JPH09235184A - 種結晶保持治具 - Google Patents

種結晶保持治具

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 本発明は、単結晶引上法において単結晶の成
長方位を狙い通りの方位にすることを目的とする。 【解決手段】 単結晶引上法において、単結晶の成長方
位を狙い通りにするため、種結晶５の結晶方位を正確に
切出し、この種結晶５を種結晶保持治具４によって正確
な姿勢で保持する。このため、種結晶保持治具４の治具
本体６に断面角形の種結晶挿入孔６ａを形成するととも
に、種結晶５の１ヵ所の陵線部分にテーパ面５ｔを形成
し、種結晶挿入孔６ａに挿入した種結晶５のテーパ面５
ｔをコマ７のテーパ面７ｔで押圧して、種結晶５の２面
を種結晶挿入孔６ａの内側面の２面に圧接保持する。ま
た、コマ７の他端側をコマ抜け防止リング８で覆い、抜
け出し防止を図る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば引上法によ
る単結晶の製造において使用される種結晶保持治具の改
良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば単結晶を製造する場合、多
結晶原料を溶融した溶融原料に種結晶を浸した後これを
引上げて単結晶を成長させるいわゆるチョクラルスキー
法と呼ばれる引上法が知られている。この方法では、種
結晶を種結晶保持治具で保持して溶融原料に浸漬した
後、種結晶保持治具を例えば上方引上手段によって真上
に引上げながら種結晶の下方に単結晶を成長させるよう
にしている。
【０００３】一方、種結晶を保持する種結晶保持治具と
して、例えば図７及び図８に示すような種結晶保持治具
５０が知られている。この保持治具５０は、治具本体５
１の種結晶挿入孔５１ａに挿入した種結晶５２をコマ５
３で押圧保持し、このコマ５３の端部にコマ抜け防止リ
ング５４を嵌合させてコマ５３の抜け出し防止を図った
ものであり、前記治具本体５１の外面に、下方の径が広
がるようなテーパを設けるとともに、コマ抜け防止リン
グ５４の内径をコマ５３の位置の治具本体５１の外径に
合せ、このコマ５３の位置より上方でコマ抜け防止リン
グ５４を上下に自由に移動させることが出来るようにし
ている。また、コマ５３と種結晶５２の当接面には、種
結晶５２が下方に抜け出るのを防止するため、それぞれ
テーパ面５３ｔ、５２ｔを形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、引上法によ
る単結晶の製造法にあって、成長する結晶は結晶学的に
みて原子配列の良い特定の結晶方位に成長させるため、
種結晶を狙いとする方位に正確に切出し、これを種結晶
保持治具によって正確な姿勢で保持する必要がある反
面、前記技術の場合は、図９に示すように、圧接方向の
軸まわりに種結晶５２が極微小ながら傾きやすく、種結
晶５２を鉛直に固定出来ないという問題があった。この
結果、例えば図１０に示すように、狙いの方位Ａに対し
て、実際に結晶の成長する方位Ｂがずれるという不具合
があった。
【０００５】そこで、種結晶の方位を正確に狙い通りに
保持出来る種結晶保持治具が望まれていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、請求項１において、引上法により単結晶を製
造する際に用いる種結晶保持治具であって、種結晶を挿
入せしめる種結晶挿入孔と、挿入された種結晶を種結晶
挿入孔の内側面に向けて圧接する圧接手段を備えた種結
晶保持治具において、種結晶挿入孔の断面形状を角形と
し、種結晶を圧接手段によって種結晶挿入孔の内側面の
少なくとも２面に向けて圧接保持するようにした。
【０００７】そして種結晶を、種結晶挿入孔の内側面の
少なくとも２面に向けて圧接保持すれば、種結晶が傾い
て保持されることがなく、種結晶の結晶方位からずれて
結晶が成長するような不具合がない。この際、種結晶挿
入孔の内側面の少なくとも２面に向けて圧接する圧接手
段は任意であるが、例えば複数の圧接部材で複数方向か
ら圧接しても良い。
【０００８】また請求項２では、前記圧接手段を、単一
の圧接部材によって種結晶を少なくとも２方向に向けて
同時に圧接し得るようにした。そしてこの場合は、例え
ば２方向に圧接力が作用する共通の斜め方向から圧接す
る。すなわち、例えば種結晶の断面形状が角形であれ
ば、陵線部分から中央部に向けて圧接する。
【０００９】また請求項３では、前記圧接部材の圧接面
