JPH09190891A - ランプの点灯回路装置 - Google Patents
ランプの点灯回路装置Info
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- JPH09190891A JPH09190891A JP8354799A JP35479996A JPH09190891A JP H09190891 A JPH09190891 A JP H09190891A JP 8354799 A JP8354799 A JP 8354799A JP 35479996 A JP35479996 A JP 35479996A JP H09190891 A JPH09190891 A JP H09190891A
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Abstract
器、規定のエアギャップを持つ変成器)を用いずに実現
することのできるランプの点灯回路装置を提供する。 【解決手段】 本発明によるランプELの点灯回路装置
は、少なくとも1つのインダクタンスL2及び少なくと
も1つのコンデンサC7、C8、C9を有する負荷回路
と、2つのスイッチング素子T1、T2を有するハーフ
ブリッジ装置として形成することのできるインバータ
と、スイッチング素子T1、T2を駆動するための駆動
回路ASとを備えている。本発明によれば、駆動回路A
Sは少なくとも1つのLC並列振動回路L3C3、L4
C4を有している。本発明による回路装置は分離したコ
ストを要する巻線部分を用いずに実現することができ
る。
Description
インダクタンス及び少なくとも1つのコンデンサを有す
る負荷回路と、2つのスイッチング素子を有するハーフ
ブリッジ装置として形成することのできるインバータ
と、スイッチング素子を駆動するための駆動回路とを備
えたランプ、特に低圧放電ランプの点灯回路装置に関す
る。
ッチング素子はスイッチング周波数のサイクルで駆動パ
ワーを供給されなければならない。
鉄心)として又は規定のエアギャップを持つ変成器とし
て形成された分離形変流器を利用している(ヒルシュマ
ン(W.Hirschmann)著「電子回路(Ele
ktronikschaltung)」シーメンス・ア
クチエンゲゼルシヤフト、1982年、第148頁及び
第150頁参照)。
巻線部分を必要とし、しかもその製造公差が装置全体の
機能パラメータに相当影響するという点にある。
必要な共振又は電流制限インダクタンス(図1のL2参
照)に設け、これによって得られた制御信号を移相器回
路網を介してスイッチングトランジスタのゲートもしく
はベース入力端に印加することである(ドイツ連邦共和
国特許出願公開第4129430号明細書参照)。
路電圧においてハーフブリッジスイッチの切換えによっ
て惹き起こされたステップ状電圧成分が共振チョークコ
イルを介して共振電流振動によって規定された正弦波状
電圧成分に非常に強く重畳する点である。これにより、
補助巻線によって供給された信号の波形は正弦波関数よ
りも矩形波関数に類似することになる。従来技術(ドイ
ツ連邦共和国特許出願公開第4129430号明細書参
照)で提案された移相器は、容量が高周波周期中に正弦
波状に減少する二次電圧によってもはや高速に放電され
ないようにして、負荷電流の半波中にハーフブリッジス
イッチの確実なオフが保証されるようにした休止時間回
路として作動する。
したコストの掛かる巻線部分(飽和変流器、規定のエア
ギャップを持つ変成器)を用いずに実現することのでき
る冒頭で述べた種類の回路装置を提供することにある。
れば、駆動回路が少なくとも1つのLC並列振動回路を
有することによって解決される。
有している。
トで実現することができる。というのは、この回路装置
は全自動的に製造可能な価格的に有利な巻線部分を必要
とするだけであるからである。
きない公知の移相器回路は、本発明によれば、この種の
臨界電圧の場合でも安定器及びランプから成る装置全体
の安定した作動が保証されるように大幅に改善された。
おいては、LC並列振動回路は負荷回路からのエネルギ
ー入力のために負荷回路の少なくとも1つのインダクタ
ンス上の補助巻線に抵抗を介して電気的に接続される。
電気的接続によって行われる負荷回路から駆動回路への
このようなエネルギー入力は簡単に実現することがで
き、幾何形状的な製造公差に依存しない。
様においては、負荷回路からLC並列振動回路へのエネ
ルギー入力のために、LC並列振動回路のインダクタン
スは負荷回路のインダクタンスに磁気的にのみ結合さ
れ、LC並列振動回路には抵抗が接続される(図2参
照)。LC並列振動回路のインダクタンスと負荷回路の
インダクタンスとのこのような磁気的結合の場合、負荷
回路のインダクタンス上の補助巻線は省略することがで
き、これによって迅速で価格的に有利な製造が可能にな
る。さらにプリント板上の導体案内が簡単になる。
様においては、負荷回路のインダクタンスはエアギャッ
プを持つ磁気回路を有し、LC並列振動回路のインダク
タンスは外部エアギャップ付きで又は空心コイルとして
実施される。LC並列振動回路のインダクタンスと負荷
回路のインダクタンスとのこのような実施態様は最適な
磁気結合を可能にし、かつこれらのインダクタンスの価
格的に有利な製造を可能にする。
様においては、駆動回路はスイッチング素子毎に設けら
れた回路部分から構成され、スイッチング素子毎に設け
られた各回路部分はLC並列振動回路を有する(図1参
照)。それゆえ駆動ユニットの比較的迅速な設計が可能
になる。
様においては、一方ではスイッチング素子毎に設けられ
