JPH09162344A - Lead frame - Google Patents
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- JPH09162344A JPH09162344A JP7316703A JP31670395A JPH09162344A JP H09162344 A JPH09162344 A JP H09162344A JP 7316703 A JP7316703 A JP 7316703A JP 31670395 A JP31670395 A JP 31670395A JP H09162344 A JPH09162344 A JP H09162344A
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに係
り、特に半導体素子搭載面の裏面側に絶縁性テープを介
して放熱板を固着してなるリードフレームに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame, and more particularly to a lead frame having a heat radiating plate fixed to the back side of a semiconductor element mounting surface via an insulating tape.
【０００２】[0002]
【従来技術】半導体装置の組立に用いられるリードフレ
ームは、リードフレームメーカーにてスタンピング法あ
るいはエッチング法で所定形状に加工され、その後、半
導体装置メーカーにて半導体チップの搭載やワイヤボン
ディングがなされ、インナーリードやボンディングワイ
ヤ、半導体チップの樹脂封止工程を経て製造されてい
る。2. Description of the Related Art A lead frame used for assembling a semiconductor device is processed into a predetermined shape by a stamping method or an etching method by a lead frame maker, and then a semiconductor chip is mounted and wire bonded by a semiconductor device maker. It is manufactured through a resin sealing process for leads, bonding wires, and semiconductor chips.
【０００３】また電力用トランジスタなど、大電流用と
して用いられる半導体装置の場合、高温となることが多
く、リードフレーム本体を放熱板に固着して用いられる
ことが多いが、近年半導体装置の高集積化に伴い、使用
されるリードフレームのリード特にインナーリードの幅
は極めて細くなっており、リードフレームメーカーから
の出荷時点までは、変形がない状態であっても、輸送中
の振動などの影響で変形を生じてしまうという問題があ
った。Further, in the case of a semiconductor device used for a large current such as a power transistor, the temperature is often high, and the lead frame body is often used by fixing it to a heat dissipation plate. In recent years, the semiconductor device is highly integrated. With this, the width of the lead of the lead frame used, especially the inner lead, has become extremely narrow.Because of the influence of vibration during transportation, etc. until the time of shipment from the lead frame manufacturer, there is no deformation. There was a problem of causing deformation.
【０００４】インナーリードの変形は、ボンディングミ
スの原因になり、製造歩留まりの低下の大きな原因とな
るため、図１２および図１３に示すように、半導体チッ
プ搭載領域だけでなく、インナーリード１２先端をも放
熱板３に固着するという方法が提案されている。The deformation of the inner lead causes a bonding error and a large cause of a decrease in manufacturing yield. Therefore, as shown in FIGS. 12 and 13, not only the semiconductor chip mounting area but also the tip of the inner lead 12 is not formed. Also, a method of fixing the same to the heat dissipation plate 3 has been proposed.
【０００５】放熱板３とリードフレーム本体部１との結
合はヒートブロックＨなどを用いて加熱することにより
なされるが、インナーリード１２先端にはコイニングが
施され、肉薄の領域となっているため、リードフレーム
本体部１と放熱板３との間に隙間が生じる。このため、
リードフレーム本体部１と放熱板３との接着の際このコ
イニング部には圧力がかからず、リードフレーム本体部
１と放熱板３との接着の際に未接着の領域が生じたりま
た使用時における熱により剥がれが生じたりすることも
ある。これはＩＣ組み立て後の信頼性低下の原因となっ
ていた。The heat radiating plate 3 and the lead frame main body 1 are coupled to each other by heating them using a heat block H or the like, but since the tips of the inner leads 12 are coined, they are thin regions. A gap is created between the lead frame body 1 and the heat dissipation plate 3. For this reason,
When the lead frame body 1 and the heat sink 3 are adhered, no pressure is applied to the coining portion, and when the lead frame body 1 and the heat sink 3 are adhered, an unadhered region may be formed or when used. Peeling may occur due to heat in the. This has been a cause of deterioration in reliability after IC assembly.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のリ
ードフレームでは、リードの微細化にともない、輸送中
の振動などの影響でインナーリードに変形が生じやすい
という問題があり、また使用時に、高温になると、放熱
板３とインナーリード１２、半導体素子搭載部（ダイパ
ッド１１）などとの剥がれが生じる原因となっていた。As described above, in the conventional lead frame, there is a problem that the inner lead is apt to be deformed due to vibration during transportation due to miniaturization of the lead, and when used, At a high temperature, the heat dissipation plate 3, the inner lead 12, the semiconductor element mounting portion (die pad 11) and the like are separated from each other.
