JPH09236635A - ハンドラのロータリアーム・デバイスチャック部 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 被試験デバイスを試験するための測定部４の
構造を簡単化し、かつインデックスタイムを短縮するこ
とができるＩＣハンドラを提供する。 【解決手段】 ロータリアーム３の回転軸３ａより放射
方向に突設された３本のアーム３ｂに昇降自在にデバイ
スチャック２１をそれぞれ取り付ける。また、周面が概
ね逆三角形状を有し、かつこの逆三角形状の頂点を挟む
二辺がカム作用部分２４ａ、２４ｂとなる、平面半リン
グ状のカム２４を、上記逆三角形状の頂点が測定部４の
上部の所定位置に配されるように、上記回転軸３ａと同
心にＩＣハンドラの筐体に取付ける。このカムのカム作
用部分に従動するカムフォロア２１ｂを各デバイスチャ
ックに回動自在に取り付ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、一般的には、半
導体デバイス、特に代表例であるＩＣ（半導体集積回
路）を試験するためのＩＣ試験装置（一般にＩＣテスタ
と呼ばれる）においてＩＣを試験するために搬送し、か
つ試験済みのＩＣを分類処理するために使用される半導
体デバイス搬送処理装置（一般にＩＣハンドラと呼ばれ
る）に関し、詳しく言うと、ＩＣテスタの測定部（テス
ト部とも言う）において１つの被試験ＩＣ（一般にＤＵ
Ｔと呼ばれる）の測定が終了してから次の被試験ＩＣの
測定が開始されるまでの時間（一般にインデックスタイ
ムと呼ばれる）をより一層短くすることができるＩＣハ
ンドラのロータリアーム及びデバイスチャックの部分の
構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４にロータリアーム及びデバイスチャ
ックを使用する従来の水平搬送方式と称されるＩＣハン
ドラの一例の構成を概略的に示す。ＩＣハンドラ１の筐
体内の図において下側の一辺側に沿って図の左側より右
側へローダ部１０、空トレイバッファステージ９、及び
アンローダ部８が配置されている。図において一番左側
のローダ部１０には複数のトレイが積み重ねられた状態
で収容され、各トレイにはこれから試験しようとする複
数個のＩＣ（ＤＵＴ）が格納されている。

【０００３】ローダ部１０に収容されたトレイ群の最上
段のトレイからローダキャリアアーム１１がこの例では
ＤＵＴを２個ずつ搬出してソークステージと呼ばれるタ
ーンテーブル５に搬送する。ターンテーブル５にはＤＵ
Ｔ７を受け取る位置を規定するために、ほぼ正方形の４
辺が上向きの傾斜面で囲まれた位置決め用凹部がほぼ等
角度間隔で同心円状に２列形成されており、ターンテー
ブル５が１ピッチずつ回動する毎に２個のＤＵＴ７を２
列の各位置決め用凹部に落し込むように構成されてい
る。ターンテーブル５で運ばれて来たＤＵＴ７はロータ
リアーム（コンタクトアームとも呼ばれる）３によって
測定部４に送り込まれる。このロータリアーム３はター
ンテーブル５の各位置決め用凹部から２個のＤＵＴ７を
吸着して取り出し、それらＤＵＴ７を測定部４に搬送す
る。

【０００４】ロータリアーム３はほぼ等角度間隔で回転
軸３ａに取り付けられた３つのアーム３ｂを有し、その
３つのアーム３ｂが回転して順次ＤＵＴ７を測定部４に
送り込む動作と、測定部４でテストが終了した試験済み
ＩＣをエクジット（出口）ステージ６と呼ばれる回転ア
ームに引き渡す動作を行なう。このエクジットステージ
６はロータリアーム３と同様の構造を有するものでよ
い。なお、ソークステージ５、ロータリアーム３、及び
測定部４はハンドラ１の筐体内に設けられた恒温槽（一
般にチャンバと呼ばれる）２内に収納され、ＤＵＴ７を
この恒温槽２内で所定の温度に保持し、テストを行うよ
うに構成されている。また、エクジットステージ６は、
通常、そのいずれか１本のアームが恒温槽２内に配置さ
れた状態にある。

