JPH09178987A - 半導体レーザー素子の取付け方法およびその実装基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 正確な集光レンズの中心軸と焦点距離を有
し、かつ半導体レーザー素子の光軸を集光レンズの中心
軸に正確に一致させることができる。 【解決手段】 透光性の基板７に集光レンズ１２を直接
形成し、該基板７上に集光レンズ１２と光軸が一致する
ように透光性の基板７に半導体レーザー素子１５の固定
位置を形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信公衆回線
や、光コンピューター、液晶パネル等種々の光が伝送に
利用される極めて小型の半導体レーザー素子の取付け方
法およびその実装基板に関し、特に透光性の基板に集光
レンズと半導体レーザー素子の取付部を一体的に形成
し、この取付部に半導体レーザー素子を固定することに
よりその光軸を集光レンズの中心軸に正確に一致させる
ことができ、半導体レーザー素子からの出射光が光ファ
イバーへ結合する効率を高めた半導体レーザー素子の取
付け方法およびその実装基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピューターが大容量になり、
処理速度が上がるなかで幾つもの演算処理部を光ファイ
バーで結ぶ光インターコネクションの研究が進んであ
り、各種光コンピューター、光通信公衆回線等、種々の
分野に広がっている。

【０００３】このように、光を信号として用いる場合に
は、電気信号による伝送よりはるかに効率良く信号をや
りとりすることができ、信号伝送に雑音が入りにくく、
また伝送容量が大きいといった利点があるものの、伝送
効率や光ファイバー等の接続部において十分な量の光と
確実な光の伝達が要求されるために、光を出来る限り逃
さずにこれを集光し、受光部へと伝える高度な技術が要
求される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ここで図７には、光伝
送装置の一部が示され、レーザーダイオード１から発振
される波長７８０〜１，６５０ｎｍの光を集光し、光フ
ァイバー２に導くアレイタイプの集光レンズ３が示され
ている。

【０００５】集光レンズ３には、一列に約２５０μｍの
径の凸状レンズ２３が配されており、レーザーダイオー
ド１から例えば５０°角で拡散するように発振されるレ
ーザービーム４をこの凸状レンズ２３で集光して正確に
光ファイバー２に導けることが求められているが、この
凸状レンズ２３は、その径が２５０μｍ程度と、極度な
マイクロ化を要求されるため、集光能力や焦点位置の精
度が問題になる。

【０００６】そこで、図８に示すようなアレイタイプの
シリコンレンズ３を製造する提案がなされている。すな
わち、円形状に印刷されたフォトレジスト５をシリコン
基板６に貼り（イ）、次に高温で焼くことにより、フォ
トレジスト５から表面張力により部分的に球形に変化す
る（ロ）。続いてシリコン基板６を回転させながら、所
定の入射角でイオンビームを照射することにより
（ハ）、部分的に球形のフォトレジスト５がシリコン基
板６上に転写されたように、一部球面の凸状レンズ２３
が形成されるものである（ニ）。

【０００７】しかし、このような方法で集光レンズを製
造した場合、各凸状のシリコンレンズ２３のレンズの中
心軸が正確な平行状態にならす、また焦点位置にばらつ
きも発生し、十分な光伝送が困難になるばなりか、シリ
コン基板の強度についても問題が生じることになる。

【０００８】また、レーザーダイオード１から発振され
る光を凸状レンズ２３で集光し正確に光ファイバー２に
導くためには、レーザーダイオード１の光軸が凸状レン
ズ２３の中心に正確に一致していなければならない。

【０００９】しかしながら、図７の光伝送装置に示され
るように、レーザーダイオード１と凸状レンズ２３は個
別に設置されているため、レーザーダイオード１の光軸
を凸状レンズ２３の中心軸に微小単位で正確に合わせる
のが困難であり、レーザーダイオード１から出射される
光の光ファイバーへの結合効率が低くなる問題を有して
いた。

【００１０】このような問題を解決するような技術とし
て、特開平６ー２８９２５８号公報に示されたように金
属製のレーザーキャリアにガラスレンズを直接成型し、
この金属製のレーザーキャリアに半導体レーザー素子を
マウントする技術があるが、レンズと半導体レーザーの
中心光軸を一致させることは非常に困難なばかりか、レ
ンズ自体の精度にも問題があった。

