JPH09254161A - 金型の微細加工方法 - Google Patents
金型の微細加工方法Info
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- JPH09254161A JPH09254161A JP9622696A JP9622696A JPH09254161A JP H09254161 A JPH09254161 A JP H09254161A JP 9622696 A JP9622696 A JP 9622696A JP 9622696 A JP9622696 A JP 9622696A JP H09254161 A JPH09254161 A JP H09254161A
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Abstract
の光学素子を成形する金型加工に適用して、極めて精度
の高い金型を短期間で作成できるようにする。 【解決手段】非磁性材料でなる基材20A表面に、電子
ビーム露光法により露光後、エッチングし、この基材2
0Aを直接金型に加工する。
Description
法に関し、例えば回折格子等の光学素子を成形する金型
の加工に適用して、非磁性材料でなる母材に非磁性材料
でなる金属膜等を形成し、電子ビーム露光法による露光
後、エッチングして、直接金型を作成することにより、
極めて精度の高い金型を短期間で作成できるようにす
る。
ピックアップユニット内等で使用される回折格子におい
ては、回折格子のマスターより金型を作成し、この金型
を用いた射出成形により製造されるようになされてい
る。
イヤー等のピックアップユニットに適用される回折格子
を示す斜視図である。この回折格子1は、アクリル等の
透明樹脂を射出成形して作成され、回折格子本体3と、
この回折格子3をピックアップユニットに保持する保持
部2とにより構成される。このうち回折格子本体3は、
符号Aにより断面を拡大して示すように、平板形状の片
面に、この回折格子1が処理するレーザービームの波
長、部材の屈折率等により決まる深さT(0.3〜0.
4〔μm〕でなる)の溝が、所定のピッチPにより繰り
返されて形成され、適用される光ピックアップに応じて
このピッチPが種々の値に選定されるようになされてい
る。
おいては、溝の繰り返しピッチPが20〔μm〕程度の
回折格子については、マスクを用いたフォトエッチング
によりマスターを作成し、このマスターより金型を作成
する。またこの溝の繰り返しピッチPが2〔μm〕程度
の回折格子については、マスクを用いたフォトエッチン
グに代えて、電子ビーム露光法を適用したエッチングに
よりマスターを作成する。
金型作成方法による金型加工工程を示す工程図である。
この工程では、予めフォトレジスト4を塗布したガラス
基板5に対して、フォトマスク6を対向して又は密着し
て保持し(図6(A)及び(B))、この状態で紫外線
を照射してフォトレジスト4を露光する。なおここでフ
ォトマスク6は、ガラス基板上にクロム(Cr)をパタ
ーンニングして作成される。続いてこの工程では、フォ
トレジスト4を現像してフォトレジスト4の露光部分を
除去した後(図6(C))、このガラス基板5上に残る
フォトレジストをマスクとして使用して、ガラス基板5
をフォトマスク6のパターン形状にエッチングする(図
6(D))。これによりこの工程では、回折格子本体3
の溝形状をガラス基板5に形成し、続く工程において、
表面のレジストを除去してマスター7を完成する(図6
(E))。
は、続いて電鋳加工法により金属材料でなる例えばニッ
ケル(Ni)を堆積し(図6(F))、続いてこの堆積
したニッケル部材よりマスター7を剥離する。これによ
りこの工程では、マスター7の溝形状を転写してなる基
板(スタンパー)8を形成し(図6(G))、この基板
8を金型の面駒に加工して回折格子1の金型を作成する
ようになされている(図6(H))。