【０００５】恒温槽２の出口外側に配置されたエクジッ
トステージ６によって取り出された試験済みＤＵＴはア
ンローダ部８に送られる。アンローダ部８にはエクジッ
トステージ６のアームから試験済みＤＵＴをピックアッ
プするチャック８ｄを備えたＹ方向（図の縦方向）に移
動自在のＹキャリアアーム８ｙとこのＹキャリアアーム
８ｙをＸ方向（図の横方向）に搬送するＸキャリアアー
ム８ｘが設けられており、また、この例では３つのトレ
イ８ａ、８ｂ、８ｃが配置されている。エクジットステ
ージ６から受け取った試験済みＤＵＴは、測定結果に基
づいて、この例では３つのトレイ８ａ、８ｂ、８ｃの何
れかに分別されて格納される。例えば良品はトレイ８ａ
に格納され、第１種の不良品（例えば再試験を必要とす
るＩＣ）はトレイ８ｂに収納され、第２種の不良品（例
えば完全に不良なＩＣ）はトレイ８ｃに格納される。こ
れらの分別はＸキャリアアーム８ｘが行なう。

【０００６】なお、ローダ部１０の図において右側に設
けられた空トレイバッファステージ９にはローダ部１０
で空になったトレイが収納される。この空トレイバッフ
ァステージ９に収納されたトレイは必要なときにトレイ
キャリア１２によってアンローダ部８へ搬送される。例
えば、アンローダ部８のいずれかのトレイが満杯になる
と、その満杯のトレイの上に運ばれてＩＣの格納に利用
される。

【０００７】上記ロータリアーム３についてさらに詳述
する。上述したように、ロータリアーム３は回転軸３ａ
を持ち、この回転軸３ａより３本のアーム３ｂが１２０
°の角度間隔で放射方向に突設されている。図５に示す
ように、各アーム３ｂの垂直方向の端面（外側壁面）に
はリニアガイド２１ａを介してデバイスチャック２１が
垂直方向へ昇降自在に取付けられている。また、各デバ
イスチャック２１の下部と、対応する各アーム３ｂの上
部との間に、それぞれ引っ張りコイルばね２２が垂直方
向に架張されているので、各デバイスチャック２１はコ
イルばね２２の引張力により常時は上方へ偏倚され、各
アーム３ｂの垂直方向の端面の所定の位置（最上部位
置）に停止している。

【０００８】なお、恒温槽２のチャンバ断熱壁２８は、
この例では断熱材２８ｂと、断熱材２８ｂの外側面に取
り付けられたアルミ板２８ａと、断熱材２８ｂの内側面
に取り付けられたステンレス板２８ｃとから構成された
三層構造になっている。図５に示されているように、ソ
ークステージ５のＤＵＴ受渡し位置５ａ、測定部４、及
びエクジットステージ６のＤＵＴ受取り位置６ａ上にお
いて、デバイスチャック２１を降下させるのにコンタク
トインシリンダ３２、コンタクトプレスシリンダ３３及
びコンタクトアウトシリンダ３４がそれぞれ用いられ
る。コンタクトインシリンダ３２は、ソークステージ５
のＤＵＴ受渡し位置５ａにおいてＤＵＴを吸着保持する
ためにデバイスチャック２１をそれに接近した所定の位
置まで降下させるのに使用される。コンタクトプレスシ
リンダ３３は、測定部４においてＤＵＴを吸着保持した
デバイスチャック２１を降下させてＤＵＴのリードをＩ
Ｃソケット４ｂに電気的に接触させるために使用され
る。コンタクトアウトシリンダ３４は、エクジットステ
ージ６のＤＵＴ受取り位置６ａにおいて吸着保持したＤ
ＵＴを解放するためにデバイスチャック２１をそれに接
近した所定の位置まで降下させるのに使用される。