た各回路部分のLC並列振動回路の固有共振周波数が等
しくされ、他方ではスイッチング素子毎に設けられた各
回路部分のLC並列振動回路がそれぞれ同じ大きさのイ
ンダクタンス及び同じ大きさの容量を有する。LC並列
振動回路の同じ固有共振周波数及びインダクタンスなら
びに容量はインバータ装置の両スイッチング素子の対称
駆動を保証する。
様においては、複数のLC並列振動回路のインダクタン
スが磁気的に結合される。LC並列振動回路のインダク
タンスの磁気的結合は駆動回路における製造公差(イン
ダクタンス及び容量の公差)の影響を減少させる。
様においては、ハーフブリッジ装置は2つの互いに相補
形のトランジスタから形成され、駆動回路はLC並列振
動回路が一方では両スイッチング素子の接続点(ハーフ
ブリッジ中間点)に接続され他方ではスイッチング素子
の互いに接続された両制御入力端に接続されるように構
成される(図13参照)。この場合ハーフブリッジの両
スイッチング素子を駆動するのはLC並列振動回路で充
分であり、例えば変成器のような回路要素は必要とされ
ない。
様においては、駆動回路はLC並列振動回路によって形
成された駆動信号を反転させる回路要素を有し、さらに
駆動回路は一方のスイッチング素子にLC並列振動回路
の駆動信号を供給し他方のスイッチング素子にLC並列
振動回路の反転した駆動信号を供給するように構成され
る(図3参照)。このような実施態様の利点は、インバ
ータの両スイッチング素子の駆動時に非対称性が生じな
い点、もしくはLC並列振動回路の部品での製造上の公
差が両スイッチング素子に均等に影響する点である。そ
の回路要素のためのコストは一部は負荷回路のインダク
タンス上に1つの補助巻線しか必要としないことによっ
て補償される。さらに回路要素TRはインダクタンスL
3、L4の代用をするように形成することができる。
様においては、駆動回路は、第1の出力端にLC並列振
動回路によって形成された駆動信号を反転した形態で発
生し第2の出力端にLC並列振動回路によって形成され
た駆動信号を反転していない形態で発生する回路要素を
有する。さらに駆動回路は、一方のスイッチング素子の
制御入力端が回路要素の第1の出力端に接続され他方の
スイッチング素子の制御入力端が回路要素の第2の出力
端に接続されるように構成される(図4参照)。これに
よってLC並列振動回路には、両スイッチング素子の一
方のスイッチングの基準電位とは異なる基準電位を印加
できるという別の利点が得られる。
様においては、回路要素は変成器であり、その場合変成
器は1つ又は複数の二次巻線を有し、それぞれ1つの二
次巻線がインバータの少なくとも1つのスイッチング素
子に所属する。変成器を用いることにより二次巻線によ
ってハーフブリッジの両スイッチング素子のための駆動
信号を簡単に電気的に分離することができる。
様においては、補助巻線を介してLC並列振動回路に接
続される抵抗は直線形、非直線形、又は温度依存形であ
る。直線形抵抗はこの抵抗のためのコスト的に有利な実
施態様が存在するのに対して、非直線形又は温度依存形
抵抗を使用すると、所定の周囲状態(例えば高い周囲温
度)又は装置全体の状態(例えば異常なランプ燃焼電
圧)への駆動回路の整合が可能になる。
様においては、LC並列振動回路に並列に、ダイオード
及び抵抗から成る直列回路が、インバータのスイッチン
グ素子の制御入力端における制御電圧を負にするLC並
列振動回路の半振動を強く減衰させ、それによってハー
フブリッジの休止時間を延長させるように接続される
(図5参照)。この実施態様の利点は、1周期内でスイ
ッチング素子が作動する時間が短縮するようにスイッチ
ング素子のデューティ比を変えることができる点にあ
る。
様においては、LC並列振動回路とスイッチング素子と
の間に、スイッチング軽減コンデンサの再充電中にこの
コンデンサの再充電によってLC並列振動回路の駆動電
圧に逆に作用する電圧降下を生ずる別の抵抗が配置さ
れ、それによってスイッチング軽減コンデンサの再充電
中にはスイッチング素子のオンが阻止される(図6参
照)。一方のスイッチング素子のオンは、一方のスイッ
チング素子のフリーホイーリングダイオードが電流を導
く場合に初めて行われる。これは本発明による回路装置
のこの実施態様ではスイッチング軽減コンデンサが他方
のスイッチング素子のオフ後に完全に再充電される場合
に生ずる。この実施態様によれば、スイッチング素子の
オン時点をスイッチング軽減コンデンサの再充電の期間
に依存させることが可能になる。
様においては、上記の別の抵抗に並列に、陽極をスイッ
チング素子の制御入力端に接続されていないLC並列振
動回路の端子に接続し陰極をスイッチング素子の基準電
位に接続したダイオードが接続される。このようなダイ
オードはスイッチング素子の高速オフを可能にする。
様においては、スイッチング素子の制御入力端と当該L
C並列振動回路との間に、スイッチング素子のオフを加
速するパルス成形及びインピーダンス変換器四端子網が
挿入される(図7及び図8参照)。これによってスイッ
チング素子のオフ特性が改善され、従ってスイッチング
損失を最小にすることができる。
様においては、LC並列振動回路に並列に電圧依存性ダ
ンピング回路が配置される(図9参照)。このダンピン
グ回路によって、スイッチング素子の制御入力端は電圧
過負荷から保護される。
様においては、LC並列振動回路に並列に、ツェナーダ
イオード及びこのツェナーダイオードの陽極に接続され
た抵抗から成る直列回路が接続され、スイッチング素子
の制御入力端はツェナーダイオードの陽極に接続され、
スイッチング素子の基準電位は抵抗とLC並列振動回路
