JPH09186428A - 混成集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フレキシブルシートの配線において、ボンデ
イング性を考慮してＣｕの上にＮｉを載せ、塩化第２鉄
のエッチャントでパターニングすると、エッチングレー
トの違いにより銅パターンの上に庇が形成される。しか
し後の工程でブラッシングすると、庇がバリとなって歩
留まりを低下させる。 【解決手段】 フレキシブルシート上には銅箔、Ｎｉが
積層され、この状態で塩化第２鉄を使ってシャワー５２
によりエッチングを行う。エッチングレートによりこの
工程で庇５３が発生するが、図６のようにローラー５４
をフレキシブルシートの上で転がし、配線間にエッチン
グ液を所定の量残留させる。このエッチング液は、すぐ
にＣｕと反応して塩化銅となり、この塩化銅がＮｉと反
応して庇をエッチングすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、混成集積回路装置
の製造方法に関し、混成集積回路基板装置上のフレキシ
ブルシート表面に決まった量のエッチング液を残留させ
る方法に関するものである。更には、Ｃｕの上にＮｉを
施した際、このＮｉの庇を取り除き、ニッケルヒゲの発
生を防止するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、混成集積回路装置において、例
えば導電路としてＣｕを使うことがある。図１１はその
一例であり、例えば少なくとも表面が絶縁性を有する基
板１に所望の回路を達成するための導電路２が形成さ
れ、この導電路２またはこれと一体または島状に独立し
てなる導電ランドに半導体チップやチップ抵抗等が実装
され、前記回路が実現されている。

【０００３】ここでは基板１としてはＡｌ金属により成
り、表面を陽極酸化して酸化アルミニウム３を生成し、
導電路との接着性を考えエポキシ系の樹脂４がその全面
に被着されている。いわゆるホットプレスにより導電路
が熱圧着されている。前記構成において、Ｃｕ５の酸化
防止や金属細線のボンディング性を考慮してその表面に
Ｎｉ６がメッキされている。図では全てのラインにＮｉ
がメッキされているが、実際はボンディングエリアのみ
に部分的にメッキされていてるものが多い。

【０００４】一方、エッチングとしては、ドライエッチ
とウェットエッチングの２通りが主に有るがスループッ
トを考えてウェットがその主流となっている。一般に数
μｍ〜数十μｍの金属をドライで行った場合、数時間以
上かかるものが、シャワー式のウェットエッチングで行
えば数分〜数十分程度でエッチングできる。特に全面に
Ｃｕ、Ｎｉを被着し、塩化第２鉄（ＦｅＣｌ2）のエッ
チャントでウェットエッチングをした場合、Ｃｕの方が
エッチングレートが大きいため、図１１のようにＮｉの
庇７が形成される。

【０００５】一方、製造工程中において、レジストゴミ
やその他のゴミの除去、およびＮｉ表面が平らであるた
めボンディング性の向上を考えてブラッシングが行われ
る。つまりこのブラッシングによりゴミは除去され、Ｎ
ｉの表面は粗面になる。しかし図１１のようにＮｉの庇
が設けられているため、ブラシの毛足がこの庇に当り、
Ｎｉヒゲ８を生成し、導電路２間の短絡を発生させた
り、膜剥がれ等を発生させていた。

【０００６】またＮｉの成膜領域以外をレジストで覆
い、電解メッキで選択的にＮｉを被着させる場合、レジ
ストの周辺に電流が集中し、レジストを除去してみる
と、Ｎｉパターンの周辺に突起が生成され、これがボン
ディング性を悪化させていた問題もあった。そのため特
開平７−１４７４７６号公報のような対策がとられた。
つまり、強制供給法であるシャワーによるウェットエッ
チングでまず庇のある導電路（図２を参照）を形成し、
その後に例えば図９のようにエッチング液（塩化第２鉄
を主とする水溶液）に基板１をディップさせ、Ｃｕ５側
面にエッチング液の一要素、例えば塩素Ｃｌと化合した
保護膜（塩化銅）を生成した状態で、Ｎｉ膜を選択的に
除去させることにより、Ｎｉの庇を取り除いていた。

