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