JPH09247960A - インバータ - Google Patents
インバータInfo
- Publication number
- JPH09247960A JPH09247960A JP8083279A JP8327996A JPH09247960A JP H09247960 A JPH09247960 A JP H09247960A JP 8083279 A JP8083279 A JP 8083279A JP 8327996 A JP8327996 A JP 8327996A JP H09247960 A JPH09247960 A JP H09247960A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- short
- terminal
- semiconductor switching
- bar
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Insertion, Bundling And Securing Of Wires For Electric Apparatuses (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の半導体スイッチング素子を並列接続さ
せる場合、各端子に接続される導体バーのインダクタン
スの違いから素子ごとに流れる電流値が異なるため、余
分な容量の素子を必要とした。 【解決手段】 複数のＩＧＢＴ素子１０を一列に配設
し、直流および交流短絡バー５，６，８をその長手方向
がＩＧＢＴ素子１０の配列と平行になるように配置しか
つＩＧＢＴ素子１０の端子レベルとほぼ同一レベルでし
かも上下方向に絶縁シート９を介して互いに重合して支
持する。さらに、これら短絡バー本体５ａ，６ａ，８ａ
から各素子までの距離が均一となる形状・配置にして端
子接続部５ｂ，６ｂ，８ｂ、架橋部５ｃ，６ｃを形成す
る。
せる場合、各端子に接続される導体バーのインダクタン
スの違いから素子ごとに流れる電流値が異なるため、余
分な容量の素子を必要とした。 【解決手段】 複数のＩＧＢＴ素子１０を一列に配設
し、直流および交流短絡バー５，６，８をその長手方向
がＩＧＢＴ素子１０の配列と平行になるように配置しか
つＩＧＢＴ素子１０の端子レベルとほぼ同一レベルでし
かも上下方向に絶縁シート９を介して互いに重合して支
持する。さらに、これら短絡バー本体５ａ，６ａ，８ａ
から各素子までの距離が均一となる形状・配置にして端
子接続部５ｂ，６ｂ，８ｂ、架橋部５ｃ，６ｃを形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＧＢＴ（絶縁ゲ
ートバイポーラトランジスタ）素子等の複数の半導体ス
イッチング素子を並列接続しその横に平滑コンデンサを
設置して構成される大容量のインバータに関する。
ートバイポーラトランジスタ）素子等の複数の半導体ス
イッチング素子を並列接続しその横に平滑コンデンサを
設置して構成される大容量のインバータに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のインバータは、構成各相
ごとにブリッジ回路の上アームおよび下アームが、並列
に接続された複数個の半導体スイッチング素子により構
成されている。図１１、図１２は上述したインバータに
おける構成部品の空間配置の具体例を示す正面図および
平面図であり、上アーム用の半導体スイッチング素子１
と下アーム用スイッチング素子２とが放熱板４上にそれ
ぞれ並列に連続されて配設されるとともに、並列配設さ
れた素子１，２の長手方向ほぼ延長上に平滑コンデンサ
３が横置きに配置されている。このように配置された素
子１，２および平滑コンデンサ３は、図１３、図１４に
示すように短絡バー５〜７により接続される。これらの
図では、各素子１，２と平滑コンデンサ３までの直流回
路の配線インダクタンスが軽減するように絶縁シート９
を介して短絡バー５〜７が配線されている。
ごとにブリッジ回路の上アームおよび下アームが、並列
に接続された複数個の半導体スイッチング素子により構
成されている。図１１、図１２は上述したインバータに
おける構成部品の空間配置の具体例を示す正面図および
平面図であり、上アーム用の半導体スイッチング素子１
と下アーム用スイッチング素子２とが放熱板４上にそれ
ぞれ並列に連続されて配設されるとともに、並列配設さ
れた素子１，２の長手方向ほぼ延長上に平滑コンデンサ
３が横置きに配置されている。このように配置された素
子１，２および平滑コンデンサ３は、図１３、図１４に
示すように短絡バー５〜７により接続される。これらの
図では、各素子１，２と平滑コンデンサ３までの直流回
路の配線インダクタンスが軽減するように絶縁シート９
を介して短絡バー５〜７が配線されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のインバータは、配線インダクタンスが軽減され
るものの平滑コンデンサ３、出力端子から各素子１，２
までの距離が均一にならない。そのため、上アームと下
アームの各素子が同じパッケージに入ったＩＧＢＴ素子
を使用した場合には、従来使用していた素子よりもさら
に配線インダクタンスの低減と、電流バランスの均一化
が要求されるため、従来方法では平滑コンデンサに近い
素子に電流が大きく流れ、電流のアンバランスが生じる
ことになる。このように、電流アンバランスが生じる
と、最大の電流にもとづいてＩＧＢＴ素子を選定しなけ
ればならない。その結果、容量が必要以上に大きくなっ
た分、コストアップとなり、インバータの定格容量につ
いても最大容量が低減されるため、適用範囲が小さくな
る等の問題があった。
た従来のインバータは、配線インダクタンスが軽減され
るものの平滑コンデンサ３、出力端子から各素子１，２
までの距離が均一にならない。そのため、上アームと下
アームの各素子が同じパッケージに入ったＩＧＢＴ素子
を使用した場合には、従来使用していた素子よりもさら
に配線インダクタンスの低減と、電流バランスの均一化
が要求されるため、従来方法では平滑コンデンサに近い
素子に電流が大きく流れ、電流のアンバランスが生じる
ことになる。このように、電流アンバランスが生じる
と、最大の電流にもとづいてＩＧＢＴ素子を選定しなけ
ればならない。その結果、容量が必要以上に大きくなっ
た分、コストアップとなり、インバータの定格容量につ
いても最大容量が低減されるため、適用範囲が小さくな
る等の問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで上記課題を解決す