露光法を適用した金型作成工程を示す工程図であり、こ
の工程においては、シリコン基板10によりマスターを
作成する。すなわちこの工程では、蒸着、スパッタリン
グ等によりシリコン基板10の表面に二酸化シリコン
(Si O2 )膜11を作成した後(図7(A))、この
シリコン基板10の表面にフォトレジスト4を塗布する
(図7(B))。続いてこの工程では、電子ビーム描画
装置によりこのシリコン基板10に電子ビームEBを照
射し、フォトレジスト4を回折格子1のパターン形状に
露光する(図7(C))。
現像してフォトレジスト4の露光部分を除去した後(図
7(D))、このシリコン基板10上に残るフォトレジ
ストをマスクとして使用して、二酸化シリコン膜11を
エッチングする(図7(E))。これによりこの工程で
は、二酸化シリコン膜11に回折格子本体3の溝形状を
形成し、続く工程において、表面のレジストを除去して
マスター12を完成する(図7(F))。
金型作成工程と同様にして、電鋳加工法によりこのマス
ター12に金属材料を堆積した後(図7(G))、この
堆積した金属材料よりマスター12を剥離して基板(ス
タンパー)13を形成し(図7(H))、この基板13
を金型の面駒に加工して回折格子1の金型を作成するよ
うになされている(図7(I))。
成方法においては、金型作成に時間を要する問題があ
る。具体的に、電鋳加工法についてだけ見ても、従来の
金型作成工程においては、1〜1.5ケ月程度の期間を
必要とする。
成できるものの、このマスターより作成される基板にお
いては、マスター12に金属材料を堆積して作成するこ
とにより、その分マスターに比して精度が劣化する。ま
たマスター12を剥離する際に、マスター12を正しく
剥離できない場合もある。これにより従来の金型作成方
法においては、極めて精度の高い金型を作成することが
困難な問題があった。
ーリングエンジンを用いた超精密機械加工を適用する方
法も考えられるが、射出成形等に使用する金属材料につ
いては実際上加工することが困難で、実用的ではない。
で、極めて精度の高い金型を短期間で作成することがで
きる金型の微細加工方法を提案しようとするものであ
る。
め本発明においては、非磁性材料でなる基材の表面に、
電子ビーム露光法により所望のパターン形状を形成した
後、この基材をエッチングすることにより、成形品の凹
凸形状に対して逆転した凹凸形状を、基材に形成し、こ
の基材により金型又は金型の一部を作成する。
と、この母材表面に形成された非磁性材料の被加工膜と
により構成する。
コン、マンガン、リン、イオウ及びクロムからなる群よ
り選ばれた少なくとも1種の添加元素を含有してなる合
金でなるようにする。
8〔%〕以下、シリコンが1.00〔%〕以下、マンガ
ンが2.00〔%〕以下、リンが0.045〔%〕以
下、イオウが0.030〔%〕以下、ニッケルが8.0
0〜11.0〔%〕、クロムが17.0〜20.00
〔%〕の重量パーセントでなるようにする。
ルにより作成する。
低減することができ、これにより電子ビーム露光法を適
用して所望のパターン形状を高精度で形成することがで
きる。従って露光後、被加工膜をエッチングして直接
に、金型又は金型の一部を作成して、従来の電鋳処理工
程等を省略して金型を作成することができる。これによ
り金型作成に要する期間を短縮し、また精度を向上する
ことができる。
材と、この母材の表面に形成した非磁性材料の被加工膜
とにより構成すれば、金型として基材に求められる要求
と、電子ビーム露光法を適用したエッチング対象として
基材に求められる要求とを、容易に満足することができ
る。
コン、マンガン、リン、イオウ及びクロムからなる群よ
り選ばれた少なくとも1種の添加元素を含有してなる合
金でなるようにすれば、エッチング後において、容易に
金型加工することができる。
以下、シリコンが1.00〔%〕以下、マンガンが2.
00〔%〕以下、リンが0.045〔%〕以下、イオウ
が0.030〔%〕以下、ニッケルが8.00〜11.
