JPH09232809A - 高周波フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 誘電率が比較的小さい場合でも製作の容易な
高周波フィルタを得ること。 【解決手段】 誘電体基板８の一方の面に形成された外
導体９と、他方の面に形成され互いに略平行に配置され
た複数のストリップ導体１０ａ〜１０ｄと、交差する方
向に形成されたストリップ導体１５と、外導体９にそれ
ぞれ接続する短絡部１１、１６とを備え、ストリップ導
体１０により構成される複数の共振器１１０ａ〜１１０
ｄと、これらをそれぞれ結合して共振器１１０ａ〜１１
０ｄを直列に接続する複数のコンデンサ（隙間）１２
と、ストリップ導体１０ａ，１０ｄを入力端子・出力端
子にそれぞれ接続するコンデンサ１３と、ストリップ導
体１５により構成される共振器２００と、ストリップ導
体１０ａ，１０ｄを共振器２００に結合する複数のコン
デンサ（隙間）３３とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、主としてＶＨＦ
帯、ＵＨＦ帯、マイクロ波帯、およびミリ波帯で用いら
れる高周波フィルタに関するものであり、特にその有極
化および特性改善に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図３３は例えば実開平２−１０１６０３
号公報に示された従来の高周波フィルタを示す概略構成
図である。図において、８ｃは誘電体ブロックである。
９は誘電体ブロック８ｃの側面のうちのひとつの面（同
図では上面）を除いて形成された導体膜より成る外導体
である。外導体９は外周面に密着している。１０ｃは後
述の第１の各貫通孔２３の内周面に密着して形成された
導体膜より成る内導体である。内導体１０ｃは、その一
端（同図では底面側の一端）において誘電体ブロック８
ｃの表面の外導体９に継ぎ目なく接続されている。２３
は誘電体ブロック８ｃの対向する面（同図では上面と底
面）の間を貫通する、互いに略平行に配置された４個の
第１の貫通孔である。第１の貫通孔２３は他の面（同図
では側面）に対して略平行に設けられている。２４は、
第１の貫通孔２３と同様に設けられ、かつ、隣接する第
１の貫通孔２３間に略平行に配置された３個の第２の貫
通孔である。第２の貫通孔２４の直径は第１の貫通孔２
３のそれよりも小さい。内導体１０ｃ、第１の貫通孔２
３、および、第２の貫通孔２４は、外導体９とともに、
一端開放、他端短絡の１／４波長共振器１２０ａ〜１２
０ｂを構成する。

【０００３】２５は、両端の１／４波長共振器１２０ａ
と１２０ｂの開放端（同図の上面側）の誘電体ブロック
８ｃの面上に形成された第１の電極である。第１の電
極、２５は内導体１０ｃと継ぎ目なく接続されている。
２６は、誘電体ブロック８ｃの１側面（同図の上面）と
略同一形状を有する誘電体基板である。誘電体基板２６
は、誘電体ブロック８ｃのこの面上に重ねられている。
２７は、両端の１／４波長共振器１２０ａと１２０ｂの
開放端の第１の貫通孔２３の開口位置と一致するよう
に、誘電体基板２６に設けられた第３の貫通孔である。
２８は、誘電体基板２６の表面に密着した導体膜から成
り、両端の第２の貫通孔２７の周囲にそれぞれ設けられ
た第２の電極である。２９は、第２の電極２８同士を接
続する接続導体である。３０は、誘電体チューブ、Ｐ１
およびＰ２は、誘電体チューブ３０に設けられた端子で
ある。

【０００４】第１の電極２５と第２の電極２８は誘電体
基板２６を介して対向し、コンデンサを構成している。
また、端子Ｐ１およびＰ２は誘電体チューブ３０に一部
分が挿入され、さらに、両端の貫通孔２３に挿入され
て、内導体１０ｃと誘電体チューブ３０と、端子Ｐ１あ
るいはＰ２とで入出力結合のためのコンデンサを構成し
ている。

【０００５】次に動作原理について説明する。まず、第
２の貫通孔２４の効果により誘電体ブロック内に誘電率
の不均一が生じ、この効果により隣接する共振器は主と
して磁界により相互に誘導性結合している。この結合量
は共振器１２０相互の距離や第２の貫通孔２４の大きさ
によって調整可能である。また、両端の共振器１２０ａ
と１２０ｄは中央の共振器１２０ｂおよび１２０ｃを介
した上記の主たる結合の他に、第１の電極２５、第２の
電極２７、および、接続導体２９を介してわずかに容量
性結合している。

【０００６】今、内導体１０ｃの長さを調整することで
４個の共振器１２０ａ〜１２０ｄが同一の周波数ｆoで
共振するものとすれば、その周波数ｆoでは共振状態に
ある４個の共振器は相互に強く誘導性結合する。このた
め、端子Ｐ１への入射波は共振器１２０ａ〜１２０ｃを
通って共振器１２０ｄに導かれ、さらに、端子Ｐ２から
取り出される。一方、ｆo以外の周波数では、共振器１
２０ａ〜１２０ｄ相互の結合は非常に弱く、入出力端子
への入射波はその電力のほとんどが反射される。このよ
うに、図３３に示す従来の高周波フィルタは帯域通過フ
ィルタとしての機能を有する。

【０００７】さらに、図３３に示す高周波フィルタで
は、両端の共振器１２０ａと１２０ｄは中央の共振器１
２０ｂおよび１２０ｃを介した上記の主たる結合の他
に、第１の電極２５、第２の電極２７、および、接続導
体２９を介してわずかに容量性の飛び越し結合を生じて
いる。一般に、共振器の通過位相は共振周波数より低い
周波数で＋９０゜、共振周波数で０゜、共振周波数より
高い周波数で−９０゜となる。また、直列接続の容量性
結合手段の通過位相は＋９０゜、直列接続の誘導性結合
手段の通過位相は−９０゜である。両端の共振器１２０
ａと１２０ｄ間の主たる結合ににおいては、共振器を２
個、誘導性結合手段を３段通過するため、合計の通過位
相はｆoより低い周波数で−９０゜、ｆoより高い周波数
で−４５０゜（＝−９０゜）となる。

【０００８】これに対して飛び越し結合は容量性のた
め、これによる通過位相は周波数によらず＋９０゜とな
る。従って、図３３に示す従来の高周波フィルタでは、
主たる結合による通過位相と飛び越し結合による通過位
相はｆoより低い周波数および高い周波数で逆相とな
り、通過帯域より低い周波数および高い周波数に通過特
性の減衰極を生じ、減衰特性の急峻化が図れる。このと
き、飛び越し結合の量は非常に小さいため、通過帯域の
損失にはほとんど影響を及ぼさない。

【０００９】ただし、飛び越し結合を容量性結合とする
ためには接続導体の電気長を波長に比べて十分短くする
必要があり、図３３においては誘電体基板２６の誘電率
を誘電体ブロック８ｃに比べて十分小さな値に設定する
必要がある。

【００１０】図３４は例えば実開平３−４４３０４号公
報に示された従来の高周波フィルタを示す概略構成図で
ある。図において、８は誘電体基板である。９は、誘電
体基板８の一方の面（同図では底面）全面に導体膜を密
着して形成された外導体である。１０は、誘電体基板８
の他方の面（同図では上面）に導体膜を密着して形成さ
れ、略平行に配置されたストリップ導体である。１１
は、誘電体基板８の側面に導体膜を密着して形成され、
外導体９およびストリップ導体１０に継ぎ目なく接続さ
れた短絡端である。誘電体基板８、外導体９、ストリッ
プ導体１０、短絡端１１は、一端開放、他端短絡の略１
／４波長マイクロストリップ線路形共振器１１０を構成
する。

【００１１】１３は、ストリップ導体１０上に設けられ
たコンデンサである。１４は、一端がコンデンサ１３に
接続され、多端が後述のストリップ導体３１に接続され
た導体リボンである。３１は、誘電体基板８の他方の面
（同図では上面）に導体膜を密着して形成されたストリ
ップ導体である。ストリップ導体３１は、ストリップ導
体１０の開放端（コンデンサ１３が設けられている部
分）付近に、ストリップ導体１０と交差する向きで配置
されている。誘電体基板８、外導体９、および、ストリ
ップ導体３１は主線路３２を構成する。

【００１２】Ｐ１およびＰ２は端子である。２個のスト
リップ導体の開放端は、コンデンサ１３および導体リボ
ン１４を介してストリップ導体３１に略１／４波長間隔
で接続されている。

【００１３】次に動作について説明する。共振器１１０
の共振周波数をｆoとすると、 ｆoより低い周波数では
インダクタンスとして働き、コンデンサ１３とともに直
列共振回路を構成する。今、この直列共振周波数をｆ1
とすると、端子Ｐ１へ入射した周波数ｆ1の入射波は上
記直列共振回路の共振によりその電力のほとんどが反射
される。一方、ｆ1以外の周波数では、共振器１１０の
影響はほとんどなく、端子Ｐ１への入射波はその電力の
ほとんどがＰ２に導かれる。このように、図３４に示す
従来の高周波フィルタは帯域阻止フィルタとしての機能
を有する。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】従来の高周波フィルタ
は以上のように構成されているので、共振器１２０ａ〜
１２０ｄと電極２５および２７等の飛び越し結合手段を
同一の誘電体ブロックあるいは基板上に形成する場合
や、フィルタを構成する誘電体の誘電率が比較的小さい
場合には、接続導体２９等の飛び越し結合手段の接続用
線路の電気長が無視できない程度に長くなり、所望の減
衰極を形成できない問題点があった。

