KR101414203B1 - 사파이어 단결정 성장장치 및 이를 이용한 사파이어 단결정 성장방법 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 사파이어 단결정 성장장치는 사파이어 융액을 수용하는 도가니를 포함하는 챔버; 상기 사파이어 융액으로부터 성장된 사파이어 단결정을 지지 및 이동시키는 서브 유닛; 및 상기 챔버의 상부 입구를 차폐하는 상부 커버;를 포함하고, 상기 서브 유닛은 사파이어 단결정을 지지하며 상기 상부 커버를 관통하는 로드(Rod), 상기 로드의 X축 및 Y축 방향의 이동을 조절하는 위치 조절부, 및 상기 로드를 Z축 방향으로 이동시키는 승강부를 포함하고, 상기 상부 커버는 상기 로드를 통과시키는 개방부를 가진다.
실시예에 따른 사파이어 단결정 성장방법은 사파이어 융액에 종자 결정을 접촉시킨 후 종자 결정을 상승시켜 소정의 지름을 갖는 네크(Neck)로 성장시키는 단계; 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심의 일치 여부를 확인하는 단계; 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심이 일치하지 않을 경우 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심을 일치시키는 단계; 네크를 상기 소정의 지름보다 큰 지름까지 성장시켜 숄더를 형성하는 단계; 및 숄더를 상승시켜 바디를 형성하는 단계;를 포함한다.
실시예에 따른 사파이어 단결정 성장방법은 사파이어 융액에 종자 결정을 접촉시킨 후 종자 결정을 상승시켜 소정의 지름을 갖는 네크(Neck)로 성장시키는 단계; 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심의 일치 여부를 확인하는 단계; 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심이 일치하지 않을 경우 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심을 일치시키는 단계; 네크를 상기 소정의 지름보다 큰 지름까지 성장시켜 숄더를 형성하는 단계; 및 숄더를 상승시켜 바디를 형성하는 단계;를 포함한다.
Description
본 발명은 사파이어 단결정 성장장치 및 이를 이용한 사파이어 단결정 성장방법에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 사파이어 단결정의 편성장을 방지할 수 있는 사파이어 단결정 성장장치 및 이를 이용한 사파이어 단결정 성장방법에 관한 것이다.
사파이어는 경도가 매우 높고 화학적으로 안정성이 우수한 소재로서, 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)용 웨이퍼 등으로 널리 사용된다.
사파이어 웨이퍼를 제작하기 위한 사파이어 불(Sapphire Boule)은 초크랄스키법(Czochralski Method), 키로폴러스법(Kyropoulos Method), EFG법(Edge-defined Film-fed Growth Method), 수직수평온도구배법(VHGF) 등의 다양한 방법으로 성장될 수 있다. 이렇게 성장된 사파이어 불은 코어링(Coring) 공정을 통해 사파이어 단결정 잉곳으로 제조되고, 사파이어 단결정 잉곳은 슬라이싱(Slicing), 래핑(Lapping), 에칭(Etching), 폴리싱(Polishing) 등의 공정을 거쳐 사파이어 웨이퍼로 제작된다.
키로폴러스법은 상대적으로 저렴한 장비 가격과 낮은 생산 비용의 장점을 가진 방법으로 초크랄스키법과 유사하지만, 사파이어 단결정을 회전하지 않고 인상만 하며, 초크랄스키법으로 성장된 사파이어 불에 비해 결함이 적다.
도 1은 종래의 사파이어 단결정 성장 방법의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
일반적인 사파이어 단결정 성장 방법은 홀더 샤프트(3)에 체결된 종자 결정(4)을 사파이어 융액(1)이 담긴 도가니(2)에 침지하는 디핑(Dipping) 공정 및 종자 결정(4)을 상승시켜 소정의 지름을 갖는 네크(Neck)로 성장시키는 네킹(Necking) 공정으로부터 시작된다.
이 때, 종자 결정(4)은 일부 면이 홀더 샤프트(3)와 접촉하여 체결되므로 홀더 샤프트(3)와 접촉한 면으로는 복사와 전도에 의해 열전달이 이루어지지만, 홀더 샤프트(3)와 접촉하지 않는 면으로는 복사에 의해서만 열전달이 이루어지게 된다. 따라서, 열전달이 활발히 일어나는 접촉 면의 방향으로 편성장이 이루어진다.
