JPH09195046A - 高機能薄膜の形成方法 - Google Patents
高機能薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH09195046A JPH09195046A JP698797A JP698797A JPH09195046A JP H09195046 A JPH09195046 A JP H09195046A JP 698797 A JP698797 A JP 698797A JP 698797 A JP698797 A JP 698797A JP H09195046 A JPH09195046 A JP H09195046A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- atoms
- substrate
- film layer
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0015—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterized by the colour of the layer
Abstract
(57)【要約】
【課題】 最近の商品の傾向として、搭載される技術レ
ベルの高さが商品の付加価値を高める要因になっている
が、消費者にとって最も注意を引きつけられるのが、そ
の商品の概観及び色彩であるが、その色彩を調整し、商
品の付加価値を高める被膜を施すことが為されていな
い。 【解決手段】 本発明は、常温で気体となる原子の雰囲
気中で、薄膜を形成するための基板に向けて蒸発源より
高硬度材料原子を放射して薄膜層を形成する方法におい
て、前記基板表面に到達する前記常温で気体となる原子
の分子としての個数ＮDと前記高硬度材料原子の個数ＮB
との比ＮD／ＮBの値を調整して前記薄膜層の表面色を制
御することを特徴とする。
ベルの高さが商品の付加価値を高める要因になっている
が、消費者にとって最も注意を引きつけられるのが、そ
の商品の概観及び色彩であるが、その色彩を調整し、商
品の付加価値を高める被膜を施すことが為されていな
い。 【解決手段】 本発明は、常温で気体となる原子の雰囲
気中で、薄膜を形成するための基板に向けて蒸発源より
高硬度材料原子を放射して薄膜層を形成する方法におい
て、前記基板表面に到達する前記常温で気体となる原子
の分子としての個数ＮDと前記高硬度材料原子の個数ＮB
との比ＮD／ＮBの値を調整して前記薄膜層の表面色を制
御することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気かみそりの刃や
その他の刃物に高硬度を有する材料の被膜を形成する方
法に係り、特に形成された被膜の表面色の制御に関す
る。
その他の刃物に高硬度を有する材料の被膜を形成する方
法に係り、特に形成された被膜の表面色の制御に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、特開昭６１−１０６７６７号公
報や、特開昭６２−３８２号公報に、刃先に真空蒸着処
理を施しながらイオン注入処理を施し、刃先表面に硬質
の混合層を形成する技術が開示されている。
報や、特開昭６２−３８２号公報に、刃先に真空蒸着処
理を施しながらイオン注入処理を施し、刃先表面に硬質
の混合層を形成する技術が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記方法で
は、刃先表面の混合層の組成比の制御に関する記述がな
く、表面の色調の調整については何ら開示されるところ
がない。
は、刃先表面の混合層の組成比の制御に関する記述がな
く、表面の色調の調整については何ら開示されるところ
がない。
【０００４】最近の商品の傾向として、搭載される技術
レベルの高さが商品の付加価値を高める要因になってい
るが、消費者にとって最も注意を引きつけられるのが、
その商品の概観及び色彩であり、この要因も大きくなっ
ている。
レベルの高さが商品の付加価値を高める要因になってい
るが、消費者にとって最も注意を引きつけられるのが、
その商品の概観及び色彩であり、この要因も大きくなっ
ている。
【０００５】そこで、本発明は斯かる色彩を調整し、商
品の付加価値を高める被膜を施すことを目的とする。