るために、請求項１の発明は、各相ごとに複数個の半導
体スイッチング素子を並列に接続し、これら半導体スイ
ッチング素子の横に平滑コンデンサを近接して設置し、
平滑コンデンサの両端子と各半導体スイッチング素子の
両入力端との間をそれぞれ１対の直流短絡バーにより接
続するとともに、各半導体スイッチング素子の出力端と
出力端子との間を交流短絡バーにより接続したインバー
タにおいて、複数個の半導体スイッチング素子を、それ
ぞれの交流出力端子を一方の端にして直線上に配置され
た入出力端子の配置方向と直交する方向に一列に配置
し、直流短絡バー本体および交流短絡バー本体を、半導
体スイッチング素子の交流出力端子側外方であって端子
レベルとほぼ同一のレベルでかつスイッチング素子列と
平行に配置するとともに上下方向に絶縁シートを介して
互いに重合して支持する。
るために、請求項１の発明は、各相ごとに複数個の半導
体スイッチング素子を並列に接続し、これら半導体スイ
ッチング素子の横に平滑コンデンサを近接して設置し、
平滑コンデンサの両端子と各半導体スイッチング素子の
両入力端との間をそれぞれ１対の直流短絡バーにより接
続するとともに、各半導体スイッチング素子の出力端と
出力端子との間を交流短絡バーにより接続したインバー
タにおいて、複数個の半導体スイッチング素子を、それ
ぞれの交流出力端子を一方の端にして直線上に配置され
た入出力端子の配置方向と直交する方向に一列に配置
し、直流短絡バー本体および交流短絡バー本体を、半導
体スイッチング素子の交流出力端子側外方であって端子
レベルとほぼ同一のレベルでかつスイッチング素子列と
平行に配置するとともに上下方向に絶縁シートを介して
互いに重合して支持する。
【０００５】この両直流短絡バー本体と平行かつ一体に
各素子の直流入力端子に接続される帯状の直流端子接続
部を形成するとともに、直流端子接続部の隣合う各端子
接続位置の中間位置で両直流短絡バー本体と直流端子接
続部を櫛状かつ一体に接続する架橋部を形成し、さら
に、交流短絡バー本体から一体かつ櫛状に突設されて各
交流出力端子と接続される交流端子接続部を形成し、ま
たさらに、各短絡バー本体の長手方向中間位置の外縁部
を上方に折曲して、平滑コンデンサおよび出力回路接続
用導体バーとの接続部を形成する。それにより、各導体
バーにおける素子ごとの空間配置が対称的となり素子ご
との電流が均一となる。
各素子の直流入力端子に接続される帯状の直流端子接続
部を形成するとともに、直流端子接続部の隣合う各端子
接続位置の中間位置で両直流短絡バー本体と直流端子接
続部を櫛状かつ一体に接続する架橋部を形成し、さら
に、交流短絡バー本体から一体かつ櫛状に突設されて各
交流出力端子と接続される交流端子接続部を形成し、ま
たさらに、各短絡バー本体の長手方向中間位置の外縁部
を上方に折曲して、平滑コンデンサおよび出力回路接続
用導体バーとの接続部を形成する。それにより、各導体
バーにおける素子ごとの空間配置が対称的となり素子ご
との電流が均一となる。
【０００６】請求項２の発明は、請求項１のインバータ
において、半導体スイッチング素子を２n（ｎは自然
数）個とし、直流端子接続部を隣り合う２個の素子間ご
とに配設し、直流端子接続部と架橋部とをトーナメント
形の配置として直流短絡バー本体に接続するとともに、
直流端子接続部と交流短絡バー本体との接続もトーナメ
ント形の配置とする。それにより、各導体バーにおける
素子ごと空間配置がほぼ完全な対称となり素子ごとの電
流がより均一となる。なお、ここで言うトーナメント形
とは、２ｎ個の端子から導体バーとの接続部までの形状
を順に段階ごとに２個を対称形を保ちながら接続して１
個に統合し最終段階で１個に統合するフラクタル構造で
ある。
において、半導体スイッチング素子を２n（ｎは自然
数）個とし、直流端子接続部を隣り合う２個の素子間ご
とに配設し、直流端子接続部と架橋部とをトーナメント
形の配置として直流短絡バー本体に接続するとともに、
直流端子接続部と交流短絡バー本体との接続もトーナメ
ント形の配置とする。それにより、各導体バーにおける
素子ごと空間配置がほぼ完全な対称となり素子ごとの電
流がより均一となる。なお、ここで言うトーナメント形
とは、２ｎ個の端子から導体バーとの接続部までの形状
を順に段階ごとに２個を対称形を保ちながら接続して１
個に統合し最終段階で１個に統合するフラクタル構造で
ある。
【０００７】請求項３の発明は、各相ごとに複数個の半
導体スイッチング素子を並列に接続し、これら半導体ス
イッチング素子の横に平滑コンデンサを近接して設置
し、平滑コンデンサの両端子と各半導体スイッチング素
子の両入力端との間をそれぞれ１対の直流短絡バーによ
り接続するとともに、各半導体スイッチング素子の出力
端と出力端子との間を交流短絡バーにより接続したイン
バータにおいて、複数個の半導体スイッチング素子を、
端子配置方向を揃え等間隔で複数列に配置し、直流短絡
バー本体および交流短絡バー本体を、半導体スイッチン
グ素子の端子レベルとほぼ同一のレベルでかつ素子全体
を覆う範囲に水平に配置するとともに上下方向に絶縁シ
ートを介して互いに重合して支持する。この直流短絡バ
ー本体および交流短絡バー本体の各素子ごとに素子の全
端子をおさめる大きさに切り抜いて窓部を形成するとと
もに、各窓部内であって接続対象の端子位置に帯状に残
して端子接続部を形成する。それにより、各導体バーに
おける素子ごと空間配置が対称的となり素子ごとの電流
が均一となる。
導体スイッチング素子を並列に接続し、これら半導体ス
イッチング素子の横に平滑コンデンサを近接して設置
し、平滑コンデンサの両端子と各半導体スイッチング素
子の両入力端との間をそれぞれ１対の直流短絡バーによ
り接続するとともに、各半導体スイッチング素子の出力
端と出力端子との間を交流短絡バーにより接続したイン
バータにおいて、複数個の半導体スイッチング素子を、
端子配置方向を揃え等間隔で複数列に配置し、直流短絡
バー本体および交流短絡バー本体を、半導体スイッチン
グ素子の端子レベルとほぼ同一のレベルでかつ素子全体
を覆う範囲に水平に配置するとともに上下方向に絶縁シ
ートを介して互いに重合して支持する。この直流短絡バ
ー本体および交流短絡バー本体の各素子ごとに素子の全
端子をおさめる大きさに切り抜いて窓部を形成するとと
もに、各窓部内であって接続対象の端子位置に帯状に残
して端子接続部を形成する。それにより、各導体バーに
おける素子ごと空間配置が対称的となり素子ごとの電流
が均一となる。
【０００８】第４の発明は、請求項３のインバータにお
