JPH0922270A - フラットディスプレイスクリーンの制御方法 - Google Patents
フラットディスプレイスクリーンの制御方法Info
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- JPH0922270A JPH0922270A JP8166683A JP16668396A JPH0922270A JP H0922270 A JPH0922270 A JP H0922270A JP 8166683 A JP8166683 A JP 8166683A JP 16668396 A JP16668396 A JP 16668396A JP H0922270 A JPH0922270 A JP H0922270A
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- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
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- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラードリフト及びスクリーンの電圧降伏の
問題を解決する方法を提供する。 【解決手段】 カソード発光スクリーンの制御方法は、
その間、少なくともアノードの部分が低レベル電圧であ
り、かつ対応する複数カソードが放射状態にバイアスさ
れる間の再生段階を提供することからなる。スクリーン
がマイクロチップカラースクリーンであるとき、再生段
階が動作段階の間に提供され、かつ再生段階中に全ての
アノードが低レベル電圧になり、かつマイクロチップ及
びゲートが放射状態にバイアスされる。
問題を解決する方法を提供する。 【解決手段】 カソード発光スクリーンの制御方法は、
その間、少なくともアノードの部分が低レベル電圧であ
り、かつ対応する複数カソードが放射状態にバイアスさ
れる間の再生段階を提供することからなる。スクリーン
がマイクロチップカラースクリーンであるとき、再生段
階が動作段階の間に提供され、かつ再生段階中に全ての
アノードが低レベル電圧になり、かつマイクロチップ及
びゲートが放射状態にバイアスされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットディスプ
レイスクリーンに、より詳細にはアノードが絶縁領域に
よって互いに離隔されて蛍光素子を支持し、かつ電気的
な衝撃によって励起できるカソード発光スクリーンと称
されるスクリーンに関する。電気的な衝撃は、バイアス
すべき蛍光素子を必要とし、かつマイクロチップ、低い
抽出電位層又は熱イオン源によって発生させることがで
きる。
レイスクリーンに、より詳細にはアノードが絶縁領域に
よって互いに離隔されて蛍光素子を支持し、かつ電気的
な衝撃によって励起できるカソード発光スクリーンと称
されるスクリーンに関する。電気的な衝撃は、バイアス
すべき蛍光素子を必要とし、かつマイクロチップ、低い
抽出電位層又は熱イオン源によって発生させることがで
きる。
【０００２】
【従来の技術】以下の記述を簡単にするために、マイク
ロチップを含むカラースクリーンのみが記述されている
が、本発明はより一般に、種々の前述されたスクリーン
の型又は類似に関することを述べていく。
ロチップを含むカラースクリーンのみが記述されている
が、本発明はより一般に、種々の前述されたスクリーン
の型又は類似に関することを述べていく。
【０００３】図１は、マイクロチップを含むカラーフラ
ットディスプレイスクリーンの構造を説明する。
ットディスプレイスクリーンの構造を説明する。
【０００４】このようなマイクロチップスクリーンは、
主に、マイクロチップ２を含むカソード１と、マイクロ
チップ２の位置に相当するホール４を有するゲート３と
によって構成される。カソード１は、スクリーン表面を
構成するガラス基板６上に形成されたカソード発光アノ
ード５に対向するように配置される。
主に、マイクロチップ２を含むカソード１と、マイクロ
チップ２の位置に相当するホール４を有するゲート３と
によって構成される。カソード１は、スクリーン表面を
構成するガラス基板６上に形成されたカソード発光アノ
ード５に対向するように配置される。
【０００５】このようなマイクロチップスクリーンの動
作と詳細な構造は、コミッサリア・タ・レネルジー・ア
トミークに譲渡された米国特許第４，９４０，９１６号
に記述されている。
作と詳細な構造は、コミッサリア・タ・レネルジー・ア
トミークに譲渡された米国特許第４，９４０，９１６号
に記述されている。
【０００６】カソード１は、行に配置され、ガラス基板
１０上に、導電層を網状に配列したカソード導体から構
成される。マイクロチップ２は、カソード導体上にデポ
ジットされている抵抗層１１上に配置されており、カソ
ード導体で規定された網の内側に配置されている。図１
は、カソード導体を除く、網の内側を部分的に表してい
る。カソード１は、列に配列されているゲート３と係合
する。カソード１の１つの行とゲート３の一つの列の交
点は、画素と規定する。
１０上に、導電層を網状に配列したカソード導体から構
成される。マイクロチップ２は、カソード導体上にデポ
ジットされている抵抗層１１上に配置されており、カソ
ード導体で規定された網の内側に配置されている。図１
