JPH09246820A - 誘電体共振器および帯域通過フィルタ - Google Patents
誘電体共振器および帯域通過フィルタInfo
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- JPH09246820A JPH09246820A JP5445296A JP5445296A JPH09246820A JP H09246820 A JPH09246820 A JP H09246820A JP 5445296 A JP5445296 A JP 5445296A JP 5445296 A JP5445296 A JP 5445296A JP H09246820 A JPH09246820 A JP H09246820A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体基板の両主面に電極を形成して、ＴＥ
０１０モード等の誘電体共振器を構成する際、ＴＥＭモ
ード等のスプリアスモードによる影響を受けないように
して、Ｑｏの低下および通過帯域外の特性悪化を防止す
る。 【解決手段】 誘電体基板３の両主面に略同一形状の開
口部４，５を有する電極１，２を形成するとともに、誘
電体基板３を第１・第２の導体板の間に設けて、電極開
口部を共振器領域６０として形成し、電極開口部４，５
の周囲に上下の電極間を短絡するスルーホール６を形成
する。これにより、ＴＥＭ波等のスプリアスモードの波
を抑圧する。
０１０モード等の誘電体共振器を構成する際、ＴＥＭモ
ード等のスプリアスモードによる影響を受けないように
して、Ｑｏの低下および通過帯域外の特性悪化を防止す
る。 【解決手段】 誘電体基板３の両主面に略同一形状の開
口部４，５を有する電極１，２を形成するとともに、誘
電体基板３を第１・第２の導体板の間に設けて、電極開
口部を共振器領域６０として形成し、電極開口部４，５
の周囲に上下の電極間を短絡するスルーホール６を形成
する。これにより、ＴＥＭ波等のスプリアスモードの波
を抑圧する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波帯や
ミリ波帯で使用される誘電体共振器および帯域通過フィ
ルタに関する。
ミリ波帯で使用される誘電体共振器および帯域通過フィ
ルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信システムの需要の急速
な増加および所謂マルチメディア化に対応して大容量で
且つ高速な通信システムが要求されている。このような
通信すべき情報量の拡大に伴って、マイクロ波帯からミ
リ波帯へ使用周波数帯域が拡大されようとしている。こ
のようなミリ波帯でも、従来からマイクロ波帯で使用さ
れていたＴＥ０１δモード誘電体共振器を同様に用いる
ことができるが、その共振周波数は円柱形状の誘電体の
寸法によって決定され、たとえば６０ＧＨｚでは、高さ
０．３７ｍｍ、直径１．６ｍｍと非常に小さくなるた
め、厳しい加工精度が要求される。また、ＴＥ０１δモ
ード誘電体共振器を用いてフィルタを構成する場合、導
波管の中に複数のＴＥ０１δモードの誘電体共振器を高
い位置精度で所定間隔に配置する必要があり、更にその
各共振器ごとに共振周波数を微調整するとともに、誘電
体共振器間の互いの結合量を微調整するための構造も複
雑になるという問題があった。
な増加および所謂マルチメディア化に対応して大容量で
且つ高速な通信システムが要求されている。このような
通信すべき情報量の拡大に伴って、マイクロ波帯からミ
リ波帯へ使用周波数帯域が拡大されようとしている。こ
のようなミリ波帯でも、従来からマイクロ波帯で使用さ
れていたＴＥ０１δモード誘電体共振器を同様に用いる
ことができるが、その共振周波数は円柱形状の誘電体の
寸法によって決定され、たとえば６０ＧＨｚでは、高さ
０．３７ｍｍ、直径１．６ｍｍと非常に小さくなるた
め、厳しい加工精度が要求される。また、ＴＥ０１δモ
ード誘電体共振器を用いてフィルタを構成する場合、導
波管の中に複数のＴＥ０１δモードの誘電体共振器を高
い位置精度で所定間隔に配置する必要があり、更にその
各共振器ごとに共振周波数を微調整するとともに、誘電
体共振器間の互いの結合量を微調整するための構造も複
雑になるという問題があった。
【０００３】そこで、本願出願人は特願平７−６２６２
５号にてこれらの問題を解消した誘電体共振器および帯
域通過フィルタを提案している。
５号にてこれらの問題を解消した誘電体共振器および帯
域通過フィルタを提案している。
【０００４】上記出願に係る誘電体共振器の基本的な構
成を図１５に示す。図１５において３は一定の比誘電率
を有する誘電体基板であり、その両主面に所定寸法の円
形の開口部４，５を有する電極１，２を形成していて、
誘電体基板３から所定間隔隔てて互いに対向する第１の
導体板７および第２の導体板８を設けている。この構造
によって誘電体基板３の円柱形状部分にＴＥ０１０モー
ド誘電体共振器として作用する共振器領域６０を構成す
る。この共振器領域６０を除く誘電体基板の環状部分
は、電極１と電極２とによって挟設された平行平板導波
管を構成する。ここで、誘電体基板３の比誘電率と厚さ
および電極の開口部４，５の直径は、共振器領域６０に
ＴＥ０１０モード誘電体共振器の共振周波数と同一の周
波数の信号が入力された時に定在波を生じるように定め
られる。また、誘電体基板３の厚さと比誘電率は当該平
行平板導波管の基本伝搬モードであるＴＥ０１モードの
遮断周波数が、ＴＥ０１０モード誘電体共振器の共振周
波数より高くなるように定められる。したがって、共振
器領域６０を除く誘電体基板３の環状部分は、ＴＥ０１
０モード誘電体共振器の共振周波数と同じ周波数を有す
る信号を減衰させる（遮断する）。
成を図１５に示す。図１５において３は一定の比誘電率
を有する誘電体基板であり、その両主面に所定寸法の円
形の開口部４，５を有する電極１，２を形成していて、
誘電体基板３から所定間隔隔てて互いに対向する第１の
導体板７および第２の導体板８を設けている。この構造
によって誘電体基板３の円柱形状部分にＴＥ０１０モー
ド誘電体共振器として作用する共振器領域６０を構成す
る。この共振器領域６０を除く誘電体基板の環状部分
は、電極１と電極２とによって挟設された平行平板導波
管を構成する。ここで、誘電体基板３の比誘電率と厚さ
および電極の開口部４，５の直径は、共振器領域６０に
ＴＥ０１０モード誘電体共振器の共振周波数と同一の周
波数の信号が入力された時に定在波を生じるように定め
られる。また、誘電体基板３の厚さと比誘電率は当該平
行平板導波管の基本伝搬モードであるＴＥ０１モードの
遮断周波数が、ＴＥ０１０モード誘電体共振器の共振周
波数より高くなるように定められる。したがって、共振
器領域６０を除く誘電体基板３の環状部分は、ＴＥ０１
０モード誘電体共振器の共振周波数と同じ周波数を有す
る信号を減衰させる（遮断する）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
