JPH09257947A - 自動照射制御システム用のｘ線検出器及び医用イメージング・システム用のｘ線検出器 - Google Patents
自動照射制御システム用のｘ線検出器及び医用イメージング・システム用のｘ線検出器Info
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- JPH09257947A JPH09257947A JP8327398A JP32739896A JPH09257947A JP H09257947 A JPH09257947 A JP H09257947A JP 8327398 A JP8327398 A JP 8327398A JP 32739896 A JP32739896 A JP 32739896A JP H09257947 A JPH09257947 A JP H09257947A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 可視画像のアーティファクトの発生を最小限
にするようにＸ線減衰変動を最小にすることのできる自
動照射制御システム用のＸ線検出器を提供する。 【解決手段】 本発明に係る自動照射制御システム用の
Ｘ線検出器２３は、炭素合成物の基板４０を有してい
る。基板４０の主表面上に導電性材料の第１の層４２が
設けられている。ＣｓＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ又は非晶質シ
リコンのような均一な半導体材料の第２の層４４が第１
の層４２上に堆積されている。第２の層４４の導電率の
ような電気的特性は、Ｘ線の衝突に応答して変化する。
半導体層４４の表面上に導電性材料の第３の層４６が形
成されている。第３の層４６は複数の電極素子４７、４
８に分割されている。複数の電極素子４７、４８は半導
体材料の層４４に複数の領域を画定している。第１の層
４２と各々の電極素子との間の導電率を検知することに
より、異なる領域に衝突するＸ線の強度を測定すること
ができる。
にするようにＸ線減衰変動を最小にすることのできる自
動照射制御システム用のＸ線検出器を提供する。 【解決手段】 本発明に係る自動照射制御システム用の
Ｘ線検出器２３は、炭素合成物の基板４０を有してい
る。基板４０の主表面上に導電性材料の第１の層４２が
設けられている。ＣｓＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ又は非晶質シ
リコンのような均一な半導体材料の第２の層４４が第１
の層４２上に堆積されている。第２の層４４の導電率の
ような電気的特性は、Ｘ線の衝突に応答して変化する。
半導体層４４の表面上に導電性材料の第３の層４６が形
成されている。第３の層４６は複数の電極素子４７、４
８に分割されている。複数の電極素子４７、４８は半導
体材料の層４４に複数の領域を画定している。第１の層
４２と各々の電極素子との間の導電率を検知することに
より、異なる領域に衝突するＸ線の強度を測定すること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線イメージング装置
用の自動照射制御システムに関し、更に詳しくは、この
ような照射制御システムで利用されているＸ線検出器に
関する。
用の自動照射制御システムに関し、更に詳しくは、この
ような照射制御システムで利用されているＸ線検出器に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の蛍光透視Ｘ線イメージング装置
は、医療患者のようなイメージング対象を通してＸ線ビ
ームを投射するためのＸ線源を含んでいる。患者を通過
したビームの一部はＸ線検出器に衝突する。Ｘ線検出器
は、患者によって減衰されたＸ線を光子に変換し、光子
は次いで、電気画像信号に変換される。Ｘ線検出器は、
イメージ増倍管及びビデオ・カメラ、又は２次元光検出
器アレイの前方のシンチレータの組み合わせで構成され
ていてもよい。いずれかの形式の検出器からの電気画像
信号を処理して、ビデオ・モニタ上に患者の画像を表示
する。
は、医療患者のようなイメージング対象を通してＸ線ビ
ームを投射するためのＸ線源を含んでいる。患者を通過
したビームの一部はＸ線検出器に衝突する。Ｘ線検出器
は、患者によって減衰されたＸ線を光子に変換し、光子
は次いで、電気画像信号に変換される。Ｘ線検出器は、
イメージ増倍管及びビデオ・カメラ、又は２次元光検出
器アレイの前方のシンチレータの組み合わせで構成され