【０００９】測定部４は恒温槽２の底部に設けられてお
り、ＩＣテスタのパフォーマンスボード４ｆ上に取り付
けられた中空のスペーシングフレーム４ｇ、スペーシン
グフレーム４ｇ上に取り付けられたソケットガイド４
ｃ、ソケットガイド４ｃ内に配置されたＩＣソケット４
ｂを含む。ＩＣソケット４ｂはソケットガイド４ｃの底
部に取り付けられたソケットボード４ｅ上にアダプタソ
ケット４ｄを介して取り付けられている。スペーシング
フレーム４ｇは断熱材よりなり、恒温槽２の床の断熱壁
２８に形成された貫通孔３９に嵌合され、このスペーシ
ングフレーム４ｇの底面にパフォーマンスボード４ｆが
取り付けられる。従って、スペーシングフレーム４ｇは
断熱壁２８の貫通孔３９に嵌合する形状、寸法に選定さ
れ、パフォーマンスボード４ｆは恒温槽２の外側に配さ
れ、一方、ＩＣソケット４ｂは恒温槽２の床面より恒温
槽内に突出した状態に配される。

【００１０】ソケットガイド４ｃの表面よりデバイスチ
ャック２１を案内するガイドピン４ａが突出して設けら
れており、デバイスチャック２１の降下時にデバイスチ
ャック２１を案内して、このデバイスチャック２１に吸
着、保持されたＤＵＴをＩＣソケット４ｂの所定の位置
に位置決めする。なお、パフォーマンスボート４ｆはコ
ンタクトピン４１ａを介してＩＣテスタのテストヘッド
４３に電気的に接続される。

【００１１】次に、上記構成のロータリアームとデバイ
スチャック部分の動作について図６を参照して説明す
る。 （ａ）ロータリアーム３が１２０°回転され、これによ
り所定位置（最上部位置）にある１つのデバイスチャッ
ク２１がソークステージ５のＤＵＴ受渡し位置５ａに接
近した所定位置に回動されると、コンタクトインシリン
ダ３２がオンにされ（作動され）、デバイスチャック２
１がコイルばね２２の弾性力に抗して所定位置（最上部
位置）から強制的に降下され、その吸着パット２１ｃが
ＤＵＴと接触する。

【００１２】（ｂ）次に、吸着パット２１ｃから空気を
吸引する真空発生装置を作動させてＤＵＴを吸着パット
２１ｃに強固に吸着、保持する。 （ｃ）次に、コンタクトインシリンダ３２がオフにされ
（作動停止され）、その結果ＤＵＴを吸着、保持したデ
バイスチャック２１はコイルばね２２の引張力により所
定位置（最上部位置）まで上昇する。

【００１３】（ｄ）次に、ロータリアーム３が再び１２
０°回転され、これによりデバイスチャック２１も１２
０°回転され、測定部４に到達したときに、この測定部
４のＩＣソケット４ｂに接近した所定の位置に配され
る。 （ｅ）次に、コンタクトプレスシリンダ３３がオンにさ
れ、デバイスチャック２１がコイルばね２２の弾性力に
抗して強制的に降下され、吸着、保持したＤＵＴのリー
ドがＩＣソケット４ｂのコンタクトに押圧接触されて、
電気的に確実に接続される。

【００１４】（ｆ）次に、テストヘッド４３を介してＩ
ＣテスタからＤＵＴに試験信号が印加され、ＤＵＴの電
気的諸特性（電圧、電流等）が測定される。この測定
中、ＤＵＴのリードはＩＣソケット４ｂのコンタクトに
押圧接触されている。 （ｇ）測定が終了すると、コンタクトプレスシリンダ３
３がオフにされ、その結果デバイスチャック２１はコイ
ルばね２２の引張力により測定済みＤＵＴを吸着、保持
したまま所定位置（最上部位置）まで上昇する。