品の付加価値を高める被膜を施すことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
薄膜を形成するための基板に向けて常温で気体となる原
子のイオンを照射すると同時に、蒸発源より高硬度材料
の原子を前記基板に向けて放射することによって、該基
板の表面に前記イオンの作用を受けた高硬度材料原子か
ら成る薄膜層を形成する方法において、前記基板表面に
到達する前記常温で気体となる原子の分子としての個数
ＮDと前記高硬度材料原子の個数ＮBとの比ＮD／ＮBの値
及び前記常温で気体となる原子のイオンの個数ＮCと前
記高硬度材料原子の個数ＮBとの比ＮC／ＮBの値を調整
して前記薄膜層の表面色を制御するものである。
薄膜を形成するための基板に向けて常温で気体となる原
子のイオンを照射すると同時に、蒸発源より高硬度材料
の原子を前記基板に向けて放射することによって、該基
板の表面に前記イオンの作用を受けた高硬度材料原子か
ら成る薄膜層を形成する方法において、前記基板表面に
到達する前記常温で気体となる原子の分子としての個数
ＮDと前記高硬度材料原子の個数ＮBとの比ＮD／ＮBの値
及び前記常温で気体となる原子のイオンの個数ＮCと前
記高硬度材料原子の個数ＮBとの比ＮC／ＮBの値を調整
して前記薄膜層の表面色を制御するものである。
【０００７】また本発明の第２の発明は、常温で気体と
なる原子の雰囲気中で、薄膜を形成するための基板に向
けて蒸発源より高硬度材料原子を放射して薄膜層を形成
する方法において、前記基板表面に到達する前記常温で
気体となる原子の分子としての個数ＮDと前記高硬度材
料原子の個数ＮBとの比ＮD／ＮBを調整して前記薄膜層
の表面色を制御するものである。
なる原子の雰囲気中で、薄膜を形成するための基板に向
けて蒸発源より高硬度材料原子を放射して薄膜層を形成
する方法において、前記基板表面に到達する前記常温で
気体となる原子の分子としての個数ＮDと前記高硬度材
料原子の個数ＮBとの比ＮD／ＮBを調整して前記薄膜層
の表面色を制御するものである。
【０００８】このように、本願においては、基板に到達
する常温で気体となる原子の分子としての個数及びその
イオンの個数と、高硬度材料原子の個数との比を調整し
て、基板表面に形成される薄膜層の表面色を制御する。
する常温で気体となる原子の分子としての個数及びその
イオンの個数と、高硬度材料原子の個数との比を調整し
て、基板表面に形成される薄膜層の表面色を制御する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下本発明の高機能薄膜の形成方
法を電気かみそりの刃に対する窒化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｎ）被膜の形成方法について図面を用いて詳細に説明す
る。
法を電気かみそりの刃に対する窒化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｎ）被膜の形成方法について図面を用いて詳細に説明す
る。
【００１０】図１は前記窒化ジルコニウムの薄膜を形成
するための真空蒸着及びイオン注入装置を示し、１は１
０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに排気される真空チャンバ、２は
該真空チャンバ１内に配置され、図の矢印方向に１０〜
２０ｒｐｍの速度で回転可能にされた基板ホルダ、３は
該ホルダ２に取りつけられたニッケル（Ｎｉ）の基板で
ある。
するための真空蒸着及びイオン注入装置を示し、１は１
０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに排気される真空チャンバ、２は
該真空チャンバ１内に配置され、図の矢印方向に１０〜
２０ｒｐｍの速度で回転可能にされた基板ホルダ、３は
該ホルダ２に取りつけられたニッケル（Ｎｉ）の基板で
ある。
【００１１】４は電子ビ−ムによってジルコニウム（Ｚ
ｒ）原子を蒸発させ前記基板３に向けて放射する蒸発
源、５は前記基板３の方向に窒素イオン（Ｎ+）を放射
するか、あるいは窒素ガス（Ｎ2）を供給するかのいず
れかを行うことができるアシストイオンガンである。
ｒ）原子を蒸発させ前記基板３に向けて放射する蒸発
源、５は前記基板３の方向に窒素イオン（Ｎ+）を放射
