JPH09229996A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH09229996A
JPH09229996A JP8041386A JP4138696A JPH09229996A JP H09229996 A JPH09229996 A JP H09229996A JP 8041386 A JP8041386 A JP 8041386A JP 4138696 A JP4138696 A JP 4138696A JP H09229996 A JPH09229996 A JP H09229996A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to easily execute a dynamic burn-in test (B test) by a facility corresponding to static burn-in by assembling the B test function into a testing circuit as a part of functional test mode. SOLUTION: The semiconductor integrated circuit comprises a clock signal generator 1, a B test signal generator 2, a test mode setter 3 and testing circuits 4 to 6. In the case of functional test, a functional test mode set signal TM is supplied via a terminal TT1, the setter 3 outputs a test control signal CT in response to it to operate the circuits 4 to 6, thereby executing the functional test. At the time of the B test, the B test mode signal TB via the terminal TT2 is activated, the setter 3 becomes the control state corresponding to the B test mode in response to it. Simultaneously, the generator 2 supplies the B test signal DB to the circuits 4 to 6, which insert the signal DB to the input signal, and supply it to inner circuit blocks 7 to 9. Thus, the B tests of the blocks 7 to 9 is executed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路に関
し、特に製造段階でバーンインテスト処理を行う半導体
集積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a semiconductor integrated circuit which performs a burn-in test process in a manufacturing stage.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路は、近年ますます回路規
模が増大しかつ高速動作になってきている。また、その
製造段階における初期不良の除去、信頼性確保のため、
選別工程等で行う加速試験としてバーンインテストが重
要になってきている。しかし、上述のような動向におい
て、従来広く行われてきた高温雰囲気中で電源および入
力端子の直流レベルのみ供給するスタティックバーンイ
ンや、高温雰囲気中で電源および数種類の周波数のクロ
ック信号を供給するクロックバーンインテストでは所期
の目的を十分達成することが困難となってきている。そ
の理由は、前者では電源電圧を供給するものの内部回路
は動作せず、また、後者では数種類のクロック信号によ
り内部回路のいくらかは動作するが、回路規模のごく小
さい回路や信号数の少ない回路の場合を除いては、回路
の動作率を100%に近付けるのは困難であるからであ
る。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor integrated circuits have been increasing in circuit scale and operating at high speed. In addition, in order to eliminate initial defects and ensure reliability in the manufacturing stage,
The burn-in test is becoming important as an accelerated test performed in the sorting process and the like. However, in the above trend, static burn-in that supplies only the DC level of the power supply and the input terminal in the high temperature atmosphere that has been widely used in the past, and clock burn-in that supplies the power supply and the clock signal of several kinds of frequencies in the high temperature atmosphere. It is becoming difficult to achieve the intended purpose in the test. The reason is that in the former, the power supply voltage is supplied, but the internal circuit does not operate, and in the latter, although some of the internal circuits operate with several types of clock signals, circuits with very small circuit scale and circuits with few signals are used. This is because it is difficult to bring the operating rate of the circuit close to 100% except in some cases.

【0003】通常用いられるクロック信号は2,3種類
の単純な繰り返しの信号であるから、動作開始時に初期
設定の必要な回路が存在するような場合にはこの初期設
定が不可能でありしたがって内部回路の動作が始まらな
い。また、シフトレジスタ等のように、本来2種類のク
ロック信号を供給すべきところにクロック信号数の制約
から共通のクロック信号を供給した場合、データ周波数
とクロック周波数とが等しくなった所から先はデータの
変化が伝達されなくなるので動作が停止してしまう。
Since a clock signal that is normally used is a simple repeating signal of a few types, if there is a circuit that requires initial setting at the start of operation, this initial setting is impossible and therefore internal The circuit operation does not start. Further, when a common clock signal is supplied to a place where two kinds of clock signals should be originally supplied, such as a shift register, due to the restriction of the number of clock signals, from the place where the data frequency becomes equal to the clock frequency, Since the change of data is not transmitted, the operation stops.