【００１１】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、正確な集光レンズの中心軸と焦点距離を
有し、かつ半導体レーザー素子の光軸を集光レンズの中
心軸に正確に一致させることができる半導体レーザー素
子の取付け方法およびその実装基板を提供することを目
的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の半導体レーザー素子の取付け方法は、半導
体レーザー素子より発振されて集光レンズにより集光さ
れた光を正確に光ファイバーに導入するための半導体レ
ーザー素子の取付け方法であって、透光性の基板に集光
レンズをブレードの掘削加工により直接形成し、前記透
光性の基板上に前記集光レンズの中心軸と光軸が一致す
るように半導体レーザー素子の固定位置をやはりブレー
ドを用いて掘削あるいは切削により形成することを特徴
としている。この特徴により、基板とブレードとの相対
位置を確実に制御して、集光レンズと半導体レーザー素
子の固定位置を形成できるため、半導体レーザー素子か
らの出射光を集光レンズを通して光ファイバーへ効率良
く結合させることができる。

【００１３】本発明の半導体レーザー素子の取付け方法
は、前記透光性の基板において、前記集光レンズが形成
される片面の下方を前方に突出させて前記半導体レーザ
ー素子を固定するために一体形成された取付部に、基板
よりも高硬度のブレードを用いて前記基板を研削あるい
は切削による加工により前記レーザー素子を嵌合する凹
溝を形成し、その後前記レーザー素子の光軸に中心軸が
一致するように前記ブレードによる掘削加工により所定
深さ位置に集光レンズを一体に形成し、前記レーザー素
子を凹溝に嵌合させて位置決め固定することが好まし
い。本発明の半導体レーザー素子の取付け方法は、前記
透光性の基板において、基板よりも高硬度のブレードを
用いて掘削加工により所定深さ位置に集光レンズを一体
に形成し、前記集光レンズが形成される面の下方を前方
に突出させて前記半導体レーザー素子を固定するために
一体形成された取付部に、前記レーザー素子の光軸にそ
の中心軸が一致するように前記ブレードを用いて研削、
あるいは切削による加工により前記レーザー素子を嵌合
する凹溝を形成し、前記レーザー素子を凹溝に嵌合させ
て位置決め固定することが好ましい。このようにすれ
ば、透光性の基板を直接ブレードにより掘削加工する過
程で集光レンズが形成できると共に、集光レンズが形成
される基準面となる片面の下方を前方に突出させてその
端部に半導体レーザー素子の取付部が一体的に形成でき
るので、露出された集光レンズの中心軸と半導体レーザ
ー素子の光軸とを正確に一致させることができる。

【００１４】本発明の半導体レーザー素子の取付け方法
は、先端形状が最終完成部としての集光レンズの凸型形
状と一致する凹型形状、もしくは掘削軸まわりの回転軌
跡によって得られる前記凹型形状を呈し、かつ前記ブレ
ードの根元部が先端部よりも細径または幅狭であるブレ
ードを使用することが好ましい。このようにすれば、集
光レンズの凸型形状がブレードの先端形状で、かつレー
ザー素子を嵌合する凹溝がブレードの細径または幅狭さ
れた根元部で形成できるため、１つのブレードにより同
時加工することができ、加工効率と光軸精度が向上す
る。

【００１５】本発明の半導体レーザー素子の取付け方法
は、先端にブレードを有する回転軸を複数平行に配設
し、前記基板内に複数の集光レンズおよび前記半導体レ
ーザー素子の取付部に凹溝を複数組形成することが好ま
しい。この特徴により、ＮＣ工作機械等を使用して、基
板に対する掘削軸を横移動させつつ研削、切削および掘
削加工を行うことにより、透光性基板に複数組の集光レ
ンズと前記半導体レーザー素子取付部を同一形状に高精
度に加工することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、実施の態様を挙げ図面に基
づいて本発明を説明する。

【００１７】最初に本発明の半導体レーザー素子の取付
け方法につき説明する。

【００１８】図１は、透光性の基板に集光レンズならび
に半導体レーザー素子の固定位置である凹溝を形成する
工程図であり、図２は、半導体レーザー素子の取付部で
ある凹溝を形成する工程図の一部と該凹溝に半導体レー
ザー素子の取付け工程図である。