【０００７】つまり強制供給法でウェットエッチすると
この保護膜が剥げ、常時新しいＣｕ表面が露出されＣｕ
のエッチングが進むが、ディプでしかも液は静止状態に
保持されると、この保護膜は、Ｃｕの側辺に付着したま
まの状態を維持し、Ｎｉの選択エッチングが可能となる
わけである。また前述したようにＮｉの選択エッチング
が可能となるため、Ｎｉのパターン周辺にできた突起も
除去することができるわけである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】前記保護膜は、膜と言
うよりはＣｕＣｌｘ（Ｘ＝１，２）がＣｕの表面に残留
し、膜と言うよりは液膜が層状に残留している状態であ
ると推察している。従って、静止状態のエッチング液に
基板を投入すれば、最初はＣｕがエッチングされるが、
その後ＣｕＣｌｘが生成し、前記保護液層がＣｕの側壁
に残留するため、エッチング液がニッケルをアッタクす
る量が増加してくる。しかし塩化第２鉄の量が多いと、
その相対比は程度の差であり、やはりＣｕをアタック
し、ＮｉよりもＣｕの方が相対的に多く選択される。Ｃ
ｕと比べてエッチングレートは小さいがＮｉはエッチン
グはされているのでいつかは庇が無くなるが、やはりエ
ッチング時間が長いことは非常に問題である。

【０００９】これらのことは、多層基板に使用するフレ
キシブルシートに於いても同様のことがいえる。つまり
フレキシブルシートの配線にＮｉ庇が生じたり、Ｎｉ突
起が生じたりする問題があった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みてなされ、第１に、絶縁性フレキシブルシートを固定
し、前記絶縁性フレキシブルシートの表面に設けられた
塩化第２鉄エッチング液をローラーで切りながら、所定
の量残留させ、この残留させた塩化第２鉄水溶液で、Ｎ
ｉより成る第２層目のパターンの一部を取り除き、この
フレキシブルシートを２層目以上の配線層として使用す
ることで解決するものであり、図６の如く、エッチング
材料に対してエッチング液が非常に多い体系にせず、エ
ッチング液を減らせば、塩化第２鉄がすぐに反応して無
くなり、ＣｕＣｌｘ（Ｘ＝１，２）がリッチとなり、こ
の反応生成物はＣｕよりもＮｉの方がエッチングレート
が高いため、庇が除去されると判断した。従って、図６
のようにフレキシブルシート表面にローラーを当接させ
ながら転がし、エッチング液を切った。ローラーの加圧
程度により基板表面にエッチング液が残留し、すぐに塩
化第２鉄が反応して無くなるようにすれば、このエッチ
ング液によりＮｉ庇やＮｉ突起を選択的にエッチングす
ることができる。

【００１１】第２に、前記第１の方法に於いて、絶縁性
フレキシブルシートを表面が平坦な台座の上に配置し、
少なくとも台座の上の前記フレキシブルシートに引っ張
りテンションを加えながら、表面に設けられた塩化第２
鉄エッチング液をローラーで切り、所定の量残留させて
エッチングすることで解決するものであり、図５の矢印
のようにテンションを加えることでローラーの転がりが
容易になり、所定の量を精度良く残留させることができ
る。第３に、パターン化された配線を少なくとも有する
絶縁性基板の上に全面にＣｕ更にその上にＮｉが被着さ
れたフレキシブルシートを貼り付け、この貼り付けられ
た前記絶縁性基板を塩化第２鉄を主としたエッチング液
に浸し、所定のパターンに形成し、前記エッチング液、
または改めて浸されたエッチング液が所定の量残留する
ようにローラーを転がし、前記残留したエッチング液に
よりパターン化された配線のＮｉの一部ををエッチング
することで解決するものである。

