JPH09186132A - 湿式蝕刻装置 - Google Patents
湿式蝕刻装置Info
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- JPH09186132A JPH09186132A JP34818196A JP34818196A JPH09186132A JP H09186132 A JPH09186132 A JP H09186132A JP 34818196 A JP34818196 A JP 34818196A JP 34818196 A JP34818196 A JP 34818196A JP H09186132 A JPH09186132 A JP H09186132A
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- wet etching
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
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- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子製造用の湿式蝕刻装置を提供す
る。 【解決手段】 動力源、前記動力源の動力を伝達する伝
達手段及び前記伝達手段により動力源から伝達された動
力を用いて工程槽２０に設けられたウェーハの上下の位
置を工程の完了前まで反対に変えうるローラー３０を具
備することを特徴とする。本発明によればローディング
初期のウェーハの上下の位置をアンローディングされる
前に反対に変える。従って、ウェーハの全面が溶液内で
同一な反応進行時間を有することになるので全面にかけ
て均一に蝕刻されうる。
る。 【解決手段】 動力源、前記動力源の動力を伝達する伝
達手段及び前記伝達手段により動力源から伝達された動
力を用いて工程槽２０に設けられたウェーハの上下の位
置を工程の完了前まで反対に変えうるローラー３０を具
備することを特徴とする。本発明によればローディング
初期のウェーハの上下の位置をアンローディングされる
前に反対に変える。従って、ウェーハの全面が溶液内で
同一な反応進行時間を有することになるので全面にかけ
て均一に蝕刻されうる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造工程
の中化学溶液を用いて工程を行う湿式蝕刻装置に係り、
特に湿式蝕刻装置内のウェーハの上下位置を工程の完了
前に変えうる手段を具備してウェーハ面の位置に係らず
均一の反応結果が得られる湿式蝕刻装置に関する。
の中化学溶液を用いて工程を行う湿式蝕刻装置に係り、
特に湿式蝕刻装置内のウェーハの上下位置を工程の完了
前に変えうる手段を具備してウェーハ面の位置に係らず
均一の反応結果が得られる湿式蝕刻装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】１枚のウェーハから得られるチップの数
を増加させるため、チップの大きさの減少またはウェー
ハの直径の増加等が試された。特にシリコンウェーハの
直径はほぼ４年に１インチ（２５ｍｍ）の比率で大きく
なっている。従って、現在主流の８インチ（２００ｍ
ｍ）の口径から近いうちに１２インチ（３００ｍｍ）に
転換されると思われる。しかし、ウェーハの大径化は熱
焼性変形とウェーハ面との各位置による反応の不均一性
のような問題点を齎す。これにより熱工程は低温で行わ
れ、反応装置の操作方式も変更されるべきである。
を増加させるため、チップの大きさの減少またはウェー
ハの直径の増加等が試された。特にシリコンウェーハの
直径はほぼ４年に１インチ（２５ｍｍ）の比率で大きく
なっている。従って、現在主流の８インチ（２００ｍ
ｍ）の口径から近いうちに１２インチ（３００ｍｍ）に
転換されると思われる。しかし、ウェーハの大径化は熱
焼性変形とウェーハ面との各位置による反応の不均一性
のような問題点を齎す。これにより熱工程は低温で行わ
れ、反応装置の操作方式も変更されるべきである。
【０００３】特に大径化されたウェーハを化学溶液を利
用して湿式蝕刻すれば、ウェーハ面の位置により同一反
応過程でその蝕刻量が変わる。
用して湿式蝕刻すれば、ウェーハ面の位置により同一反
応過程でその蝕刻量が変わる。
【０００４】図１に示されているように、化学溶液１２
が盛られた工程槽１０内に、既にフラットゾーン整列さ
れたウェーハ１８が盛られたキャリア１６がローディン
グされる。化学溶液１２は工程の目的により選択された
ものである。ローディングされたキャリアはウェーハガ
イド１４上に安着される。次いで、湿式蝕刻工程が行わ
れる。化学反応が終わった後キャリア１６を再びアンロ
ーディングすることになる。
が盛られた工程槽１０内に、既にフラットゾーン整列さ
れたウェーハ１８が盛られたキャリア１６がローディン
グされる。化学溶液１２は工程の目的により選択された
ものである。ローディングされたキャリアはウェーハガ
イド１４上に安着される。次いで、湿式蝕刻工程が行わ
れる。化学反応が終わった後キャリア１６を再びアンロ
ーディングすることになる。
【０００５】この際、図１のように、ローディング時フ
ラットゾーン領域、即ち下部領域Ａが上部領域Ｂより工
程槽内に先に浸される。そして、アンローディングする
