JPH09247864A - バッテリパック及びバッテリ残容量データの出力方法 - Google Patents

バッテリパック及びバッテリ残容量データの出力方法

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JPH09247864A
JPH09247864A JP8051791A JP5179196A JPH09247864A JP H09247864 A JPH09247864 A JP H09247864A JP 8051791 A JP8051791 A JP 8051791A JP 5179196 A JP5179196 A JP 5179196A JP H09247864 A JPH09247864 A JP H09247864A
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  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電流積算量を簡単な演算にて求め、マイコン
のソフトウェア量の増加と演算処理時間の増加を防止す
る。 【解決手段】 バッテリパック1は、充放電されるバッ
テリセル20を有し、さらにバッテリセル20の充放電
電流i[mA]を検出し所定ゲインG[V/mA]で増
幅して電圧e[V]を出力する電流検出部80と、この
電圧e[V]を量子化ステップq[V/LSB]でA/
D変換してディジタル値xを得、このディジタル値xを
用いて一定周期t[h:時間]毎にバッテリセル20の
残容量Y[mAh]を計算するマイコン10を有し、電
流検出部80のゲインG[V/mA]、A/D変換手段
の量子化ステップq[V/LSB]、及び演算手段の演
算周期t[h]の関係を、qt/G=2n (ただし、
nは整数)とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビデオカメラ、携
帯用電話機、あるいはパーソナルコンピュータ等の電源
として使用されるバッテリパック及びバッテリ残容量デ
ータの出力方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、リチウムイオン電池、NiC
d電池、ニッケル水素電池等の2次電池で構成されたバ
ッテリパックは周知である。
【0003】この周知のバッテリパックには、例えば、
バッテリの残量計算や当該バッテリを電源とする電子機
器との間の通信を行うためのマイクロコンピュータ(い
わゆるマイコン)と、このマイコンの周辺回路、さらに
当該マイコンにてバッテリの残量計算等を行うために必
要な、バッテリセルの状態検出回路等が内蔵されている
ことが多い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記バッテ
リパック内のマイコンにおいて、上記バッテリセルの残
容量を計算する場合には、例えば充放電時の電流積算量
を求め、この電流積算量に基づいてバッテリセルの残容
量を検出することが考えられる。
【0005】ここで、当該電流積算量を求めるための演
算を行う際には、演算結果に一定の係数を乗算すること
が行われる。言い換えれば、上記演算結果に一定の係数
を乗算しないと、電流積算量を求めることができない。
【0006】しかし、このような乗算をマイコンにて行
うと、ソフトウェアの量が増加し、演算処理時間も増え
てしまう。
【0007】そこで、本発明は上述したことを考慮して
なされたものであり、電流積算量を簡単な演算にて求め
ることができ、マイコンのソフトウェア量の増加と演算
処理時間の増加を防止することが可能なバッテリパック
及びバッテリ残容量データの出力方法を提供することを
目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のバッテリパック
及びバッテリ残容量データの出力方法では、充放電され
るバッテリセルの充放電電流i[mA]を検出し所定ゲ
