JPH09162440A - 有機ｌｅｄ素子 - Google Patents
有機ｌｅｄ素子Info
- Publication number
- JPH09162440A JPH09162440A JP34502995A JP34502995A JPH09162440A JP H09162440 A JPH09162440 A JP H09162440A JP 34502995 A JP34502995 A JP 34502995A JP 34502995 A JP34502995 A JP 34502995A JP H09162440 A JPH09162440 A JP H09162440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- cathode electrode
- layer
- organic
- led element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- -1 3-substituted pyrrole Chemical class 0.000 description 2
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の有機ＬＥＤ素子においては、陰極電極
層として仕事関数の小さい金属系の薄膜を採用するもの
であったので、この陰極電極層に酸化を生じ劣化し易
く、これにより有機ＬＥＤ素子の寿命が短命化する問題
点があった。 【解決手段】 本発明により、陰極電極層６が導電性高
分子で構成されている有機ＬＥＤ素子としたことで、従
来は陰極電極層が仕事関数の小さい金属、合金、金属混
合物など金属系で形成されて酸化し劣化を生じ易く、こ
れにより有機ＬＥＤ素子としての寿命が短命なものと成
っていたのを、３―置換ポリピロールおよび３―置換ポ
リチオフェンによる導電性高分子の陰極電極層とするこ
とで、陰極電極層６を酸化を生じることがなく安定なな
ものとして課題を解決するものである。
層として仕事関数の小さい金属系の薄膜を採用するもの
であったので、この陰極電極層に酸化を生じ劣化し易
く、これにより有機ＬＥＤ素子の寿命が短命化する問題
点があった。 【解決手段】 本発明により、陰極電極層６が導電性高
分子で構成されている有機ＬＥＤ素子としたことで、従
来は陰極電極層が仕事関数の小さい金属、合金、金属混
合物など金属系で形成されて酸化し劣化を生じ易く、こ
れにより有機ＬＥＤ素子としての寿命が短命なものと成
っていたのを、３―置換ポリピロールおよび３―置換ポ
リチオフェンによる導電性高分子の陰極電極層とするこ
とで、陰極電極層６を酸化を生じることがなく安定なな
ものとして課題を解決するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は注入型エレクトロル
ミネセンス（ＥＬ）とも称され、有機薄膜状としたＥＬ
物質に電子、正孔を注入し、再結合させることで発光を
行う有機ＬＥＤ素子に関するものである。
ミネセンス（ＥＬ）とも称され、有機薄膜状としたＥＬ
物質に電子、正孔を注入し、再結合させることで発光を
行う有機ＬＥＤ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の有機ＬＥＤ素子９０の構成の例を
示すものが図４であり、ガラス或いは樹脂の透明部材を
用いて形成された透明基板９１上には、例えば、Ａｕ、
ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯなど仕事関数の大きい金属、
合金を用いて透明な陽極電極層９２を、蒸着或いはスパ
ッタリングなどの手段で形成する。次いで、前記陽極電
極層９２の面上には正孔輸送層９３を形成し、更に、前
記正孔輸送層９３の面上には有機発光層９４を形成す
る。
示すものが図４であり、ガラス或いは樹脂の透明部材を
用いて形成された透明基板９１上には、例えば、Ａｕ、
ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯなど仕事関数の大きい金属、
合金を用いて透明な陽極電極層９２を、蒸着或いはスパ
ッタリングなどの手段で形成する。次いで、前記陽極電
極層９２の面上には正孔輸送層９３を形成し、更に、前
記正孔輸送層９３の面上には有機発光層９４を形成す
る。
【０００３】上記のようにして形成された発光層９４の
面上には、仕事関数の小さい金属、合金、混合物を蒸着
或いはスパッタリングなどの手段で成膜し陰極電極層９
５を形成する。前記陰極電極層９５の具体例としては、
ナトリウム、マグネシウム、、リチウム、インジウムな
どの金属、マグネシウム―銀、アルミニウム―リチウ
ム、ナトリウム―カリウムなどの合金、或いは、マグネ
シウムと銅の混合物などが挙げられる。
面上には、仕事関数の小さい金属、合金、混合物を蒸着
或いはスパッタリングなどの手段で成膜し陰極電極層９
５を形成する。前記陰極電極層９５の具体例としては、
ナトリウム、マグネシウム、、リチウム、インジウムな
どの金属、マグネシウム―銀、アルミニウム―リチウ
ム、ナトリウム―カリウムなどの合金、或いは、マグネ
シウムと銅の混合物などが挙げられる。
【０００４】尚、図示は省略するが、前記有機発光層９
４と陰極電極層９５との間に電子輸送層が追加して設け
られることもあり、或いは、前記正孔輸送層９３が省略
される場合もあるが、何れの場合においても直接、間接
に有機発光層９４を陽極電極層９２と陰極電極層９５と
で挟まれる構成となっている。
４と陰極電極層９５との間に電子輸送層が追加して設け
られることもあり、或いは、前記正孔輸送層９３が省略
される場合もあるが、何れの場合においても直接、間接
に有機発光層９４を陽極電極層９２と陰極電極層９５と
で挟まれる構成となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の有機ＬＥＤ素子９０においては、前記有機発光
層９４への電子注入を効率良く行うために選択されるＭ
