JPH09259411A

JPH09259411A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び磁気記録装置

Info

Publication number: JPH09259411A
Application number: JP8067805A
Authority: JP
Inventors: Kenichiro Yamada; 健一郎山田; Hidekazu Tanaka; 秀和田中; Hitoshi Kanai; 均金井; Masaaki Kanamine; 理明金峰; Yuji Uehara; 裕二上原
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1996-03-25
Filing date: 1996-03-25
Publication date: 1997-10-03

Abstract

(57)【要約】【課題】バイアス磁界を利用した磁気抵抗効果素子を有
する磁気ヘッドに関し、膜厚の増加を抑えるとともに磁
気抵抗効果の出力を大きくすること。【解決手段】基板１１と、前記基板１１上に形成された
磁気シールド層２と、前記磁気シールド層１１上に形成
された絶縁層４と、前記絶縁層４の上に形成された軟質
磁性体層６と、前記軟質磁性体層６の上に形成された非
磁性層７と、前記非磁性層７の上に形成されたNiFe層８
ａ又はNiFe系合金層とCoFe層８ｂ又はCoFe系合金層とか
らなり、２０Å〜１４０Åの膜厚を有する磁気抵抗効果
層８と、少なくとも前記磁気抵抗効果層８及び軟質磁性
体層６に電流を供給する一対のリード端子９，１０とを
含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁
気ヘッド及び磁気記録装置に関し、より詳しくは、バイ
アス磁界を利用した磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッ
ドとこの磁気ヘッドを備えた磁気記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータの外部記録装置である磁気
ディスク装置の大容量化が進むに伴って、高密度化、高
速化に対応した高性能の磁気ヘッドが要求されている。
この要求を満足するものとして、磁気記録媒体の移動速
度に依存せずに高出力が得られる磁気抵抗型の磁気ヘッ
ド（ＭＲ）が注目されている。

【０００３】磁気抵抗型磁気ヘッドは、一般に、図８
(a) 〜(c) に示すような構造となっている。図８(a),
(b) において、第１の磁気シールド層101 と第２の磁気
シールド層102 の間にはアルミナなどよりなる絶縁層10
3 が形成され、その絶縁層103 の中には一端を磁気ディ
スクＤ側に露出した磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）104
が形成されている。

【０００４】ＭＲ素子104 において、第１の磁気シール
ド101 側から順にNiFeCrよりなる軟磁性体層105 、Taよ
りなる導電性の非磁性体層106 、NiFeよりなるＭＲ層10
7 が形成され、そのＭＲ層107 のセンス領域Ｓの両側部
分にはAu又はＷ（タングステン）よりなるリード端子10
8,109 が接続されている。ＭＲ層107 と軟磁性体層106
は、磁気記録媒体対向面が長辺となるように長方形にパ
ターニングされていて、その長手方向に磁化容易軸が一
致している。

【０００５】このようなＭＲ素子104 では、２つのリー
ド端子108,109 を通してセンス領域ＳのＭＲ層107 、非
磁性体層106 及び軟磁性体層105 にセンス電流Ｊが流さ
れる。そして、非磁性体層106 と軟磁性体層105 を流
れる電流Ｊ₂、Ｊ₃が作る磁界Ｈ_B1と、ＭＲ層107 と非
磁性体層106 に流れる電流Ｊ₁、Ｊ₂が作る磁界によっ
て磁化された軟磁性体層からの漏洩磁界Ｈ_B2とによっ
て、ＭＲ層107 には磁化の向きを変えるためのバイアス
電界（Ｈ_B1＋Ｈ_B2）が印加される。これによりＭＲ層10
7 の磁化Ｍ₀の方向が傾き、外部信号磁界に対して抵抗
変化が線形に変化する。