との接続点に接続される(図10参照)。ツェナーダイ
オードを追加することによって、スイッチング素子の閾
値電圧が見掛け上高くなり、従ってLC並列振動回路に
よってスイッチング素子を作動させる時間を短縮するこ
とができる。
な実施態様によれば、LC並列振動回路のインダクタン
スに直列にダイオード及び抵抗から成る並列回路を配置
し、その場合ダイオードの陰極及び抵抗の一端子をスイ
ッチング素子の制御入力端の基準電位に接続し、ダイオ
ードの陽極及び抵抗の他端子をLC並列振動回路のイン
ダクタンスに接続するか、又はダイオードの陽極及び抵
抗の一端子をスイッチング素子の制御入力端に接続し、
ダイオードの陰極及び抵抗の他端子をLC並列振動回路
のインダクタンスに接続し、これによってスイッチング
素子の制御入力端に対するLC並列振動回路の駆動電圧
の抵抗の大きさにより調整される負の直流電圧オフセッ
トを得るようにすることによって、より一層短縮するこ
とができる(図11参照)。
様においては、スイッチング素子の制御入力端とこの制
御入力端のための基準電位との間にクランプ抵抗が挿入
され、休止時間を延長させるためにLC並列振動回路の
制御出力端とスイッチング素子との間には抵抗分割器及
び別のスイッチング素子が挿入され、この別のスイッチ
ング素子は、抵抗分割器によってLC並列振動回路の駆
動電圧から形成された別のスイッチング素子のための制
御電圧がその閾値電圧を上回りそれをオンさせるとき
に、LC並列振動回路の駆動電圧をスイッチング素子に
印加する(図12参照)。この実施態様によれば、駆動
電圧に対して90°の位相角まで休止時間を積極的に延
長させることが可能になる。
実施態様においては、スイッチング素子の閾値電圧はス
イッチング素子の事前設定可能なオン期間を実現できる
ように事前設定可能である。この実施態様によれば、ス
イッチング素子の閾値電圧は異常に高い値を受け入れる
ことができ、休止時間を延長するためにこの特殊なスイ
ッチング素子を使用すると、付加的な部品を要すること
なく、上述の他の実施態様の場合と同じ効率を得ること
ができるという利点を有する。
る。
めのプッシュプル・ハーフブリッジを備えた回路装置の
回路図が示されている。電源入力端に直接にリード線に
ヒューズSIが接続されている。このヒューズSIの後
には、出力端を平滑コンデンサC1によって橋絡された
整流器GLと、正のリード線に設けられたフィルタチョ
ークコイルL1及び平滑コンデンサC1に並列接続され
たコンデンサC2から成る雑音防止回路とが続いてい
る。自励式自由振動インバータ(この場合プッシュプル
・ハーフブリッジ)は両スイッチング素子T1、T2
(特にMOSFETトランジスタ又はフリーホイーリン
グダイオードを備えたIGBTトランジスタ)と、抵抗
R1、R2、コンデンサC5、ダイオードD1及びダイ
アックDCを備えた始動回路とから構成されている。ラ
ンプELは第1電極の一端子が共振インダクタンスL2
を介して両トランジスタT1、T2間の中間タップに接
続され、第2電極の一端子が結合コンデンサC7を介し
てコンデンサC2のプラス極に接続されている。
コンデンサC7と、2つの共振コンデンサC8、C9と
から成る直列共振回路が設けられており、両共振コンデ
ンサC8、C9は直列にランプELの加熱回路内に配設
されている。コンデンサC9に並列にさらに正特性サー
ミスタKLが接続されている。トランジスタT2のスイ
ッチング区間に並列にさらにスイッチング素子の負荷を
軽減するためにコンデンサC6が接続されている。
された実施例の場合、公知の方法で共振インダクタンス
L2に設けられている補助巻線HW1、HW2を介して
行われる。本発明によれば、この補助巻線HW1、HW
2とスイッチング素子T1、T2のゲート入力端との間
には、インダクタンスL3又はL4、コンデンサC3又
はC4及び直列抵抗R3又はR4から成るLC並列振動
回路の形態の回路網がそれぞれ接続されている。このよ
うな回路手段を設けることによって、回路は平滑コンデ
ンサC1での高い電圧にも拘わらず安定に動作するよう
になる。補助巻線HW1、HW2は図1に示された実施
例の場合それぞれ同一ターン数nHW1 =nHW2 を有す
る。
ッジの両トランジスタT1、、T2を駆動するための駆
動回路ASはスイッチング素子毎に設けられた2つの回
路部分AS1、AS2を含んでいる。一般的に本発明に
よれば駆動回路は少なくとも1つのLC並列振動回路を
有する。
ギー入力のために負荷回路のインダクタンスL2上に巻
回された補助巻線HW1、HW2に抵抗R3、R4を介
して電気的に接続されるか又は接続可能である。
例が示されている。この回路装置においては、負荷回路
からLC並列振動回路内へのエネルギー入力のために、
このLC並列振動回路のインダクタンスL3、L4は負
荷回路のインダクタンスL2に磁気的にのみ結合されて
おり、その場合LC並列振動回路に並列に抵抗R13、
R14が接続されている。磁気結合はインダクタンスL
3、L4がインダクタンスL2の近くに配置されること
によって実現されている。
スL2が特に適当な鉄心形状(例えば“E形鉄心”)を
使用することによってエアギァップを備えた磁気的閉回
路を有するようにすることができる。その場合LC並列
振動回路のインダクタンスL3、L4は外部エアギァッ
プ付きで又は空心コイルとして実施される。特にインダ
クタンスL3、L4は棒状鉄心チョークコイルによって
形成される。
ング素子毎に設けられた回路部分AS1、AS2から構
成される。スイッチング素子毎に設けられた各回路部分
は図1及び図2に示されているようにLC並列振動回路
を有する。
分のLC並列振動回路の固有共振周波数が同じであると