【００１５】また、ストリップ導体１０とストリップ導
体３１の結合において、コンデンサ１３による集中定数
回路的な結合のほかに、フリンジングによる直接結合が
生じるために両ストリップ導体を接近して配置できず、
このため、コンデンサ１３とストリップ導体３１の接続
用に導体リボン１４が必要になり、組立が複雑になると
いう問題点があった。

【００１６】この発明は上記のような課題点を解決する
ためになされたもので、フィルタの共振器と飛び越し結
合手段を同一の誘電体基板上に形成する場合や、フィル
タを構成する誘電体の誘電率が比較的小さい場合でも、
通過特性に所望の減衰極を形成できるとともに、製作の
容易な高周波フィルタを得ることを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る高周波フ
ィルタは、入力端子および出力端子と、複数の第１の共
振器と、上記第１の共振器同士をそれぞれ結合して上記
第１の共振器を直列に接続する複数の主結合手段と、直
列に接続された上記第１の共振器の両端を上記入力端子
および上記出力端子にそれぞれ接続する複数の入出力結
合手段と、第２の共振器と、直列に接続された上記第１
の共振器の両端を上記第２の共振器に結合する複数の飛
び越し結合手段とを備えたものである。主結合手段を経
由する通過位相と飛び越し結合手段を経由する通過位相
とを、通過帯域より低い周波数および高い周波数の両方
で互いに逆相にする。

【００１８】請求項２に係る高周波フィルタは、上記主
結合手段のうちの少なくとも偶数個を容量性結合手段と
し、上記第２の共振器の共振周波数を上記第１の共振器
の共振周波数より高く設定したものである。

【００１９】請求項３に係る高周波フィルタは、上記主
結合手段のうちの少なくとも偶数個を誘導性結合手段と
し、上記第２の共振器の共振周波数を上記第１の共振器
の共振周波数より低く設定したものである。

【００２０】請求項４に係る高周波フィルタは、上記第
１の共振器の個数を３個以上とし、上記第２の共振器の
共振周波数を上記第１の共振器の共振周波数より高く設
定したものである。

【００２１】請求項５に係る高周波フィルタは、上記第
１の共振器の個数を３個以上とし、上記第２の共振器の
共振周波数を上記第１の共振器の共振周波数より低く設
定したものである。

【００２２】請求項６に係る高周波フィルタは、誘電体
基板と、上記誘電体基板の一方の面に形成された外導体
と、上記誘電体基板の他方の面に形成され互いに略平行
に配置された複数の第１のストリップ導体と、上記第１
のストリップ導体に交差する方向に形成された第２のス
トリップ導体と、上記第１のストリップ導体の一端およ
び上記第２のストリップ導体の一端を上記外導体にそれ
ぞれ接続する第１の短絡部および第２の短絡部とを備
え、上記第１の共振器を、上記誘電体基板と、上記外導
体と、上記第１のストリップ導体と、上記第１の短絡部
とから構成するとともに、上記第２の共振器を、上記誘
電体基板と、上記外導体と、上記第２のストリップ導体
と、上記第２の短絡部とから構成するものである。飛び
越し結合させる２つの共振器相互の間隔が、第２のスト
リップ線路により構成される第２の共振器の長さ程度離
れていても、主結合による通過位相と飛び越し結合によ
る通過位相差を所望の値に設定できる。

【００２３】請求項７に係る高周波フィルタは、上記第
２のストリップ導体に、その中間部から分岐して先端が
上記外導体に接続されて短絡された先端短絡スタブを備
えたものである。飛び越し結合させる２つの共振器相互
の間隔が、第２のストリップ線路により構成される第２
の共振器の長さ程度離れていても、主結合による通過位
相と飛び越し結合による通過位相差を所望の値に設定で
きる。さらに、先端短絡スタブの位置あるいは長さを変
えることにより、第２の共振器の共振周波数を変化させ
ることができる。

【００２４】請求項８に係る高周波フィルタは、上記第
２のストリップ導体に、その中間部から分岐して先端を
開放端とした先端開放スタブを備えたものである。飛び
越し結合させる２つの共振器相互の間隔が、第２のスト
リップ線路により構成される第２の共振器の長さ程度離
れていても、主結合による通過位相と飛び越し結合によ
る通過位相差を所望の値に設定できる。さらに、先端開
放スタブの位置あるいは長さを変えることにより、第２
の共振器の共振周波数を変化させることができる。

【００２５】請求項９に係る高周波フィルタは、上記第
２の短絡部が、上記第２のストリップ導体の両端を上記
外導体に接続するものである。飛び越し結合させる２つ
の共振器相互の間隔が、第２のストリップ線路により構
成される第２の共振器の長さ程度離れていても、主結合
による通過位相と飛び越し結合による通過位相差を所望
の値に設定できる。

【００２６】請求項１０に係る高周波フィルタは、上記
第２のストリップ導体の両端が開放されているものであ
る。飛び越し結合させる２つの共振器相互の間隔が、第
２のストリップ線路により構成される第２の共振器の長
さ程度離れていても、主結合による通過位相と飛び越し
結合による通過位相差を所望の値に設定できる。

【００２７】請求項１１に係る高周波フィルタは、上記
第２のストリップ導体に、その中間部から分岐して先端
が上記外導体に接続されて短絡された先端短絡スタブを
備えたものである。飛び越し結合させる２つの共振器相
互の間隔が、第２のストリップ線路により構成される第
２の共振器の長さ程度離れていても、主結合による通過
位相と飛び越し結合による通過位相差を所望の値に設定
できる。さらに、先端短絡スタブの位置あるいは長さを
変えることにより、第２の共振器の共振周波数を変化さ
せることができる。

【００２８】請求項１２に係る高周波フィルタは、上記
第２のストリップ導体に、その中間部から分岐して先端
を開放端とした先端開放スタブを備えたものである。飛
び越し結合させる２つの共振器相互の間隔が、第２のス
トリップ線路により構成される第２の共振器の長さ程度
離れていても、主結合による通過位相と飛び越し結合に
よる通過位相差を所望の値に設定できる。さらに、先端
開放スタブの位置あるいは長さを変えることにより、第
２の共振器の共振周波数を変化させることができる。

【００２９】請求項１３に係る高周波フィルタは、隣接
する上記第１のストリップ導体を相互に接続する接続導
体と、上記第１の共振器のうちの両端に位置する共振器
と複数の上記第２の共振器とをそれぞれ相互に結合させ
る複数の飛び越し結合手段とを備えたものである。飛び
越し結合させる２つの共振器相互の間隔が、第２のスト
リップ線路により構成される第２の共振器の長さ程度離
れていても、主結合による通過位相と飛び越し結合によ
る通過位相差を所望の値に設定できる。

【００３０】請求項１４に係る高周波フィルタは、第１
の誘電体基板と、上記第１の誘電体基板の一方の面に形
成された第１の外導体と、上記第１の誘電体基板の他方
の面に形成され互いに略平行に配置されるとともに、一
端が上記第１の外導体に接続されて短絡される複数の第
１のストリップ導体と、第２の誘電体基板と、上記第２
の誘電体基板の一方の面に形成された第２の外導体と、
上記第２の誘電体基板の他方の面に形成され上記第１の
ストリップ導体と略同一形状の複数の第２のストリップ
導体とを備え、上記第１の共振器を、上記第１および第
２の誘電体基板を上記第１および第２のストリップ導体
が対向し且つ重なるように重ね合わせて複数のトリプレ
ート線路形共振器として構成するとともに、上記第１の
ストリップ導体を短絡するために、上記第１および第２
の誘電体基板の側面に、導体箔あるいは導体板を設けた
ものである。上記導体箔あるいは導体板を、例えば、ク
リーム半田あるいは板半田により半田付けしたので、上
記第１および第２の誘電体基板を機械的に接続でき、且
つ、外導体とストリップ導体の電気的な接続を強化でき
る。

【００３１】請求項１５に係る高周波フィルタは、両端
に位置する上記第１のストリップ導体の端部に幅狭部を
設け、上記幅狭部を入出力線路付近まで延在させ、上記
入出力線路と上記幅狭部とを上記入出力結合手段として
のコンデンサを介して接続したものである。入出力線路
付近まで延在させた上記幅狭部により、入出力線路と共
振器との不要結合を増加させることなく両者の間隔を狭
められる。

【００３２】請求項１６に係る高周波フィルタは、誘電
体基板、上記誘電体基板の一方の面に形成された外導
体、および、上記誘電体基板の他方の面に形成された第
１のストリップ導体により構成されるストリップ線路形
共振器と、上記誘電体基板、上記外導体、および、上記
誘電体基板の他方の面に形成され、上記ストリップ線路
形共振器の開放端付近に上記ストリップ線路形共振器と
交差する向きで配置された第２のストリップ導体により
構成されるストリップ線路の主線路と、上記ストリップ
線路形共振器と上記ストリップ線路の主線路とを結合す
る結合手段としてのコンデンサとを備え、上記ストリッ
プ線路共振器の開放端に上記第１のストリップ導体の幅
狭部を設け、上記幅狭部を上記主線路付近まで延在さ
せ、上記主線路と上記幅狭部を上記コンデンサを介して
接続したものである。上記主線路付近まで延在された上
記幅狭部により、上記主線路と上記幅狭部を上記コンデ
ンサを介して接続することにより、主線路と共振器との
不要結合を増加させることなく両者の間隔を狭められ
る。