は、カソード導体を除く、網の内側を部分的に表してい
る。カソード１は、列に配列されているゲート３と係合
する。カソード１の１つの行とゲート３の一つの列の交
点は、画素と規定する。
【０００７】この装置は、電子がマイクロチップ２から
飛ばされるように、カソード１とゲート３との間で発生
された電場を用いる。従って適切にバイアスされたな
ら、電子はアノード５の蛍光素子７によって引きつけら
れる。カラースクリーンにおいて、アノード５は、互い
違いの蛍光ストリップ７ｒ、７ｇ及び７ｂを有し、各ス
トリップは、色（赤、緑、青）に対応する。これらのス
トリップは、絶縁体８で互いに離隔されている。蛍光素
子７は、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）のような、対
応する透明導電層のストリップによって構成された電極
９上にデポジットされている。赤、緑及び青のストリッ
プ群は、１つの画素のカソード／ゲートのマイクロチッ
プ２から抽出された電子が、対向している各色の蛍光素
子７の方向へ交互に向けられるように、カソード１に対
して互い違いにバイアスされる。
飛ばされるように、カソード１とゲート３との間で発生
された電場を用いる。従って適切にバイアスされたな
ら、電子はアノード５の蛍光素子７によって引きつけら
れる。カラースクリーンにおいて、アノード５は、互い
違いの蛍光ストリップ７ｒ、７ｇ及び７ｂを有し、各ス
トリップは、色（赤、緑、青）に対応する。これらのス
トリップは、絶縁体８で互いに離隔されている。蛍光素
子７は、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）のような、対
応する透明導電層のストリップによって構成された電極
９上にデポジットされている。赤、緑及び青のストリッ
プ群は、１つの画素のカソード／ゲートのマイクロチッ
プ２から抽出された電子が、対向している各色の蛍光素
子７の方向へ交互に向けられるように、カソード１に対
して互い違いにバイアスされる。
【０００８】カソード１のマイクロチップ２から発生さ
れる電子によって衝突させなければならない蛍光素子７
（図１の蛍光素子７ｇ）の選択は、アノード５の各色に
対する蛍光素子７をバイアスする選択的な制御を必要と
する。
れる電子によって衝突させなければならない蛍光素子７
（図１の蛍光素子７ｇ）の選択は、アノード５の各色に
対する蛍光素子７をバイアスする選択的な制御を必要と
する。
【０００９】図２は、従来のカラースクリーンのアノー
ドの構造を概略的に説明している。図２は、公知技術に
より製造されたアノードを表す、蛍光素子の近くの部分
的な平面図である。基板６上にデポジットされたアノー
ドストリップ９は、蛍光素子７の色ごとに、スクリーン
の有用な表面の外側に内部接続される。ストリップ９
は、制御装置（表されていない）に接続されるべく存在
する。アノード電極９ｇ及び９ｂの２つの内部接続パス
１２及び１３はそれぞれ、３つの色の蛍光素子のうちの
２つ（例えば７ｇ及び７ｂ）に対して形成される。絶縁
層１４（図２の破線に表されている）は、内部接続パス
１３上にデポジットされる。第３の内部接続パス１５
は、絶縁層１４上にデポジットされている導体１６を介
して、第３の色の蛍光素子７ｒのために設計されている
アノード電極ストリップ９ｒへ接続される。
ドの構造を概略的に説明している。図２は、公知技術に
より製造されたアノードを表す、蛍光素子の近くの部分
的な平面図である。基板６上にデポジットされたアノー
ドストリップ９は、蛍光素子７の色ごとに、スクリーン
の有用な表面の外側に内部接続される。ストリップ９
は、制御装置（表されていない）に接続されるべく存在
する。アノード電極９ｇ及び９ｂの２つの内部接続パス
１２及び１３はそれぞれ、３つの色の蛍光素子のうちの
２つ（例えば７ｇ及び７ｂ）に対して形成される。絶縁
層１４（図２の破線に表されている）は、内部接続パス
１３上にデポジットされる。第３の内部接続パス１５
は、絶縁層１４上にデポジットされている導体１６を介
して、第３の色の蛍光素子７ｒのために設計されている
アノード電極ストリップ９ｒへ接続される。
【００１０】一般に、励起されるべき蛍光ストリップ
（例えば図１の７ｇ）がおよそ４００Ｖの電圧にバイア
スされるのに対して、ゲート３の行は、およそ８０Ｖの
電圧に逐次にバイアスされる。残りのストリップ（例え
ば図１の７ｒ及び７ｂ）は、低いか又は零の電圧にバイ
アスされる。カソード１の列は、最大放射電圧から非放
射電圧までの範囲のそれぞれの電圧で接続される。１つ
の行の全ての画素のカラー部品の明るさは、揃って決め
られる。
（例えば図１の７ｇ）がおよそ４００Ｖの電圧にバイア
スされるのに対して、ゲート３の行は、およそ８０Ｖの
電圧に逐次にバイアスされる。残りのストリップ（例え
ば図１の７ｒ及び７ｂ）は、低いか又は零の電圧にバイ
アスされる。カソード１の列は、最大放射電圧から非放
射電圧までの範囲のそれぞれの電圧で接続される。１つ
の行の全ての画素のカラー部品の明るさは、揃って決め
られる。
【００１１】バイアスする電圧の値の選択は、蛍光素子
７及びマイクロチップ２の特性に依存する。従来、カソ
ードとゲートとの間の電圧差が５０Ｖより低いと電子放
射がなく、使用される最大放射は８０Ｖの電圧差に対応
する。
７及びマイクロチップ２の特性に依存する。従来、カソ
ードとゲートとの間の電圧差が５０Ｖより低いと電子放