【００１２】前記フレキシブルシートは、完全に貼り付
けられた状態であるので、通常の基板の扱いができ、前
述したようなテンションを加えることなくローラーをフ
レキシブルシート上で転がすことができる。従って全て
の方法に於いて、選択的にＮｉをエッチングできるの
で、フレキシブルシートに発生するＮｉ庇やＮｉ突起を
エッチングでき、バリの発生を抑制できると同時に、突
起によるボンデイング不良を無くすことができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に発明の実施の形態を説明す
る。本発明は、基板の表面あるいは基板の上に積層し多
層基板となるフレキシブルシートの上に有るエッチング
液を切りながら、決まった量だけシート表面にエッチン
グ液を残留させる方法である。まず基板構造を図８を使
って説明すると、少なくともその表面が絶縁性を有する
基板２０があり、この上には導電路２１、２２が形成さ
れる。この基板２０は、ここではＡｌ基板よりなり、そ
の表面は陽極酸化により酸化アルミニウム２３が生成さ
れ、更に導電路２１、２２との接着性を考えて、エポキ
シ系の絶縁樹脂２４が被膜されている。しかし少なくと
も表面が絶縁処理されていればよく、他の方法（例えば
スパッタリング等）で直接配線材料が成膜できるのであ
れば、セラミック、プリント基板またはガラス基板等で
も良い。

【００１４】前記導電路は、２種類有り、一方はＣｕ配
線のみの符号２１であり、他方は２層構造の符号２２で
ある。また２層構造配線に於いて、下層の第１の導電路
２５は、前記Ｃｕ配線２１と同一材料で形成され、ここ
では３５μｍの厚さでこの導電路２２の主となる。また
第１の導電路２５上には、この導電路よりもエッチング
レートの小さい材料、例えば数μｍ〜１０μｍ程度、実
際ここでは５μｍのＮｉより成る第２の導電路２６が被
着されている。詳しくは後述するが、第１の導電路２５
の方がエッチングレートが大きいエッチャント（塩化第
２鉄水溶液）でウェットエッチングし、第１の導電路２
５と第２の導電路２６を同時にエッチングすると、どう
しても第１の導電路２５の方が選択されアンダーカッと
され、従来例図１１のように庇７が形成されるが、本発
明の方法を採用することによりＮｉの庇は除去され、図
４のようにＣｕのパターンの内側に配置される事にな
る。従って従来例で説明したように、レジストゴミやそ
の他のゴミの除去、Ｎｉ表面の粗面化のためにブラッシ
ングを行っても、Ｎｉ庇が形成されないため、Ｎｉヒゲ
が発生せずショート等を抑制することができる。

【００１５】この導電路２１は、所定の回路を達成する
ために所定のパターンに形成されており、チップ抵抗、
チップコンデンサ等の受動素子、ベアのトランジスタチ
ップ、ＬＳＩチップ等の能動素子が半田、導電ペースト
等を介して電気的に接続されている。特に能動素子は、
アイランド状の導電路に必要によりヒートシンク等を介
して固着される。またチップ表面には電極があるため、
金属細線がワイヤーボンデイングにより他の導電路と電
気的に接続されている。ここで金属細線は、Ｃｕ配線の
上にボンデイングできないため、配線２２の様にＮｉ２
６を被着し、この上にＡｌより成る金属細線が超音波ボ
ンディングされている。また半導体基板２０の周辺に
は、回路の一部が延在されリード端子２７が形成され、
ここには半田を介してリード２８が電気的に接続されて
いる。

【００１６】また回路規模が大きい場合、これら半導体
基板の上には、第２層目以上の配線（ここでは２層構造
として示す。）が設けられた絶縁性フレキシブルシート
３０が貼着されている。予めパターン化されたもの、ま
たはパターン化されていない銅箔が基板全面に貼り付け
られ、その後にフレキシブルシートの銅箔がパターン化
されても良い。この場合、Ｃｕパターン３１，３２の
内、配線３２の上（特にボンディングエリアの部分）に
Ｎｉが被覆される。