インG[V/mA]で増幅して電圧e[V]を出力し、
この電流検出電圧e[V]を量子化ステップq[V/L
SB]でA/D変換してディジタル値xを得、このディ
ジタル値xを用いて一定周期t[h:時間]毎にバッテ
リセルの残容量Y[mAh]を計算し、ゲインG[V/
mA]と量子化ステップq[V/LSB]と演算周期t
[h]の関係を、 qt/G=2n (ただし、nは整数) とすることにより、上述の課題を解決する。
【0009】すなわち、本発明によれば、電流検出電圧
e[V]をディジタル変換したディジタル値のLSBが
nとなるように、ゲインG[V/mA]と量子化ステ
ップq[V/LSB]と演算周期t[h]の関係を設定
することにより、電流積算量を簡単な演算にて求めるこ
とができ、マイコンのソフトウェア量の増加と演算処理
時間の増加を防止することを可能にしている。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。
【0011】図1には、本発明のバッテリパックの一構
成例を示す。
【0012】この図1に示すバッテリパック1は、充放
電されるバッテリセル20と、上記バッテリセル20の
充放電電流i[mA]を検出し所定ゲインG[V/m
A]で増幅して電圧e[V]を出力する電流検出部80
とを有し、さらに上記電流検出部80からの電流検出電
圧e[V]を量子化ステップq[V/LSB]でA/D
変換してディジタル値xを得るA/D変換手段と、上記
A/D変換手段からのディジタル値xを用いて一定周期
t[h:時間]毎に上記バッテリセル20の残容量Y
[mAh]を計算する演算手段とを具備してなるマイク
ロコンピュータ(マイコン)10を有し、上記電流検出
部80のゲインG[V/mA]、上記A/D変換手段の
量子化ステップq[V/LSB]、及び上記演算手段の
演算周期t[h]の関係を、 qt/G=2n (ただし、nは整数) とするようにしたものである。
【0013】この図1のバッテリパック1において、上
記バッテリセル20の正極は当該バッテリパック1のプ
ラス端子TM+に、またバッテリセル20の負極は電流
電圧検出抵抗R7を介して当該バッテリパック1のマイ
ナス端子TM-に接続されている。
【0014】当該バッテリパック1に内蔵されるマイコ
ン10には、シリーズレギュレータやリセット回路等を
含むマイコン電源16からの電源が供給され、当該マイ
コン10はこのマイコン電源16から供給される電源に
より動作する。このマイコン10の充電電流検出入力端
子DI1は充電電流検出用に設けられているオペアンプ
13の出力端子と接続され、放電電流検出入力端子DI
2は放電電流検出用に設けられているオペアンプ14の
出力端子と接続されている。また、マイコン10の割り
込み入力端子は、オペアンプ13と14の各出力端子が
2つの入力端子に接続された2入力NANDゲート15
の出力端子と接続され、さらにこの2入力NANDゲー
ト15の出力端子はプルアップ用の抵抗R8を介してマ
イコン電源16と接続されている。その他、詳細は後述
するが、マイコン10の温度検出入力端子はバッテリセ
ル20の周辺温度を検出する温度センサ19の出力端子
と接続され、電圧検出入力端子はバッテリセル20の端
子間電圧を検出する電圧検出回路18の出力端子と接続
され、サイクルデータ入力端子は不揮発性メモリ17の
出力端子と、グランド端子はバッテリセル20の負極
と、通信用の入力端子(SIN端子)及び出力端子(S
OUT端子)はバッファアンプ11,12と接続されて
いる。なお、上記充電電流検出入力端子DI1及び放電
電流検出入力端子DI2や温度検出入力端子,電圧検出
入力端子等のアナログ入力がなされる端子は、全てA/
D入力ポートであり、したがって、当該マイコン10内
にはこれらアナログ入力をディジタル変換するA/Dコ
ンバータが内蔵されている。
【0015】上記オペアンプ13の非反転入力端子は抵
抗R3を介してバッテリセル20の負極と接続され、反
転入力端子は増幅率設定用の負帰還抵抗R2並びに抵抗
