JPH09167780A - ベアチップ封止方法およびベアチップ封止基板 - Google Patents

ベアチップ封止方法およびベアチップ封止基板

Info

Publication number
JPH09167780A
JPH09167780A JP32599095A JP32599095A JPH09167780A JP H09167780 A JPH09167780 A JP H09167780A JP 32599095 A JP32599095 A JP 32599095A JP 32599095 A JP32599095 A JP 32599095A JP H09167780 A JPH09167780 A JP H09167780A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
bare chip
substrate
pedestal
sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP32599095A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3572764B2 (ja
Inventor
Yukihiro Maeda
幸宏 前田
Toshio Suzuki
俊夫 鈴木
Yoshiharu Harada
嘉治 原田
Hiroyuki Yamakawa
裕之 山川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP32599095A priority Critical patent/JP3572764B2/ja
Publication of JPH09167780A publication Critical patent/JPH09167780A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3572764B2 publication Critical patent/JP3572764B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安価かつ簡便でありながら、ベアチップを覆
う封止樹脂の外形を所望の形状に形成することが可能な
ベアチップ封止方法を提供すること。併せて、同封止方
法を用いて安価かつ簡便に製造することが可能でありな
がら、所望の外形が得られるベアチップ封止基板を提供
すること。 【解決手段】 基板5の表面51上に接合されている
半導体ベアチップ3を樹脂2で封止する方法で、台座1
の上面11に流動性のある樹脂2を注入して乗せる樹脂
注入工程(a)と、台座上面11と基板表面51とを互
いに対向させて近づけ、ベアチップ3を樹脂2に挿入す
るとともに、ベアチップ3周辺の基板表面51を樹脂2
に接触させて、ベアチップ3を樹脂2で覆う樹脂被覆工
程(b)と、ベアチップ3を硬化した樹脂2で封止する
樹脂固化工程(c)とを有する。封止樹脂2の頂面21
は、台座上面11に対応する形状に形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも一つの
半導体ベアチップを基板上に封止する半導体実装技術の
技術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】半導体ベアチップを基板上に封止する技
術には、大きく分けてポッティングとプリンティングと
モールディングとの三つの技術が従来からある。ポッテ
ィングは、図13に示すように、基板5上に固定されて
いるベアチップ3の上から熱硬化性樹脂2をディスペン
サーDなどで注ぎ、ベアチップ3を覆う樹脂2の固まり
を形成する封止技術である。この封止技術によれば、型
等を使用することなく、極めて安価に樹脂によるベアチ
ップ封止ができるという利点がある。しかしながら同技
術では、所望の形状に樹脂2を固めることができず、粘
度の微妙な違いなどのせいで樹脂2が覆う基板5上の範
囲を精密に制御することが難しいという難点があった。
【0003】プリンティングは、図14に示すように、
印刷マスクPの開口部をベアチップ3に被せ、高粘度の
樹脂2を注入した上で同開口部から溢れた樹脂2’を印
刷スキージSで掻き取る封止技術である。同技術によれ
ば、比較的容易に所望の平面形状の封止樹脂2を持つ実
装構造を形成することが可能である。しかしながら同技
術では、印刷性を向上させるために粘度の高い樹脂を使
用する必要があり、ボンディングワイヤ4の間などの狭
い部分への充填が不十分になりがちであるという不安要
因を抱えている。
【0004】モールディング(トランスファー・モール
ディング)は、通常金属製の一対の鋳型でベアチップ3
を載せた基板5を表裏両面から包み、高温の熱硬化性樹
脂2を高圧で注入して固める封止技術である。この封止
技術によれば、封止樹脂2の出来上がり形状が型の形状
によって定まるので、精密に外形を形成することが可能
である。しかしながら、同技術は精度の高い鋳型を必要
とするので、鋳型の製造に費用や時間がかかり、コスト
面で少量生産には向かない。
【0005】なお、ポッティングについては上記難点を
解消する目的で、図15に示すようにベアチップを保形
部材Kで覆い、その中央部の注入孔Hから低粘度の封止
材2を注入して固化させたのち、保形部材Kを取り去る
ベアチップ封止方法が、特開平3−257938号公報
に開示されている。しかしながら、同公報の実施例で
は、気泡が排出されやすいように、保形部材Kの内面が
略漏斗状に曲面で形成されている。さらに、保形部材K
の注入孔Hに相当するバリ等の不整形部分が、封止樹脂
2の中央部に残ってしまう。それゆえ、同公報の技術に
よっては、必ずしも所望の表面形状に外形が形成されて
いるベアチップ封止構造を製造できるとは限らない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記各従来