【００１５】（ｈ）次に、ロータリアーム３が再び１２
０°回転され、これによりデバイスチャック２１も１２
０°回転され、エクジットステージ６のＤＵＴ受取り位
置６ａに到達したときに、このＤＵＴ受取り位置６ａに
接近した所定の位置に配される。 （ｉ）次に、コンタクトアウトシリンダ３４がオンにさ
れ、デバイスチャック２１はコイルばね２２の弾性力に
抗して強制的に降下され、試験済みＤＵＴをエクジット
ステージ６のＤＵＴ受取り位置６ａの直ぐ上に配置す
る。

【００１６】（ｊ）次に、真空発生装置がオフにされ、
デバイスチャック２１の下端の吸着パット２１ｃに与え
られていた負圧が解除されるため、吸着、保持していた
試験済みＤＵＴは解放されてエクジットステージ６のＤ
ＵＴ受取り位置６ａの位置決め凹部内に落下する。 （ｋ）次に、コンタクトアウトシリンダ３４がオフにさ
れ、その結果デバイスチャック２１はコイルばね２２の
引張力により所定位置（最上部位置）まで上昇する。

【００１７】（ｌ）次に、ロータリアーム３が再び１２
０°回転され、デバイスチャック２１も１２０°回転さ
れて、ソークステージ５のＤＵＴ受渡し位置５ａに接近
した所定位置に配され、再び上記ステップ（ａ）〜
（ｌ）の動作が繰り返されることになる。 ところで、ＩＣハンドラのスループット（処理能力）を
向上させるために、１つのＤＵＴの測定終了から次のＤ
ＵＴの測定開始までの時間（一般にインデックスタイム
と呼ばれる）が重要となる。

【００１８】このインデックスタイムを短くすればＩＣ
ハンドラのスループットが向上するため、図５に示した
従来のＩＣハンドラにおいては、図６のステップ（ｅ）
のコンタクトプレスシリンダ３３がオンとなり、測定部
４に位置するデバイスチャック２１が降下するときに
は、同時にステップ（ａ）のコンタクトインシリング３
２もオンとなり、ソークステージ５に位置するデバイス
チャック２１が降下するように構成されている。よっ
て、ステップ（ｆ）のデバイスの測定中にステップ
（ｂ）のデバイスの吸着動作及びステップ（ｃ）のデバ
イスチャックの上昇動作が行われる。同様に、ステップ
（ｅ）の動作と共にステップ（ｉ）のコンタクトアウト
シンリダのオン、これに伴うエクジットステージ６に位
置するデバイスチャック２１の降下動作が行われるよう
に構成されているから、ステップ（ｆ）のデバイスの測
定中にステップ（ｊ）のデバイスの解放及びステップ
（ｈ）のデバイスチャックの上昇動作が行われる。

【００１９】上述のインデックスタイムを分析すると、
(1) ステップ（ｇ）において、コンタクトプレスシリン
ダ３３がオフとなり、デバイスチャック２１が上昇する
時間、(2) ステップ（ｄ）、（ｈ）及び（ｌ）におい
て、各アーム３ｂが１２０°回転する時間、(3) ステッ
プ（ｅ）において、コンタクトプレスシリンダ３３がオ
ンとなり、デバイスチャック２１が降下する時間の３つ
があり、これらの総和がインデックスタイムとなる。

