JPH09203608A - 測定顕微鏡装置 - Google Patents

測定顕微鏡装置

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JPH09203608A
JPH09203608A JP1201296A JP1201296A JPH09203608A JP H09203608 A JPH09203608 A JP H09203608A JP 1201296 A JP1201296 A JP 1201296A JP 1201296 A JP1201296 A JP 1201296A JP H09203608 A JPH09203608 A JP H09203608A
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JP
Japan
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light
subject
objective lens
optical system
diaphragm
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JP1201296A
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Takeshi Yamagishi
毅 山岸
Hiroshi Yugawa
浩 湯川
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Olympus Optical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】被検体の傾きや平坦部の幅を短時間で測定でき
る測定顕微鏡装置を提供する。 【解決手段】光源1から被検体30へ向かう光路に沿っ
て、光源1、集光レンズ2、第一の絞り3、第二の絞り
4、集光レンズ5、対物レンズ31を有している。対物
レンズ31の上方には、光源1からの照射光を被検体3
0へ向けて偏向するハーフミラー7が配置されている。
ハーフミラー7と集光レンズ5の間には、被検体30か
らの反射光を被検体30へ向かう光から分離するハーフ
ミラー6が配置されている。また、ハーフミラー6によ
る反射光の光路に沿って、集光レンズ8と光位置検出器
9が配置されている。第二の絞り4は被検体30面と共
役な位置に配置され、第一の絞り3と光位置検出器9は
共に対物レンズ31の後ろ側焦点位置Bと共役な位置に
配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体部品等の電
子部品の検査に用いられる測定顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】電子部品を検査する測定顕微鏡には、電
子部品の精密化・集積化に伴ない、高さや幅を短時間に
高精度で測定できることが求められている。
【0003】幅を測定する手段としては、図6に示すエ
ッジ検出系が知られている。このエッジ検出系では、下
方から被検体101に照明光が照射され、その透過光は
対物レンズ102に入射し、結像レンズ103により集
光され、ピンホール111を通過した成分が、光検出器
112に入射し、光電変換される。比較器113は、光
検出器112の出力と、基準電圧114から出力される
所定のしきい値との差を出力する。被検体101を載せ
たステージ107を図中の矢印方向に移動させると、比
較器113からは被検体101のエッジ部に対応して切
り換わるエッジ信号が出力される。エッジ信号の切り換
わり点の間のステージ107の移動量を測定することに
より被検体101の矢印方向に沿った幅が求められる。
【0004】高さを測定する手段としては、図7に示す
焦点検出系が知られている。この焦点検出系では、半導
体レーザー115から射出された光は、偏光ビームスプ
リッター116で反射され、1/4波長板117を通過
し、結像レンズ103により平行光とされ、対物レンズ
102により集光され、被検体101に照射される。被
検体101からの反射光は、対物レンズ102に入射
し、結像レンズ103と1/4波長板117を通過し、
今度は偏光ビームスプリッター116を透過し、ビーム
スプリッター118によって二本のビームに分けられ
る。
【0005】一方のビームすなわち透過光は、集光位置
手前に配置されたピンホール119に照射され、ピンホ
ール119を通過した成分が光検出器120に入射し、
その入射光量に応じた電気信号Bが信号処理部123へ
送られる。他方のビームすなわち反射光は、集光位置後
方に配置されたピンホール121に照射され、ピンホー
ル121を通過した成分が光検出器122に入射し、そ
の入射光量に応じた電気信号Aが信号処理部123へ送
られる。
【0006】信号処理部123は、例えば(A−B)/