好ましい。
路部分がそれぞれ同じ大きさのインダクタンス及び同じ
大きさの容量を有すると有利である。
1、T2における電圧及び電流の変化を図14及び図1
5に基づいて説明する。この場合、図14は始動中の両
駆動回路内の電圧特性U(T1、Gate)、U(HW
1)、;U(T2、Gate)、U(HW2)及びそれ
に関係するトランジスタ電流I(T1)、I(T2)を
示し、図15は振動状態におけるそれらを示す。
点ZP1(図14参照)で回路を一回トリガすることに
よって、コンデンサC3が充電され、トランジスタT1
が導通する。これによって、補助巻線HW1では電圧が
次式(1)で示されるターン比(=チョークコイルL2
の一次巻線のターン数nprimary とこのチョークコイル
L2上の補助巻線HW1のターン数nHW1 との比)と中
間回路直流電圧とによって規定された値へ跳躍する。チ
ョークコイルL2内には正弦波状電流が流れ始める。
線HW1の電圧は次式(2)に従って減少する(図14
の時点ZP1と時点ZP2との間の時間範囲a参照)。
しかしながら、補助巻線HW1での電圧はこの減少にも
拘わずコンデンサC3が抵抗R3を介してさらに充電さ
れるような大きさに保たれる。チョークコイルL3内に
はこのコンデンサC3の電圧に基づいて正弦波状に増大
する電流が流れ始め、この電流がコンデンサC3を放電
させる。これによりトランジスタT1の制御入力端(ゲ
ート)での電圧が低下し、それによりこの電圧はトラン
ジスタT1の閾値電圧を下回ってトランジスタT1をオ
フさせる(図14の時点ZP2参照)。
コイルL2内に流れる共振電流はチョークコイルの電
圧、従って補助巻線HW1、HW2の電圧を反転させ
る。コンデンサC3は抵抗R3を介して補助巻線HW1
の電圧及びLC並列振動回路のチョークコイルL3内を
流れる電流によって再充電され、トランジスタT1のゲ
ート電圧は負になる。補助巻線HW2によって抵抗R4
を介して最初に負に充電されるコンデンサC4は抵抗R
4を介して補助巻線HW2によって充電される。という
のは、この補助巻線HW2の電圧はハーフブリッジの切
換え中(図14の時点ZP2と時点ZP3との間の時間
範囲b参照)に飛躍的に増大するからである。抵抗R4
及びコンデンサC4の低域通過フィルタ機能によってコ
ンデンサC4、チョークコイルL4での電圧、従ってト
ランジスタT2のゲートでの電圧は正弦波状に増大す
る。トランジスタT2の閾値電圧を上回ると、このトラ
ンジスタT2はオンする(図14の時点ZP4参照)。
チョークコイルL2内の共振電流とトランジスタT2の
ゲート電圧との間の位相差に基づいて、スイッチング素
子T2のフリーホイーリングダイオードが共振電流を導
く間オンが生じている(図14の時点ZP3と時点ZP
5との間の時間範囲c参照)。補助巻線HW2から提供
された駆動電圧は正弦波状に減少するが、しかしながら
コンデンサC4の放電には寄与しないか又は寄与しても
僅かである。
チョークコイルL4を流れる電流によってコンデンサC
4を再充電させ、それによってトランジスタT2を確実
かつ高速にオフさせるにも拘わらず、チョークコイルL
4はコンデンサC4を放電させる(図14の時点ZP6
参照)。ハーフブリッジの新たな切換えによって、チョ
ークコイルL2内に流れる共振電流は補助巻線HW1、
HW2及び一次巻線の電圧を反転させる。容量C4は同
様に抵抗R4を介して補助巻線HW2によって負に充電
され、容量C3は抵抗R3を介して補助巻線HW1によ
って正に充電される(図14の時点ZP6と時点ZP7
との間の時間範囲d参照)。これによって、トランジス
タT1が再びオンし、上述の動作が最初から再び始めら
れる。
図13に示されたコンデンサC6(例えばトランジスタ
T2に並列に接続されている)が設けられる場合、一方
のハーフブリッジトランジスタのオフと他方のハーフブ
リッジトランジスタのオンとの間には充分な休止時間t
T (=時間範囲b=コンデンサC6の再充電過程の期
間)が存在しなければならない。
C6は通常使用される容量値を有する)、この休止時間
は、一方のトランジスタに所属する駆動回路の出力電圧
がゼロになる前にその一方のトランジスタの閾値電圧を
下回り、そしてオンすべきトランジスタが実際に導通す
る前に他方の駆動回路の前記出力電圧に対称な出力電圧
がそのオンするべきトランジスタの閾値電圧の値へ増大
するという事実から生ずる。
ッチング素子T1、T2内の電圧及び電流変化、並びに
補助巻線での電圧、及びLC並列振動回路の制御電圧を
示す。スイッチング素子毎に設けられた駆動回路の上記
電圧及び電流変化は対称的に推移することが分かる。
実際上或る程度の製造公差を有している。この製造公差
は両駆動回路(AS1/AS2)の次式(3)で示され
る固有共振周波数fres が大きく異なる場合にとりわけ
影響が大きい。何故ならば、その場合両駆動回路AS
1、AS2には互いに対称な駆動電圧がもはや生じない
からである。
2に示された本発明による回路装置の実施例は、チョー
クコイルL2内に蓄積された自走エネルギーによってス
イッチング軽減コンデンサC6の完全な再充電を保証す
るために、トランジスタの遅れたオンによってハーフブ
リッジを切換える際の休止時間を増大させる。
施例の場合、ダイオードD3及び抵抗R5又はダイオー
ドD4及び抵抗R6から成る直列回路がそれそれ両LC
振動回路のの各々に並列に接続され、それによりLC振
動回路の振動の負の半波(負のゲート電圧)が減衰させ
られる。
半波及び小さい振幅を持つ長い負の半波を有する駆動電
圧特性線が変形し、従ってデューティ比が変化する。