射がなく、使用される最大放射は８０Ｖの電圧差に対応
する。
【００１２】このようなカラースクリーンを制御するた
めの従来の方法は、数画像／秒からなり、例えば５０〜
６０画像／秒は、各画像を成すためにおよそ２０ｍｓの
持続期間を提供する。この持続期間は、フレーム持続期
間として参照される。
めの従来の方法は、数画像／秒からなり、例えば５０〜
６０画像／秒は、各画像を成すためにおよそ２０ｍｓの
持続期間を提供する。この持続期間は、フレーム持続期
間として参照される。
【００１３】図３に表されているように、フレーム持続
期間中、１つの色に対応する各々３つの画像は、逐次に
形成される。即ちストリップＲ、Ｇ、Ｂは、色の副フレ
ームＴｒ、Ｔｇ、Ｔｂの持続期間中に、選択的に動作す
るべき高レベル電圧に逐次に接続される。従来、色の副
フレームは、間断なく連続的に発生させられ、即ち行／
列が動作しない間の非常に短い時間間隔によって分けら
れる。
期間中、１つの色に対応する各々３つの画像は、逐次に
形成される。即ちストリップＲ、Ｇ、Ｂは、色の副フレ
ームＴｒ、Ｔｇ、Ｔｂの持続期間中に、選択的に動作す
るべき高レベル電圧に逐次に接続される。従来、色の副
フレームは、間断なく連続的に発生させられ、即ち行／
列が動作しない間の非常に短い時間間隔によって分けら
れる。
【００１４】各色の副フレーム中に、図４に表されてい
るように、行Ｌ１．．．Ｌｉ−１，Ｌｉ，Ｌｉ＋
１．．．Ｌｎは、対応する行の全ての画素を、所定の時
間で励起できるように、高レベル電圧に逐次に接続され
る。１つの行がバイアスされる時間中に、カソードの列
の導体は、対応する画素に所望の明るさを加えるに適合
した電圧にセットされる。
るように、行Ｌ１．．．Ｌｉ−１，Ｌｉ，Ｌｉ＋
１．．．Ｌｎは、対応する行の全ての画素を、所定の時
間で励起できるように、高レベル電圧に逐次に接続され
る。１つの行がバイアスされる時間中に、カソードの列
の導体は、対応する画素に所望の明るさを加えるに適合
した電圧にセットされる。
【００１５】少なくとも１つの画像領域において、３つ
の基本色の１つに対応する一定の色を、数秒から２、３
秒の範囲の比較的長い時間で表示することが所望される
とき、このようなフラットディスプレイスクリーンの欠
点が生じる。このために、対応するスクリーン部分が、
３つの副フレームのうちの１つの間だけバイアスされ
る。それにより、色が短い期間の後で変化することを述
べることができる。この現象は、以下にカラードリフト
として参照される。実際に、これは、バイアスされたス
トリップに隣接する蛍光ストリップの少なくとも１つ
が、発光するべく始動することを意味する。
の基本色の１つに対応する一定の色を、数秒から２、３
秒の範囲の比較的長い時間で表示することが所望される
とき、このようなフラットディスプレイスクリーンの欠
点が生じる。このために、対応するスクリーン部分が、
３つの副フレームのうちの１つの間だけバイアスされ
る。それにより、色が短い期間の後で変化することを述
べることができる。この現象は、以下にカラードリフト
として参照される。実際に、これは、バイアスされたス
トリップに隣接する蛍光ストリップの少なくとも１つ
が、発光するべく始動することを意味する。
【００１６】この現象の理由は、明らかには理解されて
いない。この現象は、電子が蛍光ストリップの間の絶縁
領域８内に蓄積し、かつ隣接するストリップの方向への
導電を生み出すという事実によると考えられる。
いない。この現象は、電子が蛍光ストリップの間の絶縁
領域８内に蓄積し、かつ隣接するストリップの方向への
導電を生み出すという事実によると考えられる。
【００１７】この現象を避けるために、従来の技術は種
々の技術を考案してきた。ある技術は、２つの連続する
色の副フレームの間のアノードストリップのバイアス
を、短い時間間隔で分けることと、励起するべき次のア
ノードを正にバイアスする前に、今バイアスしたアノー
ドに負の電圧パルスを印加することとからなる。
々の技術を考案してきた。ある技術は、２つの連続する
色の副フレームの間のアノードストリップのバイアス
を、短い時間間隔で分けることと、励起するべき次のア
ノードを正にバイアスする前に、今バイアスしたアノー
ドに負の電圧パルスを印加することとからなる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、カラー
ドリフト現象の除去に対して満足な結果を与えるこの方
法は、アノード供給電圧の提供を複雑にし、高い値の電
圧（数百Ｖ）であるために、実現が比較的複雑になると
いう欠点を有する。更にこの方法は、スクリーンの明る
さを害する。
ドリフト現象の除去に対して満足な結果を与えるこの方
法は、アノード供給電圧の提供を複雑にし、高い値の電
圧（数百Ｖ）であるために、実現が比較的複雑になると
いう欠点を有する。更にこの方法は、スクリーンの明る
さを害する。
【００１９】モノカラースクリーンにおいてもまた、ス
クリーンが長時間動作されるとき、電圧降伏が時々発生
する。
クリーンが長時間動作されるとき、電圧降伏が時々発生
する。
【００２０】従って本説明の目的は、前述のカラードリ
フト問題を解決するための新しいアプローチを提供する
ことにある。
フト問題を解決するための新しいアプローチを提供する
ことにある。
【００２１】本発明の他の目的は、カラースクリーン又
はモノカラースクリーンの電圧降伏の問題を解決するよ
