JPH09223806A - 光半導体モジュール - Google Patents
光半導体モジュールInfo
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- JPH09223806A JPH09223806A JP8029769A JP2976996A JPH09223806A JP H09223806 A JPH09223806 A JP H09223806A JP 8029769 A JP8029769 A JP 8029769A JP 2976996 A JP2976996 A JP 2976996A JP H09223806 A JPH09223806 A JP H09223806A
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- Japan
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- package
- optical fiber
- optical semiconductor
- optical
- metal pipe
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ファイバを固定している接着剤やパッケー
ジ内部に配設された光半導体素子への影響を最小限に抑
え、且つ高い気密度を確保できる光半導体モジュールを
提供する。 【解決手段】 低融点ガラス１２による気密封止を短尺
の光ファイバ９と金属パイプ１０との間のみに使用し、
パッケージ４とキャップ８との気密封止には半田プリフ
ォーム７を使用する。光ファイバ９を固定している接着
剤やパッケージ４内部に配設された光半導体素子１への
影響を最小限に抑制した状態でパッケージ４の気密封止
を行うことができる。また、気密封止には、低融点ガラ
スと半田封止という高気密度封止に適した工法を採用し
たため、気密の信頼性が高くなる。
ジ内部に配設された光半導体素子への影響を最小限に抑
え、且つ高い気密度を確保できる光半導体モジュールを
提供する。 【解決手段】 低融点ガラス１２による気密封止を短尺
の光ファイバ９と金属パイプ１０との間のみに使用し、
パッケージ４とキャップ８との気密封止には半田プリフ
ォーム７を使用する。光ファイバ９を固定している接着
剤やパッケージ４内部に配設された光半導体素子１への
影響を最小限に抑制した状態でパッケージ４の気密封止
を行うことができる。また、気密封止には、低融点ガラ
スと半田封止という高気密度封止に適した工法を採用し
たため、気密の信頼性が高くなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体モジュー
ル、特に半導体素子を内蔵した気密封止パッケージにお
いて半導体素子を光学的に結合させた光ファイバをパッ
ケージの外部に取り出すための気密封止構造を有する半
導体モジュールに関する。
ル、特に半導体素子を内蔵した気密封止パッケージにお
いて半導体素子を光学的に結合させた光ファイバをパッ
ケージの外部に取り出すための気密封止構造を有する半
導体モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体モジュールにおける半導体
素子は、パッケージのキャビティ部に配設されたシリコ
ン基板に装着されているため、キャビティ部を気密封止
する必要がある。この気密封止は、パッケージにキャッ
プをかぶせることにより行われるが、フェルールに固定
された光ファイバ部を直接気密封止する構造になるた
め、この光ファイバ部を気密封止する方法が重要な問題
になっていた。
素子は、パッケージのキャビティ部に配設されたシリコ
ン基板に装着されているため、キャビティ部を気密封止
する必要がある。この気密封止は、パッケージにキャッ
プをかぶせることにより行われるが、フェルールに固定
された光ファイバ部を直接気密封止する構造になるた
め、この光ファイバ部を気密封止する方法が重要な問題
になっていた。
【０００３】従来、気密封止の工法は、半田封止、ガラ
ス封止、樹脂封止、およびシーム封止があるが、光ファ
イバを直接気密封止することができる工法としては、半
田封止、ガラス封止、及び樹脂封止が用いられている。
ス封止、樹脂封止、およびシーム封止があるが、光ファ
イバを直接気密封止することができる工法としては、半
田封止、ガラス封止、及び樹脂封止が用いられている。
【０００４】図３には、従来の半導体モジュールの一例
（特願平６−１０９２８３）が示されている。この例の