ｇ―Ａｇ（マグネシウム―銀）合金、或いは、Ａｌ―Ｌ
ｉ（アルミニウム―リチウム）合金は非常に酸化し易
く、この酸化が寿命の劣化の大きな原因となり、有機Ｌ
ＥＤ素子９０が短寿命となる問題点を生じ、この点の解
決が課題とされるものとなっている。
た従来の有機ＬＥＤ素子９０においては、前記有機発光
層９４への電子注入を効率良く行うために選択されるＭ
ｇ―Ａｇ（マグネシウム―銀）合金、或いは、Ａｌ―Ｌ
ｉ（アルミニウム―リチウム）合金は非常に酸化し易
く、この酸化が寿命の劣化の大きな原因となり、有機Ｌ
ＥＤ素子９０が短寿命となる問題点を生じ、この点の解
決が課題とされるものとなっている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記した従来
の課題を解決するための具体的な手段として、少なくと
も有機発光層を陽極電極層と陰極電極層との間に挟持し
て成る有機ＬＥＤ素子において、前記陰極電極層は導電
性高分子で構成されていることを特徴とする有機ＬＥＤ
素子を提供することで課題を解決するものである。
の課題を解決するための具体的な手段として、少なくと
も有機発光層を陽極電極層と陰極電極層との間に挟持し
て成る有機ＬＥＤ素子において、前記陰極電極層は導電
性高分子で構成されていることを特徴とする有機ＬＥＤ
素子を提供することで課題を解決するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を図に示す実施形
態に基づいて詳細に説明する。図１に符号１で示すもの
は本発明に係る有機ＬＥＤ素子であり、この有機ＬＥＤ
素子１は透明基板２、陽極電極層３、正孔輸送層４、有
機発光層５および陰極電極層６とで構成され、有機発光
層５が陽極電極層３と陰極電極層６で直接、間接に挟ま
れる構成とされている点は従来例のものと同様である。
態に基づいて詳細に説明する。図１に符号１で示すもの
は本発明に係る有機ＬＥＤ素子であり、この有機ＬＥＤ
素子１は透明基板２、陽極電極層３、正孔輸送層４、有
機発光層５および陰極電極層６とで構成され、有機発光
層５が陽極電極層３と陰極電極層６で直接、間接に挟ま
れる構成とされている点は従来例のものと同様である。
【０００８】また、本発明においても、透明基板２はガ
ラス或いは樹脂の透明部材により形成されるものであ
り、この透明基板２上にはＩＴＯにより透明な陽極電極
層３が形成されている点も従来例と同様であり、更に、
前記陽極電極層３の面上にトリフェニルアミン誘導体
（ＴＰＤ）を真空蒸着法により成膜し、正孔輸送層４を
形成する。
ラス或いは樹脂の透明部材により形成されるものであ
り、この透明基板２上にはＩＴＯにより透明な陽極電極
層３が形成されている点も従来例と同様であり、更に、
前記陽極電極層３の面上にトリフェニルアミン誘導体
（ＴＰＤ）を真空蒸着法により成膜し、正孔輸送層４を
形成する。
【０００９】加えて、前記正孔輸送層４の面上には、ア
ルミキノリール錯体（Alq3）を真空蒸着法により成膜
し、有機発光層５を形成する。この有機発光層５に至ま
での構成も従来例のものとほぼ同様であるが、ここで本
発明では前記有機発光層５の面上に従来例の仕事関数の
小さい金属に換えて、導電性高分子とした陰極電極層６
を形成するものとしている。
ルミキノリール錯体（Alq3）を真空蒸着法により成膜
し、有機発光層５を形成する。この有機発光層５に至ま
での構成も従来例のものとほぼ同様であるが、ここで本
発明では前記有機発光層５の面上に従来例の仕事関数の
小さい金属に換えて、導電性高分子とした陰極電極層６
を形成するものとしている。
【００１０】ここで、前記陰極電極層６の形成について
更に詳細に説明を行えば、先ず、３―置換ピロール（長
鎖アルキル基、または、メトキシ基置換）をFeClなどの
酸化剤で酸化重合を行うと、図２に構造式を示す導電性
高分子である３―置換ポリピロールが合成できるものと
なる。
更に詳細に説明を行えば、先ず、３―置換ピロール（長
鎖アルキル基、または、メトキシ基置換）をFeClなどの
酸化剤で酸化重合を行うと、図２に構造式を示す導電性
高分子である３―置換ポリピロールが合成できるものと
なる。
【００１１】この３―置換ポリピロールはベンゼンに対
して可溶性であるので、溶解して液状とし、この液状と
した３―置換ポリピロールを前記有機発光層５の面上に
スピンコート法などにより成膜し、適宜の手段によりベ
ンゼンを除去し固体化させれば、陰極電極層６は形成で
きるものとなる。
して可溶性であるので、溶解して液状とし、この液状と
した３―置換ポリピロールを前記有機発光層５の面上に
スピンコート法などにより成膜し、適宜の手段によりベ
ンゼンを除去し固体化させれば、陰極電極層６は形成で
きるものとなる。
【００１２】次いで、上記の構成とした本発明の有機Ｌ
ＥＤ素子１の作用および効果について説明を行えば、第
一には、従来の仕事関数の小さい金属、合金、金属混合
物など金属系で形成された陰極電極層に比較して、本発
明の導電性高分子の陰極電極層６は酸化などを生じるこ
とがなく安定性に優り、これにより、有機ＬＥＤ素子１
の寿命の延長が可能となる。
ＥＤ素子１の作用および効果について説明を行えば、第
一には、従来の仕事関数の小さい金属、合金、金属混合
物など金属系で形成された陰極電極層に比較して、本発
明の導電性高分子の陰極電極層６は酸化などを生じるこ
とがなく安定性に優り、これにより、有機ＬＥＤ素子１
の寿命の延長が可能となる。
【００１３】また第二には、上記導電性高分子（３―置
換ポリピロール）は分子構造を変えることによって、容
易に電子親和力の値を変えることができるので、例え
ば、前記有機発光層５に対してのエネルギーレベルなど
の最適化を行い易く、これにより一層の発光効率の高効
率化が期待できるものとなる。
換ポリピロール）は分子構造を変えることによって、容
易に電子親和力の値を変えることができるので、例え
ば、前記有機発光層５に対してのエネルギーレベルなど
の最適化を行い易く、これにより一層の発光効率の高効