【0004】このようなことから、バーンインテストと
しては、初期不良を除去するため内部回路の全素子が動
作している状態で行われることが望ましいので、全入力
端子に信号を供給して実使用状態に近い状態で動作させ
るダイナミックバーンインテストの必要性がますます増
大している。しかし、このようなダイナミックバーンイ
ンテストを実施しようとした場合、半導体集積回路の品
種毎の多数かつ複雑な試験信号を発生する試験装置が必
要となり、また、品種によつては高速のクロックも必要
となることなどにより、バーンイン装置の大規模化、開
発期間の長期化、費用の高額化などの課題があった。
For this reason, it is desirable that the burn-in test be performed in a state in which all the elements of the internal circuit are operating in order to remove the initial failure. Therefore, signals are supplied to all the input terminals for actual use. There is an ever-increasing need for dynamic burn-in tests that operate in near-state conditions. However, in order to perform such a dynamic burn-in test, a test device that generates a large number of complicated test signals for each type of semiconductor integrated circuit is required, and a high-speed clock is also required depending on the type. As a result, there are problems such as large scale burn-in equipment, longer development period, and higher cost.

【0005】このような課題の解決のため、従来から、
被検査半導体集積回路自身にクロック発生回路も含めた
ダイナミックバーンインテスト信号発生回路を内蔵し、
制御信号入力用の外部入力端子を設けてこの制御信号の
制御により、このダイナミックバーンインテスト信号発
生回路を活性化し、試験信号を内部回路に供給するとい
うものが提案されている。例えば、特開平5−1023
98号公報(文献1)、特開平4−218938号公報
(文献2)、特開昭63−271966号公報(文献
3)の各々記載の半導体集積回路等である。
In order to solve such a problem, conventionally,
Built-in dynamic burn-in test signal generation circuit including clock generation circuit in the semiconductor integrated circuit itself to be inspected,
It has been proposed to provide an external input terminal for inputting a control signal, activate the dynamic burn-in test signal generating circuit by controlling the control signal, and supply a test signal to an internal circuit. For example, JP-A-5-1023
98 (Reference 1), JP-A-4-218938 (Reference 2), and JP-A-63-2719666 (Reference 3).

【0006】これら文献1〜3記載の従来の半導体集積
回路は、半導体集積回路自身に内蔵した上述のダイナミ
ックバーンインテスト信号発生回路を制御することによ
り、スタティックバーンインの試験装置の構成で容易に
ダイナミックバーンインテストを実施しようというもの
である。
The conventional semiconductor integrated circuits described in the above documents 1 to 3 are easily controlled by controlling the above-mentioned dynamic burn-in test signal generating circuit built in the semiconductor integrated circuit itself, so that the dynamic burn-in test device can be easily constructed. It is to carry out a test.

【0007】通常の動作テスト用の半導体集積回路組込
みのテスト回路は、製造された半導体集積回路が所期の
機能や特性を満足するかどうかを確認する目的で使用さ
れ、このテスト回路がないと上記確認が困難な場合には
必要不可欠なものである。しかし、ダイナミックバーン
インテスト信号発生回路を内蔵することは、スタティッ
クバーンインあるいはクロックバーンインで実施する場
合には不要であり、チップ面積を増大しコストアップ要
因となるのであまり採用されなかった。しかしながら回
路規模の増大、高速化及び信頼性確保の点から今後はこ
の種のダイナミックバーンインテスト信号発生回路内蔵
製品が増加するものと予想される。
A test circuit incorporating a semiconductor integrated circuit for a normal operation test is used for the purpose of confirming whether or not the manufactured semiconductor integrated circuit satisfies desired functions and characteristics, and without this test circuit. It is indispensable when the above confirmation is difficult. However, the incorporation of the dynamic burn-in test signal generation circuit is not necessary when the static burn-in or the clock burn-in is performed, and the chip area is increased and the cost is increased. However, it is expected that the number of products with a built-in dynamic burn-in test signal generation circuit of this type will increase in the future from the viewpoint of increasing the circuit scale, speeding up, and ensuring reliability.

【0008】従来のこの種の半導体集積回路をブロック
で示す図2を参照すると、この従来の半導体集積回路
は、ダイナミックバーンインテストモード(以下Bテス
トモード)信号TBの活性化に応答してダイナミックバ
ーンインテスト信号(以下Bテスト信号)発生用のクロ
ック信号を発生するクロック信号発生回路1と、クロッ
ク信号の供給に応答してBテスト信号DBを発生するダ
イナミックバーンインテスト信号発生回路2と、信号T
Bの活性化に応答して入力信号の各々にBテスト信号を
挿入するテスト信号挿入回路10と、テスト対象の内部
回路ブロック7〜9とを備える。
Referring to FIG. 2, which shows a block diagram of a conventional semiconductor integrated circuit of this type, this conventional semiconductor integrated circuit responds to activation of a dynamic burn-in test mode (hereinafter referred to as B test mode) signal TB. A clock signal generating circuit 1 for generating a clock signal for generating a test signal (hereinafter referred to as a B test signal), a dynamic burn-in test signal generating circuit 2 for generating a B test signal DB in response to the supply of the clock signal, and a signal T.
A test signal insertion circuit 10 for inserting a B test signal into each of the input signals in response to activation of B, and internal circuit blocks 7 to 9 to be tested are provided.