【０００６】磁気記録媒体Ｄが磁気ヘッドの下を例えば
回転して移動すると、磁気ヘッドに入力する磁界が変化
し、ＭＲ層107 の磁化Ｍ₀の回転によってセンス領域Ｓ
に入力する信号磁界を電気抵抗の変化として再生する。
なお、NiFeCrよりなる軟磁性体層105 は、ＭＲ層107 に
比べて磁気抵抗効果が非常に小さいので、信号磁界を電
気的信号に殆ど変換しない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、NiFeよりな
るＭＲ層107 を有する磁気ヘッドの再生出力の大きさ
は、高密度記録が進むにつれて不十分になってくる。そ
の再生出力を高めるためには磁気抵抗効果を大きくする
必要があり、例えば特開昭６４−６４３８３号公報には
NiFe合金とCo合金を交互に複数層積層するＭＲ層が記載
されている。この技術は、異なる磁性材の積層数を増や
すことによって磁気抵抗効果を増大させる方法である。

【０００８】しかし、ＭＲ層を多層化すると膜厚が厚く
なるので、磁気記録媒体の１トラック中のビット間隔を
狭くしようとする磁気記録装置には適用できなくなる。
本発明の目的とするところは、膜厚の増加を抑えるとと
もに磁気抵抗効果の出力を大きくすることができるＭＲ
層を有する磁気ヘッドを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】

（手段）上記した課題は、図１に例示するように、基板
１１と、前記基板１１上に形成された磁気シールド層２
と、前記磁気シールド層１２上に形成された絶縁層４
と、前記絶縁層４の上に形成された軟質磁性体層６と、
前記軟質磁性体層６の上に形成された非磁性層７と、前
記非磁性層７の上に形成されたNiFe層８ａ又はNiFe系合
金層とCoFe層８ｂ又はCoFe系合金層とからなり、２０Å
〜１４０Åの膜厚を有する磁気抵抗効果層８と、少なく
とも前記磁気抵抗効果層８及び軟質磁性体層６に電流を
供給する一対のリード端子９，１０とを有することを特
徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。

【００１０】上記磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記
磁気抵抗効果層を構成する前記NiFe層又は前記NiFe系合
金層の膜厚が１０Å以上であることを特徴とする。上記
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記CoFe層又は前記Co
Fe系合金層は、Feが５〜１５wt％、Coが８５％〜９５％
であることを特徴とする。上記磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、前記NiFe層又は前記NiFe系合金は、前記CoFe又
は前記CoFe系合金よりも前記基板に近い側に存在するこ
とを特徴とする。

【００１１】上記課題は、前記いずれかの磁気抵抗効果
型ヘッドと、前記磁気抵抗効果型ヘッドに対向する磁気
記録媒体Ｄとを有することを特徴とする磁気記録装置に
よって解決する。（作用）次に、本発明の作用について説明する。

【００１２】本発明によれば、磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドに使用される磁気抵抗層（ＭＲ層）を２０〜１４０Å
の膜厚にするとともに、NiFe層とCoFe層とから構成し
た。この膜厚によれば、ＭＲ層の表面やNiFe層とCoFe層
の界面での電子の散乱が少なくなり、しかも、電子の移
動中にNiFe層とCoFe層の双方のポテンシャルを効率良く
受けるので、外部磁界に対する比抵抗変化を大きくする
とともに、比抵抗の値の増大を抑えて高出力を得ること
ができる。

【００１３】この場合、NiFe層を下にした方がCoFe層の
磁気異方性が良くなる。また、そのNiFe層の膜厚が１０
Å以上にすることにより、ＭＲ層全体をNiFeのみで構成
する場合に比べて外部磁界に対する比抵抗変化が大きく
なる。さらに、CoFe層においては、Feが５〜１５wt％、
Coが85％〜９５％とすることが磁歪及び比抵抗を小さく
するのに有効である。

【００１４】なお、NiFe層の代わりにNiFe系合金層を使
用し、CoFe層の代わりにCoFe系合金層を使用してもよ
い。

【００１５】

【発明の実施の形態】そこで、以下に本発明の実施形態
を図面に基づいて説明する。（第１実施形態）図１(a) 〜(c) は、本発明の第１実施
形態の磁気ヘッドの部分側面図、分解斜視図及び動作説
明図である。