誘電体基板の両主面に、略同一形状の開口部を有する電
極を、開口部を対向させて形成するとともに、誘電体基
板をその誘電体基板から所定間隔隔てて互いに対向する
第１、第２の導体板の間に設けて構成した誘電体共振器
においては、電極の開口部のエッジ部でＴＥＭ波が発生
し、これが誘電体基板の両主面の電極間を伝搬し、誘電
体基板の端面で反射して定在波となって共振する。その
電磁界分布は例えば図１６に示すようになる。図１６の
（Ａ）は共振器領域６０の中央を通る断面図、（Ｂ）は
誘電体基板３の横断面図であり、（Ａ）における矢印は
電界、ドット記号およびクロス記号は磁界の分布（向
き）をそれぞれ示し、（Ｂ）において破線は磁界、ドッ
ト記号およびクロス記号は電界の分布（向き）をそれぞ
れ示す。
誘電体基板の両主面に、略同一形状の開口部を有する電
極を、開口部を対向させて形成するとともに、誘電体基
板をその誘電体基板から所定間隔隔てて互いに対向する
第１、第２の導体板の間に設けて構成した誘電体共振器
においては、電極の開口部のエッジ部でＴＥＭ波が発生
し、これが誘電体基板の両主面の電極間を伝搬し、誘電
体基板の端面で反射して定在波となって共振する。その
電磁界分布は例えば図１６に示すようになる。図１６の
（Ａ）は共振器領域６０の中央を通る断面図、（Ｂ）は
誘電体基板３の横断面図であり、（Ａ）における矢印は
電界、ドット記号およびクロス記号は磁界の分布（向
き）をそれぞれ示し、（Ｂ）において破線は磁界、ドッ
ト記号およびクロス記号は電界の分布（向き）をそれぞ
れ示す。
【０００６】また、誘電体基板に設けた電極の開口部の
エッジ部と上下の導体板との間にもＴＥＭ波が発生し、
誘電体基板の両主面の電極と第１・第２の導体板との間
を伝搬して、誘電体基板の端面と第１・第２の導体板と
の間で反射して定在波となって共振する。その電磁界分
布は例えば図１７に示すように表される。図１７の
（Ａ）は共振器領域６０の中央を通る断面図、（Ｂ）は
（Ａ）におけるＢ−Ｂ線についての横断面図であり、
（Ａ）における矢印は電界、ドット記号およびクロス記
号は磁界の分布（向き）をそれぞれ示し、（Ｂ）におい
て破線は磁界、ドット記号およびクロス記号は電界の分
布（向き）をそれぞれ示す。
エッジ部と上下の導体板との間にもＴＥＭ波が発生し、
誘電体基板の両主面の電極と第１・第２の導体板との間
を伝搬して、誘電体基板の端面と第１・第２の導体板と
の間で反射して定在波となって共振する。その電磁界分
布は例えば図１７に示すように表される。図１７の
（Ａ）は共振器領域６０の中央を通る断面図、（Ｂ）は
（Ａ）におけるＢ−Ｂ線についての横断面図であり、
（Ａ）における矢印は電界、ドット記号およびクロス記
号は磁界の分布（向き）をそれぞれ示し、（Ｂ）におい
て破線は磁界、ドット記号およびクロス記号は電界の分
布（向き）をそれぞれ示す。
【０００７】このように誘電体基板の両主面の電極間、
および誘電体基板の両主面の電極と第１・第２の導体板
との間にＴＥＭモードの共振モードが生じると、本来の
ＴＥ０１０モードの誘電体共振器が上記ＴＥＭモードと
結合して無負荷Ｑが劣化したり、帯域通過フィルタを構
成した際に、通過帯域外の特性に悪影響を与えることに
なる。
および誘電体基板の両主面の電極と第１・第２の導体板
との間にＴＥＭモードの共振モードが生じると、本来の
ＴＥ０１０モードの誘電体共振器が上記ＴＥＭモードと
結合して無負荷Ｑが劣化したり、帯域通過フィルタを構
成した際に、通過帯域外の特性に悪影響を与えることに
なる。
【０００８】この発明の目的は、上記ＴＥＭモード等の
スプリアスモードによる影響を受けないようにした誘電
体共振器および帯域通過フィルタを提供することにあ
る。
スプリアスモードによる影響を受けないようにした誘電
体共振器および帯域通過フィルタを提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の誘電体共振器
は、誘電体基板の両主面の電極間を伝搬するスプリアス
モードの波を抑圧するために、請求項１に記載の通り、
誘電体基板の両主面に形成されている電極間を所定位置
で短絡する導体路を誘電体基板内に設ける。例えば請求
項２に記載の通り、誘電体基板の電極開口部の周囲に相
当する位置に、両主面の電極間を短絡させるスルーホー
ルを形成する。図１はその誘電体共振器の構成を示す断
面図である。図１において、誘電体基板３の両主面に、
略同一形状の開口部４，５を有する電極１，２を、その
開口部を対向させて形成するとともに、誘電体基板３か
ら所定間隔隔てて互いに対向する第１の導体板７と第２
の導体板８を設けている。これにより、ｄで示す領域が
共振器領域、ｃで示す領域が減衰領域となり、開口部
４，５が円形である場合、この共振器領域ｄがＴＥ０１
０モードの誘電体共振器として作用する。開口部４，５
の周囲には、６で示す複数のスルーホールを設けてい
て、この箇所で電極１−２間を短絡させる。これにより
電極開口部のエッジ部で、両主面の電極間に発生するＴ
ＥＭ波等のスプリアス波が抑圧され、誘電体共振器の無
負荷Ｑの低下が防止される。この電極間を短絡させるス
ルーホールは、図１６に示したように、スプリアス波の
電界エネルギーの集中している箇所（図１６の（Ｂ）に
おけるドット記号またはクロス記号の集中する箇所）に
設ければ、そのスプリアス波は効果的に抑圧される。
は、誘電体基板の両主面の電極間を伝搬するスプリアス
モードの波を抑圧するために、請求項１に記載の通り、
誘電体基板の両主面に形成されている電極間を所定位置
で短絡する導体路を誘電体基板内に設ける。例えば請求
項２に記載の通り、誘電体基板の電極開口部の周囲に相
当する位置に、両主面の電極間を短絡させるスルーホー
ルを形成する。図１はその誘電体共振器の構成を示す断
面図である。図１において、誘電体基板３の両主面に、
略同一形状の開口部４，５を有する電極１，２を、その
開口部を対向させて形成するとともに、誘電体基板３か
ら所定間隔隔てて互いに対向する第１の導体板７と第２
の導体板８を設けている。これにより、ｄで示す領域が
共振器領域、ｃで示す領域が減衰領域となり、開口部
４，５が円形である場合、この共振器領域ｄがＴＥ０１
０モードの誘電体共振器として作用する。開口部４，５
の周囲には、６で示す複数のスルーホールを設けてい
て、この箇所で電極１−２間を短絡させる。これにより
電極開口部のエッジ部で、両主面の電極間に発生するＴ
ＥＭ波等のスプリアス波が抑圧され、誘電体共振器の無
負荷Ｑの低下が防止される。この電極間を短絡させるス
ルーホールは、図１６に示したように、スプリアス波の
電界エネルギーの集中している箇所（図１６の（Ｂ）に
おけるドット記号またはクロス記号の集中する箇所）に
設ければ、そのスプリアス波は効果的に抑圧される。
【００１０】また、この発明の誘電体共振器は、誘電体
基板の両主面に形成した電極と第１または第２の導体板
との間に発生するスプリアスモードの波を抑圧するため
に、請求項３に記載の通り、誘電体基板の電極と第１ま
たは第２の導体板とを所定位置で結合させる導体路を設
