JPH09180881A - El端面放射器 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 EL端面放射器の光度高くし寿命を長くす
る。 【発明の概要】 EL端面放射器は電極を外側に備えた
2つの誘電層間に介挿された活性層を有する。活性層
は、1つ以上の希土類元素を添加したホスト材料から成
り、ホスト材料は、2つ以上のII族元素とVIA族から選
択された少なくとも1つの元素との化合物である。添加
不純物は、3+又は2+の酸化状態にあるランタノイドか
ら選択する。
る。 【発明の概要】 EL端面放射器は電極を外側に備えた
2つの誘電層間に介挿された活性層を有する。活性層
は、1つ以上の希土類元素を添加したホスト材料から成
り、ホスト材料は、2つ以上のII族元素とVIA族から選
択された少なくとも1つの元素との化合物である。添加
不純物は、3+又は2+の酸化状態にあるランタノイドか
ら選択する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本願発明は、全般的に、端面放射
器装置に関し、より詳細には、高エレクトロルミネセン
ス性と優れた動作寿命を示す薄膜エレクトロルミネセン
ス端面放射器(以下EL端面放射器と称する)に関す
る。
器装置に関し、より詳細には、高エレクトロルミネセン
ス性と優れた動作寿命を示す薄膜エレクトロルミネセン
ス端面放射器(以下EL端面放射器と称する)に関す
る。
【0002】
【発明の背景】エレクトロルミネセンス(以下ELと称
する)は、添加不純物(添加剤)を含んで形成されたあ
る種の物質を電場にさらすとき発生する現象である。そ
の物質中に生ずる電流によって、添加不純物の電子がよ
り高いエネルギー状態に励起されることになる。これら
の電子が元のより低いエネルギー状態へ戻る時、電磁放
射、例えば、可視光が放射される。物質と添加不純物の
選択された組合せに応じて、電磁放射は特定の特性スペ
クトル分布を持つ。
する)は、添加不純物(添加剤)を含んで形成されたあ
る種の物質を電場にさらすとき発生する現象である。そ
の物質中に生ずる電流によって、添加不純物の電子がよ
り高いエネルギー状態に励起されることになる。これら
の電子が元のより低いエネルギー状態へ戻る時、電磁放
射、例えば、可視光が放射される。物質と添加不純物の
選択された組合せに応じて、電磁放射は特定の特性スペ
クトル分布を持つ。
【0003】EL材料は、典型的には、平坦なパネル表
示装置に用いられてきた。よく知られており且つ現在も
使われている材料の1つがZnS:Mn(マンガンを添加した
硫化亜鉛)であり、これは、オレンジ/黄色スペクトル
領域の広帯域電磁放射を出す。ZnSによるとは別の他の
可視スペクトル部分の放射を発するZnS以外の物質に
は、希土類元素(ランタノイド、Ln)をそれらの3+又
は2+の酸化状態、即ち、それぞれ、Ln3+又はLn2+で、
添加したSrSとCaSがある。
示装置に用いられてきた。よく知られており且つ現在も
使われている材料の1つがZnS:Mn(マンガンを添加した
硫化亜鉛)であり、これは、オレンジ/黄色スペクトル
領域の広帯域電磁放射を出す。ZnSによるとは別の他の
可視スペクトル部分の放射を発するZnS以外の物質に
は、希土類元素(ランタノイド、Ln)をそれらの3+又
は2+の酸化状態、即ち、それぞれ、Ln3+又はLn2+で、
添加したSrSとCaSがある。
【0004】近年、EL材料は、従来のレーザスキャナ
及びLEDバーに代えて、電子写真プリンターにおけるE
L端面放射器アレイに用いられてきた。EL端面放射器
は、EL材料の薄膜堆積の端(周辺)からのEL光の放
出を拠り所としている。これに比較して、典型的なEL表
示装置は、実質上、装置の主表面に垂直の光を出す。図
1は、典型的なEL端面放射器堆積を図解したものであ
る。適切に不純物を添加したEL材料から成る活性層30
は、2つの誘電層20の間にサンドイッチ状に挟まれてい
る。電源40によって、一対の電極層22の間に、活性層30
を横切る電場が生成される。その結果生ずる電磁放射
は、活性層30の端面から出力される。
及びLEDバーに代えて、電子写真プリンターにおけるE
L端面放射器アレイに用いられてきた。EL端面放射器
は、EL材料の薄膜堆積の端(周辺)からのEL光の放
出を拠り所としている。これに比較して、典型的なEL表
示装置は、実質上、装置の主表面に垂直の光を出す。図
1は、典型的なEL端面放射器堆積を図解したものであ
