JPH09249996A - 多成分鍍金溶液の濃度調節装置 - Google Patents

多成分鍍金溶液の濃度調節装置

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JPH09249996A
JPH09249996A JP8286088A JP28608896A JPH09249996A JP H09249996 A JPH09249996 A JP H09249996A JP 8286088 A JP8286088 A JP 8286088A JP 28608896 A JP28608896 A JP 28608896A JP H09249996 A JPH09249996 A JP H09249996A
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plating solution
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Kil Nam Hwang
キル ナム ファン
Keun Chang Cho
クォン チャン チョ
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DongbuAnam Semiconductor Inc
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ANAN HANDOTAI GIJUTSU KK
Anam Semiconductor Inc
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1675Process conditions
    • C23C18/1683Control of electrolyte composition, e.g. measurement, adjustment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体リードフレームの製造工程等に使用さ
れる多成分鍍金溶液の各成分の量及び濃度比を常に一定
に維持して鍍金の質を向上させ、鍍金溶液の消費量を減
少させるようにする多成分鍍金溶液の濃度調節装置を提
供する。 【解決手段】 主槽(MB)の付近に、鍍金溶液又は多
成分溶液を構成する各々の成分の原液あるいは固体薬品
の溶解溶液のための複数の補助槽(SB)が配置され、
各補助槽(SB)ごとに、そこから溶液を主槽(MB)
に定量移送するための移送ポンプ(P)が設置された多
成分鍍金溶液の濃度自動調節装置において、製造工程の
各整備(M)にインターフェース(ID)を介して制御
装置(CU)により薬品を定量移送する前記各移送ポン
プ(P)を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体リードフレー
ムの製造工程等に使用される多成分鍍金溶液の各成分の
量及び濃度比を常に一定に維持して鍍金の質を向上させ
得るようにするとともに鍍金溶液の消費量を減少させ得
るようにする多成分鍍金溶液の濃度調節装置に関するも
ので、より詳しくは各薬品の投入量を一箇所で調節し得
るようにした中央集中薬品自動調節方式(Central chemi
cal Auto Control System)による多成分鍍金溶液の濃度
調節装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体リードフレームの製造工
程や鍍金工程に関連する鍍金溶液は多成分で組成される
が、各成分の量及び濃度の比率が鍍金状態はもちろん製
品の質に大きい影響を及ぼすことになる。従って、前記
鍍金溶液は最適濃度範囲内で各成分の量と濃度比の調節
が必要になる。
【0003】従来は工程反応時間の経過による鍍金溶液
内の主成分濃度の減少を補充するため、一定時間が経過
した後、一定量の成分を人為的に投入するか伝導度又は
酸度(pH)を測定して所望伝導度又は酸度が維持され
るように薬品を自動的に供給する装置を用いて鍍金溶液
を調節することが普通であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の装置においては、鍍金溶液の調節のために多
くの人力が必要になるとともに鍍金溶液を構成する各成
分の量と濃度比を最適状態に維持しにくい問題があり、
特に多成分で組成された鍍金溶液の場合には、その調節
がさらに難しくなる問題があった。
【0005】本発明は前記従来の装置の諸欠陥に鑑みて
案出したもので、その目的は多成分で組成された鍍金溶
液の各成分の量及び濃度比を常に最適に維持し得るよう
にする多成分鍍金溶液の濃度調節装置を提供することに
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明は、半導体リードフレーム製造工程に使用され
ている鍍金溶液等が稼働時間の経過と稼働装備の数に応
じて減少する各成分のイオン濃度及び比率を最適に維持
するため、生産装備とインターフェースされた制御装置
を用いて薬品を所定の流量で移送する移送ポンプを自動
制御することにより、鍍金溶液に起因する製品の不良の
発生を抑制するとともに鍍金溶液の消費量を最少化して