と種結晶の被圧接面に、上下方向に所定の向きで傾斜す
るテーパ面を形成した。そしてこの傾斜方向を例えば種
結晶が下方に抜け出しにくい方向とし、単結晶の保持力
を強める。
【００１０】また請求項４では、種結晶保持治具の素材
を、金属、高純度セラミックス、黒鉛のいずれか、又は
これらの組合わせとした。この際、溶融原料は高温であ
るため、特に耐熱性のある素材にすることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について添付
した図面に基づき説明する。ここで図１は単結晶引上装
置の概要図、図２は種結晶保持治具の斜視図、図３は種
結晶保持治具の縦断面図、図４は種結晶保持治具の底面
図である。本発明の種結晶保持治具は、図１に示すよう
な単結晶引上装置に使用されており、この単結晶引上装
置は、チャンバー１内に収容されるルツボ２に溶融原料
３を貯溜し、この溶融原料３に本発明の種結晶保持治具
４で保持される種結晶５を接触させた後、種結晶５を上
方に引上げることで単結晶９を成長させるようにしてい
る。
【００１２】そして、種結晶保持治具４は、図２乃至図
４に示すように、下方に種結晶挿入孔６ａを有する治具
本体６と、この治具本体６の種結晶挿入孔６ａ内に種結
晶５を係止するコマ７と、このコマ７の抜け出しを防止
するコマ抜け防止リング８を備えており、特に種結晶５
が所望の方位で種結晶挿入孔６ａ内に係止されるように
している。
【００１３】前記治具本体６は、下方が大径で上方に向
けて径が細くなるよう外面に上下方向のテーパを形成し
ており、また、治具本体６の下面側には、断面が角形の
種結晶挿入孔６ａを設けている。そして、下端部から所
定の高さ位置には、外面から種結晶挿入孔６ａ内に向け
て貫通孔６ｂが設けられており、この貫通孔６ｂは、断
面角形の種結晶挿入孔６ａのうち、１ヵ所の角隅部分に
向けて貫通させている。
【００１４】前記コマ７は、前記貫通孔６ｂに挿通可能
とされた圧接部材であり、先端が種結晶５を押圧する圧
接面にされるとともに、先端の圧接面は上方から下方に
かけて内側に向いて傾斜するテーパ面７ｔとされてい
る。
【００１５】前記コマ抜け防止リング８は、前記治具本
体６の外周部に上方から嵌め込むことが出来るようにさ
れ、その内径は、前記貫通孔６ｂの位置の治具本体６の
外径に一致している。従って、このコマ抜け防止リング
８は、貫通孔６ｂの位置より上方では上下に自由に移動
することが出来、貫通孔６ｂの位置では治具本体６の外
周に密着状に嵌合して貫通孔６ｂを塞ぐとともに、貫通
孔６ｂより下方には移動出来ないようにしている。
【００１６】ところで、以上のような治具本体６及びコ
マ７及びコマ抜け防止リング８は、耐熱性のある金属、
或いは高純度セラミックス、或いは黒鉛のいずれか、又
はこれらの組合わせとしている。そしてこのような素材
にすることで、種結晶５を強固な保持力で保持出来ると
ともに、熱あるいは応力に対する耐久性も優れたものと
なる。
【００１７】次に種結晶５について説明する。種結晶５
は、図３及び図４に示すように、断面角形にされるとと
もに、１ヵ所の陵線の一部が被圧接面とされ、この被圧
接面は上下方向に傾斜するテーパ面５ｔとされている。
そしてこの被圧接面から中央部に向けて圧接されると、
図４に示すように、種結晶５の２面が前記種結晶挿入孔
６ａの２面の内側面に向けて圧接されるようにしてい
る。
【００１８】また、前記テーパ面５ｔの傾斜方向は、前
記コマ７のテーパ面７ｔの傾斜方向に合せて上方から下
方にかけて内側に向く方向である。このため、コマ７の
テーパ面７ｔで種結晶５のテーパ面５ｔを圧接すると、
両者は密着し合い、種結晶５が下方に抜け出すのを防止
することが出来る。
【００１９】以上のような種結晶保持治具４において、
種結晶５を装着する時は、コマ抜け防止リング８を上方
に移動させた状態で種結晶５を種結晶挿入孔６ａに挿入
し、貫通孔６ｂからコマ７を挿入する。そしてコマ７の
先端のテーパ面７ｔを種結晶５のテーパ面５ｔに密着状
に当接させて圧接し、コマ抜け防止リング８を下方に移
動させてコマ７の外側端部を覆い、コマ７が抜け出すの
を防止する。このためこのコマ７は、種結晶５の陵線部
分を中央部に向けて押圧して種結晶５の２面を同時に種
結晶挿入孔６ａの２面の内側面に向けて圧接することに
なり、種結晶５はいずれの方向に傾くのも防止される。
【００２０】ところで、種結晶５の２面を種結晶挿入孔
６ａの２面の内側面に向けて圧接するためには、例えば
図５に示すように、種結晶５の２面を２個のコマ７、７