するか、あるいは窒素ガス（Ｎ2）を供給するかのいず
れかを行うことができるアシストイオンガンである。
【００１２】尚、このイオンガン５によってＮ+イオン
を放射している間、イオンに成り損ねた窒素原子（Ｎ）
が少数ではあるが同時に放射される。
を放射している間、イオンに成り損ねた窒素原子（Ｎ）
が少数ではあるが同時に放射される。
【００１３】次に前記装置を用いて図２に示すようなＮ
ｉ素材の表面にＺｒＮ被膜を形成する第１の方法につい
て説明する。
ｉ素材の表面にＺｒＮ被膜を形成する第１の方法につい
て説明する。
【００１４】まず真空チャンバ１内を１０-5〜１０-7Ｔ
ｏｒｒに排気し、アシストイオンガン５にＮ2ガスを供
給し、Ｎ+イオンを放射せしめて、これを基板３の表面
に照射する。この時のＮ+イオンの加速電圧は７００ｅ
Ｖ、イオン電流密度は０．３８ｍＡ／ｃｍ2に設定し
た。
ｏｒｒに排気し、アシストイオンガン５にＮ2ガスを供
給し、Ｎ+イオンを放射せしめて、これを基板３の表面
に照射する。この時のＮ+イオンの加速電圧は７００ｅ
Ｖ、イオン電流密度は０．３８ｍＡ／ｃｍ2に設定し
た。
【００１５】一方、Ｎ+イオンの照射と同時に蒸発源４
を駆動し、Ｚｒ原子を蒸発させて前記基板３の表面に放
射する。この時のＺｒの蒸発速度は基板３上での成膜速
度に換算して６５０Å／ｍｉｎ．に設定した。
を駆動し、Ｚｒ原子を蒸発させて前記基板３の表面に放
射する。この時のＺｒの蒸発速度は基板３上での成膜速
度に換算して６５０Å／ｍｉｎ．に設定した。
【００１６】以上の工程を３０秒から１分程度行い、基
板３の表面に膜厚０.０２５〜０.０５μｍのＺｒＮの第
１薄膜層６を形成した。
板３の表面に膜厚０.０２５〜０.０５μｍのＺｒＮの第
１薄膜層６を形成した。
【００１７】次にＮ+イオンの照射を止めて、前記イオ
ンガン５よりイオン化していないＮ2ガスを前記チャン
バ１内に供給するとともに、このＮ2雰囲気中で蒸発源
４よりＺｒＮ原子を基板３上の前記第１薄膜層６表面に
向かって放射した。この時のＺｒの蒸発速度は第１薄膜
層６表面での成膜速度に換算して６５０Å／ｍｉｎ．に
設定した。
ンガン５よりイオン化していないＮ2ガスを前記チャン
バ１内に供給するとともに、このＮ2雰囲気中で蒸発源
４よりＺｒＮ原子を基板３上の前記第１薄膜層６表面に
向かって放射した。この時のＺｒの蒸発速度は第１薄膜
層６表面での成膜速度に換算して６５０Å／ｍｉｎ．に
設定した。
【００１８】以上の工程を４分から４分３０秒程度行
い、前記ＺｒＮの第１薄膜層６表面に、膜厚０.２６〜
０.２９μｍを有するもう一層のＺｒＮの第２薄膜層７
を形成した。
い、前記ＺｒＮの第１薄膜層６表面に、膜厚０.２６〜
０.２９μｍを有するもう一層のＺｒＮの第２薄膜層７
を形成した。
【００１９】以上の二つの工程の結果、基板３表面にト
−タルで膜厚０.３μｍのＺｒＮ被膜６,７が形成される
ことになる。
−タルで膜厚０.３μｍのＺｒＮ被膜６,７が形成される
ことになる。
【００２０】ところで、一般にアシストイオンを用いた
ときには基板３での温度上昇が７℃／ｍｉｎ．、ガス雰
囲気のみの利用では２℃／ｍｉｎ．である。
ときには基板３での温度上昇が７℃／ｍｉｎ．、ガス雰
囲気のみの利用では２℃／ｍｉｎ．である。
【００２１】さらに第１薄膜層６を形成したときと同じ
方法を用いて前記第２薄膜層７の表面に膜厚０.０５〜
０.１５μｍの第３薄膜層８を形成した。この時の成膜
時間は１分から２分程度が望ましい。
方法を用いて前記第２薄膜層７の表面に膜厚０.０５〜
０.１５μｍの第３薄膜層８を形成した。この時の成膜
時間は１分から２分程度が望ましい。
【００２２】また図３に成膜時間に対する基板３の裏面
温度を、特定のエネルギーをもったアシストイオンを連
続して用いて行う場合と、前記のように所定の時間だけ
用いて行う場合とに分けてグラフ化した図を示す。
温度を、特定のエネルギーをもったアシストイオンを連
続して用いて行う場合と、前記のように所定の時間だけ
用いて行う場合とに分けてグラフ化した図を示す。
【００２３】同図において、折線（１）はアシストイオ
ンエネルギ−９００ｅＶ、折線（２）は７００ｅＶ、折
線（３）は５００ｅＶ、折線（４）は２５０ｅＶで、ガ
ラス基板に成膜した場合を示し、折線（５）は前記方法
を用いて成膜した場合を示す。同じイオンエネルギ−