【００１７】詳しくは、フレキシブルシート３０上の配
線３２と基板２２を金属細線で接続されるもの、半導体
チップ３３からフレキシブルシート３０上の配線３２と
接続されるものがある。当然、第２層目の配線にも前記
受動素子および能動素子が形成され、第１および第２層
目のこれらの要素を含めて所定の回路が実現される。前
述した１層または多層の基板は、封止される。金属性の
カンで封止されても良いし、樹脂モールドされても良
い。またケース材が基板に当てがわれ、中に樹脂が注入
されても良い。

【００１８】続いて製造方法について説明する。まずＡ
ｌ金属基板２０を用意し、その表面を陽極酸化して酸化
アルミニウム２３を形成し、エポキシ系の絶縁樹脂２４
を成膜した後、この樹脂の接着性を利用して、全面にＣ
ｕ箔４０をプレス接着し、更にこの全表面にＮｉ層４１
をメッキにより成膜している。ここでは予め全面にＮｉ
が被覆されている銅箔を貼着させても良い。またＮｉは
メッキ以外の方法で成膜されても良い（以上図１参照） 続いて、ホトリソグラフィ技術により、導電路２１，２
２を形成する領域にホトレジスト４２を成膜し、被エッ
チング面に常時新しいエッチャントが供給されるように
してウェットエッチングする。この新しいエッチャント
を被エッチング面に供給すると同時に、反応物を取り除
くためにエッチャントに流れを与える方式を、ここでは
強制供給法と仮称する。この方法は、シャワー、液層内
を循環させる方法等色々考えられ、ここでエッチャント
は塩化第２鉄であり、強制循環方式としてシャワーを採
用した。塩化第２鉄のエッチングレートＲは、Ｒ（Ｃ
ｕ）＞Ｒ（Ｎｉ）であるため、図１１にも示したような
庇７がレジスト４２の真下に符号４３としてでき、この
状態で第１の導電路２５と第２の導電路２６が形成され
る。図８の第１層目のパターンを見れば判るように、Ｎ
ｉの載っていない配線２１とＮｉが載っている配線２２
の２種類の配線が形成されることになる。（以上図２参
照） 続いて、基板２０の面にロール４４を転がし、エッチン
グ液を切ると同時にある程度の量を残留させる工程があ
る。

【００１９】本工程は、本発明の特徴とするところであ
り、最大のポイントは、ロールでエッチング液を金属基
板の配線間に残し、強制供給法とは異なり、静止したエ
ッチング液でエッチングすることにある。まずなぜ静止
したエッチャントかについて説明する。つまり静止した
エッチングを行うとその反応物がＣｕのエッチング面に
残り、この反応物が保護膜として働き、エッチャントが
Ｃｕをアタックしにくくなり、相対的にＮｉがエッチン
グされ易くなる。ここで「静止した」と表現した意味に
ついて説明する。図２のＣｕのエッチングの場合、エッ
チング液（塩化第２鉄を主成分とするエッチャント）が
シャワーやスクリュのような手段で、エッチング面に絶
えず新鮮なエッチング液が供給されると、エッチングレ
ートが非常に高くなる。そのため図２までのエッチング
は、手段の意味から強制的に循環させて動的に行う意味
で強制供給法と名付けた。

【００２０】それに対し、強制循環を弱くすれば、前記
保護膜として働く層が破壊されないため、Ｃｕの表面に
新鮮なエッチング液が供給されない。つまり強制的に循
環させるに対して静的なと表現した。これはエッチング
液が全く静止していた方が良いが、製造工程において全
くの静止は難しいので若干前記保護膜が動く程度であれ
ば、前記動的に対してエッチング液が静止しているとい
える事を付け加えておく。つまり保護膜が破壊に至らな
い程度で有れば静止の範疇に含まれると考える。ここで
はシャワーやスクリュー等の強制循環手段を採用してい
ないため静止として考える。