【００１６】図１(a),(b) に示すように、磁気ディスク
（磁気記録媒体）Ｄの上に配置される磁気ヘッド１にお
いて、アルミナチタン炭素（Al₂O₃TiC）よりなるスライ
ダ（不図示）上にはNiFeよりなる第１の磁気シールド層
２、アルミナよりなる絶縁層４及び第２の磁気シールド
層３が形成されている。また、絶縁層４の中には一端を
磁気ディスクＤ側に露出した磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）５が形成されている。

【００１７】ＭＲ素子５は、第１の磁気シールド層２側
から順に形成される軟磁性体層６、非磁性体層７、ＭＲ
層８及び一対のリード端子９、１０から構成されてい
る。軟質磁性体層６からＭＲ層８までは、その平面が長
方形になるようにパターニングされ、その長辺の１辺が
磁気ディスクＤに対向するようになっている。また、Ｍ
Ｒ層８のうち２つのリード端子９，１０に挟まれた領域
はセンス領域Ｓとなる。

【００１８】ＭＲ層８は、膜厚２０〜１４０Åの厚さを
有し、しかもNiFe層８ａとCoFe層８ｂの二層構造となっ
ていて、そのうちのNiFe層８ａは第１の磁気シールド層
２に近い側に形成されている。これは、NiFe層８ａは結
晶性が良いので、CoFe層８ｂの結晶性も良くなるからで
ある。非磁性体層７は、膜厚１００ÅのTaから形成され
いている。軟磁性体層６は磁気抵抗効果の小さなNiFeCr
より形成され、その膜厚は１５０Åとなっている。さら
に、リード端子９，１０は、Au又はＷのような低抵抗の
材料から形成されている。

【００１９】ＭＲ素子５において、ＭＲ層８及び軟質磁
性体層６は、その長手方向（図中ｙ方向）が磁化容易軸
となっている。なお、磁気ヘッド１においては、第１の
磁気シールド層２と第２の磁気シールド層３との間隔は
０．３μｍ程度であり、これは再生ギャップに相当す
る。ところで、リード端子９，１０を通してＭＲ層８、
非磁性体層７及び軟質磁性体層６に分流されるセンス電
流Ｉは定電流である。そして、非磁性体層７内の電流Ｉ
₂と軟質磁性体層６内の電流Ｉ₃によって生じる磁界Ｈ
₁と、ＭＲ層内の電流Ｉ₁と非磁性体層内の電流Ｉ₂に
よって生じる磁界Ｈ₂とによってバイアス磁界Ｈ_Bが生
じ、このバイアス磁界Ｈ_BによってＭＲ素子１の磁化Ｍ
₁の方向が図中ｙ方向からｚ方向に傾斜する。ｚ方向
は、磁気記録媒体Ｄの面に垂直な方向である。

【００２０】その磁化Ｍ₁の方向の傾斜によって、ＭＲ
層８は信号磁界に対して線形動作するようになる。そし
て、図中ｘ方向に移動する磁気記録媒体Ｄからの信号磁
界をＭＲ層８のセンス領域Ｓで電気信号に変換して再生
信号とする。上記した磁気ヘッド１のＭＲ層８を構成す
るNiFe層８ａとCoFe層８ｂの膜厚比の相違が、外部磁界
に対する比抵抗の変化にどのような影響を及ぼすかを実
験したところ、図２に示すような結果が得られた。実験
では、ＭＲ層８全体の膜厚を一定の７５Åとし、またCo
Fe層８ｂの組成をCo₉₀Fe₁₀とした。また、実験において
はＭＲ層８を膜厚１００ÅのTa膜によって両面を挟ん
だ。

【００２１】図２によれば、ＭＲ層８を構成する層のう
ち、CoFe層８ｂが厚くなるほど比抵抗変化が大きくな
り、ＭＲ層８を高感度にできることがわかる。ただし、
FeNi層８ａの厚さが１０Åよりも薄くなると、ＭＲ層８
がFeNiだけで構成されている場合よりも比抵抗変化が小
さくなってくるので、そのFeNi層８ａを１０Å以上の厚
さにする必要がある。