【００２０】上記従来のＩＣハンドラでは、上記(1) 及
び(3) の時間を短くするために、ＩＣソケット４ｂの位
置をソークステージ５のＤＵＴ受渡し位置５ａやエクジ
ットステージ６のＤＵＴ受取り位置６ａとほぼ同じ高さ
に配し、デバイスチャック２１の昇降のストロークをＤ
ＵＴ受渡し位置５ａやＤＵＴ受取り位置６ａとほぼ同じ
にしている。パフォーマンスボード４ｆには測定に必要
な各種の電気・電子部品が実装されており、一方、恒温
槽２内は最高１２５℃にもなるので、高温度の影響を受
けないようにパフォーマンスボード４ｆを恒温槽内とあ
る程度断熱してその外部に取付ける必要がある。このた
め、上述のように断熱材よりなるスペーシングフレーム
４ｇを用意して恒温槽２の床の断熱壁２８に形成された
貫通孔３９内に取付け、パフォーマンスボード４ｆを恒
温槽２の外側に配して断熱すると共にＩＣソケット４ｂ
を恒温槽内の所定の位置まで突出させ、測定部４でのデ
バイスチャック２１の昇降のストロークを短くしてい
る。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スペー
シングフレーム４ｇにはソケットガイド４ｃ、ソケット
ボード４ｅ、ＩＣソケット４ｂ等が取り付けられ、ま
た、スペーシングフレーム４ｇの底面にはパフォーマン
スボード４ｆが取り付けられるから、スペーシングフレ
ーム４ｇは断熱材で堅牢に構成しなければならない。こ
のため、コスト高となる欠点があった。また、ソケット
ボード４ｅとパフォーマンスボード４ｆ間の間隔が長く
なるため、それら間をリード線で接続しなければなら
ず、測定精度に悪影響を与える恐れがある。その上、測
定部４の組立作業が煩雑となり、作業時間が長くなる欠
点があった。

【００２２】この発明の目的は、測定部のＩＣソケット
を恒温槽内に突出させる必要をなくして測定部の構造を
簡単化すると共に、インデックスタイムを短縮すること
ができるＩＣハンドラを提供することである。

【００２３】

【課題を解決するための手段】この発明によれば、回転
軸を持ち、この回転軸より３本のアームが１２０°の角
度間隔で放射方向に突設されているロータリアームと、
このロータリアームの各アームの垂直方向の端面に昇降
自在に取付けられたデバイスチャックと、周面が概ね逆
三角形状を有し、かつこの逆三角形状の頂点を挟む二辺
がカム作用部分となる、平面半リング状のカムと、この
カムのカム作用部分に従動する上記各デバイスチャック
に回動自在に取り付けられたカムフォロアとを具備し、
上記カムの逆三角形状の頂点が測定部の上部の所定位置
に配されるように上記カムを上記回転軸と同心にＩＣハ
ンドラの筐体に取付けたハンドラが提供され、上記この
発明の目的が達成される。

【００２４】上記構成によれば、上記逆三角形状のカム
は逆三角形状の頂点を境にして上記ロータリアームの回
転方向に関して下向きに傾斜したカム作用部分と上向き
に傾斜したカム作用部分を有することになる。従って、
ＤＵＴをデバイスチャックに受け渡すソークステージか
らＤＵＴを試験する上記測定部へＤＵＴを搬送する際に
は、上記カムの下向きに傾斜したカム作用部分に上記デ
バイスチャックのカムフォロアが従動するため、上記デ
バイスチャックは徐々に降下してこのデバイスチャック
が測定部に到達したときには測定部のＩＣソケットの上
部の所定位置に配され、他方、ＤＵＴを上記測定部から
エクジットステージへ搬送する際には、上記カムの上向
きに傾斜したカム作用部分に上記デバイスチャックのカ
ムフォロアが従動するため、上記デバイスチャックは徐
々に上昇してこのデバイスチャックがエクジットステー
ジに到達したときにはエクジットステージのＤＵＴ受取
り位置の上部の所定位置に配される。よって、ソークス
テージ、測定部、及びエクジットステージの各部におい
てデバイスチャックは最短の昇降運動をするだけで済む
から、インデックスタイムを短縮することができる。ま
た、測定部に到達したときにはデバイスチャックが所定
の位置（最上部位置）から降下した位置に移動している
ので、このデバイスチャックの降下距離に相当する距離
だけＩＣソケットを下方へ下げることができる。それ
故、ＩＣソケットを恒温槽内に突出させる必要がなくな
り、測定部の構造を簡単化することができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例について
図１乃至図３を参照して詳細に説明する。なお、これら
図面において図４及び図５と対応する部分には同じ符号
を付けて必要のない限りそれらの説明を省略する。この
実施例では、ロータリアーム３の近傍にこのロータリア
ーム３の回転軸３ａと同心にカム２４が取り付けられて
いる。カム２４は平面がほぼ半リング状でかつ下側へ垂
下する部分（周面）が概ね逆三角形状（図１参照）を有
し、この逆三角形状の頂点を挟む二辺がカム作用部分と
して働く。また、ロータリアーム３の各アーム３ｂの垂
直方向の端面に昇降自在に取付けられた各デバイスチャ
ック２１には上記カムのカム作用部分に従動するカムフ
ォロア２１ｂが回動自在に取り付けられている。

