JPH0917122A - 情報記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ディスクの内周から外周へ移行した際に発生
する再生信号の周波数変動を意識することなく、簡潔で
低コスト、高信頼性の２値化回路を提供し、安定した情
報の再生を行うこと。 【構成】 ディスクのtan （タンジェンシャル）方向に
対して２分割された光検出器PD1 ，PD2 からの得られる
信号に時間的な差を持たせる。そして、２つの光検出器
PD1 ，PD2 からの信号の差を差動回路14で作成し、光検
出器PD1 ，PD2 の信号の和を加算回路13で作成して、再
生信号を得る。差動回路14の出力よりエッジマスク信号
を生成する。再生信号の立上がりエッジ部と立下がりエ
ッジ部とを所定のスライスレベルで第２の比較回路16で
２値化し、第２の比較回路の出力と上記再生信号の立ち
上がりエッジ部と立ち下がりエッジ部との論理演算を行
って、エッジ検出信号を得て、スライスレベルを変更す
るようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マ−ク長記録方式で記
録媒体に記録された情報を再生する情報記録再生装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、同期コ−ドが記録されたプリア
ンブル部、およびこのプリアンブル部に続いて情報がマ
−ク長記録方式により記録された情報部を有する記録媒
体から情報を再生する場合、無信号領域では、ある一定
の基準値をもったＤＣ電圧レベルを２値化のスライスレ
ベルとして与えて２値化の基準を行い、情報の記録部が
現れて２値化が始まると、スライスレベルにより再生さ
れた通常の２値化信号と、読取ったアナログ信号に１階
微分を施して再生された微分の２値化信号を比較し、、
その差を取ることでピットのエッジを検出し、この検出
信号をスライスレベルコントロール信号としてフィード
バックすることによって、情報部の振幅の中心がずれて
きた場合でも対応できるものようにした情報再生装置が
特願平６−５４１７３号で提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述した読
み取ったアナログ信号に１階微分を施す微分回路は、一
般にコンデンサ（Ｃ）と抵抗（Ｒ）の組み合わせにより
構成されている。このため、その微分回路のカットオフ
周波数（ｆｃ）はコンデンサと抵抗の値により固定値と
して決定される。

【０００４】従って、ディスクの回転数が一定で、記録
信号の周波数が内周から外周まで変化するような記録方
式の場合、微分信号が内周から外周まで均等に出力され
ずジッタの増減によるエラーレートの悪化につながる恐
れがある。

【０００５】また、市販品のプログラマブルフィルタな
どを使用して、外部からの制御信号によりディスクの内
周から外周まで、微分回路のカットオフ周波数を連続的
に可変していく方法などが考えられているが、高価なＩ
Ｃを使用することになりコストアップや、所望のＩＣが
生産中止などにより供給されなくなった場合のリスクな
どが心配される。

【０００６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、記録媒体上における再生したい記録領
域がディスクの内周から外周へ移行した際に発生する再
生信号の周波数変動を意識することなく、簡潔で低コス
ト、高信頼性の２値化回路を提供し、安定した情報の再
生を行うことができる情報記録再生装置を提供すること
にある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係わる情報記
録再生装置は、記録媒体上に記録された情報を検出する
情報検出手段と、この検出手段で検出された検出信号に
基づいて再生信号を生成する第１の変換手段と、上記情
報検出手段で検出された検出信号に基づいて微分信号を
生成する第２の変換手段と、上記第１の変換手段で生成
された上記再生信号を所定のスライスレベルで２値化す
る第１の２値化手段と、上記第２の変換手段で生成され
た上記微分信号を所定のスライスレベルで２値化する第
２の２値化手段と、上記第１の２値化手段で得られた２
値化信号と上記第２の２値化手段で得られた２値化信号
とを所定の論理演算を行うことにより上記再生信号のエ
ッジを検出するエッジ検出手段と、このエッジ検出手段
により検出されたエッジ検出信号に応じてスライスレベ
ルを決定するスライスレベル決定手段と、このスライス
レベル決定手段により決定されたスライスレベルに応じ
て上記第１の２値化手段のスライスレベルを変更する変
更手段とを具備したことを特徴とする。

【０００８】請求項２に係わる情報記録再生装置は、記
録媒体上に記録された情報を検出する情報検出手段と、
この検出手段で検出された検出信号に基づいて再生信号
を生成する第１の変換手段と、上記情報検出手段で検出
された検出信号に基づいて微分信号を生成する第２の変
換手段と、上記第１の変換手段で生成された上記再生信
号を所定のスライスレベルで２値化する第１の２値化手
段と、上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を
上記再生信号の立上がりと立下がりで所定のスライスレ
ベルで２値化する第２の２値化手段と、上記第１の２値
化手段で得られた２値化信号と上記第２の２値化手段で
得られた２値化信号とを所定の論理演算を行うことによ
り上記再生信号のエッジを検出するエッジ検出手段と、
このエッジ検出手段により検出されたエッジ検出信号に
応じてスライスレベルを決定するスライスレベル決定手
段と、このスライスレベル決定手段により決定されたス
ライスレベルに応じて上記第１の２値化手段のスライス
レベルを変更する変更手段とを具備したことを特徴とす
る。

【０００９】請求項３に係わる情報記録再生装置は、記
録媒体上の情報を同一信号で時間的に遅延し、かつ２つ
にわけて検出する情報検出手段と、この情報検出手段で
検出された検出信号を再生信号に生成する第１の変換手
段と、上記情報検出手段で検出された検出信号に基づい
て微分信号に生成する第２の変換手段と、この第１の変
換手段で生成された再生信号を所定のスライスレベルで
２値化して、２値化信号の正論理信号と負論理信号を出
力する第１の２値化手段と、上記第２の変換手段からの
微分信号を上記再生信号の立上がりエッジ部と、立ち下
がりエッジ部とにわけて、所定のスライスレベルで２値
化し、再生信号の立上がりエッジ部と、立ち下がりエッ
ジ部ともに正論理信号で出力する第２の２値化手段と、
上記第１の２値化手段からの出力される正論理信号と、
上記第２の２値化手段からの立上がりエッジ部の正論理
信号をアンド回路で論理演算をおこない再生信号の立上
がりエッジ部のエッジ検出信号を検出する立上がりエッ
ジ検出手段と、上記第１の２値化手段からの負論理信号
と、上記第２の２値化手段からの立下がりエッジ部の正
論理信号をナンド回路で論理演算をおこない再生信号の
立ち下がりエッジ部のエッジ検出信号を検出する立ち下
がりエッジ検出手段と、上記立上がり検出手段により検
出された立上がりエッジ検出信号と、上記立ち下がり検
出手段により検出された立下がりエッジ検出信号とを、
所定電圧を基準として動作しているオペアンプで平滑化
し、上記立上がり検出手段により検出された立上がりエ
ッジ検出信号と、上記立ち下がり検出手段により検出さ
れた立下がりエッジ検出信号に応じてスライスレベルを
決定する決定手段と、この決定手段により決定されたス
ライスレベルを上記第１の２値化手段にフィードバック
することで上記第１の２値化手段のスライスレベルを変
更する変更手段とを具備したことを特徴とする。