技術の持つ不都合に鑑み、安価かつ簡便でありながら、
ベアチップを覆う樹脂(封止樹脂)の外形を所望の形状
に形成することが可能なベアチップ封止方法を提供する
ことを解決すべき課題としている。ここで、封止樹脂の
所望の外形とは、例えば頂面が平面ないし略平面である
ことなどを指す。本発明は併せて、上記封止方法を用い
て安価かつ簡便に製造することが可能でありながら、所
望の外形が得られるベアチップ封止基板(基板に接合さ
れているベアチップが樹脂で封止されている基板)を提
供することをも課題としている。
【0007】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記課題を解決するために、発明者らは以下の手段を発明
した。 (製造方法としてのベアチップ封止方法)本発明の第1
手段は、請求項1記載のベアチップ封止方法である。本
手段では、樹脂注入工程で、所定の表面形状(例えば平
面とか凹面とか)が形成されている台座の上面に樹脂が
適正な量だけ注入され、続く樹脂被覆工程で、基板に接
合されているベアチップが台座の上面に注入されている
樹脂に浸される。樹脂には流動性があるので、ベアチッ
プと基板表面の配線とを接続するボンディング・ワイヤ
やボール等の細部にも行き渡るとともに、ベアチップの
周囲の基板の表面部分にも接触し、ベアチップを覆い尽
くして封止する。その後、樹脂硬化工程で、樹脂はベア
チップを封止したまま硬化し、基板上にベアチップを気
密水密に封止した封止樹脂を形成する。この際、封止樹
脂の表面形状のうち少なくとも頂面の形状は、台座の上
面の形状と嵌合する形状に形成されている。
【0008】本手段では、精密な金型などを必要とせ
ず、樹脂を受ける台座や台座に樹脂を注入するディスペ
ンサーなどの簡便な設備で済むので、設備投資やその運
用費などのコストが極めて少ない。したがって、本手段
によれば、安価かつ簡便でありながら、半導体ベアチッ
プを基板上に封止する封止樹脂の表面形状を、台座の上
面の形状の設定により所定の形状に形成することができ
るという効果がある。
【0009】本発明の第2手段は、請求項2記載のベア
チップ封止方法である。本手段では、台座の上面の少な
くとも一部は略平面であるから、同一部に対応して形成
されるベアチップを封止する樹脂の頂面も、略平面で形
成される。ベアチップを封止している樹脂の頂面が略平
面ないし平面であれば、スタンプ等による印字や、真空
チャックによる取扱いに好都合であり、さらに超音波探
傷による非破壊検査にも好都合である。その結果、下流
工程での生産ラインの自動化や、樹脂の剥離やボイドな
どの不良品の発見率の向上などの効果があり好ましい。
【0010】したがって、本手段によれば、ベアチップ
を封止している樹脂の頂面を、略平面ないし平面に形成
することができるという効果がある。本発明の第3手段
は、請求項3記載のベアチップ封止方法である。本手段
では、台座の上面に形成された凹部に樹脂が注入される
ので、凹部は樹脂の容器として作用し、樹脂注入工程で
凹部の周囲に樹脂が流出することがない。続く樹脂被覆
工程および樹脂硬化工程でも、基板はベアチップの周囲
の限定された表面部分だけが樹脂に接触し、不用意に樹
脂が周囲に広がって周囲の回路や回路要素などを汚すこ
とがない。また、ベアチップを封止する樹脂(封止樹
脂)の頂面ばかりではなく、側面も台座の凹部の形状に
嵌合して形成されるので、所定の形状に形成することが
可能になる。
【0011】したがって、本手段によれば、封止樹脂の
範囲を限定することができるとともに、封止樹脂の表面
形状を所定の形状に形成することができるという効果が
ある。本発明の第4手段は、請求項4記載のベアチップ
封止方法である。本手段では、樹脂注入工程で台座の凹
部に樹脂が過剰に注入されたなどして、樹脂被覆工程で
樹脂が台座の凹部を溢れ出た場合に、溢れた樹脂は凹部
を囲む溝に流入するので、溝を越えて樹脂が溢れ出るこ
とがない。
【0012】したがって、本手段によれば、樹脂被覆工
程で樹脂が凹部を溢れ出た場合にもその範囲は溝によっ
て限定され、周囲の回路や回路要素を樹脂で汚すことが
ないという効果がある。本発明の第5手段は、請求項5
記載のベアチップ封止方法である。本手段では、あたか
も活字を活版の所定位置に配置するように、複数個の台
座は保持手段により(基板上の各ベアチップ配置に対応
する)所定位置に配設保持される。それゆえ、樹脂注入
工程では一度に複数個の台座全部に樹脂が注入され、樹
脂被覆工程および樹脂硬化工程では、一度に全ての台座
に対応するベアチップが樹脂により封止される。
【0013】したがって、本手段によれば、複数個の樹
脂を別個の封止樹脂によって一度に封止することができ
るので、複数個のベアチップが接合されている基板の封
止を極めて安価かつ短時間にできるという効果がある。
本発明の第6手段は、請求項6記載のベアチップ封止方
法である。本手段では、台座を封止樹脂のカバーに取ら
れることはなく、台座を封止樹脂から剥がしてしまうの
で、台座の再利用が可能である。
【0014】したがって、本手段によれば、台座の再利
用によりコストダウンになるという効果がある。本発明
の第7手段は、請求項7記載のベアチップ封止方法であ
る。本手段では、樹脂硬化工程の後に台座を封止樹脂か
ら剥がすことないので、封止樹脂と基板表面との間に引
張応力や剪断応力が働くことがなく、封止樹脂の剥離不
具合の発生が防止されている。さらに、台座を封止樹脂
に接着したまま残しておくので、台座が封止樹脂表面を
覆うカバーの役目を果たし、周囲の環境(水分や電磁
波)から封止されたベアチップおよび封止樹脂を守る作
用を生じる。
【0015】したがって、本手段によれば、封止樹脂の
信頼性が増し、さらに封止されているベアチップの耐環
境性も向上するという効果がある。 (製品としてのベアチップ封止基板)本発明の第8手段