【０００７】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、製造時のみならず使用時においても、剥がれが生じ
ることなく信頼性の高いリードフレームを提供すること
を目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a highly reliable lead frame that does not peel off not only during manufacturing but also during use.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】そこで本発明の第１の特
徴は、半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭載部を取
り囲むように放射状に配置された複数のインナ−リ−ド
と、インナ−リ−ドそれぞれに連続した複数のアウタ−
リ−ドとを備えたリードフレ−ム本体と、前記リードフ
レーム本体の裏面側に、絶縁性テープを介して、前記半
導体素子搭載部からその周縁の前記インナーリード先端
にまで到達するように放熱板を固着してなるリードフレ
ームにおいて、前記放熱板が、前記リードフレーム本体
の半導体素子搭載部とインナーリード先端との間に相当
する領域に開口部を具備してなることにある。Therefore, a first feature of the present invention is to provide a semiconductor element mounting portion, a plurality of inner leads radially arranged so as to surround the semiconductor element mounting portion, and an inner lead. Multiple outers for each lead
A lead frame body provided with a lead, and a heat radiating plate on the back side of the lead frame body so as to reach from the semiconductor element mounting portion to the tip of the inner lead on the periphery thereof via an insulating tape. In the lead frame in which is fixed, the heat radiating plate has an opening in a region corresponding to a portion between the semiconductor element mounting portion of the lead frame body and the inner lead tip.
【０００９】本発明の第２の特徴は、前記絶縁性フィル
ムが、前記リードフレーム本体の半導体素子搭載部とイ
ンナーリード先端との間に相当する領域に開口部を具備
してなることにある。A second feature of the present invention is that the insulating film has an opening portion in a region corresponding to a portion between the semiconductor element mounting portion of the lead frame body and the inner lead tip.
【００１０】本発明の第３の特徴は、前記絶縁性フィル
ムおよび前記放熱板が、前記リードフレーム本体の半導
体素子搭載部とインナーリード先端との間に相当する領
域に開口部を具備してなることにある。A third feature of the present invention is that the insulating film and the heat dissipation plate have an opening in a region corresponding to a portion between the semiconductor element mounting portion of the lead frame body and the inner lead tip. Especially.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明によれば、インナーリード
および半導体素子搭載部とが良好に放熱板と固着せしめ
られ、インナーリードが放熱板上で固定されている状態
でリードフレームメーカーから出荷されるため、輸送中
の振動や温度変化によって変形を起こすことがない。According to the present invention, the inner lead and the semiconductor element mounting portion are satisfactorily fixed to the heat sink, and the inner lead is fixed on the heat sink and shipped from the lead frame maker. Therefore, deformation does not occur due to vibration or temperature change during transportation.
【００１２】また、このリードフレームによれば、放熱
板およびまたは絶縁性テープのいずれか一方もしくは両
方の未接着が開口部を設け、これを空気の逃げ穴とした
構成となっているため、上記未接着の問題は解消され
る。さらに放熱板も開口部を設けた場合にはモールド樹
脂抜けの防止、封止樹脂との密着性の向上などの効果を
も奏効する。Further, according to this lead frame, one or both of the heat radiating plate and the insulating tape is left unbonded to form an opening, which serves as an air escape hole. The problem of unbonding is solved. Further, when the heat dissipation plate is also provided with the opening portion, it is effective in preventing the mold resin from coming off and improving the adhesiveness with the sealing resin.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１４】図１は、本発明実施例のリードフレーム製
造工程の断面図、図２は同リードフレームの分解説明
図、図３は同リードフレームで用いられる放熱板の上面
図である。FIG. 1 is a sectional view of a lead frame manufacturing process of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded view of the lead frame, and FIG. 3 is a top view of a heat dissipation plate used in the lead frame.