【００２６】一方、測定部４は恒温槽２の床面に設けら
れており、パフォーマンスボード４ｆ上にアダプタソケ
ット４ｄを介して取り付けられたＩＣソケット４ｂが恒
温槽２の床のチャンバ断熱壁２８に形成された貫通孔３
９の下側に配されている。ソケットガイド４ｃもパフォ
ーマンスボード４ｆ上に直接取り付けられており、この
ソケットガイド４ｃをチャンバ断熱壁２８にねじ止めす
ることによってＩＣソケット４ｂは所定の位置に固定さ
れ、貫通孔３９を通じて恒温槽側に露出した状態にあ
る。

【００２７】上記カム２４はその半リング状の上部部分
が、同じく回転軸３ａと同心の円弧状に形成された、か
つ恒温槽２の天井のチャンバ断熱壁２８より垂下された
複数の支柱２９の下端にねじ止めされているカムホルダ
２５に、図３に示すように、回転軸３ａと同心となるよ
うにねじ止めされている。従って、カム２４は固定され
ており、カムフォロア２１ｂを駆動する運動を行わない
が、この明細書ではカムと称する。この場合、図１から
明瞭なように、カム２４はその垂下する逆三角形状部分
の頂点が、測定部４の上部に位置するデバイスチャック
２１に回転自在に取付けられているカムフォロア２１ｂ
と当接するように、カムホルダ２５に固定される。それ
故、カム２４のカム作用部分は逆三角形状の頂点を境に
してロータリアーム３の回転方向に関して下向きに傾斜
した部分２４ａと上向きに傾斜した部分２４ｂとを有す
ることになる。

【００２８】上記構成のカム２４及びカムフォロア２１
ｂを設けたことにより、ロータリアーム３が１２０°回
転するときに、一緒に回転する３つのデバイスチャック
２１の内の２つ（ソークステージ５から測定部４へ回転
するデバイスチャックと測定部４からエクジットステー
ジ６へ回転するデバイスチャック）のカムフォロア２１
ｂが下向きのカム作用部分２４ａ及び上向きのカム作用
部分２４ｂに沿ってそれぞれ従動することになり、ソー
クステージ５から測定部４へ回動するデバイスチャック
２１は下向きに傾斜するカム作用部分２４ａに従って徐
々に下方へ降下し、測定部４の上部に達したときにはこ
のデバイスチャック２１は最下点位置にあり、また、測
定部４からエクジットステージ６へ回動するデバイスチ
ャック２１は上向きに傾斜するカム作用部分２４ｂに従
って徐々に上方へ上昇し、エクジットステージ６の上部
に達したときにはこのデバイスチャック２１は元の所定
の位置（最上部位置）に復帰する。

【００２９】さらに説明すると、各デバイスチャック２
１はソークステージ５のＤＵＴ受渡し位置５ａの上部の
所定位置においてＤＵＴを吸着し、その後１２０°回転
することにより測定部４のＩＣソケット４ｂの上部に達
する。この１２０°の回転中にカムフォロワ２１ｂはカ
ム２４の下向きに傾斜したカム作用部分２４ａに従動す
るから、デバイスチャック２１は通常の所定位置（最上
部位置）からコイルばね２２の弾性力に抗して下方位置
へと次第に降下し、１２０°の回転が終了したときにカ
ム２４の逆三角形の頂点がそのデバイスチャック２１の
カムフォロア２１ｂと当接した状態にある（図１）。こ
のとき、デバイスチャック２１は測定部４の上部の所定
位置にあり、かつ最下点位置にある。この位置で上述し
たコンタクトプレスシリンダ３３の作動によりＤＵＴを
ＩＣテスタのパフォーマンスボード４ｆ上のＩＣソケッ
ト４ｂに確実に接触させ、所定の測定を行う。測定終了
後、再びロータリアーム３を１２０°回転させると、今
度はカムフォロワ２１ｂがカム２４の上向きに傾斜した
カム作用部分２４ｂに従動するので、この１２０°の回
転中にデバイスチャック２１はコイルばね２２の弾性力
により最下点位置から次第に上昇して元の通常の所定位
置（最上部位置）に復帰する。かくして、１２０°の回
転が終了した時点ではデバイスチャック２１はエクジッ
トステージ６のＤＵＴ受取り位置６ａの上部の所定位置
にある。