R1と接続されている。したがって、当該オペアンプ1
3の出力端子からは、当該バッテリパック1内に流れる
電流値(充電時に流れる電流値)を上記抵抗R1とR2
の抵抗値の比(R2/R1)に応じて増幅した電圧値が
出力されることになる。一方、オペアンプ14の非反転
入力端子は抵抗R6及び電流電圧検出用の抵抗R7を介
してバッテリセル20の負極と接続され、反転入力端子
は負帰還抵抗R5並びに抵抗R4と接続されている。し
たがって、当該オペアンプ14の出力端子からは、当該
バッテリパック1内に流れる電流値(放電時に流れる電
流値)を上記抵抗R4とR5の抵抗値の比(R5/R
4)に応じて増幅した電圧値が出力されることになる。
【0016】次に、上記マイコン10にて行われるバッ
テリ残容量の計算、すなわち上記オペアンプ13,14
からの出力値に基づく充放電電流値の積算演算について
説明する。なお、上記オペアンプ13,14は、前記電
流検出部80の充電電流検出アンプ、放電電流検出アン
プとしてそれぞれ用いられている。
【0017】この電流検出部80は、抵抗R7を流れる
充放電電流i[mA]を検出し、電流電圧変換を含めて
所定ゲインG[V/mA]で増幅を行って、電圧e=i
G[V]を出力し、演算手段としてのマイコン10のA
/D入力ポートである充電電流検出入力端子DI1と放
電電流検出入力端子DI2に送る。マイコン10内のA
/D変換手段(A/Dコンバータ)では、入力電圧e
[V]を所定の量子化幅あるいは量子化ステップq[V
/LSB]で量子化して、ディジタル値x=e/q(=
iG/q)に変換する。マイコン10内の前記演算手段
では、このディジタル値xに基づいて、一定の演算周期
T[h:時間]毎に計算を行う。
【0018】ここで、演算周期Tの間に電流iが流れ続
けることによるバッテリ残容量の増減分ΔYは、ΔY=
iT=(xq/G)・T[mAh]となる。この増減分
ΔYを上記A/D変換されて得られたディジタルデータ
xで表すと、 Y=(qT/G)x となるが、このときの乗算係数qT/Gを2n となるよ
うに各値q,T,Gを設定すれば、ΔY=2nx とな
り、これはビットシフトにより簡単に計算することがで
きる。
【0019】ところで、電流iが正(+)のときが充
電、負(−)のときが放電に相当するが、上記図1の例
では、抵抗R7を流れる充放電電流の内の充電電流をオ
ペアンプ13で検出し、放電電流をオペアンプ14で検
出して、それぞれ正の電圧出力としてマイコン10の充
電電流検出入力端子DI1と放電電流検出入力端子DI
2に送っている。従って、充電電流i1 を検出してオペ
アンプ13からマイコン10の充電電流検出入力端子D
I1に送られる電圧e1をさらに内部のA/Dコンバー
タにてディジタル変換したディジタル値をx1 とし、放
電電流i2 を検出してオペアンプ14からマイコン10
の放電電流検出入力端子DI2に送られる電圧e2 をさ
らに内部のA/Dコンバータにてディジタル変換したデ
ィジタル値をx2 とするとき、バッテリ残容量データY
[mAh]の上記演算周期T毎の増減分ΔY[mAh]
は、 ΔY=(i1−i2)×T =(e1−e2)×T/G =(x1−x2)×qT/G となる。ここで、qT/G=2n と設定すれば、 ΔY=(x1−x2)×2n となり、ビットシフトにより簡単に計算が行える。
【0020】図2は、図1のマイコン10内での上述し
た充放電電流値の積算演算によるバッテリ残容量の演算
動作を示すフローチャートである。
【0021】この図2において、先ずステップST41
では、バッテリ残容量データY[mAh]を残容量初期
値Y0 [mAh]に設定する。これをY←Y0 と表す。
次のステップST42では、直前までのバッテリ残容量
データY[mAh]に上記増減分ΔY、すなわち(x1
−x2)×2n を加算し、これを新たなバッテリ残容量
データY[mAh]として、マイコン10の図示しない
内部メモリに格納する。これを、Y←Y+(x1−x2
×2n と表す。次のステップST43では、上記演算周