【００１５】このリードフレームは、リードフレーム本
体１の半導体チップ搭載部（ダイパッド）１１からイン
ナーリード１２先端部に至る領域に、絶縁性のポリイミ
ドフィルム２を介して厚さ０．１５〜０．２５４mmの銅
板からなる放熱板３を固着したものにおいて、前記イン
ナーリード１２先端とダイパッド１１の間に相当する領
域に、スリットＳをもつ放熱板３を用いたことを特徴と
するものである。This lead frame has a thickness of 0.15 to 0.254 mm in a region from the semiconductor chip mounting portion (die pad) 11 of the lead frame body 1 to the tips of the inner leads 12 with an insulating polyimide film 2 interposed. The heat radiation plate 3 made of a copper plate is fixed, and the heat radiation plate 3 having a slit S is used in a region corresponding to the tip of the inner lead 12 and the die pad 11.
【００１６】すなわち、ダイパッド１１のまわりに放射
状に配列された複数のインナーリード１２と、このイン
ナーリードそれぞれに接続されたアウターリード１３と
ダムバー１４とを具備したリードフレーム本体と、この
半導体チップ搭載領域および前記インナーリード先端の
肉薄領域との間に相当する領域にスリットＳを形成した
放熱板３をポリイミドテープ２を介して貼着し、インナ
ーリード先端部を固定するとともに放熱性の高いリード
フレームを提供する。That is, a lead frame body having a plurality of inner leads 12 radially arranged around the die pad 11, outer leads 13 and dam bars 14 connected to the inner leads, respectively, and a semiconductor chip mounting area. Also, a heat dissipation plate 3 having a slit S formed in a region corresponding to the thin region of the inner lead tip is adhered via a polyimide tape 2 to fix the inner lead tip and to provide a lead frame having high heat dissipation. provide.
【００１７】なおこのリードフレームは、図１に示すよ
うにヒートブロック上にリードフレーム本体部を載置し
ポリイミドテープ２を挟んで放熱板を上方からプレスす
ることにより、結合せしめられる。As shown in FIG. 1, this lead frame is joined by placing the lead frame main body on a heat block, sandwiching the polyimide tape 2 and pressing a heat radiating plate from above.
【００１８】他の部分は通常のリードフレームと全く同
様に形成されており、アロイ４２と指称されている帯状
材料を用い、順送り金型を用いて形状加工がなされ、ま
たインナーリード先端およびダイパッドにはＡｇなどの
貴金属めっき層が形成されている。The other parts are formed in exactly the same manner as a normal lead frame, and are formed by using a band-shaped material called alloy 42 and a progressive die, and the inner lead tips and die pads are formed. Has a noble metal plating layer such as Ag formed thereon.
【００１９】すなわちこのリードフレームの製造に際し
ては、まず、アロイ４２と指称されている帯状材料から
プレス法により、リードフレーム本体１を成型加工す
る。次いで、スリットＳを有する放熱板３を加工する。
この後、図１に示したようにヒートブロックＨ上にリー
ドフレーム本体１、テープ２、放熱板３の順に積層し、
上方から加圧しながら加熱し固着する。このときインナ
ーリード先端部の肉薄領域と放熱板との間に間隙が形成
されるため、逃げ穴がないと、空気がたまり剥離の原因
となることがある。しかしながら、本発明によれば、放
熱板３にスリットＳが形成されているため、このスリッ
トＳが、結合に際して空気の逃げ穴として作用し、良好
に結合がなされ、剥がれが生じることはない。That is, when manufacturing this lead frame, first, the lead frame main body 1 is molded from a band-shaped material called alloy 42 by a pressing method. Next, the heat dissipation plate 3 having the slit S is processed.
After that, as shown in FIG. 1, the lead frame body 1, the tape 2, and the heat sink 3 are laminated in this order on the heat block H,
It is heated and fixed while being pressed from above. At this time, a gap is formed between the thin area of the inner lead tip and the heat dissipation plate, so if there is no escape hole, air may accumulate and cause separation. However, according to the present invention, since the slits S are formed in the heat dissipation plate 3, the slits S act as an escape hole for the air at the time of coupling, the coupling is excellent, and peeling does not occur.