【００１９】先ず、図１の（ａ）に示すように透光性の
基板であるシリコン基板７は、例えば図示しないダイヤ
モンド工具により下方を前方に突出した突出部８を設け
て断面Ｌ字型に形成されている。

【００２０】詳しくは、断面Ｌ字型に形成された透光性
基板７の突出部８先端には後述する集光レンズ１２の中
心軸線とほぼ一致する高さの立上り部８ａが形成され
る。

【００２１】ここで、ブレード１０は、基板よりも高硬
度のダイヤモンド工具が使用され、先端１０ａ形状が最
終完成部としての後述する集光レンズ１２の凸型形状と
一致する凹型形状、もしくは掘削軸まわりの回転軌跡に
よって得られる凹型形状を呈し、かつ前記ブレードの根
元部１０ｂが先端部よりも細径または幅狭に形成された
ものが使用される（図３参照）。

【００２２】このダイヤモンド工具１０は、図３に示す
ようにその先端１０ａおよびその近傍が平板状であり、
先端面１０ｃが略円弧状に形成され、その先端面４と側
面には微小な多数のダイヤモンド砥粒が均一に付着され
ている。

【００２３】なお、ダイヤモンド工具１０の先端面１０
ｃが円弧状に形成されているが、ダイヤモンド工具１０
の先端部分が平板状でなく円柱状のものである場合には
その先端面１０ｃが球状の一部として形成されても良
い。

【００２４】ここで重要なことは、図１（ｅ）に示すよ
うに基板７を掘り進むことによって凸型の集光レンズ１
２を形成することであり、この先端面１０ｃに凸状のレ
ンズ１２が球面（非球面も含む）のみならず、円錐形の
いわゆるアキシコレンズ等、種々の凸形型状を形成する
上で必要な凹型形状を与えることによって達成される。

【００２５】このダイヤモンド工具１０は、例えばＮＣ
工作機械の刃物台の工具保持具に装着されてあり、先ず
図１の（ｂ）に示すように、このダイヤモンド工具１０
が基板７の片面Ａ側の直前まで前進移動される。

【００２６】この場合、ダイヤモンド工具１０による掘
削深さは、基板の加工基準面となる片面Ａからの距離で
決まる。

【００２７】次に、図１の（ｃ）に示すように、ダイヤ
モンド工具１０は、回転駆動された状態で下方に移動
し、先端部よりも細径または幅狭に形成されたダイヤモ
ンド工具の側面により立上り部８ａの頂部に所定幅で所
定深さの凹溝９が形成される。

【００２８】図１の（ｄ）は、ダイヤモンド工具１０の
細径側面による凹溝９の加工工程を示したもので、符号
Ｓは、ダイヤモンド工具１０の初期位置（スタート位
置）で、前の工程で下降した際の位置であり、この下降
動作により立上り部８ａの頂部が僅かに加工された状態
となる。

【００２９】すなわち、初期位置Ｓは、集光レンズ１２
の中心軸の位置に設定されており、凹溝９は、この凹溝
９内に後述する半導体レーザー素子１５が嵌合された
際、光軸が集光レンズ１２の中心軸に一致するように所
定幅および深さに加工される。

【００３０】そこで、図１の（ｄ）に示す加工手順（イ
〜ヘ）につき順次説明する。すなわち、工程（１）にお
いて、先ずダイヤモンド工具１０をＳより左方へ（光軸
より半導体レーザー素子１５の一端までの距離）移動
し、次の工程（２）で右方へ（半導体レーザー素子１５
の横幅の距離）移動する。

【００３１】次に、工程（３）においてダイヤモンド工
具１０を下降させ所定深さ（光軸より半導体レーザー素
子１５の底面までの距離）までの加工を行う。

【００３２】続いて、工程（４）では左方向へ（半導体
レーザー素子１５の横幅の距離）移動し全幅の加工を行
い、工程（５）でダイヤモンド工具１０を上昇移動させ
て側面の加工を行って凹溝９の加工を完成させ、最後に
ダイヤモンド工具１０は工程（６）で初期位置Ｓに戻
る。

【００３３】次に、図１の（ｅ）に示すダイヤモンド工
具１０は、この中心位置をＳ位置に位置決めした状態で
軸方向に前進移動させて基板の片側の基準面Ａより所定
深さまで掘削加工し、ダイヤモンド工具１０先端の凹型
形状の刃先１０ａにより凸型形状の集光レンズ１２が形
成される。