いて、各短絡バー本体の長手方向中間位置の外縁部を上
方に折曲して、平滑コンデンサおよび出力端子接続用導
体バーとの接続部を形成する。それにより、各導体バー
における素子ごと空間配置がより対称的となり素子ごと
の電流がさらに均一となる。
いて、各短絡バー本体の長手方向中間位置の外縁部を上
方に折曲して、平滑コンデンサおよび出力端子接続用導
体バーとの接続部を形成する。それにより、各導体バー
における素子ごと空間配置がより対称的となり素子ごと
の電流がさらに均一となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図に沿って本発明の実施形
態を説明する。図１〜図４は請求項１の発明に係る第１
の実施形態を示す図であり、図１は全体を示す平面図、
図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は図１の要部の拡大
図、図４は図３のＢ−Ｂ線端面図である。請求項１の発
明は、設置する半導体スイッチング素子の数が偶数個の
場合に適用されるものである。これらの図において、４
は放熱板であり、垂直方向に形成されたフィンからな
る。この放熱板４の上に、半導体スイッチング素子であ
るところの８個のＩＧＢＴ素子１０が端子の配置方向と
直交する方向に一列に配置されている。
態を説明する。図１〜図４は請求項１の発明に係る第１
の実施形態を示す図であり、図１は全体を示す平面図、
図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は図１の要部の拡大
図、図４は図３のＢ−Ｂ線端面図である。請求項１の発
明は、設置する半導体スイッチング素子の数が偶数個の
場合に適用されるものである。これらの図において、４
は放熱板であり、垂直方向に形成されたフィンからな
る。この放熱板４の上に、半導体スイッチング素子であ
るところの８個のＩＧＢＴ素子１０が端子の配置方向と
直交する方向に一列に配置されている。
【００１０】ＩＧＢＴ素子１０の上面には、手前側から
Ｃ１と表示された直流入力端子、Ｅ２と表示された直流
入力端子、Ｃ２Ｅ１と表示された交流出力端子が、縦一
列に配置されている。端子Ｃ１は、（＋）短絡バー６
（以下、Ｐ短絡バーと称する。）により、図示しない平
滑コンデンサのプラス極と接続される。端子Ｅ２は、
（−）短絡バー５（以下、Ｎ短絡バーと称する。）によ
り、同じく図示しない平滑コンデンサのマイナス極と接
続される。端子Ｃ２Ｅ１は、（ＡＣ）短絡バー８（以
下、ＡＣ短絡バーと称する。）により、図示しないイン
バータ出力端子と接続される。
Ｃ１と表示された直流入力端子、Ｅ２と表示された直流
入力端子、Ｃ２Ｅ１と表示された交流出力端子が、縦一
列に配置されている。端子Ｃ１は、（＋）短絡バー６
（以下、Ｐ短絡バーと称する。）により、図示しない平
滑コンデンサのプラス極と接続される。端子Ｅ２は、
（−）短絡バー５（以下、Ｎ短絡バーと称する。）によ
り、同じく図示しない平滑コンデンサのマイナス極と接
続される。端子Ｃ２Ｅ１は、（ＡＣ）短絡バー８（以
下、ＡＣ短絡バーと称する。）により、図示しないイン
バータ出力端子と接続される。
【００１１】次に、Ｐ短絡バー６について詳細に説明す
ると、Ｐ短絡バー６は、一列に配設された８個のＩＧＢ
Ｔ素子１０分の長さに近い全長であって、ＩＧＢＴ素子
１０の端子Ｃ２Ｅ１の奥側に端子Ｃ２Ｅ１等とほぼ同レ
ベルに配設された短絡バー本体６ａと、８個のＩＧＢＴ
素子１０の全ての端子Ｃ１と接続される端子接続部６ｂ
と、隣り合う各端子Ｃ１の中間位置で端子接続部６ｂを
本体６ａと一体に接続する架橋部６ｃと、本体６ａの奥
側の縁を長手方向中間位置で上方に折り曲げさらに上端
を水平に折り曲げて形成された導体バー接続部６ｄとか
らなる。また、端子接続部６ｂには、端子Ｃ１を接続す
るための取付孔６ｅが形成されており、各ＩＧＢＴ素子
１０の端子Ｃ１がネジ止めにより固定される。
ると、Ｐ短絡バー６は、一列に配設された８個のＩＧＢ
Ｔ素子１０分の長さに近い全長であって、ＩＧＢＴ素子
１０の端子Ｃ２Ｅ１の奥側に端子Ｃ２Ｅ１等とほぼ同レ
ベルに配設された短絡バー本体６ａと、８個のＩＧＢＴ
素子１０の全ての端子Ｃ１と接続される端子接続部６ｂ
と、隣り合う各端子Ｃ１の中間位置で端子接続部６ｂを
本体６ａと一体に接続する架橋部６ｃと、本体６ａの奥
側の縁を長手方向中間位置で上方に折り曲げさらに上端
を水平に折り曲げて形成された導体バー接続部６ｄとか
らなる。また、端子接続部６ｂには、端子Ｃ１を接続す
るための取付孔６ｅが形成されており、各ＩＧＢＴ素子
１０の端子Ｃ１がネジ止めにより固定される。
【００１２】また、Ｐ短絡バー６の下側には、ほぼ同形
状のＮ短絡バー５が配設されている。このＮ短絡バー５
も、短絡バー６と同じく、短絡バー本体５ａと、８個の
ＩＧＢＴ素子１０の全ての端子Ｅ２と接続される端子接
続部５ｂと、隣り合う各端子Ｅ２の中間位置で端子接続
部５ｂを本体５ａと一体に接続する架橋部５ｃと、本体
５ａの奥側の縁を長手方向中間位置で上方に折り曲げさ
らに上端を水平に折り曲げて形成された導体バー接続部
５ｄとからなる。また、端子接続部５ｂには、端子Ｅ２
を接続するための取付孔５ｅが形成されており、各ＩＧ
ＢＴ素子１０の端子Ｅ２がネジ止めにより固定される。
状のＮ短絡バー５が配設されている。このＮ短絡バー５
も、短絡バー６と同じく、短絡バー本体５ａと、８個の
ＩＧＢＴ素子１０の全ての端子Ｅ２と接続される端子接
続部５ｂと、隣り合う各端子Ｅ２の中間位置で端子接続
部５ｂを本体５ａと一体に接続する架橋部５ｃと、本体
５ａの奥側の縁を長手方向中間位置で上方に折り曲げさ
らに上端を水平に折り曲げて形成された導体バー接続部
５ｄとからなる。また、端子接続部５ｂには、端子Ｅ２
を接続するための取付孔５ｅが形成されており、各ＩＧ
ＢＴ素子１０の端子Ｅ２がネジ止めにより固定される。
【００１３】さらに、Ｐ短絡バー６とＮ短絡バー５との
間には、ＡＣ短絡バー８が配設されている。このＡＣ短
絡バー８は、短絡バー５，６よりやや幅の広い短絡バー
本体８ａと、８個のＩＧＢＴ素子１０の全ての端子Ｃ２
Ｅ１と接続するために本体から櫛状に突設された端子接
続部８ｂと、本体８ａの奥側の縁を長手方向中間位置で
上方に折り曲げさらに上端を水平に折り曲げて形成され
た導体バー接続部８ｄとからなる。また、端子接続部８
ｂには、端子Ｃ２Ｅ１を接続するための取付孔８ｅが形
成されており、各ＩＧＢＴ素子１０の端子Ｃ２Ｅ１がネ
ジ止めにより固定される。
間には、ＡＣ短絡バー８が配設されている。このＡＣ短