る。適切に不純物を添加したEL材料から成る活性層30
は、2つの誘電層20の間にサンドイッチ状に挟まれてい
る。電源40によって、一対の電極層22の間に、活性層30
を横切る電場が生成される。その結果生ずる電磁放射
は、活性層30の端面から出力される。
【0005】プリンターに使うために必要な高い光発生
効率を確保できるよう、EL端面放射器アレイは、高入
力電力値で作動される。しかし、平坦なパネル表示装置
に用いられる現行のEL材料は、それらの作動に要する高
駆動電位により劣化されやすい。EL端面放射器用とし
ての駆動条件は、典型的には、さらに30〜50倍過酷
である故、EL端面放射器に用いられる該材料の信頼性
は、特に重要である。
効率を確保できるよう、EL端面放射器アレイは、高入
力電力値で作動される。しかし、平坦なパネル表示装置
に用いられる現行のEL材料は、それらの作動に要する高
駆動電位により劣化されやすい。EL端面放射器用とし
ての駆動条件は、典型的には、さらに30〜50倍過酷
である故、EL端面放射器に用いられる該材料の信頼性
は、特に重要である。
【0006】ZnS:Lnのような、現行のEL材料の安定性が
低いという理由は、ホスト材料における添加不純物の低
溶解性である。添加不純物が発光の元になるので、その
添加不純物の濃度を最大にすることが望ましい。しか
し、それらの低溶解性の故に、添加不純物濃度を高くす
ると、直ぐ劣化する不安定材料になりやすい。
低いという理由は、ホスト材料における添加不純物の低
溶解性である。添加不純物が発光の元になるので、その
添加不純物の濃度を最大にすることが望ましい。しか
し、それらの低溶解性の故に、添加不純物濃度を高くす
ると、直ぐ劣化する不安定材料になりやすい。
【0007】
【発明の目的】従って本発明の目的は、高光度を示し且
つその状態を長期間使用しても維持できるEL端面放射
器とその製造方法の提供である。ホスト材料としては、
材料内部に高濃度の添加不純物が混ぜられても安定状態
が維持され得るものが求められる。
つその状態を長期間使用しても維持できるEL端面放射
器とその製造方法の提供である。ホスト材料としては、
材料内部に高濃度の添加不純物が混ぜられても安定状態
が維持され得るものが求められる。
【0008】
【発明の概要】本発明ではホスト材料として材料内部に
高濃度の添加不純物が混ぜられても安定状態が維持され
得るものが使用される。材料は、高電界駆動下で長期間
安定であり、それゆえEL効果の増大を可能にすること
になる。加えて、本願発明の材料は、標準のEL材料に
比べ高い発光効率を有する。また、薄膜EL用EL端面
放射器とそれを作るための方法を開示する。EL端面放
射器は、2つの誘電層間にサンドイッチされた活性層か
ら成る。その誘電層は、続いて、誘電層の露出面上に形
成した2つの電極層の間に配置される。活性層は、1つ
以上の希土類元素を添加したホスト材料から成るEL物
質である。ホスト材料は、2つ以上のII族元素とVIA族
から選択された少なくとも1つの元素との化合物であ
る。添加不純物は、その3+又は2+の酸化状態にあるラ
ンタノイドの1つから選択する。本願発明の代替実施例
では、ホスト材料は、さらに、VIA族から選択された第
二の元素を含む。
高濃度の添加不純物が混ぜられても安定状態が維持され
得るものが使用される。材料は、高電界駆動下で長期間
安定であり、それゆえEL効果の増大を可能にすること
になる。加えて、本願発明の材料は、標準のEL材料に
比べ高い発光効率を有する。また、薄膜EL用EL端面
放射器とそれを作るための方法を開示する。EL端面放
射器は、2つの誘電層間にサンドイッチされた活性層か
ら成る。その誘電層は、続いて、誘電層の露出面上に形
成した2つの電極層の間に配置される。活性層は、1つ
以上の希土類元素を添加したホスト材料から成るEL物
質である。ホスト材料は、2つ以上のII族元素とVIA族
から選択された少なくとも1つの元素との化合物であ
る。添加不純物は、その3+又は2+の酸化状態にあるラ
ンタノイドの1つから選択する。本願発明の代替実施例
では、ホスト材料は、さらに、VIA族から選択された第
二の元素を含む。
【0009】ホスト材料におけるII族元素の混合物は、
カドミウムと亜鉛の化合物又はマグネシウム、カルシウ
ム及びストロンチウムの化合物のような、陽イオンであ
る。ホスト材料のVIA族元素は、硫化物及びセレン化物
のような、陰イオンである。ホスト材料の成分元素の相