ける。この導体路は第１または第２の導体板側に設ける
か、誘電体基板の電極側に設ける。また、上記導体路は
請求項４に記載の通り、第１または第２の導体板と電極
とを所定箇所で短絡させるか、請求項５に記載の通り、
電極から第１または第２の導体板方向へ突出させて、そ
の導体路と第１または第２の導体板との間に静電容量を
形成するか、請求項６に記載の通り、逆に導体路を第１
または第２の導体板から誘電体基板方向へ突出させて、
導体路と電極との間に静電容量を形成する。図２〜図４
はこれらの誘電体共振器の構成を示す断面図である。図
１の場合と同様に、誘電体基板３の両主面に、略同一形
状の開口部４，５を有する電極１，２を、その開口部を
対向させて形成するとともに、誘電体基板３から所定間
隔隔てて互いに対向する第１の導体板７と第２の導体板
８を設けている。これにより、ｄで示す領域が共振器領
域、ｃで示す領域が減衰領域となり、開口部４，５が円
形である場合、この共振器領域ｄがＴＥ０１０モードの
誘電体共振器として作用する。図２の場合、導体路９，
１０によって、電極１，２と第１・第２の導体板７，８
とを所定箇所で短絡させている。図３の場合、導体路
９，１０を誘電体共振器３の電極１，２側から第１・第
２の導体板７，８方向へ突出させて、導体路９，１０と
第１・第２の導体板７，８との間に静電容量を形成して
いる。図４の場合、導体路９，１０を第１・第２の導体
板７，８から誘電体共振器３の電極１，２側へ突出させ
て、導体路９，１０と電極１，２との間に静電容量を形
成している。このようにして、電極と第１または第２の
導体板とを所定箇所で結合させることによって、電極と
第１または第２の導体板との間を伝搬するスプリアスモ
ードの波を抑圧する。
基板の両主面に形成した電極と第１または第２の導体板
との間に発生するスプリアスモードの波を抑圧するため
に、請求項３に記載の通り、誘電体基板の電極と第１ま
たは第２の導体板とを所定位置で結合させる導体路を設
ける。この導体路は第１または第２の導体板側に設ける
か、誘電体基板の電極側に設ける。また、上記導体路は
請求項４に記載の通り、第１または第２の導体板と電極
とを所定箇所で短絡させるか、請求項５に記載の通り、
電極から第１または第２の導体板方向へ突出させて、そ
の導体路と第１または第２の導体板との間に静電容量を
形成するか、請求項６に記載の通り、逆に導体路を第１
または第２の導体板から誘電体基板方向へ突出させて、
導体路と電極との間に静電容量を形成する。図２〜図４
はこれらの誘電体共振器の構成を示す断面図である。図
１の場合と同様に、誘電体基板３の両主面に、略同一形
状の開口部４，５を有する電極１，２を、その開口部を
対向させて形成するとともに、誘電体基板３から所定間
隔隔てて互いに対向する第１の導体板７と第２の導体板
８を設けている。これにより、ｄで示す領域が共振器領
域、ｃで示す領域が減衰領域となり、開口部４，５が円
形である場合、この共振器領域ｄがＴＥ０１０モードの
誘電体共振器として作用する。図２の場合、導体路９，
１０によって、電極１，２と第１・第２の導体板７，８
とを所定箇所で短絡させている。図３の場合、導体路
９，１０を誘電体共振器３の電極１，２側から第１・第
２の導体板７，８方向へ突出させて、導体路９，１０と
第１・第２の導体板７，８との間に静電容量を形成して
いる。図４の場合、導体路９，１０を第１・第２の導体
板７，８から誘電体共振器３の電極１，２側へ突出させ
て、導体路９，１０と電極１，２との間に静電容量を形
成している。このようにして、電極と第１または第２の
導体板とを所定箇所で結合させることによって、電極と
第１または第２の導体板との間を伝搬するスプリアスモ
ードの波を抑圧する。
【００１１】また、この発明の誘電体共振器は、請求項
７に記載の通り、第１・第２の導体板を共振器領域の電
磁界をシールドするキャビティの一部として構成すると
ともに、上記導体路をキャビティと一体に設けて、製造
の際、導体路の取り付けのための作業工程を不要とす
る。
７に記載の通り、第１・第２の導体板を共振器領域の電
磁界をシールドするキャビティの一部として構成すると
ともに、上記導体路をキャビティと一体に設けて、製造
の際、導体路の取り付けのための作業工程を不要とす
る。
【００１２】この発明の帯域通過フィルタは、請求項８
に記載の通り、上記誘電体基板の電極の開口部を共振器
領域とするとともに、この共振器領域の電磁界に結合す
る信号入力部および信号出力部を設けて構成する。ま
た、この発明の帯域通過フィルタは、請求項９に記載の
通り、１つの誘電体基板に複数の共振器領域を形成し、
所定の共振器領域の電磁界に結合する信号入力部および
信号出力部を設けるとともに、誘電体基板内に設ける導
体路または誘電体基板の電極と第１・第２の導体板との
間に設ける導体路は、隣接する共振器領域の間を避けて
設ける。すなわち、隣接する共振器領域の間には上記導
体路を設けない。これによって、隣接する共振器間が結
合して複数段の帯域通過フィルタを構成するとともに、
スプリアスの波が効果的に抑圧され、通過帯域外特性の
悪化が防止される。
に記載の通り、上記誘電体基板の電極の開口部を共振器
領域とするとともに、この共振器領域の電磁界に結合す
る信号入力部および信号出力部を設けて構成する。ま
た、この発明の帯域通過フィルタは、請求項９に記載の
通り、１つの誘電体基板に複数の共振器領域を形成し、
所定の共振器領域の電磁界に結合する信号入力部および
信号出力部を設けるとともに、誘電体基板内に設ける導
体路または誘電体基板の電極と第１・第２の導体板との
間に設ける導体路は、隣接する共振器領域の間を避けて
設ける。すなわち、隣接する共振器領域の間には上記導
体路を設けない。これによって、隣接する共振器間が結
合して複数段の帯域通過フィルタを構成するとともに、
スプリアスの波が効果的に抑圧され、通過帯域外特性の
悪化が防止される。
【００１３】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施形態である
誘電体共振器の構成を図５に示す。図５の（Ａ）は共振
器領域の中央を通る縦断面図、（Ｂ）は（Ａ）における
Ｂ−Ｂ線についての横断面図である。この誘電体共振器
は中央部に共振器領域６０を形成した誘電体基板３を、
キャビティを構成する導体ケース１１内に収めて構成し
ている。すなわち誘電体基板３の両主面には円形状の開
口部４，５を有する電極１，２を、開口部４，５が対向
するように形成している。この開口部４，５の周囲に
は、図５の（Ｂ）に示すように、開口部のエッジ部から
所定距離遠ざかった位置に８つのスルーホール６を等間
隔に形成している。このように電極１，２およびスルー
ホール６を形成した誘電体基板３を、電極１，２と導体
ケース１１の内面との間隔が所定距離となるように、ス
ペーサ１２を介して導体ケース１１内の所定位置に支持
させている。このスペーサ１２は金属等の導体であって
も、樹脂や絶縁体セラミクス等の絶縁体または誘電体セ
ラミクス等の誘電体であってもよい。また、導体ケース