【0009】次に、図2を参照して、従来の半導体集積
回路の動作について説明すると、通常動作時にはBテス
トモード設定用の端子TT1を経由して供給するBテス
トモード信号TBを非活性化すなわち論理0とし、この
論理0に応答してクロック信号発生回路1とダイナミッ
クバーンインテスト信号発生回路2は非活性化状態とな
り、テスト信号挿入回路10は入力端子TI1,TI2
からの入力信号I1,I2を直接内部回路ブロック7〜
9の各々に供給することにより通常動作を行う。次にダ
イナミックバーンインテスト時には、Bテストモード信
号TBを活性化すなわち論理1とし、この信号TBの論
理1に応答してクロック信号発生回路1とダイナミック
バーンインテスト信号発生回路2は活性化状態となり、
Bテスト信号DBを出力しテスト信号挿入回路10に供
給する。テスト信号挿入回路10はBテスト信号DBを
入力信号I1,I2に挿入し、内部回路ブロック7〜9
の各々に供給する。これにより、内部回路のダイナミッ
クバーンインテストを実施する。
Next, the operation of the conventional semiconductor integrated circuit will be described with reference to FIG. 2. During normal operation, the B test mode signal TB supplied through the B test mode setting terminal TT1 is inactivated. That is, the logic 0 is set, the clock signal generation circuit 1 and the dynamic burn-in test signal generation circuit 2 are inactivated in response to the logic 0, and the test signal insertion circuit 10 is input to the input terminals TI1 and TI2.
Input signals I1 and I2 from the internal circuit block 7 to
Normal operation is performed by supplying each of the nine. Next, at the time of the dynamic burn-in test, the B test mode signal TB is activated, that is, set to logic 1, and the clock signal generation circuit 1 and the dynamic burn-in test signal generation circuit 2 are activated in response to the logic 1 of the signal TB.
The B test signal DB is output and supplied to the test signal insertion circuit 10. The test signal insertion circuit 10 inserts the B test signal DB into the input signals I1 and I2, and the internal circuit blocks 7 to 9 are inserted.
To each of the Thereby, the dynamic burn-in test of the internal circuit is performed.

【0010】しかし、この従来の半導体集積回路は、ダ
イナミックバーンインテスト機能を有するが、製造時の
選別検査時等や通常動作時における論理回路のより深い
部分の機能の動作確認のためのテストをする機能テスト
機能を有していなかった。これは一般にテスト対象内部
回路の論理が複雑で動作確認のための制御が困難である
ため、この機能を含めると回路規模が膨大となりすぎる
ことのためである。
However, although this conventional semiconductor integrated circuit has a dynamic burn-in test function, it performs a test for confirming the operation of the function of a deeper portion of the logic circuit at the time of selection inspection at the time of manufacture or at the time of normal operation. It had no functional test function. This is because the logic of the internal circuit to be tested is generally complicated and control for operation confirmation is difficult, and the circuit scale becomes too large when this function is included.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路は、ダイナミックバーンインテスト機能を有す
るが、回路規模の増加要因となる製造時の選別検査時等
や通常動作時における論理回路のより詳細な機能・性能
の動作確認のためのテストをする機能テスト機能を有し
ていないという欠点があった。
Although the above-mentioned conventional semiconductor integrated circuit has a dynamic burn-in test function, it is more detailed in the logic circuit during the selection inspection during manufacturing or the normal operation which causes an increase in the circuit scale. However, there is a drawback that it does not have a function test function for testing to confirm the operation of various functions and performances.