で直交方向に同時に圧接するようにしても良い。この場
合は、前記構成例に較べて若干構成が複雑になるという
難点はあるものの、種結晶５の傾きを防止する点では効
果的である。
【００２１】尚、図６は本案の種結晶保持治具４を使用
した場合の結晶成長方向分布を従来の種結晶保持治具５
０（図７、図８）の結晶成長方向分布と比較して示すも
のであり、（Ａ）が本案、（Ｂ）が従来例である。この
結果、従来例であれば、（Ｂ）に示すように例えばＹ軸
方向にだけ圧接するため、Ｘ軸方向の結晶成長方向分布
のばらつきが大きくなるが、本案では、（Ａ）に示すよ
うにＸ軸方向、Ｙ軸方向の両方に圧接するため、両軸方
向の結晶成長分布のばらつきがきわめて少なくなること
が判る。
【００２２】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明は、請求項１のよう
に、単結晶引上用の種結晶保持治具に形成される種結晶
挿入孔の断面形状を角形とし、この種結晶挿入孔に挿入
される種結晶を、圧接手段によって種結晶挿入孔の内側
面の少なくとも２面に向けて圧接保持するようにしたた
ため、種結晶を狙い通りの方位に正確に位置決め固定す
ることが出来、単結晶が狙った方位からずれて成長する
ような不具合を防止出来る。
【００２４】そして請求項２のように、単一の圧接部材
によって種結晶を少なくとも２方向に向けて同時に圧接
し得るようにすれば、シンプルな構成となり、しかも種
結晶の位置決め固定する作業が簡単である。また請求項
３のように、圧接部材の圧接面と種結晶の被圧接面に、
上下方向に所定の向きで傾斜するテーパ面を形成すれ
ば、種結晶の保持力が強まり、単結晶の重量が重くなっ
ても保持出来る。また請求項４のように、種結晶保持治
具の素材を特定素材とすれば、種結晶の保持力を強める
ことが出来、耐久性の向上も図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】単結晶引上装置の概要図である。
【図２】種結晶保持治具の斜視図である。
【図３】種結晶保持治具の縦断面図である。
【図４】種結晶保持治具の底面図である。
【図５】他の実施形態の種結晶保持治具の底面図であ
る。
【図６】本案の種結晶保持治具を使用した場合と従来の
種結晶保持治具を使用した場合の結晶成長方向分布を比
較した対比図であり、（Ａ）が本案、（Ｂ）が従来例で
ある。
【図７】従来の種結晶保持治具の縦断面図である。
【図８】従来の種結晶保持治具の底面図である。
【図９】従来の種結晶保持治具の縦断面図であり、図７
と直交方向における縦断面図である。
【図１０】従来の種結晶保持治具において単結晶の成長
方向が狙いの方位からずれる不具合を説明する説明図で
ある。
【符号の説明】
１…チャンバー、 ２…ルツボ、
３…溶融原料、 ４…種結晶保
持治具、５…種結晶、 ５ｔ
…テーパ面、６…治具本体、
６ａ…種結晶挿入孔、６ｂ…貫通孔、
７…コマ、７ｔ…テーパ面、
８…コマ抜け防止リング、９…成長単結晶、５０
…保持治具、 ５１…治具本体、
５１ａ…種結晶挿入孔、 ５２…種結
晶、５２ｔ…テーパ面、 ５３…コ
マ、５３ｔ…テーパ面、 ５４…コ
マ抜け防止リング。

Claims (4)

    整理番号 Ｂ９５ １９８ＪＰ１ 【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 引上法により単結晶を製造する際に用い
    る種結晶保持治具であって、種結晶を挿入せしめる種結
    晶挿入孔と、挿入された種結晶を種結晶挿入孔の内側面
    に向けて圧接する圧接手段を備えた種結晶保持治具にお
    いて、前記種結晶挿入孔の断面形状を角形とし、前記種
    結晶を前記圧接手段によって種結晶挿入孔の内側面の少
    なくとも２面に向けて圧接保持するようにしたことを特
    徴とする種結晶保持治具。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の種結晶保持治具におい
    て、前記圧接手段は、単一の圧接部材によって前記種結
    晶を少なくとも２方向に向けて同時に圧接し得るように
    したことを特徴とする種結晶保持治具。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の種結晶保持治具におい
    て、前記圧接部材の圧接面と種結晶の被圧接面には、上
    下方向に所定の向きで傾斜するテーパ面が形成されたこ