ていてもよい。いずれかの形式の検出器からの電気画像
信号を処理して、ビデオ・モニタ上に患者の画像を表示
する。
【０００３】画像信号は又、フィードバック・ループの
入力に印加される。このフィードバック・ループは画像
信号のレベルに応答して、制御信号を発生し、この制御
信号は、Ｘ線の照射、従って、ビデオ・モニタ上の画像
の明るさを調節する。この形式のフィードバック制御の
例が、米国特許第４，５７３，１８３号に説明されてい
る。制御信号は、Ｘ線管のバイアス及びビデオ・カメラ
の利得を調節する。このフィードバック制御ループによ
って、ビデオ・モニタに発生される画像は十分な明るさ
と、コントラストとを有しており、Ｘ線技術者又は医師
はこの画像を適切に見ることができる。
入力に印加される。このフィードバック・ループは画像
信号のレベルに応答して、制御信号を発生し、この制御
信号は、Ｘ線の照射、従って、ビデオ・モニタ上の画像
の明るさを調節する。この形式のフィードバック制御の
例が、米国特許第４，５７３，１８３号に説明されてい
る。制御信号は、Ｘ線管のバイアス及びビデオ・カメラ
の利得を調節する。このフィードバック制御ループによ
って、ビデオ・モニタに発生される画像は十分な明るさ
と、コントラストとを有しており、Ｘ線技術者又は医師
はこの画像を適切に見ることができる。
【０００４】
【発明の目的】本発明の一般的な目的は、ビデオ・モニ
タ上に表示される画像を作成するために利用されている
画像検出器の一部ではない、自動照射制御のための別個
のＸ線検出器を提供することにある。本発明のもう１つ
の目的は、Ｘ線源に対して画像検出器の前方又は後方に
配置することができるＸ線検出器を提供することにあ
る。
タ上に表示される画像を作成するために利用されている
画像検出器の一部ではない、自動照射制御のための別個
のＸ線検出器を提供することにある。本発明のもう１つ
の目的は、Ｘ線源に対して画像検出器の前方又は後方に
配置することができるＸ線検出器を提供することにあ
る。
【０００５】本発明の更にもう１つの目的は、可視画像
のアーティファクトの発生を最小限にするようにＸ線減
衰変動が最小であるこのような検出器を提供することに
ある。
のアーティファクトの発生を最小限にするようにＸ線減
衰変動が最小であるこのような検出器を提供することに
ある。
【０００６】
【発明の概要】上述の目的及び他の目的は、主表面上に
第１の電極層が形成されている基板を含んでいる自動照
射制御システム用のＸ線検出器によって達成される。半
導体材料の層が、第１の電極上に堆積されていると共
に、Ｘ線の衝突に応答して変化する電気特性を有してい
る。好ましい実施例では、この後者の層は、ＣｄＴｅ、
ＣｄＺｎＴｅ又は非晶質シリコンのような均一な半導体
材料を含んでいる。第２の電極層が、第１の電極層から
離れた半導体材料の層の上に形成されている。第１の電
極層及び第２の電極層の一方は、複数の導電性素子に分
割されており、これにより、複数の導電性素子の各々に
隣接した半導体材料の層に複数の領域を画定している。
第１の電極層が形成されている基板を含んでいる自動照
射制御システム用のＸ線検出器によって達成される。半
導体材料の層が、第１の電極上に堆積されていると共
に、Ｘ線の衝突に応答して変化する電気特性を有してい
る。好ましい実施例では、この後者の層は、ＣｄＴｅ、
ＣｄＺｎＴｅ又は非晶質シリコンのような均一な半導体
材料を含んでいる。第２の電極層が、第１の電極層から
離れた半導体材料の層の上に形成されている。第１の電
極層及び第２の電極層の一方は、複数の導電性素子に分
割されており、これにより、複数の導電性素子の各々に
隣接した半導体材料の層に複数の領域を画定している。
【０００７】半導体層は、固体イオン・チャンバとして
作用すると共に、光電池モードで動作させるか、又は光
導電性モードで動作させることができる。光電池モード
では、Ｘ線の衝撃に応答してこの層に電流が生じる。光
導電性モードでは、半導体層の導電度がＸ線によって変
化する。どちらのモードでも、各々の導電性素子と他方
の電極層との間の電流を検知することにより、種々の領
域に衝突するＸ線の強度を測定することができる。
作用すると共に、光電池モードで動作させるか、又は光
導電性モードで動作させることができる。光電池モード
では、Ｘ線の衝撃に応答してこの層に電流が生じる。光
導電性モードでは、半導体層の導電度がＸ線によって変
化する。どちらのモードでも、各々の導電性素子と他方
の電極層との間の電流を検知することにより、種々の領