【００３３】

【発明の実施の形態】

発明の実施の形態１ 図１はこの発明の実施の形態１を示す概略構成図、図２
はこの高周波フィルタの通過振幅特性を示す図である。
図１において、１ａ〜１ｄはフィルタの段数を決定する
第１の共振器、２は隣接する第１の共振器１を相互に結
合させる主たる結合手段としての容量性結合手段、３は
第２の共振器、４は第１の共振器と第２の共振器を相互
に結合させる飛び越し結合手段としての容量性結合手
段、５は入出力結合手段としての容量性結合手段、Ｐ１
およびＰ２は端子である。

【００３４】図１から明らかなように、第１の共振器１
ａ〜１ｄは、容量性結合手段２を介して互いに直列に接
続されている。両端の第１の共振器１ａ，１ｄは、容量
性結合手段５を介してそれぞれ端子Ｐ１、Ｐ２に接続さ
れている。また、第２の共振器３は、容量性結合手段４
を介して第１の共振器１ａと１ｄの両方に接続されてい
る。第１の共振器１ａと１ｄは、第２の共振器３を介し
て相互に弱く結合している。

【００３５】なお、容量性結合手段２、４、５はコンデ
ンサ等により実現される。第１の共振器１、第２の共振
器３の具体的な構成については、後の実施の形態で詳述
する。

【００３６】次に動作について説明する。今、４個の第
１の共振器１ａ〜１ｄが同一の周波数ｆoで共振するも
のとすれば、その周波数ｆoでは共振状態にある４個の
共振器は相互に強く容量性結合する。このため、端子Ｐ
１への入射波は共振器１ａ〜１ｃを通って共振器１ｄに
導かれ、さらに、端子Ｐ２から取り出される。一方、ｆ
o以外の周波数では、共振器１ａ〜１ｄ相互の結合は非
常に弱く、入出力端子への入射波はその電力のほとんど
が反射される。このように、図１に示す従来の高周波フ
ィルタは帯域通過フィルタとしての機能を有する。

【００３７】さらに、図１に示す高周波フィルタでは、
両端の第１の共振器１ａと１ｄは、中央の第１の共振器
１ｂおよび１ｃを介した上記の主たる結合により結合す
るとともに、第２の共振器３および容量性結合手段４を
介して飛び越し結合する。ところで、従来の場合と同
様、共振器の通過位相は共振周波数より低い周波数で＋
９０゜、共振周波数で０゜、共振周波数より高い周波数
で−９０゜となる。このとき、第２の共振器３の通過位
相は、共振周波数付近の周波数では容量性結合手段４の
接続位置によらずほぼ上記の一定値となる。また、直列
接続の容量性結合手段の通過位相は＋９０゜、直列接続
の誘導性結合手段の通過位相は−９０゜である。両端の
共振器１ａと１ｄ間の主たる結合ににおいては、共振器
を２個、容量性結合手段を３段通過するため、合計の通
過位相はｆoより低い周波数で＋４５０゜（＝＋９０
゜）、ｆoより高い周波数で＋９０゜となる。

【００３８】これに対して飛び越し結合においては、第
２の共振器３の共振周波数ｆ1をｆoより高い周波数に設
定すると、第２の共振器３の通過位相はｆ＜ｆoとなる
周波数ｆで＋２７０゜（＝−９０゜）、ｆo＜ｆ＜ｆ1で
も−９０゜となる。従って、図１に示す実施の形態１の
高周波フィルタにおいてｆo＜ｆ1に設定した場合には、
主たる結合による通過位相と飛び越し結合による通過位
相はｆoより低い周波数および高い周波数の両方で逆相
となり、図２に示すように通過帯域より低い周波数およ
び高い周波数に通過特性の減衰極を生じ、減衰特性の急
峻化が図れる。このとき、飛び越し結合の量は非常に小
さいため、通過帯域の損失にはほとんど影響を及ぼさな
い。

【００３９】以上のように、図１の高周波フィルタで
は、飛び越し結合のための２カ所の容量性結合手段４を
第２の共振器３により接続しているので、第１の共振器
１ａと１ｄの間隔が、共振器３の物理寸法程度離れてい
ても、接続線路による周波数特性を伴う位相変化を生じ
ることなく所望の通過位相を実現できる。従って、フィ
ルタの共振器と飛び越し結合手段を同一の誘電体基板上
に形成する場合や、フィルタを構成する誘電体の誘電率
が比較的小さい場合でも、通過特性に所望の減衰極を形
成できるという利点を有する。

【００４０】発明の実施の形態２ 図３はこの発明の実施の形態２を示す概略構成図、図４
はこの高周波フィルタの通過振幅特性を示す図である。
図３からわかるように、この実施の形態２の高周波フィ
ルタは、図１の容量性結合手段４の代わりに誘導性結合
手段６を設けたものである。

【００４１】この場合においても、両端の共振器１ａと
１ｄは中央の共振器１ｂおよび１ｃを介した主たる結合
の他に、第２の共振器３および誘導性結合手段６を介し
て飛び越し結合する。両端の共振器１ａと１ｄ間の主た
る結合においては、図１の場合と同様に共振器を２個、
容量性結合手段を３段通過するため、合計の通過位相は
ｆoより低い周波数で＋４５０゜（＝＋９０゜）、ｆoよ
り高い周波数で＋９０゜となる。

【００４２】飛び越し結合においても、第２の共振器３
の共振周波数ｆ1をｆoより高い周波数に設定すると、第
２の共振器３の通過位相はｆ＜ｆoとなる周波数ｆで−
９０゜、 ｆo＜ｆ＜ｆ1でも−９０゜となる。従って、
図３に示す発明の実施の形態２の高周波フィルタにおい
て、ｆo＜ｆ1に設定した場合には、主たる結合による通
過位相と飛び越し結合による通過位相は、ｆoより低い
周波数および高い周波数の両方で逆相となり、図４に示
すように通過帯域より低い周波数および高い周波数に通
過特性の減衰極を生じる。このとき、飛び越し結合の量
は非常に小さいため、通過帯域の損失にはほとんど影響
を及ぼさない。

【００４３】以上のように、図３の発明の実施の形態
は、飛び越し結合のための２カ所の誘導性結合手段６を
第２の共振器３により接続しているので、第１の共振器
１ａと１ｄの間隔が、共振器３の物理寸法程度離れてい
ても所望の通過位相を実現でき、発明の実施の形態１と
同様の利点を有する。

【００４４】発明の実施の形態３ 図５はこの発明の実施の形態３を示す概略構成図、図６
はこの高周波フィルタの通過振幅特性を示す図である。
図５からわかるように、この実施の形態３の高周波フィ
ルタは、図１の容量性結合手段２の代わりに誘導性結合
手段７を設けたものである。

【００４５】この場合においても、両端の共振器１ａと
１ｄは中央の共振器１ｂおよび１ｃと、３カ所の誘導性
結合手段７を介した主たる結合の他に、第２の共振器３
および容量性結合手段４を介して飛び越し結合する。両
端の共振器１ａと１ｄ間の主たる結合においては、共振
器を２個、誘導性結合手段を３段通過するため、合計の
通過位相はｆoより低い周波数で−９０゜、ｆoより高い
周波数で−４５０゜（＝−９０゜）となる。

【００４６】第２の共振器３の共振周波数ｆ1をｆoより
低い周波数に設定すると、飛び越し結合の通過位相の合
計は、第２の共振器３の通過位相がｆ1＜ｆ＜ｆoとなる
周波数ｆで＋９０゜、ｆo＜ｆでも＋９０゜となる。従
って、図５に示す発明の実施の形態３の高周波フィルタ
においてｆ1＜ｆoに設定した場合には、主たる結合によ
る通過位相と飛び越し結合による通過位相はｆoより低
い周波数および高い周波数の両方で逆相となり、図６に
示すように通過帯域より低い周波数および高い周波数に
通過特性の減衰極を生じる。このとき、飛び越し結合の
量は非常に小さいため、通過帯域の損失にはほとんど影
響を及ぼさない。

【００４７】以上のように、図５の発明の実施の形態
は、飛び越し結合のための２カ所の容量性結合手段４を
第２の共振器３により接続しているので、第１の共振器
１ａと１ｄの間隔が、共振器３の物理寸法程度離れてい
ても所望の通過位相を実現でき、第１の発明の実施の形
態と同様の利点を有する。

【００４８】発明の実施の形態４ 図７はこの発明の実施の形態４を示す概略構成図、図８
はこの高周波フィルタの通過振幅特性を示す図である。
図７からわかるように、この実施の形態４の高周波フィ
ルタは、図５の容量性結合手段４の代わりに誘導性結合
手段６を設けたものである。

【００４９】この場合においても、両端の共振器１ａと
１ｄは中央の共振器１ｂおよび１ｃと、３カ所の誘導性
結合手段７を介した主たる結合の他に、第２の共振器３
および誘導性結合手段６を介して飛び越し結合する。両
端の共振器１ａと１ｄ間の主たる結合においては、共振
器を２個、誘導性結合手段を３段通過するため、合計の
通過位相はｆoより低い周波数で−９０゜、ｆoより高い
周波数で−４５０゜（＝−９０゜）となる。

