JPH09257441A - 反射面を有するワークの検査方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】反射鏡上の欠陥を検査する。 【解決手段】治具１２の白色の載置面（拡散反射面）１
２Ａと反射鏡１５の反射面１６に斜め上方から拡散光を
照射し、主走査方向に光電変換画素Ｐが連結されたリニ
アセンサ２２を反射面１６に対向して配置し、リニアセ
ンサ２２の主走査区間ＭＳで電気的に走査する。得られ
た電気信号Ｓ１０１のレベルを予め定めた閾値ＴＬＡと
比較し、電気信号Ｓ１０１のレベルが変化するエッジと
閾値ＴＬＡとの交点が、１回の主走査で２回（エッジＥ
１１、Ｅ１２：図９Ｃ）のときに反射鏡１５が欠陥を有
していないと判定することができる。４回（エッジＥ１
１、Ｅ１２′、Ｅ１３′、Ｅ１４：図９Ｄ）のときに
は、欠陥が１箇所存在することになる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、反射面を有する
ワーク（被検査試料）、例えば、反射鏡（コンパクト、
車両用のドアミラー、バックミラー、サイドアンダーミ
ラー、平滑な表面を有する金属等も含む。）に適用して
好適な反射面を有するワークの検査方法およびその装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】表面が平滑にされた精密加工品の表面の
欠陥を検査する第１の従来技術が、特開昭６２−２８７
１３４号公報に公表されている。

【０００３】この技術は反射照明法を利用したもので、
図１３に示すように、ＩＴＶカメラ１の光軸上から落射
照明し、すなわち、光源２から出射した光をハーフミラ
ー３を介して反射し、背景反射板４上に配置されたワー
ク５を照明する。この場合、背景反射板４は、ワーク５
と同物質で同加工程度のもので反射性状が同一のものが
採用されている。

【０００４】これら背景反射板４とワーク５からの反射
光がハーフミラー３を介してＩＴＶカメラ１で受光され
る。受光された反射光はＩＴＶカメラ１内で全視野をラ
イン分割され、ライン毎に走査場所の光量に応じたアナ
ログ信号に変換される。途中に欠陥部６がある場合に
は、反射光が乱反射され、正常面７より光量が少なくな
る。

【０００５】そこで、ＩＴＶカメラ１からのアナログ信
号が供給される処理部８に適当な閾値レベルを設定する
ことで、背景反射板４とワーク５上の正常面７からの反
射光に対応するアナログ信号のレベルをハイレベルに対
応させ、閾値レベル以下のレベルとなる欠陥部６からの
反射光に対応するアナログ信号のレベルをローレベルに
対応させることで、欠陥部６の存在を特定することがで
きるとされている。

【０００６】また、光沢表面を持つワーク、例えば、飲
料用缶の蓋金の表面に付着した汚れを検査する第２の従
来技術が、特開平４−６６８４９号公報に公表されてい
る。

【０００７】この技術は、基本的には、前記ワークに拡
散光を当て、ワーク表面の画像をカメラで撮像し、撮像
した画像に基づいてワーク表面に付着した汚れを検査す
るものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
１の従来の技術では、ハーフミラー３を使用しているた
め、以下に説明する種々の問題が存在する。

【０００９】ハーフミラー３は比較的に高価である。

【００１０】ハーフミラー３により光量が低下するため
に、光出力の大きな光源２を使用する必要がある。

【００１１】ＩＴＶカメラ１の光軸とハーフミラー３を
介してワーク５を照射する光の行路とを平行にする必要
があるため、ハーフミラー３の角度調整、保持具が複雑
となる。

【００１２】上記第１の従来の技術の他の問題として、
エリアセンサであるＩＴＶカメラ１の画素数は、例え
ば、６４０個×４００個程度であり、１ライン当たりの
光電変換画素数が６４０画素程度であることから、細か
い欠陥を高精度に検出することができないという問題も
ある。

【００１３】また、上記第２の従来技術では、カメラ
が、第１の従来技術と同様にエリアセンサと考えられ、
かつ検査方法が、撮像した画像に基づいてワーク表面に
付着した汚れを検査するという漠然とした方法であり、
細かい欠陥を簡易に検査することができないという問題
がある。

【００１４】この発明はこのような課題を考慮してなさ
れたものであり、簡単な構成で、反射面の比較的小さな
欠陥をも正確に検出することを可能とする反射面を有す
るワークの検査方法およびその装置を提供することを目
的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】例えば、図面に示すよう
に、第１のこの発明は、反射面１６を有するワーク１５
の検査方法において、第１の暗室２７内で実施される反
射面に対する第１の欠陥検査工程と第２の暗室１２７内
で実施される反射面に対する第２の欠陥検査工程とを有
し、第１の欠陥検査工程では、拡散反射面１２Ａを有す
る治具１２上に反射面を有するワークを配置し、反射面
および拡散反射面に斜め上方から平行光ＬＰを照射し、
反射面および拡散反射面に対向して配置され、主走査方
向Ａに光電変換画素が連結されたリニアセンサ２２によ
り、反射面および拡散反射面上を主走査し、拡散反射面
の一方の側からの拡散反射光、反射面からの散乱光、拡
散反射面の他方の側からの拡散反射光の順に受光して電
気信号Ｓ１に変換し、この電気信号のレベルと第１の閾
値ＴＬとを比較し、電気信号のレベルが変化するエッジ
と第１の閾値との交点の数により反射面を有するワーク
の散乱光発生部分６２を欠陥として検出するものであ
り、第２の欠陥検査工程では、拡散反射面を有する治具
上に反射面を有するワークを配置し、反射面および前記
拡散反射面に斜め上方から拡散光ＬＤを照射し、反射面
および拡散反射面から反射される拡散光の反射光を受光
する位置に配置され、主走査方向に光電変換画素が連結
されたリニアセンサ１２２により、反射面および拡散反
射面上を主走査し、拡散反射面の一方の側からの拡散反
射光、反射面からの反射光、拡散反射面の他方の側から
の拡散反射光の順に受光して電気信号Ｓ１０１に変換
し、この電気信号のレベルと第２の閾値ＴＬＡとを比較
し、電気信号のレベルが変化するエッジと第２の閾値と
の交点の数により前記反射面を有するワークの反射光低
下部分を欠陥として検出するものであることを特徴とす
る。

【００１６】この第１の発明によれば、ワークの反射面
と治具の拡散反射面に対して斜め上方から平行光と拡散
光を交互に照射し、平行光照射に対する反射光と拡散光
照射に対する反射光とをそれぞれ電気信号に変換した
後、各電気信号を第１および第２の閾値とそれぞれ比較
して、電気信号のレベルが変化するエッジと各閾値との
交点の数により反射面を有するワークの２種類の欠陥
（ワークのキズ等の散乱光発生部分、ワークのシミ
（染）、曇り等の反射光低下部分）を検査することがで
きる。

【００１７】第２のこの発明は、第１の発明において、
１回の主走査につき、第１の欠陥検査工程における第１
の閾値との交点の数が４個（図５Ｃ中、エッジ、、
、参照）、第２の欠陥検査工程における第２の閾値
との交点の数が２個（図９Ｃ中、エッジＥ１１、Ｅ１２
参照）のときに、それぞれワークが欠陥を有していない
と判定することを特徴とする。