(A+B)の演算を行なう。この演算結果は、光照射面
の集光点からのずれを反映しており、これが0(すなわ
ちA=B)となるとき、集光点が光照射面上に位置す
る。従って、信号処理部123の演算結果が0となるよ
うに、対物レンズ102と光照射面(被検体101また
はステージ107)の間隔を制御し、そのときの対物レ
ンズ・光照射面間距離を測定することにより被検体10
1の厚さが求められる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】被検体のひとつに図8
に示すようなリードフレーム130がある。リードフレ
ーム130は多数のリード132を有している。リード
132における測定項目として図9に示すような傾きθ
がある。リード132の傾きθは、前述の焦点検出系
(図7)を用いて、一本のリード上の複数点の高さを測
定し、これに基づき計算により求めることができる。し
かし、この方法では測定に長い時間を要する。特に電子
部品のように同一構造が多数連続して存在する対象物に
おいては測定スループットの点で問題である。
【0008】また、図10に示すようにリード132が
エッジ部に丸みを持っている場合があり、しかも、平坦
部の幅lが部品として重要な場合がある。前述のエッジ
検出系(図6)は、丸みを持ったリードに対して、リー
ド全体の幅Lは測定できるが、平坦部の幅lは測定でき
ない。前述の焦点検出系(図7)を用いて一本のリード
132上の多点に対して高さ測定を行なえば、平坦部の
幅lを算出することも可能であろうが、これには多大な
時間を要することが容易に予測される。
【0009】本発明は、このような問題点に鑑みて成さ
れたものであり、その目的は、被検体の傾きや平坦部の
幅を短時間で測定できる測定顕微鏡装置を提供すること
である。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の測定顕微鏡装置
は、被検体が載置される十字動載物台と、前記被検体を
照明する照明光学系と、前記照明光学系により照明され
る前記被検体を拡大観察する少なくとも対物レンズを含
む拡大観察光学系とを有する半導体部品等の電子部品の
検査に用いられる測定顕微鏡装置において、前記拡大観
察光学系の対物レンズ像側に配置された光分割手段と、
以下のA)〜D)の構成を含む測定光出射手段であっ
て、A)前記被検体に検査用照明光を照射するための光
源と、B)前記光源からの照明光を前記対物レンズ及び
前記光分割手段を介して前記被検体へ導く結像光学系
と、C)前記対物レンズの後ろ側焦点位置と共役な位置
に配置された第一の絞り手段と、D)被検体と共役な位
置に配置された第二の絞り手段とを含む測定光出射手段
と、第一の絞り手段とは異なる前記対物レンズの後ろ側
焦点位置と共役な位置に配置された光位置検出手段と、
前記測定光出射手段により前記被検体へ照射された照明
光の反射光を前記対物レンズ及び前記光分割手段を介し
て前記光位置検出手段へ伝搬する伝搬光学系とを有する
ことを特徴とする。この構成において、光位置検出手段
に対するビームの入射位置を調べることにより被検体の
傾きが分かり、光検出手段の出力を所定のしきい値と比
較することにより被検体の平坦部エッジを検出すること
もできる。
【0011】好ましくは、第二の絞り手段は可変絞りで
ある。可変絞りの開口径を調整することにより、被検体
の表面粗さ等に応じた良好な安定した信号が得られる。
【0012】好ましくは、被検体を拡大観察する観察光
学系と、被検体の観察光と前述の測定光(照射光と反射
光)とを分ける光分割手段とを更に有しており、光分割
手段は、測定光の波長域に合わせた特定の波長域の光だ
けを反射し、それ以外の波長域の光は透過する波長分割
ミラーであることを特徴とする。前述した傾き・平坦部
の幅を測定するための光学系は、波長分割ミラーによっ
て観察光学系から光学的に分離されているので、観察光
学系の影響を受け難い。従って、安定で高精度の測定が
行なえる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態について説明する。
【0014】<第一の実施の形態>まず、第一の実施の
形態について図1と図2を用いて説明する。
【0015】本実施形態の測定顕微鏡装置の光学系は、
図1に示すように、光源1から被検体30へ向かう光路
に沿って、光源1、集光レンズ2、第一の絞り3、第二
の絞り4、集光レンズ5、対物レンズ31を有してい
る。対物レンズ31の上方には、光源1からの照射光を
被検体30へ向けて導くハーフミラー7が配置されてお
り、ハーフミラー7の上方には、対物レンズ31を共有
するように他の顕微鏡系(図示せず)が配置される。他
の顕微鏡系は、被検体30を光学的に観察する観察光学
系に加えて、例えば図6に示したエッジ検出系と、例え
ば図7に示した焦点検出系とを備えていると更に好まし
い。