域に衝突するＸ線の強度を測定することができる。
【０００８】
【実施例】図１に示すように、Ｘ線イメージング・シス
テム１４がＸ線管１５を含んでいる。Ｘ線管１５は電源
１６によって励起されたときに、Ｘ線ビーム１７を放出
する。図示するように、Ｘ線ビーム１７はＸ線透過テー
ブル２０の上に横たわっている患者１８を通り、検出器
アセンブリ２２に衝突する。検出器アセンブリ２２は、
自動照射制御（ＡＥＣ（automatic exposure contro
l））検出器２３と、イメージング装置２５とを含んで
おり、イメージング装置２５は、この実施例では、２次
元光検出器アレイ２６の前方にシンチレータ２４を配置
することにより形成されている。シンチレータ２４は、
Ｘ線陽子を可視スペクトルの低エネルギ光子に変換し、
このシンチレータと隣接している光検出器アレイ２６
は、光の光子を電気信号に変換する。シンチレータ２４
及び光検出器アレイ２６は、従来のＸ線イメージング・
システムで使用されている従来のＸ線検出器アセンブリ
の周知の構成要素である。代替的には、自動照射制御
（ＡＥＣ）検出器２３をＸ線管１５から離れた検出器ア
センブリ２２の側に配置することができる。自動照射制
御検出器２３は、他の形式のイメージング装置２５、例
えばビデオ・カメラ又はＸ線フィルムを有しているイメ
ージ増倍管と共に使用することができる。
テム１４がＸ線管１５を含んでいる。Ｘ線管１５は電源
１６によって励起されたときに、Ｘ線ビーム１７を放出
する。図示するように、Ｘ線ビーム１７はＸ線透過テー
ブル２０の上に横たわっている患者１８を通り、検出器
アセンブリ２２に衝突する。検出器アセンブリ２２は、
自動照射制御（ＡＥＣ（automatic exposure contro
l））検出器２３と、イメージング装置２５とを含んで
おり、イメージング装置２５は、この実施例では、２次
元光検出器アレイ２６の前方にシンチレータ２４を配置
することにより形成されている。シンチレータ２４は、
Ｘ線陽子を可視スペクトルの低エネルギ光子に変換し、
このシンチレータと隣接している光検出器アレイ２６
は、光の光子を電気信号に変換する。シンチレータ２４
及び光検出器アレイ２６は、従来のＸ線イメージング・
システムで使用されている従来のＸ線検出器アセンブリ
の周知の構成要素である。代替的には、自動照射制御
（ＡＥＣ）検出器２３をＸ線管１５から離れた検出器ア
センブリ２２の側に配置することができる。自動照射制
御検出器２３は、他の形式のイメージング装置２５、例
えばビデオ・カメラ又はＸ線フィルムを有しているイメ
ージ増倍管と共に使用することができる。
【０００９】検出器制御器２７が、光検出器アレイ２６
を動作させて２次元アレイの各々の光検出器素子からの
信号を読み取ることにより画像を取得するための電子回
路を含んでいる。光検出器アレイ２６からの出力信号
は、画像処理器２８に結合されており、画像処理器２８
は、Ｘ線画像信号を処理すると共に増強するための回路
を含んでいる。処理された画像は次に、ビデオ・モニタ
３２に表示され、又、画像記憶装置３０に保存されても
よい。
を動作させて２次元アレイの各々の光検出器素子からの
信号を読み取ることにより画像を取得するための電子回
路を含んでいる。光検出器アレイ２６からの出力信号
は、画像処理器２８に結合されており、画像処理器２８
は、Ｘ線画像信号を処理すると共に増強するための回路
を含んでいる。処理された画像は次に、ビデオ・モニタ
３２に表示され、又、画像記憶装置３０に保存されても
よい。
【００１０】Ｘ線イメージング・システム１４全体の動
作は、システム制御器３６によって管理されており、シ
ステム制御器３６は、操作者パネル３８を介して操作者
からの指令を受け取る。Ｘ線照射は、自動照射制御（Ａ
ＥＣ）Ｘ線検出器２３と、照射制御回路３４とを含んで
いるフィードバック・ループによって自動的に制御され
る。自動照射制御Ｘ線検出器２３は、検出器の異なる領
域に衝突するＸ線の強度に対応する複数の電気信号を発
生する。それらの信号は、操作者によって選択された所
望のＸ線線量を表すシステム制御器３６からの信号と共
に照射制御回路３４の入力に印加される。照射制御回路
３４は、これらの入力信号に応答してＸ線管電源１６に
対する指令信号を発生する。この指令信号は、Ｘ線管１
５に対するバイアス電圧及びフィラメント電流レベルを
画定して、所望のＸ線線量を発生する。Ｘ線照射の間
に、照射制御回路３４は、患者１８を通過しているＸ線
の強度を示す自動照射制御検出器信号に応答して、Ｘ線