１１は導波管の一部として用いてもよい。
誘電体共振器の構成を図５に示す。図５の（Ａ）は共振
器領域の中央を通る縦断面図、（Ｂ）は（Ａ）における
Ｂ−Ｂ線についての横断面図である。この誘電体共振器
は中央部に共振器領域６０を形成した誘電体基板３を、
キャビティを構成する導体ケース１１内に収めて構成し
ている。すなわち誘電体基板３の両主面には円形状の開
口部４，５を有する電極１，２を、開口部４，５が対向
するように形成している。この開口部４，５の周囲に
は、図５の（Ｂ）に示すように、開口部のエッジ部から
所定距離遠ざかった位置に８つのスルーホール６を等間
隔に形成している。このように電極１，２およびスルー
ホール６を形成した誘電体基板３を、電極１，２と導体
ケース１１の内面との間隔が所定距離となるように、ス
ペーサ１２を介して導体ケース１１内の所定位置に支持
させている。このスペーサ１２は金属等の導体であって
も、樹脂や絶縁体セラミクス等の絶縁体または誘電体セ
ラミクス等の誘電体であってもよい。また、導体ケース
１１は導波管の一部として用いてもよい。
【００１４】次に、第２の実施形態に係る誘電体共振器
の構成を図６を基に説明する。図６の（Ａ）は共振器領
域の中央部を通る縦断面図、（Ｂ）は（Ａ）における上
部導体ケース１１ａを取り外した状態での上面図、
（Ｃ）は（Ａ）におけるＣ−Ｃ線についての横断面図で
ある。（Ａ）に示すように、誘電体基板３の両主面に
は、円形状の開口部４，５を有する電極１，２を形成し
ている。導体ケースは上部導体ケース１１ａと下部導体
ケース１１ｂとからなり、この２つの導体ケースの間に
誘電体基板３を挟み込むようにして、導体ケース内に誘
電体基板３を収納している。上部導体ケース１１ａに
は、電極１の開口部４のエッジ部から所定距離遠ざかっ
た周囲に当接するように、導体柱９を突出させている。
同様に、下部導体ケース１１ｂには、電極２の開口部５
のエッジ部から所定距離遠ざかった周囲に当接するよう
に、導体柱１０を突出させている。このように電極１，
２と第１・第２の導体板である上下の導体ケース１１
ａ，１１ｂとの間を所定箇所で短絡させたことにより、
これらの間を伝搬するＴＥＭ波などのスプリアス波が抑
圧される。特に、これらの導体柱９，１０をスプリアス
波の電界エネルギーの集中する箇所に設けることによっ
て、スプリアス波が効果的に抑圧される。尚、図６に示
した構造により誘電体基板３は上下の導体ケースから突
出する導体柱９，１０によっても支持されることにな
る。
の構成を図６を基に説明する。図６の（Ａ）は共振器領
域の中央部を通る縦断面図、（Ｂ）は（Ａ）における上
部導体ケース１１ａを取り外した状態での上面図、
（Ｃ）は（Ａ）におけるＣ−Ｃ線についての横断面図で
ある。（Ａ）に示すように、誘電体基板３の両主面に
は、円形状の開口部４，５を有する電極１，２を形成し
ている。導体ケースは上部導体ケース１１ａと下部導体
ケース１１ｂとからなり、この２つの導体ケースの間に
誘電体基板３を挟み込むようにして、導体ケース内に誘
電体基板３を収納している。上部導体ケース１１ａに
は、電極１の開口部４のエッジ部から所定距離遠ざかっ
た周囲に当接するように、導体柱９を突出させている。
同様に、下部導体ケース１１ｂには、電極２の開口部５
のエッジ部から所定距離遠ざかった周囲に当接するよう
に、導体柱１０を突出させている。このように電極１，
２と第１・第２の導体板である上下の導体ケース１１
ａ，１１ｂとの間を所定箇所で短絡させたことにより、
これらの間を伝搬するＴＥＭ波などのスプリアス波が抑
圧される。特に、これらの導体柱９，１０をスプリアス
波の電界エネルギーの集中する箇所に設けることによっ
て、スプリアス波が効果的に抑圧される。尚、図６に示
した構造により誘電体基板３は上下の導体ケースから突
出する導体柱９，１０によっても支持されることにな
る。
【００１５】次に、第３の実施形態に係る誘電体共振器
の構成を図７を基に説明する。図７の（Ａ）は共振器領
域の中央部を通る縦断面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ
−Ｂ線についての横断面図である。図６に示した第２の
実施形態と異なる点は、上部導体ケース１１ａに、電極
１の開口部４のエッジ部から所定距離遠ざかった周囲に
導体柱９の先端が近接するように導体柱９を突出させ、
同様に、下部導体ケース１１ｂに、電極２の開口部５の
エッジ部から所定距離遠ざかった周囲に導体柱１０の先
端が近接するように導体柱１０を突出させている点であ
る。その他の構成は図６に示したものと同様である。こ
のように電極１，２と導体柱９，１０との間に静電容量
を形成させたことによって、これらの静電容量と導体柱
９，１０のインダクタンスとによってそれぞれＬＣ共振
器が構成され、これらのＬＣ共振器の共振周波数の信号
が電極１，２上の所定箇所で第１・第２の導体板である
上下の導体ケース１１ａ，１１ｂに等価的に短絡される
（電極１，２の所定箇所が導体ケース１１ａ，１１ｂと
同電位となる。）ことになる。したがって上記ＬＣの値
と導体柱９，１０の突出位置を適宜定めることにより、
抑圧すべきＴＥＭ波等のスプリアス波が抑圧されて、共
振器領域６０のＴＥ０１０モード誘電体共振器とＴＥＭ
モードとの結合が抑制される。
の構成を図７を基に説明する。図７の（Ａ）は共振器領
域の中央部を通る縦断面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ
−Ｂ線についての横断面図である。図６に示した第２の
実施形態と異なる点は、上部導体ケース１１ａに、電極
１の開口部４のエッジ部から所定距離遠ざかった周囲に
導体柱９の先端が近接するように導体柱９を突出させ、
同様に、下部導体ケース１１ｂに、電極２の開口部５の
エッジ部から所定距離遠ざかった周囲に導体柱１０の先
端が近接するように導体柱１０を突出させている点であ
る。その他の構成は図６に示したものと同様である。こ
のように電極１，２と導体柱９，１０との間に静電容量
を形成させたことによって、これらの静電容量と導体柱
９，１０のインダクタンスとによってそれぞれＬＣ共振
器が構成され、これらのＬＣ共振器の共振周波数の信号
が電極１，２上の所定箇所で第１・第２の導体板である
上下の導体ケース１１ａ，１１ｂに等価的に短絡される
（電極１，２の所定箇所が導体ケース１１ａ，１１ｂと
同電位となる。）ことになる。したがって上記ＬＣの値
と導体柱９，１０の突出位置を適宜定めることにより、
抑圧すべきＴＥＭ波等のスプリアス波が抑圧されて、共
振器領域６０のＴＥ０１０モード誘電体共振器とＴＥＭ
モードとの結合が抑制される。
【００１６】次に、第４の実施形態に係る誘電体共振器
の構成を図８を基に説明する。図８の（Ａ）は共振器領
域の中央部を通る縦断面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ
−Ｂ線についての横断面図である。図７に示した第３の
実施形態と異なる点は、電極の開口部４，５の周囲に複