うな方法もまた、提供することにある。
はモノカラースクリーンの電圧降伏の問題を解決するよ
うな方法もまた、提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、その間、少なくともアノードの部分が低
レベル電圧であり、かつ対応しているカソードが放射状
態にバイアスされる再生段階（ｒｅｇｅｎｅｒａｔｉｏ
ｎ）を提供することからなるカソード発光スクリーンの
制御方法を提供する。
に、本発明は、その間、少なくともアノードの部分が低
レベル電圧であり、かつ対応しているカソードが放射状
態にバイアスされる再生段階（ｒｅｇｅｎｅｒａｔｉｏ
ｎ）を提供することからなるカソード発光スクリーンの
制御方法を提供する。
【００２３】本発明の１つの実施形態によれば、このス
クリーンはマイクロチップスクリーンであり、再生段階
が動作段階の間に提供され、かつ再生段階中に全てのア
ノードが低レベル電圧となり、かつマイクロチップ及び
ゲートが放射状態にバイアスされるマイクロチップスク
リーンである。
クリーンはマイクロチップスクリーンであり、再生段階
が動作段階の間に提供され、かつ再生段階中に全てのア
ノードが低レベル電圧となり、かつマイクロチップ及び
ゲートが放射状態にバイアスされるマイクロチップスク
リーンである。
【００２４】本発明の１つの実施形態によれば、このス
クリーンは、マイクロチップカラースクリーンである。
各アノードは、個々にアドレスできる少なくとも２つの
部分に分けられる。画像が他の部分に形成されるのに対
して、再生段階は第１の部分で実行されており、かつ再
生段階中に、第１のアノード部分が低レベル電圧とな
り、かつ対向するマイクロチップ及びゲートが放射状態
にバイアスされる。
クリーンは、マイクロチップカラースクリーンである。
各アノードは、個々にアドレスできる少なくとも２つの
部分に分けられる。画像が他の部分に形成されるのに対
して、再生段階は第１の部分で実行されており、かつ再
生段階中に、第１のアノード部分が低レベル電圧とな
り、かつ対向するマイクロチップ及びゲートが放射状態
にバイアスされる。
【００２５】本発明の１つの実施形態によれば、再生段
階は各フレームの間に発生する。
階は各フレームの間に発生する。
【００２６】本発明の１つの実施形態によれば、再生段
階の持続期間は、１つの色の副フレームの持続期間より
も短い。
階の持続期間は、１つの色の副フレームの持続期間より
も短い。
【００２７】本発明の１つの実施形態によれば、再生段
階中に、ゲート行が逐次にバイアスされ、カソード列が
高レベル放射電圧にバイアスされる。
階中に、ゲート行が逐次にバイアスされ、カソード列が
高レベル放射電圧にバイアスされる。
【００２８】本発明の１つの実施形態によれば、複数の
ゲートが同時にバイアスされる。
ゲートが同時にバイアスされる。
【００２９】本発明の１つの実施形態によれば、このゲ
ートが逐次にバイアスされ、畳重している。
ートが逐次にバイアスされ、畳重している。
【００３０】本発明の１つの実施形態によれば、このス
クリーンはモノカラースクリーンである。
クリーンはモノカラースクリーンである。
【００３１】本発明の効果は、再生段階中に、アノード
が低レベル電圧になり、電子を引きつけない点にある。
このために、対応している蛍光素子は励起されない。そ
の結果、スクリーンの再生部分は、暗い色を残し、画像
に影響を及ぼさない。
が低レベル電圧になり、電子を引きつけない点にある。
このために、対応している蛍光素子は励起されない。そ
の結果、スクリーンの再生部分は、暗い色を残し、画像
に影響を及ぼさない。
【００３２】本発明の他の効果は、アノード−カソード
電圧降伏が避けられるように、アノード−カソード電圧
を、従来の基準に対して増加できることである。これに
よって、スクリーンの明るさが増加される。
電圧降伏が避けられるように、アノード−カソード電圧
を、従来の基準に対して増加できることである。これに
よって、スクリーンの明るさが増加される。
【００３３】本発明の前述した及び他の目的、特徴、態
様並びに効果は、添付図面に関連した本発明の以下の詳
細な説明から明らかとなるであろう。
様並びに効果は、添付図面に関連した本発明の以下の詳
細な説明から明らかとなるであろう。
【００３４】明確にするために、複数の図は実尺で描か
れてなく、かつ同じ要素は種々の図の中で同じ参照記号
で参照される。
れてなく、かつ同じ要素は種々の図の中で同じ参照記号
で参照される。
【００３５】
【発明の実施の形態】本発明は、画像表示処理内への再
生段階の挿入を提供する。
生段階の挿入を提供する。
【００３６】本発明の第１の実施形態によれば、各再生
段階中に、全てのアノードストリップは低レベル電圧
（電子を引きつけない）にセットされており、かつその
ゲート（行）及びマイクロチップ（カソード列）は、電
子を発生する必ずしも最大ではない高さの電圧を提供す
るように適合された状態の下でバイアスされる。
段階中に、全てのアノードストリップは低レベル電圧
（電子を引きつけない）にセットされており、かつその
ゲート（行）及びマイクロチップ（カソード列）は、電
子を発生する必ずしも最大ではない高さの電圧を提供す
るように適合された状態の下でバイアスされる。
【００３７】再生段階を、２つの連続するフレームの間
に、連続する副フレームの間に、又は所定の数のフレー
ムの後で周期的に提供できる。