ことのできるスイッチオン遅延の他の実施例が図6に示
されている。
減コンデンサC6の電流は2つの抵抗R7、R8によっ
て検出される。このために2つの抵抗R7、R8及びコ
ンデンサC6から成る直列回路が、一方の抵抗R8がア
ース電位に接続されかつ他方の抵抗R7が両スイッチン
グトランジスタT1、T2の接続点に接続されしかもコ
ンデンサC6が両抵抗R7、R8間に位置するように、
トランジスタT1に並列に接続されている。両抵抗R
7、R8にはそれぞれダイオードD7、D8が並列接続
されており、その各陽極はスイッチング軽減コンデンサ
C6の各端子に接続されている。
の場合トランジスタT1、T2のゲート・ソース区間に
並列に接続されるのではなく、一端子が各トランジスタ
のゲートに接続されかつ他端子がダイオードD7(L
4、C4)及びD8(L3、C3)の陰極に接続されて
いる。
ング軽減コンデンサC6が放電する。今トランジスタT
1のゲート電圧が所定の閾値以下に低下すると、トラン
ジスタT1はオフする。このことによってコンデンサC
6が充電され、抵抗R7、R8に電圧降下が生ずる。
スL4、コンデンサC4、抵抗R4及び補助巻線HW1
によって構成された駆動回路から供給されたトランジス
タT2の駆動電圧から、コンデンサC6の充電過程によ
り抵抗R7に降下する電圧が引かれることによって、遅
らされる。
て非常に損失の大きいスイッチングを惹き起こす抵抗R
8の電圧降下は、ダイオードD8によってその順方向電
圧に制限される。
を下回ると、トランジスタT2はオフし、コンデンサC
6はチョークコイルL2内を流れる電流によって再び抵
抗R7、R8を介して放電する。抵抗R7の電圧降下は
ダイオードD7によってその順方向電圧に制限され、抵
抗R8の電圧降下はトランジスタT1に配置された駆動
回路から供給された電圧から引かれ、これによってトラ
ンジスタT1のオンが遅らされる。
(図2参照)は直線形、非直線形又は温度依存形であっ
てもよい。これによって、両スイッチング素子の駆動を
周囲条件又は装置全体の状態に応じて行うことが可能に
なる。例えば、周囲温度が非常に高い場合、装置全体の
入力は抵抗R3、R4、R13、R14が温度の上昇に
比例して小さくなるようにすることによって減少させる
ことができる。
保証されるように、駆動回路が装置全体の異常な作動状
態(例えば大量生産においてランプの異常に高い燃焼電
圧)に応答しなければならない場合に使用される。
他の実施例が示されている。この回路装置において、駆
動回路ASはLC並列振動回路によって形成された駆動
信号を反転させる回路要素TRを有している。この回路
要素TRは特に変成器であり、この変成器でLC並列振
動回路のインダクタンスL3、L4を代用することがで
きる。駆動回路は、一方のスイッチング素子(例えばT
1)にLC並列振動回路の駆動信号を供給しそして他方
のスイッチング素子(例えばT2)にLC並列振動回路
の反転した駆動信号を供給するように構成されている。
それによって、インバータの両スイッチング素子の作動
は非対称にならない。LC並列振動回路の部品における
製造上の公差は両スイッチング素子T1、T2に平等に
影響する。
一方のスイッチング素子(例えばT1)の制御入力端が
回路要素TRの一方の出力端に接続されそして他方のス
イッチング素子(例えばT2)の制御入力端が回路要素
TRの他方の出力端に接続されるように構成することが
できる。LC並列振動回路は両スイッチング素子T1、
T2の一方のスイッチング素子の基準電位とは異なる基
準電位にある。
り、この変成器は1つ又は複数の二次巻線を有してい
る。それぞれ1つの二次巻線がインバータの少なくとも
1つのスイッチング素子に所属している。このような変
成器を用いることによって二次巻線により、ハーフブリ
ッジの両スイッチング素子T1、T2のための駆動信号
が電気的に分離される。
2の制御入力端と当該LC並列振動回路との間にパルス
成形及びインピーダンス変換器四端子網VPが挿入され
ている本発明による回路装置の他の実施例を示す。この
四端子網はスイッチング素子T1、T2のオフを加速す
る。
成形もしくはインピーダンス変換器四端子網VPは2つ
のダイオード及び1つの小信号用バイポーラトランジス
タを有する放電回路網として形成されている。
Tと1つのダイオードを使用している。
1、T2の制御入力端との間に接続された四端子網VP
のダイオードは、LC並列振動回路の駆動電圧が減少す
ると、逆電圧を構成することによって、四端子網VPの
それぞれの小信号トランジスタをオンする閾値電圧を形
成する。これによってスイッチング素子T1、T2の入
力端容量が突発的に放電させられ、スイッチング素子が
オフさせられる。
おける他のダイオードは、小信号用バイポーラトランジ
スタのベース・コレクタ間ダイオードを通って不所望な
電流が流れるのを阻止する。
場合LC並列振動回路に並列に電圧依存性ダンピング回
路DG(特に2つの逆直列接続されたツェナーダイオー
ド)がスイッチング素T1、T2の制御電圧を制限する
ために配置されている。このような装置によって、スイ
ッチング素子の制御入力端のための過電圧保護が行われ
る。
例の代わりに又は付加的に、スイッチング素子T1、T
2の制御入力端とLC並列振動回路との間にツェナーダ
イオードZD及び抵抗RZを接続し、それによりスイッ
チング素子の閾値電圧にツェナー電圧を加え、それによ
ってスイッチング素子T1、T2をオンするためにLC
並列振動回路の高い駆動電圧を得る。
に示されている。互いに相補形のスイッチング素子(す
なわちT1はPチャネルMOSFET、T2はNチャネ
ルMOSFET)を使用することによって、両スイッチ