管１５に対するバイアス電圧及びフィラメント電流を増
減させることにより、満足できる画像のための最適なＸ
線照射を達成する。
作は、システム制御器３６によって管理されており、シ
ステム制御器３６は、操作者パネル３８を介して操作者
からの指令を受け取る。Ｘ線照射は、自動照射制御（Ａ
ＥＣ）Ｘ線検出器２３と、照射制御回路３４とを含んで
いるフィードバック・ループによって自動的に制御され
る。自動照射制御Ｘ線検出器２３は、検出器の異なる領
域に衝突するＸ線の強度に対応する複数の電気信号を発
生する。それらの信号は、操作者によって選択された所
望のＸ線線量を表すシステム制御器３６からの信号と共
に照射制御回路３４の入力に印加される。照射制御回路
３４は、これらの入力信号に応答してＸ線管電源１６に
対する指令信号を発生する。この指令信号は、Ｘ線管１
５に対するバイアス電圧及びフィラメント電流レベルを
画定して、所望のＸ線線量を発生する。Ｘ線照射の間
に、照射制御回路３４は、患者１８を通過しているＸ線
の強度を示す自動照射制御検出器信号に応答して、Ｘ線
管１５に対するバイアス電圧及びフィラメント電流を増
減させることにより、満足できる画像のための最適なＸ
線照射を達成する。
【００１１】本発明は、図２に示された自動照射制御
（ＡＥＣ）検出器２３の独特の多層構造に関する。活性
層は基板４０の表面上に形成されており、基板４０は、
マトリクス材料内に繊維を含有している低密度炭素合成
物材料を含んでいることが好ましい。このような従来の
炭素合成物の使用は、自動照射制御検出器２３が光検出
器アレイ２６の前方に配置されるときに特に望ましい。
この低密度材料はＸ線を透過して、Ｘ線を一様に減衰さ
せるからである。その結果、炭素合成物は光検出器アレ
イ２６の発生する信号にアーティファクトを生じさせな
いので、自動照射制御Ｘ線検出器２３をシンチレータ２
４及び光検出器アレイ２６の前方に配置することができ
る。自動照射制御検出器２３が光検出器アレイ２６の離
れた側に配置されたときに、基板４０のＸ線透過特性は
重要ではなく、他の材料を用いてもよい。
（ＡＥＣ）検出器２３の独特の多層構造に関する。活性
層は基板４０の表面上に形成されており、基板４０は、
マトリクス材料内に繊維を含有している低密度炭素合成
物材料を含んでいることが好ましい。このような従来の
炭素合成物の使用は、自動照射制御検出器２３が光検出
器アレイ２６の前方に配置されるときに特に望ましい。
この低密度材料はＸ線を透過して、Ｘ線を一様に減衰さ
せるからである。その結果、炭素合成物は光検出器アレ
イ２６の発生する信号にアーティファクトを生じさせな
いので、自動照射制御Ｘ線検出器２３をシンチレータ２
４及び光検出器アレイ２６の前方に配置することができ
る。自動照射制御検出器２３が光検出器アレイ２６の離
れた側に配置されたときに、基板４０のＸ線透過特性は
重要ではなく、他の材料を用いてもよい。
【００１２】一様な第１の電極層４２が基板４０の一方
の側の主表面全体の上方に形成されており、高電圧バイ
アス電極として作用する。第１の電極層４２は、従来の
技術によって堆積されたメタライゼーション又は、酸化
インジウムのような他の導電性材料によって形成されて
いる。第１の電極層４２は、それを通過するＸ線の減衰
を最小限にするために、比較的薄くなっている。
の側の主表面全体の上方に形成されており、高電圧バイ
アス電極として作用する。第１の電極層４２は、従来の
技術によって堆積されたメタライゼーション又は、酸化
インジウムのような他の導電性材料によって形成されて
いる。第１の電極層４２は、それを通過するＸ線の減衰
を最小限にするために、比較的薄くなっている。
【００１３】分子線エピタキシャル堆積されたＣｄＴ
ｅ、ＣｄＺｎＴｅ、非晶質シリコン又は他の半導体材料
のような薄い半導体層４４が、第１の電極層４２の上方
に伸びている。半導体層４４はＸ線に対する応答がよ
く、Ｘ線を効率よく電気信号に変換し、一様にＸ線を透
過すると共に、Ｘ線に対して長期間安定である。半導体
材料層４４は均一である、即ち、ｐ−ｎ接合が形成され
ないことが好ましい。このようにして、半導体材料は、
層に衝突するＸ線の強度に比例して帯電イオンが形成さ
れる固体イオン化室として作用する。イオンを収集して
電気信号を形成することにより、Ｘ線強度を測定するこ
とができる。
ｅ、ＣｄＺｎＴｅ、非晶質シリコン又は他の半導体材料
のような薄い半導体層４４が、第１の電極層４２の上方
に伸びている。半導体層４４はＸ線に対する応答がよ
く、Ｘ線を効率よく電気信号に変換し、一様にＸ線を透