時には上部領域Ｂがフラットゾーン領域Ａより先に出
る。即ち、化学溶液と接触する時間は下部領域Ａが上部
領域Ｂより長くなる。従って、下部領域Ｂが上部領域Ａ
に比べて多く蝕刻される。よって、均一に蝕刻されたウ
ェーハが得られない。
ラットゾーン領域、即ち下部領域Ａが上部領域Ｂより工
程槽内に先に浸される。そして、アンローディングする
時には上部領域Ｂがフラットゾーン領域Ａより先に出
る。即ち、化学溶液と接触する時間は下部領域Ａが上部
領域Ｂより長くなる。従って、下部領域Ｂが上部領域Ａ
に比べて多く蝕刻される。よって、均一に蝕刻されたウ
ェーハが得られない。
【０００６】表１に８インチのウェーハ５枚をＢＯＥ
（buffered oxide etchant）溶液内で反応させると測っ
た蝕刻量（Å）を示した。上部領域とは図１のＢ領域
を、下部領域とは図１のＡ領域を各々示す。
（buffered oxide etchant）溶液内で反応させると測っ
た蝕刻量（Å）を示した。上部領域とは図１のＢ領域
を、下部領域とは図１のＡ領域を各々示す。
【０００７】
【表１】
【０００８】前記表１から上部領域Ｂと下部領域Ａの蝕
刻量が同じ工程条件下で約９７Åほど差があることがわ
かる。
刻量が同じ工程条件下で約９７Åほど差があることがわ
かる。
【０００９】このような蝕刻量の差はウェーハが大径化
されるほど大きくなることは当然に予測できる。
されるほど大きくなることは当然に予測できる。
【００１０】
【発明が解決しょうとする課題】本発明の目的は前記問
題点を解決するためのものであって、化学溶液に先に浸
された部分が化学溶液の外へ先に出るようにすることに
よりウェーハの全面にかけて均一な反応結果が得られる
湿式蝕刻装置を提供することにある。
題点を解決するためのものであって、化学溶液に先に浸
された部分が化学溶液の外へ先に出るようにすることに
よりウェーハの全面にかけて均一な反応結果が得られる
湿式蝕刻装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、動力源と、前記動力源の動力を伝達する伝達
手段と、前記伝達手段により動力源から伝達された動力
を用いて工程槽に設けられたウェーハの上下の位置を工
程の完了前まで反対に変えうるローラーを具備すること
を特徴とする湿式蝕刻装置を提供する。
本発明は、動力源と、前記動力源の動力を伝達する伝達
手段と、前記伝達手段により動力源から伝達された動力
を用いて工程槽に設けられたウェーハの上下の位置を工
程の完了前まで反対に変えうるローラーを具備すること
を特徴とする湿式蝕刻装置を提供する。
【００１２】本発明において、前記ローラーはキャリア
の外に一部露出されたウェーハの外周面と接させる支持
柱により支持されることが望ましく、前記ローラーによ
り一列に整列されたフラットゾーンを検索しうるセンサ
ーをさらに具備することが望ましい。
の外に一部露出されたウェーハの外周面と接させる支持
柱により支持されることが望ましく、前記ローラーによ
り一列に整列されたフラットゾーンを検索しうるセンサ
ーをさらに具備することが望ましい。
【００１３】そして、前記ローラー及び支持柱は化学溶
液により腐蝕されない物質、特にテフロンで形成される
ことが望ましい。
液により腐蝕されない物質、特にテフロンで形成される
ことが望ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面に基づき本発明
の実施例を詳しく説明する。図２を参照すれば工程槽２
０内にローディングされたウェーハを１８０°回転させ
てアンローディングされる前にウェーハの位置を変えう
る手段、例えばローラー３０が支持柱３４により支持さ
れている。前記支持柱３４はウェーハガイド２４に安着
されるキャリア（図示せず）の外に露出されるウェーハ
（図示せず）の外周面と接しうる高さである。前記ロー
ラー３０は動力伝達手段３８、例えば動力伝達ベルトに
より動力源３６から伝達された動力を用いて回転運動を
する。そして前記ローラー３０を支持柱３４内の溝３４
Ａに沿って上下に動かしうるリフティング手段４０がロ
ーラー３０の両端に連結されている。そして前記ローラ
ーにより一列に整列されたウェーハのフラットゾーンを
検索しうるセンサー４２が工程槽の外部に設けられてい
る。前記実施例では動力源３６が工程槽の内部に設けら
れているが工程槽の外部にも設置しうる。
の実施例を詳しく説明する。図２を参照すれば工程槽２
０内にローディングされたウェーハを１８０°回転させ
てアンローディングされる前にウェーハの位置を変えう
る手段、例えばローラー３０が支持柱３４により支持さ
れている。前記支持柱３４はウェーハガイド２４に安着
されるキャリア（図示せず）の外に露出されるウェーハ
（図示せず）の外周面と接しうる高さである。前記ロー
ラー３０は動力伝達手段３８、例えば動力伝達ベルトに
より動力源３６から伝達された動力を用いて回転運動を
する。そして前記ローラー３０を支持柱３４内の溝３４
Ａに沿って上下に動かしうるリフティング手段４０がロ
ーラー３０の両端に連結されている。そして前記ローラ
ーにより一列に整列されたウェーハのフラットゾーンを
検索しうるセンサー４２が工程槽の外部に設けられてい
る。前記実施例では動力源３６が工程槽の内部に設けら
れているが工程槽の外部にも設置しうる。
【００１５】前記湿式蝕刻装置の動作を図３と図４とに
