JPH0920713A - 3,3,3−トリメチルシクロへキサノンの製法 - Google Patents

3,3,3−トリメチルシクロへキサノンの製法

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JPH0920713A
JPH0920713A JP8176919A JP17691996A JPH0920713A JP H0920713 A JPH0920713 A JP H0920713A JP 8176919 A JP8176919 A JP 8176919A JP 17691996 A JP17691996 A JP 17691996A JP H0920713 A JPH0920713 A JP H0920713A
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JP
Japan
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reactor
hydrogenation
carried out
isophorone
process according
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Withdrawn
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JP8176919A
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English (en)
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Wilfried Bueschken
ビュシュケン ヴィルフリート
Juergen Hummel
フムメル ユルゲン
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Huels AG
Original Assignee
Huels AG
Chemische Werke Huels AG
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C45/00Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
    • C07C45/61Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reactions not involving the formation of >C = O groups
    • C07C45/62Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reactions not involving the formation of >C = O groups by hydrogenation of carbon-to-carbon double or triple bonds

Abstract

(57)【要約】 【課題】 イソホロンの触媒作用下での水素化による
3,3,3−トリメチルシクロヘキサノンの製法 【解決手段】 水素化を、前後に接続された複数の環系
中で実施し、この際、イソホロンを第1反応器の水素化
生成物の一部分と一緒に第1反応器の頭頂部に導入し、
第1反応器の残分を第2反応器の水素化生成物の一部分
と一緒に第2反応器の頭頂部に導入し、第2反応器の残
分を次の反応器の水素化生成物の一部分と一緒に次の反
応器の頭頂部に導入し、後続の環系中でも同様に操作
し、最後の反応器の水素化生成物の残分から、3,3,
3−トリメチルシクロへキサノンを取得する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、イソホロンの触媒
作用下での水素化により3,3,3−トリメチルシクロ
ヘキサノン(TMC−オン)を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】TMC−オンは、過酸化物の製造のため
に、香料の前駆物質として、ラッカ樹脂の成分として、
かつ溶剤として使用される。
【0003】ケトンは、不飽和ケトンから、 a)水素化金属錯体を用いる還元 b)転移−水素化 c)水素を用いる水素化 により製造することができる。
【0004】方法a)及びb)は、カップリング生成物
を生じ、少なくとも一つの後処理工程を必要とする欠点
を有する。
【0005】イソホロンが紛状触媒に接して選択的に水
素化されてTMC−オンになることは公知である。例え
ば、特開昭63−188642号公報からは、ここで
は、触媒としてラネーニッケルが、かつ溶剤としてイソ
プロパノールが使用されることが判る。特公昭47−0
16434号公報には、触媒としてラネーニッケルが、
かつ溶剤としてメタノールが開示されている。特公昭5
1−024497号及び特公昭51−0494号公報で
は、種々の担体材料を有するパラジウム−触媒が請求さ
れている。
【0006】前記方法の欠点は、これらは回分法で実施
されることである。各々のバッチの後に触媒を分離しな
ければならず、このことは、経費と共に取扱い上の損失
をももたらす。触媒の再使用は限られてのみ可能であ
る。更に、水素化工程での溶剤の使用の際の水素化生成
物の回収のために、蒸留が必要である。
【0007】米国特許第892018号明細書中には、
イソホロンを水素と一緒に、特に水素化触媒を含有する
1反応塔中に導入する方法が記載されている。TMC−
オンとβ−イソホロンとの混合物が塔頂生成物として分
離される。この混合物中のβ−イソホロンを高い温度で
異性化させる。引き続き、純粋なTMC−オンを低沸点
物として分離している。残留α−イソホロンおよび反応
塔の塔底物が再びこのプロセスに戻される。この方法
は、これが合計4つの方法工程を包含する欠点を有す
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】多くの用途のために、
品質的に高価なTMC−オン(TMC−オン含有率>9