過すると共に、Ｘ線に対して長期間安定である。半導体
材料層４４は均一である、即ち、ｐ−ｎ接合が形成され
ないことが好ましい。このようにして、半導体材料は、
層に衝突するＸ線の強度に比例して帯電イオンが形成さ
れる固体イオン化室として作用する。イオンを収集して
電気信号を形成することにより、Ｘ線強度を測定するこ
とができる。
【００１４】半導体層４４の上面には、第２の電極層４
６が配置されている。第２の電極層４６は、半導体層の
異なる領域に衝突するＸ線の検知を可能とするパターン
を成した複数の導電性素子４７及び４８を含んでいる。
第２の電極層４６は、それを通過するＸ線の減衰を最小
限にするように比較的薄くなっている。導電性素子５１
〜６６のパターンの例が図３に示されている。このパタ
ーンは、半導体層４４の表面上の長方形素子の４×４の
マトリクスである。自動照射制御検出器２３の１つの縁
７１に沿った４つの導電性素子５１、５５、５９及び６
３は、その縁７１に沿った第１の余白（マージン）７０
の個々の接触パッド６８に電気的に接続されている。４
つの接触パッド７２の付加的な組が第１の余白７０に形
成されており、導電性のストリップ（線条）が４つの接
触パッド７２から外側の電極素子の間を通って内側の電
極素子５２、５６、６０及び６４へ伸びている。自動照
射制御検出器２３の反対側７３は、第２の余白７４を有
しており、４つの接触パッド７６が第２の余白にすぐ隣
り合った外側の電極素子５４、５８、６２及び６６に接
続されている。４つの接触パッド７８のもう１つの組が
第２の余白７４内に形成されており、別個の導線が４つ
の接触パッド７８から外側の電極素子の間を通って４つ
の内側の電極素子５３、５７、６１及び６５へ伸びてい
る。第２の余白７４は付加的な接触パッド８０を有して
いる。付加的な接触パッド８０は、半導体層４４の開口
を通って伸びて、第１の電極層４２との電気的接触を形
成している。複数の接触パッド６８、７２、７６、７８
及び８０は、個々のワイヤによって照射制御回路３４の
別々の入力に接続されている。
６が配置されている。第２の電極層４６は、半導体層の
異なる領域に衝突するＸ線の検知を可能とするパターン
を成した複数の導電性素子４７及び４８を含んでいる。
第２の電極層４６は、それを通過するＸ線の減衰を最小
限にするように比較的薄くなっている。導電性素子５１
〜６６のパターンの例が図３に示されている。このパタ
ーンは、半導体層４４の表面上の長方形素子の４×４の
マトリクスである。自動照射制御検出器２３の１つの縁
７１に沿った４つの導電性素子５１、５５、５９及び６
３は、その縁７１に沿った第１の余白（マージン）７０
の個々の接触パッド６８に電気的に接続されている。４
つの接触パッド７２の付加的な組が第１の余白７０に形
成されており、導電性のストリップ（線条）が４つの接
触パッド７２から外側の電極素子の間を通って内側の電
極素子５２、５６、６０及び６４へ伸びている。自動照
射制御検出器２３の反対側７３は、第２の余白７４を有
しており、４つの接触パッド７６が第２の余白にすぐ隣
り合った外側の電極素子５４、５８、６２及び６６に接
続されている。４つの接触パッド７８のもう１つの組が
第２の余白７４内に形成されており、別個の導線が４つ
の接触パッド７８から外側の電極素子の間を通って４つ
の内側の電極素子５３、５７、６１及び６５へ伸びてい
る。第２の余白７４は付加的な接触パッド８０を有して
いる。付加的な接触パッド８０は、半導体層４４の開口
を通って伸びて、第１の電極層４２との電気的接触を形
成している。複数の接触パッド６８、７２、７６、７８
及び８０は、個々のワイヤによって照射制御回路３４の
別々の入力に接続されている。
【００１５】図３には長方形電極素子の４×４のマトリ
クスが示されているが、第２の電極層４６の個々の電極
素子の他の幾何学的マトリクス・パターン及び形状は、
本発明の範囲内にある。更に、電極素子は、基板の表面
全体の上方に間隔を置いて配置されている必要はなく、
自動照射制御のために望ましいＸ線検知の程度に応じて
表面上に周期的に、又は隅（コーナ）だけに配置されて
いてもよい。
クスが示されているが、第２の電極層４６の個々の電極
素子の他の幾何学的マトリクス・パターン及び形状は、
本発明の範囲内にある。更に、電極素子は、基板の表面
全体の上方に間隔を置いて配置されている必要はなく、
自動照射制御のために望ましいＸ線検知の程度に応じて
表面上に周期的に、又は隅（コーナ）だけに配置されて
いてもよい。