또한, 핫 존은 열적 중심을 맞추는 것이 어려워 사파이어 융액(1)의 대류점이 융액의 중앙을 벗어나 불균일하게 나타나며, 상대적으로 차가운 영역인 대류점 방향으로 편성장이 유발된다.
이러한 편성장으로 인해, 사파이어 단결정이 챔버의 측부에 달라붙거나(Side Sticking), 실리콘 단결정과 종자 결정의 중심축 차이로 인해 종자 결정에 전단 응력이 가해지게 되고 결과적으로 종자 결정이 부서지는 문제점(Seed Broken)이 발생할 수 있다.
본 발명은 사파이어 단결정의 편성장을 방지하여 고품질의 사파이어 불을 제조할 수 있는 사파이어 단결정 성장장치 및 이를 이용한 사파이어 단결정 성장방법을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 사파이어 단결정 성장장치는 사파이어 융액을 수용하는 도가니를 포함하는 챔버; 상기 사파이어 융액으로부터 성장된 사파이어 단결정을 지지 및 이동시키는 서브 유닛; 및 상기 챔버의 상부 입구를 차폐하는 상부 커버;를 포함하고, 상기 서브 유닛은 사파이어 단결정을 지지하며 상기 상부 커버를 관통하는 로드(Rod), 상기 로드의 X축 및 Y축 방향의 이동을 조절하는 위치 조절부, 및 상기 로드를 Z축 방향으로 이동시키는 승강부를 포함하고, 상기 상부 커버는 상기 로드를 통과시키는 개방부를 가진다.
상기 도가니를 마주하는 상기 상부 커버의 내측 면에 위치하는 커버 플레이트를 더 포함할 수 있다.
상기 상부 커버는 상기 내측 면에 돌출되어 형성된 복수 개의 체결 돌기를 포함하고, 상기 커버 플레이트는 상기 복수 개의 체결 돌기가 각각 관통하는 복수 개의 체결홀을 포함할 수 있다.
상기 복수 개의 체결 돌기는 상기 복수 개의 체결홀을 각각 관통하여 배치되고, 상기 체결 돌기와 상기 체결홀 사이에 이격 거리가 존재할 수 있다.
상기 위치 조절부는 상기 로드를 X축 방향으로 이동시키는 위치조절 바 및 상기 위치조절 바의 위치를 조절하는 X축 위치조절 노브를 포함할 수 있다.
상기 위치 조절부는 상기 로드를 Y축 방향으로 이동시키는 위치조절 바 및 상기 위치조절 바의 위치를 조절하는 Y축 위치조절 노브를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 사파이어 단결정 성장방법은 사파이어 융액에 종자 결정을 접촉시킨 후 종자 결정을 상승시켜 소정의 지름을 갖는 네크(Neck)로 성장시키는 단계; 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심의 일치 여부를 확인하는 단계; 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심이 일치하지 않을 경우 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심을 일치시키는 단계; 네크를 상기 소정의 지름보다 큰 지름까지 성장시켜 숄더를 형성하는 단계; 및 숄더를 상승시켜 바디를 형성하는 단계;를 포함한다.
상기 네크의 물리적 중심과 도가니의 물리적 중심을 일치시키는 단계는 네크의 물리적 중심과 도가니의 물리적 중심이 일치할 때까지 네크를 지지하는 로드를 X축 및 Y축으로 이동시키는 단계일 수 있다.
본 발명에 따르면, 사파이어 단결정의 편성장을 방지하여 고품질의 사파이어 단결정 불을 제조할 수 있다.
도 1은 종래의 사파이어 단결정 성장 방법의 문제점을 설명하기 위한 도면.
도 2는 일실시예에 따른 사파이어 단결정 성장장치를 나타낸 도면.
도 3은 위치 조절부(220)의 평면도.
도 4는 위치 조절부(220)의 정면도.
도 5는 위치 조절부(220)의 좌측면도.
도 6은 챔버의 상부 커버를 아래에서 바라본 모습을 나타낸 도면.
도 7은 도 6에서 AA 방향으로 절단하여 바라본 측단면도.
도 8은 일실시예에 따른 사파이어 단결정 성장방법의 흐름도.