対的比率は、Cd1-xZnxSe1-ySy(ここで0≦x<1及び0≦y
<1)として、又はMgxCaySr1-x-ySe1-zSz(ここで0≦x
<1、0≦y<1及び0≦z<1)として表すことができる。
カドミウムと亜鉛の化合物又はマグネシウム、カルシウ
ム及びストロンチウムの化合物のような、陽イオンであ
る。ホスト材料のVIA族元素は、硫化物及びセレン化物
のような、陰イオンである。ホスト材料の成分元素の相
対的比率は、Cd1-xZnxSe1-ySy(ここで0≦x<1及び0≦y
<1)として、又はMgxCaySr1-x-ySe1-zSz(ここで0≦x
<1、0≦y<1及び0≦z<1)として表すことができる。
【0010】本願発明のさらに別の実施例では、ホスト
材料は、これもランタノイド系列から選択され、添加不
純物として添加された1つ又は2つの追加不純物元素を
含む。本願発明は、さらに、ランタノイドから選択した
2つの元素に加えてMn2+を添加したホスト材料を使用し
ている。
材料は、これもランタノイド系列から選択され、添加不
純物として添加された1つ又は2つの追加不純物元素を
含む。本願発明は、さらに、ランタノイドから選択した
2つの元素に加えてMn2+を添加したホスト材料を使用し
ている。
【0011】
【発明の実施例】図1は、EL端面放射器10の典型的構
造を示す。EL活性層30は、一対の電極22間にサンドイ
ッチされ、各電極は、誘電層20によってそのEL活性層
材料から間隔を開けて配置される。電線24で電極に接続
された電源40によって、活性層30を横切って、その層に
EL効果を生ずるだけの十分強い電場が生成される。生
ずるEL放射は、活性層の周辺Eである端面から出る。
造を示す。EL活性層30は、一対の電極22間にサンドイ
ッチされ、各電極は、誘電層20によってそのEL活性層
材料から間隔を開けて配置される。電線24で電極に接続
された電源40によって、活性層30を横切って、その層に
EL効果を生ずるだけの十分強い電場が生成される。生
ずるEL放射は、活性層の周辺Eである端面から出る。
【0012】電極22と誘電層20は、既知方法を使い、半
導体分野で周知の材料を用いて組立る。例えば、化学蒸
着(CVD)技術を用いて誘電層と電極板を形成してよい。
既知のホトエッチング法を用いて電極層22を所望のパタ
ーンに形成してよい。酸窒化ケイ素を誘電材料として用
いてよく、また、酸化インジウムスズのフィルムを使っ
て電極を形成してもよい。
導体分野で周知の材料を用いて組立る。例えば、化学蒸
着(CVD)技術を用いて誘電層と電極板を形成してよい。
既知のホトエッチング法を用いて電極層22を所望のパタ
ーンに形成してよい。酸窒化ケイ素を誘電材料として用
いてよく、また、酸化インジウムスズのフィルムを使っ
て電極を形成してもよい。
【0013】次に図2を参照して、図1に示した活性層
30として用いられる材料の組成を議論しよう。典型的に
は、EL材料は、II族及びVI族元素から作られる。最も
普通の組成物は、亜鉛の陽イオンと硫化物の陰イオンの
化合物であり、それにある不純物(添加不純物)が付加
されるホスト材料として働く。典型的な添加不純物に
は、Mn2+もしくは3+又は2+の酸化状態にある希土類元
素、いわゆるランタノイドがある。これらの従来技術の
材料組成は、EL端面放射器の用途に使われる高電力入
力を印加されると低安定性を呈する。
30として用いられる材料の組成を議論しよう。典型的に
は、EL材料は、II族及びVI族元素から作られる。最も
普通の組成物は、亜鉛の陽イオンと硫化物の陰イオンの
化合物であり、それにある不純物(添加不純物)が付加
されるホスト材料として働く。典型的な添加不純物に
は、Mn2+もしくは3+又は2+の酸化状態にある希土類元
素、いわゆるランタノイドがある。これらの従来技術の
材料組成は、EL端面放射器の用途に使われる高電力入
力を印加されると低安定性を呈する。
【0014】前述の材料の低保守性の理由は、ホスト材
料に混ぜられた不純物原子の(百万分の一の単位、ppm
で測定される)低溶解性である。電場によって添加不純
物がホスト材料の格子構造から分離され、大幅な効率低
下を来す。低溶解性は、2つの要因から生ずると考えら
れる:ホスト材料の構成イオンの半径と添加不純物の半
径との間の不一致;及び、一般に、八面体格子構造、即
ち、II-VI族の物質では可能でない形状、を好むランタ
ナイドの性向、である。
料に混ぜられた不純物原子の(百万分の一の単位、ppm
で測定される)低溶解性である。電場によって添加不純