【００５０】第２の共振器３の共振周波数ｆ1をｆoより
低い周波数に設定すると、飛び越し結合の通過位相の合
計は、第２の共振器３の通過位相がｆ1＜ｆ＜ｆoとなる
周波数ｆで−２７０゜（＝＋９０゜）、ｆo＜ｆでも＋
９０゜となる。従って、図７に示す発明の実施の形態４
の高周波フィルタにおいてｆ1＜ｆoに設定した場合に
は、主たる結合による通過位相と飛び越し結合による通
過位相はｆoより低い周波数および高い周波数の両方で
逆相となり、図８に示すように通過帯域より低い周波数
および高い周波数に通過特性の減衰極を生じる。このと
き、飛び越し結合の量は非常に小さいため、通過帯域の
損失にはほとんど影響を及ぼさない。

【００５１】以上のように、図７の発明の実施の形態
は、飛び越し結合のための２カ所の誘導性結合手段６を
第２の共振器３により接続しているので、第１の共振器
１ａと１ｄの間隔が、共振器３の物理寸法程度離れてい
ても所望の通過位相を実現でき、第１の発明の実施の形
態と同様の利点を有する。

【００５２】発明の実施の形態５ 図９はこの発明の実施の形態５を示す概略構成図、図１
０はこの高周波フィルタの通過振幅特性を示す図であ
る。図９からわかるように、図１の第１の共振器を１ａ
〜１ｃの３個にした場合である。

【００５３】この場合においても、両端の共振器１ａと
１ｃは中央の共振器１ｂと、２カ所の容量性結合手段２
を介した主たる結合の他に、第２の共振器３および容量
性結合手段４を介して飛び越し結合する。両端の共振器
１ａと１ｃ間の主たる結合においては、共振器を１個、
容量性結合手段を２段通過するため、合計の通過位相は
ｆoより低い周波数で＋２７０゜（＝−９０゜）、ｆoよ
り高い周波数で＋９０゜となる。

【００５４】第２の共振器３の共振周波数ｆ1をｆoより
低い周波数に設定すると、飛び越し結合の通過位相の合
計は、第２の共振器３の通過位相がｆ1＜ｆ＜ｆoとなる
周波数ｆで＋９０゜、ｆo＜ｆでも＋９０゜となる。一
方、ｆ1をｆoより高い周波数に設定すると、飛び越し結
合の通過位相の合計は、第２の共振器３の通過位相がｆ
＜ｆoとなる周波数ｆで＋２７０゜（＝−９０゜）、ｆo
＜ｆ＜ｆ1でも−９０゜となる。従って、図９に示す発
明の実施の形態５の高周波フィルタにおいては、ｆ1＜
ｆoに設定した場合には、主たる結合による通過位相と
飛び越し結合による通過位相はｆoより低い周波数で逆
相となり、ｆ1＞ｆoに設定した場合には、主たる結合に
よる通過位相と飛び越し結合による通過位相はｆoより
高い周波数で逆相となる。それぞれの場合の通過特性は
図１０のようになる。このとき、飛び越し結合の量は非
常に小さいため、通過帯域の損失にはほとんど影響を及
ぼさない。

【００５５】以上のように、図９の発明の実施の形態
は、飛び越し結合のための２カ所の容量性結合手段６を
第２の共振器３により接続しているので、第１の共振器
１ａと１ｃの間隔が、共振器３の物理寸法程度離れてい
ても所望の通過位相を実現でき、第１の発明の実施の形
態と同様の利点を有する。また、第２の共振器の共振周
波数ｆ1の設定に応じて、減衰極を通過帯域の片側減衰
帯域にのみ設けられる利点も有する。

【００５６】発明の実施の形態６ 図１１はこの発明の実施の形態６を示す概略構成図、図
１２はこの高周波フィルタの通過振幅特性を示す図であ
る。図１１からわかるように、この実施の形態６の高周
波フィルタは、図９の容量性結合手段４の代わりに誘導
性結合手段６を設けたものである。

【００５７】この場合においても、両端の共振器１ａと
１ｃは中央の共振器１ｂを介した主たる結合の他に、第
２の共振器３および誘導性結合手段６を介して飛び越し
結合する。両端の共振器１ａと１ｃ間の主たる結合にお
いては、図９の場合と同様に共振器を１個、容量性結合
手段を２段通過するため、合計の通過位相はｆoより低
い周波数で＋２７０゜（＝−９０゜）、ｆoより高い周
波数で＋９０゜となる。第２の共振器３の共振周波数ｆ
1をｆoより低い周波数に設定すると、飛び越し結合の通
過位相の合計は、第２の共振器３の通過位相がｆ1＜ｆ
＜ｆoとなる周波数ｆで−２７０゜（＝＋９０゜）、ｆo
＜ｆでも＋９０゜となる。

【００５８】一方、ｆ1をｆoより高い周波数に設定する
と、飛び越し結合の通過位相の合計は、第２の共振器３
の通過位相がｆ＜ｆoとなる周波数ｆで−９０゜、ｆo＜
ｆ＜ｆ1でも−９０゜となる。従って、図１１に示す発
明の実施の形態６の高周波フィルタにおいては、ｆ1＜
ｆoに設定した場合には、主たる結合による通過位相と
飛び越し結合による通過位相はｆoより低い周波数で逆
相となり、ｆ1＞ｆoに設定した場合には、主たる結合に
よる通過位相と飛び越し結合による通過位相はｆoより
高い周波数で逆相となる。それぞれの場合の通過特性は
図１２のようになる。このとき、飛び越し結合の量は非
常に小さいため、通過帯域の損失にはほとんど影響を及
ぼさない。

【００５９】以上のように、図１１の発明の実施の形態
は、飛び越し結合のための２カ所の誘導性結合手段６を
第２の共振器３により接続しているので、第１の共振器
１ａと１ｃの間隔が、共振器３の物理寸法程度離れてい
ても所望の通過位相を実現でき、第１の発明の実施の形
態と同様の利点を有する。また、第２の共振器の共振周
波数ｆ1の設定に応じて、減衰極を通過帯域の片側減衰
帯域にのみ設けられる利点も有する。

【００６０】発明の実施の形態７ 図１３はこの発明の実施の形態７を示す概略構成図、図
１４はこの高周波フィルタの通過振幅特性を示す図であ
る。図１３からわかるように、この実施の形態７の高周
波フィルタは、図９の容量性結合手段２の代わりに誘導
性結合手段７を設けたものである。

【００６１】この場合においても、両端の共振器１ａと
１ｃは中央の共振器１ｂを介した主たる結合の他に、第
２の共振器３および容量性結合手段４を介して飛び越し
結合する。両端の共振器１ａと１ｃ間の主たる結合にお
いては、共振器を１個、誘導性結合手段を２段通過する
ため、合計の通過位相はｆoより低い周波数で−９０
゜、ｆoより高い周波数で−２７０゜（＝＋９０゜）と
なる。

【００６２】第２の共振器３の共振周波数ｆ1をｆoより
低い周波数に設定すると、飛び越し結合の通過位相の合
計は、第２の共振器３の通過位相がｆ1＜ｆ＜ｆoとなる
周波数ｆで＋９０゜、ｆo＜ｆでも＋９０゜となる。一
方、ｆ1をｆoより高い周波数に設定すると、飛び越し結
合の通過位相の合計は、第２の共振器３の通過位相がｆ
＜ｆoとなる周波数ｆで＋２７０゜（＝−９０゜）、ｆo
＜ｆ＜ｆ1でも−９０゜となる。従って、図１３に示す
発明の実施の形態７の高周波フィルタにおいては、ｆ1
＜ｆoに設定した場合には、主たる結合による通過位相
と飛び越し結合による通過位相はｆoより低い周波数で
逆相となり、ｆ1＞ｆoに設定した場合には、主たる結合
による通過位相と飛び越し結合による通過位相はｆoよ
り高い周波数で逆相となる。それぞれの場合の通過特性
は図１４のようになる。このとき、飛び越し結合の量は
非常に小さいため、通過帯域の損失にはほとんど影響を
及ぼさない。

【００６３】以上のように、図１３の発明の実施の形態
は、飛び越し結合のための２カ所の容量性結合手段４を
第２の共振器３により接続しているので、第１の共振器
１ａと１ｃの間隔が、共振器３の物理寸法程度離れてい
ても所望の通過位相を実現でき、第１の発明の実施の形
態と同様の利点を有する。また、第２の共振器の共振周
波数ｆ1の設定に応じて、減衰極を通過帯域の片側減衰
帯域にのみ設けられる利点も有する。

【００６４】発明の実施の形態８ 図１５はこの発明の実施の形態８を示す概略構成図、図
１６はこの高周波フィルタの通過振幅特性を示す図であ
る。図１５からわかるように、この実施の形態８の高周
波フィルタは、図１３の容量性結合手段４の代わりに誘
導性結合手段６を設けたものである。

【００６５】両端の共振器１ａと１ｃは中央の共振器１
ｂを介した主たる結合の他に、第２の共振器３および誘
導性結合手段６を介して飛び越し結合する。両端の共振
器１ａと１ｃ間の主たる結合においては、共振器を１
個、誘導性結合手段を２段通過するため、合計の通過位
相はｆoより低い周波数で−９０゜、ｆoより高い周波数
で−２７０゜（＝＋９０゜）となる。