（７００ｅＶ）を用いた場合の折線（２）と折線（５）
とを比較すると、アシストイオンを連続して用いて形成
する方法と前記方法とでは、５分間のプロセスで基板３
の裏面においてほぼ２０℃の温度差が生じる。
ンエネルギ−９００ｅＶ、折線（２）は７００ｅＶ、折
線（３）は５００ｅＶ、折線（４）は２５０ｅＶで、ガ
ラス基板に成膜した場合を示し、折線（５）は前記方法
を用いて成膜した場合を示す。同じイオンエネルギ−
（７００ｅＶ）を用いた場合の折線（２）と折線（５）
とを比較すると、アシストイオンを連続して用いて形成
する方法と前記方法とでは、５分間のプロセスで基板３
の裏面においてほぼ２０℃の温度差が生じる。
【００２４】従って前記方法によれば、基板３を低温に
保持したまま成膜を行うことが可能となる。
保持したまま成膜を行うことが可能となる。
【００２５】また窒素イオンエネルギ−は７００ｅＶ、
Ｚｒ蒸着速度は６５０Å／ｍｉｎ．に設定したときのア
シストイオン（窒素）電流密度に対する成膜速度、及び
Ｎ／Ｚｒ組成比の関係を図４及び図５に示す。
Ｚｒ蒸着速度は６５０Å／ｍｉｎ．に設定したときのア
シストイオン（窒素）電流密度に対する成膜速度、及び
Ｎ／Ｚｒ組成比の関係を図４及び図５に示す。
【００２６】この図から成膜速度はガス雰囲気のみの方
がアシストイオンを用いた方より大きいことが明らかで
あり、Ｎ／Ｚｒ組成比はアシストイオン電流密度の大き
さには差ほど影響を受けないことが分かる。
がアシストイオンを用いた方より大きいことが明らかで
あり、Ｎ／Ｚｒ組成比はアシストイオン電流密度の大き
さには差ほど影響を受けないことが分かる。
【００２７】また、アシストイオンを用いるとその大き
なエネルギ−とイオン注入効果により、基板３と形成被
膜との密着性がガス雰囲気のみの場合に比べて良好であ
る。さらに結晶性の点ではアシストイオンを用いたもの
は余り良くなく、ガス雰囲気を用いたものの方が良好で
ある。
なエネルギ−とイオン注入効果により、基板３と形成被
膜との密着性がガス雰囲気のみの場合に比べて良好であ
る。さらに結晶性の点ではアシストイオンを用いたもの
は余り良くなく、ガス雰囲気を用いたものの方が良好で
ある。
【００２８】図６は第１薄膜層６の形成条件を変化させ
て、前記方法により形成したＺｒＮ被膜のＸ線回折結果
である。
て、前記方法により形成したＺｒＮ被膜のＸ線回折結果
である。
【００２９】同図において、曲線（ａ）は第１薄膜層６
のＮ／Ｚｒ到達比が０.３３、曲線（ｂ）は２.１の場合
を示している。
のＮ／Ｚｒ到達比が０.３３、曲線（ｂ）は２.１の場合
を示している。
【００３０】ここで、ＺｒＮ（１１１）とＺｒＮ（２０
０）、及びＺｒＮ（２２０）のピ−クは曲線（ａ）
（ｂ）でほぼ同じ２θの値で現れているが、そのピ−ク
の高さは曲線（ａ）の方が曲線（ｂ）よりも高い。即ち
Ｎ／Ｚｒの到達比が小さいほどできた第１薄膜層６の結
晶性が良くなることが分かる。
０）、及びＺｒＮ（２２０）のピ−クは曲線（ａ）
（ｂ）でほぼ同じ２θの値で現れているが、そのピ−ク
の高さは曲線（ａ）の方が曲線（ｂ）よりも高い。即ち
Ｎ／Ｚｒの到達比が小さいほどできた第１薄膜層６の結
晶性が良くなることが分かる。
【００３１】図７は先の図６で示された曲線（ａ）と曲
線（ｂ）の特性を有する第１薄膜層６に第２薄膜層７を
形成したときの第１、第２薄膜層６，７ト−タルでのＺ
ｒＮ被膜のＸ線回折結果である。この図において第２薄
膜層７を形成してもＺｒＮ被膜の配向性を調整すること
が可能である。
線（ｂ）の特性を有する第１薄膜層６に第２薄膜層７を
形成したときの第１、第２薄膜層６，７ト−タルでのＺ
ｒＮ被膜のＸ線回折結果である。この図において第２薄
膜層７を形成してもＺｒＮ被膜の配向性を調整すること
が可能である。
【００３２】以上の点から前記一連の工程において、ア
シストイオンを用いる工程は基板３の温度が余り上昇し
ないように極短時間として密着性のみを向上させ、ガス
雰囲気を用いる工程を相対的に長時間とすることによ
り、良好な密着性、早い成膜速度、良好な結晶性、及び
低温形成の４拍子揃った形成方法となる。
シストイオンを用いる工程は基板３の温度が余り上昇し
ないように極短時間として密着性のみを向上させ、ガス
雰囲気を用いる工程を相対的に長時間とすることによ
り、良好な密着性、早い成膜速度、良好な結晶性、及び