【００１０】請求項４に係わる情報記録再生装置は、記
録媒体上の情報を検出する情報検出手段と、この情報検
出手段で検出された検出信号を再生信号に生成する第１
の変換手段と、上記情報検出手段で検出された検出信号
に基づいて微分信号に生成する第２の変換手段と、この
第１の変換手段で生成された再生信号を所定のスライス
レベルで２値化して、２値化信号の正論理信号と負論理
信号を出力する第１の２値化手段と、上記第２の変換手
段からの微分信号を上記再生信号の立上がりエッジ部
と、立ち下がりエッジ部とにわけて、所定のスライスレ
ベルで２値化し、再生信号の立上がりエッジ部と、立ち
下がりエッジ部ともに正論理信号で出力する第２の２値
化手段と、上記第１の２値化手段からの出力される正論
理信号と、上記第２の２値化手段からの立上がりエッジ
部の正論理信号をアンド回路で論理演算をおこない再生
信号の立上がりエッジ部のエッジ検出信号を検出する立
上がりエッジ検出手段と、上記第１の２値化手段からの
負論理信号と、上記第２の２値化手段からの立下がりエ
ッジ部の正論理信号をナンド回路で論理演算をおこない
再生信号の立ち下がりエッジ部のエッジ検出信号を検出
する立ち下がりエッジ検出手段と、上記立上がり検出手
段により検出された立上がりエッジ検出信号と、上記立
ち下がり検出手段により検出された立下がりエッジ検出
信号とを、所定電圧を基準として動作しているオペアン
プで平滑化し、上記立上がり検出手段により検出された
立上がりエッジ検出信号と、上記立ち下がり検出手段に
より検出された立下がりエッジ検出信号に応じてスライ
スレベルを決定する決定手段と、この決定手段により決
定されたスライスレベルを上記第１の２値化手段にフィ
ードバックすることで上記第１の２値化手段のスライス
レベルを変更する変更手段とを具備したことを特徴とす
る。

【００１１】請求項５に係わる情報記録再生装置は、記
録媒体上に記録された情報を検出する情報検出手段と、
この検出手段で検出された検出信号に基づいて再生信号
を生成する第１の変換手段と、上記情報検出手段で検出
された検出信号に基づいて微分信号を生成する第２の変
換手段と、上記第１の変換手段で生成された上記再生信
号を所定のスライスレベルで２値化する第１の２値化手
段と、上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を
所定のスライスレベルで２値化する第２の２値化手段
と、上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記
第２の２値化手段で得られた２値化信号とを所定の論理
演算を行うことにより上記再生信号の立上がりエッジ部
のエッジ検出信号を検出する立上がりエッジ検出手段
と、上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記
第２の２値化手段で得られた２値化信号とを所定の論理
演算を行うことにより上記再生信号の立下がりエッジ部
のエッジ検出信号を検出する立上がりエッジ検出手段
と、上記立上がりエッジ検出手段及び上記エッジ検出手
段により検出された立上がりエッジ検出信号及び立下が
りエッジ検出信号に応じてスライスレベルを決定するス
ライスレベル決定手段と、このスライスレベル決定手段
により決定されたスライスレベルに応じて上記第１の２
値化手段のスライスレベルを変更する変更手段とを具備
したことを特徴とする。

【００１２】請求項６に係わる記録媒体上に記録された
情報を検出する情報検出手段と、この検出手段で検出さ
れた検出信号に基づいて再生信号を生成する第１の変換
手段と、上記情報検出手段で検出された検出信号に基づ
いて微分信号を生成する第２の変換手段と、上記第１の
変換手段で生成された上記再生信号を所定のスライスレ
ベルで２値化する第１の２値化手段と、上記第２の変換
手段で生成された上記微分信号を所定のスライスレベル
で２値化する第２の２値化手段と、上記第１の２値化手
段で得られた２値化信号と上記第２の２値化手段で得ら
れた２値化信号とをアンド回路で論理演算を行うことに
より上記再生信号の立上がりエッジ部のエッジ検出信号
を検出する立上がりエッジ検出手段と、上記第１の２値
化手段で得られた２値化信号と上記第２の２値化手段で
得られた２値化信号とをナンド回路で論理演算を行うこ
とにより上記再生信号の立下がりエッジ部のエッジ検出
信号を検出するエッジ検出手段と、上記立上がりエッジ
検出手段及び上記エッジ検出手段により検出された立上
がりエッジ検出信号及び立下がりエッジ検出信号に応じ
てスライスレベルを決定するスライスレベル決定手段
と、このスライスレベル決定手段により決定されたスラ
イスレベルに応じて上記第１の２値化手段のスライスレ
ベルを変更する変更手段とを具備したことを特徴とす
る。

【００１３】請求項７に係わる情報記録再生装置は、記
録媒体上に記録された情報を検出する情報検出手段と、
この検出手段で検出された検出信号に基づいて再生信号
を生成する第１の変換手段と、上記情報検出手段で検出
された検出信号に基づいて微分信号を生成する第２の変
換手段と、上記第１の変換手段で生成された上記再生信
号を所定のスライスレベルで２値化する第１の２値化手
段と、上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を
上記再生信号の立上がりと立下がりで所定のスライスレ
ベルで２値化する第２の２値化手段と、上記第１の２値
化手段で得られた２値化信号と上記第２の２値化手段で
得られた２値化信号とを所定の論理演算を行うことによ
り上記再生信号の立上がりエッジ部の立上がりエッジ検
出信号を検出する立上がりエッジ検出手段と、上記第１
の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２の２値化
手段で得られた２値化信号とを所定の論理演算を行うこ
とにより上記再生信号の立下がりエッジ部の立下がりエ
ッジ検出信号を検出する立下がりエッジ検出手段と、上
記立上がりエッジ検出手段及び上記立下がりエッジ検出
手段により検出された立上がりエッジ検出信号及び上記
立下がりエッジ検出信号に応じてスライスレベルを決定
するスライスレベル決定手段と、このスライスレベル決
定手段により決定されたスライスレベルに応じて上記第
１の２値化手段のスライスレベルを変更する変更手段と
を具備したことを特徴とする。