物がホスト材料の格子構造から分離され、大幅な効率低
下を来す。低溶解性は、2つの要因から生ずると考えら
れる:ホスト材料の構成イオンの半径と添加不純物の半
径との間の不一致;及び、一般に、八面体格子構造、即
ち、II-VI族の物質では可能でない形状、を好むランタ
ナイドの性向、である。
【0015】本願発明のEL材料を作るのに用いられる
ホスト材料は、図2のステップ110に示すように、II族
から選択された少なくとも2つの元素の混合物から成
る。従って、1実施例では、その混合物は、カドミウム
(Cd2+)と亜鉛(Zn2+)の陽イオンを含む。発明の別の実施
例では、混合物は、マグネシウム(Mg2+)、カルシウム(C
a2+)及びストロンチウム(Sr2+)を含む。陽イオンに加え
て、ホスト材料は、VIA族元素の1つ以上の陰イオン;
例えば、ステップ120に示すような硫化物及び/又はセ
レン化物を含む。
ホスト材料は、図2のステップ110に示すように、II族
から選択された少なくとも2つの元素の混合物から成
る。従って、1実施例では、その混合物は、カドミウム
(Cd2+)と亜鉛(Zn2+)の陽イオンを含む。発明の別の実施
例では、混合物は、マグネシウム(Mg2+)、カルシウム(C
a2+)及びストロンチウム(Sr2+)を含む。陽イオンに加え
て、ホスト材料は、VIA族元素の1つ以上の陰イオン;
例えば、ステップ120に示すような硫化物及び/又はセ
レン化物を含む。
【0016】上文で同定された混合物の成分比率は、Cd
1-xZnxSe1-ySy(ここで0≦x<1及び0≦y<1)として表
すことができる。"x"と"y"の値を調節することにより、
種々の混合物を得ることができる。しかし、"x"と"y"の
最適値は0.25から0.5の範囲内に入ることが観測されて
いる。最適範囲内の構成比率を有するホスト材料によっ
て、添加不純物の溶解度とEL効率との間に最良の釣り
合いがとられる。同様に、マグネシウム、カルシウム及
びストロンチウムから成る代替混合物は、MgxCaySr
1-x-ySe1-zSz(ここで0≦x<1、0≦y<1及び0≦z<1)
と書くことができる。"x"、"y"及び"z"の最適値も0.25
から0.5の範囲内に入る。
1-xZnxSe1-ySy(ここで0≦x<1及び0≦y<1)として表
すことができる。"x"と"y"の値を調節することにより、
種々の混合物を得ることができる。しかし、"x"と"y"の
最適値は0.25から0.5の範囲内に入ることが観測されて
いる。最適範囲内の構成比率を有するホスト材料によっ
て、添加不純物の溶解度とEL効率との間に最良の釣り
合いがとられる。同様に、マグネシウム、カルシウム及
びストロンチウムから成る代替混合物は、MgxCaySr
1-x-ySe1-zSz(ここで0≦x<1、0≦y<1及び0≦z<1)
と書くことができる。"x"、"y"及び"z"の最適値も0.25
から0.5の範囲内に入る。
【0017】前述の材料における添加不純物の溶解度
は、従来技術の組成におけるそれより高いことが観測さ
れている。上述の元素の混合物から作られるホスト材料
は、剛性が劣る多少歪んだ結晶場(crystal field)を生
成し、上述の添加不純物の1つがホスト材料に混ぜられ
る時により安定な格子構造になると思われる。例えば、
亜鉛に加えてカドミウムを含んでいる混合物は、いくつ
かの亜鉛原子を横へ"押しのける"ことによりホスト材料
の結晶構造を多少歪め、従って添加不純物のためにより
大きい空間を与えるものと思われる。
は、従来技術の組成におけるそれより高いことが観測さ
れている。上述の元素の混合物から作られるホスト材料
は、剛性が劣る多少歪んだ結晶場(crystal field)を生
成し、上述の添加不純物の1つがホスト材料に混ぜられ
る時により安定な格子構造になると思われる。例えば、
亜鉛に加えてカドミウムを含んでいる混合物は、いくつ
かの亜鉛原子を横へ"押しのける"ことによりホスト材料
の結晶構造を多少歪め、従って添加不純物のためにより
大きい空間を与えるものと思われる。
【0018】ここでホスト材料に添加する不純物元素に
ついて議論する。ELはホスト材料に混ぜられた添加不
純物から発生する。EL材料が電場にかけられると、添
加不純物中の電子がより高いエネルギー準位に励起され
る。その電子が元のより低いエネルギー準位に戻る時
に、その過程で電磁放射を放出する。放出放射の波長
は、添加不純物として用いられた特定の元素に応じて様
々である。