絡バー８は、短絡バー５，６よりやや幅の広い短絡バー
本体８ａと、８個のＩＧＢＴ素子１０の全ての端子Ｃ２
Ｅ１と接続するために本体から櫛状に突設された端子接
続部８ｂと、本体８ａの奥側の縁を長手方向中間位置で
上方に折り曲げさらに上端を水平に折り曲げて形成され
た導体バー接続部８ｄとからなる。また、端子接続部８
ｂには、端子Ｃ２Ｅ１を接続するための取付孔８ｅが形
成されており、各ＩＧＢＴ素子１０の端子Ｃ２Ｅ１がネ
ジ止めにより固定される。
【００１４】ここで、短絡バー６，８，５は、その間に
絶縁シート９を介して密接した状態で重合されており、
互いに支持されているレベルが短絡バー板厚と絶縁シー
ト９の厚みの分、それぞれ異なる。そのため、中間の短
絡バー８が基準となり、架橋部６ｃは端子接続部６ｂの
近くで折り曲げられることにより、架橋部６ｃおよび本
体６ａは、端子接続部６ｂのレベルよりも板厚と絶縁シ
ート９の厚み分上位に保持されている。同様に、架橋部
５ｃは端子接続部５ｂの近くで折り曲げられることによ
り、架橋部５ｃおよび本体５ａは、端子接続部５ｂのレ
ベルよりも板厚と絶縁シート９の厚み分下位に保持され
ている。さらには、架橋部６ｃと架橋部５ｃの間も、絶
縁シート９を介して密接させたことにより、短絡バー
６，８，５の配線インダクタンスが小さくなる。
絶縁シート９を介して密接した状態で重合されており、
互いに支持されているレベルが短絡バー板厚と絶縁シー
ト９の厚みの分、それぞれ異なる。そのため、中間の短
絡バー８が基準となり、架橋部６ｃは端子接続部６ｂの
近くで折り曲げられることにより、架橋部６ｃおよび本
体６ａは、端子接続部６ｂのレベルよりも板厚と絶縁シ
ート９の厚み分上位に保持されている。同様に、架橋部
５ｃは端子接続部５ｂの近くで折り曲げられることによ
り、架橋部５ｃおよび本体５ａは、端子接続部５ｂのレ
ベルよりも板厚と絶縁シート９の厚み分下位に保持され
ている。さらには、架橋部６ｃと架橋部５ｃの間も、絶
縁シート９を介して密接させたことにより、短絡バー
６，８，５の配線インダクタンスが小さくなる。
【００１５】また、導体バー接続部６ｄには、図示しな
いが放熱板４の右隣に設置されている平滑コンデンサの
プラス極と接続するために、導体バー１２がネジ止めに
より接続される。同様に、導体バー接続部５ｄには、図
示しない平滑コンデンサのマイナス極と接続するため
に、導体バー１１がネジ止めにより接続される。また、
導体バー接続部８ｄには、図示しないが放熱板４の右隣
に設置されているインバータ出力端子と接続するため
に、導体バー１３がネジ止めにより接続される。これ
ら、導体バー１１〜１３は、その間に絶縁シート９を介
して密接させることにより、配線インダクタンスが小さ
くなる。
いが放熱板４の右隣に設置されている平滑コンデンサの
プラス極と接続するために、導体バー１２がネジ止めに
より接続される。同様に、導体バー接続部５ｄには、図
示しない平滑コンデンサのマイナス極と接続するため
に、導体バー１１がネジ止めにより接続される。また、
導体バー接続部８ｄには、図示しないが放熱板４の右隣
に設置されているインバータ出力端子と接続するため
に、導体バー１３がネジ止めにより接続される。これ
ら、導体バー１１〜１３は、その間に絶縁シート９を介
して密接させることにより、配線インダクタンスが小さ
くなる。
【００１６】このようにして、各短絡バー６，８，５
は、隣り合う２個単位のＩＧＢＴ素子１０の端子からそ
の本体６ａ，８ａ，５ａに対して、軸対称の配置とな
り、すなわち、本体６ａ，８ａ，５ａから各ＩＧＢＴ素
子１０に対する電流経路を構成する導体各部の距離が均
等となる。それにより、各ＩＧＢＴ素子１０ごとに入出
力される電流が均一となる。
は、隣り合う２個単位のＩＧＢＴ素子１０の端子からそ
の本体６ａ，８ａ，５ａに対して、軸対称の配置とな
り、すなわち、本体６ａ，８ａ，５ａから各ＩＧＢＴ素
子１０に対する電流経路を構成する導体各部の距離が均
等となる。それにより、各ＩＧＢＴ素子１０ごとに入出
力される電流が均一となる。
【００１７】図５は請求項２の発明に係る第２の実施形
態を示す図であり、説明のため１個の短絡バーのみの取
り付け状態を示したものであり、図ａがその背面図、図
ｂが平面図である。請求項２の発明は、設置するＩＧＢ
Ｔ素子１０の数が２n個の場合に適用されるものであ
り、この実施形態では、８個のＩＧＢＴ素子１０をＮ短
絡バー１５に接続する場合を示す。図示されるように、
隣り合う２個のＩＧＢＴ素子１０の端子Ｅ２が端子接続
部１５ｂにネジ止めされて接続される。端子接続部１５
ｂは４分され、それぞれの両端で端子Ｅ２に接続され
る。
態を示す図であり、説明のため１個の短絡バーのみの取
り付け状態を示したものであり、図ａがその背面図、図
ｂが平面図である。請求項２の発明は、設置するＩＧＢ
Ｔ素子１０の数が２n個の場合に適用されるものであ
り、この実施形態では、８個のＩＧＢＴ素子１０をＮ短
絡バー１５に接続する場合を示す。図示されるように、
隣り合う２個のＩＧＢＴ素子１０の端子Ｅ２が端子接続
部１５ｂにネジ止めされて接続される。端子接続部１５
ｂは４分され、それぞれの両端で端子Ｅ２に接続され
る。
【００１８】次に、各端子接続部１５ｂはその中間位置
でそれぞれ架橋部１５ｃに連続して接続される。４個の
架橋部１５ｃは、その他端において隣り合う２個同士が
Ｔ字状をした短絡バー本体１５ａにより一体に結合され
る。２個の本体１５ａはさらにそれぞれの中間位置で上
方に折り曲げられて１個の導体バー接続部１５ｄにより
一体に結合される。導体バー接続部１５ｄには、第１の
実施形態と同様に、導体バー（図示せず）がネジ止めに
より接続される。このように、ＩＧＢＴ素子１０の端子
Ｅ２をＮ短絡バー１５へ接続した場合に形成される電流
経路が、順に２個づつ結合されて、最後は１個となり、
あたかもトーナメント戦の組み合わせ図のような形状と
なる。この発明では、便宜上このように形成されたＮ短
絡バー１５の形状をトーナメント形と称する。
でそれぞれ架橋部１５ｃに連続して接続される。４個の
架橋部１５ｃは、その他端において隣り合う２個同士が
Ｔ字状をした短絡バー本体１５ａにより一体に結合され
る。２個の本体１５ａはさらにそれぞれの中間位置で上
方に折り曲げられて１個の導体バー接続部１５ｄにより
一体に結合される。導体バー接続部１５ｄには、第１の
実施形態と同様に、導体バー（図示せず）がネジ止めに
より接続される。このように、ＩＧＢＴ素子１０の端子
Ｅ２をＮ短絡バー１５へ接続した場合に形成される電流
経路が、順に２個づつ結合されて、最後は１個となり、