【００１４】請求項８に係わる情報記録再生装置は、記
録媒体上に記録された情報を検出する情報検出手段と、
この検出手段で検出された検出信号に基づいて再生信号
を生成する第１の変換手段と、上記情報検出手段で検出
された検出信号に基づいて微分信号を生成する第２の変
換手段と、上記第１の変換手段で生成された上記再生信
号を所定のスライスレベルで２値化する第１の２値化手
段と、上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を
上記再生信号の立上がりと立下がりで所定のスライスレ
ベルで２値化する第２の２値化手段と、上記第１の２値
化手段で得られた２値化信号と上記第２の２値化手段で
得られた２値化信号とをアンド回路で論理演算を行うこ
とにより上記再生信号の立上がりエッジ部の立上がりエ
ッジ検出信号を検出する立上がりエッジ検出手段と、上
記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２の
２値化手段で得られた２値化信号とをナンド回路で論理
演算を行うことにより上記再生信号の立下がりエッジ部
の立下がりエッジ検出信号を検出する立下がりエッジ検
出手段と、上記立上がりエッジ検出手段及び上記立下が
りエッジ検出手段により検出された立上がりエッジ検出
手段及び上記立下がりエッジ検出信号に応じてスライス
レベルを決定するスライスレベル決定手段と、このスラ
イスレベル決定手段により決定されたスライスレベルに
応じて上記第１の２値化手段のスライスレベルを変更す
る変更手段とを具備したことを特徴とする。

【００１５】請求項９に係わる記録媒体上に記録された
情報を同一信号で時間的に遅延し、かつ２つにわけて検
出する情報検出手段と、この情報検出手段で検出された
検出信号に基づいて再生信号を生成する第１の変換手段
と、上記情報検出手段で検出された検出信号に基づいて
微分信号を生成する第２の変換手段と、上記第１の変換
手段で生成された上記再生信号を所定のスライスレベル
で２値化して、２値化信号の正論理信号と負論理信号を
出力する第１の２値化手段と、上記第２の変換手段で生
成された上記微分信号を上記再生信号の立上がりと立ち
下がりで所定のスライスレベルで２値化する第２の２値
化手段と、上記第１の２値化手段で得られた２値化信号
と上記第２の２値化手段で得られた２値化信号とをアン
ド回路で論理演算を行うことにより上記再生信号の立上
がりエッジ部の立上がりエッジ検出信号を検出する立上
がりエッジ検出手段と、上記第１の２値化手段で得られ
た２値化信号と上記第２の２値化手段で得られた２値化
信号とをナンド回路で論理演算を行うことにより上記再
生信号の立下がりエッジ部の立下がりエッジ検出信号を
検出する立下がりエッジ検出手段と、上記立上がりエッ
ジ検出手段及び上記立下がりエッジ検出手段により検出
された立上がりエッジ検出信号及び上記立下がりエッジ
検出信号に応じてスライスレベルを決定するスライスレ
ベル決定手段と、このスライスレベル決定手段により決
定されたスライスレベルに応じて上記第１の２値化手段
のスライスレベルを変更する変更手段とを具備したこと
を特徴とする。

【００１６】請求項１０に係わる情報記録再生装置は、
記録媒体上の情報を同一信号で時間的に遅延し、かつ２
つにわけて検出する情報検出手段と、この情報検出手段
で検出された検出信号を再生信号に生成する第１の変換
手段と、上記情報検出手段で検出された検出信号に基づ
いて微分信号に生成する第２の変換手段と、上記第１の
変換手段で生成された上記再生信号を所定のスライスレ
ベルで２値化する第１の２値化手段と、上記第２の変換
手段で生成された上記微分信号を上記再生信号の立上が
りと立ち下がりで所定のスライスレベルで２値化する第
２の２値化手段と、上記第１の２値化手段で得られた２
値化信号と上記第２の２値化手段で得られた２値化信号
とをアンド回路で論理演算を行うことにより上記再生信
号の立上がりエッジ部の立上がりエッジ検出信号を検出
する立上がりエッジ検出手段と、上記第１の２値化手段
で得られた２値化信号と上記第２の２値化手段で得られ
た２値化信号とをナンド回路で論理演算を行うことによ
り上記再生信号の立下がりエッジ部の立下がりエッジ検
出信号を検出する立下がりエッジ検出手段と、上記立上
がり検出手段により検出された立上がりエッジ検出信号
と、上記立ち下がり検出手段により検出された立下がり
エッジ検出信号とを、所定電圧を基準として動作してい
るオペアンプで平滑化し、上記立上がり検出手段により
検出された立上がりエッジ検出信号と、上記立ち下がり
検出手段により検出された立下がりエッジ検出信号に応
じてスライスレベルを決定する決定手段と、この決定手
段により決定されたスライスレベルを上記第１の２値化
手段にフィードバックすることで上記第１の２値化手段
のスライスレベルを変更する変更手段とを具備したこと
を特徴とする。

【００１７】

【作用】請求項１乃至請求項１０においマ−ク長記録方
式により情報が記録されている記録媒体（例えば、光デ
ィスク）の情報を同一信号で時間的に遅延し、かつ２つ
にわけて検出する情報検出手段としての光学ヘッドで検
出する。この情報検出手段は光ディスクのtan （タンジ
ェンシャル）方向に対して２分割されている。そして、
２分割された各領域からそれぞれ検出信号を出力してい
る。

【００１８】そして、情報検出手段で検出された検出信
号を第１の変換手段により再生信号に変換し、上記情報
検出手段で検出された検出信号を第２の変換手段により
微分信号に生成する。

【００１９】第１の２値化手段は、この第１の変換手段
で生成された再生信号をで所定のスライスレベルで２値
化して、２値化信号の正論理信号と負論理信号を出力す
る。さらに、第２の２値手段は、上記第２の変換手段か
らの微分信号を上記再生信号の立上がりエッジ部と、立
ち下がりエッジ部とにわけて、所定のスライスレベルで
２値化し、再生信号の立上がりエッジ部と、立ち下がり
エッジ部ともに正論理信号で出力する。

【００２０】そして、第１の２値化手段からの出力され
る正論理信号と、第２の２値化手段からの立上がりエッ
ジ部の正論理信号をアンド回路で論理演算をおこない再
生信号の立上がりエッジ部のエッジ検出信号を立上がり
エッジ検出手段により検出し、上記第１の２値化手段か
らの負論理信号と、上記第２の２値化手段からの立下が
りエッジ部の正論理信号をナンド回路で論理演算をおこ
ない再生信号の立ち下がりエッジ部のエッジ検出信号を
立ち下がりエッジ検出手段で検出する。

【００２１】そして、立上がり検出手段により検出され
た立上がりエッジ検出信号と、立ち下がり検出手段によ
り検出された立下がりエッジ検出信号とを、所定電圧を
基準として動作しているオペアンプで平滑化し、立上が
り検出手段により検出された立上がりエッジ検出信号
と、立ち下がり検出手段により検出された立下がりエッ
ジ検出信号に応じてスライスレベルを決定する決定手段
と、この決定手段により決定されたスライスレベルを第
１の２値化手段にフィードバックすることで上記第１の
２値化手段のスライスレベルを変更するようしている。