半導体モジュールは、光半導体素子３０、光半導体素子
３０と光学的に結合される短尺光ファイバ３１、短尺光
ファイバ３１が収容されるフェルール３３、フェルール
３３の外径よりわずかに大きな内径を有し、フェルール
３３に篏合されるスリーブ部３４により構成されてい
る。
（特願平６−１０９２８３）が示されている。この例の
半導体モジュールは、光半導体素子３０、光半導体素子
３０と光学的に結合される短尺光ファイバ３１、短尺光
ファイバ３１が収容されるフェルール３３、フェルール
３３の外径よりわずかに大きな内径を有し、フェルール
３３に篏合されるスリーブ部３４により構成されてい
る。
【０００５】光半導体素子３０は、シリコン基板３２に
ＡｕＳｎにより接合されている。一方、短尺光ファイバ
３１の光半導体素子３０と光結合する面と反対側の部分
は、あかじめフェルール３３に収容され、接着剤により
固着されている。
ＡｕＳｎにより接合されている。一方、短尺光ファイバ
３１の光半導体素子３０と光結合する面と反対側の部分
は、あかじめフェルール３３に収容され、接着剤により
固着されている。
【０００６】また、短尺光ファイバ３１は、その先端コ
ア部がフッ酸による化学エッチングにより凸面加工され
ており、予め化学エッチングにより設けられたシリコン
基板３２のＶ溝上に配設され、半田または接着剤により
固着され、光半導体素子３０と光学的に結合されてい
る。
ア部がフッ酸による化学エッチングにより凸面加工され
ており、予め化学エッチングにより設けられたシリコン
基板３２のＶ溝上に配設され、半田または接着剤により
固着され、光半導体素子３０と光学的に結合されてい
る。
【０００７】フェルール３３はスリーブ３４に挿入さ
れ、スリーブ３４はフェルール３３よりわずかに大きい
内径を有し、半導体モジュール３００のパッケージ３５
に配設され、フェルール３３の根元はパッケージ３５に
固着されている。
れ、スリーブ３４はフェルール３３よりわずかに大きい
内径を有し、半導体モジュール３００のパッケージ３５
に配設され、フェルール３３の根元はパッケージ３５に
固着されている。
【０００８】この例の半導体モジュール３００の組立方
法としては、まず光半導体素子３０がＡｕＳｎ半田によ
り接合されたシリコン基板３２をパッケージ３５のキャ
ビティ部４０に配設する。次に、フェルール３３に固定
させた短尺光ファイバ３１をシリコン基板３２のＶ溝上
に配設し、固定する。次に、パッケージ３５にキャップ
をかぶせる。以上の方法により、光半導体素子３０が配
設された半導体モジュール３００のキャビティ部４０の
気密封止が行われていた。
法としては、まず光半導体素子３０がＡｕＳｎ半田によ
り接合されたシリコン基板３２をパッケージ３５のキャ
ビティ部４０に配設する。次に、フェルール３３に固定
させた短尺光ファイバ３１をシリコン基板３２のＶ溝上
に配設し、固定する。次に、パッケージ３５にキャップ
をかぶせる。以上の方法により、光半導体素子３０が配
設された半導体モジュール３００のキャビティ部４０の
気密封止が行われていた。
【０００９】しかし、半田封止は、光ファイバが石英ガ
ラスであることから、直接半田をつけることができず、
半田封止を行うためには光ファイバに予め金属コート等
の処理を施す必要があった。しかしながら、この金属コ
ートには高いコストが必要であり、また、金属コートを
行うことで光ファイバの外径がばらつくという問題が発
生し、シリコン基板のＶ溝上に光ファイバを固定したと
きに光ファイバの中心位置がばらつくという欠点があっ
た。
ラスであることから、直接半田をつけることができず、
半田封止を行うためには光ファイバに予め金属コート等
の処理を施す必要があった。しかしながら、この金属コ
ートには高いコストが必要であり、また、金属コートを
行うことで光ファイバの外径がばらつくという問題が発
生し、シリコン基板のＶ溝上に光ファイバを固定したと
きに光ファイバの中心位置がばらつくという欠点があっ
た。
【００１０】また、光ファイバを直接気密封止する工法
の内、ガラス封止は、通常ガラス封止に使用する低融点
ガラスの融点が４５０℃以上と高いため、パッケージ全
体の気密封止に適用した場合、シリコン基板に光半導体
素子を配設する際に使用したＡｕＳｎ半田が再溶融する
ことになり、光半導体素子の配設位置のずれが発生し、
また接合部の信頼性の低下を招くという問題が生じてい
た。
の内、ガラス封止は、通常ガラス封止に使用する低融点
ガラスの融点が４５０℃以上と高いため、パッケージ全
体の気密封止に適用した場合、シリコン基板に光半導体
素子を配設する際に使用したＡｕＳｎ半田が再溶融する