あたかもトーナメント戦の組み合わせ図のような形状と
なる。この発明では、便宜上このように形成されたＮ短
絡バー１５の形状をトーナメント形と称する。
【００１９】また、図示しないが、端子Ｃ１と接続され
るＰ短絡バー、および端子Ｃ２Ｅ１と接続されるＡＣ短
絡バーについても、同様なトーナメント形に形成すると
ともに、その間に絶縁シートを介して密接した状態で重
合させる。この実施形態は、第１の実施形態に比べて、
平滑コンデンサまたはインバータ出力端子からＩＧＢＴ
素子１０の各端子までの間に各短絡バーにより形成され
る各端子ごとの電流経路の長さが等しくなることによ
り、素子ごとの電流値がさらに均一となる。
るＰ短絡バー、および端子Ｃ２Ｅ１と接続されるＡＣ短
絡バーについても、同様なトーナメント形に形成すると
ともに、その間に絶縁シートを介して密接した状態で重
合させる。この実施形態は、第１の実施形態に比べて、
平滑コンデンサまたはインバータ出力端子からＩＧＢＴ
素子１０の各端子までの間に各短絡バーにより形成され
る各端子ごとの電流経路の長さが等しくなることによ
り、素子ごとの電流値がさらに均一となる。
【００２０】図６〜図９は請求項３の発明に係る第３の
実施形態を示す図であり、図６は全体を示す平面図、図
７は図６のＣ−Ｃ線断面図、図８は図６の要部の拡大
図、図９は図８のＤ−Ｄ線端面図である。これらの図に
おいて、４は放熱板であり、この放熱板４の上に、ＩＧ
ＢＴ素子１０が４個ずつ横２列に配置されている。ＩＧ
ＢＴ素子１０の上面には、左側からＣ１と表示された直
流入力端子、Ｅ２と表示された直流入力端子、Ｃ２Ｅ１
と表示された交流出力端子が、一列に配置されている。
端子Ｃ１は、Ｐ短絡バー２６により、図示しない平滑コ
ンデンサのプラス極と接続される。端子Ｅ２は、Ｎ短絡
バー２５により、同じく図示しない平滑コンデンサのマ
イナス極と接続される。端子Ｃ２Ｅ１は、ＡＣ短絡バー
２８により、図示しないインバータ出力端子と接続され
る。
実施形態を示す図であり、図６は全体を示す平面図、図
７は図６のＣ−Ｃ線断面図、図８は図６の要部の拡大
図、図９は図８のＤ−Ｄ線端面図である。これらの図に
おいて、４は放熱板であり、この放熱板４の上に、ＩＧ
ＢＴ素子１０が４個ずつ横２列に配置されている。ＩＧ
ＢＴ素子１０の上面には、左側からＣ１と表示された直
流入力端子、Ｅ２と表示された直流入力端子、Ｃ２Ｅ１
と表示された交流出力端子が、一列に配置されている。
端子Ｃ１は、Ｐ短絡バー２６により、図示しない平滑コ
ンデンサのプラス極と接続される。端子Ｅ２は、Ｎ短絡
バー２５により、同じく図示しない平滑コンデンサのマ
イナス極と接続される。端子Ｃ２Ｅ１は、ＡＣ短絡バー
２８により、図示しないインバータ出力端子と接続され
る。
【００２１】Ｎ短絡バー２５は、８個のＩＧＢＴ素子１
０が配置された範囲よりも、若干縦横大きめの長方形か
らなり、ＩＧＢＴ素子１０の端子Ｃ１等とほぼ同レベル
に支持されている。また、Ｎ短絡バー２５の各ＩＧＢＴ
素子１０上部の端子列を囲む範囲で長方形の窓部２５ａ
を形成するとともに、内側の端子Ｅ２の位置に該当する
一部を帯状に残す。これは、いわば漢字の日の字の形状
に切り抜いたことにもなる。この窓部２５ａ内に残され
た帯状の部分を接続部２５ｂとし、端子Ｅ２に位置する
部分に取付孔をあけて端子Ｅ２をネジ止めにより固定す
る。Ｎ短絡バー２５の右端は上方に折り曲げさらに上端
を水平に折り曲げて、図示しない平滑コンデンサに接続
する。
０が配置された範囲よりも、若干縦横大きめの長方形か
らなり、ＩＧＢＴ素子１０の端子Ｃ１等とほぼ同レベル
に支持されている。また、Ｎ短絡バー２５の各ＩＧＢＴ
素子１０上部の端子列を囲む範囲で長方形の窓部２５ａ
を形成するとともに、内側の端子Ｅ２の位置に該当する
一部を帯状に残す。これは、いわば漢字の日の字の形状
に切り抜いたことにもなる。この窓部２５ａ内に残され
た帯状の部分を接続部２５ｂとし、端子Ｅ２に位置する
部分に取付孔をあけて端子Ｅ２をネジ止めにより固定す
る。Ｎ短絡バー２５の右端は上方に折り曲げさらに上端
を水平に折り曲げて、図示しない平滑コンデンサに接続
する。
【００２２】また、Ｎ短絡バー２５の下側には、ほぼ同
形状のＡＣ短絡バー２８が配設されている。このＡＣ短
絡バー２８にも、窓部２８ａを形成し、窓部２８ａ内に
帯状に残された一方からの突起部分を接続部２８ｂと
し、端子Ｃ２Ｅ１に位置する部分に取付孔をあけて端子
Ｃ２Ｅ１をネジ止めにより固定する。ＡＣ短絡バー２８
の右端は上方に折り曲げさらに上端を水平に折り曲げ
て、図示しないインバータ出力端子に接続する。さら
に、ＡＣ短絡バー２８の下側には、ほぼ同形状のＰ短絡
バー２６が配設されている。このＰ短絡バー２６にも、
窓部２６ａを形成し、窓部２６ａ内に残された帯状の部
分を接続部２６ｂとし、端子Ｃ１に位置する部分に取付
孔をあけて端子Ｃ１をネジ止めにより固定する。Ｐ短絡
バー２６の右端は上方に折り曲げさらに上端を水平に折
り曲げて、図示しない平滑コンデンサに接続する。
形状のＡＣ短絡バー２８が配設されている。このＡＣ短
絡バー２８にも、窓部２８ａを形成し、窓部２８ａ内に
帯状に残された一方からの突起部分を接続部２８ｂと
し、端子Ｃ２Ｅ１に位置する部分に取付孔をあけて端子
Ｃ２Ｅ１をネジ止めにより固定する。ＡＣ短絡バー２８
の右端は上方に折り曲げさらに上端を水平に折り曲げ
て、図示しないインバータ出力端子に接続する。さら
に、ＡＣ短絡バー２８の下側には、ほぼ同形状のＰ短絡
バー２６が配設されている。このＰ短絡バー２６にも、
窓部２６ａを形成し、窓部２６ａ内に残された帯状の部
分を接続部２６ｂとし、端子Ｃ１に位置する部分に取付
孔をあけて端子Ｃ１をネジ止めにより固定する。Ｐ短絡
バー２６の右端は上方に折り曲げさらに上端を水平に折
り曲げて、図示しない平滑コンデンサに接続する。
【００２３】ここで、短絡バー２６，２８，２５の各本
体部は、その間に絶縁シート２９を介して密接した状態
で重合されており、互いの支持されているレベルが短絡
バー板厚と絶縁シート２９の厚みの分、それぞれ異な
る。そこで各端子との接続のため、中間の短絡バー２８
のレベルを端子の取付基準とし、接続部２８ｂはそのま
まで、上側に位置している短絡バー２５に形成される接
続部２５ｂは、その板厚と絶縁シート２９の厚み分、成
形時に下方に押し出し、また、下側に位置している短絡
バー２６に形成される接続部２６ｂは、その板厚と絶縁
シート２９の厚み分、成形時に上方に押し出すことによ
り、それぞれのレベルを一致させている。
体部は、その間に絶縁シート２９を介して密接した状態