【００１８】この第２の発明によれば、ワークの前記２
種類の欠陥を機械的（自動的）に判断することができ
る。

【００１９】第３のこの発明は、拡散反射面１２Ａを有
する治具１２が配置される暗室と、拡散反射面上に配置
される反射面を有するワーク１５と、反射面および拡散
反射面に斜め上方から平行光ＬＰまたは拡散光ＬＤを切
り替えて照射する光照射手段２５、１２５（図６参照、
図１０では参照符号２５と２２１とが対応する。）と、
反射面および拡散反射面に対向して配置され、主走査方
向Ａに光電変換画素が連結されたリニアセンサ２２、１
２２（図６参照、図１０では参照符号２２２が対応す
る。）と、このリニアセンサに接続される検査手段４１
とを有し、リニアセンサ２２（２２２）は、平行光が照
射されているとき、反射面および拡散反射面上を主走査
し、拡散反射面の一方の側からの拡散反射光、反射面か
らの散乱光、拡散反射面の他方の側からの拡散反射光の
順に受光して電気信号Ｓ１に変換し、検査手段は、この
電気信号のレベルと第１の閾値ＴＬとを比較し、電気信
号のレベルが変化するエッジと第１の閾値との交点の数
により反射面を有するワークの散乱光発生部分６２を欠
陥として検出し、リニアセンサ１２２（２２２）は、拡
散光が照射されているとき、反射面および拡散反射面上
を主走査し、拡散反射面の一方の側からの拡散反射光、
反射面からの反射光、拡散反射面の他方の側からの拡散
反射光の順に受光して電気信号Ｓ１０１に変換し、検査
手段は、この電気信号のレベルと第２の閾値ＴＬＡとを
比較し、電気信号のレベルが変化するエッジと第２の閾
値との交点の数により反射面を有するワークの反射光低
下部分１６２を欠陥として検出することを特徴とする。

【００２０】この第３の発明によれば、第１の発明と同
様の作用効果を有するとともに、１つの暗室で検査装置
を構成することができる。

【００２１】第４のこの発明は、第３の発明において、
平行光照射に対する反射光の電気信号と第１の閾値との
交点の数が４個（図５Ｃ中、エッジ、、、参
照）、拡散光照射に対する反射光の電気信号と第２の閾
値との交点の数が２個（図９Ｃ中、エッジＥ１１、Ｅ１
２参照）のときに、それぞれワークが欠陥を有していな
いと判定することを特徴とする。

【００２２】この第４の発明によれば、ワークの前記２
種類の欠陥を機械的（自動的）に判断することができ
る。

【００２３】第５のこの発明は、暗室１２７内に反射面
１６を有するワーク１５の前記反射面に斜め上方から拡
散光ＬＤを照射し、反射面から反射される拡散光の反射
光ＬＤＲを受光する位置に配置され、主走査方向Ａに光
電変換画素が連結されたリニアセンサ１２２により、反
射面上を主走査し、反射面からの反射光を受光して電気
信号Ｓ１０１に変換し、この電気信号Ｓ１０１のレベル
と閾値ＴＬＡとを比較し、電気信号のレベルが変化する
エッジと閾値ＴＬＡとの交点の数により反射面を有する
ワークの反射光低下部分を欠陥として検出することを特
徴とする。

【００２４】この第５の発明によれば、ワークの反射光
低下部分としての反射面の曇り、シミを簡易な構成で検
出することができる。

【００２５】第６のこの発明は、暗室１２７内に配置さ
れ、かつ拡散反射面１２Ａを有する治具１２上に反射面
を有するワークを配置し、反射面および拡散反射面に斜
め上方から拡散光ＬＤを照射し、反射面および拡散反射
面から反射される拡散光の反射光ＬＤＲを受光する位置
に配置され、主走査方向Ａに光電変換画素が連結された
リニアセンサ１２２により、反射面および拡散反射面上
を主走査し、拡散反射面の一方の側からの拡散反射光、
反射面からの反射光、拡散反射面の他方の側からの拡散
反射光の順に受光して電気信号Ｓ１０１に変換し、この
電気信号のレベルと閾値ＴＬＡとを比較し、電気信号の
レベルが変化するエッジと閾値との交点の数により反射
面を有するワークの反射光低下部分を欠陥として検出す
ることを特徴とする。

【００２６】この第６の発明によれば、反射面の曇り、
シミを簡易な構成でより効率的に検出することができ
る。

【００２７】第７のこの発明は、第６の発明において、
１回の主走査につき、閾値との交点の数が２個のとき
に、ワークが欠陥を有していないと判定することを特徴
とする。

【００２８】この第７の発明によれば、ワークの欠陥を
機械的（自動的）に判断することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態に
ついて図面を参照して説明する。

【００３０】図１は、第１の実施の形態（以下に詳しく
説明するように、第１の検査工程が実施される第１の暗
室と第２の検査工程が実施される第２の暗室とを有し、
ワークとしての反射鏡に存在する欠陥であるキズと曇り
等を各々別の光学系で別々に測定検査する実施の形態）
が適用された反射鏡の検査装置の概略的な一部断面構成
を示している。

【００３１】この反射鏡の検査装置は、ベース１１上に
矢印Ｂ方向（副走査方向Ｂという。）に治具１２を移送
するコンベア１３が配置されている。コンベア１３は、
後述するサーボモータ１４により駆動される。

【００３２】治具１２上には、反射面（平面にかぎら
ず、円筒面、球面等の曲面でもよい。）を有するワーク
（被検査試料）である反射鏡１５が位置決め配置固定さ
れている。なお、ワークとしての反射鏡１５には、表面
が研磨された金属も含まれる。

【００３３】この実施の形態において、反射鏡１５は、
表面が平滑なガラスの一面（裏面側）に誘電体層薄膜や
金属薄膜が蒸着されたものを使用している。

【００３４】ベース１１上には、支柱２１、１２１が固
定され、この支柱２１、１２１に電荷転送手段からなる
ＣＣＤリニアセンサ（ライン状撮像手段）２２、１２２
を有するＣＣＤカメラ２３、１２３が位置決め固定され
ている。ＣＣＤリニアセンサ２２、１２２は、主走査方
向（図１において、紙面と直交する方向）Ａに約５００
０個の光電変換画素（撮像素子、電荷転送素子）が連結
された構成を有している。

【００３５】一方のＣＣＤリニアセンサ２２の撮像面
が、図１中、右側の反射鏡１５の反射面（上記のように
反射鏡１５は、ガラスの一面に反射膜としての薄膜が蒸
着されており、そのガラスに欠陥のない場合、光は、そ
のガラスに入射して薄膜で反射し、その反射光がガラス
から出射するが、そのガラス側から見た薄膜の面）１６
に撮像レンズ１２４を介して対向（平行）する構成にな
っている。

【００３６】図１中、右側に示す反射面１６の撮像状態
において、反射鏡１５の真上にＣＣＤカメラ２３の光軸
が配置されており、また、反射鏡１５の反射面１６と治
具１２の表面に対して斜め上方に配置された光源（平行
光照射手段）２５から平行光ＬＰが照射されている。

【００３７】光源２５は、この実施の形態において、放
物面鏡を有する光源が採用され、ランプとしてはキセノ
ンランプが用いられて、いわゆる人工太陽光照明がなさ
れている。平行光ＬＰの波長は３８０〜７６０ｎｍ（ナ
ノメータ）の可視光である。また、平行光ＬＰの色温度
は５０００〜６０００Ｋ（ケルビン）の範囲である。