【００２２】次に、ＭＲ層８に用いるNiFe層８ａとCoFe
層８ｂの膜厚比を変えた場合の比抵抗値を調べたところ
図３に示すような結果が得られた。ただし、実験で使用
したＭＲ層８の全体の膜厚を７５Åとし、CoFe層８ｂの
組成をCo₉₀Fe₁₀とした。また、膜厚１００ÅのTa膜によ
りＭＲ層８を挟んで実験を行った。この図３によれば、
ＭＲ層を構成する層のうち、CoFe層８ｂが厚くなるほど
比抵抗値が減少する。これにより、ＭＲ層８に流れる電
流値が大きくなり、電流利用効率が高まり、ＭＲヘッド
の高出力化が図れる。

【００２３】次に、ＭＲ層８に用いるNiFe層８ａとCoFe
層８ｂとの膜厚比を１対４と一定にし保ちながらＭＲ層
８の膜厚を変えた場合の比抵抗変化を調べたところ図４
に示すような結果が得られた。図４によれば、ＭＲ層８
の全体の膜厚が増えるにつれて、比抵抗変化が減少し
た。従って、そのＭＲ層８の全体の膜厚は薄い方がよい
ことがわかる。

【００２４】この場合、ＭＲ層８全体の膜厚は、１４０
Å以下であって２０Å以上にすることが望ましい。これ
は次のような理由による。即ち、ＭＲ層８が１４０Å以
上になると、その膜厚は電子の平均自由行程（約１００
Å）よりも長くなるので、磁気抵抗効果は減少する。即
ち、自由行程が１４０Å以上の電子は非常に少ないの
で、図５(a) に示すように、電子が移動中に散乱されず
に受けるポテンシャルは、NiFe単膜又はCoFe単膜のポテ
ンシャルと同じになる。このため、磁気抵抗効果はNiFe
単膜、又はCoFe単膜の場合と同じになる。

【００２５】一方、ＭＲ層８が２０Å以下になると、図
５(b) に示すように、膜の表面や層界面での散乱が大き
くなって磁気抵抗効果が減少する。従って、ＭＲ層８
は、２０〜１４０Åの膜厚が最適であり、図５(c) に示
すように、膜の表面や層界面での電子の散乱が少なく、
しかも、散乱されずに移動している電子は、NiFe層とCo
Fe層の両方のポテンシャルを効率良く受けることができ
る。

【００２６】ところで、ＭＲ層８の一部を構成するCoFe
の組成は、上記したCo₉₀Fe₁₀に限るものではないが、Co
を８５〜９５wt％、Feを５〜１５wt％の組成比にして磁
歪の小さな組成のものを用いるのが好ましい。また、Ｍ
Ｒ層８を構成するNiFeの代わりにNiFeCo等のNiFe系合金
を用い、またCoFeの代わりにCoFeTa、CoFeNb等のCoFe系
合金を用いてもよい。

【００２７】また、上記実施形態では、ＭＲ層８と軟質
磁性体層６の間に非磁性体層７を用いているがその非磁
性体層７は省いてＭＲ素子１を２層構造にしてもよい。
さらに、非磁性体層７の構成材料としてAl₂O₃、SiO₂な
どの無機物を用いてもよい。（第２実施形態）上記した磁気ヘッドのＭＲ素子１は、
以下に説明するような新規な工程によって形成すること
ができる。その工程を図６、図７に基づいて説明する。
ただし、これらの図は、１つのスライダ形成領域につい
てのみ図示している。

【００２８】まず、図６(a) に示すように、Al₂O₃TiCよ
りなる基板１１の上にFeNiよりなる第１の磁気シールド
層１２、Al₂O₃よりなる第１の絶縁層１３を形成し、さ
らに第１の絶縁層１３の上にタングステン（Ｗ）又は金
（Au）よりなる導電膜１４を１０００Åの厚さに形成す
る。さらに、導電膜１４の上に第一のレジスト１５を塗
布する。