【００６６】第２の共振器３の共振周波数ｆ1をｆoより
低い周波数に設定すると、飛び越し結合の通過位相の合
計は、第２の共振器３の通過位相がｆ1＜ｆ＜ｆoとなる
周波数ｆで−２７０゜（＝＋９０゜）、ｆo＜ｆでも＋
９０゜となる。一方、ｆ1をｆoより高い周波数に設定す
ると、飛び越し結合の通過位相の合計は、第２の共振器
３の通過位相がｆ＜ｆoとなる周波数ｆで−９０゜、ｆo
＜ｆ＜ｆ1でも−９０゜となる。従って、図１５に示す
発明の実施の形態８の高周波フィルタにおいては、ｆ1
＜ｆoに設定した場合には、主たる結合による通過位相
と飛び越し結合による通過位相はｆoより低い周波数で
逆相となり、ｆ1＞ｆoに設定した場合には、主たる結合
による通過位相と飛び越し結合による通過位相はｆoよ
り高い周波数で逆相となる。それぞれの場合の通過特性
は図１６のようになる。このとき、飛び越し結合の量は
非常に小さいため、通過帯域の損失にはほとんど影響を
及ぼさない。

【００６７】以上のように、図１５の発明の実施の形態
は、飛び越し結合のための２カ所の誘導性結合手段６を
第２の共振器３により接続しているので、第１の共振器
１ａと１ｃの間隔が、共振器３の物理寸法程度離れてい
ても所望の通過位相を実現でき、第１の発明の実施の形
態と同様の利点を有する。また、第２の共振器の共振周
波数ｆ1の設定に応じて、減衰極を通過帯域の片側減衰
帯域にのみ設けられる利点も有する。

【００６８】発明の実施の形態９ 図１７はこの発明の発明の実施の形態を示す概略構成
図、図１８はこの高周波フィルタの通過振幅特性を示す
図である。図１７からわかるように、この実施の形態９
の高周波フィルタは、図１３の第１の共振器を１ａ〜１
ｆの６個とし、さらに、飛び越し結合させる共振器の組
合わせを、中央の共振器１ｃと１ｅ、および、両端の共
振器１ａと１ｆの２組にした場合である。

【００６９】共振器１ｃと１ｅの飛び越し結合による作
用効果は図１３の場合と同一であり、共振器３ａの共振
周波数ｆ1をｆ1＜ｆoのように設定した場合には、主た
る結合による通過位相と飛び越し結合による通過位相は
ｆoより低い周波数で逆相となり、ｆ1＞ｆoに設定した
場合には、主たる結合による通過位相と飛び越し結合に
よる通過位相はｆoより高い周波数で逆相となる。一
方、両端の共振器１ａと１ｆ間の主たる結合において
は、共振器を４個、誘導性結合手段を５段通過するた
め、合計の通過位相はｆoより低い周波数で−９０゜、
ｆoより高い周波数で−８１０゜（＝−９０゜）とな
る。第２の共振器３ｂの共振周波数ｆ2をｆoより低い周
波数に設定すると、飛び越し結合の通過位相の合計は、
第２の共振器３ｂの通過位相が、ｆ2＜ｆ＜ｆoとなる周
波数ｆで＋９０゜、ｆo＜ｆでも＋９０゜となる。

【００７０】一方、ｆ2をｆoより高い周波数に設定する
と、飛び越し結合の通過位相の合計は、第２の共振器３
の通過位相が、ｆ＜ｆoとなる周波数ｆで＋２７０゜
（＝−９０゜）、ｆo＜ｆ＜ｆ2でも−９０゜となる。従
って、ｆ2＜ｆoに設定した場合に、主たる結合による通
過位相と飛び越し結合による通過位相はｆoより低い周
波数および高い周波数の両方で逆相となる。以上より、
図１７の発明の実施の形態では、図１８に示すように通
過帯域より低い周波数および高い周波数に通過特性の減
衰極を生じる。このとき、飛び越し結合の量は非常に小
さいため、通過帯域の損失にはほとんど影響を及ぼさな
い。

【００７１】以上のように、図１７の発明の実施の形態
は、図１〜図１６の場合と同様のの利点を有する他、ｆ
1とｆoの関係を調整することにより、片側の減衰極をよ
り深くしたり、あるいは、２カ所に設けることが可能で
ある。

【００７２】発明の実施の形態１０ 図１９はこの発明の実施の形態１０を示す概略構成図、
図２０はこの高周波フィルタの通過振幅特性を示す図で
ある。図１９からわかるように、この実施の形態１０の
高周波フィルタは、図１３の第１の共振器を１ａ〜１ｆ
の６個とし、さらに、第２の共振器３および誘導性結合
手段を介した飛び越し結合を２段設けた場合である。

【００７３】この場合においても、図２０に示すように
第２の共振器３ａおよび３ｂの共振周波数ｆ1およびｆ2
とｆoの関係により、通過帯域より低い周波数、高い周
波数、あるいは、両側の周波数に通過特性の減衰極を生
じる。このとき、飛び越し結合の量は非常に小さいた
め、通過帯域の損失にはほとんど影響を及ぼさない。

【００７４】図１９の発明の実施の形態は、図１〜図１
６の場合と同様の利点を有する他、ｆoに対するｆ1およ
びｆ2の大小関係を調整することにより、減衰極を通過
帯域の片側の減衰帯域に複数個設けたり、あるいは、通
過帯域の両側の減衰帯域に設けることが可能であるとい
う利点を有する。

【００７５】なお、図１〜図２０に示す上記発明の実施
の形態では、フィルタの段数を規定する共振器の数が３
個、４個、および、６個の場合についてのみ説明した
が、２個、５個、あるいは７個以上であってもよく、上
記発明の実施の形態と同様の、動作原理、利点、および
効果を奏する。

【００７６】発明の実施の形態１１ 図２１は、この発明の実施の形態１１の高周波フィルタ
の斜視図、図２２はこの高周波フィルタのストリップ導
体パターンを示す図である。図２１および図２２におい
て、８ａ、８ｂは誘電体基板である。図２１からわかる
ように、誘電体基板８ａと８ｂとは、長さと厚みについ
てはほぼ同じであるが、幅については誘電体基板８ａの
方が長い。誘電体基板８ｂは、誘電体基板８ａの上に重
ねられている。９ａは、誘電体基板８ａの一方の面全面
に導体膜を密着して形成された外導体である。９ｂは、
誘電体基板８ｂの一方の面全面に導体膜を密着して形成
された外導体である。１０ａ〜１０ｄは、誘電体基板８
ａの他方の面に導体膜を密着して形成されてストリップ
導体である。これらストリップ導体１０ａ〜１０ｄは、
図２２のパターン図からわかるように略平行に配置され
ている。１１ａは、誘電体基板８ａの一側面に導体膜を
密着して形成され、外導体９ａおよび内導体１０ａ〜１
０ｄに接続された短絡部である。１１ｂは誘電体基板８
ｂの一側面に導体膜を密着して形成され、外導体９ｂに
接続された短絡部である。

【００７７】１２は、ストリップ導体１０ａ〜１０ｄの
開放部の幅を拡幅し、隣接するストリップ導体の間隔を
局部的に狭めて形成した容量性結合手段としてのギャッ
プである。１３は、内導体１０ａおよび１０ｄの先端部
それぞれに設けられたコンデンサである。１４は、コン
デンサ１３と後述の入出力線路１７とをそれぞれ接続す
る導体リボンである。１５は、誘電体基板８ａの他方の
面に導体膜を密着して形成され、ストリップ導体１０ａ
〜１０ｄの開放端付近にこれらと交差するように配置さ
れた略１／４波長の長さを有するストリップ導体であ
る。１６は、この側面に密着して形成され、ストリップ
導体１５の一端から誘電体基板８ａの側面まで延在され
た短絡導体である。短絡導体１６は、導体膜を介して外
導体９ａに接続される。１７は入出力線路である。Ｐ１
およびＰ２は端子である。３３は、ストリップ導体１０
ａおよび１０ｄとストリップ導体１５の間に形成された
容量性結合手段としてのギャップである。

【００７８】誘電体基板８ａおよび８ｂと、外導体９ａ
および９ｂと、ストリップ導体１０ａ〜１０ｄと、短絡
部１１ａおよび１１ｂとは、共振器１００ａ〜１００ｄ
を構成する。この共振器１００ａ〜１００ｄは、図１等
の第１の共振器１ａ〜１ｄに相当する。誘電体基板８ａ
と、外導体９ａと、ストリップ導体１５と、短絡導体１
６とは共振器２００を構成する。この共振器２００は、
図１等の第２の共振器３に当投する。

【００７９】誘電体基板８ａと８ｂは、外導体が形成さ
れた面と逆側の面同志が相互に対向し、且つ、短絡部１
１ａと１１ｂが同一面内に配置されるように重ねられ、
密着している。短絡部１１ａと１１ｂの電気的な接触、
および、誘電体基板８ａと８ｂの機械的な接触を強化す
るため、短絡部１１ａと１１ｂの外側にはさらに短絡板
３５がクリーム半田により密着されている。誘電体基板
８ｂ表面のストリップ導体１０ａ〜１０ｄと対向する位
置には、これらのストリップ導体と略同一形状を有し、
一端が短絡部１１ｂに接続されたストリップ導体が密着
しており、ストリップ導体１０ａ〜１０ｄと密着してい
る。