【0012】本発明の目的は、回路規模の増加を抑制し
ダイナミックバーンインテスト機能を機能テスト機能の
1つとして含む半導体集積回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit which suppresses an increase in circuit scale and includes a dynamic burn-in test function as one of the function test functions.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、被テスト回路の全入力端子に前記テスト信号を供給
して実使用状態に近い状態で動作させるダイナミックバ
ーンインテストモードを設定する第1のテストモード信
号の供給に応答して試験用のクロック信号を発生するク
ロック発生回路と、前記第1のテストモード信号の供給
に応答して活性化し前記クロック信号の供給に応答して
ダイナミックバーンイン用のバーンインテスト信号を発
生するダイナミックバーンインテスト信号発生回路とを
備える半導体集積回路において、前記第1のテストモー
ド信号の供給に応答して前記被テスト回路の機能・性能
を確認する機能テストモードと前記バーンインテストモ
ードとを切替えるとともに前記機能テストモード設定時
には前記機能テストモードの1つを設定する第2のテス
トモード信号の供給に応答して対応の機能テスト信号を
出力するテストモード設定回路と、前記機能テスト信号
または前記バーンインテスト信号の供給に応答して前記
被テスト回路のテストを実行するテスト回路とを備えて
構成されている。
A semiconductor integrated circuit according to the present invention sets a dynamic burn-in test mode in which the test signal is supplied to all input terminals of a circuit under test to operate in a state close to an actual use state. A clock generation circuit for generating a test clock signal in response to the supply of the test mode signal, and a dynamic burn-in circuit activated in response to the supply of the first test mode signal and responding to the supply of the clock signal A dynamic burn-in test signal generating circuit for generating a burn-in test signal, and a functional test mode for confirming the function / performance of the circuit under test in response to the supply of the first test mode signal; The burn-in test mode is switched to and the function test is performed when the function test mode is set. A test mode setting circuit that outputs a corresponding functional test signal in response to the supply of a second test mode signal that sets one of the modes, and the test mode setting circuit that responds to the supply of the functional test signal or the burn-in test signal. And a test circuit for executing the test of the test circuit.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図2
と共通の構成要素には共通の参照文字/数字を付して同
様にブロックで示す図1を参照すると、この図に示す本
実施の形態の半導体集積回路は、従来と共通のクロック
信号発生回路1と、ダイナミックバーンインテスト(B
テスト)信号発生回路2と、内部回路ブロック7〜9と
に加えて、バーンインテストモード信号TBのレベルに
応答して機能テストモードとバーンインテストモードと
に切替えるとともに機能テストモード設定信号TMの供
給に応答して機能テストを実行するテスト制御信号CT
を出力するテストモード設定回路3と、テスト制御信号
CTの供給に応答して内部回路ブロック7〜9の各々に
対する入力/テスト信号を供給するテスト回路4〜6と
を備える。
FIG. 2 shows an embodiment of the present invention.
Referring to FIG. 1, which is also a block in which common reference characters / numerals are given to common constituent elements with those of FIG. 1 and dynamic burn-in test (B
In addition to the test) signal generation circuit 2 and the internal circuit blocks 7 to 9, in response to the level of the burn-in test mode signal TB, it switches between the functional test mode and the burn-in test mode and supplies the functional test mode setting signal TM. Test control signal CT for responding and performing a functional test
And a test mode setting circuit 3 for outputting a test control signal CT, and test circuits 4-6 for supplying an input / test signal to each of the internal circuit blocks 7-9 in response to the supply of the test control signal CT.

【0015】次に、図1を参照して本実施の形態の動作
について説明すると、まず、従来と同様に、通常動作時
にはBテストモード設定用の端子TT1を経由して供給
するBテストモード信号TBを非活性化すなわち論理0
とし、この論理0に応答してクロック信号発生回路1と
ダイナミックバーンインテスト信号発生回路2は非活性
化状態となり、テストモード設定回路3は機能テスト/
通常入力対応の制御状態に設定される。したがって、ダ
イナミックバーンインテストモードは設定されない。機
能テストを行うときは機能テストモード設定用の端子T
T2を経由してシリアルデータ等から成る機能テストモ
ード設定信号TMを供給する。この機能テストモード設
定信号TMの供給に応答してテストモード設定回路3は
所望の機能テスト対応のテスト制御信号CTを出力して
テスト回路4〜6を動作させ所望の機能テストを実施す
る。Bテストモード信号TBが論理0の場合は、通常動
作および他の機能テストモード設定に影響を与えない。
Next, the operation of the present embodiment will be described with reference to FIG. 1. First, as in the conventional case, in the normal operation, the B test mode signal supplied via the B test mode setting terminal TT1 is supplied. TB is deactivated, that is, logic 0
In response to the logic 0, the clock signal generation circuit 1 and the dynamic burn-in test signal generation circuit 2 are inactivated, and the test mode setting circuit 3 is functionally tested.
It is set to the control state corresponding to normal input. Therefore, the dynamic burn-in test mode is not set. When performing a function test, the terminal T for setting the function test mode
A functional test mode setting signal TM including serial data is supplied via T2. In response to the supply of the functional test mode setting signal TM, the test mode setting circuit 3 outputs the test control signal CT corresponding to the desired functional test to operate the test circuits 4 to 6 to carry out the desired functional test. When the B test mode signal TB is logic 0, it does not affect the normal operation and other functional test mode settings.