도 2는 일실시예에 따른 사파이어 단결정 성장장치를 나타낸 도면.
도 3은 위치 조절부(220)의 평면도.
도 4는 위치 조절부(220)의 정면도.
도 5는 위치 조절부(220)의 좌측면도.
도 6은 챔버의 상부 커버를 아래에서 바라본 모습을 나타낸 도면.
도 7은 도 6에서 AA 방향으로 절단하여 바라본 측단면도.
도 8은 일실시예에 따른 사파이어 단결정 성장방법의 흐름도.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 2는 일실시예에 따른 사파이어 단결정 성장장치를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 일실시예에 따른 사파이어 단결정 성장장치(100)는 사파이어 단결정의 성장이 이루어지는 공간인 챔버(110)를 구비한다. 사파이어 단결정의 성장 과정 동안 챔버(110) 내부는 고 진공 상태로 유지된다.
챔버(110) 내에는 사파이어 융액(122)을 수용하는 도가니(120)가 배치된다. 도가니(120)는 도가니 지지대(124)에 의해 지지된다. 도가니(120)의 측벽 주변에는 도가니(120)를 가열하는 히터(130)가 구비된다.
히터(130)의 외곽에는 히터(130)로부터 발생하는 열이 외부로 유출되는 것을 방지하는 단열 부재가 배치되며, 상기 단열 부재는 측벽 실드(141), 상부 실드(142) 및 하부 실드(143)를 포함할 수 있다. 측벽 실드(141)는 챔버(110)의 측벽 주위를 둘러싸도록 배치되며, 상부 실드(142)는 도가니(120)의 상부에, 하부 실드(143)는 도가니(120)의 하부에 배치된다.
챔버(110)의 상부에는 챔버(110)의 상부 입구를 차폐하는 상부 커버(150)가 배치된다.
챔버(110)의 외부에는 사파이어 융액(122)으로부터 성장된 사파이어 단결정을 지지 및 이동시키는 서브 유닛(200)이 설치된다. 서브 유닛(200)은 사파이어 단결정을 지지하며 상부 커버(150)를 관통하는 로드(210), 상기 로드(210)의 X축 및 Y축 방향의 이동을 조절하는 위치 조절부(220), 및 상기 로드(210)를 Z축 방향으로 이동시키는 승강부(230)를 포함한다. 사파이어 단결정의 성장 과정에서, 상기 로드(210)의 일부가 챔버(110)의 내부에 위치할 수 있다.
상부 커버(150)는 로드(210)를 통과시키는 개방부(151)를 갖는다.
도 8은 일실시예에 따른 사파이어 단결정 성장방법의 흐름도이다.
도 8을 참조하면, 일실시예에 따른 사파이어 단결정 성장방법은 사파이어 융액(122)에 종자 결정(S)을 접촉시킨 후 종자 결정(S)을 상승시켜 소정의 지름을 갖는 네크(Neck)로 성장시키는 단계(씨딩 공정, Seeding)(S310), 네크의 물리적 중심과 핫 존(Hot Zone)의 물리적 중심의 일치 여부를 확인하는 단계(S320), 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심이 일치하지 않을 경우 이를 일치시키는 단계(S330), 네크의 지름을 성장시켜 솔더를 형성하는 단계(숄더링 공정, Shouldering)(S340), 및 숄더를 상승시켜 바디를 형성하는 단계(바디 그로잉 공정, Body Growing)(S350)를 포함한다. 씨딩 공정(S310)은 사파이어 융액(122)에 종자 결정(S)을 침지하는 디핑 공정(Dipping) 및 네크를 성장시키는 네킹 공정(Necking)을 포함한다.
성장이 완료된 사파이어 단결정을 사파이어 불(Boule)이라 한다. 사파이어 불은 a-축 방향으로 성장된 사파이어 단결정이므로, 코어링 공정(Coring)을 거쳐 c-축 방향의 사파이어 잉곳을 뽑아낸다.
종자 결정(S) 및 종자 결정(S)으로부터 성장된 사파이어 단결정은 서브 유닛(200)의 로드(210)에 의해 지지되며, 로드(210)의 움직임을 따라 같이 움직인다. 종자 결정(S)과 로드(210) 사이에는 홀더 샤프트(212)가 구비될 수 있다. 종자 결정(S)이 홀더 샤프트(212)의 단부에 체결된 상태로 로드(210)에 의해 지지된다.