【００１６】半導体層４４は任意の普通の固体モード、
例えば光電池モード又は光導電性モードで動作するよう
に構成することができる。照射制御回路３４は、第１の
電極層４２と第２の電極層４６の電極素子５１〜６６の
各々との間の半導体材料に発生する電気信号を選択的に
検知する。その際に、照射制御回路３４は、第１の電極
層４２に高電圧を印加して半導体層４４をバイアスする
ことにより、Ｘ線で誘起された電荷をその中で流し、収
集する。電荷を収集することにより、第１の電極層４２
と第２の電極層４６との間に電気信号が発生する。この
電気信号は、第２の電極層４６の電極素子５１〜６６の
各々の信号を検出することにより、局所的に検知するこ
とができる。
例えば光電池モード又は光導電性モードで動作するよう
に構成することができる。照射制御回路３４は、第１の
電極層４２と第２の電極層４６の電極素子５１〜６６の
各々との間の半導体材料に発生する電気信号を選択的に
検知する。その際に、照射制御回路３４は、第１の電極
層４２に高電圧を印加して半導体層４４をバイアスする
ことにより、Ｘ線で誘起された電荷をその中で流し、収
集する。電荷を収集することにより、第１の電極層４２
と第２の電極層４６との間に電気信号が発生する。この
電気信号は、第２の電極層４６の電極素子５１〜６６の
各々の信号を検出することにより、局所的に検知するこ
とができる。
【００１７】このようにして、照射制御回路３４は、自
動照射制御検出器２３の異なる部分に衝突するＸ線の強
度を検出して、それらの種々の信号サンプルから、最適
な画像作成のための望ましいＸ線線量を生じる電源指令
を決定することができる。上述の説明は主として、本発
明の実施例を対象としている。本発明の範囲内の種々の
代替案に注目したが、当業者はそれらの実施例の開示か
ら明らかとなる付加的な代替案をはっきりと理解するで
あろう。従って、本発明の要旨は、特許請求の範囲から
判断すべきものであって、上述の開示によって限定され
るものではない。
動照射制御検出器２３の異なる部分に衝突するＸ線の強
度を検出して、それらの種々の信号サンプルから、最適
な画像作成のための望ましいＸ線線量を生じる電源指令
を決定することができる。上述の説明は主として、本発
明の実施例を対象としている。本発明の範囲内の種々の
代替案に注目したが、当業者はそれらの実施例の開示か
ら明らかとなる付加的な代替案をはっきりと理解するで
あろう。従って、本発明の要旨は、特許請求の範囲から
判断すべきものであって、上述の開示によって限定され
るものではない。
【図１】本発明を利用したＸ線透視のブロック図であ
る。
る。
【図２】図１に示す自動照射制御器用Ｘ線検出器の横断
面図である。
面図である。
【図３】自動照射制御器用Ｘ線検出器の上面図である。
２２ 検出器アセンブリ ２３ 自動照射制御（ＡＥＣ）検出器 ２４ シンチレータ ２６ ２次元光検出器アレイ ４０ 基板 ４２ 第１の電極層 ４４ 半導体層 ４６ 第２の電極層 ４７、４８、５１〜６６ 導電性素子
Claims (4)
- 【請求項１】 主表面を有している基板と、 前記主表面上の第１の電極層と、 該第１の電極上に堆積しており、Ｘ線の衝突に応答して
変化する電気特性を有している半導体材料の層と、 該半導体材料の層の上に且つ前記第１の電極層から遠く
離れて設けられている第２の電極層とを備えており、 前記第１の電極層及び前記第２の電極層の一方は、複数
の導電性素子に分割されており、これにより、前記半導
体材料の層に複数の領域を画定しており、該領域の各々
は、前記複数の導電性素子の１つと隣接している自動照
射制御システム用のＸ線検出器。 - 【請求項２】 前記複数の導電性素子は、Ｘ×Ｙのマト
リクスに配置されており、Ｘ及びＹは、正の整数である
請求項１に記載のＸ線検出器。 - 【請求項３】 主表面を有している基板と、 前記主表面上に単一の電極を形成している導電性材料の
第１の層と、 第１の電極上に堆積していると共に、前記第１の電極と
向かい合った表面を有している半導体材料の第２の層で
あって、該半導体材料は、Ｘ線の衝突に応答して変化す
る電気特性を有している、半導体材料の第２の層と、 該半導体材料の層の表面上に設けられており、複数の電
極素子に分割されている導電性材料の第３の層であっ
て、これにより、前記半導体材料の層に複数の領域を画
定しており、該領域の各々は、前記複数の電極素子の１
つと隣接している、導電性材料の第３の層とを備えた自
動照射制御システム用のＸ線検出器。 - 【請求項４】 Ｘ線を可視光に変換する変換器と、 該変換器から受け取った可視光を電気画像信号に変換す