【００２９】続いて、図６(b) に示すように、Al₂O₃、
SiO₂のような無機絶縁材又はTi、Alのような金属材を用
いて１０００〜１５００Åの厚さのマスク層１６をスパ
ッタにより形成し、その上に第二のレジスト１７を塗布
する。そして、第二のレジスト１７を露光、現像して図
６(c) に示すように一対のリード端子形成領域Ａにのみ
残す。

【００３０】次に、図６(d) に示すように、第二のレジ
スト１７に覆われない領域のマスク層１６をイオンミリ
ングによって除去すると、リード端子形成領域Ａの上方
にのみマスク層１６が残る。さらに、図７(a) に示すよ
うに、パターン化されたマスク層１６に覆われていない
第一のレジスト１５を現像液によって除去し、マスク層
１６の下にのみ残すとともに、第一のレジスト１５のパ
ターンの縁をマスク層１６のパターンの縁よりも内側に
食い込むような形状にする。この結果、マスク層１６の
パターンは第一のレジスト１５のパターンから庇状に突
出することになる。

【００３１】この後に、図７(b) に示すように、マスク
層１６に覆われない導電膜１４をイオンミリングによっ
て除去すると、導電膜１４は、マスク層１６のパターン
とほぼ同じ平面形状になる。なお、複数回のイオンミリ
ングによって薄層化された第一のレジスト１７は、この
段階で除去されている。このイオンミリングによってマ
スク層１６の下に残った導電膜１４は、第１実施で示し
た１対のリード端子９、１０となる。

【００３２】さらに、図７(c) に示すように、第１実施
形態で示した材料及び膜厚に従って、軟磁性体層６、非
磁性体層７及びＭＲ層８をスパッタによって順に形成す
る。そのＭＲ層８は、例えばFeNiとCoFeの二層構造とな
っており、そのFeNiは非磁性体層に接触している。この
場合、マスク層１６の縁部は庇状になっているので、そ
の縁部を境界にして軟磁性体層６、非磁性体層７及びＭ
Ｒ層８が分離され、しかも、リード端子９、１０の間に
形成される軟磁性体層６、非磁性体層７及びＭＲ層８
は、マスク層１６の縁部の庇からリード端子９、１０の
縁の上に入り込んで接触するので、リード端子９、１０
とそれらの層６、７、８、とのコンタクトは確実に確保
される。

【００３３】なお、ＭＲ層８をNiFeとCoFeの二層構造に
する場合には、NiFeを下側にするとよい。これは、NiFe
の結晶性が良いので、CoFe層８ｂの結晶性も良くなるか
らである。この後に、第二のレジスト１５を溶剤により
除去すると、その上のマスク層１６、軟磁性体層６、非
磁性体層７及びＭＲ層８はリフトオフされる。

【００３４】この状態で、リード端子９、１０の間にあ
る軟磁性体層６、非磁性体層７及びＭＲ層８は長方形状
になっていないので、図７(d) に示すように、ＭＲ層８
のセンス領域を選択的に第三のレジスト１７で覆い、つ
いで第三のレジスト１７に覆われない軟磁性体層６、非
磁性体層７及びＭＲ層８をイオンミリングしてセンス領
域Ｓとその周辺にのみ矩形状に残す。この場合、リード
端子９、１０の外側の軟磁性体層６、非磁性体層７及び
ＭＲ層８も除去する。

【００３５】この後に、第三のレジスト１７を除去し、
さらに、第二の絶縁層（不図示）を形成し、その上に図
１(b) に示すような第二の磁気シールド層３を形成す
る。ついで、基板１を切断して基板１をスライダの形状
にする。以上のＭＲ素子製造工程によって形成されたＭ
Ｒ素子は、ＭＲ層８のパターニングの際に第三のマスク
１７に覆われるので、パターニングの際に飛び散る磁性
材粉によって汚染されることはなく、その磁性粉によっ
て磁気抵抗効果の特性が劣化することはない。