【００３４】このようにして、凹溝９が加工されると図
２の（ｆ）に示すように、ダイヤモンド工具１０は、矢
印にて示されるように移動して抜出され、図３に示すよ
うに透光性の基板に１組の集光レンズ１２と凹溝９が高
精度に加工される。

【００３５】因みに、半導体レーザー素子１５の概略寸
法は、厚みが約１００μｍ、光軸方向の縦幅が約２００
μｍ、発光点の溝深さが約１０μｍとなっている。

【００３６】ここまでの工程で加工された凹溝９は、底
部の各角部にはダイヤモンド工具１０細径により加工さ
れたＲ部が形成されており、このＲ部は、各角部を図２
の（ｇ）に示すように別の細径工具であるネッキング工
具１１により約４５°方向のネッキング加工により削除
される。

【００３７】このネッキング加工により、凹溝９は半導
体レーザー素子１５が嵌合可能な形状となり、凹溝９に
半導体レーザー素子１５を嵌合した際、この半導体レー
ザー素子１５の発光点Ｐから発振されるレーザー光の光
軸が集光レンズ１２の中心軸と正確に一致させることが
できる。

【００３８】さらに、凹溝９に嵌合された半導体レーザ
ー素子１５は、図２の（ｈ）に示す基板の片面より前方
に水平に突出した突出部８の端面に板材１３を突き当
て、この板材１３に当接させることにより光軸方向の焦
点位置決めも可能である。

【００３９】位置決めされた半導体レーザー素子１５
は、最後に接着剤等により確実に固定される。

【００４０】尚、基板９内には、図４に示すように多数
の集光レンズを配列したアレイタイプの集光レンズ１２
とこれに対応する半導体レーザー素子であるレーザーダ
イオード１５を取付ける複数の凹溝９を形成することが
でき、この凹溝９には図５に示すようにそれぞれレーザ
ーダイオード１５が嵌合され、このレーザーダイオード
１５が嵌合された際、発光点Ｐから発振されるレーザー
光の光軸Ｌは、アレイタイプの集光レンズ１２の中心軸
に一致するようになっている。

【００４１】次に、半導体レーザー素子の実装基板の構
成につき説明する。

【００４２】先ず、図３に示すように、透光性の基板７
は、硬質で透光性のシリコン又はガラス等で形成されて
おり、少なくとも片面Ａに基板７よりもこ高硬度のダイ
ヤモンド工具１０を用いて基板７を研削あるいは切削に
よる掘削加工で凹部１６が形成され、この凹部１６から
所定肉厚で凸型形状の集光レンズ１２が一体に突設され
る。

【００４３】また、集光レンズ１２が形成される片面Ａ
の下方を図示しない例えばダイヤモンド工具により前方
に突出させてレーザーダイオード１５の取付部１４が形
成される。

【００４４】この取付部１４は、突出部８の端部に設け
らた立上り部８ａと、この頂部に一体形成された凹溝９
とで構成されている。

【００４５】凹溝９は、この凹溝９にレーザーダイオー
ド１５を嵌合した際、レーザーダイオード１５の光軸Ｌ
（図６参照）が集光レンズ１２の中心軸と一致するよう
に、深さおよび横幅が形成される。

【００４６】また、凹溝９は、図４に示すように各角部
に細径工具により４５°方向のネッキング部９ａ、９ｂ
が加工され、これにより、レーザーダイオード１５が確
実に嵌合され、実装させることができる。

【００４７】凹溝９内に実装されたレーザーダイオード
１５は、前述した図２の（ｈ）に示されるように突出部
８の端部に板材１３を突当てた状態で、この板材１３に
当接させることにより光軸方向の焦点位置決めをするこ
とができる（図５参照）。

【００４８】尚、図４および図５に示すように、ダイヤ
モンド工具１０は、平行に配設された図示しない複数の
回転軸の先端に保持され、基板７内に複数の集光レンズ
１２からなるアレイタイプの集光レンズ１２およびこの
集光レンズ１２に対応するレーザーダイオード１５の取
付部にそれぞれ凹溝９を複数組形成することができ、こ
れらの凹溝９にレーザーダイオード１５を嵌合させた
際、レーザーダイオード１５の光軸Ｌをアレイタイプの
集光レンズ１２の中心軸に一致させることができる。