먼저, 홀더 샤프트(212)에 종자 결정(S)을 체결하고 이를 사파이어 융액(122)과 접촉시킨다(디핑 공정). 이때, 종자 결정(S)의 일부 면만이 홀더 샤프트(212)와 접촉하여 체결되기 때문에 상술한 바와 같이 홀더 샤프트(212)와 접촉한 면의 방향으로 편성장이 일어날 수 있다. 예를 들어, 종자 결정(S)의 네 개의 측면 중 홀더 샤프트(212)와 접촉한 두 개 측면의 방향으로 편성장이 일어날 수 있다.
그 후, 종자 결정(S)을 상승시켜 소정의 지름을 갖는 네크를 성장시킨다(네킹 공정). 종자 결정(S)의 상승은 로드(210)를 Z축 방향으로 이동시키는 승강부(230)의 작동에 의해 이루어질 수 있다. 네킹 공정에 의해 가늘고 좁은 네크가 형성된다.
디핑 공정 및 네크 공정을 포함한 씨딩 공정(S310)에서, 사파이어 융액(122)의 대류점(열적 중심)이 불균일하게 나타나기 때문에 상술한 바와 같이 대류점의 방향으로 편성장이 일어날 수 있다.
씨딩 공정이 완료되면, 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심의 일치 여부를 확인한다(S320). 씨딩 공정에서 편성장이 유발되기 때문에 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심은 일치하지 않는 경우가 많다.
핫 존이란 챔버(110)에서 사파이어 융액이 사파이어 단결정으로 성장될 때 사파이어 융액과 사파이어 단결정 접촉 주위의 공간을 구성하는 총체적인 환경을 의미한다. 따라서, 핫 존의 물리적 중심이란 챔버(110)를 구성하는 도가니(120), 단열 부재(141, 142, 143) 등의 물리적 중심에 해당한다.
네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심이 일치하는지 여부는 씨딩 공정 중 육안으로 확인할 수 있다.
확인 결과, 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심이 일치하지 않을 경우, 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심을 일치시킨다(S330).
물리적 중심의 일치는 로드(210)의 X축 및 Y축 방향의 이동을 조절하는 위치 조절부(220)에 의해 이루어질 수 있다.
도 3은 위치 조절부(220)의 평면도이고, 도 4는 위치 조절부(220)의 정면도이고, 도 5는 위치 조절부(220)의 좌측면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 위치 조절부(220)는 로드(210)를 X축을 따라 이동시킴으로써, X축 방향에서 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심을 일치시킬 수 있다.
위치 조절부(220)는 로드(210)를 X축 방향으로 이동시키는 위치조절 바(Bar)(222) 및 상기 위치조절 바(222)의 위치를 조절하는 X축 위치조절 노브(knob)(220X)를 포함한다.
X축 위치조절 노브(220X)를 돌리면, 위치조절 바(222)에 구비된 나사홈(222X)을 따라 위치조절 바(222)가 이동하여 그 위치가 X축 방향으로 변경되면서 로드(210)를 X축 방향으로 이동시킬 수 있다.
마찬가지로, 도 3 및 도 5를 참조하면, 위치 조절부(220)는 로드(210)를 Y축을 따라 이동시킴으로써, Y축 방향에서 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심을 일치시킬 수 있다.
위치 조절부(220)는 로드(210)를 Y축 방향으로 이동시키는 위치조절 바(222) 및 상기 위치조절 바(222)의 위치를 조절하는 Y축 위치조절 노브(220Y)를 포함한다.
Y축 위치조절 노브(220Y)를 돌리면, 위치조절 바(222)에 구비된 나사홈(222Y)을 따라 위치조절 바(222)가 이동하여 그 위치가 Y축 방향으로 변경되면서 로드(210)를 Y축 방향으로 이동시킬 수 있다.
로드(210)를 X축 방향으로 이동시킬 때 Y축 방향으로 배치된 위치조절 바(222) 또한 로드(210)와 함께 X축 방향으로 이동할 수 있고, 로드(210)를 Y축 방향으로 이동시킬 때 X축 방향으로 배치된 위치조절 바(222) 또한 로드(210)와 함께 Y축 방향으로 이동할 수 있다.