ングトランジスタのための共通の駆動電圧を形成するこ
とが可能になる。LC並列振動回路の駆動電圧の正の半
波によりスイッチング素子T1が作動させられ、負の半
波によりスイッチング素子T2が作動させられる。両ス
イッチング素子がオフする休止時間は、駆動電圧値の大
きさがスイッチング素子の閾値電圧より小さいために両
スイッチング素子がオフすることによって自動的に生ず
る。
合LC並列振動回路の駆動電圧の負の半波を時間的に伸
長させることができるのに対して、図11に示された本
発明による別の回路装置によればLC並列振動回路の駆
動電圧の直流電圧オフセットが得られ、それゆえ正の半
波の振幅は負の半波の振幅より小さくなる。
振動回路のインダクタンスL3、L4に直列に、ダイオ
ードD9、D10の陰極及び抵抗R9、R10の一端子
がスイッチング素子T1、T2の制御入力端の基準電位
に接続されるようにダイオードD9、D10及び抵抗R
9、R10から成る並列回路が配置されている。ダイオ
ードD9、D10の陽極及び抵抗R9、R10の他端子
はLC並列振動回路のインダクタンスL3、L4に接続
されている。
陽極及び抵抗R9、R10の一端子がスイッチング素子
T1、T2の制御入力端に接続され、ダイオードD9、
D10の陰極及び抵抗R9、R10の他端子がLC並列
振動回路のインダクタンスL3、L4に接続されるよう
にしてもよい。
2の制御入力端に対するLC並列振動回路の出力電圧の
抵抗R9、R10の大きさにより調整可能な負の直流電
圧オフセットU(バー)(T1、Gate)、U(バ
ー)(T2、Gate)が得られ、従ってスイッチング
素子を作動させる期間が同一である場合正のパルス幅が
短縮される。
時間的電圧変化が図16に示されている。図16(a)
はU(T1、Gate)、U(バー)(T1、Gat
e)、U(HW1)の変化を、図16(b)はU(T
2、Gate)、U(バー)(T2、Gate)及びU
(HW2)の変化を示している。U(バー)(Tx、G
ate)はスイッチング素子T1、T2の駆動電圧U
(Tx、Gate)の時間平均値を表している。チョー
クコイルではこのチョークコイルを流れる電流によって
オーム抵抗に降下する直流電圧が増大するので、LC並
列振動回路のインダクタンスL3、L4での電圧降下は
時間平均でUL =0Vである。抵抗R9、R10にはダ
イオードD9、D10の並列接続によって時間平均で負
の電圧が発生し、この電圧は網規則に基づいて交流電圧
UC (t)に重畳した直流電圧によってLC並列振動回
路のコンデンサC3、C4内で補償される。
9、R10及びダイオードD9、D10とLC並列振動
回路のインダクタンスL3、L4とから成る並列回路を
直列回路内に配置することは重要ではない。
リッジスイッチング素子の制御入力端には、テューティ
比がこのハーフブリッジスイッチング素子をオンするの
に充分な大きさを持つ電圧に対して50%以下の大きさ
である制御信号が現れる。このことは図16に示されて
いる。図11によって実施された駆動回路部分AS1、
AS2の制御電圧の時間平均値は負であり、正の半波の
振幅は負の半波の振幅より小さい。
T2がオフする休止時間tT を延長させる他の回路装置
が図12に示されている。この図12に示された回路の
重要な電圧変化は図17に示されている。図17(a)
はU(HW1)、U(T1、Gate)及びU(L3)
を示し、一方図17(b)はU(HW2)、U(T2、
Gate)及びU(L4)を示している。
チング素子T1、T2の制御入力端とこの制御入力端の
ための基準電位との間にクランプ抵抗RK1、RK2が
挿入されている。両スイッチング素子T1、T2がオフ
する休止時間tT を延長させるために、LC並列振動回
路の制御入力端とスイッチング素子T1、T2との間に
抵抗分割器RS1、RS2;RS3、RS4及び別のス
イッチング素子T3、T4が挿入されている。
ッチング素子T1、T2の制御導線(ゲート導線)内に
挿入された特にPNPトランジスタが使用されている。
4として、スイッチング素子T3、T4のコレクタがス
イッチング素子T1、T2に接続されエミッタがLC並
列振動回路に接続されそしてベースが抵抗分割器RS
1、RS2;RS3、RS4の中間タップに接続される
ことによってスイッチング素子T1、T2の制御入力端
(ソース)の基準電位線内に挿入されたNPNトランジ
スタを使用するようにしてもよい。
器RS1、RS2;RS3、RS4によってLC並列振
動回路の制御電圧から形成されたスイッチング素子T
3、T4のための制御電圧がスイッチング素子T3、T
4のオン閾値(閾値電圧)を上回りそしてこのスイッチ
ング素子T3、T4をオンする場合に初めてスイッチン
グ素子T1、T2に印加される(図12及び図17参
照)。
動回路の出力端とハーフブリッジスイッチング素子T
1、T2の制御入力端との間に接続されている。制御ト
ランジスタT3、T4が遮断状態にある場合、ハーフブ
リッジスイッチング素子T1、T2の制御電圧は0ボル
トである。抵抗RK1、RK2はこの場合ゲート・ソー
ス間容量(スイッチング素子T1、T2の入力端容量)
の充電を阻止し、従って外部からの影響によるハーフブ
リッジスイッチング素子T1、T2の故意ではないスイ
ッチオンを阻止する。
と、抵抗分割器RS1、RS2;RS3、RS4での電
圧降下も同様に増大する。RS2、RS4に対するRS
1、RS3の比を適当に選定することによって、LC並
列振動回路の出力電圧がどんな大きさの時でも制御抵抗
RS1、RS3での電圧降下が制御トランジスタT3、
T4をオンするのに充分な大きさとなるように調整する