【００３０】よって、測定部４がソークステージ５及び
エクジットステージ６よりも低い位置にあっても、ソー
クステージ５、測定部４、及びエクジットステージ６の
各部においてデバイスチャック２１は最短の昇降運動を
行うだけで所定の動作を行うことができ、インデックス
タイムを短縮することができる。測定部４の位置は、デ
バイスチャックの通常の所定位置（最上部位置）と下向
きのカム作用部分２４ａによって最大距離降下する最下
点位置間の距離に相当する距離だけ下げることができる
ので、図１に示すように、測定部４を恒温槽２の床面に
設けることができ、上記従来のＩＣハンドラのようにス
ペーシングフレーム４ｇを使用して断熱すると共にＩＣ
ソケット４ｂを恒温槽２内へ突出させる必要はない。ま
た、パフォーマンスボード４ｆ上にアダプタソケット４
ｄを介してＩＣソケット４ｂを取り付けることができる
ので、従来のＩＣハンドラのようにソケットボード４ｅ
を設ける必要がなく、しかも、ソケットボード４ｅとパ
フォーマンスボード４ｆ間をリード線で接続する必要も
ない。さらに、パフォーマンスボード４ｆはソケットガ
イド４ｃを介して恒温槽２の底部壁に固定されるから、
恒温槽２の底部壁から離間された恒温槽２の下側に位置
する。従って、ソケットガイド４ｃ等である程度断熱す
るだけでパフォーマンスボード４ｆは恒温槽２の高温度
の影響を受けなくなり、特別の断熱部材を使用する必要
はない。かくして、測定部４の構造を簡単化することが
できる。

【００３１】

【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
測定部４を恒温槽２の底面に配置することができるの
で、従来のように断熱材よりなる堅牢な、高価なスペー
シングフレーム４ｇやソケットボード４ｅを使用する必
要なしに、パフォーマンスボード４ｆ上に直接ＩＣソケ
ット４ｂ及びソケットガイド４ｃを実装できる。従っ
て、部品材料費を節減できると共に、従来のようにソケ
ッドボード４ｅとパフォーマンスボード４ｆ間のリード
線による配線が不要となるので測定精度に悪影響を与え
る恐れがなくなる。その上、測定部４の組立作業が簡単
になるので、組立時間が短縮され、作業性の向上した経
済的な測定部を実現できる。

【００３２】また、測定部４の上部にロータリアーム３
の回転軸３ａと同心に配設した、平面がほぼ半リング状
でかつ下側へ垂下する周面が概ね逆三角形状のカム２４
（固定されたカム）にデバイスチャック２１が従動する
構成となっているため、各デバイスチャック２１は、ロ
ータリアーム３の回転に伴ってデバイスチャック２１が
測定部４に近づくときには自動的に降下し、測定部４か
ら離れるときには自動的に上昇する。その結果、測定部
４を恒温槽２の底面に配置することによって増加したデ
バイスチャック２１の測定部４上での昇降ストロークを
従来よりもかえって小さくすることができる。例えば、
図５に示す従来例では４０ｍｍであったものが、図１に
示す本実施例では約２０ｍｍとなり、インデックスタイ
ムは従来の約１．５秒に対して本実施例では約０．８秒
となり、著しく短縮されるから、ハンドラのスループッ
トを大幅に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明によるＩＣハンドラの一実施例の要部
の構造を測定部を中心にして示す原理的な正面図であ
る。