【００４９】このように、本発明を適用すれば種々の形
状の集光レンズが極めて簡単に作れ、図１に示されるシ
ングルタイプ、さらには図４および図５に示されるアレ
イタイプのもの、またはマトリクス状のアレイタイプの
ものも製造することができる。

【００５０】前述したブレードとしてダイヤモンド工具
を使用しているが、基板７がシリコン材の場合は、シリ
コンより硬度の高い超硬工具その他の材料のブレードで
も良く、基板としてシリコンに代えてガラスを使用する
こともできる。

【００５１】次に、図６に示すように、前述したように
形成された基板７の背面Ｂには、光ファイバーの実装基
板である別の透光性の基板１７が２本の位置決めピン１
８により固定されている。

【００５２】この基板１７には、基板７に形成された複
数の集光レンズの各中心軸線が正確に一致するよう光フ
ァイバー１９の外径（例えば直径が約１２０μｍ）に相
当する所定深さの孔２０が掘削され、この孔２０の入口
部には面取部または拡開テーパー部２２が形成されてい
る。

【００５３】そして、この孔２０に光ファイバー１９を
挿嵌した後、拡開テーパ２２に例えば接着剤２１を充填
して固化し基板１７に光ファイバー１９を強固に固定す
る。

【００５４】このように構成することにより、レーザー
ダイオード１５から５０°角で拡散されるように発振さ
れる波長７８０〜１，６５０ｎｍの光は、凸状の集光レ
ンズ１２により集光して光ファイバー１９に効率良く導
入することができる。

【００５５】以上、本発明の実施例を図面によって説明
してきたが、具体的な構成はこれら実施例に限られるも
のではなく、例えば、前記実施例と逆に、集光レンズを
掘削加工した後に、レーザー素子を嵌合する凹溝を形成
するようにしてもよい。さらに、基板７の背面Ｂに別の
光ファイバーの実装基板を取付けてあるが、これを一体
の基板として集光レンズの背面に同一軸線上に光ファイ
バーの挿嵌孔を掘削しても良く、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲における変更や追加があっても本発明に含まれ
る。

【００５６】

【発明の効果】本発明は次の効果を奏する。

【００５７】（ａ）請求項１によれば、基板とブレード
との相対位置を確実に制御して、集光レンズと半導体レ
ーザー素子の固定位置を形成できるため、半導体レーザ
ー素子からの出射光を集光レンズを通して光ファイバー
へ効率良く結合させることができる。

【００５８】（ｂ）請求項２、３および６によれば、透
光性の基板を直接ブレードにより掘削加工する過程で集
光レンズが形成できると共に、集光レンズが形成される
基準面となる片面の下方を前方に突出させてその端部に
半導体レーザー素子の取付部が一体的に形成できるの
で、露出された集光レンズの中心軸と半導体レーザー素
子の光軸とを正確に一致させることができる。

【００５９】（ｃ）請求項４によれば、集光レンズの凸
型形状がブレードの先端形状で、かつレーザー素子を嵌
合する凹溝がブレードの細径または幅狭された根元部で
形成できるため、１つのブレードにより同時加工するこ
とができ、加工効率と光軸精度が向上する。

【００６０】（ｄ）請求項５、７によれば、ＮＣ工作機
械等を使用して、基板に対する掘削軸を横移動させつつ
研削、切削および掘削加工を行うことにより、透光性基
板に複数組の集光レンズと前記半導体レーザー素子取付
部を同一形状に高精度に加工することができる。

【００６１】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態を示し、（ａ）〜（ｅ）
は、透光性の基板に集光レンズならびに半導体レーザー
素子の固定位置である凹溝を形成する工程図である。

【図２】本発明の一実施形態を示し、（ｆ）〜（ｈ）
は、半導体レーザー素子の固定位置である凹溝を形成す
る工程図の一部と該凹溝に半導体レーザー素子の取付け
工程図である。