数の導体柱９，１０を接着することによって、誘電体基
板の電極１，２から上下の導体ケース１１ａ，１１ｂの
方向に導体柱９，１０を突出させている点である。その
他の構成は図７に示したものと同様である。電極１，２
の開口部４，５の周囲に図８の（Ｂ）に示すように複数
の導体柱９，１０を半だ付けまたは導電性接着剤で接着
することによって、導体柱９，１０と上下の導体ケース
１１ａ，１１ｂとの間に静電容量が生じる。また、導体
柱９，１０を電極１，２に対して絶縁性接着剤で接着す
れば、その接着面にも静電容量が生じる。このように導
体柱９，１０と第１・第２の導体板である上下の導体ケ
ース１１ａ，１１ｂとの間に静電容量を形成させたこと
によって、これらの静電容量と導体柱９，１０のインダ
クタンスとによってそれぞれＬＣ共振器が構成され、こ
れらのＬＣ共振器の共振周波数の信号が電極１，２上の
所定箇所で第１・第２の導体板である上下の導体ケース
１１ａ，１１ｂに等価的に短絡されることになり、抑圧
すべきＴＥＭ波等のスプリアス波が抑圧されて、共振器
領域６０のＴＥ０１０モード誘電体共振器とＴＥＭモー
ドとの結合が抑制される。尚、導体柱９，１０の両端を
電極１，２と導体ケース１１ａ，１１ｂとにそれぞれ接
着してもよい。
の構成を図８を基に説明する。図８の（Ａ）は共振器領
域の中央部を通る縦断面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ
−Ｂ線についての横断面図である。図７に示した第３の
実施形態と異なる点は、電極の開口部４，５の周囲に複
数の導体柱９，１０を接着することによって、誘電体基
板の電極１，２から上下の導体ケース１１ａ，１１ｂの
方向に導体柱９，１０を突出させている点である。その
他の構成は図７に示したものと同様である。電極１，２
の開口部４，５の周囲に図８の（Ｂ）に示すように複数
の導体柱９，１０を半だ付けまたは導電性接着剤で接着
することによって、導体柱９，１０と上下の導体ケース
１１ａ，１１ｂとの間に静電容量が生じる。また、導体
柱９，１０を電極１，２に対して絶縁性接着剤で接着す
れば、その接着面にも静電容量が生じる。このように導
体柱９，１０と第１・第２の導体板である上下の導体ケ
ース１１ａ，１１ｂとの間に静電容量を形成させたこと
によって、これらの静電容量と導体柱９，１０のインダ
クタンスとによってそれぞれＬＣ共振器が構成され、こ
れらのＬＣ共振器の共振周波数の信号が電極１，２上の
所定箇所で第１・第２の導体板である上下の導体ケース
１１ａ，１１ｂに等価的に短絡されることになり、抑圧
すべきＴＥＭ波等のスプリアス波が抑圧されて、共振器
領域６０のＴＥ０１０モード誘電体共振器とＴＥＭモー
ドとの結合が抑制される。尚、導体柱９，１０の両端を
電極１，２と導体ケース１１ａ，１１ｂとにそれぞれ接
着してもよい。
【００１７】次に、この発明の第５の実施形態である帯
域通過フィルタの構成を図９を基に説明する。図９の
（Ａ）は複数の共振器領域の中央部を通る縦断面図、
（Ｂ）は上部導体ケースを取り除いた状態での平面図で
ある。図９に示すように、誘電体基板３の上面には４
ａ，４ｂ，４ｃで示す３つの開口部を有する電極１を形
成していて、誘電体基板３の下面には５ａ，５ｂ，５ｃ
で示す３つの開口部を有する電極２を形成している。上
部の開口部４ａ，４ｂ，４ｃと下部の開口部５ａ，５
ｂ，５ｃは誘電体基板３を挟んで互いに対向していて、
これによって３つの共振器領域６０ａ，６０ｂ，６０ｃ
を構成している。誘電体基板３には、（Ｂ）に示すよう
に、電極の開口部の周囲で、且つ隣接する共振器領域の
間を避けて、電極１，２間を短絡するスルーホール６を
形成している。また、誘電体基板３の上面には１３，１
４で示す導体を形成していて、この導体１３，１４と電
極１とによって２つのコプレーナガイドを構成してい
る。誘電体基板３の上下には、これらの共振器領域の全
体を覆うように、上部導体ケース１１ａおよび下部導体
ケース１１ｂを取り付けている。このように構成したこ
とにより、導体１３は共振器領域６０ａによるＴＥ０１
０モードの誘電体共振器と磁界結合し、導体１４は共振
器領域６０ｃによるＴＥ０１０モードの誘電体共振器と
磁界結合する。また、共振器領域６０ａ，６０ｂ，６０
ｃによる３つのＴＥ０１０モードの誘電体共振器のう
ち、隣接する共振器同士が磁界結合する。これにより３
段の共振器からなる帯域通過フィルタが得られる。
域通過フィルタの構成を図９を基に説明する。図９の
（Ａ）は複数の共振器領域の中央部を通る縦断面図、
（Ｂ）は上部導体ケースを取り除いた状態での平面図で
ある。図９に示すように、誘電体基板３の上面には４
ａ，４ｂ，４ｃで示す３つの開口部を有する電極１を形
成していて、誘電体基板３の下面には５ａ，５ｂ，５ｃ
で示す３つの開口部を有する電極２を形成している。上
部の開口部４ａ，４ｂ，４ｃと下部の開口部５ａ，５
ｂ，５ｃは誘電体基板３を挟んで互いに対向していて、
これによって３つの共振器領域６０ａ，６０ｂ，６０ｃ
を構成している。誘電体基板３には、（Ｂ）に示すよう
に、電極の開口部の周囲で、且つ隣接する共振器領域の
間を避けて、電極１，２間を短絡するスルーホール６を
形成している。また、誘電体基板３の上面には１３，１
４で示す導体を形成していて、この導体１３，１４と電
極１とによって２つのコプレーナガイドを構成してい
る。誘電体基板３の上下には、これらの共振器領域の全
体を覆うように、上部導体ケース１１ａおよび下部導体
ケース１１ｂを取り付けている。このように構成したこ
とにより、導体１３は共振器領域６０ａによるＴＥ０１
０モードの誘電体共振器と磁界結合し、導体１４は共振
器領域６０ｃによるＴＥ０１０モードの誘電体共振器と
磁界結合する。また、共振器領域６０ａ，６０ｂ，６０
ｃによる３つのＴＥ０１０モードの誘電体共振器のう
ち、隣接する共振器同士が磁界結合する。これにより３
段の共振器からなる帯域通過フィルタが得られる。
【００１８】次に、第６の実施形態に係る帯域通過フィ
ルタの構成を図１０を基に説明する。図１０の（Ａ）は
複数の共振器領域の中央部を通る縦断面図、（Ｂ）は
（Ａ）におけるＢ−Ｂ線についての横断面図である。誘
電体基板３にスルーホールを形成しないことを除いて
は、誘電体基板３に設けた電極１，２の構成は図９に示
したものと同様である。この例では上部導体ケース１１
ａおよび下部導体ケース１１ｂの内面にそれぞれ誘電体
基板３方向へ突出する導体柱９，１０を一体に設けてい
る。これらの導体柱９，１０は上部導体ケースと下部導
体ケースとの間の所定位置に誘電体基板３を挟持する。
図１０の（Ｂ）に示すように、下部導体ケース１１ｂに
は同軸コネクタ１５，１６を取り付けていて、その中心
導体をコプレーナガイドの導体１３，１４の端部に接続
している。この構成によって、コネクタ１５−１６間を
帯域通過フィルタとして用いることができる。
ルタの構成を図１０を基に説明する。図１０の（Ａ）は
複数の共振器領域の中央部を通る縦断面図、（Ｂ）は
（Ａ）におけるＢ−Ｂ線についての横断面図である。誘