で重合されており、互いの支持されているレベルが短絡
バー板厚と絶縁シート２９の厚みの分、それぞれ異な
る。そこで各端子との接続のため、中間の短絡バー２８
のレベルを端子の取付基準とし、接続部２８ｂはそのま
まで、上側に位置している短絡バー２５に形成される接
続部２５ｂは、その板厚と絶縁シート２９の厚み分、成
形時に下方に押し出し、また、下側に位置している短絡
バー２６に形成される接続部２６ｂは、その板厚と絶縁
シート２９の厚み分、成形時に上方に押し出すことによ
り、それぞれのレベルを一致させている。
【００２４】このように、短絡バー２６，２８，２５の
各本体部を、絶縁シート２９を介して密接させたことに
より、短絡バー２６，２８，２５の配線インダクタンス
が小さくなる。また、各ＩＧＢＴ素子１０の端子を、充
分に大きな面積を有する短絡バー２６，２８，２５に、
両側また片側から一体支持されている接続部２６ｂ，２
８ｂ，２５ｂを介して接続したことにより、各ＩＧＢＴ
素子１０に対する電流経路の長さの差の影響が小さくな
り、各ＩＧＢＴ素子１０ごとに入出力される電流値の差
を小さくすることができる。
各本体部を、絶縁シート２９を介して密接させたことに
より、短絡バー２６，２８，２５の配線インダクタンス
が小さくなる。また、各ＩＧＢＴ素子１０の端子を、充
分に大きな面積を有する短絡バー２６，２８，２５に、
両側また片側から一体支持されている接続部２６ｂ，２
８ｂ，２５ｂを介して接続したことにより、各ＩＧＢＴ
素子１０に対する電流経路の長さの差の影響が小さくな
り、各ＩＧＢＴ素子１０ごとに入出力される電流値の差
を小さくすることができる。
【００２５】図１０は請求項４の発明に係る第４の実施
形態を示す図であり、説明のため１個の短絡バーのみの
取り付け状態を示したものであり、図ａがそのＮ短絡バ
ー３５の背面図、図ｂが平面図である。図示されるよう
に、このＮ短絡バー３５の本体は、第３の実施形態の短
絡バー２５と同様に、窓部３５ａおよび接続部３５ｂが
形成されている。また、短絡バー３５の一方の長辺を上
方に折り曲げ、その中央部分をさらに水平に折り曲げて
導体バー接続部３５ｄが形成されている。導体バー接続
部３５ｄには、図示しない平滑コンデンサのマイナス極
と接続するために、導体バー４１がネジ止めにより接続
される。
形態を示す図であり、説明のため１個の短絡バーのみの
取り付け状態を示したものであり、図ａがそのＮ短絡バ
ー３５の背面図、図ｂが平面図である。図示されるよう
に、このＮ短絡バー３５の本体は、第３の実施形態の短
絡バー２５と同様に、窓部３５ａおよび接続部３５ｂが
形成されている。また、短絡バー３５の一方の長辺を上
方に折り曲げ、その中央部分をさらに水平に折り曲げて
導体バー接続部３５ｄが形成されている。導体バー接続
部３５ｄには、図示しない平滑コンデンサのマイナス極
と接続するために、導体バー４１がネジ止めにより接続
される。
【００２６】このように、短絡バー３５と導体バー４１
との接続を、短絡バー３５の長手方向の中間位置とした
ことで、各ＩＧＢＴ素子１０の端子Ｅ２をＮ短絡バー３
５へ接続した場合に形成される電流経路が、その両側で
互いに対称となる。また、図示しないが、端子Ｃ１と接
続されるＰ短絡バー、および端子Ｃ２Ｅ１と接続される
ＡＣ短絡バーについても、同様にその長手方向の中間
に、導体バー接続部を形成するとともに、互いの短絡バ
ーの間に絶縁シートを介して密接した状態で重合させ
る。
との接続を、短絡バー３５の長手方向の中間位置とした
ことで、各ＩＧＢＴ素子１０の端子Ｅ２をＮ短絡バー３
５へ接続した場合に形成される電流経路が、その両側で
互いに対称となる。また、図示しないが、端子Ｃ１と接
続されるＰ短絡バー、および端子Ｃ２Ｅ１と接続される
ＡＣ短絡バーについても、同様にその長手方向の中間
に、導体バー接続部を形成するとともに、互いの短絡バ
ーの間に絶縁シートを介して密接した状態で重合させ
る。
【００２７】この実施形態は、第３の実施形態に比べ
て、平滑コンデンサまたはインバータ出力端子からＩＧ
ＢＴ素子１０の各端子までの間で各短絡バーに形成され
る各端子ごとの電流経路の長さの差が小さくなることに
より、素子ごとの電流値の差をより小さくすることがで
きる。なお、上述した各実施形態では、半導体スイッチ
ング素子としてＩＧＢＴを用いた場合を説明したが、Ｇ
ＴＯその他のパワートランジスタにも適用可能である。
て、平滑コンデンサまたはインバータ出力端子からＩＧ
ＢＴ素子１０の各端子までの間で各短絡バーに形成され
る各端子ごとの電流経路の長さの差が小さくなることに
より、素子ごとの電流値の差をより小さくすることがで
きる。なお、上述した各実施形態では、半導体スイッチ
ング素子としてＩＧＢＴを用いた場合を説明したが、Ｇ
ＴＯその他のパワートランジスタにも適用可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように請求項１の発明によれ
ば、各半導体スイッチング素子を一列に配置して、各短
絡バーを上下方向に絶縁シートを介して互いに重合して
支持するとともに、各素子の端子と短絡バーとの接続が
素子間で互いに対称的な空間配置とすることにより、素
子ごとの電流が均一となる。その結果、従来例のよう
に、電流のアンバランスを見込んでより容量の大きい素
子を使う必要がなくなり、インバータの小型化、コスト
ダウンが可能になる。
ば、各半導体スイッチング素子を一列に配置して、各短
絡バーを上下方向に絶縁シートを介して互いに重合して
支持するとともに、各素子の端子と短絡バーとの接続が
素子間で互いに対称的な空間配置とすることにより、素
子ごとの電流が均一となる。その結果、従来例のよう
に、電流のアンバランスを見込んでより容量の大きい素
子を使う必要がなくなり、インバータの小型化、コスト
ダウンが可能になる。
【００２９】請求項２の発明によれば、請求項１のイン
バータにおいて、半導体スイッチング素子を２n個と
し、各短絡バーと素子の端子間の接続をトーナメント形
の配置とすることにより、各導体バーにおける素子ごと
の空間配置がほぼ完全な対称となり各素子の電流がより
均一となる。その結果、さらにインバータの小型化、コ
ストダウンが可能になる。
バータにおいて、半導体スイッチング素子を２n個と
し、各短絡バーと素子の端子間の接続をトーナメント形
の配置とすることにより、各導体バーにおける素子ごと
の空間配置がほぼ完全な対称となり各素子の電流がより
均一となる。その結果、さらにインバータの小型化、コ
ストダウンが可能になる。
【００３０】請求項３の発明によれば、各半導体スイッ