【００２０】このようにして、リードフレームが完成せ
しめられ、半導体メーカーなどに供給される。搬送に際
しても、リードフレーム本体の放熱板によって、インナ
ーリード先端部は強固に固定されているため、変形のお
それもなく、高精度にリード間隔が維持され、信頼性の
高いものとなる。In this way, the lead frame is completed and supplied to semiconductor manufacturers and the like. Even during transportation, the inner lead tips are firmly fixed by the heat radiating plate of the lead frame body, so that there is no fear of deformation, the lead interval is maintained with high accuracy, and reliability is high.
【００２１】また、このリードフレームは図４に示すよ
うにダイパッド１１に半導体素子４を載置し、ワイヤボ
ンディングなどにより電気的接続を行った後、樹脂封止
によってパッケージングがなされるが、このスリットＳ
に封止用樹脂５が入り込むことになり、樹脂抜け防止効
果を奏効する。As shown in FIG. 4, the lead frame is packaged by mounting the semiconductor element 4 on the die pad 11 and making electrical connection by wire bonding or the like, followed by resin sealing. Slit S
The sealing resin 5 enters into the space, and the effect of preventing the resin from coming off is effective.
【００２２】なお前記実施例では、放熱板として、銅板
を用いたが、モリブデン、ダイヤモンドフィルム、セラ
ミック、Ｃｕ材にＮｉめっきしたものなども適用可能で
ある。 また、リードフレーム本体にアロイ４２を用い
たが、このようなＮｉ系材料のほかアロイ１９４などの
銅系材料も適用可能である。In the above embodiment, a copper plate was used as the heat dissipation plate, but molybdenum, diamond film, ceramics, a Cu material plated with Ni, and the like are also applicable. Although the alloy 42 is used for the main body of the lead frame, a copper-based material such as alloy 194 may be applied in addition to the Ni-based material.
【００２３】次に本発明の第２の実施例について説明す
る。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
【００２４】図５は、本発明の第２の実施例のリードフ
レーム製造工程の断面図、図６は同リードフレームの分
解説明図、図７は同リードフレームで用いられるテープ
の上面図である。FIG. 5 is a sectional view of the lead frame manufacturing process of the second embodiment of the present invention, FIG. 6 is an exploded explanatory view of the lead frame, and FIG. 7 is a top view of a tape used in the lead frame. .
【００２５】前記第１の実施例では放熱板にスリットＳ
を形成したが、放熱板はそのままの板状体とし、ポリイ
ミドテープ２を図７に示すようにスリットＳ１をもつ構
成としたことを特徴とする。In the first embodiment, the slit S is formed on the heat sink.
However, the heat dissipation plate is a plate-shaped body as it is, and the polyimide tape 2 is characterized by having a slit S1 as shown in FIG.
【００２６】この構造によっても、ポリイミドテープに
スリットが形成されているため、第１の実施例と同様、
このスリットが結合に際して空気の逃げ穴として作用
し、良好に結合がなされ、剥がれが生じることはない。With this structure also, since slits are formed in the polyimide tape, as in the first embodiment,
This slit acts as an escape hole for air at the time of joining, good joining is achieved, and peeling does not occur.
【００２７】また本願発明の第３の実施例について説明
する。A third embodiment of the present invention will be described.
【００２８】図８は、本発明の第３の実施例のリードフ
レーム製造工程の断面図、図９は同リードフレームの分
解説明図、図１０は同リードフレームで用いられるテー
プの上面図、図１１は同リードフレームで用いられる放
熱板の上面図である。FIG. 8 is a sectional view of the lead frame manufacturing process of the third embodiment of the present invention, FIG. 9 is an exploded explanatory view of the lead frame, and FIG. 10 is a top view of a tape used in the lead frame. 11 is a top view of a heat dissipation plate used in the lead frame.
【００２９】前記第１の実施例では放熱板にスリットＳ
を形成し、第２の実施例ではポリイミドテープにスリッ
トＳ１を形成したが、この例では、放熱板、ポリイミド
テープともにスリットを持つようにしたことを特徴とす
るものである。In the first embodiment, the slit S is formed on the heat dissipation plate.
The slit S1 is formed in the polyimide tape in the second embodiment, but this embodiment is characterized in that both the heat dissipation plate and the polyimide tape have slits.