【0016】ハーフミラー7と集光レンズ5の間には、
被検体30からの反射光を被検体30へ向かう光から分
離するハーフミラー6が配置されている。また、ハーフ
ミラー6による反射光の光路に沿って、集光レンズ8と
光位置検出器9が配置されている。光位置検出器9は、
対物レンズ31の後ろ側焦点位置Bと共役な位置に配置
されており、入射光のスポットの重心位置のX方向成分
とY方向成分に比例したX信号とY信号を出力する。
【0017】この光学系において、第二の絞り4は、被
検体30面と共役な位置に配置され、第一の絞り3は、
光検出器9と異なる対物レンズ31の後ろ側焦点位置B
と共役な位置に配置されている。
【0018】さらに、測定顕微鏡装置は、被検体30を
載せる十字動ステージ55、十字動ステージ55の移動
ステージに設けられたスケール18、スケール18の目
盛りを読み取るカウンター19を有している。
【0019】測定顕微鏡の信号処理系は、光位置検出器
9からのX信号を増幅するアンプ10、アンプ10の出
力をAD変換するAD変換器11、比較手段12を有し
ており、比較手段12は、アンプ10の出力の絶対値を
求める絶対値変換器12aと、絶対値変換器12aの出
力を基準値と比較する比較器12bとで構成される。さ
らに、光位置検出器9からのY信号を増幅するアンプ1
3、アンプ13の出力をAD変換するAD変換器14、
比較手段15を有しており、比較手段15は、アンプ1
3の出力の絶対値を求める絶対値変換器15aと、絶対
値変換器15aの出力を基準値と比較する比較器15b
とで構成される。
【0020】信号処理系は、さらに、AD変換器11、
比較手段12、AD変換器14、比較手段15、カウン
ター19からの信号を処理する演算装置16、演算装置
16の処理結果を表示する表示装置17を有している。
【0021】光源1から射出された光は、集光レンズ2
により集光され、第一の絞り3に結像する。第一の絞り
3を通過した光は、第二の絞り4によってその径が制限
された後、集光レンズ5により集光され、ハーフミラー
6を透過し、対物レンズ31の後ろ側焦点位置Bに結像
し、その後、ハーフミラー7で反射され、対物レンズ3
1により集光され、被検体30に照射される。
【0022】第一の絞り3は、対物レンズ31の後ろ側
焦点位置Bと共役な位置にあり、第二の絞り4は、被検
体30面と共役な位置にあるため、対物レンズ31の後
ろ側焦点面におけるビーム径が第一の絞り3によって決
まり、被検体面におけるスポット径が第二の絞り4によ
って決まる。
【0023】従って、被検体30は第一の絞り3によっ
て決められる対物レンズ31の開口数を満たさない光で
第二の絞り4によって決まる微小領域が照明される。
【0024】被検体30からの反射光は、対物レンズ3
1に入射し、ハーフミラー7で反射された後、続いてハ
ーフミラー6で反射され、集光レンズ8により集光さ
れ、対物レンズ31の後ろ側焦点位置Bと共役な位置に
ある光位置検出器9に入射する。
【0025】このように、光位置検出器9が対物レンズ
31の後ろ側焦点位置Bが対物レンズ31の後ろ側焦点
位置Bと共役な位置に配置されることで、被検体30の
表面粗さ等が減少し、傾きの検出が安定し、精度良く行
なえる。
【0026】被検体30が照明領域において傾きθをも
つと、反射光は入射光に対して2θの傾きをもち、対物
レンズ31の後ろ側焦点面上において、入射光に対して
対物レンズ31の焦点距離をfobとすると、光軸に対し
てfob・sin2θの横ずれとなる。さらに、対物レン
ズ31の後ろ側焦点と共役な光位置検出器9の受光面上
では、集光レンズ8による横倍率をβとすると、β・f
ob・sin2θの移動となる。
【0027】従って、光位置検出器9が出力するX信号
とY信号は、上式による被検体30面の傾きのX方向成
分とY方向成分をそれぞれ示すものとなる。これによ
り、被検体30の光照射領域部分の傾きを一度の測定動
作により測定することができる。また、この測定結果
は、複数点の高さに基づいて求めた平均的な傾きではな
く、光照射領域部分の傾きそのものであるので、その精
度は高いものとなる。しかも、光照射域は第二の絞り4
によって決まる非常に狭い領域に限られることから、被
検体30が、例えば、リードフレームのような非常に小
さい測定対象の場合にも測定できる。また、傾きが場所
によって細かく変動する場合にも、その傾きの変動をと
られることができる。
【0028】また、エッジ部に丸みを持つ被検体30に
対して、平坦部の長さを測定する際は、十字動ステージ
55により被検体30を移動させながら、比較手段12
と15により、光位置検出器9の出力を所定のしきい値
と比較する。図2に示すように、丸みを持つエッジ部で
はその傾きは徐々に大きくなるので、光位置検出器9の
出力は平坦部を通過した直後にしきい値を越える。従っ
て、光位置検出器9の出力がしきい値を越えた箇所の間