期の一定時間Tだけ待機した後、ステップST41に戻
る。
【0022】ここで、上述したように、電流検出部80
の電流電圧変換を含めたゲインG[V/mA]、マイコ
ン10のA/D変換の際の量子化ステップq[V/LS
B]、及びマイコン10による充放電電流値の積算演算
の周期すなわちバッテリ残容量の更新周期T[h]の関
係を、 qT/G=2n のように選ぶことで、係数の乗算なしに、ビットシフト
により電流値積算量あるいはバッテリ残容量を求め得る
ようにしている。
【0023】電流検出部80を構成するオペアンプ13
のアンプゲインは上述したように抵抗R1とR2の比、
オペアンプ14のアンプゲインは上述したように抵抗R
4とR5の比により決定され、抵抗R7により電流電圧
変換比が決定される。これらの充電電流検出用のオペア
ンプ13のアンプゲインと、放電電流検出用のオペアン
プ14のアンプゲインとは同一としているが、異ならせ
てもよい。マイコン10のA/D変換の量子化ステップ
qは、ICによって固定されていることが多い。演算周
期Tは、ソフトウェアにより任意に変更可能である。
【0024】より具体的に説明する。例えば、q/G=
k [mA/LSB]、T[h]=1/2m [h]
(k,mは整数)と仮定すると、上記演算周期T毎の増
減分ΔY[mAh]は、 ΔY=(x1−x2)×qT/G =(x1−x2)×2k-m となり、演算周期T毎のバッテリ残容量データY[mA
h]は、 Y←Y+(x1−x2)×2k-m により更新すればよいため、加減算及び(n−m)回の
ビットシフトのみで電流量積算値の演算が可能となる。
【0025】すなわち、図3は、例えばq/G=1[m
Ah/LSB]となるように、上記電流検出部80のゲ
インGを設定する場合を示している。量子化ステップq
は固定されていることが多いが、このqも可変してq/
Gが1となるように設定してもよい。このとき、例えば
図3の(a)のように初期容量が8mAhならば、バッ
テリ残容量データYは08H(Hは16進数を示す。す
なわち下位4ビットは「1000」)となっている。こ
の初期容量値に対して例えば1時間に1mAの充電を行
うと、充電電流検出入力端子DI1と放電電流検出入力
端子DI2への入力に対応するA/D変換値はそのまま
01Hとなり、これを加算して得られた新たなバッテリ
残容量データYは9mAhとなり、このときのバッテリ
残容量データYは図3の(b)のように09H(すなわ
ち下位4ビットが「1001」)となる。この容量値に
対してさらに1時間に2mAの充電を行うと、容量は1
1mAhとなり、このときのバッテリ残容量データYは
図3の(c)のように0Bh(すなわち下位4ビットが
「1011」)となる。このようなことから、上記電流
検出部80のゲインG等について、例えばq/G=1
[mAh/LSB]となるように設定すると、係数の乗
算を行わなくても電流値積算量が求められることなる。
【0026】また、図4に示すように例えばq/G=8
(=23) [mAh/LSB]となるように上記ゲイン
G等を設定すると、例えば図4の(a)のように初期容
量が1mAhならば、バッテリ残容量データYは01H
(Hは16進数を示す。すなわち下位4ビットは「00
01」)となっている。この初期容量値に対して例えば
1時間に8mAの充電を行うと、充電電流検出入力端子
DI1と放電電流検出入力端子DI2への入力に対応す
るA/D変換値は図4の(b)のように01Hとなり、
これを上記バッテリ残容量データYに加算する際には、
3 を乗算する必要があるが、これは、図4の(b)に
示すように左方に3ビットシフトすることにより08H
すなわち8mAhが得られる。この増加分を元のバッテ
リ残容量と加算して得られた新たなバッテリ残容量デー
タYは、図4の(c)に示すように9mAhとなる。こ
のようなことから、上記電流検出部80のゲインG等に
ついて、例えばq/G=8(=23) [mAh/LS
B]となるように設定すると、ビットシフト演算は必要