    とを特徴とする種結晶保持治具。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれか１項に
    記載の種結晶保持治具において、この種結晶保持治具の
    素材は、金属、高純度セラミックス、黒鉛のいずれか、
    又はこれらの組合わせであることを特徴とする種結晶保
    持治具。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69802864T2 (de) * 1997-05-21 2002-08-29 Shinetsu Handotai Kk Silizium-Impfkristall, Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Einkristalls unter Verwendung des Silizium-Impfkristalls
US6183556B1 (en) 1998-10-06 2001-02-06 Seh-America, Inc. Insulating and warming shield for a seed crystal and seed chuck
US6238483B1 (en) * 1999-08-31 2001-05-29 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus for supporting a semiconductor ingot during growth
US8524000B2 (en) * 2008-12-30 2013-09-03 MEMC Singapore Ptd. Ltd. Pulling assemblies for pulling a multicrystalline silicon ingot from a silicon melt
CN108203842A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 深圳市晶格材料科技有限公司 一种晶体生长用易装配低成本籽晶夹头
CN106835264A (zh) * 2017-02-21 2017-06-13 洛阳金诺机械工程有限公司 一种籽晶夹持器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3046029A (en) * 1959-08-07 1962-07-24 Hoffman Electronics Corp Seed crystal holding chucks
US3159408A (en) * 1961-10-05 1964-12-01 Grace W R & Co Chuck
DE1519907C3 (de) * 1966-12-07 1974-01-31 Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen kristalliner Stäbe
GB1381417A (en) * 1973-09-27 1975-01-22 Mullard Ltd Method of securing articles
US4186173A (en) * 1975-04-11 1980-01-29 Leybold-Heraeus Gmbh & Co. Kg Apparatus for producing monocrystals
JPS5637294A (en) * 1979-09-05 1981-04-10 Ricoh Co Ltd Crystal seed supporting device
US4594127A (en) * 1984-09-17 1986-06-10 General Signal Corporation Method and apparatus for growing crystals

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Publication number Publication date
DE69700501T2 (de) 2000-02-10
DE69700501D1 (de) 1999-10-21
EP0792953A1 (en) 1997-09-03
EP0792953B1 (en) 1999-09-15
US5851287A (en) 1998-12-22
JP3716874B2 (ja) 2005-11-16

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