【図２】図１のＩＣハンドラに使用されたロータリアー
ム及びデバイスチャックの構造をそれらの周辺部と共に
示す概略斜視図である。

【図３】図１のＩＣハンドラに使用されたカムを恒温室
の天井側から見た平面図である。

【図４】従来の水平搬送方式のＩＣハンドラの一例の要
部の構成を示す原理的な平面図である。

【図５】図３のＩＣハンドラに使用されたロータリアー
ム及びデバイスチャックの構造を測定部を中心にして示
す原理的な正面図である。

【図６】図４に示されたＩＣハンドラのロータリアーム
及びデバイスチャックの動作を説明するためのフローチ
ャートである。

【符号の説明】

１：ハンドラ ３：ロータリアーム ４：測定部 ５：ソークステージ ５ａ：ソークステージのＤＵＴ受け渡し位置 ６：エクジットステージ ６ａ：エクジットステージのＤＵＴ受け取り位置 ２１：デバイスチャック ２１ｂ：カムフォロア ２２：引っ張りコイルばね ２４：カム ２４ａ、２４ｂ：カム作用部分 ２５：カムホルダ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回転軸を持ち、この回転軸より３本のア
   ームがほぼ１２０°の角度間隔で放射方向に突設されて
   いるロータリアームと、 このロータリアームの各アームの垂直方向の壁面に昇降
   自在に取付けられたデバイスチャックと、 周面が概ね逆三角形状を有し、かつこの逆三角形状の頂
   点を挟む二辺がカム作用部分となる、平面半リング状の
   カムと、 このカムのカム作用部分に従動する上記各デバイスチャ
   ックに回動自在に取り付けられたカムフォロアとを具備
   し、 上記カムの逆三角形状の頂点が上記測定部の上部の所定
   位置に配されるように、上記カムを上記回転軸と同心に
   ハンドラの筐体に取付けて、被試験デバイスを上記デバ
   イスチャックに受け渡すソークステージから被試験デバ
   イスを試験するための測定部へ被試験デバイスを搬送す
   る際には上記デバイスチャックを徐々に降下させ、被試
   験デバイスを上記測定部から上記エクジットステージへ
   搬送する際には上記デバイスチャックを徐々に上昇させ
   るように構成し、上記測定部を上記ソークステージ及び
   試験済みデバイスを搬出するエクジットステージよりも
   低い位置に配置できるようにしたことを特徴とするハン
   ドラ。
2. 【請求項２】 上記ソークステージ、上記ロータリアー
   ム及び上記測定部は恒温室内に収容されており、上記測
   定部はこの恒温室の底面に取り付けられていることを特
   徴とする請求項１に記載のハンドラ。
3. 【請求項３】 上記ソークステージ及び上記エクジット
   ステージは同じ高さの位置に位置付けされており、上記
   測定部はこれらソークステージ及びエクジットステージ
   よりも、上記デバイスチャックの正常な所定の位置と上
   記デバイスチャックが下向きに傾斜するカム作用部分に
   よって最大距離降下したときに取る最下部位置との間の
   距離に等価な距離だけ下側に位置付けされていることを
   特徴とする請求項１に記載のハンドラ。
4. 【請求項４】 上記測定部は半導体デバイス試験装置の
   パフォーマンスボード上にアダプタソケットによって取
   り付けられたＩＣソケットを含み、このＩＣソケットは
   上記恒温室の底部の絶縁壁を貫通して形成された開口の
   下側に配置されていることを特徴とする請求項２又は３
   に記載のハンドラ。
5. 【請求項５】 上記ＩＣソケットは上記パフォーマンス
   ボード上に直接取り付けられたソケットガイド内に配置
   されており、このソケットガイドが上記恒温室の底面に
   固定されることによって、上記ＩＣソケットが上記恒温
   室の内部に対して上記開口を通じて露出されるように上
   記ＩＣソケットが適所に固定されることを特徴とする請
   求項４に記載のハンドラ。