【００２１】またこの保護膜は、定かではないが、膜と
言うよりはＣｕＣｌｘ（Ｘ＝１，２）がＣｕの表面に残
留しており、液膜またはコロイド状のものが層状に残留
している状態であると推察している。従って、静止状態
のエッチング液に基板を投入すれば、Ｃｕのエッチング
により生成する前記保護液層がＣｕの側壁に残留したま
まであるため、エッチング液のニッケルアッタク量が相
対的に多くなるが、塩化第２鉄の量が多いと、その相対
比は程度の差であり、やはりＣｕをアタックし、Ｎｉよ
りもＣｕの方が相対的に多く選択エッチされやはりＮｉ
の庇がエッチングしにくい事が判った。

【００２２】そのため図９の従来例のように、エッチン
グ材料に対してエッチング液が非常に多い体系にせず、
エッチング液を減らせば、塩化第２鉄がすぐに反応して
無くなり、ＣｕＣｌｘ（Ｘ＝１，２）がリッチとなり、
これはＣｕよりもＮｉの方がエッチングレートが高いた
め、庇が除去されると判断した。そこで基板表面にエッ
チング液を残留させる程度にしたらどうかと考え、図１
０のように基板１表面にローラー３３を当接させながら
転がし、エッチング液を切ってみた。

【００２３】ここで基板に載せられるエッチング液は、
図２の強制供給の時に載せられたものをローリングして
量を限定しても良いし、また別途エッチング液を載せ返
してローリングしても良い。図１０のようにローラー４
４の接触強度により基板２０に載せられるエッチング液
の量がコントロールできる。具体的には、配線２２間に
示すハッチング領域のように、実質配線間に取り込まれ
ているエッチング液を残留させながら他の余分なエッチ
ング液を切ることができる。

【００２４】従ってエッチング液量を限定でき、ＣｕＣ
ｌｘ過多に生成されるため、時間を掛ければＮｉを選択
的にエッチングできる。ところが、ローラー４４とエッ
チング液の当接界面は、表面張力の関係により（実際に
原因ははっきりしていない）、導電路間のエッチング液
が回転時にローラーに吸い取られ（図面では量が減るた
めこれを符号Ｓで示し、模式的にエッチング表面が下に
凸のように示した。）、逆にエッチング液が足りずＮｉ
庇を全て完全に取るまでに至らない問題があった。また
庇の長さは減るが安定して庇を取りずらい問題があっ
た。

【００２５】そこで、図３に於いて、配線間を主体とし
て、エッチング液を残留させる際、図７のような凹凸の
あるローラーを用い、配線間に、この基板とローラーの
へこみ部分の間にあるエッチング液を盛り、図１０の残
留量よりもエッチング液を多くした。つまりこの凹凸の
サイズ、ローラーの柔軟性および加圧によりエッチング
液をコントロールして残留させることができる。従っ
て、Ｃｕの側壁をエッチングする塩化第２鉄のエッチン
グ液が最初はあるが、全体としては量が少ないために、
殆ど消費され残ったＣｕＣｌｘ（Ｘ＝１，２）で相対的
にＮｉをアタックし、庇を取り除くことができる。

【００２６】ここでローラー４４は、基板の上面にしか
ないが、図１０のように下にもローラーを配置して良
い。下のローラーは、エッチング液を切る必要がないた
め、特に凹凸のあるものを用意する必要はない。またロ
ーラーの材質としては、ＥＰＴ（エチレン・プロピレン
・ターポリマー）ゴムで、凹凸は、ちょうど算盤玉を複
数個貼り合わせたような形状で、ピッチは３ミリ程度、
山から谷間での高さは約１ミリ程度である。また図７の
谷Ｖは、１回転すると元の位置に戻る形状であるが、螺
旋状に成っていても良い。また和菓子の金平糖のように
凹凸部が島状に点在する形状であっても良い。

【００２７】次に、エッチング液を例えば純水で取り除
き、その後に従来例で説明したようにブラッシングを行
う。従って図４のように最終的にＮｉ庇を除去してパタ
ーニングできるので、Ｎｉヒゲの発性を抑制することが
できる。またＮｉ突起は、従来例で説明したように一般
的には庇の上面に形成されるので、庇の除去と同時に取
り除ける。従ってヒゲによる配線間の短絡、ボンディン
グ不良が無くせる。