【0016】次に、ダイナミックバーンインテスト時に
は、Bテストモード信号TBを活性化すなわち論理1と
し、この信号TBの論理1に応答してテストモード設定
回路3はバーンインテストモード対応の制御状態に設定
される。同時に、クロック信号発生回路1とダイナミッ
クバーンインテスト信号発生回路2は活性化状態とな
り、Bテスト信号DBを出力しテスト回路4〜6に供給
する。テスト回路4〜6は従来のテスト信号挿入回路1
0と同様に、Bテスト信号DBを各入力信号に挿入し、
内部回路ブロック7〜9の各々に供給する。これによ
り、内部回路ブロック7〜9のダイナミックバーンイン
テストを実施する。
At the time of the dynamic burn-in test, the B test mode signal TB is activated, that is, set to logic 1, and the test mode setting circuit 3 is set to the control state corresponding to the burn-in test mode in response to the logic 1 of the signal TB. It At the same time, the clock signal generation circuit 1 and the dynamic burn-in test signal generation circuit 2 are activated, and the B test signal DB is output and supplied to the test circuits 4 to 6. The test circuits 4 to 6 are the conventional test signal insertion circuit 1
Like 0, insert B test signal DB into each input signal,
It is supplied to each of the internal circuit blocks 7 to 9. Thereby, the dynamic burn-in test of the internal circuit blocks 7 to 9 is carried out.

【0017】これにより、本実施の形態の半導体集積回
路は、ダイナミックバーンインテスト機能を機能テスト
モードの一部としてテスト回路に組込むことにより、ダ
イナミックバーンインテストを従来のスタティックバー
ンイン対応の設備で容易に実施可能とするばかりでな
く、内部回路のより複雑な機能・性能を確認する機能テ
ストを実施可能とする。しかも、上記ダイナミックバー
ンインテスト機能と一般機能テスト機能との各々の信号
や回路の共通部分を共用化することにより、全体の回路
規模の増加を最小限に抑制でき、チップ面積の増加を抑
制できる。この結果、ダイナミックバーンインテスト機
能の導入を容易化する。
As a result, in the semiconductor integrated circuit of the present embodiment, the dynamic burn-in test function is incorporated into the test circuit as a part of the functional test mode, so that the dynamic burn-in test can be easily performed by the conventional equipment corresponding to the static burn-in. Not only will it be possible, but it will also be possible to carry out functional tests to confirm more complicated functions and performance of internal circuits. Moreover, by sharing the common parts of the signals and circuits of the dynamic burn-in test function and the general function test function, it is possible to suppress an increase in the overall circuit size to a minimum and suppress an increase in the chip area. As a result, the introduction of the dynamic burn-in test function is facilitated.

【0018】また、上記のようにダイナミックバーンイ
ンテスト機能を機能テストモードの一部としてテスト回
路に組込むことにより、回路設計段階からより効果的、
効率的なダイナミックバーンインテストシステムを構築
することが可能となり、また発生するダイナミックバー
ンインテスト信号を内部回路の機能確認用として用いる
テストシステムの設計も可能となる。
Further, by incorporating the dynamic burn-in test function into the test circuit as a part of the functional test mode as described above, it is more effective from the circuit design stage.
It is possible to construct an efficient dynamic burn-in test system, and it is also possible to design a test system that uses the generated dynamic burn-in test signal to confirm the function of the internal circuit.

【0019】さらに、上記ダイナミックバーンインテス
ト信号を外部に出力することにより、クロック発生回路
とダイナミックバーンインテスト信号発生回路の動作確
認を製造時の選別検査段階で実施できる。
Further, by outputting the above-mentioned dynamic burn-in test signal to the outside, the operation confirmation of the clock generation circuit and the dynamic burn-in test signal generation circuit can be carried out at the selection inspection stage at the time of manufacturing.