基づき説明する。図２と同一な参照符号は同一または類
似部材を示す。
基づき説明する。図２と同一な参照符号は同一または類
似部材を示す。
【００１６】図３はキャリア２６が工程槽２０内にロー
ディングされた直後に図２のIII−III切断線に沿った断
面図である。
ディングされた直後に図２のIII−III切断線に沿った断
面図である。
【００１７】ウェーハ２８がキャリア２６にローディン
グされ、ウェーハ２８のフラットゾーン２９がキャリア
２６の上部に露出されて整列される。キャリア２６は工
程目的に適した化学溶液が盛られた工程槽２０内にロー
ディングされ、ウェーハガイド２４により固定される。
キャリアが安着された後、昇降手段（図２の４０）によ
り支持柱の溝（図２の３４Ａ）に沿って上昇されたロー
ラー３０がフラットゾーン２９と反対側にあるウェーハ
２８の外周面と接触している。
グされ、ウェーハ２８のフラットゾーン２９がキャリア
２６の上部に露出されて整列される。キャリア２６は工
程目的に適した化学溶液が盛られた工程槽２０内にロー
ディングされ、ウェーハガイド２４により固定される。
キャリアが安着された後、昇降手段（図２の４０）によ
り支持柱の溝（図２の３４Ａ）に沿って上昇されたロー
ラー３０がフラットゾーン２９と反対側にあるウェーハ
２８の外周面と接触している。
【００１８】図４はウェーハ２８のアンローディングの
直前の湿式蝕刻装置の断面図である。工程槽２０内で反
応が完了される前に前記動力源（図２の３６）が作動す
る。動力伝達手段（図２の３８）を通して伝達された動
力がローラー３０を回転させる。ローラー３０の回転に
応じてウェーハ２８も共に回転する。ウェーハ２８が続
けて回転し全てのフラットゾーン領域等２９がローラー
に接触するとローラーは空転することになる。空転が反
復されると昇降手段によりローラーが支持柱の溝に沿っ
て下に下がる。次いでセンサーはフラットゾーン２９が
完全に整列されたかを検索する。即ち、キャリア２６の
上部にあったフラットゾーン２９はウェーハ２８がアン
ローディングされる前にキャリア２６の下部に下がる。
直前の湿式蝕刻装置の断面図である。工程槽２０内で反
応が完了される前に前記動力源（図２の３６）が作動す
る。動力伝達手段（図２の３８）を通して伝達された動
力がローラー３０を回転させる。ローラー３０の回転に
応じてウェーハ２８も共に回転する。ウェーハ２８が続
けて回転し全てのフラットゾーン領域等２９がローラー
に接触するとローラーは空転することになる。空転が反
復されると昇降手段によりローラーが支持柱の溝に沿っ
て下に下がる。次いでセンサーはフラットゾーン２９が
完全に整列されたかを検索する。即ち、キャリア２６の
上部にあったフラットゾーン２９はウェーハ２８がアン
ローディングされる前にキャリア２６の下部に下がる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、ウェーハが化学溶液の
内に盛られている間にウェーハの上部と下部の位置が逆
転され、ウェーハの全面にかけて同一な時間の間反応が
進行されるようにする。従って、ウェーハの全面にかけ
て蝕刻均一性を達成しうる。本発明は前記実施例に限定
されなく、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野
で通常の知識を有する者により可能であることは明白で
ある。
内に盛られている間にウェーハの上部と下部の位置が逆
転され、ウェーハの全面にかけて同一な時間の間反応が
進行されるようにする。従って、ウェーハの全面にかけ
て蝕刻均一性を達成しうる。本発明は前記実施例に限定
されなく、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野
で通常の知識を有する者により可能であることは明白で
ある。
【図１】 従来の湿式蝕刻装置を示す断面図である。
【図２】 本発明の一実施例による湿式蝕刻装置の斜視
図である。
図である。
【図３】 前記図２に示した湿式蝕刻装置の断面図であ
る。
る。
【図４】 前記図２に示した湿式蝕刻装置の断面図であ
る。
る。
１０ 工程槽、１２ 化学溶液、１４ ウェーハガイ
ド、１６ キャリア、１８ウェーハ、２０ 工程槽、２
２ 化学溶液、２４ ウェーハガイド、２９ フラット
ゾーン、３０ ローラー、３４ 支持柱、３４Ａ 溝、
３６ 動力源、３８ 動力伝達手段、４０ リフティン
グ手段、４２ センサー
ド、１６ キャリア、１８ウェーハ、２０ 工程槽、２
２ 化学溶液、２４ ウェーハガイド、２９ フラット
ゾーン、３０ ローラー、３４ 支持柱、３４Ａ 溝、
３６ 動力源、３８ 動力伝達手段、４０ リフティン
グ手段、４２ センサー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 文 常榮 大韓民国京畿道安山市仙府洞1086番地 漢 陽アパート234棟1701號
Claims (5)
- 【請求項１】 動力源と、 前記動力源の動力を伝達する伝達手段と、 前記伝達手段により動力源から伝達された動力を用いて
工程槽に設けられたウェーハの上下の位置を工程の完了
前まで反対に変えうるローラーを具備することを特徴と
する湿式蝕刻装置。 - 【請求項２】 前記ローラーはキャリアの外に一部露出
されたウェーハの外周面と接させる支持柱により支持さ