に、連続する副フレームの間に、又は所定の数のフレー
ムの後で周期的に提供できる。
【００３８】カラーマイクロチップスクリーンを制御す
る従来の回路の構成のために、各色のフレームの端で再
生段階の発生を簡単にすることが現在のところ考えられ
る。これは好ましい実施形態を参照して、以下に記述さ
れている。しかしながら、この記述は、例としてのみで
あり限定するものではない。
る従来の回路の構成のために、各色のフレームの端で再
生段階の発生を簡単にすることが現在のところ考えられ
る。これは好ましい実施形態を参照して、以下に記述さ
れている。しかしながら、この記述は、例としてのみで
あり限定するものではない。
【００３９】更に、ゲート行及びカソード列に係合する
デコーディング及び供給駆動装置の構造ゆえに、供給電
力が不十分なので、各再生段階中に、全ての行を高い８
０Ｖの電圧に及び全てのカソードを０Ｖに近い低レベル
電圧に同時にセットすることによって全てのマイクロチ
ップを同時に供給することは実際に不可能である。従っ
て好ましくは、再生段階中に、全てのカソードが低レベ
ル電圧で維持されているのに対して、全ての行は、個々
に又は群ごとに、高レベル電圧でそれらを連続的にセッ
トするために素早く逐次に走査される。
デコーディング及び供給駆動装置の構造ゆえに、供給電
力が不十分なので、各再生段階中に、全ての行を高い８
０Ｖの電圧に及び全てのカソードを０Ｖに近い低レベル
電圧に同時にセットすることによって全てのマイクロチ
ップを同時に供給することは実際に不可能である。従っ
て好ましくは、再生段階中に、全てのカソードが低レベ
ル電圧で維持されているのに対して、全ての行は、個々
に又は群ごとに、高レベル電圧でそれらを連続的にセッ
トするために素早く逐次に走査される。
【００４０】図５は、本発明によるマイクロチップカラ
ースクリーンのアノードを制御するための、第１の実施
形態を好ましい実施例を表している。
ースクリーンのアノードを制御するための、第１の実施
形態を好ましい実施例を表している。
【００４１】前述のように、フレーム持続期間Ｔ中に、
色の副フレーム期間Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂは、赤、緑、青の
色の各ストリップが逐次にバイアスされる間に提供され
る。更に、再生段階に対応するデッド時間Ｔｄが提供さ
れる。時間Ｔｄ中に、３色のアノードストリップはどれ
もバイアスされない。対照して、前述で説明したよう
に、カソード−ゲートの組は、電子放射を生じるように
バイアスされる。
色の副フレーム期間Ｔｒ、Ｔｇ、Ｔｂは、赤、緑、青の
色の各ストリップが逐次にバイアスされる間に提供され
る。更に、再生段階に対応するデッド時間Ｔｄが提供さ
れる。時間Ｔｄ中に、３色のアノードストリップはどれ
もバイアスされない。対照して、前述で説明したよう
に、カソード−ゲートの組は、電子放射を生じるように
バイアスされる。
【００４２】図５の期間Ｔは、各副フレームＴｒ、Ｔ
ｇ、Ｔｂの持続期間が減少される場合、図３の期間Ｔと
同じにできる。もしアノード−カソード電圧が増加され
ないなら、期間Ｔｄは、スクリーンの明るさの減少を避
けるために、各々の色の副フレームの期間の持続期間よ
りも短いのが好ましい。
ｇ、Ｔｂの持続期間が減少される場合、図３の期間Ｔと
同じにできる。もしアノード−カソード電圧が増加され
ないなら、期間Ｔｄは、スクリーンの明るさの減少を避
けるために、各々の色の副フレームの期間の持続期間よ
りも短いのが好ましい。
【００４３】前述したように、期間Ｔｄ中に、ゲートの
行が走査され、カソードの行が高い放射電圧にバイアス
され維持される。この走査段階は、従来図４に示されて
いるように実行でき、各ゲートが高レベル電圧に逐次に
バイアスされる。
行が走査され、カソードの行が高い放射電圧にバイアス
され維持される。この走査段階は、従来図４に示されて
いるように実行でき、各ゲートが高レベル電圧に逐次に
バイアスされる。
【００４４】行の走査を短くするために、図６に表され
ているように、例えば３つの行（隣接する必要はない）
を高レベル電圧にするように、同時に行の群をセットす
るか、又は図７に表されているように、重畳方法で行を
バイアスするかどちらか一方を可能とする。図７におい
て、図を簡単にするために、バイアスされた重畳する行
は、隣接するように表されている。実際に、他の解決を
用いることができる。もちろん、図６及び図７の構造に
おいて、同時に又は重畳法によりバイアスされる行の数
は、行及び列の駆動装置の電力特性と一致したままとな
るように選択される。
ているように、例えば３つの行（隣接する必要はない）
を高レベル電圧にするように、同時に行の群をセットす
るか、又は図７に表されているように、重畳方法で行を
バイアスするかどちらか一方を可能とする。図７におい
て、図を簡単にするために、バイアスされた重畳する行
は、隣接するように表されている。実際に、他の解決を
用いることができる。もちろん、図６及び図７の構造に
おいて、同時に又は重畳法によりバイアスされる行の数
は、行及び列の駆動装置の電力特性と一致したままとな
るように選択される。
【００４５】本発明がカラードリフト現象の問題を解決
する理由は、現在のところ発明者によって理論的に説明
されていない。しかしながら、発明者によって一定の色
の部分を有する画像を固定し又は動かして生じた実験
は、カラードリフト現象が、本発明により全体で除去さ