ことができる。この動作点では抵抗RS1、RS3での
電圧は制御トランジスタT3、T4の閾値電圧と丁度同
じ大きさでなければならない(小信号用バイポーラトラ
ンジスタの場合約0.6ボルト)。
圧はオンしている制御トランジスタT3、T4を介して
ハーフブリッジスイッチング素子T1、T2の制御入力
端に転送され、しかもその転送は制御トランジスタT
3、T4の順方向電圧を差し引いて行われる。これによ
ってハーフブリッジスイッチング素子T1、T2がオン
させられる。
響しないようにもしくはLC並列振動回路にとって比較
的僅かしか負担とならないように高抵抗に選定される。
S3での電圧が閾値を再び下回りそしてこの制御トラン
ジスタのベース・コレクタ間ダイオードが完全に空にな
るまで、オン状態を取る。
ランジスタの空乏相に依存せずに確実にオフする。とい
うのは、LC並列振動回路の駆動電圧はハーフブリッジ
スイッチング素子T1、T2のオンに必要な制御電圧よ
り小さいからである。
T4はハーフブリッジスイッチング素子の制御入力端の
基準電位の導線内にも挿入することができる。その場
合、抵抗分割器RS1、RS2;RS3、RS4の値
は、制御トランジスタT3、T4のベース・エミッタ間
に位置する抵抗分割器の抵抗での電圧降下が制御トラン
ジスタT3、T4をオンするように選定される。
に相補形トランジスタT1、T2によって形成された本
発明による回路装置を示す。駆動回路ASは、LC並列
振動回路が一方では両スイッチング素子T1、T2の接
続点(ハーフブリッジ中間点)に接続され他方ではスイ
ッチング素子の互いに接続された両制御入力端に接続さ
れるように構成されている。この実施例の場合、LC並
列振動回路はハーフブリッジの両スイッチング素子T
1、T2を駆動するのに充分なように構成されている。
例えば変成器のような回路要素は必要とされない。
を用いて構成されている。しかしながら、例えば非対称
ハーフブリッジ形、フルブリッジ形、プッシュプル形又
は同様に単一トランジスタ形変換器のような他の慣用さ
れている自由振動形インバータも同様に使用することが
できる。
入力を持つランプを点灯するための図1に示された回路
装置の回路部品を纏めて示す。
路図。
路図。
路図。
路図。
路図。
路図。
路図。
路図。
路図。
す回路図。
す回路図。
す回路図。
す回路図。
の変化を示す特性図。
の変化を示す特性図。
の変化を示す特性図。
の変化を示す特性図。
Claims (23)
- 【請求項1】 少なくとも1つのインダクタンス(L
2)及び少なくとも1つのコンデンサ(C7、C8、C
9)を有する負荷回路と、2つのスイッチング素子(T
1、T2)を有するハーフブリッジ装置として形成する
ことのできるインバータと、スイッチング素子(T1、
T2)を駆動するための駆動回路(AS)とを備えたラ
ンプの点灯回路装置において、駆動回路(AS)は少な
くとも1つのLC並列振動回路(L3C3、L4C4)
を有することを特徴とするランプの点灯回路装置。 - 【請求項2】 LC並列振動回路は負荷回路からのエネ
ルギー入力のために負荷回路の少なくとも1つのインダ
クタンス(L2)上の補助巻線(HW1、HW2)に抵
抗(R3、R4)を介して電気的に接続されることを特
徴とする請求項1記載の回路装置。 - 【請求項3】 負荷回路からLC並列振動回路へのエネ
ルギー入力のために、LC並列振動回路のインダクタン
ス(L3、L4)は負荷回路のインダクタンス(L2)
に磁気的にのみ結合され、LC並列振動回路には抵抗
(R13、R14)が接続されることを特徴とする請求
項1記載の回路装置。 - 【請求項4】 負荷回路のインダクタンス(L2)はエ
アギャップを持つ磁気回路を有し、LC並列振動回路の
インダクタンス(L3、L4)は外部エアギャップ付き
で又は空心コイルとして形成されることを特徴とする請
求項1乃至3の1つに記載の回路装置。 - 【請求項5】 駆動回路(AS)はスイッチング素子毎
に設けられた回路部分(AS1、AS2)から構成さ
れ、スイッチング素子毎に設けられた各回路部分(AS
1、AS2)はLC並列振動回路を有することを特徴と
する請求項1乃至4の1つに記載の回路装置。 - 【請求項6】 スイッチング素子毎に設けられた各回路
部分(AS1、AS2)のLC並列振動回路(L3C
3、L4C4)の固有共振周波数が等しいことを特徴と
する請求項5記載の回路装置。 - 【請求項7】 スイッチング素子毎に設けられた各回路
部分(AS1、AS2)のLC並列振動回路(L3C
3、L4C4)はそれぞれ同じ大きさのインダクタンス
(L3、L4)及び同じ大きさの容量(C3、C4)を
有することを特徴とする請求項5又は6記載の回路装
置。 - 【請求項8】 複数のLC並列振動回路のインダクタン
スが磁気的に結合されていることを特徴とする請求項1
乃至7の1つに記載の回路装置。 - 【請求項9】 ハーフブリッジ装置の2つのスイッチン
グ素子(T1、T2)は2つの互いに相補形のトランジ
スタから形成され、駆動回路(AS)はLC並列振動回
路が一方では両スイッチング素子(T1、T2)の接続
点に接続され他方ではスイッチング素子(T1、T2)
の互いに接続された両制御入力端に接続されるように構
成されていることを特徴とする請求項1記載の回路装
置。 - 【請求項10】 駆動回路(AS)はLC並列振動回路
によって形成された駆動信号を反転させる回路要素(T
R)を有し、駆動回路は一方のスイッチング素子(T
1)にLC並列振動回路の駆動信号を供給し他方のスイ
ッチング素子(T2)にLC並列振動回路の反転した駆
動信号を供給するように構成されていることを特徴とす