ついて議論する。ELはホスト材料に混ぜられた添加不
純物から発生する。EL材料が電場にかけられると、添
加不純物中の電子がより高いエネルギー準位に励起され
る。その電子が元のより低いエネルギー準位に戻る時
に、その過程で電磁放射を放出する。放出放射の波長
は、添加不純物として用いられた特定の元素に応じて様
々である。
【0019】図2のステップ142とステップ141、143
は、共に、添加不純物として用いられる不純物元素は、
希土類元素でもあるランタノイド系列から選択されるこ
とを示している。典型的には、ランタノイドの3+及び2
+の酸化状態を用いる。例えば、近紫外スペクトル領域
での放射放出は、Ce3+とGd3+から得ることができる。可
視スペクトル範囲の放射が可能である。例えば:ユーロ
ピウム(Eu)は赤色光線を発し;テルビウム(Tb)は緑色光
線を発し;ツリウム(Tm)は青色の光線を発し;そしてサ
マリウム(Sm)は赤橙色光線を発する。
は、共に、添加不純物として用いられる不純物元素は、
希土類元素でもあるランタノイド系列から選択されるこ
とを示している。典型的には、ランタノイドの3+及び2
+の酸化状態を用いる。例えば、近紫外スペクトル領域
での放射放出は、Ce3+とGd3+から得ることができる。可
視スペクトル範囲の放射が可能である。例えば:ユーロ
ピウム(Eu)は赤色光線を発し;テルビウム(Tb)は緑色光
線を発し;ツリウム(Tm)は青色の光線を発し;そしてサ
マリウム(Sm)は赤橙色光線を発する。
【0020】典型的には、添加不純物としては一種類の
不純物原子を用いる。本願発明により、EL材料の効率
は、ランタノイドから選択された2又は3種の異なった
不純物原子をホスト材料に添加することにより大いに高
め得ることが観察されている(ステップ142)。また、
ホスト材料を1つ又は2つのランタノイドに加えてMn2+
で添加すれば、得られるEL材料の効率向上に役立つこ
とも観察されている(ステップ141、143)。
不純物原子を用いる。本願発明により、EL材料の効率
は、ランタノイドから選択された2又は3種の異なった
不純物原子をホスト材料に添加することにより大いに高
め得ることが観察されている(ステップ142)。また、
ホスト材料を1つ又は2つのランタノイドに加えてMn2+
で添加すれば、得られるEL材料の効率向上に役立つこ
とも観察されている(ステップ141、143)。
【0021】本発明によるEL材料の組立工程150は、
現在知られている組立技術を使って達成できる。従っ
て、ホスト材料は、既知の気相堆積法又は有機金属化学
気相堆積(MOCVD)法又は液相堆積法の何れかで形成でき
る。同様に、ホスト材料は、ホスト材料形成中の溶融物
拡散ドーピング又はホスト材料のイオン注入それに続く
アニーリングのような、既知方法のどれかを使って添加
することもできる。以上本発明の説明をおこなったが、
本発明の理解をさらに容易にするため、以下に本発明の
実施態様のいくつかを列挙する。
現在知られている組立技術を使って達成できる。従っ
て、ホスト材料は、既知の気相堆積法又は有機金属化学
気相堆積(MOCVD)法又は液相堆積法の何れかで形成でき
る。同様に、ホスト材料は、ホスト材料形成中の溶融物
拡散ドーピング又はホスト材料のイオン注入それに続く
アニーリングのような、既知方法のどれかを使って添加
することもできる。以上本発明の説明をおこなったが、
本発明の理解をさらに容易にするため、以下に本発明の
実施態様のいくつかを列挙する。
【0022】(実施態様1)薄膜エレクトロルミネセン
ス端面放射器において、対向する主表面を有するモノリ
シック活性層(30)と;活性層の端面(E)を露出した状態
に残してそれぞれの主表面上にそれぞれ形成された、第
一、第二の誘電層(20)と;誘電層の露出表面上にそれぞ
れ形成された第一、第二の電極層(22)と;を含んで成
り、モノリシック活性層(30)がII族元素から選択された
少なくとも2つの陽イオンとVIA族元素から選択された
第一の陰イオンとの混合物を含むホスト化合物と;希土
類元素の群から選択され、3+酸化状態と2+酸化状態の
1つを有する第一の不純物元素とから成り、ホスト化合
物に第一の不純物元素が導入されることを特徴とするE
L端面放射器。
ス端面放射器において、対向する主表面を有するモノリ
シック活性層(30)と;活性層の端面(E)を露出した状態
に残してそれぞれの主表面上にそれぞれ形成された、第
一、第二の誘電層(20)と;誘電層の露出表面上にそれぞ