低温形成の４拍子揃った形成方法となる。
【００３３】一方、第３薄膜層８は被膜表面の色調を変
化させるのに有効となる。この色調の変化は基板として
の第２薄膜層７に到達するＮとＺｒの個数の比ＮC／ＮB
またはＮD／ＮBによって左右される。
化させるのに有効となる。この色調の変化は基板として
の第２薄膜層７に到達するＮとＺｒの個数の比ＮC／ＮB
またはＮD／ＮBによって左右される。
【００３４】ところでＺｒの到達個数ＮBは前記蒸発源
４からのＺｒの蒸着速度Ｖ［Å／ｍｉｎ．］から数１よ
り求めることができる。
４からのＺｒの蒸着速度Ｖ［Å／ｍｉｎ．］から数１よ
り求めることができる。
【００３５】
【数１】
【００３６】ここで、Ｎ+イオンの個数ＮCはイオン電流
密度Ｉ［ｍＡ／ｃｍ2］から数２により求められ、Ｎ2分
子の衝突の個数ＮDはＮ2の分圧（即ちＮ2分子の平均粒
子密度ｎ）から数２〜数５により求められる。
密度Ｉ［ｍＡ／ｃｍ2］から数２により求められ、Ｎ2分
子の衝突の個数ＮDはＮ2の分圧（即ちＮ2分子の平均粒
子密度ｎ）から数２〜数５により求められる。
【００３７】
【数２】
【００３８】
【数３】
【００３９】
【数４】
【００４０】
【数５】
【００４１】前記数１〜数５によって得られる到達比Ｎ
C／ＮB及びＮD／ＮBと第３薄膜層８の表面色との関係を
調べた結果を図８に示す。同図において白丸は金色、三
角は銀色、Ｘは透明色を表している。この図を見るとお
よそＮC／ＮBが
C／ＮB及びＮD／ＮBと第３薄膜層８の表面色との関係を
調べた結果を図８に示す。同図において白丸は金色、三
角は銀色、Ｘは透明色を表している。この図を見るとお
よそＮC／ＮBが
【００４２】
【数６】
【００４３】且つＮD／ＮBが
【００４４】
【数７】
【００４５】の範囲で鮮やかな金色を呈し、ＮC／ＮBが
【００４６】
【数８】
【００４７】またはＮD／ＮBが
【００４８】
【数９】
【００４９】の範囲で透明色になり、ＮC／ＮBが
【００５０】
【数１０】
【００５１】またはＮD／ＮBが
【００５２】
【数１１】
【００５３】の範囲で銀色を呈するようにようになる傾
向がみられる。
向がみられる。
【００５４】従って、電気かみそりの刃に高い付加価値
を付与するにはＺrの蒸着速度Ｖ、イオンガン５から照
射されるイオン電流密度Ｉ、及びチャンバ１内のＮ2分
圧比を調整して、第３薄膜層８の表面色を金色または透
明色に制御すればよい。
を付与するにはＺrの蒸着速度Ｖ、イオンガン５から照
射されるイオン電流密度Ｉ、及びチャンバ１内のＮ2分
圧比を調整して、第３薄膜層８の表面色を金色または透
明色に制御すればよい。
【００５５】尚、透明色の場合、膜厚の制御によって光
の干渉による虹の７色で表面色に変化を付けることが可
能である。
の干渉による虹の７色で表面色に変化を付けることが可
能である。
【００５６】また、前記実施例では第１薄膜層６の上に
形成した第２薄膜層７に対して表面色を制御する第３薄
膜層８を形成したが、基板３の表面に形成される第１薄
膜層６のみの形成で十分被膜としての効果が得られる場
合には、この第１薄膜層６に対して数１２〜数１４の条
件を採用すればこの第１薄膜層６によって被膜の表面色
を制御することも可能である。
形成した第２薄膜層７に対して表面色を制御する第３薄
膜層８を形成したが、基板３の表面に形成される第１薄
膜層６のみの形成で十分被膜としての効果が得られる場
合には、この第１薄膜層６に対して数１２〜数１４の条
件を採用すればこの第１薄膜層６によって被膜の表面色
を制御することも可能である。
【００５７】
【数１２】
【００５８】
【数１３】
【００５９】
【数１４】
【００６０】次に第２の実施例として前記第３薄膜層８
を形成することなく被膜の表面色を制御する条件につい
て説明する。基板３に対する第１薄膜層６の形成方法及
び条件は前記第１実施例と同じである。そして、得られ
た第１薄膜層６の表面に第２薄膜層７を形成する際に、
数１５〜数１７の条件でＮD／ＮB比のみを調整しつつ、
Ｎ2雰囲気中でＺｒを蒸発させることにより前記第２薄
膜層７の表面色を数１５の条件で透明色、数１６の条件
で金色、数１７の条件で銀色に制御することが可能であ
る。
を形成することなく被膜の表面色を制御する条件につい
て説明する。基板３に対する第１薄膜層６の形成方法及
び条件は前記第１実施例と同じである。そして、得られ