【００８０】ストリップ導体は、一端が短絡部１１ａ、
１１ｂ、および、短絡板３５により外導体９ａおよび９
ｂに接続されて短絡され、他端が開放端を形成してい
る。このため、共振器１００ａ〜１００ｄは一端短絡他
端開放の１／４波長共振器として機能する。また、スト
リップ導体１５は長さが略１／４波長に設定され、一端
が短絡導体１６を介して外導体９ａに接続され短絡され
ているため、共振器２００もまた１／４波長共振器とし
て機能する。

【００８１】次に動作について説明する。今、４個の共
振器１００ａ〜１００ｄが同一の周波数ｆoで共振する
ものとすれば、その周波数ｆoでは共振状態にある４個
の共振器はギャップ１２を介して相互に強く容量性結合
する。このため、端子Ｐ１への入射波は共振器１００ａ
〜１００ｃを通って共振器１００ｄに導かれ、さらに、
端子Ｐ２から取り出される。一方、ｆo以外の周波数で
は、共振器１００ａ〜１００ｄ相互の結合は非常に弱
く、入出力端子への入射波はその電力のほとんどが反射
される。このように、図２１の発明の実施の形態の高周
波フィルタは帯域通過フィルタとしての機能を有する。

【００８２】さらに、図２１に示す高周波フィルタで
は、両端の共振器１００ａと１００ｄは中央の共振器１
００ｂおよび１００ｃを介した上記の主たる結合の他
に、共振器２００および容量性結合手段としてのギャッ
プ３３を介して飛び越し結合する。このとき、共振器２
００の通過位相は図１に示す第２の共振器３の場合と同
様に共振周波数ｆ1より低い周波数では＋９０゜、高い
周波数では−９０゜となり、共振周波数付近の周波数で
は、ギャップ３３の位置によらずほぼ上記の一定値とな
る。従って、図１に示す発明の実施の形態１の高周波フ
ィルタと同様に、共振器３３の共振周波数ｆ1をｆo＜ｆ
1に設定した場合には、主たる結合による通過位相と飛
び越し結合による通過位相はｆoより低い周波数および
高い周波数の両方で逆相となり、図２に示すように通過
帯域より低い周波数および高い周波数に通過特性の減衰
極を生じ、減衰特性の急峻化が図れる。このとき、飛び
越し結合の量は非常に小さいため、通過帯域の損失には
ほとんど影響を及ぼさない。

【００８３】以上のように、図２１の高周波フィルタで
は、共振器１００ａと１００ｄの間隔が、略１／４波長
に設定したストリップ線路１５の長さ程度離れていて
も、共振器１００ａ〜１００ｄと同一平面上に形成され
た共振器２００およびギャップ３３を介して所望の通過
位相を有する飛び越し結合を実現できる。従って、フィ
ルタの共振器と飛び越し結合手段を同一の誘電体基板上
に形成する場合でも、通過特性に所望の減衰極を形成で
きるという利点を有する。

【００８４】発明の実施の形態１２ 図２３は、この発明の実施の形態１２の高周波フィルタ
の斜視図である。図２３は、図２１に示す発明の実施の
形態におけるトリプレート構造の共振器１００ａ〜１０
０ｄの代わりにマイクロストリップ線路構造の共振器１
１０ａ〜１１０ｄを用いた場合を示す。

【００８５】図２３の発明の実施の形態では、図２１の
場合と同様の動作原理および利点を有する他、誘電体基
板８ｂを重ねる必要がないため、製作が容易であるとい
う利点を奏する。さらに、ストリップ導体１０ａ〜１０
ｄ全体が露出しているため、共振器長や共振器幅を変化
させることによる、共振周波数や共振器間結合量の調整
が容易であるという利点を奏する。

【００８６】発明の実施の形態１３ 図２４は、この発明の実施の形態１３の高周波フィルタ
の導体パターン図である。図２４の高周波フィルタは、
図２２の発明の実施の形態１１のストリップ導体１５
に、その中間部から分岐して先端が外導体９ａに接続さ
れて短絡される先端短絡スタブ１８を設けることによ
り、飛び越し結合用共振器として、共振器２００の代わ
りに、誘電体基板８ａと、外導体９ａと、ストリップ導
体１５と、短絡導体１６と、先端短絡スタブ１８とから
成る共振器２１０を用いた場合を示す。

【００８７】図２５の発明の実施の形態は、図２１の場
合と同様の動作原理および利点を有する他、先端短絡ス
タブ１８の接続位置を移動することにより共振器２１０
の共振周波数を変化させることができ、従って、減衰極
を形成する周波数を容易に変化させることができるとい
う利点を有する。

【００８８】発明の実施の形態１４ 図２５は、この発明の実施の形態１４の高周波フィルタ
の導体パターン図である。図２５の高周波フィルタは、
図２４の発明の実施の形態１３の先端短絡スタブ１８の
代わりに先端開放スタブ３４を設けることにより、飛び
越し結合用共振器として、共振器２１０の代わりに、誘
電体基板８ａと、外導体９ａと、ストリップ導体１５
と、短絡導体１６と、先端開放スタブ３４とから成る共
振器２２０を用いた場合を示す。

【００８９】図２５の発明の実施の形態は、図２４の場
合と同様の動作原理および利点を有する他、先端開放ス
タブ３４は短絡導体を含まないため、先端短絡スタブに
比べて製作が容易であるという利点を有する。

【００９０】発明の実施の形態１５ 図２６は、この発明の実施の形態１５の高周波フィルタ
の導体パターン図である。図２２の発明の実施の形態１
１における飛び越し結合用の共振器２００の代わりに、
誘電体基板８ａと、外導体９ａと、ストリップ導体１９
と、短絡導体１６とから成る共振器２３０を用いた場合
である。ストリップ導体１９は略１／２波長の長さを有
し両端を短絡導体１６によって短絡されている。このた
め、共振器２２０は両端短絡の１／２波長共振器として
働く。

【００９１】図２６の発明の実施の形態は、図１の場合
と同様の動作原理および利点を有する他、ストリップ導
体１９が略１／２波長の長さを有するため、共振器１０
０ａと１００ｄの間隔が１／２波長程度離れている場合
でも、飛び越し結合として所望の通過位相を実現でき、
通過特性に減衰極を形成できる利点および効果を奏す
る。

【００９２】発明の実施の形態１６ 図２７は、この発明の実施の形態１６の高周波フィルタ
の導体パターン図である。図２６の発明の実施の形態１
５における飛び越し結合用の共振器２３０の代わりに、
誘電体基板８ａと、外導体９ａと、ストリップ導体１９
とから成る共振器２４０を用いた場合を示す。ストリッ
プ導体１９の両端が開放されているため、共振器２４０
は両端開放の１／２波長共振器として働く。

【００９３】図２７の発明の実施の形態は、図２６の場
合と同様の動作原理、利点、および効果を有する他、短
絡導体１６が不要なため製作が容易であるという利点を
有する。

【００９４】発明の実施の形態１７ 図２８は、この発明の実施の形態１７の高周波フィルタ
の導体パターン図である。図２７の発明の実施の形態１
６のストリップ導体１９に、その中間部から分岐して先
端が外導体９ａに接続され短絡される先端短絡スタブ１
８を設け、飛び越し結合用共振器として、共振器２４０
の代わりに、誘電体基板８ａと、外導体９ａと、ストリ
ップ導体１９と、先端短絡スタブ１８とから成る共振器
２５０を用いた場合を示す。

【００９５】図２８の発明の実施の形態は、図２７の場
合と同様の動作原理および利点を有する他、先端短絡ス
タブ１８の接続位置を移動することにより共振器２５０
の共振周波数を変化させることができ、従って、減衰極
を形成する周波数を容易に変化させることができるとい
う利点を有する。

【００９６】発明の実施の形態１８ 図２９は、この発明の実施の形態１８の高周波フィルタ
の導体パターン図である。図２４の発明の実施の形態に
おける共振器１００ａ〜１００ｄ相互の容量性結合手段
としてのギャップ１２の代わりに、誘導性結合手段とし
ての接続導体２０を設けた場合である。

【００９７】接続導体２０は隣接するストリップ導体相
互を直接接続して電流を分流するため、誘導性結合手段
として働く。接続導体２０の長さが十分短い場合におけ
る共振器１００ａと１００ｄ間の主たる結合において
は、共振器を２個、誘導性結合手段を３段通過するた
め、合計の通過位相はｆoより低い周波数で−９０゜、
ｆoより高い周波数で−４５０゜（＝−９０゜）とな
る。しかし、接続導体は共振器１０ａ〜１０ｄ相互の間
隔と同じ長さを有するため、接続導体２０の数が多い場
合には接続導体２０自体の電気長による位相変化を無視
できなくなる。例えばｆoより高い周波数で接続導体２
０の合計の通過位相が−１８０゜になった場合、この周
波数における共振器１００ａと１００ｄ間の主たる結合
による合計の通過位相は、＋９０゜となる。

【００９８】一方、飛び越し結合においては、共振器２
１０の共振周波数ｆ1をｆ1＞ｆoとしたときにｆ1以下の
周波数で通過位相が−９０゜となり、主たる結合による
通過位相と逆相になる。従って、共振器２１０の共振周
波数をｆ1＞ｆoとなるように設定し、且つ、接続導体２
０の合計の通過位相が−１８０゜となる周波数ｆがｆo
＜ｆ＜ｆ1の範囲にあれば、周波数ｆにおいて減衰極が
得られる。