率化が期待できるものとなる。
【００１４】図３に示すものは、本発明の別の実施形態
であり、この実施形態においても、図１にも示したよう
に、透明基板２はガラス或いは樹脂の透明部材により形
成され、この透明基板２上にはＩＴＯにより透明な陽極
電極層３が形成され、更に、前記陽極電極層３の面上に
トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）を真空蒸着法によ
り成膜して正孔輸送層４を形成し、加えて、前記正孔輸
送層４の面上に、アルミキノリール錯体（Alq3）を真空
蒸着法により成膜し有機発光層５を形成するまでの工程
および構成は、前の実施形態と全く同様である。
であり、この実施形態においても、図１にも示したよう
に、透明基板２はガラス或いは樹脂の透明部材により形
成され、この透明基板２上にはＩＴＯにより透明な陽極
電極層３が形成され、更に、前記陽極電極層３の面上に
トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）を真空蒸着法によ
り成膜して正孔輸送層４を形成し、加えて、前記正孔輸
送層４の面上に、アルミキノリール錯体（Alq3）を真空
蒸着法により成膜し有機発光層５を形成するまでの工程
および構成は、前の実施形態と全く同様である。
【００１５】また、前記有機発光層５の面上に従来例の
仕事関数の小さい金属に換えて、導電性高分子とした陰
極電極層６を形成する点も前の実施形態と同様である
が、この実施形態では、３―置換ポリピロールに換え
て、導電性高分子として３―置換ポリチオフェンを採用
するものとしている。
仕事関数の小さい金属に換えて、導電性高分子とした陰
極電極層６を形成する点も前の実施形態と同様である
が、この実施形態では、３―置換ポリピロールに換え
て、導電性高分子として３―置換ポリチオフェンを採用
するものとしている。
【００１６】ここで、３―置換チオフェン（長鎖アルキ
ル基、または、メトキシ基置換）をFeClなどの酸化剤で
酸化重合を行うと、図３に構造式を示す導電性高分子で
ある３―置換ポリチオフェンが合成できるものとなり、
この３―置換ポリチオフェンも３―置換ポリピロールと
同様にベンゼンに対して可溶性であるので、前の実施形
態と同様に陰極電極層６の形成が可能となる。尚、上記
した以外の構成、および、作用、効果は、前の実施形態
と全くに同様であるので、ここでの詳細な説明は省略す
る。
ル基、または、メトキシ基置換）をFeClなどの酸化剤で
酸化重合を行うと、図３に構造式を示す導電性高分子で
ある３―置換ポリチオフェンが合成できるものとなり、
この３―置換ポリチオフェンも３―置換ポリピロールと
同様にベンゼンに対して可溶性であるので、前の実施形
態と同様に陰極電極層６の形成が可能となる。尚、上記
した以外の構成、および、作用、効果は、前の実施形態
と全くに同様であるので、ここでの詳細な説明は省略す
る。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、陰
極電極層が導電性高分子で構成されている有機ＬＥＤ素
子としたことで、従来は陰極電極層が仕事関数の小さい
金属、合金、金属混合物など金属系で形成されて酸化を
生じ易く、これにより有機ＬＥＤ素子としての寿命が短
命なものと成っていたのを、３―置換ポリピロールおよ
び３―置換ポリチオフェンによる導電性高分子の陰極電
極層とすることで、酸化を生じることがなく安定ななも
のとして、有機ＬＥＤ素子の長寿命化に極めて優れた効
果を奏するものである。
極電極層が導電性高分子で構成されている有機ＬＥＤ素
子としたことで、従来は陰極電極層が仕事関数の小さい
金属、合金、金属混合物など金属系で形成されて酸化を
生じ易く、これにより有機ＬＥＤ素子としての寿命が短
命なものと成っていたのを、３―置換ポリピロールおよ
び３―置換ポリチオフェンによる導電性高分子の陰極電
極層とすることで、酸化を生じることがなく安定ななも
のとして、有機ＬＥＤ素子の長寿命化に極めて優れた効
果を奏するものである。
【００１８】また、３―置換ポリピロールまたは３―置
換ポリチオフェンによる導電性高分子は分子構造を変え
ることによって、容易に電子親和力の値を変えることが
できるので、例えば、前記有機発光層に対しての陰極電
極層のエネルギーレベルなどの最適化を行い易く、これ
により一層の発光効率の高効率化が期待できるものする
効果も奏するものである。
換ポリチオフェンによる導電性高分子は分子構造を変え
ることによって、容易に電子親和力の値を変えることが
できるので、例えば、前記有機発光層に対しての陰極電
極層のエネルギーレベルなどの最適化を行い易く、これ
により一層の発光効率の高効率化が期待できるものする
効果も奏するものである。
【図１】 本発明に係る有機ＬＥＤ素子の一実施形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】 同じ実施形態の陰極電極層を形成する３―置
換ポリピロールを示す構造式である。
換ポリピロールを示す構造式である。
【図３】 同じく本発明に係る別の実施形態の陰極電極
層を形成する３―置換ポリチオフェンを示す構造式であ
る。
層を形成する３―置換ポリチオフェンを示す構造式であ
る。
【図４】 従来例を示す断面図である。
１……有機ＬＥＤ素子 ２……透明基板 ３……陽極電極層 ４……正孔輸送層 ５……有機発光層 ６……陰極電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 51/00 Ｈ０５Ｂ 33/26 Ｈ０５Ｂ 33/26 Ｈ０１Ｌ 29/28
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも有機発光層を陽極電極層と陰
極電極層との間に挟持して成る有機ＬＥＤ素子におい
て、前記陰極電極層は導電性高分子で構成されているこ
とを特徴とする有機ＬＥＤ素子。 - 【請求項２】 前記導電性高分子は３―置換ポリピロー