となるが係数の乗算を行わなくても電流値積算量が求め
られることなる。一般的に、上記q/Gを例えば8(=
n) [mAh/LSB]となるように設定した場合に
は、n回のビットシフトと加算とで電流値積算量あるい
はバッテリ残容量を求めることができる。
【0027】図1に戻り、トランジスタスイッチTr1
は例えば電界効果トランジスタからなり、ゲートがマイ
コン10のスイッチング制御出力端子SW1と接続さ
れ、ドレインとソース間に上記抵抗R1が挿入接続され
ている。したがって、マイコン10のスイッチング制御
出力端子SW1からの信号レベルが例えばハイ(H)レ
ベルとなったときには、上記トランジスタスイッチTr
1がONし、これにより上記抵抗R1による抵抗値は略
々0(トランジスタスイッチTr1の内部抵抗のみとな
る)となり、上記抵抗R1とR2の抵抗値の比(R2/
R1)に応じて増幅率が設定されるオペアンプ13の当
該増幅率(アンプゲイン)は大となる。一方、マイコン
10のスイッチング制御出力端子SW1からの信号レベ
ルが例えばロー(L)レベルとなったときには、上記ト
ランジスタスイッチTr1はOFFし、これにより上記
オペアンプ13の増幅率は上記抵抗R1とR2の抵抗値
の比(R2/R1)に応じた増幅率、すなわちトランジ
スタスイッチTr1がONしているときよりも小さい増
幅率(アンプゲイン)となる。同様に、トランジスタス
イッチTr2も例えば電界効果トランジスタからなり、
ゲートがマイコン10のスイッチング制御出力端子SW
2と接続され、ドレインとソース間に上記抵抗R4が挿
入接続されている。したがって、マイコン10のスイッ
チング制御出力端子SW2からの信号レベルが例えばハ
イ(H)レベルとなったときには上記トランジスタスイ
ッチTr2がONし、これにより上記抵抗R4による抵
抗値は略々0(トランジスタスイッチTr2の内部抵抗
のみとなる)となり、オペアンプ14の増幅率(アンプ
ゲイン)は大となる。一方、マイコン10のスイッチン
グ制御出力端子SW2からの信号レベルが例えばロー
(L)レベルになったときには上記トランジスタスイッ
チTr2はOFFし、これによりオペアンプ14の増幅
率(アンプゲイン)は小となる。
【0028】ここで、上記マイコン10は、通常動作モ
ード時(Run時)には、常に上記充電電流検出入力端
子DI1と放電電流検出入力端子DI2のレベルを監視
しており、これら端子DI1,DI2のレベルが一定レ
ベル以上になっているときには、上記スイッチング制御
出力端子SW1及びSW2の信号レベルを共にローレベ
ルとなす。これにより、上記トランジスタスイッチTr
1及びTr2は共にOFFとなり、オペアンプ13及び
14のアンプゲインは小となる。したがって、通常動作
モード時(Run時)のマイコン10は、アンプゲイン
が小となされたオペアンプ13及び14からの出力値を
用いて、当該バッテリパック1内に流れる電流値(充電
時に流れる電流値又は放電時に流れる電流値)を測定可
能となる。このため、マイコン10は、例えば充放電時
に流れる電流値がわかり、充放電電流積算値等が計算で
きるようになる。
【0029】これに対し、上記通常動作モード時(Ru
n時)にあるときに、例えば当該バッテリパック1内に
流れる充放電電流値が所定値以下の微少電流値になる
と、上記アンプゲインが小となされているオペアンプ1
3及び14からの出力値も小さくなる。すなわち、マイ
コン10の充電電流検出入力端子DI1と放電電流検出
入力端子DI2のレベルの小さくなる。このとき、上記
マイコン10は、上記端子DI1,DI2のレベルが一
定値以下となり、この状態が一定時間以上続いたなら
ば、無負荷状態であると判断して省電力モード(スリー
プモード)に移行する。この省電力モード時には、上記
通常動作モード時に比べて消費電力が小さくなり、した
がって、回路の省エネルギ化が可能となる。
【0030】この省電力モード(スリープモード)にな
ったときのマイコン10は、上記スイッチング制御出力
端子SW1及びSW2の信号レベルを共にハイレベルと