【0020】このように、ダイナミックバーンインテス
ト信号を機能テスト用のテスト回路に供給することによ
り、相互にそれぞれの機能を補強しあいより強力なテス
トシステムを構築できる。
As described above, by supplying the dynamic burn-in test signal to the test circuit for the function test, the respective functions can be mutually reinforced and a more powerful test system can be constructed.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路は、ダイナミックバーンインテスト機能を機能テ
ストモードの一部としてテスト回路に組込むことによ
り、ダイナミックバーンインテストを従来のスタティッ
クバーンイン対応の設備で容易に実施可能とするばかり
でなく、内部回路のより複雑な機能・性能を確認する機
能テストを実施可能とするという効果がある。
As described above, the semiconductor integrated circuit of the present invention incorporates the dynamic burn-in test function into the test circuit as a part of the functional test mode, so that the dynamic burn-in test can be performed with conventional static burn-in compatible equipment. The effect is not only that it can be easily implemented, but also that it is possible to perform a functional test that confirms the more complicated function and performance of the internal circuit.

【0022】また、全体の回路規模の増加を最小限に抑
制でき、コスト上昇要因となるチップ面積の増加を抑制
できるので、ダイナミックバーンインテスト機能の導入
を容易化するという効果がある。
Further, an increase in the overall circuit scale can be suppressed to a minimum, and an increase in chip area, which causes a cost increase, can be suppressed. Therefore, there is an effect that the introduction of the dynamic burn-in test function is facilitated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の半導体集積回路の一実施の形態を示す
ブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a semiconductor integrated circuit of the present invention.

【図2】従来の半導体集積回路の一例を示すブロック図
である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating an example of a conventional semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 クロック信号発生回路 2 ダイナミックバーンインテスト信号発生回路 3 テストモード設定回路 4〜6 テスト回路 7〜9 内部回路ブロック 10 テスト信号挿入回路 1 Clock signal generation circuit 2 Dynamic burn-in test signal generation circuit 3 Test mode setting circuit 4-6 Test circuit 7-9 Internal circuit block 10 Test signal insertion circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被テスト回路の全入力端子に前記テスト
信号を供給して実使用状態に近い状態で動作させるダイ
ナミックバーンインテストモードを設定する第1のテス
トモード信号の供給に応答して試験用のクロック信号を
発生するクロック発生回路と、前記第1のテストモード
信号の供給に応答して活性化し前記クロック信号の供給
に応答してダイナミックバーンイン用のバーンインテス
ト信号を発生するダイナミックバーンインテスト信号発
生回路とを備える半導体集積回路において、 前記第1のテストモード信号の供給に応答して前記被テ
スト回路の機能・性能を確認する機能テストモードと前
記バーンインテストモードとを切替えるとともに前記機
能テストモード設定時には前記機能テストモードの1つ
を設定する第2のテストモード信号の供給に応答して対
応の機能テスト信号を出力するテストモード設定回路
と、 前記機能テスト信号または前記バーンインテスト信号の
供給に応答して前記被テスト回路のテストを実行するテ
スト回路とを備えることを特徴とする半導体集積回路。
1. A test in response to supply of a first test mode signal for setting a dynamic burn-in test mode in which the test signal is supplied to all input terminals of a circuit under test to operate in a state close to an actual use state. And a dynamic burn-in test signal generation circuit for generating a burn-in test signal for dynamic burn-in in response to the supply of the clock signal. And a burn-in test mode for confirming the function / performance of the circuit under test in response to the supply of the first test mode signal. Sometimes a second test mode that sets one of the functional test modes A test mode setting circuit that outputs a corresponding functional test signal in response to the supply of a signal, and a test circuit that executes a test of the circuit under test in response to the supply of the functional test signal or the burn-in test signal A semiconductor integrated circuit characterized by the above.
【請求項2】 前記第1のテストモード信号が論理0,
1の2値レベル信号であり、前記第2のテストモード信
号がシリアルコードで構成されていることを特徴とする
請求項1記載の半導体集積回路。
2. The first test mode signal is a logic 0,
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the second test mode signal is a binary level signal of 1, and the second test mode signal is composed of a serial code.
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