【００２２】

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。第１図は情報記録再生装置としての光ディ
スク装置の構成例である。第１図において、１は光ディ
スク装置に用いられる記録媒体としての光ディスクであ
る。この光ディスク１は、例えばガラスあるいはプラス
チックスなどで円形に形成された基板の表面に金属被膜
層がドーナツ形にコーティングされている。

【００２３】この光ディスク１上には、同心円状または
スパイラル状に情報を記録するためのトラックが形成さ
れており、このトラックは基準マークを「０」として、
「０〜２５５」の２５６セクタに位置付けられている。
この光ディスク１上には情報が記録されている一定長の
ブロックが複数用意されている。各ブロックは光ディス
ク１上の位置によって対応するセクタ数が異なってお
り、可変長の情報が複数のブロックにまたがって記録さ
れる。各ブロックの開始位置には、同期コードなどの固
定コード、ブロック番号、トラック番号などからなるブ
ロックヘッダ（ヘッダ情報：プリアンブル部）が記録さ
れている。上記ブロックヘッダは製造時にあらかじめ記
録されている。同期コードは、ビット周期より長くセク
タ周期より短い一定周期のもので、数ビットの同期パタ
ーンで構成されている。このブロックヘッダに続くエリ
ア（情報部）に情報が記録される。また、各ブロックが
セクタの切り換え位置に対応して終了していない場合、
ブロックギャップを設け、各ブロックが必ずセクタの切
り換え位置に対応した位置から始まる。

【００２４】固定コードとしては、ピットの幅と、ピッ
トとピットの間の長さとが、１対１の比率（デューティ
比５０％）のものが用いられている。また、その比率が
１対ｎ（ｎ＝２，３，・・）のものを用いるようにして
も良い。

【００２５】図１に示すように、光ディスク１はスピン
ドルモータ２に装着されている。このスピンドルモータ
２により、光ディスク１は所定の回転数で回転される。
光ディスク１の下面側には、情報の記録及び再生におい
て光ディスク１をアクセスするための光学ヘッド２０が
配設されている。

【００２６】この光学ヘッド２０は、半導体レーザ発振
器４、コリメータレンズ６、ビームスプリッタ７、対物
レンズ３、非点収差光学系８、光検出器９，１０および
レンズアクチュエータ３等により構成されている周知の
ものである。

【００２７】上記光検出器９、及び光検出器１０は、光
ディスク１上のトラックのタンジェンシャル方向（矢印
方向）に対して平行に配置されている。このようにする
ことにより、記録信号の読みとり時に光検出器９と光検
出器１０の出力に一定の時間差が生じるようになってい
る。

【００２８】この光学ヘッド２０は、例えばリニアモー
タなどによって構成される移動機構（図示しない）によ
り光ディスク１の半径方向に移動可能に配設されてい
る。光学ヘッド２０は制御回路（図示しない）からの指
示にしたがって記録あるいは再生の対象となる目標トラ
ックへ移動される。

【００２９】上記半導体レーザ発振器４はレーザドライ
バ５によって、光ディスク１にマーク長情報を記録する
際、記録すべき情報に応じてその光強度が変調されたレ
ーザ光を発生し、光ディスク１から情報を読み出して再
生する際、一定の光強度を有するレーザ光を発生する。

【００３０】上記光ヘッド２０内の光検出器９，１０か
ら出力される信号は、情報再生処理回路１９に出力され
る。この情報再生処理回路１９は、光学ヘッド２０から
供給される検出信号に応じて再生信号を出力する回路で
ある。この情報再生処理回路１９の詳細な構成について
は図２を参照して後述する。

【００３１】情報再生処理回路１９は、光学ヘッド２０
から供給される検出信号を電圧に変換する第１のＩ−Ｖ
変換回路１１、第２のＩ−Ｖ変換回路１２、加算回路１
３、差動回路１４、比較回路１−１５、比較回路２−１
６、スライスレベル制御回路１７、エッジ検出回路１８
によって構成されている。

【００３２】光学ヘッド２０の光検出器９，１０から出
力される信号は、第１のＩ−Ｖ変換回路１１，第２のＩ
−Ｖ変換回路１２にそれぞれ出力される。これらＩ−Ｖ
変換回路１１，１２は、光ヘッド２０から供給される検
出信号を電圧（アナログ信号）に変換する。これらの検
出信号をディスク上におけるレーザ光の集光スポット径
ｒの半径の長さだけ時間的に差を生じている。

【００３３】第１のＩ−Ｖ変換回路１１及び第２のＩ−
Ｖ変換回路１２から出力される電圧信号（アナログ信
号）は加算回路１３に出力される。この加算回路１３
は、第１のＩ−Ｖ変換回路１１と第２のＩ−Ｖ変換回路
１２から送られてきたアナログ信号を加算して、本来の
記録信号の大きさを再生する。

【００３４】また、第１のＩ−Ｖ変換回路１１と第２の
Ｉ−Ｖ変換回路１２から出力される電圧信号（アナログ
信号）は差動回路１４に出力される。この差動回路１４
は、第１のＩ−Ｖ変換回路１１と第２のＩ−Ｖ変換回路
１２から送られてきたアナログ信号の差をとって、記録
信号の微分信号を再生する。

【００３５】加算回路１３の出力は第１の比較回路１５
に出力される。この第１の比較回路１５は、加算回路１
３から送られてきた信号を、スライスレベル制御回路１
７から送られてきたスライスレベルコントロール信号と
比較して２値化を行なっている。この第１の比較回路１
５の出力が再生２値化信号（情報信号）になる。

【００３６】また、差動回路１４の出力は第２の比較回
路１６に出力される。この第２の比較回路は、差動回路
１４から送られてきた微分信号からエッジマスク信号を
作成する。

【００３７】エッジ検出回路１８は、第１の比較回路１
５で２値化された再生２値化信号（情報信号）と第２の
比較回路１６で作成されたエッジマスク信号との差をと
って、エッジの誤差信号を検出する、また、スライスレ
ベル制御回路１７は、エッジ検出回路１８で検出された
エッジの誤差信号からスライスレベルコントロール信号
を作成し、第１の比較回路１５へスライスレベルコント
ロール信号として送られる。

【００３８】次に、図２を参照して情報再生処理回路１
９の詳細な構成について説明する。図２において、光学
ヘッド１の内部にある第１の光検出器ＰＤＩと第２の光
検出器ＰＤＩは光ディスク上のタンジェンシャル方向に
並べて配置してあるフォトディテクタである。

【００３９】ディスク２が回転してディスク上の記録信
号が再生されると、図５に示すように、第１の光検出器
ＰＤ１の出力が第２の光検出器ＰＤ２の出力よりもディ
スク面上のレーザ集光スポット径の半径の長さだけ早く
出力される。

【００４０】第１のＩ−Ｖ変換回路１１は、オペアンプ
ＯＰ２と抵抗Ｒ３により、第２のＩ−Ｖ変換回路１２は
オペアンプＯＰ１と抵抗Ｒ１によって構成されており、
光学ヘッド１の検出信号の電流値と、抵抗Ｒ１，Ｒ２の
値により再生信号の出力電圧（アナログ信号）が決定さ
れる。