【００２８】この後、図８からも判るようにスクリーン
印刷で厚膜抵抗を形成したり、チップ状の受動素子や能
動素子を半田、銀ペーストや半田ペースト等を介して電
気的に接続し、必要によっては素子と配線とを金属細線
にてワイヤーボンディングする。ここで図８の場合、フ
レキシブルシート３０の下に配置されるものだけ前述の
電気的接続を行い、フレキシブルシート３０を貼り合わ
せた後、フレキシブルシート上、フレキシブルシートと
重畳していない領域の素子の実装を行った方が良い。

【００２９】続いてフレキシブルシートを用意する。こ
のフレキシブルシート３０を貼り合わせる方法は、２種
類ある。つまりシートを前もってパターニングし、これ
を金属基板に貼り合わせる方法と、パターニングせずに
金属基板に貼り合わせ、この後フレキシブルシートをパ
ターニングする方法である。図５は、ロール５０に巻か
れているフレキシブルシート３０を台座５１の上に配置
し、ロール５０によりフレキシブルシートに矢印の方向
にテンションを加え、この上でローラー４４を使って液
切りを行う。

【００３０】更に具体的に図示したものが図６である。
波断線の左側は、予めＣｕとＮｉが貼り合わされたシー
トを塩化第２鉄でシャワー５２によりエッチングしてい
るもので、図２と同様にＮｉ庇５３が形成される。従っ
てフレキシブルシート３０の上には、エッチング液が大
量に載っており、これを波断線の右側、つまりローラー
５４でエッチング液を切り、所定の量残留させている。

【００３１】ローラーは、図７のローラーを採用してい
るが、凹凸が無くとも可能である。説明は、図３のエッ
チング液切りの時の説明と全く同じである。本工程は、
本発明の特徴であり、フレキシブルシートの上に所定の
量を残留させ、エッチングすることにある。この載せら
れたエッチング液は、ローラー５４で液切りされてから
右側へ移行する。この右の工程では配線間にエッチング
液が残留され、その残留されたエッチング液で静的にエ
ッチングされる。

【００３２】完全に庇が取り除けるまでローラーを止め
て、エッチング液を静的状態にするのが好ましいが、ロ
ーラーが搬送されていてもフレキシブルシートのエッチ
ング液を撹拌装置やシャワー等で強制循環させていない
のでこれも静的範疇に入る。このエッチングにより図６
に示したＮｉ庇やＮｉ突起はエッチングされる。従って
ロール状に巻かれているので、所定のサイズに切断し金
属基板に切断されたシートを図８のように貼り合わせ
る。

【００３３】図８の配線３１，３２で示すように、Ｎｉ
がメッキされているものとＮｉがメッキされていないも
のとで２種類に分けられ、前者は、半導体チップ３３と
配線を金属細線で接続するためのボンディングエリアで
あり、また１層配線と２層配線を金属細線で接続するた
めのボンデイングエリアである。前記半導体チップ３３
は、電流容量の少ないもので、特に大出力で発熱を大量
にするものは、積極的に第１層目のランドへ接続する必
要がある。

【００３４】今までの説明では、フレキシブルシート３
０は、ロールに巻かれておりそれをエッチングしてから
カットしていたが、エッチングする前にカットしてもよ
い。この場合、シート５４が移動しないように固定手段
を利用して台座に固定し、この後ローラー５４でエッチ
ング液を切って貼り合わせても良い。また所定の形状に
フレキシブルシートを切断してから、金属基板に貼り付
け、この後、図２のように塩化第２鉄でエッチングし、
庇が形成されたものを液切りローラーでエッチング液を
切り、図３のような静的エッチングを行っても良い。

【００３５】以上、第１層目の基板に設けられる配線も
第２層目以上の配線も庇、突起が無い状態で設けられる
ので、バリによる配線短絡、ボンディング不良が無くせ
歩留まり向上を実現することができる。最後にシート上
に前述した受動素子、能動素子の固着、金属細線の接
続、リードの固着等を経て全体が封止される。封止方法
は前述したような方法で実施される。

【００３６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、第１
にフレキシブルシート表面にローラーを転がすことで、
シート表面に有るエッチング液を切りながら、或る一定
の量を残留させることができる。従ってシートの上に残
留させたエッチング液のみで静的にエッチングできるの
で、フレキシブルシートから発生するＮｉ庇、Ｎｉ突起
を無くせ、配線間の短絡、ボンディング不良を無くせ
る。

【００３７】第２に、ロール状に巻かれたフレキシブル
シートに引っ張りテンションを加えながらローラーで液
切りをしているので、フレキシブルシート上にもエッチ
ング液を所定の量残留させることができるので、大量生
産に適し且つＮｉ庇やＮｉ突起を無くすことができる。
更には全面にＣｕ、Ｎｉが積層されたフレキシブルシー
トを金属基板に貼り合わせ、この後金属基板と一体でエ
ッチング工程に入れば、金属基板で機械的強度を維持で
きるので、フレキシブルシートにテンションを加えるこ
となく図１０のような上下一対のローラーの間を通過さ
せることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図２】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図３】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図４】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図５】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図６】本発明の製造方法を説明する断面図である。

【図７】液切りのローラーを説明する図である。

【図８】混成集積回路装置を説明する図である。

【図９】従来の製造方法を説明する断面図である。

【図１０】基板の搬送法またはエッチングの液切りを説
明する図である。

【図１１】従来の混成集積回路装置を説明する断面図で
ある。

【符号の説明】

２０ 基板 ２１，２２ 第１層目の導電路 ３１，３２ 第２層目の導電路 ４３ Ｎｉ庇 ４４，４５ ローラー ５０ ロール

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｃｕよりなる第１層目のパターンと、こ
   の第１層目のパターンの上に積層されたＮｉより成る第
   ２層目のパターンとで構成される配線またはパッドとを
   少なくとも有する絶縁性フレキシブルシートを固定し、 前記絶縁性フレキシブルシートの表面に設けられた塩化
   第２鉄エッチング液をローラーで切りながら、所定の量
   残留させ、 この残留させた塩化第２鉄水溶液で、Ｎｉより成る第２
   層目のパターンの一部を取り除き、 このフレキシブルシートを２層目以上の配線層として使
   用することを特徴とした混成集積回路装置の製造方法。
2. 【請求項２】 Ｃｕよりなる第１層目のパターンと、こ
   の第１層目のパターンの上に積層されたＮｉより成る第
   ２層目のパターンとで構成される配線またはパッドとを
   少なくとも有する絶縁性フレキシブルシートを表面が平
   坦な台座の上に配置し、少なくとも台座の上の前記フレ
   キシブルシートに引っ張りテンションを加え、 前記台座上に設けられた絶縁性フレキシブルシートの表
   面に設けられた塩化第２鉄エッチング液をローラーで切
   りながら、所定の量残留させ、 この残留させた塩化第２鉄水溶液で、Ｎｉより成る第２
   層目のパターンの一部を取り除き、 このフレキシブルシートを２層目以上の配線層として使
   用することを特徴とした混成集積回路装置の製造方法。
3. 【請求項３】 パターン化された配線を少なくとも有す
   る絶縁性基板の上に全面にＣｕ更にその上にＮｉが被着
   されたフレキシブルシートを貼り付け、 この貼り付けられた前記絶縁性基板を塩化第２鉄を主と
   したエッチング液に浸し、所定のパターンに形成し、 前記エッチング液、または改めて浸されたエッチング液
   が所定の量残留するようにローラーを転がし、 前記残留したエッチング液によりパターン化された配線
   のＮｉの一部ををエッチングすることを特徴とした混成
   集積回路装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記Ｎｉより成る第２層目のパターンの
   一部は、第１層目のＣｕパターンより飛び出したＮｉ庇
   またはＮｉ突起である請求項１、２または３記載の混成
   集積回路装置の製造方法。