は、請求項8記載のベアチップ封止基板(表面上に接合
されているベアチップが樹脂により封止されている基
板)である。
【0016】本手段では、基板に接合されているベアチ
ップを樹脂が覆って封止しているばかりではなく、樹脂
の表面もまたカバー容器によって覆われている。つま
り、ベアチップは、カバー容器と封止樹脂とにより二重
の保護を受けており、ベアチップの耐環境性は樹脂のみ
による封止に比較して向上している。したがって、本手
段によれば、安価かつ簡便な構成でありながら、封止さ
れるベアチップの耐環境性がいっそう向上するという効
果がある。
【0017】本発明の第9手段は、請求項9記載のベア
チップ封止基板である。本手段では、金属製(したがっ
て導電性)のカバー容器は、製造が容易で安価であるば
かりでなく、電磁波を通さないので内部に封止されてい
るベアチップの耐電波環境性が向上する。また、熱伝導
性にも優れるので内部のベアチップの廃熱が容易とな
る。カバー容器が放熱フィンを有すれば、放熱作用はい
っそう有効である。さらに、カバー容器の材料が軟磁性
の金属であれば、変動する磁場中などにおける耐磁場環
境性も大幅に向上する。
【0018】したがって、本手段によれば、電磁環境等
に極めて強いベアチップ封止基板を提供することができ
るという効果がある。本発明の第10手段は、請求項1
0記載のベアチップ封止基板である。本手段では、カバ
ー容器がメッシュ材で形成されているので、樹脂がカバ
ー容器に浸透しやすい。それゆえ、ベアチップを封止し
ている封止樹脂の表面にカバー容器はしっかりと接合し
ており、容易に剥離して離脱することはない。
【0019】したがって、本手段によれば、カバー容器
がより強固に封止樹脂の表面に接着されるので、カバー
容器の離脱による故障などの不具合が防止されるという
効果がある。
【0020】
〔実施例1〕
(実施例1のベアチップ封止方法)本発明の実施例1と
してのベアチップ封止方法は、図1(a)〜(d)に示
すように、樹脂注入工程、樹脂被覆工程、樹脂硬化工程
および台座剥離工程から順に構成されている。
【0021】樹脂注入工程では、図1(a)に示すよう
に、台座1の上面11にディスペンサーDにより適量の
流動性のある樹脂2が滴下注入される。台座1はテフロ
ン製の板であり、台座1の上面11は平面であって、上
面11が水平になるよう台座1は(図示しない支持台な
どで)支持されている。樹脂2は、エポキシ系の樹脂を
主成分とする硬化前で低粘度の熱硬化性樹脂であって、
適正な温度に保たれており、適度の粘性および表面張力
を有する。
【0022】樹脂被覆工程では、図1(b)〜(c)に
示すように、表面51に半導体ベアチップ3が接合さ
れ、金ワイヤ4によるワイヤボンディング(電気接続)
が施されている基板5が、樹脂2に接近して接触する。
すなわち、基板5はその表面51を下にして台座1の上
面11上の樹脂2に接近し、接触して樹脂2の中にベア
チップ3およびワイヤ4を浸漬する。
【0023】その際、基板5をやや斜めに傾けて、基板
表面11が樹脂2に順次接触していくようにすると良
い。こうすれば、樹脂2中や、樹脂2とベアチップ3・
ワイヤ4・基板5との間に形成される界面に、気泡(ボ
イド)を残すことが防止されるので、より良好な封止状
態が期待できるようになる。こうして、図1(c)に示
すように、基板表面51が台座表面11と平行で適正な
距離に保たれ、ベアチップ3が樹脂2の占める領域の中
央部に位置する所定の位置および姿勢に基板5を保ちつ
つ、樹脂硬化工程に入る。台座表面11と基板表面51
との距離は、少なくともワイヤ4が台座表面11に接触
しない程度はあることが望ましい。樹脂硬化工程では、
前述の状態を保ちながら、適正な温度に管理されて所定
時間を過ごし、樹脂2を硬化させてベアチップ3および
ワイヤ4とその周辺部分とを封止する。(その際、図1
(c)とは天地(上下)を逆転させておいてもよい。す
ると、樹脂2と基板5との接触面積が増え、ワイヤ4の
基板5との接続部での封止状態が改善される。)その結
果、ベアチップ3およびワイヤ4とその周辺部分とは、
周囲の環境(水分、酸素、塵埃、導体の接触、その他)
から固化した封止樹脂2により保護されるにいたる。
【0024】樹脂硬化工程を終了したのち、台座剥離工
程に入る。本工程では、図1(d)に示すように、台座
1は封止樹脂2から剥がされ、基板5上のベアチップ3
の樹脂2による封止は完了する。台座1から剥がされた
樹脂2の頂面21は、台座表面11に対応して平面に形
成されているので、真空チャックによる取扱い・スタン
プによる印字・超音波探傷などに都合がよい。なお、封
止樹脂2の側面22は、基板5の濡れ性と台座1の濡れ
性とにより変化するが、概ねなだらかな曲面を描くこと
が多い。
【0025】(実施例1の作用効果)本実施例のベアチ
ップ封止方法では、上面11が平面の台座11を用いる
ほかに特別の治具・工具の類を用いず、金型などの精密
で高価な装置を要さない。それゆえ、極めて簡易で安価
な方法により、樹脂2でベアチップ3を基板5上に封止
することができる。しかも、封止樹脂2の頂面21は、
所望の形状(平面)に形成されている。
【0026】したがって、本実施例のベアチップ封止方
法によれば、頂面21が平面である封止樹脂2によりベ
アチップ3が封止されている基板5を、安価かつ簡便に
製造することが可能になるという効果がある。 (実施例1の変形態様1)実施例1の変形態様として、
図2に示すように、基板5の複数個所に接合されている
複数のベアチップ3を同時に樹脂2で封止する方法もあ
る。
【0027】すなわち、複数のベアチップ3をもつ基板
5を、水平に置かれている台座1の上面11に対面させ
て実施例1同様に近づける。台座1の上面11は平面で
形成されていて、上面11のうちベアチップ3の位置と
対応する水平面内の複数個所には、樹脂注入工程で予め