なす。これにより、上記トランジスタスイッチTr1及
びTr2は共にONになり、オペアンプ13及び14の
アンプゲインは大となる。したがって、当該省電力モー
ド(スリープモード)のマイコン10は、アンプゲイン
が大となされたオペアンプ13及び14からの出力値を
用いて、当該バッテリパック1内に流れる微少電流値
(充電時に流れる微少電流値又は放電時に流れる微少電
流値)を測定可能となる。
【0031】ここで、当該省電力モードになっていると
きに、当該バッテリパック1内に流れる充放電電流値が
上記所定値以上の電流値になると、上記アンプゲインが
小となされているオペアンプ13及び14からの出力値
は共に大きくなる。すなわち、上記2入力NANDゲー
ト15の2つの入力端子のレベルは共にハイレベルとな
り、したがって、当該2入力NANDゲート15の出力
はローレベルとなる。このように、割り込み入力端子に
供給されている上記2入力NANDゲート15の出力レ
ベルがローレベルになると、マイコン10は、上記省電
力モードを解除して通常動作モードに移行する。
【0032】上述のように、図1の構成によれば、省電
力モード時には通常動作モード時に比べて消費電力が小
さいため、回路の省エネルギ化を図ることができる。ま
た、図1の構成によれば、マイコン10がスイッチング
制御出力SW1,SW2にてトランジスタTr1,Tr
2をON/OFF制御することにより、オペアンプ1
3,14のアンプゲインを切り換え可能となし、これに
より、省電力モード時の微少電流値の検出と、通常動作
モード時の電流値の測定を、上記構成で兼用可能となし
ている。
【0033】次に、図1の他の構成要素について説明す
る。
【0034】電圧検出回路18は、抵抗R9及びR10
からなる分圧抵抗であり、この分圧抵抗によりバッテリ
セル20の端子間電圧を検出する。この電圧検出回路1
8からの電圧検出値が、マイコン10の上記電圧検出入
力端子に供給されている。したがって、当該マイコン1
0は上記電圧検出入力端子に供給された電圧検出回路1
8からの電圧検出値に基づいて、バッテリセル20の端
子間電圧の変化を知ることができる。
【0035】また、温度センサ19は、例えば温度検出
用サーミスタ等からなり、バッテリセル20の近傍或い
は接して配置されており、この温度センサ19の温度検
出値が上記マイコン10の温度検出入力端子に供給され
るようになっている。したがって、当該マイコン10
は、上記温度検出入力端子に供給された温度検出値に基
づいて、バッテリセル20の温度を知ることができる。
【0036】さらに、不揮発性メモリ17は、上記バッ
テリセル20の使用可能な最大充放電サイクル回数のデ
ータ(サイクルデータ)を少なくとも記憶する例えばE
EP−ROMからなっている。マイコン10は、当該不
揮発性メモリ17からの最大充放電サイクル回数のデー
タ(サイクルデータ)を読み出すと共に、前記電圧検出
回路18からの検出電圧に基づいて上記バッテリセル2
0の充放電サイクル回数を計測し、バッテリセル20の
充放電サイクル回数が上記最大充放電サイクル回数に達
したときに、その旨のフラグを当該バッテリパック1が
装着されている電子機器に送信するようになされてい
る。
【0037】このバッテリパック1が装着されている電
子機器は、上記バッテリパック1から伝送されてきた上
記フラグを受信することにより、例えばバッテリパック
1の交換をユーザに促すための表示を行うことが可能と
なる。なお、この表示例としては、例えば「このバッテ
リは古くなりました、取りかえて下さい」というような
表示を行う。これにより、ユーザ等は簡単にバッテリバ
ック1の寿命を知ることが可能となる。
【0038】次に、図5には、図1の構成に更に他の回
路ブロック30を付加た例を示す。この回路ブロック3
0は、上述したマイコン10のように自分自身で通常動
作モードと省電力モードの切り換え制御ができないもの
である。この図5の構成では、上記回路ブロック30が
スイッチ31を介してバッテリセル20と接続されてい