隔を測定することにより、被検体30の移動方向に沿っ
た平坦部の長さを求めることができる。光位置検出器9
の出力がしきい値を越える箇所は、被検体30の両側の
エッジ部に対応して二箇所存在し、その間隔は十字動ス
テージ55の移動テーブルに設けたスケール18の目盛
りをカウンター19で読み取ることにより測定される。
【0029】<第二の実施の形態>次に、第二の実施の
形態について図3と図4を用いて説明する。
【0030】本実施形態の測定顕微鏡装置は、図1の構
成における被検体30と共役な位置にある第二の絞り4
が、図3に示すように、可変絞り20に置き換わった構
成となっている。それ以外の構成は第一の実施の形態
(図1)と同じであり、図3では省略してある。
【0031】被検体30の表面に形成される光スポット
の径は、可変絞り20の開口径を変えることにより自由
に設定できる。従って、可変絞り20の開口径が小さく
なるほど、被検体面上の光スポットは小さくなり、測定
結果は局所的な値となる。反対に、可変絞り20の開口
径が大きくなるほど、被検体面上の光スポットは大きく
なり、測定結果は平均的な値となる。
【0032】平坦部の長さ測定の様に場所によって変化
する被検体30の表面の傾き変化を高い精度で測定する
という面では、被検体面上の光スポットは小さいほど好
ましいが、被検体30表面が粗さを有する場合、表面粗
さによる乱反射により光位置検出器9の出力が図4に示
すように被検体30の表面粗さにも敏感に反応するよう
になるため、被検体面上の光スポットはある程度の大き
さをもっていることが好ましい。
【0033】このような事態を考慮して、本実施形態の
装置では、測定の種類、必要な測定精度、被検体の表面
粗さ等に応じて、可変絞り20の開口径を選択する。
【0034】図4に示すように、光スポット径が小さい
場合には、光位置検出器9の出力が被検体30の表面粗
さに敏感に反応して変化しているが、光スポット径が大
きい場合には粗さの影響は平均化されエッジ部の丸みに
のみ反応して変化する。従って、被検体30の有する表
面粗さに対応して、可変絞り20の開口径を変化させる
ことで、粗さを有する被検体に対しても測定が安定に行
なえることが分かる。
【0035】<第三の実施の形態>第三の実施の形態に
ついて図5を用いて説明する。
【0036】本実施形態の測定顕微鏡装置は、図5に示
すように、被検体30へ向かう光路に沿って、レーザー
ダイオード21、絞り22、集光レンズ23、1/4波
長板25、対物レンズ31を有している。対物レンズ3
1の上方には、レーザーダイオード21からの照射光を
被検体30へ向けて導く波長分割ミラー26が配置され
ている。波長分割ミラー26は、レーザーダイオード2
1の射出光の波長域の光だけを反射し、それ以外の波長
域の光は透過する。
【0037】1/4波長板25と集光レンズ23の間に
は、被検体30からの反射光を被検体30へ向かう光か
ら分離する偏光ビームスプリッター24が配置されてい
る。
【0038】この光学系において、絞り22は、被検体
30面と共役な位置に配置され、レーザーダイオード2
1は、対物レンズ31の後ろ側焦点位置Bと共役な位置
に配置されている。
【0039】他の構成は第一の実施の形態(図1)と同
じである。例えば、光学系に関しては、波長分割ミラー
26の上方には他の顕微鏡系が配置され、偏光ビームス
プリッター24による反射光の光路に沿って、集光レン
ズ8と光位置検出器9が配置される。
【0040】レーザーダイオード21から射出した光
は、絞り22を介し、集光レンズ23により集光され、
偏光ビームスプリッター24と1/4波長板25を透過
し、対物レンズ31の後ろ側焦点位置Bに一旦集光し、
波長分割ミラー26で反射され、対物レンズ31により
平行光となり、被検体30に照射される。
【0041】この光学系では、被検体面上のスポット径
すなわち平行光のビーム径は絞り22の径により決ま
る。また、レーザーダイオード21は、対物レンズ31
の後ろ側焦点位置Bと共役な位置にあり、その発光部が
非常に小さいことにより、光源であると同時に第一の実
施の形態における第一の絞り3と同じ機能も果たしてい
る。
【0042】被検体30からの反射光は、対物レンズ3
1に入射し、波長分割ミラー26で反射され、1/4波
長板25を透過した後、今度は偏光ビームスプリッター
24で反射され、集光レンズ8により集光され、第一の
実施の形態と同様に、光位置検出器9(図1参照)に入
射する。
【0043】本実施形態における信号処理は、第一の実
施の形態と全く同様に行なわれる。
【0044】本実施形態の測定顕微鏡装置では、傾きを
測定するための光学系が波長分割ミラー26により他の
顕微鏡系と光学的に分離されているので、他の顕微鏡系
や他の外乱光の影響を受け難く、従って測定が安定に高
い精度で行なえる。
【0045】また、照射光と反射光の分離が偏光ビーム