【００４１】加算回路３は、オペアンプＯＰ３と抵抗Ｒ
３，Ｒ４，Ｒ５によって構成されている。この抵抗Ｒ
３，Ｒ４によって加算されＲ３：Ｒ４の比率で加算の割
合が決定され、その増幅度はＲ３：Ｒ５およびＲ４：Ｒ
５によってきまる、これにより回転方向に対して時間差
をもって出力される第１の光検出器ＰＤ１と第２の光検
出器ＰＤ２の２つの出力を１つの信号に加算することで
正規の記録信号を再生し、かつ再生信号に必要な信号振
幅に増幅する。

【００４２】差動回路１４は、オペアンプＯＰ４と抵抗
Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９によって構成されている。そし
て、Ｒ６：Ｒ８＝Ｒ７：Ｒ９の比率により差動の割合が
決定される。また、増幅度はＲ６：Ｒ８およびＲ７：Ｒ
９により決定される。これにより回転方向に対して時間
差をもって出力される第１の光検出器ＰＤ１と第２の光
検出器ＰＤ２の２つの出力の、時間差によるずれ分を検
出、記録信号の微分信号として再生、増幅する。

【００４３】第１の比較回路１５はコンパレータＣＭＰ
１より構成される。そして、加算回路１３のオペアンプ
ＯＰ３で加算、増幅された再生信号（アナログ信号）
と、スライスレベル制御回路１７のオペアンプＯＰ５か
ら出力されたスライスレベルコントロール信号とを比較
して２値化を行い、その出力は反転信号と非反転信号の
２種類を出力する。

【００４４】第２の比較回路１６は、コンパレータＣＭ
Ｐ２，ＣＭＰ３により構成され、差動回路１４のオペア
ンプＯＰ４の微分出力信号を２つのコンパレータＣＭＰ
２，ＣＭＰ３に入力し、それぞれスライスレベル（ＳＬ
２，ＳＬ３）の電圧（Ｖｒｅｆ４，Ｖｒｅｆ５）と比較
することによって、再生生信号の立上がり、および立ち
下がり部のエッジマスク信号を作成する。

【００４５】エッジ検出回路１８は、アンド回路とナン
ド回路から構成されており、第１の比較回路１５の出力
信号（反転信号と非反転信号の２種類）と第２の比較回
路１６の出力信号（再生生信号の立上がり、および立ち
下がり部のエッジマスク信号）をそれぞれアンド回路と
ナンド回路のゲートを通すことにより、エッジ誤差信号
を検出する。

【００４６】スライスレベル制御回路１７は、オペアン
プＯＰ５とコンデンサＣ１、抵抗Ｒ１０、基準電圧（Ｖ
ｒｅｆ６）２．５Ｖ、およびダイオードＤ１，Ｄ２から
構成されている。そして、前述したエッジ検出回路１８
のエッジ誤差信号が、ダイオードＤ１，Ｄ２を通してス
ライスレベル制御回路１７のオペアンプＯＰ５に入力さ
れる。このエッジ誤差信号は再生信号の立上がり、およ
び立ち下がり部で互いに相殺し合う関係にあるために、
抵抗Ｒ１０とコンデンサＣ１によって平滑化されたあと
のオペアンプＯＰ５の出力は、基準電圧Ｖｒｅｆ６と同
じく２．５Ｖとなる。

【００４７】このスライスレベル制御回路１７は再生信
号の立上がり、および立ち下がり部のエッジ誤差信号を
平滑、平均化して基準電圧（Ｖｒｅｆ６）を基準とした
スライスレベルを出力するものであり、このスライスレ
ベルは第１の比較回路１５に出力される。

【００４８】次に、上記のように構成された本発明の一
実施例の動作について図３，図４の信号波形を参照しな
がら説明する。まず、最初にスライスレベルと再生生信
号の相対的な位置関係より適正な２値化信号が得られる
ような場合について説明する。

【００４９】図１の光学ヘッド２０からの検出信号によ
り得られた図３（ａ）に示す再生信号は図２の第１の比
較回路１５でスライスレベル制御回路１７からのスライ
スレベル（ＳＬ１：信号の情報として適正な位置にライ
スレベルが存在した場合）と比較されることにより図３
（ｂ）（ｃ）に示ように２値化信号１および２値化信号
２となる。ここで、図３（ｂ）はその２値化信号１は比
較回路出力の内非反転信号であり、図３（ｃ）の２値化
信号２は比較回路出力のうち反転信号である。

【００５０】そして、図２の差動回路１４の出力として
得られた図３（ｄ）に示す微分信号は、図２の比較回路
１６の２つのコンパレータＣＭＰ２，ＣＭＰ３でそれぞ
れスライスレベルＳＬ２，ＳＬ３の電圧Ｖｒｅｆ４，Ｖ
ｒｅｆ５と比較されることにより、図３（ｅ），（ｆ）
に示すエッジマスク信号１、およびエッジマスク信号２
が生成される。

【００５１】ここで、図３（ｅ）のエッジマスク信号１
は（ｂ）の２値化信号１における立上がりエッジ部をマ
スクし、図３（ｆ）のエッジマスク信号２は（ｂ）の２
値化信号１における立下がりエッジ部をマスクする。

【００５２】図２のエッジ検出回路１８において、図３
（ｂ）２値化信号１と図３（ｅ）エッジマスク信号１を
アンドゲートに通すと、図３（ｇ）のエッジ検出信号１
となる。また、図３（ｃ）２値化信号２と図３（ｆ）の
エッジマスク信号２をナンドゲートに通すと、図３
（ｈ）のエッジ検出信号２となる。

【００５３】ところで、図２のスライスレベル制御回路
１７において、オペアンプＯＰ５は基準電圧（Ｖｒｅｆ
６）が２．５Ｖであるために、イマジナリショートによ
って（ｍ）点は２．５Ｖになる。

【００５４】ここで、ダイオードＤ１を通してエッジ検
出信号１が入力され、ダイオードＤ２を通してエッジ検
出信号２が入力されると、オペアンプＯＰ５の入力抵抗
Ｒ１０の手前（ｋ）点ではその信号波形が、図３（ｉ）
スライスコントロール信号のごとく２．５Ｖを中心にエ
ッジ検出信号が上下に現れる。この信号は図２のスライ
スレベル制御回路１７の入力抵抗Ｒ１０、およびコンデ
ンサＣ１によって平滑化されて２値化のスライスレベル
信号となる。

【００５５】ここで、図３（ａ）の再生信号とスライス
レベルの位置関係は適正な２値化信号が得られるような
状態であるために、図３（ｇ）のエッジ検出信号１と図
３（ｈ）のエッジ検出信号２は、そのパルス幅がほぼ同
じとなって、平滑化後のスライスレベルＳＬ１は変動し
ない。