れることを証明した。
する理由は、現在のところ発明者によって理論的に説明
されていない。しかしながら、発明者によって一定の色
の部分を有する画像を固定し又は動かして生じた実験
は、カラードリフト現象が、本発明により全体で除去さ
れることを証明した。
【００４６】本発明の第１の実施形態の効果は、マイク
ロチップスクリーンの制御装置の設計を修正することな
しに所望の結果が得られることである。行、列及びアノ
ードストリップ群のデコードする回路のプログラミング
を修正することで、十分である。走査が非常に高速に実
行でき、かつデッド時間がフレーム及び色の副フレーム
持続期間に対して、非常に短くできることが理解される
であろう。
ロチップスクリーンの制御装置の設計を修正することな
しに所望の結果が得られることである。行、列及びアノ
ードストリップ群のデコードする回路のプログラミング
を修正することで、十分である。走査が非常に高速に実
行でき、かつデッド時間がフレーム及び色の副フレーム
持続期間に対して、非常に短くできることが理解される
であろう。
【００４７】図８は、本発明の第２の実施形態を説明し
ている。この実施形態において、アノードストリップの
構造は、各アノードストリップが少なくとも２つの個々
にアドレスできる（バイアスできる）部分に分けられる
ように、修正される。図８において、参照は図２と同様
に用いられる。各アノードストリップは、２つの部分９
ｂ−９ｂ’、９ｒ−９ｒ’及び９ｇ−９ｇ’に分けられ
る。部分９ｂ、９ｒ及び９ｇは、内部接続パス１２、１
３及び１５にそれぞれ接続される。部分９ｂ’、９ｒ’
及び９ｇ’は、内部接続パス１２’１３’及び１５’に
それぞれ接続される。簡単にするために、これらの部分
が等しく、かつこのスクリーンが上側部分及び下側部分
に共有されると仮定する。従ってゲートの上部の行が表
示用に逐次にバイアスされるのに対して、アノードの上
半分はバイアスされ（１つの色で）、これにより下の部
分は、所望の色の副フレームを得るためにバイアスされ
る。スクリーンの半分が、表示のためにアドレスされる
とき、再生段階は、本発明の第１の実施形態に対して記
述されるようにスクリーンの第２の半分で実行される。
ている。この実施形態において、アノードストリップの
構造は、各アノードストリップが少なくとも２つの個々
にアドレスできる（バイアスできる）部分に分けられる
ように、修正される。図８において、参照は図２と同様
に用いられる。各アノードストリップは、２つの部分９
ｂ−９ｂ’、９ｒ−９ｒ’及び９ｇ−９ｇ’に分けられ
る。部分９ｂ、９ｒ及び９ｇは、内部接続パス１２、１
３及び１５にそれぞれ接続される。部分９ｂ’、９ｒ’
及び９ｇ’は、内部接続パス１２’１３’及び１５’に
それぞれ接続される。簡単にするために、これらの部分
が等しく、かつこのスクリーンが上側部分及び下側部分
に共有されると仮定する。従ってゲートの上部の行が表
示用に逐次にバイアスされるのに対して、アノードの上
半分はバイアスされ（１つの色で）、これにより下の部
分は、所望の色の副フレームを得るためにバイアスされ
る。スクリーンの半分が、表示のためにアドレスされる
とき、再生段階は、本発明の第１の実施形態に対して記
述されるようにスクリーンの第２の半分で実行される。
【００４８】本発明の第２の実施形態の効果は、簡単な
構造の修正を伴って、デッド時間なしに所望の結果が得
られることである。
構造の修正を伴って、デッド時間なしに所望の結果が得
られることである。
【００４９】本発明はまた、通常アノード電圧が固定さ
れている発光スクリーンに適用する。このようなスクリ
ーンにおいて、再生段階を提供することもまた可能であ
る。
れている発光スクリーンに適用する。このようなスクリ
ーンにおいて、再生段階を提供することもまた可能であ
る。
【００５０】当業者によれば明らかなように、種々の修
正を本発明で行うことができる。特に、本発明は、カラ
ードリフトを除去するためのカラースクリーンの点にお
いて記述したけれども、アノード−カソード又はアノー
ド−ゲートの電圧降伏を減少する効果もまた有する。こ
のように、デッド時間が、例えば各フレームの後でフレ
ーム表示の間に提供されるモノカラースクリーンにも適
用する。
正を本発明で行うことができる。特に、本発明は、カラ
ードリフトを除去するためのカラースクリーンの点にお
いて記述したけれども、アノード−カソード又はアノー
ド−ゲートの電圧降伏を減少する効果もまた有する。こ
のように、デッド時間が、例えば各フレームの後でフレ
ーム表示の間に提供されるモノカラースクリーンにも適
用する。
【００５１】フレーム期間が１０ｍｓであり、カソード
電圧が２５０〜３００Ｖであり、かつ明るさが３００〜
４００ｃｄ／ｍ2 である模範的なモノカラースクリーン
において、電圧降伏を有することなしにカソード電圧を
増加することはできない。本発明によれば、例えば０．
３ｍｓの再生段階は、各フレームの端で提供される。こ
のような場合に本発明者は、アノード電圧が電圧降伏を
有することなしに６００Ｖに増加できることに注目し
た。従って明るさは、およそ１０００ｃｄ／ｍ2に増加
した。
電圧が２５０〜３００Ｖであり、かつ明るさが３００〜
４００ｃｄ／ｍ2 である模範的なモノカラースクリーン
において、電圧降伏を有することなしにカソード電圧を
増加することはできない。本発明によれば、例えば０．