【００３６】また、上記したＭＲ素子製造工程では、１
つのマスク１５〜１７を使用してリード端子９、１０の
パターニングと軟磁性体層６、非磁性体層７及びＭＲ層
８の一部のパターニングを行っているので、位置合わせ
精度が良くなり、しかも、スループットが向上する。な
お、この実施形態で示した工程によって形成されたＭＲ
素子は、図１(b) に示したセンス領域ＳだけにＭＲ層
８、非磁性体層７及び軟磁性体層６が存在する構造とな
っている。

【００３７】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、磁気
抵抗効果型磁気ヘッドに使用されるＭＲ層を２０〜１４
０Åの膜厚にするとともに、NiFe層とCoFe層とから構成
したので、ＭＲ層の表面やNiFe層とCoFe層の界面での電
子の散乱が少なくなり、しかも、電子の移動中にNiFe層
とCoFe層の双方のポテンシャルを効率良く受ける。この
結果、外部磁界に対する比抵抗変化を大きくするととも
に、比抵抗の値の増大を抑えて高出力を得ることができ
る。

【００３８】この場合、NiFe層を下にした方がCoFe層の
磁気異方性を良くすることができるし、また、NiFe層の
膜厚が１０Å以上にすることにより、ＭＲ層全体をNiFe
のみで構成する場合に比べて外部磁界に対する比抵抗変
化を大きくできる。さらに、CoFe層においては、Feが５
〜１５wt％、Coが85％〜９５％とすると、磁歪及び比抵
抗を小さくすることができる。

【００３９】なお、NiFe層の代わりにNiFe系合金層を使
用し、CoFe層の代わりにCoFe系合金層を使用しても同様
な効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態の磁気ヘッドの部分側面
図、分解斜視図及び動作説明図である。

【図２】本発明の第１実施形態に適用されるＭＲ層を構
成するNiFeとCoFeの膜厚比と比抵抗変化の関係を示す特
性図である。

【図３】本発明の第１実施形態に適用されるＭＲ層を構
成するNiFeとCoFeの膜厚比と比抵抗値の関係を示す特性
図である。

【図４】本発明の第１実施形態に適用されるＭＲ層の膜
厚と比抵抗変化の関係を示す特性図である。

【図５】本発明の第１実施形態に適用されるＭＲ層の膜
厚の厚さの違いによる電子の移動状態を示す断面図であ
る。

【図６】本発明の第２実施形態の磁気ヘッドに使用され
るＭＲ素子の製造工程を示す断面図（その１）である。

【図７】本発明の第２実施形態の磁気ヘッドに使用され
るＭＲ素子の製造工程を示す断面図（その２）である。

【図８】従来の磁気ヘッドを示す断面図、分解斜視図及
び動作説明図である。

【符号の説明】

１磁気ヘッド２第一の磁気シールド層３第二の磁気シールト層４絶縁層５ＭＲ素子６軟質磁性体層７非磁性体層８ＭＲ層８ａ NiFe層８ｂ CoFe層９、１０リード端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者金井均神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者金峰理明神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内 (72)発明者上原裕二神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、前記基板上に形成された磁気シールド層と、前記磁気シールド層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された軟質磁性体層と、前記軟質磁性体層の上に形成された非磁性層と、前記非磁性層の上に形成されたNiFe層又はNiFe系合金層
とCoFe層又はCoFe系合金層とからなり、２０Å〜１４０
Åの膜厚を有する磁気抵抗効果層と、少なくとも前記磁気抵抗効果層及び軟質磁性体層に電流
を供給する一対のリード端子とを有することを特徴とす
る磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】前記磁気抵抗効果層を構成する前記NiFe層
又は前記NiFe系合金層の膜厚が１０Å以上であることを
特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項３】前記CoFe層又は前記CoFe系合金層は、Feが
５〜１５wt％、Coが85％〜９５％であることを特徴とす
る請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項４】前記NiFe層又は前記NiFe系合金は、前記Co
Fe又は前記CoFe系合金よりも前記基板に近い側に存在す
ることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気
ヘッド。
【請求項５】請求項１〜４いずれかに記載の磁気抵抗効
果型ヘッドと、前記磁気抵抗効果型ヘッドに対向する磁気記録媒体とを
有することを特徴とする磁気記録装置。