【００５６】このように、図３（ａ）の再生信号とスラ
イスレベルの位置関係が適正な２値化信号が得られるよ
うな状態であるために、スライスレベル制御回路１７か
ら出力されるスライスレベルＳＬ１は変動しない。

【００５７】次に、スライスレベルＳＬ１と再生信号の
相対的な位置関係により非適正な２値化信号が得られる
ような場合の動作について図４を参照して説明する。図
１の光学ヘッド２０からの検出信号により得られた図４
（ａ）に示す再生信号は図２の第１の比較回路１５でス
ライスレベル制御回路１７からのスライスレベル（ＳＬ
１：信号の情報として適正な位置にスライスレベルが存
在した場合、ＳＬ４、ＳＬ５：信号の情報として非適正
な位置にスライスレベルが存在した場合）と比較される
ことにより図４（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す２値化信
号１、２値化信号２、および２値化信号３となる。図４
（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す２値化信号には、それぞ
れ反転信号が同じ様に存在し（図示しない）再生信号の
立ち下がりエッジ部の検出を行う。

【００５８】また、図２の差動回路４の出力として得ら
れた第４図（ｅ）に示す微分信号は、図２の第２の比較
回路１６内の２つのコンパレータＣＭＰ２，ＣＭＰ３で
それぞれスライスレベルＳＬ２、ＳＬ３の電圧Ｖｒｅｆ
４、Ｖｒｅｆ５と比較されることにより、図４（ｆ）
（ｇ）に示すエッジマスク信号１、およびエッジマスク
信号２となる。

【００５９】図４（ｆ）のエッジマスク信号１は（ｂ）
（ｃ）（ｄ）に示す２値化信号１、２値化信号２、およ
び２値化信号３における立下がりエッジ部をマスクし、
（ｇ）のエッジマスク信号２は（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示
す２値化信号１、２値化信号２、および２値化信号３に
おける立下がりエッジ部をマスクする。

【００６０】ここで、図４（ａ）の再生信号において、
スライスレベルが非適正な位置としてＳＬ４であった場
合、図４（ｃ）の２値化信号２のように再生２値化信号
のパルス幅が広くなるため、図２のエッジ検出回路１８
のアンド回路の出力は図４の（ｈ）エッジ検出信号１の
ように、そのパルス幅が比較的に広くなる。

【００６１】逆に、図２のエッジ検出回路７のナンド回
路の出力は図４（ｇ）エッジ検出信号２のように、その
パルス幅が比較的に狭くなる。従って、図２のスライス
レベル制御回路１７に入力されるスライスコントロール
信号は、図４（ｊ）のスライスコントロール信号１のよ
うになって、平滑化された後のスライスレベルは２．５
Ｖよりも大きくなる。このため、結果的に図４（ａ）に
示した再生信号のスライスレベルＳＬ４が、ＳＬ１へと
移行してゆき常に適正な位置を保つように動作する。

【００６２】一方、図４（ａ）の再生信号において、ス
ライスレベルが非適正な位置としてＳＬ５であった場
合、図４（ｄ）の２値化信号３のように再生２値化信号
のパルス幅が狭くなるため、図２のエッジ検出回路１８
のアンド回路の出力は図４（ｈ）エッジ検出信号１とは
逆に、そのパルス幅が比較的に狭くなる（図示しな
い）。

【００６３】また、図２のエッジ検出回路１８のナンド
回路の出力は図４（ｉ）エッジ検出信号２の信号とは逆
に、そのパルス幅が比較的に広くなる（図示しない）。
従って、図２のスライスレベル制御回路１７に入力され
るスライスコントロール信号は、図４（ｋ）のスライス
コントロール信号２のようになって、平滑化された後の
スライスレベルは２．５Ｖよりも小さくなり、結果的に
図４の（ａ）再生生信号のスライスレベルＳＬ５が、Ｓ
Ｌ１へと移行してゆき常に適正な位置を保つように動作
する。

【００６４】このように、スライスレベルが適正なレベ
ルから低い側（例えばＳＬ４）にずれた場合でも、高い
側（例えば、ＳＬ５）にずれた場合でも、スライスレベ
ル制御回路１７から出力されるスライスコントロ−ル信
号が、その変化を打ち消すように変化するので、スライ
スレベルが適正なレベルから変化した場合でも、それを
打ち消すことができる。

【００６５】従って、マーク長記録により情報が記録さ
れている情報部を有する記録媒体において、情報部の記
録情報としてのピットの幅と、ピットとピットとの間の
長さの正確な検出ができ、バーストエラーなどをきっか
けとする誤再生による大規模な伝搬エラーの発生を抑え
ることができ、ディスクの内周外周の違い、あるいは回
転数の違いなどによる周波数の変動を問わず、ジッタ成
分が常に安定し、かつ高価な専用のＩＣを使うことな
く、低コストで信頼性を高くすることができる。

【００６６】なお、上記実施例では光ディスクのtan
（タンジェンシャル方向）に対して２分割して、２つの
光検出器ＰＤ１，ＰＤ２で検出するようにしたが、さら
に、この光検出器ＰＤ１，ＰＤ２を光ディスクのtan
（タンジェンシャル方向）に対して２分割して、４つの
光検出器で光を検出するようにしても良い。

【００６７】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
マーク長記録により情報が記録されている情報部を有す
る記録媒体において、ディスクの内周外周の違い、ある
いは回転数の違いなどによる周波数の変動を問わず、ジ
ッタ成分が常に安定し、かつ高価な専用のＩＣを使うこ
となく、低コストで信頼性が高い情報記録再生装置を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係わる光ディスク装置の構
成を示すブロック図である。