ことになり、光半導体素子の配設位置のずれが発生し、
また接合部の信頼性の低下を招くという問題が生じてい
た。
【００１１】また、光ファイバを直接気密封止する工法
の内、樹脂封止では、光半導体素子が必要とする10-8at
m・cc/sec. オーダーの気密度を満足させることが困難
であり、且つ湿度に対する気密部の信頼性が低いという
問題があった。
の内、樹脂封止では、光半導体素子が必要とする10-8at
m・cc/sec. オーダーの気密度を満足させることが困難
であり、且つ湿度に対する気密部の信頼性が低いという
問題があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の欠点
を解消し、光ファイバを固定している接着剤やパッケー
ジ内部に配設された光半導体素子への影響を最小限に抑
え、且つ高い気密度を実現することができる半導体モジ
ュールを提供することを目的とする。
を解消し、光ファイバを固定している接着剤やパッケー
ジ内部に配設された光半導体素子への影響を最小限に抑
え、且つ高い気密度を実現することができる半導体モジ
ュールを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体モジュー
ルは、光半導体素子と、光半導体素子と光学的に結合さ
れる光ファイバと、光ファイバを固定するフェルール
と、光半導体素子と光ファイバを収納するパッケージと
を有し、光ファイバは光ファイバの外径より大きい内径
を有し光ファイバより短い金属パイプに挿通され、低融
点ガラスにより金属パイプに固定され、光ファイバを固
定した金属パイプはフェルールと接着固定され、光半導
体素子を実装した基板がパッケージのキャビティに配置
され、光ファイバはパッケージ内の所定の位置に固定さ
れ、金属パイプはパッケージ上端面とパッケージを封止
するキャップとにより半田付けされる。
ルは、光半導体素子と、光半導体素子と光学的に結合さ
れる光ファイバと、光ファイバを固定するフェルール
と、光半導体素子と光ファイバを収納するパッケージと
を有し、光ファイバは光ファイバの外径より大きい内径
を有し光ファイバより短い金属パイプに挿通され、低融
点ガラスにより金属パイプに固定され、光ファイバを固
定した金属パイプはフェルールと接着固定され、光半導
体素子を実装した基板がパッケージのキャビティに配置
され、光ファイバはパッケージ内の所定の位置に固定さ
れ、金属パイプはパッケージ上端面とパッケージを封止
するキャップとにより半田付けされる。
【００１４】本発明の半導体モジュールはまた、フェル
ールに光ファイバおよび金属パイプが挿通される開口部
が形成されている。
ールに光ファイバおよび金属パイプが挿通される開口部
が形成されている。
【００１５】本発明の光半導体モジュールはまた、パッ
ケージとキャップとが、金属パイプが配設される部分の
切り欠きを有する形状に加工された半田プリフォームに
より半田付けされる。
ケージとキャップとが、金属パイプが配設される部分の
切り欠きを有する形状に加工された半田プリフォームに
より半田付けされる。
【００１６】本発明の光半導体モジュールはまた、パッ
ケージに金属パイプを配設させる部分の切り欠きが形成
されている。
ケージに金属パイプを配設させる部分の切り欠きが形成
されている。
【００１７】本発明の光半導体モジュールはさらに、光
ファイバは、パッケージに形成されたキャビティ部内の
光半導体素子が装着された基板に固定される。
ファイバは、パッケージに形成されたキャビティ部内の
光半導体素子が装着された基板に固定される。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１には、本発明による光半導体
モジュールの一実施形態の斜視図が、また図２には同実
施形態の断面図が示されている。本実施例の光半導体モ
ジュールは、主に光半導体素子１、上部にＶ溝３が形成
されたシリコン基板２、パッケージ４、パッケージ４に
形成されたキャビティ部５、キャビティ部５を気密封止
するキャップ８、および光ファイバ９から構成されてい
る。
モジュールの一実施形態の斜視図が、また図２には同実
施形態の断面図が示されている。本実施例の光半導体モ
ジュールは、主に光半導体素子１、上部にＶ溝３が形成
されたシリコン基板２、パッケージ４、パッケージ４に
形成されたキャビティ部５、キャビティ部５を気密封止
するキャップ８、および光ファイバ９から構成されてい
る。
【００１９】光半導体素子１は、シリコン基板２の所定
の位置に装着され、シリコン基板２はパッケージ４に形
成されたキャビティ部５に固着されている。また、シリ
コン基板２上部に形成されたＶ溝３には光ファイバ９が
固定され、光半導体素子１と光ファイバ９とが光学的に
結合されるように構成されている。また、パッケージ４
のキャビティ部５上部には、キャビティ部５を気密封止
させるためのキャップ８が取着されている。
の位置に装着され、シリコン基板２はパッケージ４に形
成されたキャビティ部５に固着されている。また、シリ
コン基板２上部に形成されたＶ溝３には光ファイバ９が
固定され、光半導体素子１と光ファイバ９とが光学的に
結合されるように構成されている。また、パッケージ４
のキャビティ部５上部には、キャビティ部５を気密封止
させるためのキャップ８が取着されている。
【００２０】ここで、本実施例の光半導体モジュールの
組み立て工程を説明する。まず、貫通穴が設けられた金
属パイプ１０に光ファイバ９を通し、光ファイバ９を低
融点ガラス１２により金属パイプ１０に気密封止固定す
る。低融点ガラス１２を加熱する際は、整列用冶具等に
金属パイプ１０を立てておき、貫通穴に光ファイバ９を
貫通させた後、低融点ガラス１２を光ファイバ９と金属
パイプ１０の間に挿着させて冶具ごと加熱炉に入れて加
熱させる。
組み立て工程を説明する。まず、貫通穴が設けられた金
属パイプ１０に光ファイバ９を通し、光ファイバ９を低
融点ガラス１２により金属パイプ１０に気密封止固定す
る。低融点ガラス１２を加熱する際は、整列用冶具等に
金属パイプ１０を立てておき、貫通穴に光ファイバ９を
貫通させた後、低融点ガラス１２を光ファイバ９と金属
パイプ１０の間に挿着させて冶具ごと加熱炉に入れて加
熱させる。
【００２１】次に、フェルール１１に光ファイバ９を接
着固定する。接着には例えばエポキシ系の接着剤を使用
するが、このエポキシ系接着剤は低融点ガラス１２を溶
融する際の４００℃〜４５０℃の熱には耐えられない。
そこで、低融点ガラス１２による気密封止固定をした後
に、光ファイバ９をフェルール１１に接着固定する。
着固定する。接着には例えばエポキシ系の接着剤を使用
するが、このエポキシ系接着剤は低融点ガラス１２を溶
融する際の４００℃〜４５０℃の熱には耐えられない。
そこで、低融点ガラス１２による気密封止固定をした後
に、光ファイバ９をフェルール１１に接着固定する。
【００２２】なお、光ファイバ９には、通常、折損防止
のため保護被覆が施されているが、この保護被覆には耐
熱性がないため、短尺の光ファイバ素線を使用し、また
光ファイバコードとの接続を考慮してフェルール１１に
接着固定する構造としている。フェルール１１に光ファ
イバ９を接着固定した後、フェルール１１の先端を光学
研磨する。
のため保護被覆が施されているが、この保護被覆には耐
熱性がないため、短尺の光ファイバ素線を使用し、また
光ファイバコードとの接続を考慮してフェルール１１に
接着固定する構造としている。フェルール１１に光ファ
イバ９を接着固定した後、フェルール１１の先端を光学
研磨する。
【００２３】光半導体素子１が所定の位置に装着された
シリコン基板２は、パッケージ４に形成されたキャビテ
ィ部５の所定の位置に固着する。次に、シリコン基板２
に装着した光半導体素子１からの出射光が結合するよう
に光軸を一致させたＶ溝３に光ファイバ９を固定し、光
半導体素子１と光ファイバ９とを光学的に結合させる。
これにより、光学系が完成することになる。なお、パッ
ケージ４には、フェルール１１を固定するための溝６が
設けられており、溝６の深さはフェルール１１の半径以
下の所定の深さに形成されている。
シリコン基板２は、パッケージ４に形成されたキャビテ
ィ部５の所定の位置に固着する。次に、シリコン基板２
に装着した光半導体素子１からの出射光が結合するよう
に光軸を一致させたＶ溝３に光ファイバ９を固定し、光
半導体素子１と光ファイバ９とを光学的に結合させる。
これにより、光学系が完成することになる。なお、パッ
ケージ４には、フェルール１１を固定するための溝６が
設けられており、溝６の深さはフェルール１１の半径以
下の所定の深さに形成されている。
【００２４】パッケージ４に形成されたキャビティ部５
の壁面上部には、気密封止用の半田プリフォーム７を配
設する。半田プリフォーム７には、金属パイプ１０を貫
通させるための切欠きを設けておいてもよい。また、半
田封止が可能なようにパッケージ４の上面はメタライズ
しておく。同様にキャップ８もメタライズしたものを使
用する。キャップ８をパッケージ４上部に配設した半田
プリフォーム７に装着し、加熱する。加熱温度は、半田
プリフォーム７の溶解温度よりも若干高く設定し、完全
に半田プリフォーム７が溶解することによりパッケージ
４、金属パイプ１０、およびキャップ８の半田封止を行
う。
の壁面上部には、気密封止用の半田プリフォーム７を配
設する。半田プリフォーム７には、金属パイプ１０を貫
通させるための切欠きを設けておいてもよい。また、半
田封止が可能なようにパッケージ４の上面はメタライズ
しておく。同様にキャップ８もメタライズしたものを使
用する。キャップ８をパッケージ４上部に配設した半田
プリフォーム７に装着し、加熱する。加熱温度は、半田
プリフォーム７の溶解温度よりも若干高く設定し、完全
に半田プリフォーム７が溶解することによりパッケージ
４、金属パイプ１０、およびキャップ８の半田封止を行
う。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明より明かなように、本発明の
光半導体モジュールによれば、低融点ガラスによる気密
封止を短尺の光ファイバと金属パイプとの間にのみ使用
し、その他の気密封止は半田封止を採用したため、光フ
ァイバを固定している接着剤やパッケージ内部の光半導
体素子等への熱による影響を最小限に抑制した状態でパ
ッケージの気密封止を行うことが可能になる。
光半導体モジュールによれば、低融点ガラスによる気密
封止を短尺の光ファイバと金属パイプとの間にのみ使用
し、その他の気密封止は半田封止を採用したため、光フ
ァイバを固定している接着剤やパッケージ内部の光半導
体素子等への熱による影響を最小限に抑制した状態でパ
ッケージの気密封止を行うことが可能になる。
【００２６】また、気密封止を行う際、低融点ガラスと
半田封止という高気密度封止に適した工法を採用してい
るため、気密の信頼性が高くなる。
半田封止という高気密度封止に適した工法を採用してい
るため、気密の信頼性が高くなる。
【００２７】さらに、光ファイバを低融点ガラスを使用
して金属パイプに固定する際、整列用冶具等の型に金属
パイプを立て、金属パイプの貫通穴に光ファイバを挿着
させた後、低融点ガラスを金属パイプと光ファイバとの
間に注入し、冶具ごと加熱炉に入れて加熱させることが
できるため、多量の光ファイバをバッチ処理させること
ができ、量産が可能となる。
して金属パイプに固定する際、整列用冶具等の型に金属
パイプを立て、金属パイプの貫通穴に光ファイバを挿着
させた後、低融点ガラスを金属パイプと光ファイバとの
間に注入し、冶具ごと加熱炉に入れて加熱させることが
できるため、多量の光ファイバをバッチ処理させること
ができ、量産が可能となる。
【図１】本発明の光半導体モジュールの構成例を示す斜
視図である。
視図である。
【図２】図１に示す光半導体モジュールの断面図であ
る。
る。
【図３】従来の光半導体モジュールの構成例を示す断面
図である。
図である。
１、３０ 光半導体素子 ２、３２ シリコン基板 ３ Ｖ溝 ４、３５ パッケージ ５、４０ キャビティ部 ７ 半田プリフォーム ８ キャップ ９、３１ 光ファイバ １０ 金属パイプ １１、３３ フェルール １２ 低融点ガラス
Claims (5)
- 【請求項１】 光半導体素子と、 該光半導体素子と光学的に結合される光ファイバと、 該光ファイバを固定するフェルールと、 前記光半導体素子と前記光ファイバを収納するパッケー
ジとを有し、 前記光ファイバは該光ファイバの外径より大きい内径を
有し前記光ファイバより短い金属パイプに挿通され、低
融点ガラスにより前記金属パイプに固定され、前記光フ
ァイバを固定した前記金属パイプは前記フェルールと接
着固定され、前記光半導体素子を実装した基板が前記パ
ッケージのキャビティに配置され、前記光ファイバは前
記パッケージ内の所定の位置に固定され、前記金属パイ
プは前記パッケージ上端面と該パッケージを封止するキ
ャップが半田付けされることにより気密封止されるよう
に構成されていることを特徴とする光半導体モジュー
ル。 - 【請求項２】 前記フェルールには、前記光ファイバお
よび前記金属パイプが挿通される開口部が形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の光半導体モジュー
ル。 - 【請求項３】 前記パッケージと前記キャップとは、前
記金属パイプが配設される部分の切り欠きを有する形状
に加工された半田プリフォームにより半田付けされるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の光半導体モジュ
ール。 - 【請求項４】 前記パッケージには前記金属パイプを配
設される部分の切り欠きが形成されていることを特徴と
する請求項１から３のいずれか１項に記載の光半導体モ
ジュール。 - 【請求項５】 前記光ファイバは、前記パッケージに形
成されたキャビティ部内の前記光半導体素子が装着され
た基板に固定されることを特徴とする請求項１から４の
いずれか１項に記載の光半導体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8029769A JP2800760B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 光半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8029769A JP2800760B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 光半導体モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223806A true JPH09223806A (ja) | 1997-08-26 |
| JP2800760B2 JP2800760B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=12285256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8029769A Expired - Lifetime JP2800760B2 (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | 光半導体モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2800760B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001004876A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Nec Corp | フェルール固定構造 |
| US6477302B2 (en) | 2000-01-12 | 2002-11-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microbench and producing method therefor, and optical semiconductor module using same |
| RU2510103C2 (ru) * | 2009-07-30 | 2014-03-20 | Нитиа Корпорейшн | Светоизлучающее устройство и способ его изготовления |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5472185B2 (ja) | 2011-03-31 | 2014-04-16 | 住友大阪セメント株式会社 | 光デバイスの封止構造、及び光デバイスの製造方法 |
-
1996
- 1996-02-16 JP JP8029769A patent/JP2800760B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001004876A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Nec Corp | フェルール固定構造 |
| US6477302B2 (en) | 2000-01-12 | 2002-11-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microbench and producing method therefor, and optical semiconductor module using same |
| RU2510103C2 (ru) * | 2009-07-30 | 2014-03-20 | Нитиа Корпорейшн | Светоизлучающее устройство и способ его изготовления |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2800760B2 (ja) | 1998-09-21 |
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