電体基板３にスルーホールを形成しないことを除いて
は、誘電体基板３に設けた電極１，２の構成は図９に示
したものと同様である。この例では上部導体ケース１１
ａおよび下部導体ケース１１ｂの内面にそれぞれ誘電体
基板３方向へ突出する導体柱９，１０を一体に設けてい
る。これらの導体柱９，１０は上部導体ケースと下部導
体ケースとの間の所定位置に誘電体基板３を挟持する。
図１０の（Ｂ）に示すように、下部導体ケース１１ｂに
は同軸コネクタ１５，１６を取り付けていて、その中心
導体をコプレーナガイドの導体１３，１４の端部に接続
している。この構成によって、コネクタ１５−１６間を
帯域通過フィルタとして用いることができる。
【００１９】なお、図９および図１０に示した例では、
３つの共振器領域を誘電体基板に形成して、その両端の
共振器領域による誘電体共振器と結合する信号入力部お
よび信号出力部を設けたが、誘電体共振器の段数をさら
に多くしてもよく、また逆に単一の共振器領域による誘
電体共振器に信号入力部と信号出力部をそれぞれ設けて
１段の共振器からなる帯域通過フィルタを構成すること
もできる。また、信号入力部および信号出力部はコプレ
ーナガイド以外にスロットラインやマイクロストリップ
ラインで構成することもできる。
３つの共振器領域を誘電体基板に形成して、その両端の
共振器領域による誘電体共振器と結合する信号入力部お
よび信号出力部を設けたが、誘電体共振器の段数をさら
に多くしてもよく、また逆に単一の共振器領域による誘
電体共振器に信号入力部と信号出力部をそれぞれ設けて
１段の共振器からなる帯域通過フィルタを構成すること
もできる。また、信号入力部および信号出力部はコプレ
ーナガイド以外にスロットラインやマイクロストリップ
ラインで構成することもできる。
【００２０】次に、第７の実施形態に係る帯域通過フィ
ルタの構成を図１１〜図１４を基に説明する。図１１は
分解斜視図、図１２の（Ａ）は１つの共振器領域の中央
部を通る縦断面図、図１２の（Ｂ）は下部導体ケースの
平面図である。図１１および図１２において、１１ａは
上部導体ケース、１１ｂは下部導体ケースであり、誘電
体基板３を上部導体ケース１１ａと下部導体ケース１１
ｂとの間に挟み込んで１つの帯域通過フィルタを構成し
ている。誘電体基板３は比誘電率εｒ＝３０のBa(ZrZnT
a)O3セラミクスからなり、その上面には４ａ，４ｂで示
す２つの開口部を有する電極１を形成していて、誘電体
基板３の下面にはこれらにそれぞれ対向する２つの開口
部を有する電極２を形成している。これによって２つの
共振器領域６０ａ，６０ｂを構成している。この誘電体
基板３の外形寸法は14.0×10.0×1.0mm である。上部導
体ケース１１ａおよび下部導体ケース１１ｂは、それぞ
れ比誘電率εｒ＝７．３のMgO-Mg2SO4セラミックスを壁
厚0.5mm として成形してなり、図１２に示すように外面
となる面に本願発明に係る導体板に相当する、銀ペース
トの塗布・焼成による導電体膜を形成している。この上
部導体ケース１１ａの外形寸法は14.0×10.0×2.0mm 、
下部導体ケースの枠部分の寸法は14.0×10.0mm 、底板
部分の寸法は14.0×14.0×0.5mm である。また、下部導
体ケース１１ｂの図における上面には、線幅0.6mm のマ
イクロストリップラインである引出電極１７，１８を形
成していて、これらの引出電極１７，１８に直径0.3mm
の棒状の信号入力プローブ１９と信号出力プローブ２０
をそれぞれ半田付けなどにより接続している。また、引
出電極１７，１８の近傍には図に示すように上下面を導
通させるスルーホールを形成していて、引出電極近傍で
のアース電位を上下同一にして、この部分でのスプリア
スの発生を防止している。また、下部導体ケースの上面
には、図１２の（Ｂ）に示すように、リン青銅板のよう
な弾性を有する導電性バネ材を円筒状に成形した導体バ
ネ２１，２２を共振器領域６０ａ，６０ｂの近傍に接着
している。（図１２の（Ｂ）における６０ａ，６０ｂ
は、この下部導体ケース１１ｂに誘電体基板３を載置し
た際の共振器領域を示している。）これらの構成部品を
図１２の（Ａ）に示すように積み重ねて、下部導体ケー
スと誘電体基板との電極同士、および上部導体ケースと
誘電体基板との電極同士をそれぞれ半田や導電性接着剤
などの接合材で接合一体化する。この構成によって、信
号入力プローブ１９は共振器領域６０ａの共振器と結合
し、信号出力プローブ２０は共振器領域６０ｂの共振器
と結合する。また、導体バネ２１，２２は共振器領域の
近傍で、電極２に直接弾性接触して、導体バネ２１，２
２がインダクタンスとして作用し、導体バネ２１，２２
と下部導体ケース１１ｂ下面の導電体膜との間に生じる
静電容量とによって、ＬＣ回路（ＬＣ共振器）を構成す
る。これによって、共振器領域近傍の所定位置が等価的
に下部導電体ケースの下面の導電体膜と同電位となっ
て、ＴＥＭ波などの所定のスプリアスが抑圧されること
になる。なお、引出電極１７，１８は端面を介して裏面
にまで回り込ませていて、この帯域通過フィルタは機器
の回路基板に直接表面実装することができるが、引出電
極の上部に表面実装型の同軸コネクタを取り付けてもよ
い。
ルタの構成を図１１〜図１４を基に説明する。図１１は
分解斜視図、図１２の（Ａ）は１つの共振器領域の中央
部を通る縦断面図、図１２の（Ｂ）は下部導体ケースの
平面図である。図１１および図１２において、１１ａは
上部導体ケース、１１ｂは下部導体ケースであり、誘電
体基板３を上部導体ケース１１ａと下部導体ケース１１
ｂとの間に挟み込んで１つの帯域通過フィルタを構成し
ている。誘電体基板３は比誘電率εｒ＝３０のBa(ZrZnT
a)O3セラミクスからなり、その上面には４ａ，４ｂで示
す２つの開口部を有する電極１を形成していて、誘電体
基板３の下面にはこれらにそれぞれ対向する２つの開口
部を有する電極２を形成している。これによって２つの
共振器領域６０ａ，６０ｂを構成している。この誘電体
基板３の外形寸法は14.0×10.0×1.0mm である。上部導
体ケース１１ａおよび下部導体ケース１１ｂは、それぞ
れ比誘電率εｒ＝７．３のMgO-Mg2SO4セラミックスを壁
厚0.5mm として成形してなり、図１２に示すように外面
となる面に本願発明に係る導体板に相当する、銀ペース
トの塗布・焼成による導電体膜を形成している。この上
部導体ケース１１ａの外形寸法は14.0×10.0×2.0mm 、
下部導体ケースの枠部分の寸法は14.0×10.0mm 、底板
部分の寸法は14.0×14.0×0.5mm である。また、下部導
体ケース１１ｂの図における上面には、線幅0.6mm のマ
イクロストリップラインである引出電極１７，１８を形
成していて、これらの引出電極１７，１８に直径0.3mm
の棒状の信号入力プローブ１９と信号出力プローブ２０
をそれぞれ半田付けなどにより接続している。また、引
出電極１７，１８の近傍には図に示すように上下面を導
通させるスルーホールを形成していて、引出電極近傍で
のアース電位を上下同一にして、この部分でのスプリア
スの発生を防止している。また、下部導体ケースの上面
には、図１２の（Ｂ）に示すように、リン青銅板のよう
な弾性を有する導電性バネ材を円筒状に成形した導体バ
ネ２１，２２を共振器領域６０ａ，６０ｂの近傍に接着
している。（図１２の（Ｂ）における６０ａ，６０ｂ
は、この下部導体ケース１１ｂに誘電体基板３を載置し
た際の共振器領域を示している。）これらの構成部品を
図１２の（Ａ）に示すように積み重ねて、下部導体ケー
スと誘電体基板との電極同士、および上部導体ケースと
誘電体基板との電極同士をそれぞれ半田や導電性接着剤
などの接合材で接合一体化する。この構成によって、信
号入力プローブ１９は共振器領域６０ａの共振器と結合
し、信号出力プローブ２０は共振器領域６０ｂの共振器
と結合する。また、導体バネ２１，２２は共振器領域の
近傍で、電極２に直接弾性接触して、導体バネ２１，２
２がインダクタンスとして作用し、導体バネ２１，２２
と下部導体ケース１１ｂ下面の導電体膜との間に生じる
静電容量とによって、ＬＣ回路（ＬＣ共振器）を構成す
る。これによって、共振器領域近傍の所定位置が等価的
に下部導電体ケースの下面の導電体膜と同電位となっ
て、ＴＥＭ波などの所定のスプリアスが抑圧されること
になる。なお、引出電極１７，１８は端面を介して裏面
にまで回り込ませていて、この帯域通過フィルタは機器
の回路基板に直接表面実装することができるが、引出電
極の上部に表面実装型の同軸コネクタを取り付けてもよ
い。
【００２１】図１３は上記フィルタの帯域通過特性を示
す図であり、（Ａ）は比較的広い周波数範囲にわたる特
性、（Ｂ）は中心周波数付近の特性をそれぞれ示す。図
１４は上記フィルタにおいて、導体バネ２１，２２を設
けない場合の帯域通過特性を示す図であり、図１３に場
合と同様に（Ａ）は比較的広い周波数範囲にわたる特
性、（Ｂ）は中心周波数付近の特性をそれぞれ示す。両
図を対比すれば明らかなように、上記導体バネ２１，２
２を設けたことにより、中心周波数２０ＧＨｚに近いＴ
ＥＭ波のレベルが抑圧され、このＴＥＭ波の影響を受け
ない帯域通過特性が得られる。
す図であり、（Ａ）は比較的広い周波数範囲にわたる特
性、（Ｂ）は中心周波数付近の特性をそれぞれ示す。図
１４は上記フィルタにおいて、導体バネ２１，２２を設
けない場合の帯域通過特性を示す図であり、図１３に場
合と同様に（Ａ）は比較的広い周波数範囲にわたる特
性、（Ｂ）は中心周波数付近の特性をそれぞれ示す。両
図を対比すれば明らかなように、上記導体バネ２１，２
２を設けたことにより、中心周波数２０ＧＨｚに近いＴ
ＥＭ波のレベルが抑圧され、このＴＥＭ波の影響を受け
ない帯域通過特性が得られる。
【００２２】なお、図１１および図１２に示した例で
は、導体バネを下部導体ケース側に接着したが、これを
誘電体基板側に接着してもよく、また、接着することな
く、ケースと誘電体基板間に挟み込むだけでもよい。さ
らに、導体バネは上部導体ケースと誘電体基板との間に
設けてもよい。
は、導体バネを下部導体ケース側に接着したが、これを
誘電体基板側に接着してもよく、また、接着することな
く、ケースと誘電体基板間に挟み込むだけでもよい。さ
らに、導体バネは上部導体ケースと誘電体基板との間に
設けてもよい。
【００２３】
【発明の効果】請求項１，２に記載の発明によれば、誘
電体基板の両主面に設けた電極間に発生するＴＥＭ波等
のスプリアス波が電極開口部のエッジ部で抑圧され、こ
のスプリアス波と共振器領域の共振器との結合がなくな
り、誘電体共振器の無負荷Ｑの低下が防止される。
電体基板の両主面に設けた電極間に発生するＴＥＭ波等
のスプリアス波が電極開口部のエッジ部で抑圧され、こ
のスプリアス波と共振器領域の共振器との結合がなくな
り、誘電体共振器の無負荷Ｑの低下が防止される。
【００２４】請求項３〜請求項７に記載の発明によれ
ば、誘電体基板の両主面に形成した電極と第１または第
２の導体板との間に発生するスプリアスモードの波が電
極開口部のエッジ部で抑圧され、このスプリアス波と共
振器領域の共振器との結合がなくなり、誘電体共振器の
無負荷Ｑの低下が防止される。
ば、誘電体基板の両主面に形成した電極と第１または第
２の導体板との間に発生するスプリアスモードの波が電
極開口部のエッジ部で抑圧され、このスプリアス波と共
振器領域の共振器との結合がなくなり、誘電体共振器の
無負荷Ｑの低下が防止される。
【００２５】請求項８，請求項９に記載の発明によれ
ば、誘電体基板の両主面に設けた電極間に発生する、ま
たは誘電体基板の両主面に形成した電極と第１または第
２の導体板との間に発生するスプリアスモードの波が効
果的に抑圧され、通過帯域外特性の悪化が防止される。
ば、誘電体基板の両主面に設けた電極間に発生する、ま
たは誘電体基板の両主面に形成した電極と第１または第
２の導体板との間に発生するスプリアスモードの波が効
果的に抑圧され、通過帯域外特性の悪化が防止される。
【図１】 請求項１，２に記載の誘電体共振器の構成例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】 請求項３，４に記載の誘電体共振器の構成例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】 請求項５に記載の誘電体共振器の構成例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】 請求項６に記載の誘電体共振器の構成例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】 第１の実施形態に係る誘電体共振器の構成を
示す図である。
示す図である。
【図６】 第２の実施形態に係る誘電体共振器の構成を
示す図である。
示す図である。
【図７】 第３の実施形態に係る誘電体共振器の構成を
示す図である。
示す図である。
【図８】 第４の実施形態に係る誘電体共振器の構成を
示す図である。
示す図である。
【図９】 第５の実施形態に係る帯域通過フィルタの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図１０】 第６の実施形態に係る帯域通過フィルタの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１１】 第７の実施形態に係る帯域通過フィルタの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１２】 第７の実施形態に係る帯域通過フィルタの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図１３】 第７の実施形態に係る帯域通過フィルタの
特性図である。
特性図である。
【図１４】 第７の実施形態に係る帯域通過フィルタに
対する従来の帯域通過フィルタの特性図である。
対する従来の帯域通過フィルタの特性図である。
【図１５】 従来の誘電体共振器の構成例およびその電
磁界分布の例を示す図である。
磁界分布の例を示す図である。
【図１６】 従来の誘電体共振器におけるＴＥＭ波の電
磁界分布の例を示す図である。
磁界分布の例を示す図である。
【図１７】 従来の誘電体共振器におけるＴＥＭ波の電
磁界分布の例を示す図である。
磁界分布の例を示す図である。
１，２−電極 ３−誘電体基板 ４ａ，４ｂ，４ｃ，４，５−開口部 ６−スルーホール（導体路） ７−第１の導体板 ８−第２の導体板 ９，１０−導体柱（導体路） １１−導体ケース（キャビティ） １１ａ−上部導体ケース １１ｂ−下部導体ケース １２−スペーサ １３−コプレーナガイド用導体（信号入力部） １４−コプレーナガイド用導体（信号出力部） １５，１６−コネクタ １７，１８−引出電極 １９−信号入力プローブ（信号入力部） ２０−信号出力プローブ（信号出力部） ２１，２２−導体バネ（導体路） ６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０−共振器領域 ｄ−共振器領域（伝搬領域） ｃ−減衰領域（遮断領域）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山下 貞夫 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (9)
- 【請求項１】 誘電体基板の両主面に、略同一形状の開
口部を有する電極を前記開口部を対向させて形成すると
ともに、前記誘電体基板を該誘電体基板から所定間隔隔
てて互いに対向する第１・第２の導体板の間に設けて、
前記誘電体基板の前記開口部を共振器領域とした誘電体
共振器において、 前記誘電体基板の両主面の電極間を所定箇所で短絡して
該電極間を伝搬するスプリアスモードの波を抑圧する導
体路を前記誘電体基板内に設けたことを特徴とする誘電
体共振器。 - 【請求項２】 前記導体路は前記電極の開口部の周囲に
複数個設けたスルーホールである請求項１に記載の誘電
体共振器。 - 【請求項３】 誘電体基板の両主面に、略同一形状の開
口部を有する電極を前記開口部を対向させて形成すると
ともに、前記誘電体基板を該誘電体基板から所定間隔隔
てて互いに対向する第１・第２の導体板の間に設けて、
前記誘電体基板の前記開口部を共振器領域とした誘電体
共振器において、 前記電極と第１または第２の導体板とを所定箇所で結合
させて、前記電極と第１または第２の導体板との間を伝
搬するスプリアスモードの波を抑圧する導体路を、第１
の導体板、第２の導体板、または前記電極の少なくとも
いずれかに設けたことを特徴とする誘電体共振器。 - 【請求項４】 前記導体路は前記電極と第１または第２
の導体板との間にそれぞれ複数個設けられ、各導体路が
前記電極と第１または第２の導体板とを所定箇所で短絡
させるものである請求項３に記載の誘電体共振器。 - 【請求項５】 前記導体路は前記電極から第１または第
２の導体板の方向に突出し、該第１または第２の導体板
と前記導体路との間に静電容量を形成するものである請
求項３に記載の誘電体共振器。 - 【請求項６】 前記導体路は前記第１または第２の導体
板から前記誘電体基板の方向に突出し、前記第１または
第２の導体板と前記誘電体基板の電極との間に静電容量
を形成するものである請求項３に記載の誘電体共振器。 - 【請求項７】 前記第１または第２の導体板は少なくと
も前記共振器領域の電磁界をシールドするキャビティの
一部を構成し、該キャビティに前記導体路を一体に設け
たことを特徴とする請求項４または６に記載の誘電体共
振器。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載の誘電体
共振器と、前記共振器領域の電磁界に結合する信号入力
部および信号出力部とを設けて成る帯域通過フィルタ。 - 【請求項９】 請求項１〜７のいずれかに記載の共振器
領域を、１つの誘電体基板に複数個形成し、所定の共振
器領域の電磁界に結合する信号入力部および信号出力部
を設けるとともに、前記導体路を、隣接する共振器領域
の間を避けて設けて成る帯域通過フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05445296A JP3603453B2 (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 誘電体共振器および帯域通過フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05445296A JP3603453B2 (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 誘電体共振器および帯域通過フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246820A true JPH09246820A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3603453B2 JP3603453B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=12971089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05445296A Expired - Lifetime JP3603453B2 (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 誘電体共振器および帯域通過フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3603453B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0966055A1 (en) * | 1998-06-18 | 1999-12-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric filter, transmission/reception sharing device, and communication device |
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-
1996
- 1996-03-12 JP JP05445296A patent/JP3603453B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| CN117458104A (zh) * | 2023-11-03 | 2024-01-26 | 安徽大学 | 一种基于单个腔体谐振器的频率带宽可调滤波器 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3603453B2 (ja) | 2004-12-22 |
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