れることを特徴とする請求項１に記載の湿式蝕刻装置。 - 【請求項３】 前記ローラーにより一列に整列されたフ
ラットゾーンを検索しうるセンサーをさらに具備するこ
とを特徴とする請求項１に記載の湿式蝕刻装置。 - 【請求項４】 前記ローラー及び支持柱は化学溶液によ
り腐蝕されない物質で形成されることを特徴とする請求
項２に記載の湿式蝕刻装置。 - 【請求項５】 前記化学溶液により腐蝕されない物質は
テフロンであることを特徴とする請求項４に記載の湿式
蝕刻装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059501A KR970052678A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 습식 공정 장치 |
| KR1995-P-059501 | 1995-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09186132A true JPH09186132A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=19445213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34818196A Pending JPH09186132A (ja) | 1995-12-27 | 1996-12-26 | 湿式蝕刻装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5827396A (ja) |
| JP (1) | JPH09186132A (ja) |
| KR (1) | KR970052678A (ja) |
| TW (1) | TW326554B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10021329C1 (de) * | 2000-05-02 | 2001-10-11 | Steag Microtech Gmbh Pliezhaus | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von scheibenförmigen Substraten |
| US10043650B2 (en) * | 2016-09-22 | 2018-08-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for wet chemical bath process |
| JP1584065S (ja) * | 2017-01-18 | 2017-08-21 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3766046A (en) * | 1972-03-23 | 1973-10-16 | Ind Modular Syst Corp | Jig holder for clamping articles in place during treatment thereof |
| US4376482A (en) * | 1981-05-19 | 1983-03-15 | Tencor Instruments | Wafer orientation system |
| US5046909A (en) * | 1989-06-29 | 1991-09-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for handling semiconductor wafers |
| JPH08107100A (ja) * | 1994-10-06 | 1996-04-23 | Sony Corp | 薬液処理方法及び薬液処理装置 |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950059501A patent/KR970052678A/ko not_active Application Discontinuation
-
1996
- 1996-11-20 TW TW085114281A patent/TW326554B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-12-24 US US08/773,059 patent/US5827396A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-26 JP JP34818196A patent/JPH09186132A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970052678A (ko) | 1997-07-29 |
| US5827396A (en) | 1998-10-27 |
| TW326554B (en) | 1998-02-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050616 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050624 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051118 |