れ形成された第一、第二の電極層(22)と;を含んで成
り、モノリシック活性層(30)がII族元素から選択された
少なくとも2つの陽イオンとVIA族元素から選択された
第一の陰イオンとの混合物を含むホスト化合物と;希土
類元素の群から選択され、3+酸化状態と2+酸化状態の
1つを有する第一の不純物元素とから成り、ホスト化合
物に第一の不純物元素が導入されることを特徴とするE
L端面放射器。
【0023】(実施態様2)少なくとも2つの陽イオン
がCd1-xZnx(ここで0≦x<1)の比率を有する(Cd2+、Zn
2+)か又はMgxCaySr1-x-y(ここで0≦x<1及び0≦y<1)
の比率を有する(Mg2+、Ca2+、Sr2+)の何れかである実施
態様1記載のEL端面放射器。 (実施態様3)xが0.25から0.5の範囲にあり且つ第一の
陰イオンが硫化物であり;混合物がさらに第二の陰イオ
ンであるセレン化物を含み且つ硫化物に対するセレン化
物の比率がSe1-ySy(ここで0≦y<1)であることを特徴
とする実施態様2記載のEL端面放射器。 (実施態様4)ホスト化合物が、さらに、希土類元素か
ら選択された第二の不純物元素を添加された実施態様1
乃至3記載のEL端面放射器。 (実施態様5)ホスト化合物が、さらに、Mg2+又は希土
類元素から選択された第三の不純物元素を添加された実
施態様1乃至4記載のEL端面放射器。
がCd1-xZnx(ここで0≦x<1)の比率を有する(Cd2+、Zn
2+)か又はMgxCaySr1-x-y(ここで0≦x<1及び0≦y<1)
の比率を有する(Mg2+、Ca2+、Sr2+)の何れかである実施
態様1記載のEL端面放射器。 (実施態様3)xが0.25から0.5の範囲にあり且つ第一の
陰イオンが硫化物であり;混合物がさらに第二の陰イオ
ンであるセレン化物を含み且つ硫化物に対するセレン化
物の比率がSe1-ySy(ここで0≦y<1)であることを特徴
とする実施態様2記載のEL端面放射器。 (実施態様4)ホスト化合物が、さらに、希土類元素か
ら選択された第二の不純物元素を添加された実施態様1
乃至3記載のEL端面放射器。 (実施態様5)ホスト化合物が、さらに、Mg2+又は希土
類元素から選択された第三の不純物元素を添加された実
施態様1乃至4記載のEL端面放射器。
【0024】(実施態様6)EL端面放射器の組立方法
において、対向する主表面を有する活性層を形成するス
テップと;活性層の周辺面を露出させたままにして、各
主表面上に誘電層を堆積させるステップと;2つの電極
層の間に前記誘電層と前記活性層とをサンドイッチ状に
挟むステップと;を設けて成り、且つ活性層を形成する
前記ステップが、II族元素から少なくとも2つの陽イオ
ンを選択すること(110)と;VIA族元素から少なくとも2
つの陰イオンを選択すること(120)と;選択した陽イオ
ンと陰イオンからホスト材料を形成すること(130)と;3
+の酸化状態かもしくは2+の酸化状態の何れかを有す
る1つ又は2つの不純物元素をランタノイドから選択す
ること(141, 142)と;不純物元素を前記ホスト材料に添
加すること(150)を特徴とする方法。
において、対向する主表面を有する活性層を形成するス
テップと;活性層の周辺面を露出させたままにして、各
主表面上に誘電層を堆積させるステップと;2つの電極
層の間に前記誘電層と前記活性層とをサンドイッチ状に
挟むステップと;を設けて成り、且つ活性層を形成する
前記ステップが、II族元素から少なくとも2つの陽イオ
ンを選択すること(110)と;VIA族元素から少なくとも2
つの陰イオンを選択すること(120)と;選択した陽イオ
ンと陰イオンからホスト材料を形成すること(130)と;3
+の酸化状態かもしくは2+の酸化状態の何れかを有す
る1つ又は2つの不純物元素をランタノイドから選択す
ること(141, 142)と;不純物元素を前記ホスト材料に添
加すること(150)を特徴とする方法。
【0025】(実施態様7)少なくとも2つの陽イオン
が、(Cd2+、Zn2+)か(Mg2+、Ca2+、Sr2+)の何れかであっ
て;前記の形成するステップが、次の比率:Cd1-xZn
x(ここで0≦x<1)か又はMgxCaySr1-x-y(ここで0≦x
<1及び0≦y<1)の何れかで少なくとも2つのII族元素
を混合するステップを包含することを特徴とする実施態
様6記載の方法。 (実施態様8)x及びyの各々の値を0.24から0.5までの
範囲内で選択することを包含する実施態様7記載の方
法。 (実施態様9)前記の1つ又は2つの陰イオンが、