【００９９】図２４の発明の実施の形態は、図２１の場
合と同様の動作原理および利点を有する他、接続導体２
０の合計の電気長がフィルタの通過帯域付近の周波数で
−１８０（２ｎ−１）゜（ｎ＝１，２，・・・）となる
場合には、共振器２１０の共振周波数を共振器１００ａ
〜１００ｄの共振周波数より高く設定した場合に通過特
性の減衰極が得られるという特長を有する。

【０１００】発明の実施の形態１９ 図３０は、この発明の実施の形態１９の高周波フィルタ
の導体パターン図である。図２９の発明の実施の形態に
おける両端のストリップ導体１０ａおよび１０ｄの開放
端に幅狭の導体突起部２１を設け、この導体突起部２１
を入出力線路１７に近づけた場合である。導体突起部２
１はストリップ導体１０ａおよび１０ｄを延長して形成
されており、幅が十分狭いため、共振器１００ａ〜１０
０ｄの共振周波数への影響はほとんどない。

【０１０１】図３０の発明の実施の形態は、図２９の場
合と同様の動作原理および利点を有する他、導体突起部
２１の先端を入出力線路１７のストリップ導体に接近さ
せられるため、図３１に示すようなコンデンサ２２を図
３０に破線で示す位置に配置し、電極を導体突起部２１
および入出力線路１７のストリップ導体に半田付け等に
より直接接続することが可能であり、導体リボンが不要
となる利点および効果を有する。

【０１０２】発明の実施の形態２０ 図３２は、この発明の実施の形態２０の高周波フィルタ
の導体パターン図である。図において１０、３１、およ
び、３２は、図３４に示す従来の高周波フィルタと同じ
もの、２１はストリップ導体１０の開放端を延長して設
けた導体突起部である。コンデンサ２２を図３２に破線
で示す位置に配置し、電極を導体突起部２１およびスト
リップ導体３１に半田付け等により直接接続している。

【０１０３】次に動作原理について説明する。共振器１
１０は、共振周波数をｆoとすると、ｆoより低い周波数
ではインダクタンスとして働き、コンデンサ２２ととも
に直列共振回路を構成する。今、この直列共振周波数を
ｆ1とすると、端子Ｐ１へ入射した周波数ｆ1の入射波は
上記直列共振回路の共振によりその電力のほとんどが反
射される。一方、ｆ1以外の周波数では、共振器１１０
の影響はほとんどなく、端子Ｐ１への入射波はその電力
のほとんどがＰ２に導かれる。このように、図３２に示
す高周波フィルタは、従来の場合と同様に帯域阻止フィ
ルタとしての機能を有する。

【０１０４】図３２の発明の実施の形態は、導体突起部
２１の幅が狭いため、ストリップ導体３１との不要結合
を生じることなく先端を主線路３２のストリップ導体３
１に接近させることができ、このため、コンデンサ２２
の電極を導体突起部２１およびストリップ導体３１に半
田付け等により直接接続することができ、導体リボンが
不要となるとともに、製作が容易になるという利点およ
び効果を奏する。

【０１０５】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、入力
端子および出力端子と、複数の第１の共振器と、上記第
１の共振器同士をそれぞれ結合して上記第１の共振器を
直列に接続する複数の主結合手段と、直列に接続された
上記第１の共振器の両端を上記入力端子および上記出力
端子にそれぞれ接続する複数の入出力結合手段と、第２
の共振器と、直列に接続された上記第１の共振器の両端
を上記第２の共振器に結合する複数の飛び越し結合手段
とを備えたので、主結合手段を経由する通過位相と飛び
越し結合手段を経由する通過位相とを、通過帯域より低
い周波数および高い周波数の両方で互いに逆相にでき、
通過帯域の両側あるいはいずれか一方の減衰帯域に通過
特性の減衰極を形成できる効果がある。

【０１０６】また、この発明によれば、誘電体基板と、
上記誘電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記
誘電体基板の他方の面に形成され互いに略平行に配置さ
れた複数の第１のストリップ導体と、上記第１のストリ
ップ導体に交差する方向に形成された第２のストリップ
導体と、上記第１のストリップ導体の一端および上記第
２のストリップ導体の一端を上記外導体にそれぞれ接続
する第１の短絡部および第２の短絡部とを備え、上記第
１の共振器を、上記誘電体基板と、上記外導体と、上記
第１のストリップ導体と、上記第１の短絡部とから構成
するとともに、上記第２の共振器を、上記誘電体基板
と、上記外導体と、上記第２のストリップ導体と、上記
第２の短絡部とから構成するので、飛び越し結合させる
２つの共振器相互の間隔が、第２のストリップ線路によ
り構成される第２の共振器の長さ程度離れていても、主
結合による通過位相と飛び越し結合による通過位相差を
所望の値に設定でき、通過帯域の両側あるいはいずれか
一方の減衰帯域に通過特性の減衰極を形成できる効果が
ある。

【０１０７】また、この発明によれば、上記第２のスト
リップ導体に、その中間部から分岐して先端が上記外導
体に接続されて短絡された先端短絡スタブを備えたの
で、先端短絡スタブの位置あるいは長さを変えることに
より、さらに、第２の共振器の共振周波数を変化させる
ことができ、減衰極の周波数を可変にできる効果があ
る。

【０１０８】また、この発明によれば、上記第２のスト
リップ導体に、その中間部から分岐して先端を開放端と
した先端開放スタブを備えたので、先端開放スタブの位
置あるいは長さを変えることにより、さらに、第２の共
振器の共振周波数を変化させることができる。

【０１０９】また、この発明によれば、第１の誘電体基
板と、上記第１の誘電体基板の一方の面に形成された第
１の外導体と、上記第１の誘電体基板の他方の面に形成
され互いに略平行に配置されるとともに、一端が上記第
１の外導体に接続されて短絡される複数の第１のストリ
ップ導体と、第２の誘電体基板と、上記第２の誘電体基
板の一方の面に形成された第２の外導体と、上記第２の
誘電体基板の他方の面に形成され上記第１のストリップ
導体と略同一形状の複数の第２のストリップ導体とを備
え、上記第１の共振器を、上記第１および第２の誘電体
基板を上記第１および第２のストリップ導体が対向し且
つ重なるように重ね合わせて複数のトリプレート線路形
共振器として構成するとともに、上記第１のストリップ
導体を短絡するために、上記第１および第２の誘電体基
板の側面に、導体箔あるいは導体板を設けたので、上記
導体箔あるいは導体板を、例えば、クリーム半田あるい
は板半田により半田付けすることにより、上記第１およ
び第２の誘電体基板を機械的に接続でき、且つ、外導体
とストリップ導体の電気的な接続を強化できる。

【０１１０】また、この発明によれば、両端に位置する
上記第１のストリップ導体の端部に幅狭部を設け、上記
幅狭部を入出力線路付近まで延在させ、上記入出力線路
と上記幅狭部とを上記入出力結合手段としてのコンデン
サを介して接続したので、入出力線路付近まで延在させ
た上記幅狭部により、入出力線路と共振器との不要結合
を増加させることなく両者の間隔を狭められ、入出力線
路と共振器の間にコンデンサの電極を直接接続できる効
果がある。

【０１１１】また、この発明によれば、誘電体基板、上
記誘電体基板の一方の面に形成された外導体、および、
上記誘電体基板の他方の面に形成された第１のストリッ
プ導体により構成されるストリップ線路形共振器と、上
記誘電体基板、上記外導体、および、上記誘電体基板の
他方の面に形成され、上記ストリップ線路形共振器の開
放端付近に上記ストリップ線路形共振器と交差する向き
で配置された第２のストリップ導体により構成されるス
トリップ線路の主線路と、上記ストリップ線路形共振器
と上記ストリップ線路の主線路とを結合する結合手段と
してのコンデンサとを備え、上記ストリップ線路共振器
の開放端に上記第１のストリップ導体の幅狭部を設け、
上記幅狭部を上記主線路付近まで延在させ、上記主線路
と上記幅狭部を上記コンデンサを介して接続したので、
上記主線路付近まで延在された上記幅狭部により、上記
主線路と上記幅狭部を上記コンデンサを介して接続する
ことにより、主線路と共振器との不要結合を増加させる
ことなく両者の間隔を狭められ、入出力線路と共振器の
間にコンデンサの電極を直接接続できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１による高周波フィル
タを示す概略構成図である。