ルであることを特徴とする請求項１記載の有機ＬＥＤ素
子。 - 【請求項３】 前記導電性高分子は３―置換ポリチオフ
ェンであることを特徴とする請求項１記載の有機ＬＥＤ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34502995A JPH09162440A (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 有機ｌｅｄ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34502995A JPH09162440A (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 有機ｌｅｄ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162440A true JPH09162440A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18373807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34502995A Pending JPH09162440A (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 有機ｌｅｄ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162440A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100347630B1 (ko) * | 1997-08-27 | 2002-09-18 | 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤 | 유기다색전자발광소자및그제조방법 |
| WO2002086913A1 (fr) * | 2001-04-17 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Film mince organique conducteur et son procede de production, electrode et cable electrique utilisant ce film |
| US7078103B2 (en) | 2000-12-26 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive organic thin film, process for producing the same, and organic photoelectronic device, electric wire, and electrode each employing the same |
| WO2008098551A2 (de) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrolumineszentes organisches halbleiterelement und verfahren zur reparatur eines elektrolumineszenten organischen halbleiterelements |
| JP2010231788A (ja) * | 2000-07-12 | 2010-10-14 | Agfa Gevaert Nv | 柔軟な導電性部材を少なくとも１つ伴うスイッチおよびｄｃ電圧源を含んで成る電気回路 |
-
1995
- 1995-12-08 JP JP34502995A patent/JPH09162440A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100347630B1 (ko) * | 1997-08-27 | 2002-09-18 | 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤 | 유기다색전자발광소자및그제조방법 |
| JP2010231788A (ja) * | 2000-07-12 | 2010-10-14 | Agfa Gevaert Nv | 柔軟な導電性部材を少なくとも１つ伴うスイッチおよびｄｃ電圧源を含んで成る電気回路 |
| US7078103B2 (en) | 2000-12-26 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive organic thin film, process for producing the same, and organic photoelectronic device, electric wire, and electrode each employing the same |
| US7198829B2 (en) | 2000-12-26 | 2007-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive organic thin film, process for producing the same, electronic device employing the same, electrical cable, electrode, pyrrolyl compound, and theienyl compound |
| US7220468B2 (en) | 2000-12-26 | 2007-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive organic thin film, method for manufacturing the same, and electronic device, electric cable, electrode, pyrrolyl compound, and thienyl compound using the same |