た第１薄膜層６の表面に第２薄膜層７を形成する際に、
数１５〜数１７の条件でＮD／ＮB比のみを調整しつつ、
Ｎ2雰囲気中でＺｒを蒸発させることにより前記第２薄
膜層７の表面色を数１５の条件で透明色、数１６の条件
で金色、数１７の条件で銀色に制御することが可能であ
る。
【００６１】
【数１５】
【００６２】
【数１６】
【００６３】
【数１７】
【００６４】また高硬度材料原子として前記Ｚｒの代わ
りにクロム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）を用い、常
温で気体となる原子として前記Ｎの代わりに酸素（Ｏ）
を用いることも可能である。
りにクロム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）を用い、常
温で気体となる原子として前記Ｎの代わりに酸素（Ｏ）
を用いることも可能である。
【００６５】
【発明の効果】本発明は以上の説明の如く、薄膜を形成
するための基板に到達する常温で気体となる原子の分子
としての個数ＮDあるいはイオンの個数ＮCの高硬度材料
原子の個数ＮBに対する比の値を調整することにより薄
膜の表面色を制御するものであるから、被膜を形成しよ
うとする商品に応じて表面色を容易に選択でき、該商品
の付加価値を高める効果大なるものとなる。
するための基板に到達する常温で気体となる原子の分子
としての個数ＮDあるいはイオンの個数ＮCの高硬度材料
原子の個数ＮBに対する比の値を調整することにより薄
膜の表面色を制御するものであるから、被膜を形成しよ
うとする商品に応じて表面色を容易に選択でき、該商品
の付加価値を高める効果大なるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の形成方法を実施するための装置を示す
図である。
図である。
【図２】形成された基板表面の被膜を示す断面図であ
る。
る。
【図３】成膜時間に対する基板裏面温度の変化を示す図
である。
である。
【図４】アシストイオンに対するＮ／Ｚｒ組成比の関係
を示す図である。
を示す図である。
【図５】アシストイオンに対する成膜速度の関係を示す
図である。
図である。
【図６】第１薄膜層の形成条件を変化させたときのＸ線
回折結果を示す図である。
回折結果を示す図である。
【図７】第１薄膜層と第２薄膜層とのト−タルでの被膜
のＸ線回折結果を示す図である。
のＸ線回折結果を示す図である。
【図８】ＮD／ＮB比とＮC ／ＮB比、及び第３薄膜層の
表面色との関係を示す図である。
表面色との関係を示す図である。
【符号の説明】 １ ・・・ チャンバ ２ ・・・ 基板ホルダ ３ ・・・ 基板 ４ ・・・ 蒸発源 ５ ・・・ アシストイオンガン ６ ・・・ 第１薄膜層 ７ ・・・ 第２薄膜層 ８ ・・・ 第３薄膜層
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜を形成するための基板に向けて常温
で気体となる原子のイオンを照射すると同時に、蒸発源
より高硬度材料の原子を前記基板に向けて放射すること
によって、該基板の表面に前記イオンの作用を受けた高
硬度材料原子から成る薄膜層を形成する方法において、
前記基板表面に到達する前記常温で気体となる原子の分
子としての個数ＮDと前記高硬度材料原子の個数ＮBとの
比ＮD／ＮBの値及び前記常温で気体となる原子のイオン
の個数ＮCと前記高硬度材料原子の個数ＮBとの比ＮC／
ＮBの値を調整して前記薄膜層の表面色を制御すること
を特徴とする高機能薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 常温で気体となる原子の雰囲気中で、薄
膜を形成するための基板に向けて蒸発源より高硬度材料
原子を放射して薄膜層を形成する方法において、前記基
板表面に到達する前記常温で気体となる原子の分子とし
ての個数ＮDと前記高硬度材料原子の個数ＮBとの比ＮD
／ＮBの値を調整して前記薄膜層の表面色を制御するこ