【００３０】この構造によっても、第１および第２の実
施例と同様、このスリットが結合に際して空気の逃げ穴
として作用し、良好に結合がなされ、剥がれが生じるこ
とはない。Also with this structure, as in the first and second embodiments, the slit acts as an escape hole for air at the time of joining, good joining is made, and peeling does not occur.
【００３１】なお、前記実施例１乃至３においては、ダ
イパッドを具備したリードフレームについて説明した
が、ダイパッドなしに半導体素子搭載部としてヒートス
プレッダーを用いたものにも適用可能であることはいう
までもない。Although the lead frame provided with the die pad has been described in the first to third embodiments, it is needless to say that the present invention is also applicable to the one using the heat spreader as the semiconductor element mounting portion without the die pad. Absent.
【００３２】また、開口部の形状としては、適宜変更可
能である。ダイパッドとインナーリード先端との間隔と
同程度であってもよいが、インナーリードのコイニング
領域に対向する領域をすべて含むようにするのが望まし
い。Further, the shape of the opening can be changed appropriately. The distance between the die pad and the tips of the inner leads may be almost the same, but it is desirable to include all the regions facing the coining regions of the inner leads.
【００３３】さらに、前記実施例では、ＩＣチップ、ト
ランジスタチップともにワイヤボンディングを用いて接
続する例について説明したが、ダイレクトボンディング
を用いる場合にも適用可能であることはいうまでもな
い。Further, in the above-described embodiment, an example in which both the IC chip and the transistor chip are connected by using wire bonding has been described, but it goes without saying that the present invention is also applicable to the case of using direct bonding.
【００３４】[0034]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、放熱板とインナーリード本体部とが良好に固着さ
れ、製造時のみならず、輸送中の振動や温度変化によっ
ても剥がれが生じたり、変形を起こしたりすることがな
く、信頼性の高いリードフレームを得ることが可能とな
る。As described above, according to the present invention, the heat radiating plate and the inner lead body are well fixed to each other, and peeling occurs not only during manufacturing but also during vibration or temperature change during transportation. It is possible to obtain a highly reliable lead frame without causing any deformation or deformation.
【図１】本発明の第１の実施例のリードフレームの製造
工程の一部を示す図FIG. 1 is a diagram showing a part of a manufacturing process of a lead frame according to a first embodiment of the present invention.
【図２】同リードフレームの分解説明図FIG. 2 is an exploded explanatory view of the lead frame.
【図３】同リードフレームで用いられる放熱板の上面図FIG. 3 is a top view of a heat dissipation plate used in the lead frame.
【図４】本発明のリードフレームを用いた半導体装置を
示す図FIG. 4 is a diagram showing a semiconductor device using the lead frame of the present invention.
【図５】本発明の第２の実施例のリードフレームの製造
工程の一部を示す図FIG. 5 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the lead frame according to the second embodiment of the present invention.
【図６】同リードフレームの分解説明図FIG. 6 is an exploded view of the lead frame.
【図７】同リードフレームで用いられるポリイミドテー
プの上面図FIG. 7 is a top view of a polyimide tape used in the lead frame.
【図８】本発明の第３の実施例のリードフレームの製造
工程の一部を示す図FIG. 8 is a diagram showing a part of the manufacturing process of the lead frame according to the third embodiment of the present invention.
【図９】同リードフレームの分解説明図FIG. 9 is an exploded view of the lead frame.
【図１０】同リードフレームで用いられる放熱板の上面
図FIG. 10 is a top view of a heat dissipation plate used in the lead frame.
【図１１】同リードフレームで用いられるポリイミドテ
ープの上面図FIG. 11 is a top view of the polyimide tape used in the lead frame.
【図１２】従来例のリードフレームの製造工程の一部を
示す図FIG. 12 is a diagram showing a part of a manufacturing process of a conventional lead frame.
【図１３】同リードフレームの分解説明図FIG. 13 is an exploded explanatory view of the lead frame.