る。当該スイッチ31は、上記スイッチング制御出力端
子SW1からの信号に応じてON/OFFするものであ
り、スイッチング制御出力端子SW1からの信号が例え
ば通常動作モード時を示すとき(ローレベル)にはON
となり、省電力モードを示すとき(ハイレベル)にはO
FFとなる。これにより、省電力モードのときには、当
該回路ブロック30への電力供給が停止され、したがっ
て、電力消費が抑えられるようになる。なお、回路ブロ
ック30としては、例えば前記温度センサ19への電源
供給回路等が挙げられる。なお、微少電流が流れている
省電力モード時にはバッテリセル20の温度を監視する
必要性が少ないため、当該温度センサ19への電源供給
を停止してもよい。
【0039】次に、図6には、上述したバッテリパック
1が適用されるシステム構成として、例えばカメラ一体
型ビデオテープレコーダ(以下ビデオカメラ60とす
る)のシステムの概略構成を示す。
【0040】この図6において、バッテリパック1には
上記マイコン10とバッテリセル20と前記電流検出部
80とが少なくとも設けられ、マイコン10にはビデオ
カメラ60との間で通信を行うための通信回路72と、
このバッテリパック1の状態を示す情報を生成する情報
生成回路71とが内蔵されている。この構成例の情報生
成回路71では、上記バッテリバック1の状態を示す情
報として、例えばバッテリ残容量情報や充放電電流検出
情報、バッテリセル電圧検出情報、温度検出情報、前記
最大充放電サイクル回数に達した時のフラグ等を生成す
る。なお、バッテリパック1のマイコン10とビデオカ
メラ60との通信は、バッテリパック1側のバッファア
ンプ11及び12と、ビデオカメラ60側のバッファア
ンプ61,62を介して行われる。また、ビデオカメラ
60は撮影のための構成や撮影した映像信号を記録/再
生するための各種構成を有するが、図6の例ではマイコ
ン63と表示デバイス64のみを図示している。
【0041】当該バッテリパック1のプラス端子はビデ
オカメラ60のプラス端子と接続され、バッテリパック
1のマイナス端子はビデオカメラ60のマイナス端子と
接続され、これらプラス端子とマイナス端子を介してバ
ッテリパック1からビデオカメラ60に対して電源が供
給される。また、バッテリパック1とビデオカメラ60
との間はコントロール端子を介して行われる。
【0042】ビデオカメラ60は、上記コントロール端
子を介してバッテリパック1から当該バッテリパック1
の状態を示す情報を受信し、マイコン63に取り込む。
マイコン63の通信回路65を介した情報は、計算回路
66に送られ、ここで各種の計算が行われ、そのうち表
示すべき情報が表示制御回路67に送られる。当該表示
制御回路67では上記表示すべき情報から表示信号を生
成し、表示デバイス64に送る。これにより表示デバイ
ス64にはバッテリパック1の例えばバッテリ状態とし
て例えばバッテリ残量や最大充放電サイクル回数を過ぎ
た旨の表示等がなされる。
【0043】なお、上述した説明では、バッテリパック
が装着される電子機器としてビデオカメラを例に挙げた
が、この電子機器はビデオカメラに限らず、携帯用電話
機やパーソナルコンピュータ等の各種電子機器であっ
て、前記バッテリ残時間等を表示可能な表示デバイスを
有するものであれば、何れのものであってもよい。
【0044】
【発明の効果】本発明のバッテリパック及びバッテリ残
容量データの出力方法においては、充放電されるバッテ
リセルの充放電電流i[mA]を検出し所定ゲインG
[V/mA]で増幅して電圧e[V]を出力し、この電
流検出電圧e[V]を量子化ステップq[V/LSB]
でA/D変換してディジタル値xを得、このディジタル
値xを用いて一定周期t[h:時間]毎にバッテリセル
の残容量Y[mAh]を計算し、ゲインG[V/mA]
と量子化ステップq[V/LSB]と演算周期t[h]
の関係を、 qt/G=2n (ただし、nは整数) とすることにより、電流積算量を簡単な演算にて求める