鍍金状態と製品の質を向上させ得るようにすることを特
徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の具体的な内容をより詳細に説明する。図1はリードフ
レームの製造工程に使用される鍍金溶液槽の構成図で、
主槽(MB;Main Bath)の付近に、鍍金溶液を構成する
各成分の原液又は固体薬品を濃く溶かした溶液(Concent
ratedSolution)のための複数の補助槽(SB;Subsidia
ryBath)が配置され、各補助槽(SB)ごとにそこから
濃い溶液を主槽(MB)に所定の流量で移送するための
移送ポンプ(P)が配置される。各移送ポンプ(P)の
吸入側チューブはそれぞれの補助槽(SB)内の溶液中
に挿入され、吐出側チューブは主槽(MB)の液面上方
に開口される。主槽(MB)の多成分鍍金溶液は、図示
しない循環ポンプにより、鍍金ラインの鍍金槽との間を
循環する。また、主槽(MB)には、試料採取用のポン
プ(図示省略)も設けられている。図2は本発明の濃度
自動調節装置の構成図で、製造工程の各装備(M;Mach
ine)と制御装置(CU;Control Unit)はインターフェ
イス(ID;Interface Devise)で連結され、制御装置
(CU)は薬品を所定の流量で移送する前記各移送ポン
プ(P)に連結される。
【0008】前記各装備(M)からのライン稼働状態に
ついてのアナログ信号はインターフェース(ID)を経
て制御装置(CU)に入力され、入力されたデータは各
槽(MB)(SB)と各溶液を構成する成分の反応速度
(ラインが稼働する間の各成分の減少速度)データと計
算式により各移送ポンプ(P)の回転速度と稼働時間に
換算される。
【0009】図3は本発明の薬品定量供給のための移送
ポンプ(P)の制御状態図で、本発明の調節装置は試料
採取モード(SamplingMode)と手動制御モード(Manual C
ontrol Mode)と自動制御モード(Auto ControlMode)を選
択的に稼働させ得るようになっている。
【0010】前記試料採取モードは移送ポンプ(P)を
制御する制御装置(CU)が他の機能を遂行しながら主
槽(MB)又は補助槽(SB)から分析すべき試料を採
取し得るようにするモードである。手動制御モードは自
動制御機能の補助機能で、鍍金溶液の濃度調節装置の稼
働中に、主槽(MB)の内部の溶液の各成分を分析して
から分析データ(濃度及び量)を入力すると、入力され
たデータは各移送ポンプ(P)の回転数又は稼働時間に
換算され溶液の各成分の量が最適の範囲に維持されるよ
うに、不足であるか超過した量に対して移送ポンプ
(P)を制御する(超過した成分を移送する移送ポンプ
は超過量に当たる時間の間、稼働が自動的に停止され
る)。
【0011】一方、制御装置(CU)には主槽(MB)
と補助槽(SB)に対する情報である槽の容量、溶液内
の各成分の適正濃度、そして移送ポンプ(P)に対する
情報(基本回数、移動速度等)等が入力され、分析デー
タが入力されると、これらデータは移送ポンプ(P)の
制御時間又は回転数換算に用いられる。
【0012】自動制御モードでは、リードフレームを生
産するラインの稼働状態、生産されるリードフレームの
形態等、色々の変数によって移送ポンプ(P)の回転数
が変化され、溶液内の各成分の量は消費される速度によ
って最適範囲内で連続制御方法(Continuous controlMet
hod)と間欠制御方法(Time-interval control)により自
動的に維持される。
【0013】図4は移送ポンプのポンピング時間を制御
するためのフローチャートで、本発明では主槽に投入す
べき溶液の量から移送ポンプの作動時間を計算し、その
時間の間に移送ポンプを作動させてから自動的に止めら
れるようにする。
【0014】即ち、制御装置は内部タイマーを読み、時
間が変わった場合に移送ポンプの作動時間を捜査し、時
間が変わらなかったら時間を読み続ける。
【0015】移送ポンプが反対方向に回転すると、溶液
を主槽に誘導するチューブ内に残っている溶液が補助槽
に回収される。
【0016】従って、反対方向の流動が終わると、移送
ポンプを止め、その作動方向を変化させた後、正方向に
回転すべき時間を再度計算してから再び移送ポンプを作
動させる。
【0017】もし、反対方向流動でなく、移送ポンプの
作動時間が終わったら、移送ポンプを停止させてから次
に進行し、移送ポンプ作動時間が終わらなかった場合は
現在投入した溶液の量を全体累積値に加えてから次に進
行する。前記過程が終わったら、移送ポンプの作動状況
はモニターで現れ、このよう過程は移送ポンプの数だけ
繰り返される。
【0018】図5は移送ポンプの自動制御モード中の間
欠制御方法の制御フローチャートである。本発明におい
て、移送ポンプは試料採取モードと手動制御モードそし
て自動制御モードで駆動され、自動制御モードは間欠方
法(Time-interval method)と連続方法(ContinuousMetho
d)に分けられる。
【0019】前記試料採取モードは主槽から分析すべき
サンプルを採取するため少量の溶液を得ようとする時に
使用するもので、容量が小さい特定ポンプを使用する。
手動制御モードは使用者が主容器の濃度を分析し、所望