【図３】ブレードにより基板が加工される状態の工程
図、第２図の（ｆ）を示す斜視図である。

【図４】アレイタイプの集光レンズとこれに対応する凹
溝を示す斜視図である。

【図５】アレイタイプの集光レンズとこれに対応する凹
溝に半導体レーザー素子を嵌合した状態を示す斜視図で
ある。

【図６】本発明の半導体レーザー素子を実装した基板の
背面に光ファイバー実装基板を取付けた状態を示す断面
図である。

【図７】光伝送装置の一例を示す斜視図である。

【図８】従来の集光レンズの工程を示す概念図である。

【符号の説明】

７ シリコン基板 ８ 突出部 ８ａ 立上り部 ９ 凹溝 １０ ブレード（ダイヤモンド工具） １１ ネッキング工具 １２ 集光レンズ １３ 板材 １４ 取付部 １５ 半導体レーザー素子（レーザーダイオード） １６ 凹部 １７ 基板 １８ 位置決めピン １９ 光ファイバー ２０ 孔 ２１ 接着剤 ２２ 拡開テーパ Ａ 片側の基準面 Ｂ 背面 Ｌ 光軸 Ｐ 発光点 Ｓ ブレードのスタート位置

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザー素子より発振されて集光
   レンズにより集光された光を正確に光ファイバーに導入
   するための半導体レーザー素子の取付け方法であって、 透光性の基板に集光レンズをブレードの掘削加工により
   直接形成し、前記透光性の基板上に前記集光レンズの中
   心軸と光軸が一致するように半導体レーザー素子の固定
   位置をやはりブレードを用いて掘削あるいは切削により
   形成することを特徴とする半導体レーザー素子の取付け
   方法。
2. 【請求項２】 前記透光性の基板において、前記集光レ
   ンズが形成される片面の下方を前方に突出させて前記半
   導体レーザー素子を固定するために一体形成された取付
   部に、基板よりも高硬度のブレードを用いて前記基板を
   研削あるいは切削による加工により前記レーザー素子を
   嵌合する凹溝を形成し、その後前記レーザー素子の光軸
   に中心軸が一致するように前記ブレードによる掘削加工
   により所定深さ位置に集光レンズを一体に形成し、前記
   レーザー素子を凹溝に嵌合させて位置決め固定すること
   を特徴とする請求項１記載の半導体レーザー素子の取付
   け方法。
3. 【請求項３】 前記透光性の基板において、基板よりも
   高硬度のブレードを用いて掘削加工により所定深さ位置
   に集光レンズを一体に形成し、前記集光レンズが形成さ
   れる面の下方を前方に突出させて前記半導体レーザー素
   子を固定するために一体形成された取付部に、前記レー
   ザー素子の光軸にその中心軸が一致するように前記ブレ
   ードを用いて研削、あるいは切削による加工により前記
   レーザー素子を嵌合する凹溝を形成し、前記レーザー素
   子を凹溝に嵌合させて位置決め固定することを特徴とす
   る請求項１記載の半導体レーザー素子の取付け方法。
4. 【請求項４】 先端形状が最終完成部としての集光レン
   ズの凸型形状と一致する凹型形状、もしくは掘削軸まわ
   りの回転軌跡によって得られる前記凹型形状を呈し、か
   つ前記ブレードの根元部が先端部よりも細径または幅狭
   であるブレードを使用する請求項２又は３に記載の半導
   体レーザー素子の取付け方法。
5. 【請求項５】 先端にブレードを有する回転軸を複数平
   行に配設し、前記基板内に複数の集光レンズおよび前記
   半導体レーザー素子の取付部に凹溝を複数組形成するこ
   とを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の半
   導体レーザー素子の取付け方法。
6. 【請求項６】 半導体レーザー素子より発振されて集光
   レンズにより集光された光を正確に光ファイバーに導入
   するための半導体レーザー素子の実装基板であって、 透光性の基板には、少なくとも片面に形成された凹部か
   ら所定肉厚で凸型形状の集光レンズが一体に突設される
   とともに、該集光レンズが形成される片面の下方を前方
   に突出させて半導体レーザー素子の取付部が一体形成さ
   れ、該取付部に凹溝が形成され、前記半導体レーザー素
   子が前記凹溝内に嵌合状態で集光レンズと半導体レーザ
   ー素子の光軸が一致していることを特徴とする半導体レ
   ーザー素子の実装基板。
7. 【請求項７】 前記基板の少なくとも片面側に、前記取
   付部の凹溝が多数形成され、この凹溝に対応するように
   前記凹部から所定肉厚の凸型集光レンズが一体に多数組
   突設されてなるアレイタイプの請求項６記載の半導体レ
   ーザー素子の実装基板。