9%;イソホロン含有率(α+β)<0.1%)が必要
であり、公知の方法はその経済性に関して満足しうるも
のではないので、本発明は、経済的な方法で高価なTM
C−オンを製造することのできる方法を提供することを
課題としている。
【0009】イソホロンの水素化の際には、主として次
の化合物が熱力学的平衡で生じる:
【0010】
【化1】
【0011】この平衡の状態は、特に、温度及び水素圧
に依存する。ほぼ純粋なTMC−オンは、反応Kが実
際に進行しない条件下にのみ得られる筈である。
【0012】ところで、意外にも、水素化を複数の前後
に接続された環系(Schlaufe)中で、有利に2環系作業
法(図1参照)で実施する際に、この目的は達成される
ことが判明した。この場合に、イソホロンを第1反応器
の水素化流出物と一緒に第1反応器の頭頂部に導入する
のが有利である。新しいイソホロンに当量の第1反応器
の水素化生成物を、第2反応器の水素化流出物と一緒に
第2反応器の頭頂部に加える。更なる環系を第2の後に
接続することもできる。第2又は最後の反応器の生成物
受器から、レベル調節された(standgeregelt)水素化
生成物が流出される。
【0013】本発明の方法は、1.6重量%までのβ−
イソホロンを含有する工業用イソホロン(α+β−イソ
ホロン含有率≧99.7重量%)を水素化して、含有率
>99重量%の水様澄明TMC−オン(APHA<5)
にする利点を有し、その際、イソホロン残留含有率(Σ
α+β)は0.1重量%以下である。このことは、イソ
ホロン変換率が99.9%以上で、選択率が99.3%
以上であることに相当する。
【0014】水素化流出物の品質に基づき、後処理は不
要であることは特に有利である。
【0015】従って、本発明の課題は、イソホロンの触
媒作用下での水素化による3,3,3−トリメチルシク
ロヘキサノンの製法であり、これは、水素化を、前後に
接続された複数の環系中で実施し、この際、イソホロン
を第1反応器の水素化生成物の一部分と一緒に第1反応
器の頭頂部に導入し、第1反応器の残分を第2反応器の
水素化生成物の一部分と一緒に第2反応器の頭頂部に導
入し、第2反応器の残分を次の反応器の水素化生成物の
一部分と一緒に次の反応器の頭頂部に導入し、後続の環
系中でも同様に操作し、最後の反応器の水素化生成物の
残分から、3,3,3−トリメチルシクロへキサノンを
取得することをよりなる。
【0016】本発明の方法では、水素化を前後に接続さ
れた2つの環系中で実施するのが有利であり、この際、
イソホロンを第1反応器の水素化生成物の一部分と一緒
に第1反応器の頭頂部に導入し、第1反応器の水素化生
成物の残分を第2反応器の水素化生成物の一部分と一緒
に第2反応器の頭頂部に導入し、第2反応器の水素化生
成物の残分から、3,3,3−トリメチルシクロへキサ
ノンを取得する。
【0017】本発明の方法では、水素化を全ての反応器
中で、乱流でも、層流でも実施することができる。水素
化を少なくとも第1反応器中で乱流で実施するのが有利
でもある。更に、ここでは、全ての反応器中で液相で水
素化するのが有利である。
【0018】本発明の方法での水素化を30〜200℃
の温度で、特に40〜120℃で実施するのが有利であ
る。更に、これらの反応器中での水素化を、異なる温度
水準で実施することも有利であり、この際には、例え
ば、第2の又は引き続く反応器を、第1の又は先行反応
器よりも低い温度で操作する。
【0019】一般に、本発明の方法は減圧下に操作す
る。ここで、反応器中での水素化を1〜100バール
(絶対)、特に1〜20バール(絶対)の圧力で実施す
るのが有利である。更に、有利には、これらの反応器中
での水素化を、異なる圧力水準で実施するのが有利であ
り、この際には、例えば、第2の又はそれに続く反応器
を、第1の又は先行反応器よりも低い圧力で操作する。
【0020】反応器中の触媒装荷物としては、このため
に好適な慣用の水素化触媒、例えば0.5%Pd/Al
(Fa.Engelhard)を使用することができる。
【0021】本発明の方法では、反応器中での水素化
を、パラジウム−触媒を用いて実施するのが有利であ
り、この際に、パラジウム−触媒を酸化アルミニウム製
の担体上に担持させるのが特に有利である。
【0022】本発明の方法は、優れた収率及び良好な選
択率で、高価なTMC−オンの特に経済的な製造を可能
にし、従って、付加的な生成物後処理なしでも、所望の
生成物品質が達成される。
【0023】
【実施例】次の実施例は、本発明を詳細に説明するもの
であり、本発明の範囲を限定するものではない: 例1 水素化装置(図1参照)は、次の寸法の2個の構造的に
同じ反応器を有する:φ=42mm;l=1500m
m。
【0024】双方の反応器には、それぞれ、ENGELHARD
−触媒0.5%Pd/Al1.9リットルが充填
されている。
【0025】工業用イソホロン(Σα+β 99.7重
量%)を部分水素化されたイソホロン(ブロア1から
の)で希釈して、第1反応器の頭頂部に導く(第1環
系)。
【0026】使用されたイソホロンと当量の水素化生成
物を、ブロア(Blase)1からレベル調節して第2
反応器の環系中に導く。ブロア2からレベル調節下にT
MC−オンが取り出される。
【0027】この反応器中では、次の反応条件が存在す
る: 反応器1 反応器2 処理量 1.45kg/h 約1.46kg/h 循環量 100 kg/h 80 kg/h H−圧 15 バール 10 バール 平均温度 100 ℃ 40 ℃ 排ガス量 120 Nl/h 1 Nl/h 準定常状態の調節の後に、得られた水素化物は、99.
1重量%のTMC−オン−含有率を有した。イソホロン
の残留含有率(Σα+β)は、0.05重量%である。
【0028】比較例 例1とは対照的に、ここでは、第2反応器の循環を行わ
ない(循環量0)。他の全ての反応条件は、例1と同じ
である。
【0029】97.6重量%のみのTMC−オン含有率
を有する水素化物が得られる。残留イソホロン−含有率
(Σα+β)は0.05重量%である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による2環系作業法で水素化を実施する
装置を示す図