(S2-)又は(Se2-S2-)の何れかである実施態様6乃至8記
載の方法。 (実施態様10)前記の不純物元素を選択するステップ
が、さらに、Mg2+か(143)又はランタノイドからの第三
の不純物元素(142)を選択することを包含する実施態様
6乃至9記載の方法。
が、(Cd2+、Zn2+)か(Mg2+、Ca2+、Sr2+)の何れかであっ
て;前記の形成するステップが、次の比率:Cd1-xZn
x(ここで0≦x<1)か又はMgxCaySr1-x-y(ここで0≦x
<1及び0≦y<1)の何れかで少なくとも2つのII族元素
を混合するステップを包含することを特徴とする実施態
様6記載の方法。 (実施態様8)x及びyの各々の値を0.24から0.5までの
範囲内で選択することを包含する実施態様7記載の方
法。 (実施態様9)前記の1つ又は2つの陰イオンが、
(S2-)又は(Se2-S2-)の何れかである実施態様6乃至8記
載の方法。 (実施態様10)前記の不純物元素を選択するステップ
が、さらに、Mg2+か(143)又はランタノイドからの第三
の不純物元素(142)を選択することを包含する実施態様
6乃至9記載の方法。
【0026】
【発明の効果】本発明の実施によりレーザプリンターの
プリントヘッドなどの高強度光を要する応用に十分適す
るEL端面放射器が得られる。
プリントヘッドなどの高強度光を要する応用に十分適す
るEL端面放射器が得られる。
【図1】本願発明のEL材料を組み込んだ代表的EL端
面放射器の構造を説明するための概略図である。
面放射器の構造を説明するための概略図である。
【図2】発明によるEL材料の組立工程を説明するため
のフロー図である。
のフロー図である。
10 EL端面放射器 20 誘電層 22 電極 24 電線 30 活性層 40 電源 E 活性層の端面(周辺)
Claims (1)
- 【請求項1】薄膜エレクトロルミネセンス端面放射器に
おいて、 対向する主表面を有するモノリシック活性層(30)と;活
性層の端面(E)を露出した状態に残してそれぞれの主表
面上にそれぞれ形成された、第一、第二の誘電層(20)
と;誘電層の露出表面上にそれぞれ形成された第一、第
二の電極層(22)と;を含んで成り、 モノリシック活性層(30)がII族元素から選択された少な
くとも2つの陽イオンとVIA族元素から選択された第一
の陰イオンとの混合物を含むホスト化合物と;希土類元
素の群から選択され、3+酸化状態と2+酸化状態の1つ
を有する第一の不純物元素とから成り、 ホスト化合物に第一の不純物元素が導入されることを特
徴とするEL端面放射器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/571,566 US5700592A (en) | 1995-12-13 | 1995-12-13 | Electroluminescent materials for edge emitters |
US571,566 | 1995-12-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09180881A true JPH09180881A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=24284210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8326307A Pending JPH09180881A (ja) | 1995-12-13 | 1996-12-06 | El端面放射器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5700592A (ja) |
EP (1) | EP0779766A3 (ja) |
JP (1) | JPH09180881A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100495899B1 (ko) * | 2002-10-19 | 2005-06-16 | 이엘코리아 주식회사 | 교류 분말형 모서리 발광 el 소자 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3584574B2 (ja) * | 1995-11-01 | 2004-11-04 | 株式会社デンソー | El素子及びその製造方法 |