【００３８】光源２５は、支柱２６の一端部に設けられ
た軸３４を基準に矢印Ｃ方向に回動自在に構成されてお
り、支柱２６の他端部は、第１の暗室２７の天井（上面
ともいう。）に固定されている。

【００３９】他方のＣＣＤリニアセンサ１２２の撮像面
が、図１中、左側の反射鏡１５の反射面１６に、撮像レ
ンズ１２４を介して斜めに対向する構成になっている。

【００４０】すなわち、図１中、左側に示す反射面１６
の撮像状態において、反射鏡１５の斜め上方にＣＣＤカ
メラ１２３の光軸が配置されており、また、反射鏡１５
の反射面１６と治具１２の表面に対して斜め上方に配置
された光源（拡散光照射手段）１２５から拡散光ＬＤが
照射されている。

【００４１】この場合、ＣＣＤカメラ１２３自身が反射
面１６を介して撮像されないように、撮像レンズ１２４
としては、被写界深度の浅いレンズを用いる。

【００４２】光源１２５は、この実施の形態において、
紙面と直交する方向、すなわち主走査方向Ａに配置され
た蛍光灯１３１から出射される拡散光をアクリル等プラ
スチックの白色透過板１３２を介して均一な拡散光ＬＤ
として反射鏡１５に照射するようにしている。

【００４３】光源１２５は、上下方向に移動可能なスラ
イド部材１３４を介して支柱１２６に固定されており、
支柱１２６は、ベース１１上に固定されている。

【００４４】光源１２５およびＣＣＤカメラ１２３等
は、第２の暗室１２７内に配置されている。

【００４５】この実施の形態において、暗室２８は、第
１の暗室２７と第２の暗室１２７とに仕切壁１３９によ
り区分され、第１の暗室２７内に、反射鏡１５の散乱光
発生部分、例えば、ガラスの表面に付いたキズを欠陥と
して検出するための部材が配置され、第２の暗室１２７
内に、反射鏡１５の反射光低下部分、例えば、ガラス内
のいわゆる曇りを欠陥として検出するための部材が配置
されている。なお、仕切壁１３９は、光源２５を交互に
点灯して、キズと曇りの検査を交互に行うように構成し
た場合、あるいは一方の光源２５（または光源１２５）
からの直接光または反射鏡１５を含む各部分からの反射
光が他方のＣＣＤカメラ１２３（またはＣＣＤカメラ２
３）により撮像されないように配置構成した場合には、
取り去ることが可能であり、２つの暗室２７、１２７を
１つの暗室に統合することができる。

【００４６】図１において、暗室２７、１２７は、内壁
２９、１２９が黒色とされ、できるだけ光を反射しない
ように構成されている。

【００４７】図２は、治具１２に反射鏡１５が配置され
た状態を平面的に見た図である。治具１２の表面（載置
面ともいう。）１２Ａは、拡散反射面（散乱面）とする
ために、艶消しの白色塗装面とされている。反射鏡１５
は、複数の白色のボス１８により載置面１２Ａ上に位置
決め固定されている。なお、載置面１２Ａおよび白色の
ボス１８は、光の散乱面であって明度が高い色であれば
よいので、金属の梨地面（銀色、灰色）を利用したもの
であってもよい。

【００４８】再び、図１において、暗室２７、１２７の
上面２８には、暗室２７、１２７に共通の開口部３０が
設けられ、この開口部３０には、エアクリーナ（空気清
浄機）３１の送風口３２が臨む。エアクリーナ３１の送
風口３２から送り出されるクリーンエア（清浄空気）３
３は、暗室２７、１２７内を下方に進み、暗室２７、１
２７内に漂う塵埃や、反射面１６に載っているごみとと
もに、暗室２７、１２７のそれぞれ側面下部に設けられ
た外気との連通路３５、３６から暗室２７、１２７の外
側に流れるように構成されている。

【００４９】なお、連通路（搬入口または挿入口ともい
う。）３５と連通路（排出口または搬出口ともいう。）
３６は、それぞれ、反射鏡１５が固定された治具１２の
暗室２７内への挿入口（搬入口）と暗室１２７からの排
出口（搬出口）を兼用している。

【００５０】この実施の形態において、暗室２７と暗室
１２７とは、中間の連通口１４０を介して連通され、コ
ンベア１３により暗室２７の挿入口３５から搬入された
ワークである反射鏡１５の第１の検査工程（キズ検査工
程ともいう。）が、暗室２７内において実施され、第１
の検査工程実施後の反射鏡１５が連通口１４０を通じて
第２の暗室１２７内に配置され、反射鏡１５の第２の検
査工程（曇り検査工程ともいう。）が暗室１２７内にお
いて実施される。第２の検査工程の終了後に反射鏡１５
はコンベア１３により搬出口３６から搬出される。

【００５１】図３は、図１に示す反射鏡の検査装置の電
気的・制御的構成を示している。なお、図３において、
図１および図２に示したものと同一のものには同一の符
号を付けてその詳細な説明を省略する。

【００５２】反射鏡１５を載せた治具１２がコンベア１
３により副走査方向Ｂに搬送される。この場合、コンベ
ア１３の副走査方向Ｂに沿って、所定箇所に複数個のリ
ミットスイッチ等の位置センサ（リミットスイッチとも
いう。）１９が配置され、その複数個の位置センサ１９
の出力信号がシーケンサ５１に供給される。

【００５３】上流側のＣＣＤカメラ２３を構成する信号
処理・駆動回路４７により、ＣＣＤリニアセンサ２２を
構成する光電変換画素群が走査されることで、反射面１
６と治具１２の載置面１２Ａを含む主走査方向Ａ上の撮
像が行われる。この場合、平行光ＬＰが反射面１６と治
具１２の載置面１２Ａに対して斜め上方から照射されて
いるので、正反射光ＬＲは、ＣＣＤカメラ２３の視野範
囲に入らない。したがって、正反射光ＬＲは受光されな
いが、反射面１６上のキズ等によって乱反射した散乱光
ＬＳＡと載置面１２Ａからの乱反射による散乱光ＬＳＢ
がＣＣＤカメラ２３を構成する撮像レンズ２４を介して
ＣＣＤリニアセンサ２２により受光（撮像）されること
になる。

【００５４】この場合、ＣＣＤカメラ２３も黒色とされ
ており、また、このＣＣＤカメラ２３には光が当たらな
いことから、反射鏡１５の反射面１６に写ることがな
く、ＣＣＤカメラ２３自体の写り込みが発生することが
ない。

【００５５】一方、下流側のＣＣＤカメラ１２３を構成
する信号処理・駆動回路１４７により、ＣＣＤリニアセ
ンサ１２２を構成する光電変換画素群が走査されること
で、反射面１６と治具１２の載置面１２Ａを含む主走査
方向Ａ上の撮像が行われる。この場合、拡散光ＬＤが反
射面１６と治具１２の載置面１２Ａに対して斜め上方か
ら照射されているので、拡散光ＬＤの反射光ＬＤＲによ
る反射面１６の像がＣＣＤカメラ１２３を構成する撮像
レンズ１２４を介してＣＣＤリニアセンサ１２２により
受光（撮像）される。