X축 방향으로 배치된 위치조절 바(222)는 챔버(110) 외부의 승강부(230)와 연결되므로 Y축 방향으로 배치된 위치조절 바(222)보다 길이가 길게 형성될 수 있다.
도 6은 챔버의 상부 커버를 아래에서 바라본 모습을 나타낸 도면이고, 도 7은 도 6에서 AA 방향으로 절단하여 바라본 측단면도이다.
도가니(120)를 마주하는 상부 커버(150)는 내측 면에 커버 플레이트(152)가 위치한다. 커버 플레이트(152)는 상기 개방부(151)에 대응하여 형성된 관통홀(153)을 갖는다.
상부 커버(150)는 상기 내측 면에 복수 개의 체결 돌기(150a)를 구비한다. 복수 개의 체결 돌기(150a)는 이격되어 있으며, 서로 대칭을 이루며 배치될 수 있다.
커버 플레이트(152)는 상기 복수 개의 체결 돌기(150a)가 각각 관통하는 복수 개의 체결홀(152a)을 포함한다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 일 예로서, 커버 플레이트(152)가 사각형으로 형성되고, 커버 플레이트(152)의 네 모서리(Corner) 부분에 대응하여 복수 개의 체결 돌기(150a)와 체결홀(152a)이 위치한다.
커버 플레이트(152)는 복수 개의 체결홀(152a)에 복수 개의 체결 돌기(150a)가 각각 삽입되어 상부 커버(150)의 내측 면에 체결된다. 커버 플레이트(152)는 상기 복수 개의 체결 돌기(150a)에 체결되는 조임 부재(150b)에 의해 그 위치가 고정될 수 있다. 즉, 체결 돌기(150a)가 볼트, 조임 부재(150b)가 너트의 역할을 하여 커버 플레이트(152)가 상부 커버(150)에 체결될 수 있다.
조임 부재(150b)는 커버 플레이트(152)와 상부 커버(150)의 내측면 사이에 소정의 이격 거리(d1)가 존재하도록 체결 돌기(150a)에 체결된다.
또한, 체결 돌기(150a)의 직경(R1)은 체결홀(152a)의 직경(R2)보다 작다. 따라서, 체결 돌기(150a)와 체결홀(152a) 사이에는 소정의 이격 거리가 존재하여 체결 돌기(150a)가 체결홀(152a) 내에서 움직일 수 있는 여유 공간이 마련될 수 있다.
커버 플레이트(152)와 상부 커버(150)의 내측면 사이에 소정의 이격 거리(d1)가 존재하고, 체결 돌기(150a)와 체결홀(152a) 사이에 소정의 이격 거리가 존재하기 때문에, 커버 플레이트(152)는 상부 커버(150)에 체결된 상태에서도 상술한 이격 거리의 한도 내에서 움직임을 가질 수 있다.
로드(210)가 상부 커버(150)의 개방부(151) 및 커버 플레이트(152)의 관통홀(153)을 통과하여 배치되며, 로드(210)와 커버 플레이트(152)가 함께, 상술한 이격 거리의 한도 내에서 X축 또는 Y축으로 움직일 수 있다.
다시 설명하면, 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심이 일치하지 않을 경우, 서브 유닛(200)의 위치 조절부(220)를 이용하여 로드(210)를 X축 및 Y축으로 이동시켜 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심을 일치시킬 수 있다. 이 때, 로드(210)의 X축 및 Y축 이동은 로드(210)를 삽입하는 커버 플레이트(152) 자체가 상술한 이격 거리의 한도 내에서 움직임으로써 달성될 수 있다.
네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심이 일치되었으면, 네크의 지름을 성장시켜 숄더를 형성한다(S340). 그 후에는, 바디를 형성한다(S350). 본격적으로 사파이어 불의 메인 바디를 형성하는 단계이며, 승강부(230)를 이용해 로드(210)를 Z축 방향으로 상승시키면서 바디를 형성한다.