【図２】図１の情報再生処理回路の構成を詳細に示す回
路図。

【図３】図２の情報再生処理回路の通常動作を信号波形
で示したタイムチャート。

【図４】図２の情報再生処理回路の補正動作を信号波形
で示したタイムチャート。

【符号の説明】

１…光ディスク、９…光検出器、１１…第１のＩ−Ｖ変
換回路、１２…第２のＩ−Ｖ変換回路、１３…加算回
路、１４…差動回路、１５…第１の比較回路、１６…第
２の比較回路、１７…スライスレベル制御回路、１８…
エッジ検出回路、１９…情報再生処理回路、２０…光学
ヘッド。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録媒体上に記録された情報を検出する
   情報検出手段と、 この検出手段で検出された検出信号に基づいて再生信号
   を生成する第１の変換手段と、 上記情報検出手段で検出された検出信号に基づいて微分
   信号を生成する第２の変換手段と、 上記第１の変換手段で生成された上記再生信号を所定の
   スライスレベルで２値化する第１の２値化手段と、 上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を所定の
   スライスレベルで２値化する第２の２値化手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とを所定の論理演算
   を行うことにより上記再生信号のエッジを検出するエッ
   ジ検出手段と、 このエッジ検出手段により検出されたエッジ検出信号に
   応じてスライスレベルを決定するスライスレベル決定手
   段と、 このスライスレベル決定手段により決定されたスライス
   レベルに応じて上記第１の２値化手段のスライスレベル
   を変更する変更手段とを具備したことを特徴とする情報
   記録再生装置。
2. 【請求項２】 記録媒体上に記録された情報を検出する
   情報検出手段と、 この検出手段で検出された検出信号に基づいて再生信号
   を生成する第１の変換手段と、 上記情報検出手段で検出された検出信号に基づいて微分
   信号を生成する第２の変換手段と、 上記第１の変換手段で生成された上記再生信号を所定の
   スライスレベルで２値化する第１の２値化手段と、 上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を上記再
   生信号の立上がりと立下がりで所定のスライスレベルで
   ２値化する第２の２値化手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とを所定の論理演算
   を行うことにより上記再生信号のエッジを検出するエッ
   ジ検出手段と、 このエッジ検出手段により検出されたエッジ検出信号に
   応じてスライスレベルを決定するスライスレベル決定手
   段と、 このスライスレベル決定手段により決定されたスライス
   レベルに応じて上記第１の２値化手段のスライスレベル
   を変更する変更手段とを具備したことを特徴とする情報
   記録再生装置。
3. 【請求項３】 記録媒体上の情報を同一信号で時間的に
   遅延し、かつ２つにわけて検出する情報検出手段と、 この情報検出手段で検出された検出信号を再生信号に生
   成する第１の変換手段と、 上記情報検出手段で検出された検出信号に基づいて微分
   信号に生成する第２の変換手段と、 この第１の変換手段で生成された再生信号を所定のスラ
   イスレベルで２値化して、２値化信号の正論理信号と負
   論理信号を出力する第１の２値化手段と、 上記第２の変換手段からの微分信号を上記再生信号の立
   上がりエッジ部と、立ち下がりエッジ部とにわけて、所
   定のスライスレベルで２値化し、再生信号の立上がりエ
   ッジ部と、立ち下がりエッジ部ともに正論理信号で出力
   する第２の２値化手段と、 上記第１の２値化手段からの出力される正論理信号と、
   上記第２の２値化手段からの立上がりエッジ部の正論理
   信号をアンド回路で論理演算をおこない再生信号の立上
   がりエッジ部のエッジ検出信号を検出する立上がりエッ
   ジ検出手段と、 上記第１の２値化手段からの負論理信号と、上記第２の
   ２値化手段からの立下がりエッジ部の正論理信号をナン
   ド回路で論理演算をおこない再生信号の立ち下がりエッ
   ジ部のエッジ検出信号を検出する立ち下がりエッジ検出
   手段と、 上記立上がり検出手段により検出された立上がりエッジ
   検出信号と、上記立ち下がり検出手段により検出された
   立下がりエッジ検出信号とを、所定電圧を基準として動
   作しているオペアンプで平滑化し、上記立上がり検出手
   段により検出された立上がりエッジ検出信号と、上記立
   ち下がり検出手段により検出された立下がりエッジ検出
   信号に応じてスライスレベルを決定する決定手段と、 この決定手段により決定されたスライスレベルを上記第
   １の２値化手段にフィードバックすることで上記第１の
   ２値化手段のスライスレベルを変更する変更手段とを具
   備したことを特徴とする情報記録再生装置。
4. 【請求項４】 記録媒体上の情報を検出する情報検出手
   段と、 この情報検出手段で検出された検出信号を再生信号に生
   成する第１の変換手段と、 上記情報検出手段で検出された検出信号に基づいて微分
   信号に生成する第２の変換手段と、 この第１の変換手段で生成された再生信号を所定のスラ
   イスレベルで２値化して、２値化信号の正論理信号と負
   論理信号を出力する第１の２値化手段と、 上記第２の変換手段からの微分信号を上記再生信号の立
   上がりエッジ部と、立ち下がりエッジ部とにわけて、所
   定のスライスレベルで２値化し、再生信号の立上がりエ
   ッジ部と、立ち下がりエッジ部ともに正論理信号で出力
   する第２の２値化手段と、 上記第１の２値化手段からの出力される正論理信号と、
   上記第２の２値化手段からの立上がりエッジ部の正論理
   信号をアンド回路で論理演算をおこない再生信号の立上
   がりエッジ部のエッジ検出信号を検出する立上がりエッ
   ジ検出手段と、 上記第１の２値化手段からの負論理信号と、上記第２の
   ２値化手段からの立下がりエッジ部の正論理信号をナン
   ド回路で論理演算をおこない再生信号の立ち下がりエッ
   ジ部のエッジ検出信号を検出する立ち下がりエッジ検出
   手段と、 上記立上がり検出手段により検出された立上がりエッジ
   検出信号と、上記立ち下がり検出手段により検出された
   立下がりエッジ検出信号とを、所定電圧を基準として動
   作しているオペアンプで平滑化し、上記立上がり検出手
   段により検出された立上がりエッジ検出信号と、上記立
   ち下がり検出手段により検出された立下がりエッジ検出
   信号に応じてスライスレベルを決定する決定手段と、 この決定手段により決定されたスライスレベルを上記第
   １の２値化手段にフィードバックすることで上記第１の
   ２値化手段のスライスレベルを変更する変更手段とを具
   備したことを特徴とする情報記録再生装置。
5. 【請求項５】 記録媒体上に記録された情報を検出する
   情報検出手段と、 この検出手段で検出された検出信号に基づいて再生信号
   を生成する第１の変換手段と、 上記情報検出手段で検出された検出信号に基づいて微分
   信号を生成する第２の変換手段と、 上記第１の変換手段で生成された上記再生信号を所定の
   スライスレベルで２値化する第１の２値化手段と、 上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を所定の
   スライスレベルで２値化する第２の２値化手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とを所定の論理演算
   を行うことにより上記再生信号の立上がりエッジ部のエ
   ッジ検出信号を検出する立上がりエッジ検出手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とを所定の論理演算
   を行うことにより上記再生信号の立下がりエッジ部のエ
   ッジ検出信号を検出する立上がりエッジ検出手段と、 上記立上がりエッジ検出手段及び上記エッジ検出手段に
   より検出された立上がりエッジ検出信号及び立下がりエ
   ッジ検出信号に応じてスライスレベルを決定するスライ
   スレベル決定手段と、 このスライスレベル決定手段により決定されたスライス
   レベルに応じて上記第１の２値化手段のスライスレベル
   を変更する変更手段とを具備したことを特徴とする情報
   記録再生装置。