【００５６】この場合、ＣＣＤカメラ１２３の撮像レン
ズ１２４は、被写界深度の浅いレンズを用いているの
で、反射面１６の表面近傍のみにピントが合い、ＣＣＤ
カメラ１２３自体の写り込みが発生することがない。

【００５７】信号処理・駆動回路４７、１４７は、コン
ピュータ４１からの指示に基づき、ＣＣＤリニアセンサ
２２、１２２の読み出しタイミング、電子シャッタ時間
等の各種タイミングを制御したり、ＣＣＤリニアセンサ
２２、１２２を電気的に走査して得られる光電変換信号
を電気信号（アナログ信号、アナログ電気信号、光電変
換信号または光電変換電気信号ともいう。）Ｓ１、Ｓ１
０１に変換して８ビットのＡ／Ｄ変換器４８、１４８に
供給する。

【００５８】アナログ電気信号Ｓ１、Ｓ１０１は、Ａ／
Ｄ変換器４８、１４８を通じてデジタルの電気信号（繁
雑さを避けるためにアナログ電気信号とデジタル電気信
号の符号を同一の符号とする。）Ｓ１、Ｓ１０１に変換
され、コンピュータ４１に接続されているメモリ（記憶
手段）であるＨＤ（ハードディスク）４２に主走査線毎
にかつ光電変換画素毎に必要に応じて記憶される。な
お、ハードディスク４２は、光電変換画素数分、この実
施の形態では、５０００個分の各メモリ領域が８ビット
のデータを記憶することの可能なメモリ領域を有する、
いわゆるラインメモリの２個に代替することもできる。

【００５９】コンピュータ４１は、駆動・制御・処理・
判断（判定）・検査・比較手段等として機能し、周知の
ように、図示しない中央処理装置（ＣＰＵ）と、このＣ
ＰＵに接続され、制御プログラム・システムプログラム
・ルックアップテーブル等が予め書き込まれる読み出し
専用メモリ（ＲＯＭ）と、処理データを一時的に保存等
するランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ：書き込み・読み
出しメモリ）等を有している。

【００６０】コンピュータ４１には、それぞれ、入力手
段またはポインティングデバイスとして機能するキーボ
ード４３、マウス４４が接続されている。コンピュータ
４１には、また、文字画像等の出力手段として機能する
表示手段であるＣＲＴ等のディスプレイ４５と、同様に
文字画像等の出力手段として機能し、ハードコピーを出
力するプリンタ４６とが接続されている。

【００６１】コンピュータ４１は、機械に関する駆動・
制御・処理・判断（判定）・記憶手段等として機能する
シーケンサ５１に接続されている。

【００６２】シーケンサ５１は、コンピュータ４１によ
るＣＣＤカメラ２３、１２３の撮像制御に同期してコン
ベア１３の副走査方向Ｂへの搬送を制御するサーボモー
タ１４を駆動するサーボアンプ５３を制御する。サーボ
モータ１４には、その回転軸に位置検出手段としてのロ
ータリエンコーダ５４が軸着され、そのロータリエンコ
ーダ５４の出力パルス信号がシーケンサ５１に供給され
ることで、いわゆる位置制御のフィードバック制御が行
われる。なお、コンベア１３は、例えば、サーボモータ
１４の回転軸に一体的に形成されるボールネジとこのボ
ールネジと螺合して副走査方向Ｂに移動する部材とによ
り構成される。

【００６３】シーケンサ５１には、コンピュータ４１に
よりワークである反射鏡１５が不良と判定されたときに
赤く明滅する警告灯５２が接続されている。

【００６４】また、シーケンサ５１には、制御電源５５
を通じて光源２５、１２５が接続されている。シーケン
サ５１により光源２５から出射する平行光ＬＰの明るさ
およびその照射方向（図１に示した矢印方向Ｃ）の制御
が行われるとともに、光源１２５から出射する拡散光Ｌ
Ｄの明るさおよびその照射方向の制御が行われる。

【００６５】次に、上記実施の形態の動作を図４に示す
フローチャート等に基づいて説明する。

【００６６】まず、図示しない他の制御機械により、治
具１２の載置面１２Ａ上にワークとしての反射鏡１５を
位置決め配置する（ステップＳ１）。

【００６７】前記他の制御機械から、位置決め配置を知
らせる信号がシーケンサ５１に供給されると、シーケン
サ５１は、サーボアンプ５３、サーボモータ１４を介し
てコンベア１３を高速に移送動作させ、反射鏡１５を載
せた治具１２を副走査方向Ｂに高速送りして挿入口３５
から暗室２７内に供給する（ステップＳ２）。

【００６８】次に、シーケンサ５１は、治具１２が図示
していない撮像開始位置の手前位置を表すリミットスイ
ッチ１９が配置されている位置に到達したとき（ステッ
プＳ３：ＹＥＳ）、そのリミットスイッチ１９からの信
号により撮像のための低速送りを開始するとともに、コ
ンピュータ４１に対して撮像・判定処理を開始するよう
に指示する（ステップＳ４）。

【００６９】この実施の形態において、暗室２７におけ
るＣＣＤカメラ２３による上流側の反射鏡１５の散乱光
発生部分を欠陥として検出するための処理（第１の欠陥
検査工程）と、暗室１２７におけるＣＣＤカメラ１２３
による下流側の反射鏡１５の反射光低下部分を欠陥とし
て検出するための処理（第２の欠陥検査工程）が同期し
て同時に、すなわち並列的に行われるようになっている
が、ＣＣＤカメラ２３による、反射鏡１５の散乱光発生
部分を欠陥として検出するための処理と、ＣＣＤカメラ
１２３による、反射鏡１５の反射光低下部分を欠陥とし
て検出するための処理とを直列的に行って、コンピュー
タ４１の負担を軽くするようにしてもよい。直列処理で
行う場合には、Ａ／Ｄ変換器４８、１４８を共用するこ
とができる。すなわち、アナログ電気信号Ｓ１、Ｓ１０
１をコンピュータ４１の切り替え制御により切り替えて
１個のＡ／Ｄ変換器４８にのみ供給するように構成すれ
ばよい。

【００７０】前後の治具１２の搬送方向先頭部が所定位
置のリミットスイッチ１９により検出されたとき、すな
わち前後の治具１２に載せられている反射鏡１５、１５
が、それぞれ、ＣＣＤカメラ２３、１２３による撮像可
能位置に到達したとき、図６に模式的に示すように、主
走査線６１毎の撮像・判定処理が行われる（ステップＳ
５）。

【００７１】図６は、前後の治具１２上に配置された各
反射鏡１５をそれぞれＣＣＤリニアセンサ２２、１２２
で撮像し、反射鏡１５のキズと曇り等の検査を２つの暗
室で行う場合と１つの暗室で行う場合の説明に供される
模式的な斜視図である。

【００７２】詳しく説明すると、図６において、上流側
のＣＣＤカメラ２３を構成するＣＣＤリニアセンサ２２
により、光源２５から出射される平行光ＬＰにより照射
されている部分（治具１２の載置面１２Ａの一部と反射
鏡１５の一部）の主走査線６１に沿う撮像が行われて、
コンピュータ４１による反射鏡１５のキズの検査（第１
の検査工程）が行われ、その後、下流側のＣＣＤカメラ
１２３を構成するＣＣＤリニアセンサ１２２により、光
源１２５から出射される拡散光ＬＤにより照射されてい
る部分（同様に、治具１２の載置面１２Ａの一部と反射
鏡１５の一部）の主走査線６１に沿う撮像が行われて、
コンピュータ４１による反射鏡１５の曇り、むらの検査
（第２の検査工程）が行われる。