る請求項1乃至4の1つに記載の回路装置。 - 【請求項11】 駆動回路(AS)は、第1の出力端に
LC並列振動回路によって形成された駆動信号を反転し
た形態で発生し第2の出力端にLC並列振動回路によっ
て形成された駆動信号を反転していない形態で発生する
回路要素(TR)を有し、駆動回路(AS)は一方のス
イッチング素子(T2)の制御入力端が回路要素(T
R)の第1の出力端に接続され他方のスイッチング素子
(T1)の制御入力端が回路要素(TR)の第2の出力
端に接続されるように構成されていることを特徴とする
請求項1乃至4の1つに記載の回路装置。 - 【請求項12】 回路要素(TR)は変成器であること
を特徴とする請求項10又は11記載の回路装置。 - 【請求項13】 変成器は1つ又は複数の二次巻線を有
し、それぞれ1つの二次巻線はインバータの少なくとも
1つのスイッチング素子(T1、T2)に所属している
ことを特徴とする請求項12記載の回路装置。 - 【請求項14】 抵抗(R3、R4;R13、R14)
は直線形、非直線形、又は温度依存形であることを特徴
とする請求項2乃至13の1つに記載の回路装置。 - 【請求項15】 LC並列振動回路に並列に、ダイオー
ド(D3、D4)及び抵抗(R5、R6)から成る直列
回路が、インバータのスイッチング素子(T1、T2)
の制御入力端における制御電圧を負にするLC並列振動
回路の半振動を強く減衰させ、それによってハーフブリ
ッジの休止時間(tT ;T1、T2はオフ)を延長させ
るように接続されていることを特徴とする請求項1乃至
14の1つに記載の回路装置。 - 【請求項16】 LC並列振動回路とスイッチング素子
(T1、T2)との間に、スイッチング軽減コンデンサ
(C6)の再充電中にこのコンデンサ(C6)の再充電
によってLC並列振動回路の駆動電圧に逆に作用する電
圧降下を生ずる別の抵抗(R7、R8)が配置され、そ
れによってスイッチング軽減コンデンサ(C6)の再充
電中にはスイッチング素子(T1、T2)のオンが阻止
されることを特徴とする請求項1乃至10の1つに記載
の回路装置。 - 【請求項17】 別の抵抗(R7、R8)に並列に、陽
極をスイッチング素子(T1、T2)の制御入力端に接
続されていないLC並列振動回路の端子に接続し陰極を
スイッチング素子(T1、T2)の基準電位に接続した
ダイオード(D7、D8)が接続されていることを特徴
とする請求項16記載の回路装置。 - 【請求項18】 スイッチング素子の制御入力端と当該
LC並列振動回路との間に、スイッチング素子のオフを
加速するパルス成形及びインピーダンス変換器四端子網
(VP)が挿入されていることを特徴とする請求項1乃
至16の1つに記載の回路装置。 - 【請求項19】 LC並列振動回路に並列に電圧依存性
ダンピング回路(DG)が配置されていることを特徴と
する請求項1乃至16の1つに記載の回路装置。 - 【請求項20】 LC並列振動回路に並列に、ツェナー
ダイオード(ZD)及びこのツェナーダイオードの陽極
に接続された抵抗(RZ)から成る直列回路が接続さ
れ、スイッチング素子(T1、T2)の制御入力端はツ
ェナーダイオードの陽極に接続され、スイッチング素子
(T1、T2)の基準電位は抵抗(RZ)とLC並列振
動回路との接続点に接続されていることを特徴とする請
求項1乃至16の1つに記載の回路装置。 - 【請求項21】 LC並列振動回路のインダクタンスに
直列にダイオード(D9、D10)及び抵抗(R9、R
10)から成る並列回路を配置し、その場合ダイオード
(D9、D10)の陰極及び抵抗(R9、R10)の一
端子をスイッチング素子(T1、T2)の制御入力端の
基準電位に接続しそしてダイオード(D9、D10)の
陽極及び抵抗(R9、R10)の他端子をLC並列振動
回路のインダクタンス(L3、L4)に接続するか、又
はダイオード(D9、D10)の陽極及び抵抗(R9、
R10)の一端子をスイッチング素子(T1、T2)の
制御入力端に接続しそしてダイオード(D9、D10)
の陰極及び抵抗(R9、R10)の他端子をLC並列振
動回路のインダクタンス(L3、L4)に接続し、これ
によってスイッチング素子(T1、T2)の制御入力端
に対するLC並列振動回路の駆動電圧の抵抗(R9、R
10)の大きさにより調整される負の直流電圧オフセッ
トを得ることを特徴とする請求項1乃至14の1つに記
載の回路装置。 - 【請求項22】 スイッチング素子(T1、T2)の制
御入力端とこの制御入力端のための基準電位との間にク
ランプ抵抗(RK1、RK2)が挿入され、休止時間
(tT ;T1、T2はオフ)を延長させるためにLC並
列振動回路の制御出力端とスイッチング素子(T1、T
2)との間に抵抗分割器(RS1、RS2、RS3、R
S4)及び別のスイッチング素子(T3、T4)が挿入
され、この別のスイッチング素子は、抵抗分割器(RS
1、RS2、RS3、RS4)によってLC並列振動回
路の駆動電圧から形成された別のスイッチング素子(T
3、T4)のための制御電圧がその閾値電圧を上回りそ
れをオンさせるときに、LC並列振動回路の駆動電圧を
スイッチング素子に印加することを特徴とする請求項1
乃至14の1つに記載の回路装置。 - 【請求項23】 スイッチング素子(T1、T2)の閾
値電圧はスイッチング素子の事前設定可能なオン期間を
実現するように事前設定されることを特徴とする請求項
1乃至22の1つに記載の回路装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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