チング素子を複数列に配置して、素子全体を覆う各短絡
バーを上下方向に絶縁シートを介して互いに重合して支
持するとともに、短絡バー本体の各素子ごとに素子の全
端子をおさめる大きさに切り抜いて窓部を形成するとと
もに、各窓部内であって接続対象の端子位置に帯状に残
して端子接続部を形成したことにより、各導体バーにお
ける素子ごと空間配置がほぼ均等となり各素子の電流が
均一となる。その結果、従来例のように、電流のアンバ
ランスを見込んでより容量の大きい素子を使う必要がな
くなり、インバータの小型化、コストダウンが可能にな
る。
チング素子を複数列に配置して、素子全体を覆う各短絡
バーを上下方向に絶縁シートを介して互いに重合して支
持するとともに、短絡バー本体の各素子ごとに素子の全
端子をおさめる大きさに切り抜いて窓部を形成するとと
もに、各窓部内であって接続対象の端子位置に帯状に残
して端子接続部を形成したことにより、各導体バーにお
ける素子ごと空間配置がほぼ均等となり各素子の電流が
均一となる。その結果、従来例のように、電流のアンバ
ランスを見込んでより容量の大きい素子を使う必要がな
くなり、インバータの小型化、コストダウンが可能にな
る。
【００３１】請求項４の発明によれば、請求項３のイン
バータにおいて、各短絡バー本体の長手方向中間位置の
外縁部を上方に折曲して、平滑コンデンサおよび出力回
路接続用導体バーとの接続部を形成したことにより、各
導体バーにおける素子ごと空間配置がより対称的となり
各素子の電流がより均一となる。その結果、さらにイン
バータの小型化、コストダウンが可能になる。
バータにおいて、各短絡バー本体の長手方向中間位置の
外縁部を上方に折曲して、平滑コンデンサおよび出力回
路接続用導体バーとの接続部を形成したことにより、各
導体バーにおける素子ごと空間配置がより対称的となり
各素子の電流がより均一となる。その結果、さらにイン
バータの小型化、コストダウンが可能になる。
【図１】第１の実施形態本の全体を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１の要部の拡大図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線端面図である。
【図５】第２の実施形態を示す図である。
【図６】第３の実施形態の平面図である。
【図７】図６のＣ−Ｃ線断面図である。
【図８】図６の要部の拡大図である。
【図９】図８のＤ−Ｄ線端面図である。
【図１０】第４の実施形態を示す図である。
【図１１】従来例の正面図である。
【図１２】従来例の平面図である。
【図１３】従来例の正面図である。
【図１４】図１３のＥ−Ｅ線断面図である。
４ 放熱板 ５ Ｎ短絡バー ５ａ 短絡バー本体 ５ｂ 端子接続部 ５ｃ 架橋部 ５ｄ 導体バー接続部 ５ｅ 取付孔 ６ Ｐ短絡バー ６ａ 短絡バー本体 ６ｂ 端子接続部 ６ｃ 架橋部 ６ｄ 導体バー接続部 ６ｅ 取付孔 ８ ＡＣ短絡バー ８ａ 短絡バー本体 ８ｂ 端子接続部 ８ｄ 導体バー接続部 ８ｅ 取付孔 ９ 絶縁シート １０ ＩＧＢＴ素子 １１〜１３ 導体バー １５ Ｎ短絡バー １５ａ 短絡バー本体 １５ｂ 端子接続部 １５ｃ 架橋部 １５ｄ 導体バー接続部 ２５ Ｎ短絡バー ２５ａ 窓部 ２５ｂ 接続部 ２６ Ｐ短絡バー ２６ａ 窓部 ２６ｂ 接続部 ２８ ＡＣ短絡バー ２８ａ 窓部 ２８ｂ 接続部 ２９ 絶縁シート ３５ Ｎ短絡バー ３５ａ 窓部 ３５ｂ 接続部 ３５ｄ 導体バー接続部 ４１ 導体バー Ｃ１，Ｅ２ 直流入力端子 Ｃ２Ｅ１ 交流出力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 7/20 9447−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６５２Ｑ
Claims (4)
- 【請求項１】 各相ごとに複数個の半導体スイッチング
素子を並列に接続し、これら半導体スイッチング素子の
横に平滑コンデンサを近接して設置し、平滑コンデンサ
の両端子と各半導体スイッチング素子の両入力端との間
をそれぞれ１対の直流短絡バーにより接続するととも
に、各半導体スイッチング素子の出力端と出力端子との
間を交流短絡バーにより接続したインバータにおいて、 交流出力端子を一方の端にして直線上に配置された入出
力端子の配置方向と直交する方向に一列に配置した複数
個の半導体スイッチング素子と、 半導体スイッチング素子の交流出力端子側外方であって
端子レベルとほぼ同一のレベルでかつスイッチング素子
列と平行に配置されるとともに上下方向に絶縁シートを
介して互いに重合して支持された直流短絡バー本体およ
び交流短絡バー本体と、 両直流短絡バー本体とそれぞれ平行かつ一体に形成され
て各素子の直流入力端子に接続される帯状の直流端子接
続部と、 直流端子接続部の隣合う各端子接続位置の中間位置でそ
れぞれの直流短絡バー本体と直流端子接続部を櫛状かつ
一体に接続する架橋部と、 交流短絡バー本体から一体かつ櫛状に突設されて各交流
出力端子と接続される交流端子接続部と、 各短絡バー本体の長手方向中間位置の外縁部を上方に折
曲して形成された平滑コンデンサまたは出力端子接続用
導体バーとの接続部と、 を備えたことを特徴とするインバータ。 - 【請求項２】 請求項１記載のインバータにおいて、半
導体スイッチング素子を２n（ｎは自然数）個とし、直
流端子接続部を隣り合う２個の素子間ごとに配設し、直
流端子接続部と架橋部と直流短絡バー本体とをトーナメ
ント形の配置として導体バーとの接続部に接続するとと
もに、交流端子接続部と交流短絡バー本体とをトーナメ
ント形の配置として導体バーとの接続部に接続すること
を特徴とするインバータ。 - 【請求項３】 各相ごとに複数個の半導体スイッチング
素子を並列に接続し、これら半導体スイッチング素子の
横に平滑コンデンサを近接して設置し、平滑コンデンサ
の両端子と各半導体スイッチング素子の両入力端との間
をそれぞれ１対の直流短絡バーにより接続するととも
に、各半導体スイッチング素子の出力端と出力端子との
間を交流短絡バーにより接続したインバータにおいて、 端子配置方向を揃え等間隔で複数列に配置された複数個
の半導体スイッチング素子と、 半導体スイッチング素子の端子レベルとほぼ同一のレベ
ルでかつ素子全体を覆う範囲に水平に配置されるととも
に上下方向に絶縁シートを介して互いに重合して支持さ
れた直流短絡バー本体および交流短絡バー本体と、 直流短絡バー本体および交流短絡バー本体の各素子ごと
に素子の全端子をおさめる大きさに切り抜いて形成され