１ リードフレーム ２ ポリイミドテープ ３ 放熱板 ４ 半導体チップ ５ 封止用樹脂 Ｓ スリット Ｓ１ スリット １１ ダイパッド １２ インナーリード １３ アウターリード １４ タイバー 1 Lead Frame 2 Polyimide Tape 3 Heat Sink 4 Semiconductor Chip 5 Sealing Resin S Slit S1 Slit 11 Die Pad 12 Inner Lead 13 Outer Lead 14 Tie Bar
Claims (3)
載部を取り囲むように放射状に配置された複数のインナ
−リ−ドと、インナ−リ−ドそれぞれに連続した複数の
アウタ−リ−ドとを備えたリードフレ−ム本体と、 前記リードフレーム本体の裏面側に、絶縁性テープを介
して、前記半導体素子搭載部からその周縁の前記インナ
ーリード先端にまで到達するように放熱板を固着してな
るリードフレームにおいて、 前記放熱板が、前記リードフレーム本体の半導体素子搭
載部とインナーリード先端との間に相当する領域に開口
部を具備してなることを特徴とするリードフレーム。1. A semiconductor element mounting portion, a plurality of inner leads radially arranged so as to surround the semiconductor element mounting portion, and a plurality of outer leads continuous to the inner leads, respectively. A lead frame body including a heat sink, and a heat radiating plate fixed to the back surface side of the lead frame body via an insulating tape so as to reach the tip of the inner lead from the semiconductor element mounting portion. In the lead frame, the heat dissipation plate has an opening in a region corresponding to a portion between the semiconductor element mounting portion of the lead frame body and the inner lead tip.
載部を取り囲むように放射状に配置された複数のインナ
−リ−ドと、インナ−リ−ドそれぞれに連続した複数の
アウタ−リ−ドとを備えたリードフレ−ム本体と、 前記リードフレーム本体の裏面側に、絶縁性テープを介
して、前記半導体素子搭載部からその周縁の前記インナ
ーリード先端にまで到達するように放熱板を固着してな
るリードフレームにおいて、 前記絶縁性フィルムが、前記リードフレーム本体の半導
体素子搭載部とインナーリード先端との間に相当する領
域に開口部を具備してなることを特徴とするリードフレ
ーム。2. A semiconductor element mounting portion, a plurality of inner leads radially arranged so as to surround the semiconductor element mounting portion, and a plurality of outer leads continuous to the inner leads, respectively. A lead frame body including a heat sink, and a heat radiating plate fixed to the back surface side of the lead frame body via an insulating tape so as to reach the tip of the inner lead from the semiconductor element mounting portion. In the lead frame, the insulating film has an opening in a region corresponding to a portion between the semiconductor element mounting portion of the lead frame body and the inner lead tip.
載部を取り囲むように放射状に配置された複数のインナ
−リ−ドと、インナ−リ−ドそれぞれに連続した複数の
アウタ−リ−ドとを備えたリードフレ−ム本体と、 前記リードフレーム本体の裏面側に、絶縁性テープを介
して、前記半導体素子搭載部からその周縁の前記インナ
ーリード先端にまで到達するように放熱板を固着してな
るリードフレームにおいて、 前記絶縁性フィルムおよび前記放熱板が、前記リードフ
レーム本体の半導体素子搭載部とインナーリード先端と
の間に相当する領域に開口部を具備してなることを特徴
とするリードフレーム。3. A semiconductor element mounting portion, a plurality of inner leads radially arranged so as to surround the semiconductor element mounting portion, and a plurality of outer leads continuous to the inner leads, respectively. A lead frame body including a heat sink, and a heat radiating plate fixed to the back surface side of the lead frame body via an insulating tape so as to reach the tip of the inner lead from the semiconductor element mounting portion. In the lead frame, the insulating film and the heat dissipation plate are provided with an opening portion in a region corresponding to a portion between the semiconductor element mounting portion of the lead frame body and the inner lead tip. flame.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7316703A JPH09162344A (en) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7316703A JPH09162344A (en) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | Lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162344A true JPH09162344A (en) | 1997-06-20 |
Family
ID=18079966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7316703A Pending JPH09162344A (en) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | Lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162344A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009090931A1 (en) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and display apparatus |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP7316703A patent/JPH09162344A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009090931A1 (en) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and display apparatus |
| JP2009194349A (en) * | 2008-01-17 | 2009-08-27 | Sharp Corp | Semiconductor device and display apparatus |
| US8576567B2 (en) | 2008-01-17 | 2013-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and display apparatus |
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