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イソホロンの触媒作用下での水素化によ
    り3,3,3−トリメチルシクロヘキサノンを製造する
    場合に、水素化を前後に接続された複数の環系中で実施
    し、この際、イソホロンを第1反応器の水素化生成物の
    一部分と一緒に第1反応器の頭頂部に導入し、第1反応
    器の残分を第2反応器の水素化生成物の一部分と一緒に
    第2反応器の頭頂部に導入し、第2反応器の残分を次の
    反応器の水素化生成物の一部分と一緒に次の反応器の頭
    頂部に導入し、後続の環系中でも同様に操作し、最後の
    反応器の水素化生成物の残分から、3,3,3−トリメ
    チルシクロへキサノンを取得することを特徴とする、
    3,3,3−トリメチルシクロヘキサノンの製法。
  2. 【請求項2】 前後に接続された2つの環系中で水素化
    を実施し、この際、イソホロンを第1反応器の水素化生
    成物の一部分と一緒に第1反応器の頭頂部に導入し、第
    1反応器の残分を第2反応器の水素化生成物の一部分と
    一緒に第2反応器の頭頂部に導入し、第2反応器の水素
    化生成物の残分から、3,3,3−トリメチルシクロヘ
    キサノンを取得する、請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】 すべての反応器中で液相で水素化する、
    請求項1又は2に記載の方法。
  4. 【請求項4】 全ての反応器中の流れは層流である、請
    求項1から請求項3のいずれかに記載の方法。
  5. 【請求項5】 全ての反応器中の流れは乱流である、請
    求項1から請求項3のいずれかに記載の方法。
  6. 【請求項6】 水素化を30〜200℃の温度で実施す
    る、請求項1から請求項5のいずれかに記載の方法。
  7. 【請求項7】 水素化を40〜120℃の温度で実施す
    る、請求項6に記載の方法。
  8. 【請求項8】 水素化を異なる温度水準の反応器中で実
    施する、請求項1から請求項7のいずれかに記載の方
    法。
  9. 【請求項9】 水素化を1〜100バール(絶対)の圧
    力で実施する、請求項1から請求項8のいずれかに記載
    の方法。
  10. 【請求項10】 水素化を1〜29バール(絶対)の圧
    力で実施する、請求項9に記載の方法。
  11. 【請求項11】 水素化を異なる圧力水準の反応器中で
    実施する、請求項1から請求項10のいずれかに記載の
    方法。
  12. 【請求項12】 水素化をパラジウム−触媒を用いて実
    施する、請求項1から請求項11のいずれかに記載の方
    法。
  13. 【請求項13】 水素化を酸化アルミニウム製担体上に
    担持されたパラジウム−触媒を用いて実施する、請求項
    12に記載の方法。
JP8176919A 1995-07-08 1996-07-05 3,3,3−トリメチルシクロへキサノンの製法 Withdrawn JPH0920713A (ja)

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EP (1) EP0753502B1 (ja)
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DE (2) DE19524969A1 (ja)
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