樹脂2が注入されており、流動性のある樹脂2の塊が形
成されている。この状態で、樹脂2の各塊に各ベアチッ
プ3を沈めることにより、実施例1と同様な樹脂被覆工
程、樹脂硬化工程および台座剥離工程が行われ、複数の
ベアチップ3が各々封止されている基板5が、安価かつ
容易に得られる。
【0028】(実施例1のその他の変形態様)台座1の
材料や樹脂2の材料を変えることにより、本実施例およ
びその変形態様1には、数多くの変形態様が存在しう
る。例えば、台座1の材料としては、シリコーン樹脂、
ポリイミド樹脂、チップコート樹脂、その他各種プラス
チックや、シリコーンゴムなどのゴム類、各種硝子、各
種金属が挙げられる。離型性が悪い場合には、台座上面
11に剥離剤を予め塗布しておけばよい。一方、樹脂2
の材料としては、シリコーン樹脂、シリコーンゴム、フ
ェノール樹脂など、熱硬化性樹脂を中心とする各種樹脂
または各種ゴムの使用が可能である。
【0029】樹脂2の材料の選定には、樹脂2自身の封
止材としての材料特性や、基板5に対する親和性(接着
性)などのほか、樹脂2と台座1との濡れ性も考慮され
る。すなわち、濡れ性が低く、台座1の上面11で濡れ
拡がりが少ないほうが、硬化後の封止樹脂2の寸法の安
定化が図れるので好都合である。 〔実施例2〕 (実施例2のベアチップ封止方法)本発明の実施例2と
してのベアチップ封止方法は、図3に示すように、上面
11に凹部10とその周囲の溝12とが形成されている
台座1A(テフロン製)を使用して行われる。凹部10
は部分的に平面を形成していて、凹部10の底面11’
は上面11に平行な平面である。
【0030】本実施例のベアチップ封止方法は、図4
(a)〜(e)に示すように、樹脂注入工程、樹脂被覆
工程、樹脂硬化工程および台座剥離工程から順に構成さ
れている。樹脂注入工程では、図4(a)に示すよう
に、台座1の上面11に形成されている凹部10の中
に、ディスペンサーDにより適量の流動性のある樹脂2
が滴下注入される。
【0031】樹脂被覆工程では、図4(b)〜(c)に
示すように、半導体ベアチップ3が接合されている基板
5が、樹脂2に接近して接触する。すなわち、図4
(c)に示すように、基板5は、その表面51を下にし
て台座1の上面11に当接し、上面11に形成されてい
る凹部10に溜まっている樹脂2に、ベアチップ3およ
びワイヤ4を浸漬する。
【0032】その際、樹脂2が適量より多いと凹部10
から溢れだすが、台座1Aには凹部10を囲む溝12が
形成されているので、溢れ出た樹脂2は周囲の溝12に
トラップされる。それゆえ、溝12の外にまで溢れた樹
脂2が浸入して基板5を汚すことは防止されている。こ
の状態で、クリップ(固定治具)Cを台座1および基板
5の四方から掛けて両者を互いに固定し、図4(d)に
示すように天地を逆転させて樹脂硬化工程に入る。
【0033】樹脂硬化工程では、再び図4(d)に示す
ように、基板5がその表面51に樹脂2を載せた状態で
あるから、凹部10に覆われている基板5の表面部分に
は重力で樹脂2が行き渡る。それゆえ、たとえ樹脂2の
量が不足していた場合にも、基板表面51と樹脂2との
界面での気泡などによる接合不良が起こりにくい。この
状態で温度管理がなされて所定時間を経れば、樹脂2は
硬化して固体の封止樹脂2を形成する。
【0034】樹脂硬化工程を終了したのち、図4(e)
に示すように、台座1Aは封止樹脂2から剥がされ、基
板5上のベアチップ3の樹脂2による封止は完了する。
台座1の溝12に溜まった樹脂2も固化しているので、
必要があればワイヤブラシ等で除去する。できあがった
封止樹脂2の頂面21は、台座1Aの凹部10に底面1
1’に対応して平面に形成されているので、実施例1と
同じく真空チャックによる取扱い・スタンプによる印字
・超音波探傷などに都合がよい。また、封止樹脂2の外
形が台座1の凹部10の形状に成形されるので、封止樹
脂2の寸法精度も向上している。なお、台座1Aの凹部
10に底面11’と、これに対応する封止樹脂2の頂面
21とは、必ずしも平面としなくてもよい。
【0035】(実施例2の作用効果)本実施例のベアチ
ップ封止方法でも、凹部10と溝12とが上面11に形
成されている台座11を用いるほかに特別の治具・工具
の類を用いず、金型などの精密で高価な装置を要さな
い。それゆえ、極めて簡易で安価な方法により、樹脂2
でベアチップ3を基板5上に封止することができる。し
かも、封止樹脂2の頂面21が平面に形成されるばかり
ではなく、封止樹脂2の外形形状が凹部10により所望
の形状に成形される。
【0036】したがって、本実施例のベアチップ封止方
法によれば、所望の外形形状をもつ封止樹脂2によりベ
アチップ3が封止されている基板5を、安価かつ簡便に
製造することが可能になるという効果がある。 (実施例2の変形態様1)樹脂被覆工程で凹部10を溢
れて溝12に入ってしまった樹脂2’を、容易に除去で
きるように、図5に示すように、テーパー断面をもった
溝12’を台座1A’に設ける変形態様も可能である。
凹部10と溝12’との間隔gは、強度の許す範囲で短
いほうが、樹脂2’のはみ出す範囲を狭く限定できるの
で望ましい。樹脂2’は、先細りのテーパー面をもつ溝
12’に捕らえられて、台座剥離工程で台座1A’と一
緒に持ち上がって基板5から離れるので、エアブラシを
上面11から溝12’に向かって一吹きするだけで余分
な樹脂2’を除去することができる。
【0037】(実施例2の変形態様2)本実施例および
その変形態様1に対しても、一つの台座1A,1A’の
上面11に複数個の凹部10および溝12,12’が形
成されている変形態様が可能である。本変形態様によれ
ば、複数個のベアチップ3を搭載した基板5に対して、
複数の凹部10で複数のベアチップ3を一度に封止する
ことが可能になる。
【0038】(実施例2の変形態様3)樹脂注入工程で
樹脂2の注入量を適正に制御することにより、実施例2
