JPH0925561A - 金属多層膜蒸着用メタルマスク - Google Patents

金属多層膜蒸着用メタルマスク

Info

Publication number
JPH0925561A
JPH0925561A JP17372595A JP17372595A JPH0925561A JP H0925561 A JPH0925561 A JP H0925561A JP 17372595 A JP17372595 A JP 17372595A JP 17372595 A JP17372595 A JP 17372595A JP H0925561 A JPH0925561 A JP H0925561A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal mask
substrate
vapor deposition
thermal expansion
multilayer film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17372595A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiko Akazawa
和彦 赤沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP17372595A priority Critical patent/JPH0925561A/ja
Publication of JPH0925561A publication Critical patent/JPH0925561A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 金属多層膜蒸着用メタルマスクの蒸着中の熱
膨張による反りの増大を抑制し、メタルマスクの基板上
パターン面への接触によるキズの発生及び多層膜形成位
置のずれによるパターン不良の発生を防止する。 【解決手段】 基板5のウェーハパターン面と対向する
メタルマスク1の面側に熱膨張率が小さい合成樹脂4
を、その反対面側に熱膨張率が大きい合成樹脂3を、そ
れぞれコーティングする。合成樹脂4の中央部が基板5
に接触しないように、メタルマスク1を基板5上に配置
し、メタルマスク1及び基板5の各両端をクリップ6で
固定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、予め形成された金
属薄膜の上に部分的に薄膜を追加させ、多層膜構造を形
成する際に用いられるメタルマスクに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、マスクの金属膜多層蒸着におい
て、ステンレス鋼などのメタルマスクが使用されてい
る。金属多層膜の形成は、予め形成された基板上のパタ
ーンに基板温度が150℃程度以上の高温で蒸着される
ため、蒸着装置内も高温となる。蒸着が高温中で行われ
るため、使用されるメタルマスクは、熱膨張を起こして
しまう。熱膨張による位置ずれを防止するため、メタル
マスクには予め反りが入れられている。図3に示すよう
に、予め反りの入ったメタルマスク1は、中央付近が1
mm程度浮いた状態で、基板5上に配置され、両端をク
リップ6等で固定されている。
【0003】なお、その他の従来の技術としては、次の
ものを挙げることができる。
【0004】(1)熱膨張係数が基板の熱膨張係数とほ
ぼ等しい材料で形成されてなる薄膜形成用マスク(特開
平2−77571号公報)。
【0005】(2)所定形状の開口を有し、基板上に設
置されて該基板上に該所定形状の皮膜を形成するために
用いられる皮膜用マイクにおいて、成膜中の温度差によ
る反りを補償すべく、熱膨張率の異なる複数の材質の層
から構成すること(実開昭57−113437号公
報)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の反りの入っただ
けのメタルマスクでは、メタルマスク固定時又は高温蒸
着中の反りの増大により、メタルマスク中央部が基板に
接触し、そのためすでに基板上に形成された薄膜パター
ン面にキズをつけてしまい、不良チップが増大する欠点
がある。また高温蒸着中の反りの増大により、多層膜形
成の位置ずれが発生する問題がある。
【0007】そこで、本発明は、前記従来の金属多層膜
蒸着用メタルマスクを形成する技術を改良し、蒸着中の
熱膨張による反りの増大を抑制し、メタルマスクの基板
上パターン面への接触によるキズの発生及び多層膜形成
位置のずれによるパターン不良の発生を防止しようとす
るものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の金属多層膜蒸着
用メタルマスクは、従来の基板のウェーハパターン面と
対向するメタルマスクの面側に熱膨張率が小さい合成樹
脂(フッ素系樹脂、ポリイミド、ポリイミドアミド等)
を、その反対面側に熱膨張率が大きい合成樹脂(カーボ
ン系樹脂等)を、それぞれコーティングする。本発明
は、前記のような手段を採用することにより、蒸着中の
メタルマスクの熱膨張による反りの増大を抑制する。
【0009】
【発明の実施の形態】次に本発明の一実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【0010】図1は、本発明の一実施の形態の金属多層
膜蒸着用メタルマスクの平面図である。金属多層膜蒸着
用メタルマスク1には、多層膜形成位置に蒸着位置穴2
が開けられている。
【0011】図2は、金属多層膜蒸着用メタルマスク1
の基板5上に配置固定されたときの断面図である。
【0012】基板5のウェーハパターン面と対向するメ
タルマスク1の面側に熱膨張率が小さい合成樹脂(フッ
素系樹脂、ポリイミド、ポリイミドアミド等)4を、そ
の反対面側に熱膨張率が大きい合成樹脂(カーボン系樹
脂)3を、それぞれコーティングする。合成樹脂4の中
央部が基板5に接触しないように、メタルマスク1を基
板5上に配置し、メタルマスク1及び基板5の各両端を
クリップ6で固定する。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の金属多層
膜蒸着用メタルマスクを使用することにより、蒸着中の
熱膨張による反りの増大を抑制し、メタルマスクの基板
上パターン面への接触によるキズの発生及び多層膜形成
位置のずれによるパターン不良の発生を防止する。ま
た、本発明は、摩耗性を減少させることにより、メタル
マスクの基板上固定時の接触によるキズの増大を防止す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の金属多層膜蒸着用メタ
ルマスクの平面図。
【図2】本発明の一実施の形態の金属多層膜蒸着用メタ
ルマスクの基板固定時の断面図。
【図3】従来の金属多層膜蒸着用メタルマスクの基板固
定時の断面図。
【符号の説明】
1 メタルマスク 2 蒸着位置穴 3 熱膨張率が大きい合成樹脂 4 熱膨張率が小さい合成樹脂 5 基板 6 クリップ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスク両面に、熱膨張率を異にする合成
    樹脂をコーティングすることを特徴とする金属多層膜蒸
    着用メタルマスク。
  2. 【請求項2】 前記合成樹脂の一方がフッ素系樹脂で、
    他方がカーボン系樹脂であることを特徴とする請求項1
    記載の金属多層膜蒸着用メタルマスク。
  3. 【請求項3】 前記合成樹脂の一方がポリイミド又はポ
    リイミドアミドで、他方がカーボン系樹脂であることを
    特徴とする請求項1記載の金属多層膜蒸着用メタルマス
    ク。
JP17372595A 1995-07-10 1995-07-10 金属多層膜蒸着用メタルマスク Pending JPH0925561A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17372595A JPH0925561A (ja) 1995-07-10 1995-07-10 金属多層膜蒸着用メタルマスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17372595A JPH0925561A (ja) 1995-07-10 1995-07-10 金属多層膜蒸着用メタルマスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0925561A true JPH0925561A (ja) 1997-01-28