スプリッター24によって行なわれているので、大きい
S/Nが得られ、従って測定が安定に高い精度で行なえ
る。
【0046】以上、いくつかの実施の形態の具体例をあ
げて説明したが、本発明は前述の具体例に何ら限定され
るものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲内におい
て、様々な変形が可能である。
【0047】例えば、図1の構成では、照射光を集光す
る集光レンズ5と反射光を集光する集光レンズ8を別々
に設けているが、集光レンズ5と集光レンズ8を省き、
その代わりに別の集光レンズを対物レンズ31の後ろ側
焦点位置とハーフミラー6の間に配置してもよい。この
場合、新たに配置した別の集光レンズが、集光レンズ5
と集光レンズ8の両方の働きをする。
【0048】
【発明の効果】本発明では、光位置検出手段に対するビ
ームの入射位置を調べることにより被検体の傾きが分か
り、光検出手段の出力を所定のしきい値と比較すること
により平坦部の幅が分かり、しかも、そのために必要な
光照射は一回でよい。従って、被検体の傾きや平坦部の
幅を短時間で測定できる測定顕微鏡装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】第一の実施の形態の測定顕微鏡装置の構成を示
す図である。
【図2】図1において、光位置検出器の出力と被検体の
形状との関係を示す図である。
【図3】第二の実施の形態の測定顕微鏡装置の構成を部
分的に示す図である。
【図4】図3において、光位置検出器の出力と被検体の
形状との関係を示す図である。
【図5】第三の実施の形態の測定顕微鏡装置の構成を部
分的に示す図である。
【図6】従来の測定顕微鏡装置において幅測定手段とし
て知られているエッジ検出系の構成を示す図である。
【図7】従来の測定顕微鏡装置において高さ測定手段と
して知られている焦点検出系の構成を示す図である。
【図8】被検体の一例であるリードフレームの全体を示
す図である。
【図9】リードが傾いている様子を示す図である。
【図10】丸みを持ったリードの断面形状を示す図であ
る。
【符号の説明】
1…光源、2…集光レンズ、3…第一の絞り、4…第二
の絞り、5…集光レンズ、6…ハーフミラー、7…ハー
フミラー、8…集光レンズ、9…光位置検出器、30…
被検体、31…対物レンズ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被検体が載置される十字動載物台と、 前記被検体を照明する照明光学系と、 前記照明光学系により照明される前記被検体を拡大観察
    する少なくとも対物レンズを含む拡大観察光学系と、を
    有する半導体部品等の電子部品の検査に用いられる測定
    顕微鏡装置において、 前記拡大観察光学系の対物レンズ像側に配置された光分
    割手段と、 以下のA)〜D)の構成を含む測定光出射手段と、 A)前記被検体に検査用照明光を照射するための光源
    と、 B)前記光源からの照明光を前記対物レンズ及び前記光
    分割手段を介して前記被検体へ導く結像光学系と、 C)前記対物レンズの後ろ側焦点位置と共役な位置に配
    置された第一の絞り手段と、 D)被検体と共役な位置に配置された第二の絞り手段
    と、 第一の絞り手段とは異なる前記対物レンズの後ろ側焦点
    位置と共役な位置に配置された光位置検出手段と、 前記測定光出射手段により前記被検体へ照射された照明
    光の反射光を前記対物レンズ及び前記光分割手段を介し
    て前記光位置検出手段へ伝搬する伝搬光学系と、 を有することを特徴とする測定顕微鏡装置。
  2. 【請求項2】請求項1において、第二の絞り手段は可変
    絞りであることを特徴とする測定顕微鏡装置。
  3. 【請求項3】請求項1または請求項2において、 被検体を拡大観察する観察光学系と、 被検体の観察光と前述の測定光(照射光と反射光)とを
    分ける光分割手段とを更に有しており、 光分割手段は、測定光の波長域に合わせた特定の波長域
    の光だけを反射し、それ以外の波長域の光は透過する波
    長分割ミラーであることを特徴とする測定顕微鏡装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012194085A (ja) * 2011-03-17 2012-10-11 Mitsubishi Electric Corp エッジ検出装置

Cited By (1)

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JP2012194085A (ja) * 2011-03-17 2012-10-11 Mitsubishi Electric Corp エッジ検出装置

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