およびその変形態様1に例示されている溝12,12’
を廃し、凹部10のみが上面11に形成されている台座
を使用して封止する変形態様も可能である。本変形態様
の一形態として、図6(a)に示すように、凹部10の
周囲の上面11のうち、基板5の表面11に当接するの
に必要な最低限のみを残して、全体が略ブロック状に成
形されている台座1Bを使用する方法もある。台座1B
は、図6(b)に示す断面形状のほか、図6(c)に示
す断面形状のもの(台座1B’)でもよい。
【0039】さらに、ベアチップ3の型に合わせて規格
化された台座1Bを複数個制作しておき、新設計の基板
5が現れるたびに自在に台座1Bの配置を変更できる保
持手段を用意しておけば、新設計の基板5に対して新た
に台座を用意する必要がない。また、複数個のベアチッ
プ3を搭載している基板5の新設計や改良設計に対して
も、迅速に対応することが可能になる。その結果、生産
性が向上し、特に少量多種生産をする場合には、迅速な
生産の立ち上がりと生産性の向上およびコスト引下げと
の効果がある。
【0040】なお、この方式は、活字と活字を保持する
活版とによる活版印刷と発想において共通するものがあ
るので、以後「活字方式」と呼ぶことにする。 (実施例2のその他の変形態様)本実施例およびその変
形態様1〜3についても、実施例1と同様に、台座1
A,1A’,1B,1B’の材料や樹脂2の材料を変え
ることにより、数多くの変形態様が存在しうる。それら
の作用効果については、概ね実施例1のその他の変形態
様と同様である。
【0041】〔実施例3〕 (実施例3のベアチップ封止基板)本発明の実施例3と
してのベアチップ封止基板は、図7に示すように、半導
体ベアチップ3が接合されている基板5と、基板5の表
面51の一部を含めてベアチップ3およびワイヤ4と封
止している樹脂2と、樹脂2の表面を覆うカバー容器1
Cとから構成されている。他のベアチップ封止基板5と
比較して特徴的である点は、封止樹脂2の表面がカバー
容器1Cによって覆われている点である。
【0042】ここで、樹脂2は通常のエポキシ系の封止
樹脂であるが、カバー容器1Cは軟磁性ステンレス合金
の打ち出し加工品である。それゆえ、カバー容器1Cが
覆っている範囲からの水分・酸素等の浸入はほとんど皆
無である。さらに、カバー容器が高い導電性および透磁
性を有するので、外部からの電磁波や磁場の影響を排除
することができるうえに、内部のベアチップ3からの電
磁波の発信を遮断することもできる。また、カバー容器
1Cの熱伝導性が良いので、加熱個所から熱を散らして
放熱効果をも発揮する。
【0043】したがって、本実施例のベアチップ封止基
板は、極めて高い耐環境性を発揮し、過酷な環境での使
用に供することができるという効果がある。なお、カバ
ー容器1Cによる配線間のショートが特に心配される場
合は、基板5の表面51のうちカバー容器1Cの端面1
1が当接する部分には、絶縁加工を施すことにより、基
板5に形成されている配線がカバー容器1Cによって短
絡することは防止される。
【0044】さらに、ベアチップ3の放熱性を改善した
いという要求がある場合には、樹脂2に熱伝導性の良好
なものを使用するとともに、カバー容器1Cの側面に冷
却フィンを形成してもよい。その場合、特に瓶の蓋状の
フィンであれば、形成が容易で安価である。必要があれ
ば、頂面11”にも放熱フィンを形成してもよい。 (実施例3のベアチップ封止方法)本発明の実施例3と
してのベアチップ封止方法は、図8(a)に示すよう
に、上面としての端面11と凹部10とを有するシャー
レ状の台座1C(軟磁性ステンレス合金)を使用して行
われる。凹部10は部分的に平面を形成していて、凹部
10の底面11’およびその背面11”は、端面11に
平行な平面である。
【0045】本実施例のベアチップ封止方法は、図8
(a)〜(c)に示すように、樹脂注入工程、樹脂被覆
工程および樹脂硬化工程から順に構成されており、実施
例1および実施例2とは異なって台座剥離工程はない。
樹脂注入工程では、図8(a)に示すように、台座1C
に形成されている凹部10の中に、ディスペンサーDに
より適量の流動性のある樹脂2が滴下注入される。
【0046】樹脂被覆工程では、図8(b)〜(c)に
示すように、樹脂2を凹部10に満たしている台座1C
を、上下逆にしてマニピュレーター(真空チャックな
ど)Mでつかみ、半導体ベアチップ3を搭載している基
板5に被せる。この際、下になった樹脂2の液面がやや
下に凸になっている状態で樹脂2をベアチップ3に接触
させると、ベアチップ3の周囲に気泡が残りにくいので
好ましい。なお、この作業は速やかに行われるので、流
動性のある樹脂2が凹部10からこぼれ落ちることはな
い。こうして端面11が基板表面51に当接すると、凹
部10に溜まっている樹脂2に浸漬されてベアチップ3
およびワイヤ4は基板表面51上に封止される。
【0047】樹脂硬化工程では、再び図8(c)に示す
状態で温度管理がなされて所定時間を経れば、樹脂2は
硬化して固体の封止樹脂2を形成する。すると、台座1
Cは樹脂2の表面に接着したまま基板5上に残り、前述
のようにカバー容器1Cとして保護機能を発揮するにい
たる。台座1Cの凹部10の背面11”は、転じてカバ
ー容器1Cの頂面11”となり、当初から平面に形成さ
れているので、実施例1と同じく真空チャックによる取
扱い・スタンプによる印字・超音波探傷などに都合がよ
い。また、封止樹脂2の外形にかわって、カバー容器1
Cによって外形が形成されるので、寸法精度も向上して
いる。
【0048】(実施例3のベアチップ封止方法の別法)
本実施例の別法としては、図9(a)〜(c)に示すよ
うに、台座1Cの凹部10を終始上に向けて、樹脂注入
工程、樹脂被覆工程および樹脂硬化工程を行う方法もあ
る。これらの全工程で、台座1CはテーブルTの水平な
上面に背面11”を合わせているが、必ずしも同一のテ