US7001639B2 (en) * | 2001-04-30 | 2006-02-21 | Lumimove, Inc. | Electroluminescent devices fabricated with encapsulated light emitting polymer particles |
US7029763B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-04-18 | Lumimove, Inc. | Light-emitting phosphor particles and electroluminescent devices employing same |
US7361413B2 (en) | 2002-07-29 | 2008-04-22 | Lumimove, Inc. | Electroluminescent device and methods for its production and use |
CN111246616A (zh) * | 2013-06-24 | 2020-06-05 | 上海本星电子科技有限公司 | 电致发光片生产工艺 |
CN104538457A (zh) * | 2015-01-15 | 2015-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1581830A (en) * | 1976-06-01 | 1980-12-31 | Secr Defence | Phosphors |
JPS57195783A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-01 | Hitachi Ltd | Alkaline earth metal sulfide fluorescent material |
JPH07110942B2 (ja) * | 1987-11-04 | 1995-11-29 | 化成オプトニクス株式会社 | 発光組成物 |
US5043715A (en) * | 1988-12-07 | 1991-08-27 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film electroluminescent edge emitter structure with optical lens and multi-color light emission systems |
EP0493592A4 (en) * | 1989-09-04 | 1993-09-01 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin-film el element |
KR930010521B1 (ko) * | 1990-09-26 | 1993-10-25 | 삼성전관 주식회사 | 황색 형광체 |
US5299217A (en) * | 1990-10-11 | 1994-03-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor light-emitting device with cadmium zinc selenide layer |
-
1995
- 1995-12-13 US US08/571,566 patent/US5700592A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-12-04 EP EP96308771A patent/EP0779766A3/en not_active Withdrawn
- 1996-12-06 JP JP8326307A patent/JPH09180881A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100495899B1 (ko) * | 2002-10-19 | 2005-06-16 | 이엘코리아 주식회사 | 교류 분말형 모서리 발광 el 소자 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0779766A2 (en) | 1997-06-18 |
US5700592A (en) | 1997-12-23 |
EP0779766A3 (en) | 1997-08-20 |
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