6. 【請求項６】 記録媒体上に記録された情報を検出する
   情報検出手段と、 この検出手段で検出された検出信号に基づいて再生信号
   を生成する第１の変換手段と、 上記情報検出手段で検出された検出信号に基づいて微分
   信号を生成する第２の変換手段と、 上記第１の変換手段で生成された上記再生信号を所定の
   スライスレベルで２値化する第１の２値化手段と、 上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を所定の
   スライスレベルで２値化する第２の２値化手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とをアンド回路で論
   理演算を行うことにより上記再生信号の立上がりエッジ
   部のエッジ検出信号を検出する立上がりエッジ検出手段
   と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とをナンド回路で論
   理演算を行うことにより上記再生信号の立下がりエッジ
   部のエッジ検出信号を検出するエッジ検出手段と、 上記立上がりエッジ検出手段及び上記エッジ検出手段に
   より検出された立上がりエッジ検出信号及び立下がりエ
   ッジ検出信号に応じてスライスレベルを決定するスライ
   スレベル決定手段と、 このスライスレベル決定手段により決定されたスライス
   レベルに応じて上記第１の２値化手段のスライスレベル
   を変更する変更手段とを具備したことを特徴とする情報
   記録再生装置。
7. 【請求項７】 記録媒体上に記録された情報を検出する
   情報検出手段と、 この検出手段で検出された検出信号に基づいて再生信号
   を生成する第１の変換手段と、 上記情報検出手段で検出された検出信号に基づいて微分
   信号を生成する第２の変換手段と、 上記第１の変換手段で生成された上記再生信号を所定の
   スライスレベルで２値化する第１の２値化手段と、 上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を上記再
   生信号の立上がりと立下がりで所定のスライスレベルで
   ２値化する第２の２値化手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とを所定の論理演算
   を行うことにより上記再生信号の立上がりエッジ部の立
   上がりエッジ検出信号を検出する立上がりエッジ検出手
   段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とを所定の論理演算
   を行うことにより上記再生信号の立下がりエッジ部の立
   下がりエッジ検出信号を検出する立下がりエッジ検出手
   段と、 上記立上がりエッジ検出手段及び上記立下がりエッジ検
   出手段により検出された立上がりエッジ検出信号及び上
   記立下がりエッジ検出信号に応じてスライスレベルを決
   定するスライスレベル決定手段と、 このスライスレベル決定手段により決定されたスライス
   レベルに応じて上記第１の２値化手段のスライスレベル
   を変更する変更手段とを具備したことを特徴とする情報
   記録再生装置。
8. 【請求項８】 記録媒体上に記録された情報を検出する
   情報検出手段と、 この検出手段で検出された検出信号に基づいて再生信号
   を生成する第１の変換手段と、 上記情報検出手段で検出された検出信号に基づいて微分
   信号を生成する第２の変換手段と、 上記第１の変換手段で生成された上記再生信号を所定の
   スライスレベルで２値化する第１の２値化手段と、 上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を上記再
   生信号の立上がりと立下がりで所定のスライスレベルで
   ２値化する第２の２値化手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とをアンド回路で論
   理演算を行うことにより上記再生信号の立上がりエッジ
   部の立上がりエッジ検出信号を検出する立上がりエッジ
   検出手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とをナンド回路で論
   理演算を行うことにより上記再生信号の立下がりエッジ
   部の立下がりエッジ検出信号を検出する立下がりエッジ
   検出手段と、 上記立上がりエッジ検出手段及び上記立下がりエッジ検
   出手段により検出された立上がりエッジ検出手段及び上
   記立下がりエッジ検出信号に応じてスライスレベルを決
   定するスライスレベル決定手段と、 このスライスレベル決定手段により決定されたスライス
   レベルに応じて上記第１の２値化手段のスライスレベル
   を変更する変更手段とを具備したことを特徴とする情報
   記録再生装置。
9. 【請求項９】 記録媒体上に記録された情報を同一信号
   で時間的に遅延し、かつ２つにわけて検出する情報検出
   手段と、 この情報検出手段で検出された検出信号に基づいて再生
   信号を生成する第１の変換手段と、 上記情報検出手段で検出された検出信号に基づいて微分
   信号を生成する第２の変換手段と、 上記第１の変換手段で生成された上記再生信号を所定の
   スライスレベルで２値化して、２値化信号の正論理信号
   と負論理信号を出力する第１の２値化手段と、 上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を上記再
   生信号の立上がりと立ち下がりで所定のスライスレベル
   で２値化する第２の２値化手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とをアンド回路で論
   理演算を行うことにより上記再生信号の立上がりエッジ
   部の立上がりエッジ検出信号を検出する立上がりエッジ
   検出手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
   の２値化手段で得られた２値化信号とをナンド回路で論
   理演算を行うことにより上記再生信号の立下がりエッジ
   部の立下がりエッジ検出信号を検出する立下がりエッジ
   検出手段と、 上記立上がりエッジ検出手段及び上記立下がりエッジ検
   出手段により検出された立上がりエッジ検出信号及び上
   記立下がりエッジ検出信号に応じてスライスレベルを決
   定するスライスレベル決定手段と、 このスライスレベル決定手段により決定されたスライス
   レベルに応じて上記第１の２値化手段のスライスレベル
   を変更する変更手段とを具備したことを特徴とする情報
   記録再生装置。
10. 【請求項１０】 記録媒体上の情報を同一信号で時間的
    に遅延し、かつ２つにわけて検出する情報検出手段と、 この情報検出手段で検出された検出信号を再生信号に生
    成する第１の変換手段と、 上記情報検出手段で検出された検出信号に基づいて微分
    信号に生成する第２の変換手段と、 上記第１の変換手段で生成された上記再生信号を所定の
    スライスレベルで２値化する第１の２値化手段と、 上記第２の変換手段で生成された上記微分信号を上記再
    生信号の立上がりと立ち下がりで所定のスライスレベル
    で２値化する第２の２値化手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
    の２値化手段で得られた２値化信号とをアンド回路で論
    理演算を行うことにより上記再生信号の立上がりエッジ
    部の立上がりエッジ検出信号を検出する立上がりエッジ
    検出手段と、 上記第１の２値化手段で得られた２値化信号と上記第２
    の２値化手段で得られた２値化信号とをナンド回路で論
    理演算を行うことにより上記再生信号の立下がりエッジ
    部の立下がりエッジ検出信号を検出する立下がりエッジ
    検出手段と、 上記立上がり検出手段により検出された立上がりエッジ
    検出信号と、上記立ち下がり検出手段により検出された
    立下がりエッジ検出信号とを、所定電圧を基準として動
    作しているオペアンプで平滑化し、上記立上がり検出手
    段により検出された立上がりエッジ検出信号と、上記立
    ち下がり検出手段により検出された立下がりエッジ検出
    信号に応じてスライスレベルを決定する決定手段と、 この決定手段により決定されたスライスレベルを上記第
    １の２値化手段にフィードバックすることで上記第１の
    ２値化手段のスライスレベルを変更する変更手段とを具
    備したことを特徴とする情報記録再生装置。