ーブルである必要はない。
【0049】樹脂被覆工程では、図9(b)に示すよう
に、基板5の表面51を下にしてベアチップ3を樹脂2
に浸漬する。この際、最初は基板5をやや斜めにして樹
脂2の液面につけ、徐々に深くつけていき、最後に水平
に戻して台座1Cの端面11に当接するようにすれば、
気泡が樹脂2中に残りにくいので好ましい。樹脂硬化工
程では、図9(c)に示す上下逆転状態で樹脂2の硬化
を待ち、全工程を完了する。ここで、樹脂硬化工程で、
再び図9(c)に示す正置状態で硬化させることもで
き、この場合、樹脂2と基板表面51との接合がより確
実になる。
【0050】(実施例3の作用効果)以上詳述したよう
に、本実施例によれば、実施例1および実施例2と同様
に安価かつ容易にベアチップ封止基板の製造ができると
いう効果がある。そればかりではなく、本実施例には、
より耐環境性に優れたベアチップ封止基板を提供するこ
とができるという効果がある。
【0051】(実施例3の変形態様1)本変形態様は、
図10(a)に示すように、凹部10の全周囲に溝1
2”が形成されているカバー容器1Dを使用する点が、
実施例3と異なっている。カバー容器1Dは、製作が容
易で安価である点に着目し、樹脂2と馴染み(濡れ性や
接着性)が良いプラスチック製の押し出し成形品であ
る。したがって、実施例3と異なり、基板5の表面51
に形成された回路に絶縁処理をする必要はない。
【0052】本変形態様によれば、樹脂被覆工程で、樹
脂2が凹部10から溢れだしても、図10(b)に示す
ように溢れた樹脂2’は溝12”に捕らえられるので、
周囲の回路を汚すことがない。 (実施例3の変形態様2)本変形態様も、封止樹脂2が
周囲の回路を汚染することを防止することを目的として
いる。
【0053】すなわち、本変形態様は、図11(a)に
示すように、凹部10の底面11’から背面(頂面)1
1”に貫通する逃がし孔13が形成されているカバー容
器1Eを使用する点が、実施例3と異なっている。カバ
ー容器1Eは、金属製でもプラスチック製でも良い。本
変形態様では、樹脂注入工程から速やかに樹脂被覆工程
に移行し、樹脂被覆工程で樹脂2が凹部10から溢れよ
うとすると、図11(b)に示すように樹脂2は逃がし
孔13から頂面11”へ溢れだす。溢れた樹脂2”は頂
面11”に溜まりを作って固まるので、周囲の回路を汚
すことがない。もちろん、逃がし孔13は、後の工程で
不都合が無い位置に設けられている。
【0054】(実施例2の変形態様3)前述の実施例3
およびその変形態様1,2では、カバー容器1C〜1E
を樹脂2に接着したまま基板上に残すことにしていた
が、樹脂硬化工程のあと、台座剥離工程を施して除去し
てしまってもよい。すなわち、カバー容器1C〜1Eは
樹脂2が硬化するまでの保形部材として作用し、再利用
が可能なので経済的である。カバー容器1C〜1Eの材
料としては、離型性にすぐれたものが好ましいが、離型
剤を塗布して金属などの耐久性や剛性に優れた材料を使
用しても良い。
【0055】(実施例2の変形態様4)本変形態様で
は、図12に示すように、金属(例えばステンレス鋼)
のメッシュ材で形成されているカバー容器1Fを使用す
る。樹脂2が樹脂硬化工程までに漏れださない程度に、
メッシュは細かく形成されている。本変形態様のベアチ
ップ封止基板は、実施例3と同様の方法で製造される。
その結果、樹脂2とカバー容器1Fとの接着は強固であ
り、振動などの原因でカバー容器1Fが脱落して不具合
の原因になることは無くなる。
【0056】なお、メッシュ材の材料は金属に限られる
ものではなく、各種の繊維で形成されたメッシュ材を用
いて本変形態様のカバー容器1Fをもつベアチップ封止
基板を製造することができる。また、メッシュ材の概念
を拡大して、各種の布、紙、不織布、合成紙、導電性繊
維の成形体の類にまで、材料の範囲を広げることができ
る。
【0057】(実施例3の変形態様4)前述の実施例3
およびその変形態様1〜3においても、実施例2の変形
態様3に記載されている「活字方式」を適用することが
できる。すなわち、台座としてのカバー容器1C〜1F
を保持手段に配置することにより、複数のベアチップ3
の封止を一度に行うことが可能である。
【0058】(実施例3のその他の変形態様)本実施例
およびその変形態様1〜4についても、実施例1と同様
に、カバー容器1C〜1Fの材料や樹脂2の材料を変え
ることにより、数多くの変形態様が存在しうる。それら
の作用効果については、概ね実施例1のその他の変形態
様と同様である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1のベアチップ封止方法を示す組図 (a)樹脂注入工程を示す側面図 (b)樹脂被覆工程を示す側面図 (c)樹脂硬化工程を示す透視側面図 (d)台座剥離工程を示す透視側面図
【図2】 実施例1の変形態様1のベアチップ封止方法
を示す側面図
【図3】 実施例2の封止方法に使用する台座の形状を
示す斜視図
【図4】 実施例2のベアチップ封止方法を示す組図 (a)樹脂注入工程を示す側断面図 (b)樹脂被覆工程を示す側断面図 (c)樹脂被覆工程を示す側断面図 (d)樹脂硬化工程を示す側断面図 (e)台座剥離工程を示す側断面図
【図5】 実施例2の変形態様1の台座の溝形状を示す
部分断面図
【図6】 実施例2の変形態様2の台座の形状を示す組
図 (a)台座の形状を示す斜視図 (b)台座の形状を示す側断面図 (c)台座の他の形状を示す側断面図
【図7】 実施例3のベアチップ封止基板の構成を示す
要部側断面図
【図8】 実施例3のベアチップ封止方法を示す組図 (a)樹脂注入工程を示す側断面図 (b)樹脂被覆工程を示す側断面図 (c)樹脂硬化工程を示す側断面図
【図9】 実施例3のベアチップ封止方法の別法を示す
組図 (a)樹脂注入工程を示す側断面図 (b)樹脂被覆工程を示す側断面図 (c)樹脂硬化工程を示す側断面図