【００７３】なお、反射鏡１５の曇りとは、前記金属薄
膜等の蒸着面である反射面１６上の蒸着シミ等を原因と
して反射率が不均一な箇所が発生し、その結果、ガラス
面側から反射面１６を見た場合に、いわゆる鏡の面が曇
って見えることをいう。また、反射鏡１５のシミとは、
ガラス面（表面側または裏面側）が洗浄液等により浸さ
れて化学変化を起こし縞模様や島状に見えることやガラ
ス素材の変色等の欠陥をいう。

【００７４】ステップＳ５におけるコンピュータ４１に
よる判定処理では、図５を参照して説明する反射鏡１５
のキズの判定処理と、図９を参照して説明する反射鏡１
５の曇り、シミの判定処理が実施される。

【００７５】ＣＣＤカメラ２３と平行光光源２５とによ
る、キズの判定処理においては、まず、主走査線６１毎
の走査開始パルスＳＰ（図５Ａ参照）により、ＣＣＤリ
ニアセンサ２２を構成する各光電変換画素Ｐ（図６、図
５Ｆ参照）毎の光電変換信号Ｓ１（図５Ｂ〜図５Ｄ参
照）がコンピュータ４１に供給される。なお、コンピュ
ータ４１に供給される光電変換信号Ｓ１は、デジタル信
号であるが、ここでは、理解の容易化のために、アナロ
グ信号波形により説明する。

【００７６】この実施の形態においては、Ａ／Ｄ変換器
４８の分解能である２５６階調を電圧レベル０Ｖと５Ｖ
に割り当てているので、図５Ｆに示す治具１２の白色部
位である載置面１２Ａからの散乱光の光電変換レベルが
５Ｖに、反射面１６の光電変換レベルが０Ｖになるよう
に、そのＡ／Ｄ変換器４８のオフセットレベルと利得と
が調整される。したがって、光電変換信号Ｓ１のローレ
ベルが０Ｖに、ハイレベルが５Ｖに対応することにな
る。なお、Ａ／Ｄ変換器４８のオフセットレベルと利得
の調整はコンピュータ４１により自動的に行うことがで
きる。

【００７７】この場合、主走査方向Ａの撮像が主走査線
６１に沿って主走査停止信号（主走査終了パルスともい
う。）ＥＰ（図５Ａ参照）の発生までなされるととも
に、コンベア１３により治具１２が副走査方向Ｂに搬送
され、かつ副走査方向Ｂに搬送される毎に主走査方向Ａ
の撮像が繰り返し行われることで、治具１２上の白色部
位である載置面１２Ａを含む反射面１６の全面が２次元
的に走査され、反射面１６の全面の映像（電気信号）が
ＣＣＤリニアセンサ２２を通じてコンピュータ４１に取
り込まれる。なお、欠陥の判定は、この主走査線６１の
読み取り毎に行われる。

【００７８】ステップＳ５中における、このキズ欠陥の
判定のアルゴリズムの詳細を図７に示す。

【００７９】まず、コンピュータ４１からＣＣＤカメラ
２３を構成する信号処理・駆動回路４７に対して撮像開
始指令がなされ、そのとき、信号処理・駆動回路４７
は、コンピュータ４１に対して主走査開始信号（図５Ａ
参照）ＳＰを送出する（ステップＳ５１）。

【００８０】これによりコンピュータ４１内のカウンタ
（計数手段）がリセットされ、計数値Ｎが値０にされる
（Ｎ←０：ステップＳ５２）。

【００８１】次に、図６に示すように、ＣＣＤリニアセ
ンサ２２による主走査方向Ａの撮像が開始される。

【００８２】そして、図５Ｂに示すように、時点ｔ１で
の立ち上がりエッジを検出したとき（ステップＳ５
３：ＹＥＳ）、カウンタの計数値Ｎを値１だけ増加させ
る（Ｎ←Ｎ＋１：ステップＳ５４）。

【００８３】次に、図５Ｂに示すように、時点ｔ２での
立ち下がりエッジを検出したとき（ステップＳ５
５）、カウンタの計数値Ｎをさらに値１だけ増加させる
（Ｎ←Ｎ＋１：ステップＳ５６）。

【００８４】この時点、すなわち、立ち上がりエッジの
確認（ステップＳ５３：ＹＥＳ）と立ち下がりエッジの
確認（ステップＳ５５：ＹＥＳ）を各１回行った時点の
後に、主走査終了パルスＥＰが送出されたかどうかの確
認判定が行われる（ステップＳ５７）。ステップＳ５
５、ステップＳ５６の１回目の処理の終了時点（時点ｔ
２の直後の時点）では、まだ、このステップＳ５７の判
定は肯定的にならない。

【００８５】そのステップＳ５７の判定が肯定的でない
場合、すなわち、主走査終了パルスＥＰを検出していな
い場合には、ステップＳ５３〜ステップＳ５７の処理フ
ローを繰り返して行う。この場合、時点ｔ２の直後以降
の主走査処理・エッジ検出処理（ステップＳ５３、Ｓ５
５）および計数処理（ステップＳ５４、Ｓ５６）の判定
処理が続行される。

【００８６】主走査終了パルスＥＰを検出したとき（ス
テップＳ５７：ＹＥＳ）、換言すれば、１本の主走査線
６１に係わる主走査区間ＭＳの最終時点ｔ６を経過した
時点において計数値Ｎの値（累計値）を確認する（ステ
ップＳ５８）。

【００８７】この場合、図５Ｂに示すように、主走査区
間ＭＳの反射面１６に対応する部分にキズ６２（図５Ｆ
参照）を原因とする散乱光ＬＳによるキズ信号ＳＣ（図
５Ｄ参照）が存在しない場合には、その主走査区間ＭＳ
では、時点ｔ１、ｔ２、ｔ５、ｔ６で発生するエッジ
（、、、）の数の計数値Ｎの値がＮ＝４となり
（ステップＳ５８：Ｎ＝４）、反射面１６は正常である
と判定される。

【００８８】また、図５Ｃに示すように、コンピュータ
４１に予め設定されている閾値レベル（単に閾値ともい
う。）ＴＬであるＴＬ＝１．５Ｖ（２５６階調のレベル
では「７７」）以下のキズ６２を原因とする散乱光ＬＳ
によるキズ信号ＳＢが存在しても、その主走査区間ＭＳ
でのエッジ（、、、）の計数値ＮはＮ＝４とな
り、反射面１６も正常と判定される。

【００８９】しかし、図５Ｄに示すように、キズ６２を
原因とする散乱光ＬＳによるキズ信号ＳＢのレベルが、
閾値レベルＴＬを超えるレベルである場合、その主走査
区間ＭＳ内での時点ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４、ｔ５、ｔ
６で発生するエッジ（、、′、′、、）の
計数値ＮはＮ＝６となり、反射面１６は不良と判定され
る（ステップＳ５８：Ｎ＝４以外）。

【００９０】不良と判定された場合、コンピュータ４１
は、ＣＲＴ４５またはプリンタ４６を通じて不良表示を
行うとともに、コンピュータ４１からシーケンサ５１に
対して不良判定信号を供給する（ステップＳ５９）。こ
のとき、シーケンサ５１は警告灯５２を明滅させる。

【００９１】ステップＳ５１からステップＳ５８の処理
を行うにあたり、コンピュータ４１は、ディスクリート
回路で考えた場合、一方の入力に電気信号Ｓ１が供給さ
れ、他方の入力に閾値ＴＬが供給される２値化回路とし
ての第１の比較回路、その第１の比較回路の出力側に接
続されるエッジカウンタ（このエッジカウンタは、主走
査開始信号ＳＰと主走査停止信号ＥＰによってリセット
され、その主走査開始信号ＳＰと主走査停止信号ＥＰ間
におけるエッジの数を計数する。）と、このエッジカウ
ンタの計数値Ｎと第１の基準値Ｎ＝４とを比較する第２
の比較器とから構成される。

【００９２】次に、ステップＳ５中における、曇り欠陥
の判定のアルゴリズムの詳細を図８に示す。また、図９
に曇り欠陥の判定の説明に供される波形図等を示す。な
お、図７に示した処理に対応する処理の場合には、簡単
に説明する。

【００９３】まず、信号処理・駆動回路４７は、コンピ
ュータ４１に対して主走査開始信号（図９Ａ参照）ＳＰ
を送出する（ステップＳ１５１）。

【００９４】これによりコンピュータ４１内のカウンタ
がリセットされ、計数値Ｎが値０にされる（Ｎ←０：ス
テップＳ１５２）。次に、図６に示すように、ＣＣＤリ
ニアセンサ１２２による主走査方向Ａの撮像が開始され
る。

【００９５】そして、立ち上がりエッジまたは立ち下が
りエッジを検出したとき（ステップＳ１５３：ＹＥ
Ｓ）、カウンタの計数値Ｎを値１だけ増加させる（Ｎ←
Ｎ＋１：ステップＳ１５４）。

【００９６】この場合、まず、時点ｔ１１の直後の時点
において、ステップＳ１５４の加え合わせ処理が行われ
る。

【００９７】図８に示す処理フローにおいては、立ち上
がりエッジまたは立ち下がりエッジを１回検出して（ス
テップＳ１５３：ＹＥＳ）計数値を１だけ増加（ステッ
プＳ１５４）させる毎に主走査終了パルスＥＰが送出さ
れたかどうかを確認している（ステップＳ１５５）。

【００９８】したがって、時点ｔ１１の直後の時点にお
いて、主走査終了パルスＥＰの送出の確認が行われる
が、この時点ｔ１１の直後の時点においては、そのステ
ップＳ１５５の判定は成立しない。

【００９９】主走査終了パルスＥＰを検出していない場
合には、ステップＳ１５３〜Ｓ１５５の処理フローを繰
り返す。

【０１００】主走査終了パルスＥＰを検出したとき（ス
テップＳ１５５：ＹＥＳ）、換言すれば、１本の主走査
線６１に係わる主走査区間ＭＳの最終時点ｔ１４を経過
した時点において計数値Ｎの値（累計値）を確認する
（ステップＳ１５６）。

【０１０１】曇り検査工程において、図９Ｂに示すよう
に、主走査区間ＭＳの反射面１６に対応する部分に曇り
（シミも含まれる）１６２（図９Ｅ参照）を原因とする
反射光ＬＤＲの減光部分に係る曇り信号ＳＥ（図９Ｄ参
照）が存在しない場合には、その主走査区間ＭＳでは、
エッジ（Ｅ１１、Ｅ１２）の数の計数値Ｎの値がＮ＝２
となり（ステップＳ１５６：Ｎ＝２）、反射面１６は正
常であると判定される。

【０１０２】また、図９Ｃに示すように、コンピュータ
４１に予め設定されている閾値レベルＴＬＡであるＴＬ
Ａ＝４Ｖ（２５６階調のレベルでは「２０５」）以下と
なる曇り１６２を原因とする曇り信号ＳＤが存在して
も、その主走査区間ＭＳでのエッジ（Ｅ１１、Ｅ１２）
の計数値ＮはＮ＝２となり、反射面１６も正常と判定さ
れる。

【０１０３】しかし、図９Ｄに示すように、曇り１６２
を原因とする曇り信号ＳＥのレベルが、閾値レベルＴＬ
Ａを下回るレベルである場合、その主走査区間ＭＳ内で
の時点ｔ１１、ｔ１２、ｔ１３、ｔ１４で発生するエッ
ジ（Ｅ１１、Ｅ１２′、Ｅ１３′、Ｅ１４）の計数値Ｎ
はＮ＝４となり、反射面１６は不良と判定される（ステ
ップＳ１５６：Ｎ≠２）。

【０１０４】不良と判定された場合、コンピュータ４１
は、ＣＲＴ４５またはプリンタ４６を通じて不良表示を
行うとともに、コンピュータ４１からシーケンサ５１に
対して不良判定信号を供給する（ステップＳ１５７）。
このとき、シーケンサ５１は警告灯５２を明滅させる。

【０１０５】ステップＳ１５１からステップＳ１５６の
処理を行うにあたり、コンピュータ４１は、ディスクリ
ート回路で考えた場合、一方の入力に電気信号Ｓ１０１
が供給され、他方の入力に閾値ＴＬＡが供給される２値
化回路としての第３の比較回路、その第３の比較回路の
出力側に接続されるエッジカウンタ（このエッジカウン
タは、主走査開始信号ＳＰと主走査停止信号ＥＰによっ
てリセットされ、その主走査開始信号ＳＰと主走査停止
信号ＥＰ間におけるエッジの数を計数する。）と、この
エッジカウンタの計数値Ｎと第２基準値Ｎ＝２とを比較
する第４の比較器とから構成される。

【０１０６】再び、図４において、ステップＳ５の撮像
・判定処理後には、反射鏡１５を載せた治具１２が、撮
像停止位置を表す図示しないリミットスイッチ１９が配
置されている位置に到達したときも（ステップＳ６：Ｙ
ＥＳ）排出口３６への高速での払い出しが行われる（ス
テップＳ７）。

【０１０７】なお、この実施の形態において、ＣＣＤリ
ニアセンサ２２の主走査方向Ａの光電変換画素数が５０
００個であり、従来の技術に比較して、約１０倍の分解
能、具体的には、数μｍ単位でキズの大きさを測定する
ことが可能である。光電変換画素数が５０００個〜１０
０００個程度のＣＣＤリニアセンサを製造することは容
易であり、比較的低コストで得られるが、ＣＣＤエリア
センサの場合には数１０万（７００個×７００個）画素
程度は量産されているが、５０００個×５０００個＝２
５００万画素の欠陥のないＣＣＤエリアセンサを製造す
ることは容易ではない。

【０１０８】図１０は、キズの検査と曇りの検査とを一
体的に行うための他の実施の形態に係る装置の構成を示
している。なお、図１０において、図１に示したものと
対応するものには同一の符号を付け、その詳細な説明は
省略する。

【０１０９】図１０に示す装置の構成は、基本的には、
図１に示す暗室２７に配置された部材の構成と同一であ
り、支柱２２６に光源２５が取り付けられ、光源２５の
光照射口には、紙面と直交する方向に進退移動するフィ
ルタ組立体２２１が配置されている。フィルタ組立体２
２１は、図１１に示すように、左側に素通しの開口部２
３１が設けられ、右側にアクリル製で白色の拡散板２３
２が設けられている。

【０１１０】光源２５は、平行光ＬＰの照射光源であ
り、フィルタ組立体２２１の開口部２３１を通じて、そ
の平行光ＬＰが治具１２上の反射鏡１５に照射される。
また、フィルタ組立体２２１の拡散板２３２を通じて拡
散光ＬＤが反射鏡１５に照射されるようになっている。

【０１１１】ＣＣＤカメラ２２３の光軸は、図１０に示
す撮像状態において、反射鏡１５の真上に配置されるよ
うになっている。

【０１１２】ベース１１上に副走査方向Ｂおよびこれと
反対の方向（逆副走査方向という。）Ｂ′に治具１２を
移送する移送テーブル２１３が配置され、治具１２は、
挿入・排出口兼用の挿排出口１３５からこの移送テーブ
ル２１３により副走査方向Ｂ、逆副走査方向Ｂ′に搬送
される。

【０１１３】図１２は、図１０例の一体型の動作説明に
供される模式的な斜視図である。

【０１１４】例えば、副走査方向Ｂに搬送されるとき、
フィルタ組立体２２１は、開口部２３１側に切り替えら
れて（図１２中、矢印方向ＡＰ参照、図示の位置）、光
源２５からの平行光ＬＰが開口部２３１を通じてそのま
ま反射鏡１５上に照射され、その反射鏡１５の反射面１
６のキズに対応する散乱光がレンズ２２４を通じてＣＣ
Ｄリニアセンサ２２２により撮像されて、図５を参照し
て説明したキズの検出処理が行われる。

【０１１５】一方、副走査逆方向Ｂ′に搬送されると
き、フィルタ組立体２２１は、拡散板２３２側に切り換
えられる（図１２中、矢印方向ＡＤ参照）。したがっ
て、光源２５からの平行光ＬＰがこの拡散板２３２によ
り拡散光ＬＤとされ、その拡散光ＬＤが反射鏡１５上に
照射されて、その反射鏡１５の反射面１６の正常な部分
と曇り部分の反射光がＣＣＤリニアセンサ２２２により
受光されて、図９を参照して説明した曇りの検出処理が
行われる。

【０１１６】この図１０〜図１２例では、図１例に比べ
て、装置全体の大きさがコンパクトになり、かつ図１例
に比較して装置構成が相当に簡単になるという効果を有
する。

【０１１７】なお、この発明は上述の実施の形態に限ら
ず、この発明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採
り得ることはもちろんである。

【０１１８】

【発明の効果】以上説明したように、第１の方法発明に
よれば平行光光源を使用する第１の検査工程と拡散光光
源を使用する第２の検査工程でそれぞれ独立に反射面を
有するワークのキズ等の散乱光発生部分に係る欠陥とワ
ークの曇り、シミ等の反射光低下部分を検査することが
できる。この場合、ハーフミラーを使用せず、かつリニ
アセンサを使用していることから、簡単な構成でかつ短
時間に反射面の比較的小さな欠陥をも正確に検出するこ
とができる。

【０１１９】また、反射面を有するワークをいずれの検
査工程においても、治具の拡散反射面上に配置するよう
にしているので、第１の検査工程では、拡散反射面に係
る電気信号のレベルを正常反射面に係る電気信号のレベ
ル（正常反射面はリニアセンサにより撮像されないので
ゼロレベル）に比較して高くすることが可能となり、ワ
ークの反射面と治具の拡散反射面とを電気信号上で分離
することが容易になるという効果が達成され、かつ第２
の検査工程では、拡散反射面に係る電気信号のレベルを
正常反射面からの正反射光に係る電気信号のレベルに比
較して低くすることが可能となるので、同様に、ワーク
の反射面と治具の拡散反射面とを電気信号上で分離する
ことが容易になるという効果が達成される。

【０１２０】第２の方法発明によれば、第１の方法発明
において、キズ等に係わる散乱光の光電変換信号と第１
の閾値との交点の数が４個であるとき、曇り等に係わる
低下した反射光の光電変換信号と第２の閾値との交点の
数が２個であるとき、ワークが欠陥を有していない（良
品である）と判定するようにしているので、ワークの欠
陥を機械的かつ自動的に判別することができるという効
果が達成される。

【０１２１】第３の装置発明によれば、第１の方法発明
と同様の作用効果を有するとともに、１つの暗室で検査
装置を構成することができる。

【０１２２】第４の装置発明によれば、第２の方法発明
と同様の作用効果を有する検査装置を構成することがで
きる。

【０１２３】第５の方法発明によれば、ワークの反射面
に拡散光を照射し、その反射光をリニアセンサにより検
出するようにしているので、ワークの反射光低下部分と
しての反射面の曇り、シミを簡易な構成で検出すること
ができる。

【０１２４】第６の方法発明によれば、第５の方法発明
において、治具のワーク載置面を拡散反射面としている
ので、その拡散反射光と正反射面であるワークからの正
反射光の光の強さが異なるレベルとなり、光電変換信号
上でレベル差が得られ、閾値との比較処理が容易になる
という効果が達成される。

【０１２５】第７の方法発明によれば、第６の方法発明
において、曇り等に係わる低下した反射光の光電変換信
号と第２の閾値との交点の数が２個であるとき、ワーク
が欠陥を有していない（良品である）と判定するように
しているので、ワークの欠陥を機械的かつ自動的に判別
することができるという効果が達成される。

【０１２６】第１〜第７の発明によれば、リニアセンサ
を使用しており、このリニアセンサの主走査方向の光電
変換画素数は、従来技術に係るエリアセンサのいずれか
一方向の光電変換画素数に比較して、数倍以上の画素数
にすることが容易であり、エリアセンサに比較して容易
に数倍以上の正確な精度で反射面を有するワークの欠陥
を検出することができるという効果も達成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施の形態の主に機械的構成を示
す一部断面図である。

【図２】反射鏡が載せられる治具の配置面の構成の説明
に供される平面図である。

【図３】この発明の一実施の形態の主に電気的・制御的
構成を示すブロック図である。

【図４】図１例、図３例の動作説明に供されるフローチ
ャートである。

【図５】反射鏡のキズの良否判定の説明に供される図で
あって、Ａは、主走査開始、停止信号の波形説明図、Ｂ
は、反射面が正常な場合の光電変換電気信号の波形説明
図、Ｃは、反射面に不良とは判定されないキズが存在す
る場合の光電変換電気信号の波形説明図、Ｄは、反射面
が不良と判定される場合の光電変換電気信号の波形説明
図、Ｅは、Ｄの波形の２値化波形の説明図、Ｆは、主走
査区間等の説明に供される図である。

【図６】治具上の反射鏡をＣＣＤリニアセンサで撮像す
る際の図１、図３例等の説明に供される模式的な斜視図
である。

【図７】図４中、撮像・判定処理（反射鏡のキズ検出処
理）の詳細なフローチャートである。

【図８】図４中、撮像・判定処理（反射鏡の曇り検出処
理）の詳細なフローチャートである。

【図９】反射鏡の曇りの良否判定の説明に供される図で
あって、Ａは、主走査開始、停止信号の波形説明図、Ｂ
は、反射面が正常な場合の光電変換電気信号の波形説明
図、Ｃは、反射面に不良とは判定されない曇りが存在す
る場合の光電変換電気信号の波形説明図、Ｄは、反射面
が不良と判定される場合の光電変換電気信号の波形説明
図、Ｅは、Ｄの波形の２値化波形の説明図、Ｆは、主走
査区間等の説明に供される図である。

【図１０】この発明の他の実施の形態の構成を示す一部
省略断面図である。

【図１１】図１０中、フィルタ組立体の構成を示す正面
図である。

【図１２】図１０例の動作説明に供される模式的な斜視
図である。

【図１３】従来の技術の構成を示す線図である。

【符号の説明】

１２ 治具 １２Ａ 載置面 １３ コンベア １５ 反射鏡 １６ 反射面 ２２、１２２、２２２ ＣＣＤリニアセンサ ２３、１２３、２２３ ＣＣＤカメラ ２４、１２４ 撮像レンズ ２５ 光源（平行光
照射手段） １２５ 光源（拡散光照射手段） ２７、１２７ 暗室 ４１ コンピュータ ５１ シーケンサ ６２ キズ １６２ 曇り Ａ 主走査方向 Ｂ 副走査方向 ＬＤ 拡散光 ＬＰ 平行光 Ｓ１、Ｓ１０１ 光電変換信号 ＳＢ、ＳＣ キズ信
号 ＳＤ、ＳＥ 曇り信号 〜、′、′、Ｅ１〜Ｅ１４、Ｅ１２′、Ｅ１
３′ エッジ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】反射面を有するワークの検査方法におい
   て、 第１の暗室内で実施される前記反射面に対する第１の欠
   陥検査工程と第２の暗室内で実施される前記反射面に対
   する第２の欠陥検査工程とを有し、 前記第１の欠陥検査工程では、 拡散反射面を有する治具上に反射面を有するワークを配
   置し、 前記反射面および前記拡散反射面に斜め上方から平行光
   を照射し、 前記反射面および前記拡散反射面に対向して配置され、
   主走査方向に光電変換画素が連結されたリニアセンサに
   より、前記反射面および前記拡散反射面上を主走査し、
   前記拡散反射面の一方の側からの拡散反射光、前記反射
   面からの散乱光、前記拡散反射面の他方の側からの拡散
   反射光の順に受光して電気信号に変換し、 この電気信号のレベルと第１の閾値とを比較し、前記電
   気信号のレベルが変化するエッジと前記第１の閾値との
   交点の数により前記反射面を有するワークの散乱光発生
   部分を欠陥として検出するものであり、 前記第２の欠陥検査工程では、 前記拡散反射面を有する治具上に反射面を有するワーク
   を配置し、 前記反射面および前記拡散反射面に斜め上方から拡散光
   を照射し、 前記反射面および前記拡散反射面から反射される前記拡
   散光の反射光を受光する位置に配置され、主走査方向に
   光電変換画素が連結されたリニアセンサにより、前記反
   射面および前記拡散反射面上を主走査し、前記拡散反射
   面の一方の側からの拡散反射光、前記反射面からの反射
   光、前記拡散反射面の他方の側からの拡散反射光の順に
   受光して電気信号に変換し、 この電気信号のレベルと第２の閾値とを比較し、前記電
   気信号のレベルが変化するエッジと前記第２の閾値との
   交点の数により前記反射面を有するワークの反射光低下
   部分を欠陥として検出するものであることを特徴とする
   反射面を有するワークの検査方法。
2. 【請求項２】１回の主走査につき、前記第１の欠陥検査
   工程における前記第１の閾値との交点の数が４個、前記
   第２の欠陥検査工程における前記第２の閾値との交点の
   数が２個のときに、それぞれワークが欠陥を有していな
   いと判定することを特徴とする請求項１記載の反射面を
   有するワークの検査方法。
3. 【請求項３】拡散反射面を有する治具が配置される暗室
   と、 前記拡散反射面上に配置される反射面を有するワーク
   と、 前記反射面および前記拡散反射面に斜め上方から平行光
   または拡散光を切り替えて照射する光照射手段と、 前記反射面および前記拡散反射面に対向して配置され、
   主走査方向に光電変換画素が連結されたリニアセンサ
   と、 このリニアセンサに接続される検査手段とを有し、 前記リニアセンサは、前記平行光が照射されていると
   き、前記反射面および前記拡散反射面上を主走査し、前
   記拡散反射面の一方の側からの拡散反射光、前記反射面
   からの散乱光、前記拡散反射面の他方の側からの拡散反
   射光の順に受光して電気信号に変換し、 前記検査手段は、この電気信号のレベルと第１の閾値と
   を比較し、前記電気信号のレベルが変化するエッジと前
   記第１の閾値との交点の数により前記反射面を有するワ
   ークの散乱光発生部分を欠陥として検出し、 前記リニアセンサは、前記拡散光が照射されていると
   き、前記反射面および前記拡散反射面上を主走査し、前
   記拡散反射面の一方の側からの拡散反射光、前記反射面
   からの反射光、前記拡散反射面の他方の側からの拡散反
   射光の順に受光して電気信号に変換し、 前記検査手段は、この電気信号のレベルと第２の閾値と
   を比較し、前記電気信号のレベルが変化するエッジと前
   記第２の閾値との交点の数により前記反射面を有するワ
   ークの反射光低下部分を欠陥として検出することを特徴
   とする反射面を有するワークの検査装置。
4. 【請求項４】前記検査手段は、前記平行光照射に対する
   反射光の電気信号と前記第１の閾値との交点の数が４
   個、前記拡散光照射に対する反射光の電気信号と前記第
   ２の閾値との交点の数が２個のときに、それぞれワーク
   が欠陥を有していないと判定することを特徴とする請求
   項３記載の反射面を有するワークの検査装置。
5. 【請求項５】暗室内に反射面を有するワークの前記反射
   面に斜め上方から拡散光を照射し、 前記反射面から反射される前記拡散光の反射光を受光す
   る位置に配置され、主走査方向に光電変換画素が連結さ
   れたリニアセンサにより、前記反射面上を主走査し、前
   記反射面からの反射光を受光して電気信号に変換し、 この電気信号のレベルと閾値とを比較し、前記電気信号
   のレベルが変化するエッジと前記閾値との交点の数によ
   り前記反射面を有するワークの反射光低下部分を欠陥と
   して検出することを特徴とする反射面を有するワークの
   検査方法。
6. 【請求項６】暗室内に配置され、かつ拡散反射面を有す
   る治具上に反射面を有するワークを配置し、 前記反射面および前記拡散反射面に斜め上方から拡散光
   を照射し、 前記反射面および前記拡散反射面から反射される前記拡
   散光の反射光を受光する位置に配置され、主走査方向に
   光電変換画素が連結されたリニアセンサにより、前記反
   射面および前記拡散反射面上を主走査し、前記拡散反射
   面の一方の側からの拡散反射光、前記反射面からの反射
   光、前記拡散反射面の他方の側からの拡散反射光の順に
   受光して電気信号に変換し、 この電気信号のレベルと閾値とを比較し、前記電気信号
   のレベルが変化するエッジと前記閾値との交点の数によ
   り前記反射面を有するワークの反射光低下部分を欠陥と
   して検出することを特徴とする反射面を有するワークの
   検査方法。
7. 【請求項７】１回の主走査につき、前記閾値との交点の
   数が２個のときに、ワークが欠陥を有していないと判定
   することを特徴とする請求項６記載の反射面を有するワ
   ークの検査方法。