３ｍｓの再生段階は、各フレームの端で提供される。こ
のような場合に本発明者は、アノード電圧が電圧降伏を
有することなしに６００Ｖに増加できることに注目し
た。従って明るさは、およそ１０００ｃｄ／ｍ2に増加
した。
【図１】従来の技術及びその問題点を説明するスクリー
ン構造の斜視図である。
ン構造の斜視図である。
【図２】従来の技術及びその問題点を説明するアノード
の構造の概略図である。
の構造の概略図である。
【図３】従来の技術及びその問題点を説明するタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図４】従来の技術及びその問題点を説明するタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図５】本発明の第１の実施形態による色の副フレーム
のタイムチャートである。
のタイムチャートである。
【図６】再生段階中に用いられる本発明によるライン信
号のタイムチャートである。
号のタイムチャートである。
【図７】再生段階中に用いられる本発明によるライン信
号のタイムチャートである。
号のタイムチャートである。
【図８】本発明の第２の実施形態を実現するために適合
されるアノードの構造の概略図である。
されるアノードの構造の概略図である。
１ カソード ２ マイクロチップ ３ ゲート ４ ホール ５ アノード ６ 基板 ７、７ｒ、７ｇ、７ｂ 蛍光素子 ８ 絶縁体 ９、９ｒ、９ｒ’、９ｇ、９ｇ’、９ｂ、９ｂ’ アノ
ードストリップ １０ ガラス基板 １１ 抵抗層 １２、１３、１５、１６ 導体 １４ 絶縁層
ードストリップ １０ ガラス基板 １１ 抵抗層 １２、１３、１５、１６ 導体 １４ 絶縁層
フロントページの続き (72)発明者 レイナルド テヴェネ フランス国， 34830 ジャクー， ラ コリーヌ デ スウルス， アヴェニュ マンガン−トゥース， 10番地
Claims (7)
- 【請求項１】 カソード発光スクリーンの制御方法であ
って、 その間、少なくともアノードの部分が低レベル電圧であ
り、かつ対応するカソードが放射状態にバイアスされる
再生段階を提供することからなることを特徴とする方
法。 - 【請求項２】 前記スクリーンはマイクロチップスクリ
ーンであり、前記再生段階（Ｔｄ）が表示段階の間に提
供され、かつ前記再生段階中に全ての前記アノードが低
レベル電圧となり、かつ前記マイクロチップ及び前記ゲ
ートが放射状態にバイアスされることを特徴とする請求
項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記各アノードは、個々にアドレスでき
る少なくとも２つの部分に分けられており、 画像が他の部分に形成されているのに対して、前記再生
段階は第１の部分で実行されており、 前記再生段階中に、第１のアノード部分が低レベル電圧
となり、かつ対向する前記マイクロチップ及び前記ゲー
トが放射状態にバイアスされることを特徴とする請求項
１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記表示段階は連続するフレームに対応
し、かつ前記再生段階は各フレームの間に発生すること
を特徴とする請求項２に記載の方法。 - 【請求項５】 前記スクリーンは、ゲート行及びカソー
ド列を備えており、かつ前記各再生段階中に、前記ゲー
ト行が逐次にバイアスされ、前記カソード列が高レベル
放射電圧にバイアスされることを特徴とする請求項１に
記載の方法。 - 【請求項６】 複数のゲート行が同時にバイアスされる
ことを特徴とする請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 前記ゲート行が逐次に及び重畳してバイ
アスされることを特徴とする請求項５に記載の方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9507017 | 1995-06-08 | ||
| FR9507017A FR2735266B1 (fr) | 1995-06-08 | 1995-06-08 | Procede de commande d'ecran plat de visualisation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922270A true JPH0922270A (ja) | 1997-01-21 |
| JP3985279B2 JP3985279B2 (ja) | 2007-10-03 |
Family
ID=9479937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16668396A Expired - Fee Related JP3985279B2 (ja) | 1995-06-08 | 1996-06-07 | フラットディスプレイスクリーンの制御方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5872551A (ja) |
| EP (1) | EP0747875B1 (ja) |
| JP (1) | JP3985279B2 (ja) |
| DE (1) | DE69636587T2 (ja) |