종래에는 씨딩 공정에서 사파이어 단결정의 편성장으로 인하여 종자 결정(S)에 전단 응력이 가해져서 종자 결정(S)이 부서지거나, 성장된 사파이어 단결정이 챔버(110)의 측부에 달라붙는 현상이 종종 발생하였다.
본 발명에 따르면, 씨딩 공정 후 로드(210)의 X축 및 Y축 이동에 의해 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심을 일치시키는 과정을 거침으로써 사파이어 단결정의 편성장을 방지하여 고품질의 사파이어 불을 제조할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
110: 챔버 120: 도가니
130: 히터 150: 상부 커버
152: 커버 플레이트 200: 서브 유닛
210: 로드 220: 위치 조절부
230: 승강부
130: 히터 150: 상부 커버
152: 커버 플레이트 200: 서브 유닛
210: 로드 220: 위치 조절부
230: 승강부
Claims (8)
- 사파이어 융액을 수용하는 도가니를 포함하는 챔버;
상기 사파이어 융액으로부터 성장된 사파이어 단결정을 지지 및 이동시키는 서브 유닛;
상기 챔버의 상부 입구를 차폐하는 상부 커버; 및
상기 도가니를 마주하는 상기 상부 커버의 내측 면에 위치하는 커버 플레이트;를 포함하고,
상기 서브 유닛은 사파이어 단결정을 지지하며 상기 상부 커버를 관통하는 로드(Rod), 상기 로드의 X축 및 Y축 방향의 이동을 조절하는 위치 조절부, 및 상기 로드를 Z축 방향으로 이동시키는 승강부를 포함하고, 상기 상부 커버는 상기 로드를 통과시키는 개방부를 갖는 사파이어 단결정 성장장치. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 상부 커버는 상기 내측 면에 돌출되어 형성된 복수 개의 체결 돌기를 포함하고, 상기 커버 플레이트는 상기 복수 개의 체결 돌기가 각각 관통하는 복수 개의 체결홀을 포함하는 사파이어 단결정 성장장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 복수 개의 체결 돌기는 상기 복수 개의 체결홀을 각각 관통하여 배치되고, 상기 체결 돌기와 상기 체결홀 사이에 이격 거리가 존재하는 사파이어 단결정 성장장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 위치 조절부는 상기 로드를 X축 방향으로 이동시키는 위치조절 바 및 상기 위치조절 바의 위치를 조절하는 X축 위치조절 노브를 포함하는 사파이어 단결정 성장장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 위치 조절부는 상기 로드를 Y축 방향으로 이동시키는 위치조절 바 및 상기 위치조절 바의 위치를 조절하는 Y축 위치조절 노브를 포함하는 사파이어 단결정 성장장치. - 사파이어 융액에 종자 결정을 접촉시킨 후 종자 결정을 상승시켜 소정의 지름을 갖는 네크(Neck)로 성장시키는 단계;
네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심의 일치 여부를 확인하는 단계;
네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심이 일치하지 않을 경우 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심을 일치시키는 단계;
네크를 상기 소정의 지름보다 큰 지름까지 성장시켜 숄더를 형성하는 단계; 및
숄더를 상승시켜 바디를 형성하는 단계;를 포함하는 사파이어 단결정 성장방법에 있어서,
상기 네크의 물리적 중심과 핫 존의 물리적 중심을 일치시키는 단계는 로드 및 커버 플레이트를 이동시키는 것으로서 물리적 중심을 일치시키는 것인 사파이어 단결정 성장방법. - 삭제
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JP2003313088A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-06 | Japan Steel Works Ltd:The | 結晶直径制御装置及び方法 |
KR100450866B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2004-10-01 | 주식회사 실트론 | 잉곳 성장용 챔버의 커버 |
JP2005001934A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Daiichi Kiden:Kk | サファイア単結晶引上成長装置 |
-
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- 2012-11-26 KR KR1020120134225A patent/KR101414203B1/ko active IP Right Grant
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---|---|---|---|---|
JP2001261486A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-26 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 単結晶引き上げ装置 |
KR100450866B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2004-10-01 | 주식회사 실트론 | 잉곳 성장용 챔버의 커버 |
JP2003313088A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-06 | Japan Steel Works Ltd:The | 結晶直径制御装置及び方法 |
JP2005001934A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Daiichi Kiden:Kk | サファイア単結晶引上成長装置 |
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