るイメージング装置と、 前記変換器及び前記イメージング装置の一方に隣接して
いる自動照射制御Ｘ線検出器であって、 （ａ） 主表面を有している基板と、 （ｂ） 前記主表面上の第１の電極層と、 （ｃ） 該第１の電極上に堆積しており、Ｘ線の衝突に
応答して変化する電気特性を有している半導体材料の層
と、 （ｄ） 該半導体材料の層の上に且つ前記第１の電極層
から遠く離れて設けられている第２の電極層とを含んで
いる、自動照射制御Ｘ線検出器とを備えており、 前記第１の電極層及び前記第２の電極層の一方は、複数
の導電性素子に分割されており、これにより、前記半導
体材料の層に複数の領域を画定しており、該領域の各々
は、前記複数の導電性素子の１つと隣接している医用イ
メージング・システム用のＸ線検出器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/572,409 US5585638A (en) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | X-ray detector for automatic exposure control of an imaging apparatus |
| US08/572409 | 1995-12-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09257947A true JPH09257947A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=24287684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8327398A Withdrawn JPH09257947A (ja) | 1995-12-14 | 1996-12-09 | 自動照射制御システム用のｘ線検出器及び医用イメージング・システム用のｘ線検出器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5585638A (ja) |
| EP (1) | EP0779521A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09257947A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006013451A (ja) * | 2004-05-11 | 2006-01-12 | General Electric Co <Ge> | 計算機式断層写真法（ｃｔ）検出器の製造方法 |
| WO2012014538A1 (ja) * | 2010-07-26 | 2012-02-02 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出パネル |
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| JP3554172B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2004-08-18 | キヤノン株式会社 | 放射線撮影装置 |
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| US6285028B1 (en) * | 1998-06-02 | 2001-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor radiation detector and nuclear medicine diagnostic apparatus |
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1996
- 1996-12-09 JP JP8327398A patent/JPH09257947A/ja not_active Withdrawn
- 1996-12-10 EP EP96308922A patent/EP0779521A1/en not_active Withdrawn
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|---|---|
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