| WO2002086913A1 (fr) * | 2001-04-17 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Film mince organique conducteur et son procede de production, electrode et cable electrique utilisant ce film |
| WO2008098551A2 (de) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrolumineszentes organisches halbleiterelement und verfahren zur reparatur eines elektrolumineszenten organischen halbleiterelements |
| WO2008098551A3 (de) * | 2007-02-16 | 2008-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrolumineszentes organisches halbleiterelement und verfahren zur reparatur eines elektrolumineszenten organischen halbleiterelements |
| US8314418B2 (en) | 2007-02-16 | 2012-11-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent organic semiconductor element and a method for repair of an electroluminescent organic semiconductor element |
| TWI415512B (zh) * | 2007-02-16 | 2013-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電致發光有機半導體元件 |
| US8610116B2 (en) | 2007-02-16 | 2013-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent organic semiconductor element and a method for repair of an electroluminescent organic semiconductor element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nguyen et al. | Improving the performance of conjugated polymer-based devices by control of interchain interactions and polymer film morphology | |
| US6392339B1 (en) | Organic light emitting devices including mixed region | |
| JP4915650B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2008124268A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| US20080003456A1 (en) | Methods for producing electroluminescent devices by screen printing | |
| JP2006012821A (ja) | 有機電子デバイス用の金属化合物−金属多層電極 | |
| JP3924868B2 (ja) | 有機積層薄膜発光素子 | |
| JP2002352961A (ja) | 有機電界発光装置 | |
| US5122711A (en) | Electroluminescent device | |
| Qiu et al. | Efficient light emitting diodes with Teflon buffer layer | |
| JP3924869B2 (ja) | 有機積層薄膜発光素子 | |
| JP4915651B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| KR20020076171A (ko) | 고품질 디스플레이가 가능한 유기 발광 소자 | |
| CN111740020B (zh) | 一种高效长寿命的蓝光器件 | |
| JP2000048964A (ja) | 有機ｅｌディスプレイ | |
| JP4915652B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2001291590A5 (ja) | ||
| JPH05114487A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| JPH09162440A (ja) | 有機ｌｅｄ素子 | |
| JP3796787B2 (ja) | 発光素子 | |
| JPH11144876A (ja) | 発光素子 | |
| JPH10208880A (ja) | 発光素子 | |
| JP5102522B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3932605B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH0693256A (ja) | 有機薄膜発光素子 |