た窓部と、 各窓部内であって接続対象の端子位置に帯状に残されて
形成された端子接続部と、 を備えたことを特徴とするインバータ。 - 【請求項４】 請求項３記載のインバータにおいて、各
短絡バー本体の長手方向中間位置の外縁部を上方に折曲
して平滑コンデンサまたは出力端子接続用導体バーとの
接続部を形成したことを特徴とするインバータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8083279A JPH09247960A (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | インバータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8083279A JPH09247960A (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | インバータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09247960A true JPH09247960A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13797933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8083279A Withdrawn JPH09247960A (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | インバータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09247960A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000350475A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-15 | Hitachi Ltd | 半導体回路 |
| JP6390807B1 (ja) * | 2018-03-02 | 2018-09-19 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
| JP2021125916A (ja) * | 2020-02-03 | 2021-08-30 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 無停電電源装置 |
-
1996
- 1996-03-12 JP JP8083279A patent/JPH09247960A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000350475A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-15 | Hitachi Ltd | 半導体回路 |
| JP6390807B1 (ja) * | 2018-03-02 | 2018-09-19 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
| JP2019154148A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
| JP2021125916A (ja) * | 2020-02-03 | 2021-08-30 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 無停電電源装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1160866B1 (en) | Semiconductor device with power wiring structure | |
| US6359331B1 (en) | High power switching module | |
| EP2124325B1 (en) | Power converter | |
| US7352587B2 (en) | Power semiconductor module having a half-bridge configuration | |
| US5414616A (en) | Inverter with reduced wiring inductance and increased current balance between semiconductor switching elements | |
| EP3598490A1 (en) | Power module | |
| JP5056595B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| JPH03285570A (ja) | インバータ装置 | |
| US6795324B2 (en) | Power converter | |
| JP2000060126A (ja) | 電力変換器の主回路構造 | |
| JPH0397257A (ja) | 大電力半導体装置 | |
| JPH09247960A (ja) | インバータ | |
| JPH10201249A (ja) | ３レベルインバータのパワーモジュールスタック | |
| JP4170763B2 (ja) | 電流をスイッチングする回路に対する回路構造 | |
| JPH08140363A (ja) | 電力変換装置 | |
| JP2004134460A (ja) | 半導体装置 | |
| EP0527033B1 (en) | Semiconductor module | |
| JP2019134543A (ja) | 電源装置 | |
| JP2002044960A (ja) | 電力変換装置 | |
| JP2005065414A (ja) | インバータ装置 | |
| JP4364169B2 (ja) | Ｆｅｔモジュールおよび誘導加熱用インバータ | |
| US11923265B2 (en) | Power module | |
| JP2002320391A (ja) | 大容量電力変換装置の導体構造 | |
| JP3092450B2 (ja) | アクティブフィルタの主回路配線方法 | |
| JPH10146065A (ja) | 電力変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |