JPH09237907A - 太陽光発電装置 - Google Patents
太陽光発電装置Info
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- JPH09237907A JPH09237907A JP8041763A JP4176396A JPH09237907A JP H09237907 A JPH09237907 A JP H09237907A JP 8041763 A JP8041763 A JP 8041763A JP 4176396 A JP4176396 A JP 4176396A JP H09237907 A JPH09237907 A JP H09237907A
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- cdte
- junction
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- generation device
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】二連形太陽光発電装置において、化合物半導体
層を薄膜化し、かつ良好なｐｎ接合を形成する技術を提
供する。 【解決手段】表面近傍にｐ+ｎ接合を有するシリコン
（Ｓｉ）結晶ウェハ上に、ｎ+ーテルル化カドミウム
（ｎ+ーＣｄＴｅ）４、ｎ−テルル化カドミウム（ｎ−
ＣｄＴｅ）５、ｐ−テルル化カドミウム（ｐ−ＣｄＴ
ｅ）６、ｐ+−テルル化カドミウム（ｐ+−ＣｄＴｅ）７
の薄膜を順次堆積させた。
層を薄膜化し、かつ良好なｐｎ接合を形成する技術を提
供する。 【解決手段】表面近傍にｐ+ｎ接合を有するシリコン
（Ｓｉ）結晶ウェハ上に、ｎ+ーテルル化カドミウム
（ｎ+ーＣｄＴｅ）４、ｎ−テルル化カドミウム（ｎ−
ＣｄＴｅ）５、ｐ−テルル化カドミウム（ｐ−ＣｄＴ
ｅ）６、ｐ+−テルル化カドミウム（ｐ+−ＣｄＴｅ）７
の薄膜を順次堆積させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン（Ｓｉ）
発電セル上に化合物半導体微結晶発電セルを積層した太
陽光発電装置に関するものである。
発電セル上に化合物半導体微結晶発電セルを積層した太
陽光発電装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】これまでの太陽光発電装置はＳｉ単結
晶、Ｓｉ多結晶、アモルファスＳｉ等、Ｓｉ材料で形成
されたｐｎ接合、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化イ
ンジウム（ＩｎＰ）などIII−Ｖ族化合物半導体、テル
ル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化カドミウム（Ｃｄ
Ｓ）などII−VI族化合物半導体、セレン化銅インジウム
（ＣｕＩｎＳｅ2）などカルコパイライト系半導体など
のｐｎ接合を用いて製作されてきた。さらに太陽光のス
ペクトル利用範囲を拡げて効率を上昇させるため、異な
る太陽光発電装置を組み合わせることにより二連形（タ
ンデム）太陽光発電装置の開発も行われてきた（参考文
献、第５回高効率太陽電池ワークショップ予稿集、電気
学会半導体電力変換技術委員会主催、H7.7.27〜28、於
長野）。この中で特に二連形太陽光発電装置は高効率の
観点から重要であるが,これまでの二連形装置は主にIII
−Ｖ族化合物半導体の異なる組み合わせで形成されるも
の、及びＳｉ太陽光発電装置とアモルファスＳｉを用い
た装置の組み合わせなど、限られた構造のみが製作され
て来た。
晶、Ｓｉ多結晶、アモルファスＳｉ等、Ｓｉ材料で形成
されたｐｎ接合、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化イ
ンジウム（ＩｎＰ）などIII−Ｖ族化合物半導体、テル
ル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化カドミウム（Ｃｄ
Ｓ）などII−VI族化合物半導体、セレン化銅インジウム
（ＣｕＩｎＳｅ2）などカルコパイライト系半導体など
のｐｎ接合を用いて製作されてきた。さらに太陽光のス
ペクトル利用範囲を拡げて効率を上昇させるため、異な
る太陽光発電装置を組み合わせることにより二連形（タ
ンデム）太陽光発電装置の開発も行われてきた（参考文
献、第５回高効率太陽電池ワークショップ予稿集、電気
学会半導体電力変換技術委員会主催、H7.7.27〜28、於
長野）。この中で特に二連形太陽光発電装置は高効率の
観点から重要であるが,これまでの二連形装置は主にIII
−Ｖ族化合物半導体の異なる組み合わせで形成されるも
の、及びＳｉ太陽光発電装置とアモルファスＳｉを用い
た装置の組み合わせなど、限られた構造のみが製作され
て来た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＳｉとＧａＡｓ、ヒ化
アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）を組合わせた二
連構造も製作されたが（文献：白石他；1995年秋季応用
物理学会29aZR6）、ＳｉとＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓの間
には格子定数、熱膨張係数に大きな相違があり、このた
め成長したＧａＡｓ／Ｓｉ界面には１０10ｃｍ2に達す
る高密度の欠陥が発生する。これらの欠陥によってエピ
タキシャル結晶内に生じる転位を減少させるためには、
３〜５μｍ以上の厚いエピタキシャル膜の成長が不可欠
であった。ところが上述熱膨張率の相違により、成長濃
度から室温に冷却したウェハには”そり”が生じ、この
ため大面積のウェハ製作が困難であった。ＧａＡｓやＡ
ｌＧａＡｓ層の厚さを薄くすればウェハの”そり”の問
題は解決するが、このようにするとＧａＡｓ ｐｎ接合
はＧａＡｓ／Ｓｉヘテロ接合近傍に形成されることにな
る。ところがこの領域には上記の転位や粒界が高密度で
存在し、これらが再結合中心として働くため、ＧａＡｓ
ｐｎ接合は短絡されてしまう。このような性質は材料
固有の表面再結合速度の速さに起因するものであり、構
造上の工夫によって回避することは困難である。
アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）を組合わせた二
連構造も製作されたが（文献：白石他；1995年秋季応用
物理学会29aZR6）、ＳｉとＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓの間
には格子定数、熱膨張係数に大きな相違があり、このた
め成長したＧａＡｓ／Ｓｉ界面には１０10ｃｍ2に達す
る高密度の欠陥が発生する。これらの欠陥によってエピ
タキシャル結晶内に生じる転位を減少させるためには、
３〜５μｍ以上の厚いエピタキシャル膜の成長が不可欠
であった。ところが上述熱膨張率の相違により、成長濃
度から室温に冷却したウェハには”そり”が生じ、この
ため大面積のウェハ製作が困難であった。ＧａＡｓやＡ
ｌＧａＡｓ層の厚さを薄くすればウェハの”そり”の問
題は解決するが、このようにするとＧａＡｓ ｐｎ接合
はＧａＡｓ／Ｓｉヘテロ接合近傍に形成されることにな
る。ところがこの領域には上記の転位や粒界が高密度で
存在し、これらが再結合中心として働くため、ＧａＡｓ
ｐｎ接合は短絡されてしまう。このような性質は材料
固有の表面再結合速度の速さに起因するものであり、構
造上の工夫によって回避することは困難である。
【０００４】図１はＳｉ ｐｎ接合とＧａＡｓ ｐｎ接合
の組み合わせてによって製作した装置の問題点を示した
ものである。図１で１はｎ+−Ｓｉ、２はｎ−Ｓｉ、３
はｐ+−Ｓｉ、４はｎ+−ＧａＡｓ、５はｎ−ＧａＡｓ、
６はｐ−ＧａＡｓ、７はｐ+−ＧａＡｓ、１０１、１０
３はｐｎ接合、１０２はＳｉ／ＧａＡｓヘテロ接合、１
０４は転位である。ヘテロ接合１０２近傍のＧａＡｓに
は高密度の転位が発生し、これらの転位は層の厚さを増
やしていくと減少する傾向があるため、ＧａＡｓ４の厚
さを３〜５μｍ以上にすることによって１０6〜１０7ｃ
ｍ-2まで低減することができる。この程度の密度になれ
ばｐｎ接合の質を比較的高いレベルに保つことができ
る。しかしＧａＡｓの熱膨張係数がＳｉに比べて著しく
大きいため、ウェハには図のような曲がりが生じる。こ
のため大面積の基板を用いることができず実用的には利
用できない技術である。もしＳｉ上に成長するＧａＡｓ
層を全体で１μｍ程度に減少させることができればウェ
ハの曲がりはなくなるが、すでに述べたようにＧａＡｓ
ｐｎ接合の位置がＧａＡｓ／Ｓｉ境界面近くの高転位
密度領域に作らざるを得なくなる。この様子を示したも
のが図２である。図３の１０５は図１のような構造で作
った太陽光発電装置の出力特性で高い効率が得られるの
に対して図２のような構造では高密度の転位のため出力
特性は１０６のように著しく劣化してしまう。
の組み合わせてによって製作した装置の問題点を示した
ものである。図１で１はｎ+−Ｓｉ、２はｎ−Ｓｉ、３
はｐ+−Ｓｉ、４はｎ+−ＧａＡｓ、５はｎ−ＧａＡｓ、
６はｐ−ＧａＡｓ、７はｐ+−ＧａＡｓ、１０１、１０
３はｐｎ接合、１０２はＳｉ／ＧａＡｓヘテロ接合、１
０４は転位である。ヘテロ接合１０２近傍のＧａＡｓに
は高密度の転位が発生し、これらの転位は層の厚さを増
やしていくと減少する傾向があるため、ＧａＡｓ４の厚
さを３〜５μｍ以上にすることによって１０6〜１０7ｃ
ｍ-2まで低減することができる。この程度の密度になれ
ばｐｎ接合の質を比較的高いレベルに保つことができ
る。しかしＧａＡｓの熱膨張係数がＳｉに比べて著しく
大きいため、ウェハには図のような曲がりが生じる。こ
のため大面積の基板を用いることができず実用的には利
用できない技術である。もしＳｉ上に成長するＧａＡｓ
層を全体で１μｍ程度に減少させることができればウェ
ハの曲がりはなくなるが、すでに述べたようにＧａＡｓ
ｐｎ接合の位置がＧａＡｓ／Ｓｉ境界面近くの高転位
密度領域に作らざるを得なくなる。この様子を示したも
のが図２である。図３の１０５は図１のような構造で作
った太陽光発電装置の出力特性で高い効率が得られるの
に対して図２のような構造では高密度の転位のため出力
特性は１０６のように著しく劣化してしまう。
【０００５】本発明の目的は、Ｓｉ太陽光発電装置と化
合物半導体を用いた太陽光発電装置の二連形太陽光発電
装置において、化合物半導体層を薄膜化し、かつ良好な
ｐｎ接合を形成する技術を提供することにある。
合物半導体を用いた太陽光発電装置の二連形太陽光発電
装置において、化合物半導体層を薄膜化し、かつ良好な
ｐｎ接合を形成する技術を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】従来のＳｉとその上に成
長した薄いＧａＡｓから成る二連形太陽光発電装置の上
記の問題点は、ＧａＡｓ中の貫通転位や結晶粒界が電気
的に活性な導電チャネルとして働き、ｐｎ接合を短絡し
てしまうために生じる。本発明はＧａＡｓやＡｌＧａＡ
ｓの代りにＣｄＴｅやＺｎxＣｄ1-xＴｅを用いることに
よって上記の問題を解決する。ＣｄＴｅ及びＺｎxＣｄ
1-xＴｅはＧａＡｓと異なり転位や結晶粒界が電気的に
不活性でｐｎ接合を短絡することがないという特徴があ
る。これはこれらの材料における表面再結合速度が小さ
いことに起因しており、この事実は本発明者らの研究に
よって明らかになったものである。このようにＣｄＴｅ
やＺｎＣｄＴｅでは転位や結晶粒界が電気的に不活性で
あるため、このような欠陥がｐｎ接合に高密度で存在し
てもｐｎ接合の特性を劣化させず、従って太陽光発電効
率を高いレベルに保つことができる。
長した薄いＧａＡｓから成る二連形太陽光発電装置の上
記の問題点は、ＧａＡｓ中の貫通転位や結晶粒界が電気
的に活性な導電チャネルとして働き、ｐｎ接合を短絡し
てしまうために生じる。本発明はＧａＡｓやＡｌＧａＡ
ｓの代りにＣｄＴｅやＺｎxＣｄ1-xＴｅを用いることに
よって上記の問題を解決する。ＣｄＴｅ及びＺｎxＣｄ
1-xＴｅはＧａＡｓと異なり転位や結晶粒界が電気的に
不活性でｐｎ接合を短絡することがないという特徴があ
る。これはこれらの材料における表面再結合速度が小さ
いことに起因しており、この事実は本発明者らの研究に
よって明らかになったものである。このようにＣｄＴｅ
やＺｎＣｄＴｅでは転位や結晶粒界が電気的に不活性で
あるため、このような欠陥がｐｎ接合に高密度で存在し
てもｐｎ接合の特性を劣化させず、従って太陽光発電効
率を高いレベルに保つことができる。
【０００７】この結果、Ｓｉ太陽光発電装置と二連形を
形成するＣｄＴｅ太陽光発電装置のｐｎ接合を、ＣｄＴ
ｅ／Ｓｉヘテロ界面から離れた位置に形成する必要がな
くなり、ＣｄＴｅ全体の厚さを１〜２μｍ以下にするこ
とができる。このため図１に示したようなウェハの曲が
りは回避され、かつＣｄ、Ｚｎ、Ｔｅ等の材料を少量し
か消費しないため、製造コスト低減の上でも大きな意味
を持つ。実際のＣｄＴｅ層の厚さはＣｄＴｅ ｐｎ接合
における光誘起電流とＳｉ ｐｎ接合のそれがほぼ一致
するように決定するがその値はほぼ１μｍである。
形成するＣｄＴｅ太陽光発電装置のｐｎ接合を、ＣｄＴ
ｅ／Ｓｉヘテロ界面から離れた位置に形成する必要がな
くなり、ＣｄＴｅ全体の厚さを１〜２μｍ以下にするこ
とができる。このため図１に示したようなウェハの曲が
りは回避され、かつＣｄ、Ｚｎ、Ｔｅ等の材料を少量し
か消費しないため、製造コスト低減の上でも大きな意味
を持つ。実際のＣｄＴｅ層の厚さはＣｄＴｅ ｐｎ接合
における光誘起電流とＳｉ ｐｎ接合のそれがほぼ一致
するように決定するがその値はほぼ１μｍである。
【０００８】
【発明の実施の形態】図４は本発明の一実施形態を示す
もので、１はｎ+−Ｓｉ、２はｎ−Ｓｉ、３はｐ+−Ｓｉ
で、Ｓｉ結晶ウエハを構成する。４はｎ+−ＣｄＴｅ、
５はｎ−ＣｄＴｅ、６はｐ−ＣｄＴｅ、７はｐ+−Ｃｄ
Ｔｅのそれぞれ薄膜で、Ｓｉ結晶ウエハ上に順次堆積さ
れる。１０１、１０３はｐｎ接合、１０２はＣｄＴｅ／
Ｓｉヘテロ接合、１０４は転位である。ｎ−ＩｎＧａＰ
層４の厚さが薄いため、ＣｄＴｅ発電装置のｐｎ接合１
０３は、高密度の転位網１０４の中に形成される。しか
しＣｄＴｅでは電気的に不活性なため、ｐｎ接合のリー
ク電流は少なく効率の高い太陽光発電を実現することが
できる。さらにＣｄＴｅでは吸収端より短波長側の吸収
係数は大きく（＞５×１０5ｃｍ-1）、膜厚１μｍでも
十分な効率が得られる。 図４の構造ではｎ−ＣｄＴｅ
層５のＳｉとのヘテロ接合側を高い濃度にドーピングし
てｎ+−ＣｄＴｅとすることにより、Ｓｉ発電装置部と
ＣｄＴｅ発電装置部をトンネル効果を利用して結合す
る。図４においてｐ−ＣｄＴｅ層６をｐ−ＺｎxＣｄ1-x
Ｔｅで置き換え、ｘの値をｎ−ＣｄＴｅ層５とのｐｎ接
合面から表面に沿ってｘ＝０からｘ＝１まで徐々に増加
させ、かつｐ+−ＣｄＴｅ層７をｐ+−ＺｎＴｅ層で置換
することにより、より効率の高い構成をとることもでき
る。
もので、１はｎ+−Ｓｉ、２はｎ−Ｓｉ、３はｐ+−Ｓｉ
で、Ｓｉ結晶ウエハを構成する。４はｎ+−ＣｄＴｅ、
５はｎ−ＣｄＴｅ、６はｐ−ＣｄＴｅ、７はｐ+−Ｃｄ
Ｔｅのそれぞれ薄膜で、Ｓｉ結晶ウエハ上に順次堆積さ
れる。１０１、１０３はｐｎ接合、１０２はＣｄＴｅ／
Ｓｉヘテロ接合、１０４は転位である。ｎ−ＩｎＧａＰ
層４の厚さが薄いため、ＣｄＴｅ発電装置のｐｎ接合１
０３は、高密度の転位網１０４の中に形成される。しか
しＣｄＴｅでは電気的に不活性なため、ｐｎ接合のリー
ク電流は少なく効率の高い太陽光発電を実現することが
できる。さらにＣｄＴｅでは吸収端より短波長側の吸収
係数は大きく（＞５×１０5ｃｍ-1）、膜厚１μｍでも
十分な効率が得られる。 図４の構造ではｎ−ＣｄＴｅ
層５のＳｉとのヘテロ接合側を高い濃度にドーピングし
てｎ+−ＣｄＴｅとすることにより、Ｓｉ発電装置部と
ＣｄＴｅ発電装置部をトンネル効果を利用して結合す
る。図４においてｐ−ＣｄＴｅ層６をｐ−ＺｎxＣｄ1-x
Ｔｅで置き換え、ｘの値をｎ−ＣｄＴｅ層５とのｐｎ接
合面から表面に沿ってｘ＝０からｘ＝１まで徐々に増加
させ、かつｐ+−ＣｄＴｅ層７をｐ+−ＺｎＴｅ層で置換
することにより、より効率の高い構成をとることもでき
る。
【０００９】二連形の接続にはＣｄＴｅの表面が電気的
に不活性であることを利用して薄い金属膜や導電性ガラ
スを用いることができる。
に不活性であることを利用して薄い金属膜や導電性ガラ
スを用いることができる。
【００１０】図５は本発明の他の実施形態を示すもの
で、１はｎ+−Ｓｉ、２はｎ−Ｓｉ、３はｐ+−Ｓｉ、４
はｎ+−ＣｄＴｅ、５はｎ−ＣｄＴｅ、６はｐ−ＣｄＴ
ｅ、７はｐ+−ＣｄＴｅ、８は光透過性の電気伝導層
で、５００Å以下の厚さを持つ金、ニッケル、クロム、
タングステン、チタンのいずれか一種または二種から成
る金属層、または２０００Å以下の厚さを持つ酸化イン
ジウム（Ｉｎ2Ｏ3）または酸化スズ（ＳｎＯ2）の一種
からなる導電性ガラス、１０１、１０３はｐｎ接合、１
１０はＣｄＴｅ微結晶の結晶粒界である。４〜７のＣｄ
Ｔｅは全体として厚さが薄く、かつ金属または酸化物の
上に堆積するため、基板との間にエピタキシャル関係は
成立せず、このためＣｄＴｅ発電装置のｐｎ接合１０３
は、高密度の微結晶粒界１１０の中に形成される。しか
しＣｄＴｅでは微結晶粒界は電気的に不活性なため、ｐ
ｎ接合のリーク電流は少なく効率の高い太陽光発電を実
現することができる。太陽光発電効率では、単結晶の８
０％以上に達する。さらにＣｄＴｅでは吸収端より短波
長側の吸収係数は大きく（＞５×１０5ｃｍ-1）、薄膜
１μｍでも充分な効率が得られる。
で、１はｎ+−Ｓｉ、２はｎ−Ｓｉ、３はｐ+−Ｓｉ、４
はｎ+−ＣｄＴｅ、５はｎ−ＣｄＴｅ、６はｐ−ＣｄＴ
ｅ、７はｐ+−ＣｄＴｅ、８は光透過性の電気伝導層
で、５００Å以下の厚さを持つ金、ニッケル、クロム、
タングステン、チタンのいずれか一種または二種から成
る金属層、または２０００Å以下の厚さを持つ酸化イン
ジウム（Ｉｎ2Ｏ3）または酸化スズ（ＳｎＯ2）の一種
からなる導電性ガラス、１０１、１０３はｐｎ接合、１
１０はＣｄＴｅ微結晶の結晶粒界である。４〜７のＣｄ
Ｔｅは全体として厚さが薄く、かつ金属または酸化物の
上に堆積するため、基板との間にエピタキシャル関係は
成立せず、このためＣｄＴｅ発電装置のｐｎ接合１０３
は、高密度の微結晶粒界１１０の中に形成される。しか
しＣｄＴｅでは微結晶粒界は電気的に不活性なため、ｐ
ｎ接合のリーク電流は少なく効率の高い太陽光発電を実
現することができる。太陽光発電効率では、単結晶の８
０％以上に達する。さらにＣｄＴｅでは吸収端より短波
長側の吸収係数は大きく（＞５×１０5ｃｍ-1）、薄膜
１μｍでも充分な効率が得られる。
【００１１】図５の構造ではＳｉ発電装置部とＣｄＴｅ
発電装置部は導電性薄膜によって接続され、高効率を実
現することができる。図５においてｐ−ＣｄＴｅ層６を
ｐ−ＺｎxＣｄ1-xＴｅで置き換え、ｘの値をｎ−ＣｄＴ
ｅ層５とのｐｎ接合面から表面に向かってｘ＝０からｘ
＝１まで徐々に増加させ、かつｐ+−ＣｄＴｅ層７をｐ+
−ＺｎＴｅ層で置換することにより、より効率の高い構
成をとることもできる。
発電装置部は導電性薄膜によって接続され、高効率を実
現することができる。図５においてｐ−ＣｄＴｅ層６を
ｐ−ＺｎxＣｄ1-xＴｅで置き換え、ｘの値をｎ−ＣｄＴ
ｅ層５とのｐｎ接合面から表面に向かってｘ＝０からｘ
＝１まで徐々に増加させ、かつｐ+−ＣｄＴｅ層７をｐ+
−ＺｎＴｅ層で置換することにより、より効率の高い構
成をとることもできる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はＣｄＴｅ
に生じる転位や微結晶粒界が電気的に不活性であるとの
知見に基づくもので、この結果ｐｎ接合の特性は転位や
微結晶粒界の存在によって大きな影響を受けず、薄膜で
高効率の発電が可能になる。このため、Ｓｉ太陽光発電
装置とのトンネル接合や導電性薄膜を通しての二連化に
よって極めて高い効率を実現することができる。Ｓｉ
ｐｎ接合上に形成されるＣｄＴｅ ｐｎ接合に要する材
料はきわめて少量のため高効率を実現しながらコスト上
昇は最小限に押さえられるという利点もある。
に生じる転位や微結晶粒界が電気的に不活性であるとの
知見に基づくもので、この結果ｐｎ接合の特性は転位や
微結晶粒界の存在によって大きな影響を受けず、薄膜で
高効率の発電が可能になる。このため、Ｓｉ太陽光発電
装置とのトンネル接合や導電性薄膜を通しての二連化に
よって極めて高い効率を実現することができる。Ｓｉ
ｐｎ接合上に形成されるＣｄＴｅ ｐｎ接合に要する材
料はきわめて少量のため高効率を実現しながらコスト上
昇は最小限に押さえられるという利点もある。
【図１】従来のＳｉとその上に形成されたＧａＡｓ二連
形太陽光発電装置の説明図
形太陽光発電装置の説明図
【図２】図２の二連形太陽光発電装置のＧａＡｓｐｎ接
合部を薄くした場合の図
合部を薄くした場合の図
【図３】図１と図２の構造で得られるＧａＡｓ ｐｎ接
合の出力特性を示す図
合の出力特性を示す図
【図４】本発明の一実施形態例を示す図
【図５】本発明の他の実施形態を示す図
１…ｎ+−Ｓｉ，２…ｎ−Ｓｉ，３…ｐ+−Ｓｉ，４…ｎ
+−ＩｎＧａＰ，５…ｎ−ＩｎＧａＰ，７…ｐ+−ＩｎＧ
ａＰ，１０１…Ｓｉのｐｎ接合，１０２…ＧａＡｓ／Ｓ
ｉヘテロ接合面，１０３…ＩｎＧａＰ ｐｎ接合，１０
４…転位，１１０…微結晶粒界。
+−ＩｎＧａＰ，５…ｎ−ＩｎＧａＰ，７…ｐ+−ＩｎＧ
ａＰ，１０１…Ｓｉのｐｎ接合，１０２…ＧａＡｓ／Ｓ
ｉヘテロ接合面，１０３…ＩｎＧａＰ ｐｎ接合，１０
４…転位，１１０…微結晶粒界。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小澤口 治樹 東京都新宿区西新宿３丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ｐｎ接合を用いた太陽光発電装置
において、 表面近傍にｐ+ｎ接合を有するシリコン（Ｓｉ）結晶ウ
ェハ上に、ｎ+−ルル化カドミウム（ｎ+−ＣｄＴｅ）、
ｎ−テルル化カドミウム（ｎ−ＣｄＴｅ）、ｐ−テルル
化カドミウム（ｐ−ＣｄＴｅ）、ｐ+−テルル化カドミ
ウム（ｐ+−ＣｄＴｅ）の薄膜を順次堆積させたことを
特徴とする太陽光発電装置。 - 【請求項２】 半導体ｐｎ接合を用いた太陽光発電装置
において、 表面近傍にｐ+ｎ接合を有するシリコン（Ｓｉ）結晶ウ
ェハ上に、可視光、近赤外光に対して十分な透過性を有
する電気伝導層、ｎ+−テルル化カドミウム（ｎ+−Ｃｄ
Ｔｅ）、ｎ−テルル化カドミウム（ｎ−ＣｄＴｅ）、ｐ
−テルル化カドミウム（ｐ−ＣｄＴｅ）、ｐ+−テルル
化カドミウム（ｐ+−ＣｄＴｅ）の薄膜を順次堆積させ
たことを特徴とする太陽光発電装置。 - 【請求項３】 上記テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）層
全体の厚さを１μｍ以下とすることを特徴とする請求項
１または２に記載の太陽光発電装置。 - 【請求項４】 上記ｐ−ＣｄＴｅ及びｐ+−ＣｄＴｅを
それぞれｐ−テルル化亜鉛カドミウム（ＺｎxＣｄ1-xＴ
ｅ）及びｐ+−テルル化亜鉛カドミウム（ｐ+−ＺｎxＣ
ｄ1-xＴｅ）（０≦ｘ＜１）とすることを特徴とする請
求項１乃至３のいずれかに記載の太陽光発電装置。 - 【請求項５】 上記可視光、近赤外光に対して十分な透
過性をもつ電気伝導層が、５００Å以下の厚さを持つ
金、ニッケル、クロム、チタン、タングステンのいずれ
か一種または二種からなる金属層であることを特徴とす
る請求項２に記載の太陽光発電装置。 - 【請求項６】 上記電気伝導層が、２０００Å以下の厚
さを持つ導電性酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ
（ＳｎＯ2）のいずれか一種からなる酸化物導電層であ
ることを特徴とする請求項２に記載の太陽光発電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8041763A JPH09237907A (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 太陽光発電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8041763A JPH09237907A (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 太陽光発電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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