濃度より低ければ、この差を計算して移送ポンプを駆動
させる方式である。
【0020】自動制御モードのうち、間欠制御方法(Tim
e-interbal control method)はフローチャートのように
移送ポンプが一定時間ごとに設定時間だけ駆動されてか
ら自動的に停止される方式であり、連続制御方法 (cont
inuous control method)は移送ポンプを稼働させる時間
を別に設定しないで、使用者のオン/オフにより移送ポ
ンプの駆動を制御する方式である。
【0021】前記手動制御モードと自動制御モードの間
欠制御方法及び連続制御方法は試料採取モードとは異な
り、同じ移送ポンプを使用し、そして一つの移送ポンプ
に対し、前記三通りの方式のいずれかを使用してもかま
わないが、同時に二通りの方式を使用することはできな
い。図6は移送ポンプの駆動制御フローチャートで、本
発明においては、各移送ポンプ駆動方式に対してそれぞ
れ相違した稼働方法を使用するため、移送ポンプが稼働
される時間は各方式によって異なるように計算される。
即ち、図6に示すように、移送ポンプが設定されている
だけ、実際には連結されていなければ、移送ポンプは稼
働されない。
【0022】又、設定値のうち、論理的に正しくない値
が入力されていてポンピング時間を計算し得ない時、又
はポンピング時間が24時間を経過する場合にも移送ポ
ンプは作動されない。
【0023】そして、チューブ内の溶液を補助槽(S
B)に戻すために反対方向流動を要する場合は、この時
間の間、移送ポンプが反対方向に回転するようにし、そ
うしない場合はそのまま移送ポンプを駆動させる。一旦
稼働された移送ポンプを停止させることは図4に示す移
送ポンプ駆動時間制御フローチャートによる。
【0024】一方、ポンピング時間は移送ポンプがどの
方式に設定されたかによって異なるように計算される。
即ち、試料採取モードにおけるポンピング時間は次の式
により計算される。 ポンピング時間={(サンプル量+デッド量)×特定ポ
ンプ速度}÷(溶液速度×ポンプ速度) *サンプル量(sample volume):取ろうとするサンプル
の量(L) *特定ポンプ速度(specific pump rate):溶解速度を求
める基準になるポンプの速度(rpm) *溶液速度(flow rate):決められたチューブ大きさと
特定ポンプ速度に対して必要である溶液の速度(L/m
in) *ポンプ速度(pump rate):稼動させるポンプの速度
(rpm) 主槽の溶液を採取しようとする時、ポンプが作動される
瞬間から溶液が抽出されるのではなく、チューブ内に満
たされていた空気がすっかり抜けてから溶液が出るもの
で、このデッド量は次の式により求められる。
【0025】デッド量=π(チューブ直径÷2)2 ×チ
ューブ長さ 又、主槽の濃度を分析し、所望濃度より小さければこれ
を補充し得る程度の貯蔵溶液(stock solution) を入れ
る手動制御モードでのポンピング時間は次の式により求
められる。 ポンピング時間={(投入溶液量+デッド量)×特定ポ
ンプ速度}÷(溶液速度×ポンプ速度) この式で、入れる貯蔵溶液の量(L)である投入溶液量
は次の式により求められる。 投入溶液量={(所望濃度−分析濃度)×槽容量}÷貯
蔵溶液濃度} *所望濃度(optimum concentration):望む槽の濃度
(g/L) *分析濃度(analyzedconcentration):分析した槽の濃
度(g/L) *貯蔵溶液濃度(concentration of stock solution):
貯蔵溶液の濃度(g/L) 一方、間欠制御方法ではポンプの作動時間の間隔とポン
プの作動時間を入力させるので、これによりポンプを作
動させることになり、連続制御方法では使用者がポンプ
を停止させる時まで作動するので別のポンピング時間の
計算が必要でない。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はリードフ
レームの製造工程や鍍金工程に使用される多成分溶液を
中央集中式で自動的に制御することにより最適の濃度と
濃度比に維持し得るもので、本発明によると、溶液の各
成分濃度がラインの稼動状態によって細密に自動調節で
き、制御装置に多成分鍍金溶液に対する化学的データを
入力するにより各成分溶液の追加量を節約することがで
き、使用者は投入量の累積状態及び作動ライン状態を即
刻モニタすることができるため、鍍金の質と製品の質を
大きく向上させ得るとともに使用される薬品の消費量を
大きく減少させ得る等の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はリードフレームの製造工程に使用される
鍍金溶液槽の構成図である。
【図2】本発明の濃度自動調節装置の構成図である。
【図3】本発明の薬品定量供給のための移送ポンプの制
御状態図である。
【図4】移送ポンプのポンピング時間を制御するための
ポンピング時間制御フローチャートである。
【図5】移送ポンプの駆動方式中の自動駆動方式の制御
フローチャートである。
【図6】移送ポンプの駆動制御フローチャートである。
【符号の説明】
MB 主槽 SB 補助槽 P 移送ポンプ M 装備 CU 制御装置 ID インターフェース

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 主槽(MB)の付近に、鍍金溶液又は多
    成分溶液を構成する各々の成分の原液あるいは固体薬品
    の溶解溶液のための複数の補助槽(SB)が設置され、
    各補助容器(SB)ごとに、そこから溶液を主槽(M
    B)に所定の流量で移送するための移送ポンプ(P)が
    設置された多成分鍍金溶液の濃度自動調節装置におい
    て、製造工程の各装備(M)にインターフェース(I
    D)を介して制御装置(CU)を連結し、この制御装置
    (CU)によって薬品を所定の流量で移送する前記各移
    送ポンプ(P)を制御することを特徴とする多成分鍍金
    溶液の濃度調節装置。
  2. 【請求項2】 移送ポンプ(P)を試料採取モード、手
    動制御モード及び自動制御モードで選択的に駆動し得る
    ようにしたことを特徴とする請求項1記載の多成分鍍金
    溶液の濃度調節装置。
  3. 【請求項3】 前記制御装置(CU)には、主槽(M
    B)と補助槽(SB)に対する情報である容器の容量、
    溶液内の各成分の適正濃度、そして移送ポンプ(P)に
    対する情報等が入力され、装備(M)からの分析データ
    が入力されると、このデータは移送ポンプ(P)の制御
    時間や回転数換算に用いられていることを特徴とする請
    求項1記載の多成分鍍金溶液の濃度調節装置。
JP8286088A 1995-10-27 1996-10-08 多成分鍍金溶液の濃度調節装置 Pending JPH09249996A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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KR1995P37514 1995-10-27
KR1019950037514A KR100201377B1 (ko) 1995-10-27 1995-10-27 다성분 도금용액의 농도조절장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09249996A true JPH09249996A (ja) 1997-09-22

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ID=19431538

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JP8286088A Pending JPH09249996A (ja) 1995-10-27 1996-10-08 多成分鍍金溶液の濃度調節装置

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JP (1) JPH09249996A (ja)
KR (1) KR100201377B1 (ja)
DE (1) DE19645148A1 (ja)
GB (1) GB2306509A (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
KR100201377B1 (ko) 1999-06-15
GB9622144D0 (en) 1996-12-18
GB2306509A (en) 1997-05-07
DE19645148A1 (de) 1997-04-30
KR970023663A (ko) 1997-05-30

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