ことができ、マイコンのソフトウェア量の増加と演算処
理時間の増加を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のバッテリパックの具体的構成例を示す
回路図である。
【図2】本発明のバッテリパックにおける充放電電流積
算演算処理の流れを示すフローチャートである。
【図3】q/G=1[mAh/LSB]となるように、
電流検出部のゲインGを設定する場合の説明に用いる図
である。
【図4】q/G=8(=23) [mAh/LSB]とな
るようにゲインG等を設定する場合の説明に用いる図で
ある。
【図5】本発明のバッテリパックの他の具体的構成例を
示す回路図である。
【図6】本発明のバッテリパック及びバッテリ残容量デ
ータの出力方法が適用されるビデオカメラシステムの一
構成例を示すブロック回路図である。
【符号の説明】
1 バッテリパック、 10 マイコン、 20 バッ
テリセル、 80 電流検出部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 充放電されるバッテリセルと、 上記バッテリセルの充放電電流i[mA]を検出し所定
    ゲインG[V/mA]で増幅して電圧e[V]を出力す
    る電流検出部と、 上記電流検出部からの電流検出電圧e[V]を量子化ス
    テップq[V/LSB]でA/D変換して得られたディ
    ジタル値xを用いて一定周期T[h:時間]毎に上記バ
    ッテリセルの残容量Y[mAh]を計算する演算手段と
    を有し、 上記電流検出部のゲインG[V/mA]、上記A/D変
    換手段の量子化ステップq[V/LSB]、及び上記演
    算手段の演算周期T[h]の関係を、 qT/G=2n (ただし、nは整数) とすることを特徴とするバッテリパック。
  2. 【請求項2】 上記電流検出部は、上記バッテリセルの
    充電電流検出手段と、放電電流検出手段とを有して成
    り、 上記演算手段は、充電電流i1 の検出電圧e1 をA/D
    変換して得られたディジタル値をx1 とし、放電電流i
    2 の検出電圧e2 をA/D変換して得られたディジタル
    値をx2 とするとき、上記演算周期T[h]毎のバッテ
    リ残容量Y[mAh]の増減分ΔY[mAh]を、 ΔY=(x1−x2)×2n により計算することを特徴とする請求項1記載のバッテ
    リパック。
  3. 【請求項3】 上記演算手段による演算の際に、上記2
    n の乗算をビットシフトにより行うことを特徴とする請
    求項1記載のバッテリパック。
  4. 【請求項4】 バッテリパックに内蔵されたバッテリセ
    ルの充放電電流i[mA]を検出し所定ゲインG[V/
    mA]で増幅して電圧e[V]を出力し、 検出された上記電圧e[V]を量子化ステップq[V/
    LSB]でA/D変換してディジタル値xを得、 上記ディジタル値xを用いて一定周期t[h:時間]毎
    に上記バッテリセルの残容量Y[mAh]を計算して出
    力する際に、 上記ゲインG[V/mA]、上記A/D変換手段の量子
    化ステップq[V/LSB]、及び上記演算手段の演算
    周期t[h]の関係を、 qt/G=2n (ただし、nは整数) とすることを特徴とするバッテリ残容量データの出力方
    法。
  5. 【請求項5】 上記バッテリセルの充電電流i1 の検出
    電圧e1 をA/D変換して得られたディジタル値をx1
    とし、放電電流i2 の検出電圧e2 をA/D変換して得
    られたディジタル値をx2 とするとき、上記演算周期T
    [h]毎のバッテリ残容量Y[mAh]の増減分ΔY
    [mAh]を、 ΔY=(x1−x2)×2n により計算することを特徴とする請求項4記載のバッテ
    リ残容量データの出力方法。
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