Family

ID=15965992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17372595A Pending JPH0925561A (ja) 1995-07-10 1995-07-10 金属多層膜蒸着用メタルマスク

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0925561A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6679997B2 (en) * 1998-08-12 2004-01-20 Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. Organic insulation film formation method
JP2004300495A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Nippon Seiki Co Ltd 蒸着マスク及びこれを用いた蒸着方法
JP2007051342A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Toyota Industries Corp フレーム
US8815015B2 (en) 2008-05-15 2014-08-26 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus and method for fabricating organic light emitting diode display device
KR20200011859A (ko) * 2018-07-25 2020-02-04 주식회사 야스 유리 마스크

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6679997B2 (en) * 1998-08-12 2004-01-20 Nec Compound Semiconductor Devices, Ltd. Organic insulation film formation method
JP2004300495A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Nippon Seiki Co Ltd 蒸着マスク及びこれを用いた蒸着方法
JP2007051342A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Toyota Industries Corp フレーム
US8815015B2 (en) 2008-05-15 2014-08-26 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus and method for fabricating organic light emitting diode display device
KR20200011859A (ko) * 2018-07-25 2020-02-04 주식회사 야스 유리 마스크

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108138303B (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法和金属板
US7487675B2 (en) Micro-heater and sensor
JPH0925561A (ja) 金属多層膜蒸着用メタルマスク
JPH0617250A (ja) エキスパンダーロール
JP5305565B2 (ja) プレーナー型アクチュエータ
JPS638613B2 (ja)
JPH04148549A (ja) 半導体装置の評価方法
JP2995592B2 (ja) 金属ガスケットの製造方法
JP4007598B2 (ja) サセプタおよびその製造方法
JP2007048342A (ja) 薄膜磁気ヘッドスライダのabs加工方法
JP2758868B2 (ja) 電極兼基板加熱装置
JP2779578B2 (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US7416606B2 (en) Method of forming a layer of silicon carbide on a silicon wafer
JP2510127Y2 (ja) 磁気ディスクの成膜用保持具
US20220234071A1 (en) Substrate structure having cold sprayed layer and method for manufacturing the same
KR100270947B1 (ko) 박막 자기 헤드 및 그 제조 방법(Thin flim magnetic head)
JP2635670B2 (ja) 薄膜磁気ヘッド
JPS62166934A (ja) 浮動形ヘツドの製造方法
JP2006059497A (ja) マスター担体製造方法
JPS61254355A (ja) サ−マルヘツドの製造方法
KR100475020B1 (ko) 부식방지기능이향상된하드디스크및하드디스크의카본층제조방법
JPH04318958A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0512625A (ja) 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法
JPS6353253A (ja) マスクスパツタ法
KR980004379A (ko) 박막 자기 헤드 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19981111