0〔%〕、クロムが17.0〜20.00〔%〕の重量
パーセントの合金においては、非磁性材料で、かつ容易
に金型加工することができる。
は、非磁性材料でなり、耐久性、耐食性に優れ、さらに
は容易かつ精度良くエッチング加工することができる。
発明の実施の形態を詳述する。
成工程を示す工程図である。この工程では、始めに、金
属母材でなる基板20の一面に被加工膜21を形成する
ことにより、この基板20及び被加工膜21により構成
される基材20Aを形成する(図1(A))。ここでこ
の実施の形態において、この金属母材は、JIS(Japa
nese Industrial Standards )に規定されたSUS30
4でなるステンレス材が適用されるようになされてい
る。
な非磁性材料であり、また切削加工が容易で、射出成形
の金型に適用して好適な金属材料である。具体的にSU
S304は、炭素が0.08〔%〕以下、シリコンが
1.00〔%〕以下、マンガンが2.00〔%〕以下、
リンが0.045〔%〕以下、イオウが0.030
〔%〕以下、ニッケルが8.00〜10.50〔%〕、
クロムが18.0〜20.00〔%〕の重量パーセント
で、残部が鉄の合金である。
化率の小さい非磁性材料であり、また切削加工、エッチ
ング加工に好適で、耐久性、耐食性に優れ、SUS30
4に対してなじみの良いタンタル(Ta)膜により作成
される。この工程において、タンタル膜は、イオンプレ
ーティングの手法により基板20の表面に、約2〔μ
m〕の膜厚で作成される。なおこのタンタル膜は、スパ
ッタリング法等の金属膜作成方法により作成することも
できる。
により、この被加工膜21の表面に、電子ビーム露光法
に適用されるレジスト膜22を形成した後(図1
(B))、電子ビーム描画装置により電子ビームEBを
照射し、レジスト膜22を回折格子1のパターン形状に
露光する(図1(C))。このときこの工程では、従来
のマスターを作成する場合とは逆に、露光されない部分
が回折格子1の溝部分に対応するように電子ビームEB
を照射する。かくするにつきこの工程では、基板20及
び被加工膜21として非磁性材料でなるSUS304及
びタンタル膜を選択したことにより、電子ビームEBを
照射した際の、基板20及び被加工膜21の帯磁を実用
上充分な範囲に低減でき、これにより電子ビームEBで
精度の高い露光パターンを形成することができるように
なされている。
してレジスト膜22の露光部分を除去する(図1
(D))。さらにこの工程は、被加工膜21上に残るレ
ジスト膜22をマスクとして使用して、異方性エッチン
グにより被加工膜21を約0.3〔μm〕だけ深さ方向
にエッチングし(図1(E))、これにより回折格子1
の凹凸形状を逆転してなる溝形状を、被加工膜21に作
成する。ここでこの異方性エッチングは、例えばプラズ
マエッチングの手法により、アンダーカットの発生を有
効に回避して高い精度により実施される。かくするにつ
きこの工程では、被加工膜21としてタンタル膜を選択
したことにより、アンダーカットの発生を有効に回避し
て、溝深さ、溝幅、溝形状について、高い精度により被
加工膜21をエッチングすることができるようなされて
いる。
22を除去した後(図1(F))、切削加工等によりこ
の基板20を金型の面駒に加工し、これによりエッチン
グ加工した基板20より直接に、回折格子1の金型を作
成する(図1(G))。
した金型材料でなる基板20を加工対象として、この加
工対象に回折格子の凹凸形状の逆転でなる溝形状を作成
して、直接、回折格子の面駒を作成することにより、電
鋳処理工程を省略して金型を作成することができる。従
ってその分従来に比して格段的に金型作成期間を短縮す
ることができる。なお実際上、電鋳処理工程に約1〜
1.5ケ月の期間を要することにより、この実施の形態
では最低限でも1月、金型作成に要する期間を短縮する
ことができる。
を基板(スタンパー)に転写するという処理工程を省略
して、直接、金型の溝形状を形成できることにより、そ
の分金型の精度を向上でき、極めて精度の高い回折格子
を作成することができる。また基板(スタンパー)より
マスターを剥離するという処理を省略できることによ
り、その分金型自体の歩留りについても向上させること
ができる。
金型に適用して好適な金属材料を基板20に割り当て、
エッチング加工に適用して好適で、かつ基板20に対し
てなじみの良い加工材料を被加工膜21に割り当てたこ
とにより、それぞれ金属材料、加工材料の特性を有効に
利用して、高い精度によりエッチング加工した後、直
接、面駒加工することができ、これによっても容易かつ
極めて高い精度により金型を作成することができる。
て非磁性材料でなるSUS304及びタンタルを選択し
たことにより、電子ビーム露光法を適用して被加工対象
の帯磁を有効に回避でき、これにより極めて精度の高い
露光パターンを形成することができ、その分金型の精度
を向上することができる。
優れ、SUS304となじみの良いタンタルを選択した
ことにより、金型として充分な耐久性を確保することが
できる。また異方性エッチングを適用して高精度に溝形
状を作成でき、その分金型の精度を向上することができ
る。
て格段的に低減することができる。すなわち従来の電鋳
加工処理に適用されているニッケルにおいては、射出成
形に使用している過程において空気酸化等により鏡面加
工した面の特性が劣化し、これを放置すると成形品の歩
留りが低下する欠点があった。このため従来の電鋳加工
処理により作成した金型においては、定期的なメンテナ
ンスが欠かせないという欠点があった。これに対してタ
ンタル膜により面駒を作成すれば、この種の鏡面の劣化
を有効に回避することができ、その分金型のメンテナン
ス作業を各段的に低減することができる。
易で金型に適用して好適なSUS304を選択したこと
により、容易かつ精度良く面駒加工することができ、こ
れによっても金型の精度を向上でき、また耐久性を向上
することができる。
US304を適用した場合について述べたが、本発明は
これに限らず、AISI、DIN等に規定されたSUS
304の相当品を適用しても良い。なおこの場合、炭素
が0.08〔%〕以下、シリコンが1.00〔%〕以
下、マンガンが2.00〔%〕以下、リンが0.045
〔%〕以下、イオウが0.030〔%〕以下、ニッケル
が8.00〜11.0〔%〕、クロムが17.0〜2
0.00〔%〕の重量パーセントでなる鉄合金が該当す
ることになる。またこれに代えて、非磁鋼等の非磁性材
料であって、炭素、シリコン、マンガン、リン、イオウ
及びクロムからなる群より選ばれた少なくとも1種の添
加元素を含有する合金、さらにはセラミックス材等を広
く適用することができる。
ンタルを適用した場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、チタン、クロム、モリブデン、タングステン
等の非磁性材料でなる金属材料、さらには窒化タンタル
等の金属材料の窒化物等を広く適用することができる。
ーティング法により母材に被加工膜を形成する場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、スパッタリング
法、蒸着法、気相成長法等、種々の膜形成手法を広く適
用することができる。
露光された部分を除去する、いわゆるポジ型のレジスト
を用いてエッチングする場合について述べたが、本発明
はこれとは逆に、未露光部分を除去する、いわゆるネガ
型のレジストを用いてエッチングする場合にも適用する
ことができる。
m〕の膜厚でなる被加工膜に対して、深さ約0.3〔μ
m〕だけエッチングして溝形状を作成する場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、射出成形に使用する
樹脂材料、成形条件、母材に対する被加工膜の密着強
度、母材及び被加工膜のエッチング精度等に応じて、例
えば図2に示すように、被加工膜21と基板20との境
界面までの深さにより溝形状を作成する場合、さらには
図3に示すように、被加工膜21と基板20との境界面
より深く溝加工する場合にも広く適用することができ
る。
なる母材上に被加工膜を形成した基材を加工して金型の
面駒を作成する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、図4に示すように基材として非磁性材料からな
るプレート30(例えばタンタルのバルク)を用いて、
このプレート30の表面に直接溝形状の加工を施すこと
により、被加工膜の形成工程を省略して金型を作成して
もよい。このようにすれば、金型製造工程をさらに一段
と簡素化することができる。なお基材として、単一の材
料を選択するか、母材上に被加工膜を形成した基材を選
択するかについては、金型に要求される精度、材料コス
ト、製造コスト等の諸条件により、必要に応じて適宜、
適切な基材を選択すればよい。
ッチングにより被加工膜を異方性エッチングする場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、イオンビーム
エッチング法、ECRエッチング法、反応性イオンビー
ムエッチング法等、種々の異方性エッチング手法を広く
適用することができる。
断面形状が矩形形状である回折格子を作成する場合の金
型を例に説明したが、本発明はこれに限らず、格子の断
面形状が鋸歯状である、いわゆるブレーズ型の回折格子
の金型についても適用することができる。ちなみにブレ
ーズ型の回折格子においては、例えばイオンエッチング
によるエッチング工程において、基材の表面に対して斜
め方向よりイオンビームを照射してエッチング処理し、
これにより基材の表面に鋸歯状の凹凸形状を形成すれば
よい。また格子の断面形状が三角形状のもの等について
も、同様に、本発明を適用することができる。
した母材、被加工膜より面駒を作成する場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、金型の一部を構成する
種々の駒を作成する場合、さらには金型本体を作成する
場合に広く適用することができる。
型作成に本発明を適用する場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、種々の光学素子の金型作成に広く適
用することができ、さらには種々の射出成形用金型、圧
縮成形用金型の微細加工に広く適用することができる。
料でなる基材表面に、電子ビーム露光法により露光後、
エッチングして直接金型を作成することにより、極めて
精度の高い金型を短期間で作成することができる。
工程図である。
る。
である。
である。
Claims (5)
- 【請求項1】 成形品の射出成形又は圧縮成形に使用さ
れる金型の微細加工方法において、 非磁性材料でなる基材の表面に、電子ビーム露光法によ
り所望のパターン形状を形成した後、前記基材をエッチ
ングすることにより、前記成形品の凹凸形状に対して逆
転した凹凸形状を、前記基材に形成し、 前記基材により前記金型又は前記金型の一部を作成する
ことを特徴とする金型の微細加工方法。 - 【請求項2】 前記基材は、非磁性材料でなる母材と、
前記母材表面に形成された非磁性材料の被加工膜とによ
り構成されることを特徴とする請求項1に記載の金型の
微細加工方法。 - 【請求項3】 前記母材は、残部が鉄で、 炭素、シリコン、マンガン、リン、イオウ及びクロムか
らなる群より選ばれた少なくとも1種の添加元素を含有
する合金でなることを特徴とする請求項2に記載の金型
の微細加工方法。 - 【請求項4】 前記添加元素は、 炭素が0.08〔%〕以下、シリコンが1.00〔%〕
以下、マンガンが2.00〔%〕以下、リンが0.04
5〔%〕以下、イオウが0.030〔%〕以下、ニッケ
ルが8.00〜11.0〔%〕、クロムが17.0〜2
0.00〔%〕の重量パーセントでなることを特徴とす
る請求項3に記載の金型の微細加工方法。 - 【請求項5】 前記被加工膜は、タンタル膜でなること
を特徴とする請求項2、請求項3又は請求項4に記載の
金型の微細加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9622696A JP4183101B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 金型の微細加工方法、金型及び成形品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9622696A JP4183101B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 金型の微細加工方法、金型及び成形品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09254161A true JPH09254161A (ja) | 1997-09-30 |
JP4183101B2 JP4183101B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=14159328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9622696A Expired - Lifetime JP4183101B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 金型の微細加工方法、金型及び成形品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4183101B2 (ja) |
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-
1996
- 1996-03-26 JP JP9622696A patent/JP4183101B2/ja not_active Expired - Lifetime
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---|---|
JP4183101B2 (ja) | 2008-11-19 |
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