【図２】 この発明の実施の形態１による高周波フィル
タの通過特性を示す図である。

【図３】 この発明の実施の形態２による高周波フィル
タを示す概略構成図である。

【図４】 この発明の実施の形態２による高周波フィル
タの通過特性を示す図である。

【図５】 この発明の実施の形態３による高周波フィル
タを示す概略構成図である。

【図６】 この発明の実施の形態３による高周波フィル
タの通過特性を示す図である。

【図７】 この発明の実施の形態４による高周波フィル
タを示す概略構成図である。

【図８】 この発明の実施の形態４による高周波フィル
タの通過特性を示す図である。

【図９】 この発明の実施の形態５による高周波フィル
タを示す概略構成図である。

【図１０】 この発明の実施の形態５による高周波フィ
ルタの通過特性を示す図である。

【図１１】 この発明の実施の形態６による高周波フィ
ルタを示す概略構成図である。

【図１２】 この発明の実施の形態６による高周波フィ
ルタの通過特性を示す図である。

【図１３】 この発明の実施の形態７による高周波フィ
ルタを示す概略構成図である。

【図１４】 この発明の実施の形態７による高周波フィ
ルタの通過特性を示す図である。

【図１５】 この発明の実施の形態８による高周波フィ
ルタを示す概略構成図である。

【図１６】 この発明の実施の形態８による高周波フィ
ルタの通過特性を示す図である。

【図１７】 この発明の実施の形態９による高周波フィ
ルタを示す概略構成図である。

【図１８】 この発明の実施の形態９による高周波フィ
ルタの通過特性を示す図である。

【図１９】 この発明の実施の形態１０による高周波フ
ィルタを示す概略構成図である。

【図２０】 この発明の実施の形態１０による高周波フ
ィルタの通過特性を示す図である。

【図２１】 この発明の実施の形態１１による高周波フ
ィルタを示す概略構成図である。

【図２２】 この発明の実施の形態１１による高周波フ
ィルタの導体パターンを示す図である。

【図２３】 この発明の実施の形態１２による高周波フ
ィルタを示す概略構成図である。

【図２４】 この発明の実施の形態１３による高周波フ
ィルタの導体パターンを示す図である。

【図２５】 この発明の実施の形態１４による高周波フ
ィルタの導体パターンを示す図である。

【図２６】 この発明の実施の形態１５による高周波フ
ィルタの導体パターンを示す図である。

【図２７】 この発明の実施の形態１６による高周波フ
ィルタの導体パターンを示す図である。

【図２８】 この発明の実施の形態１７による高周波フ
ィルタの導体パターンを示す図である。

【図２９】 この発明の実施の形態１８による高周波フ
ィルタの導体パターンを示す図である。

【図３０】 この発明の実施の形態１９による高周波フ
ィルタの導体パターンを示す図である。

【図３１】 この発明の実施の形態１９による高周波フ
ィルタに用いるコンデンサの概略構成図である。

【図３２】 この発明の実施の形態２０による高周波フ
ィルタの導体パターンを示す図である。

【図３３】 従来の高周波フィルタを示す概略構成図で
ある。

【図３４】 従来の高周波フィルタを示す概略構成図で
ある。

【符号の説明】

１ａ〜１ｆ、３ａ、３ｂ 共振器、２、４ 容量性結合
手段、５ 入出力結合手段、６、７ 誘導性結合手段、
８、８ａ、８ｂ、２６ 誘電体基板、９、９ａ、９ｂ
外導体、１０ａ〜１０ｄ、１５、１９、３１ ストリッ
プ導体、１１、１１ａ、１１ｂ 短絡部、１２、３３
ギャップ、１３、２２ コンデンサ、１４ 導体リボ
ン、１６ 短絡導体、１７ 入出力線路、１８ 先端短
絡スタブ、２０、２９ 接続導体、２１ 導体突起、２
３、２４、２７ 貫通孔、２５、２８ 電極、３０ 誘
電体チューブ、３２ 主線路、３４ 先端開放スタブ、
３５ 短絡板、１００ａ〜１００ｄ 共振器、２００、
２１０、２２０、２３０、、２４９、２５０ 共振器。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力端子および出力端子と、複数の第１
   の共振器と、上記第１の共振器同士をそれぞれ結合して
   上記第１の共振器を直列に接続する複数の主結合手段
   と、直列に接続された上記第１の共振器の両端を上記入
   力端子および上記出力端子にそれぞれ接続する複数の入
   出力結合手段と、第２の共振器と、直列に接続された上
   記第１の共振器の両端を上記第２の共振器に結合する複
   数の飛び越し結合手段とを備えた高周波フィルタ。
2. 【請求項２】 上記主結合手段のうちの少なくとも偶数
   個を容量性結合手段とし、上記第２の共振器の共振周波
   数を上記第１の共振器の共振周波数より高く設定したこ
   とを特徴とする請求項１記載の高周波フィルタ。
3. 【請求項３】 上記主結合手段のうちの少なくとも偶数
   個を誘導性結合手段とし、上記第２の共振器の共振周波
   数を上記第１の共振器の共振周波数より低く設定したこ
   とを特徴とする請求項１記載の高周波フィルタ。
4. 【請求項４】 上記第１の共振器の個数を３個以上と
   し、上記第２の共振器の共振周波数を上記第１の共振器
   の共振周波数より高く設定したことを特徴とする請求項
   １記載の高周波フィルタ。
5. 【請求項５】 上記第１の共振器の個数を３個以上と
   し、上記第２の共振器の共振周波数を上記第１の共振器
   の共振周波数より低く設定したことを特徴とする請求項
   １記載の高周波フィルタ。
6. 【請求項６】 誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の
   面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他方の面に
   形成され互いに略平行に配置された複数の第１のストリ
   ップ導体と、上記第１のストリップ導体に交差する方向
   に形成された第２のストリップ導体と、上記第１のスト
   リップ導体の一端および上記第２のストリップ導体の一
   端を上記外導体にそれぞれ接続する第１の短絡部および
   第２の短絡部とを備え、 上記第１の共振器を、上記誘電体基板と、上記外導体
   と、上記第１のストリップ導体と、上記第１の短絡部と
   から構成するとともに、 上記第２の共振器を、上記誘電体基板と、上記外導体
   と、上記第２のストリップ導体と、上記第２の短絡部と
   から構成することを特徴とする請求項１ないし請求項５
   いずれかに記載の高周波フィルタ。
7. 【請求項７】 上記第２のストリップ導体に、その中間
   部から分岐して先端が上記外導体に接続されて短絡され
   た先端短絡スタブを備えたことを特徴とする請求項６記
   載の高周波フィルタ。
8. 【請求項８】 上記第２のストリップ導体に、その中間
   部から分岐して先端を開放端とした先端開放スタブを備
   えたことを特徴とする請求項６記載の高周波フィルタ。
9. 【請求項９】 上記第２の短絡部は、上記第２のストリ
   ップ導体の両端を上記外導体に接続することを特徴とす
   る請求項６記載の高周波フィルタ。
10. 【請求項１０】 上記第２のストリップ導体の両端が開
    放されていることを特徴とする請求項６記載の高周波フ
    ィルタ。
11. 【請求項１１】 上記第２のストリップ導体に、その中
    間部から分岐して先端が上記外導体に接続されて短絡さ
    れた先端短絡スタブを備えたことを特徴とする請求項１
    ０記載の高周波フィルタ。
12. 【請求項１２】 上記第２のストリップ導体に、その中
    間部から分岐して先端を開放端とした先端開放スタブを
    備えたことを特徴とする請求項１０記載の高周波フィル
    タ。
13. 【請求項１３】 隣接する上記第１のストリップ導体を
    相互に接続する接続導体と、上記第１の共振器のうちの
    両端に位置する共振器と複数の上記第２の共振器とをそ
    れぞれ相互に結合させる複数の飛び越し結合手段とを備
    えたことを特徴とする請求項６記載の高周波フィルタ。
14. 【請求項１４】 第１の誘電体基板と、上記第１の誘電
    体基板の一方の面に形成された第１の外導体と、上記第
    １の誘電体基板の他方の面に形成され互いに略平行に配
    置されるとともに、一端が上記第１の外導体に接続され
    て短絡される複数の第１のストリップ導体と、第２の誘
    電体基板と、上記第２の誘電体基板の一方の面に形成さ
    れた第２の外導体と、上記第２の誘電体基板の他方の面
    に形成され上記第１のストリップ導体と略同一形状の複
    数の第２のストリップ導体とを備え、 上記第１の共振器を、上記第１および第２の誘電体基板
    を上記第１および第２のストリップ導体が対向し且つ重
    なるように重ね合わせて複数のトリプレート線路形共振
    器として構成するとともに、 上記第１のストリップ導体を短絡するために、上記第１
    および第２の誘電体基板の側面に、導体箔あるいは導体
    板を設けたことを特徴とする請求項６記載の高周波フィ
    ルタ。
15. 【請求項１５】 両端に位置する上記第１のストリップ
    導体の端部に幅狭部を設け、上記幅狭部を入出力線路付
    近まで延在させ、上記入出力線路と上記幅狭部とを上記
    入出力結合手段としてのコンデンサを介して接続したこ
    とを特徴とする請求項６記載の高周波フィルタ。
16. 【請求項１６】 誘電体基板、上記誘電体基板の一方の
    面に形成された外導体、および、上記誘電体基板の他方
    の面に形成された第１のストリップ導体により構成され
    るストリップ線路形共振器と、 上記誘電体基板、上記外導体、および、上記誘電体基板
    の他方の面に形成され、上記ストリップ線路形共振器の
    開放端付近に上記ストリップ線路形共振器と交差する向
    きで配置された第２のストリップ導体により構成される
    ストリップ線路の主線路と、 上記ストリップ線路形共振器と上記ストリップ線路の主
    線路とを結合する結合手段としてのコンデンサとを備
    え、 上記ストリップ線路共振器の開放端に上記第１のストリ
    ップ導体の幅狭部を設け、上記幅狭部を上記主線路付近
    まで延在させ、上記主線路と上記幅狭部を上記コンデン
    サを介して接続した高周波フィルタ。