【図10】実施例3の変形態様1のベアチップ封止方法
を示す組図 (a)樹脂注入工程を示す側断面図 (b)樹脂被覆工程および樹脂硬化工程を示す側断面図
【図11】実施例3の変形態様2のベアチップ封止方法
を示す組図 (a)樹脂注入工程を示す側断面図 (b)樹脂被覆工程および樹脂硬化工程を示す側断面図
【図12】実施例3の変形態様4に使用するカバー容器
を示す組図
【図13】従来技術としてのポッティングによる封止方
法を示す側断面図
【図14】従来技術としてのプリンティングによる封止
方法を示す側断面図
【図15】従来技術としての特許公開公報による封止方
法を示す側断面図
【符号の説明】
1,1A,1A’,1B,1B’:台座 1C,1D,1E,1F:台座とカバー容器とを兼ねる 10:凹部10 11:台座上面(端面) 1
1’:底面 11”:背面(頂面) 12,12’,12”:溝
13:逃がし孔 2:樹脂(流動性のある樹脂、封止樹脂) 21:頂
面 22:側面 2’,2”:はみ出した樹脂 3:半導体ベアチップ 4:ボンディング・ワイヤ 5,5’:基板 5
1:基板表面 C:クリップ D:ディスペンサー H:注入孔
K:保形部材 P:印刷マスク S:印刷スキージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山川 裕之 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板の表面上に接合されている半導体ベア
    チップを樹脂で封止する方法であって、 台座の上面に流動性のある樹脂を注入して乗せる樹脂注
    入工程と、 該台座の該上面と前記基板の前記表面とを互いに対向さ
    せて近づけ、前記ベアチップを前記樹脂内に挿入すると
    ともに、該ベアチップ周辺の前記基板の該表面を該樹脂
    に接触させて、該ベアチップを該樹脂で覆う樹脂被覆工
    程と、 該樹脂を固化させ、該ベアチップを硬化した樹脂で封止
    する樹脂固化工程と、を有することを特徴とするベアチ
    ップ封止方法。
  2. 【請求項2】前記台座の前記上面の少なくとも一部は、
    略平面である請求項1記載のベアチップ封止方法。
  3. 【請求項3】前記台座の前記上面には、前記樹脂を保持
    する凹部が形成されている請求項1記載のベアチップ封
    止方法。
  4. 【請求項4】前記台座の前記上面には、前記凹部の周囲
    に該凹部を囲む溝が形成されている請求項3記載のベア
    チップ封止方法。
  5. 【請求項5】前記ベアチップは、複数個が前記基板の表
    面上に接合されており、 前記樹脂被覆工程では、複数個の前記台座をそれぞれ該
    ベアチップに対応する位置に保持する保持手段が使用さ
    れる請求項1記載のベアチップ封止方法。
  6. 【請求項6】前記樹脂硬化工程の後、前記基板および前
    記ベアチップに接合している前記樹脂から、前記台座を
    剥がす台座剥離工程を有する請求項1記載のベアチップ
    封止方法。
  7. 【請求項7】前記樹脂硬化工程の後、前記基板および前
    記ベアチップに接合している前記樹脂の表面に、前記台
    座を接着したまま残しておく請求項3記載のベアチップ
    封止方法。
  8. 【請求項8】半導体ベアチップと、 該ベアチップが接合されている基板と、 該ベアチップおよび該ベアチップ周辺の該基板の表面部
    分を覆う樹脂と、 該樹脂の表面を覆うカバー容器と、を備えていることを
    特徴とするベアチップ封止基板。
  9. 【請求項9】前記カバー容器は、金属製である請求項8
    記載のベアチップ封止基板。
  10. 【請求項10】前記カバー容器は、メッシュ材で形成さ
    れている請求項8記載のベアチップ封止基板。
JP32599095A 1995-12-14 1995-12-14 ベアチップ封止方法およびベアチップ封止基板 Expired - Fee Related JP3572764B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32599095A JP3572764B2 (ja) 1995-12-14 1995-12-14 ベアチップ封止方法およびベアチップ封止基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32599095A JP3572764B2 (ja) 1995-12-14 1995-12-14 ベアチップ封止方法およびベアチップ封止基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09167780A true JPH09167780A (ja) 1997-06-24
JP3572764B2 JP3572764B2 (ja) 2004-10-06

Family

ID=18182873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32599095A Expired - Fee Related JP3572764B2 (ja) 1995-12-14 1995-12-14 ベアチップ封止方法およびベアチップ封止基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3572764B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057182A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Denso Corp 半導体装置