| FR (1) | FR2735266B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6621475B1 (en) * | 1996-02-23 | 2003-09-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron generating apparatus, image forming apparatus, method of manufacturing the same and method of adjusting characteristics thereof |
| JP2000221936A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Futaba Corp | 電界放出型発光素子の駆動装置 |
| US6380914B1 (en) * | 1999-08-02 | 2002-04-30 | Motorola, Inc. | Method for improving life of a field emission display |
| FR2800510B1 (fr) | 1999-10-28 | 2001-11-23 | Commissariat Energie Atomique | Procede de commande de structure comportant une source d'electrons a effet de champ |
| FR2804243B1 (fr) * | 2000-01-25 | 2002-04-12 | Pixtech Sa | Regeneration d'anodes d'ecran plat de visualisation |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52123829A (en) * | 1976-04-12 | 1977-10-18 | Sony Corp | Color television receiver |
| US4366504A (en) * | 1977-10-07 | 1982-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film EL image display panel |
| JPS57162692U (ja) * | 1981-04-03 | 1982-10-13 | ||
| FR2623013A1 (fr) * | 1987-11-06 | 1989-05-12 | Commissariat Energie Atomique | Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source |
| US5172108A (en) * | 1988-02-15 | 1992-12-15 | Nec Corporation | Multilevel image display method and system |
| JP2656843B2 (ja) * | 1990-04-12 | 1997-09-24 | 双葉電子工業株式会社 | 表示装置 |
| US5229691A (en) * | 1991-02-25 | 1993-07-20 | Panocorp Display Systems | Electronic fluorescent display |
| US5532712A (en) * | 1993-04-13 | 1996-07-02 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Drive circuit for use with transmissive scattered liquid crystal display device |
-
1995
- 1995-06-08 FR FR9507017A patent/FR2735266B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-04 DE DE69636587T patent/DE69636587T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-04 EP EP96410067A patent/EP0747875B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-06 US US08/660,710 patent/US5872551A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-07 JP JP16668396A patent/JP3985279B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| FR2735266B1 (fr) | 1997-08-22 |
| DE69636587T2 (de) | 2007-07-05 |
| FR2735266A1 (fr) | 1996-12-13 |
| EP0747875B1 (fr) | 2006-10-04 |
| US5872551A (en) | 1999-02-16 |
| EP0747875A1 (fr) | 1996-12-11 |
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