とを特徴とする高機能薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP698797A JPH09195046A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | 高機能薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP698797A JPH09195046A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | 高機能薄膜の形成方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3002126A Division JP2675439B2 (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 高機能薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09195046A true JPH09195046A (ja) | 1997-07-29 |
Family
ID=11653514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP698797A Pending JPH09195046A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | 高機能薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09195046A (ja) |
-
1997
- 1997-01-17 JP JP698797A patent/JPH09195046A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5626963A (en) | Hard-carbon-film-coated substrate and apparatus for forming the same | |
| JPH03501458A (ja) | 刃先の成形または修正のための方法および装置 | |
| JP2840502B2 (ja) | 高機能材料膜形成方法 | |
| US5053245A (en) | Method of improving the quality of an edge surface of a cutting device | |
| JP2675439B2 (ja) | 高機能薄膜の形成方法 | |
| JPH09195046A (ja) | 高機能薄膜の形成方法 | |
| JP2562724B2 (ja) | 高機能性薄膜の形成方法 | |
| JPS61106767A (ja) | 刃物類の刃先表面層改質方法 | |
| JP3177238B2 (ja) | 高機能薄膜の製造方法 | |
| JP2744069B2 (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JP2703419B2 (ja) | 高機能材料膜 | |
| JP2562730B2 (ja) | 高機能薄膜の形成方法 | |
| JP2657140B2 (ja) | 高機能性薄膜の形成方法 | |
| US20120172196A1 (en) | Photocatalytic multilayer metal compound thin film and method for producing same | |
| JP2777543B2 (ja) | 硬質炭素被膜基板及びその形成方法 | |
| JP2877385B2 (ja) | 刃物の製造方法 | |
| JPH1087397A (ja) | 硬質炭素被膜、及び該被膜を用いた電気シェーバー刃 | |
| JP2000087238A (ja) | 多色被膜生成方法および耐摩耗性・耐食性多色部材 | |
| JP3031551B2 (ja) | ガスバリアー性蒸着フィルムの製造方法 | |
| JP2636577B2 (ja) | 窒化チタン膜の形成方法 | |
| JP3071164B2 (ja) | 刃物の製造方法 | |
| JPH0817386A (ja) | イオンビーム照射方法及び該方法を用いた薄膜形成方法 | |
| JP3837782B2 (ja) | 酸化アルミニウム蒸着フィルムの製造方法 | |
| JPH0551661B2 (ja) | ||
| JPH01255669A (ja) | ビームスパッタ法による多成分物質膜の形成方法 |