WO2003005441A1 (fr) * 2001-07-03 2003-01-16 Fujitsu Limited Materiau de revetement de puce semi-conductrice, procede de revetement de puce semi-conductrice et dispositif semi-conducteur
JP2009140962A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
WO2014188810A1 (ja) * 2013-05-23 2014-11-27 日東電工株式会社 封止シート貼付け方法
JP2018073975A (ja) * 2016-10-28 2018-05-10 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057182A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Denso Corp 半導体装置
WO2003005441A1 (fr) * 2001-07-03 2003-01-16 Fujitsu Limited Materiau de revetement de puce semi-conductrice, procede de revetement de puce semi-conductrice et dispositif semi-conducteur
JP2009140962A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Panasonic Corp 半導体装置およびその製造方法
WO2014188810A1 (ja) * 2013-05-23 2014-11-27 日東電工株式会社 封止シート貼付け方法
JP2014229791A (ja) * 2013-05-23 2014-12-08 日東電工株式会社 封止シート貼付け方法
CN105247667A (zh) * 2013-05-23 2016-01-13 日东电工株式会社 密封片材粘贴方法
JP2018073975A (ja) * 2016-10-28 2018-05-10 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3572764B2 (ja) 2004-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7923826B2 (en) Semiconductor device mounted on heat sink having protruded periphery
US8012799B1 (en) Method of assembling semiconductor device with heat spreader
JP2004179284A (ja) 樹脂封止方法、半導体装置の製造方法、及び樹脂材料
JP3751587B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TW201044532A (en) Method of forming substrate for semiconductor element and semiconductor device
JP3744927B2 (ja) カプセル化電子部品、特に集積回路の製造方法
KR20120021195A (ko) 수지 밀봉 성형품의 제조 방법 및 수지 밀봉 성형품의 제조 장치
JPH06244355A (ja) リードフレームのピン保持固定部の形成方法、樹脂モールド時の樹脂漏れ防止部の形成方法、およびic等の放熱板固定部の形成方法
US5963792A (en) Use of an oxide surface to facilitate gate break on a carrier substrate for a semiconductor device
JPH09167780A (ja) ベアチップ封止方法およびベアチップ封止基板
JP2003170465A (ja) 半導体パッケージの製造方法およびそのための封止金型
JPH10261741A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4381630B2 (ja) 自動車制御用樹脂封止型モジュール装置
JP2001176902A (ja) 樹脂封止方法
JPS6151425B2 (ja)
JP3473231B2 (ja) ベアチップの封止方法および封止装置
JPH01253926A (ja) 半導体装置のリードフレーム
JP2008181922A (ja) 熱伝導基板、その製造方法および熱伝導基板を用いた半導体装置
JP3723545B2 (ja) 半導体装置
US6096250A (en) Process for releasing a runner from an electronic device package on a laminate plate
KR100903942B1 (ko) 반도체 몰드금형의 세정용 더미
CN108831839B (zh) 一种去除半导体塑封制程中所产生毛边的方法
KR910007471B1 (ko) 회로기판과 그 제조방법
JP3213578B2 (ja) 混成集積回路装置の製造方法
JP2005123456A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040608

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040621

R150 Certificate of patent (=grant) or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 7

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees