JPH09160728A - 記憶装置のエラー訂正方法 - Google Patents

記憶装置のエラー訂正方法

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JPH09160728A
JPH09160728A JP7346044A JP34604495A JPH09160728A JP H09160728 A JPH09160728 A JP H09160728A JP 7346044 A JP7346044 A JP 7346044A JP 34604495 A JP34604495 A JP 34604495A JP H09160728 A JPH09160728 A JP H09160728A
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JP7346044A
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Manabu Miyata
学 宮田
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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    • G11C29/76Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
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    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
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    • G06F11/108Parity data distribution in semiconductor storages, e.g. in SSD
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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 本発明においては、データを例えば1セ
クタ分読み出し、エラーが存在する場合、そのデータ中
で不良ビット数の検出を行う。そして、予め定めた値を
この不良ビット数と比較して、不良ビット数が多ければ
予備領域をその後使用するという代替処理を行う。 【効果】 不良ビット数が1ビット程度の場合には外来
雑音というケースが多いため、代替処理を行わないよう
にし、記憶装置の予備領域を有効に活用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ディスク装
置、磁気ディスク装置等の記憶装置に対しデータを書き
込んだ場合に、その読出しの際に生じるエラーを訂正
し、適切な処置を行うための記憶装置のエラー訂正方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】情報処理装置には大量のデータやプログ
ラムを格納しておくためのディスク装置が使用される。
これには磁気ディスク装置、フロッピーディスク装置あ
るいは半導体により構成された半導体ディスク装置等が
よく知られている。これらの記憶装置に書き込まれたデ
ータは、各種のアプリケーション実行の際に呼び出され
利用される。このようなデータには高い信頼性が必要で
あり、記憶装置へのデータ書込みの際には、万一読出し
エラーが生じた場合に、その内容を正しく訂正するため
のデータが付加される。外部雑音の侵入等によってこの
ような読出しエラーが生じることがあるが、近年の情報
処理装置は雑音に対する遮蔽技術等が発達し、この種の
エラーは更に減少の傾向にある。
【0003】ここで、例えばフラッシュメモリ等を利用
した半導体ディスク装置は、データの読み書きを繰り返
すと、その繰り返し回数が一定以上に達した場合に、デ
ータの記憶動作が不安定になり、その後、書込み不能と
なる。このような欠陥が生じた場合には、従来、その欠
陥のあるセクタをそっくり使用禁止にし、予備領域に対
し該当するデータを格納するという代替処理を行うよう
にしていた。即ち、データの読出しを行ってエラーが発
生した場合には、記憶媒体の欠陥があると見なし、その
エラーを訂正する一方で代替処理を実行するといった方
法で対処していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来の記憶装置のエラー訂正方法には次のような解決
すべき課題がある。既に説明したように、外部雑音等に
よって読み出したデータにエラーを生じる率は近年ます
ます減少している。しかしながら、これは皆無ではな
い。従って、記憶装置から読み出したデータにエラーが
生じた場合に一律に代替処理を実行すると、予備領域が
次第に減少し、記憶装置全体の寿命を縮めてしまう。一
方、エラーが発生しても訂正可能なエラーである限り訂
正処理を行い、代替処理の対象を絞る方法もあるが、こ
れではデータの読み出し動作を行う度にその訂正を行う
必要があり、アクセス時間が長くなるという問題があっ
た。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は以上の点を解決
するため次の構成を採用する。 〈構成1〉記憶媒体から読み出したデータにエラーがあ
って、かつ、そのデータが訂正可能な場合に、そのデー
タの訂正を行うとともに、読み出したデータに含まれる
不良ビット数を検出し、この不良ビット数が予め設定し
た値以下の場合には、そのまま訂正後のデータを出力
し、不良ビット数が予め設定した値を越える場合には、
上記記憶媒体の予備領域にそのデータを格納して、これ
まで格納していた記憶領域の使用を禁止する代替処理を
実行する。
【0006】〈説明〉記憶媒体の特定の領域に障害があ
ると、その領域から読み出した一連のデータには、偶発
的でない頻度の高いエラーが生じる。エラーを生じたデ
ータは、予め準備したエラー訂正用のデータにより訂正
できることが多いが、エラービットが多ければ、記憶領
域の障害と判断し、記憶媒体の予備領域を使用する代替
え処理を行う。こうすれば、次の読み出し時に、再度訂
正処理を繰り返すのを防止できる。一方、エラービット
が少なければ、偶発的なエラーと判断し、代替え処理は
しない。これにより、記憶媒体の予備領域の無駄遣いを
防止できる。
【0007】〈構成2〉記憶媒体から読み出したデータ
にエラーがあって、かつ、そのデータが訂正可能な場合
に、そのデータの訂正を行うとともに、そのデータの読
み出し時の訂正回数を累積して記録し、訂正回数が予め
設定した限界値を越える場合には、上記記憶媒体の予備
領域にそのデータを格納して、これまで格納していた記
憶領域の使用を禁止する代替処理を実行する。
【0008】〈説明〉半導体ディスクのような記憶媒体
では、読み書き回数が所定回数を越えると動作が不安定
になる。一方、健全な状態ではほとんどエラーは生じな
い。そこで、エラー発生回数を累積して累積値が限界を
越えたらその記憶領域の使用を停止する。これにより、
データの信頼性を確保しつつ、記憶媒体の予備領域を有
効に活用できる。
【0009】〈構成3〉記憶媒体から読み出したデータ
にエラーがあって、かつ、そのデータが訂正可能な場合
に、そのデータの訂正を行うとともに、そのデータの読
み出し時の訂正が連続したかどうかを検出し、訂正が連
続的に生じた場合には、上記記憶媒体の予備領域にその
データを格納して、これまで格納していた記憶領域の使
用を禁止する代替処理を実行する。
【0010】〈説明〉偶発的なエラーが同一の記憶領域
に対して連続的に生じる場合は極めて稀である。一方、
記憶領域に障害があれば、読み出し時にエラーが連続的
に発生する。これを検出すれば、記憶媒体の代替処理を
確実に行える。
【0011】〈構成4〉記憶媒体から読み出したデータ
にエラーがあって、かつ、そのデータが訂正可能な場合
に、そのデータの訂正を行うとともに、そのデータの読
み出し時の訂正頻度を計算して、訂正頻度が予め設定し
た限界値を越えているときは、上記記憶媒体の予備領域
にそのデータを格納して、これまで格納していた記憶領
域の使用を禁止する代替処理を実行する。
【0012】〈説明〉偶発的なエラーが同一の記憶領域
に対して連続的に生じる場合は稀である。一方、記憶領
域の動作が不安定であれば、読み出し時にエラーが高い
頻度で生じる。これを検出すれば、記憶媒体の代替処理
を、早期に永久故障の発生する前に行える。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を具体
例を用いて説明する。 〈具体例1〉図1は、本発明による記憶媒体のリード動
作フローチャートである。この方法の説明の前に、まず
本発明の方法を実施するための一般の記憶装置の構成を
説明する。図2は、一般の記憶装置の構成を示すブロッ
ク図である。図の外部記憶装置10は、例えば半導体デ
ィスク装置により構成されている。この外部記憶装置1
0はホストコンピュータ20と接続されており、データ
の書込み及び読出しが実行される。外部記憶装置10に
はインタフェース部1、バッファメモリ2、コントロー
ラ部3、ECC部(エラー検出訂正部)4、記憶媒体5
が設けられている。
【0014】図3には、このような記憶装置に対するデ
ータのライト動作フローチャートを示す。一般には、こ
のような手順でデータの書込みが行われる。まず、ステ
ップS1において、外部記憶装置10はインタフェース
部1からデータを受け入れる。このデータはステップS
2においてバッファメモリ2に書き込まれる。次にステ
ップS3では、ECC部4がデータのエラー検出用及び
訂正用データを生成し、これに付加する。そして、ステ
ップS4において、記憶媒体5へのデータ書込みが行わ
れる。
【0015】図4に、一般の記憶装置のリード動作フロ
ーチャートを示す。まず、ステップS1において、記憶
媒体5からデータの読出しが行われる。この読出しは、
例えばセクタ単位で行われる。ステップS2では、この
データをバッファメモリ2へ格納する。ステップS3で
は、ECC部4がこのデータのエラーの有無を検査す
る。そして、訂正不可能のエラーであればステップS4
に移り、エラー処理を行う。このエラー処理というの
は、データの再送要求をしたり、あるいは各種のエラー
メッセージの出力等の処理である。また、訂正可能なエ
ラーであればステップS5に移り、データの訂正を行
う。その後、ステップS6へ移り、データをホストへ送
る。なお、エラーが無い場合は直接ステップS3からス
テップS6に移り、データをホストへ送る。なお、ここ
で、従来は、一律にデータの訂正を行うか、あるいは図
に示すような代替処理を一律に行うようにしていた。
【0016】本発明では、図1に示すようにして一定の
条件下に代替処理を行うかどうかの判断をする。図1に
戻って、本発明の動作を具体的に説明する。この図1に
示すフローチャートで、ステップS1、ステップS2、
ステップS3の処理は、図4を用いて説明した一般の処
理と同様である。即ち、ステップS1で記憶媒体からデ
ータを読み取り、ステップS2でバッファメモリへデー
タの格納をし、ステップS3でエラーの有無をチェック
する。訂正不可能なエラーの処理も従来と同様である。
【0017】一方、訂正可能なエラーの処理は、ステッ
プS5に移り、データの訂正を行った後、ステップS6
で不良ビット数の検出を行う。即ち、例えば1セクタ分
のデータを読み出した場合に、不良ビット数が何ビット
存在したかをここで検出する。そして、ステップS7に
おいて、予め設定した値とこの不良ビット数とを比較す
る。例えば、この設定した値は“2”とする。即ち、外
来雑音等によって稀に発生するデータエラーはほとんど
の場合1ビットである。一方、記憶媒体の動作不安定や
不良によるエラーは2ビット以上にわたることが多い。
従って、外来雑音による場合と、記憶媒体が原因する場
合とをこの不良ビット数により切り分ける。その結果、
不良ビット数が“1”の場合には、データ訂正後ステッ
プS9へそのまま移り、ホストへデータを送る。一方、
不良ビット数が“2”以上存在する場合には、ステップ
S8に移り、代替処理が行われる。
【0018】図5には、この代替処理の具体的な動作説
明図を示す。この図に示すように、記憶媒体5のある記
憶領域11からデータを読み出した場合に不良ビット数
が多いことを検出すると、データの訂正を行い、ホスト
コンピュータに送ると共に、この領域から読み出した訂
正後のデータを記憶媒体5の予備領域12に存在する空
き領域13に格納する。そして、エラーの処理を行う際
に、記憶領域11に不良マーク14を付けて、以後この
記憶領域11の使用を禁止する。こうして、記憶領域1
1の代わりに空き領域13を代替セクタとして使用す
る。代替処理は以上のような内容で、この処理の内容自
体は従来と同様である。本発明においては、不良ビット
数に応じてこの代替処理を実行するかしないかを切り分
け、これによって外来雑音によって読み出しエラーが生
じた場合には、データの訂正処理のみを行うため記憶媒
体の予備領域が節約できる。また、一定ビット数以上の
エラーが生じるような場合には代替処理を行い、データ
読出しの都度訂正処理を行うことによってアクセス速度
が低下するのを防止する。
【0019】図6には、半導体ディスクのメモリ素子動
作説明図を示す。ここで、半導体ディスクの場合のメモ
リ素子がそのリードライト回数に応じてどのような経過
を辿るかを説明する。図の(a)は、読み出しエラーの
累積値を縦軸にとり、横軸にはリードライト回数を示し
た。(b)には、同様に横軸にリードライト回数を示
し、縦軸にはデータが正常な場合には“1”、エラーの
場合には“−1”となるような表示を行った。即ち、リ
ードライト回数が少ない場合には、読み出しエラーは生
じないが、ある回数を越えると次第に不安定になり、読
み出しエラーが頻発し、最後に永久故障となる。このよ
うな読み出しエラーの回数を累積すると、図の(a)に
示すように、永久故障が発生するまで緩やかに累積値が
増加し、その後は連続的にエラーが生じるため、直線的
に累積値が増加する。
【0020】第2の具体例においては、このような半導
体ディスクの性質を利用し、読み出しエラーの累積値が
図に示す限界値Gを越えた場合に代替処理を実行させ
る。即ち、動作が不安定になり読み出しエラーの頻度が
高くなると、読み出しの都度その内容を訂正する処理が
負担になる。そこで、丁度動作が不安定になる直前ある
いは直後のタイミングで代替処理を行うようにする。
【0021】図7には、このような動作を行うための具
体的な処理の説明図を示す。この図に示すように、この
動作を行うためには記憶媒体中にデータ21と共に訂正
可能なエラーの発生回数22を格納しておく。そして、
データの読み出しと共に訂正可能なエラーの発生回数2
2を読み出し、比較部23において限界値Lと比較す
る。これによって、その判定結果を得る。
【0022】図8には、この第2の具体例の動作フロー
チャートを示す。まず、ステップS1において、記憶媒
体よりデータを読み出し、ステップS2において、それ
をバッファメモリに格納する。更にステップS3におい
て、エラーの有無を検出し、訂正不可能なエラーはステ
ップS4でエラー処理を実行する。また、ステップS3
で訂正可能なエラーと判断された場合には、ステップS
5に移りデータの訂正を行う。ここで、ステップS6で
先に説明した訂正可能なエラーの発生回数を読み出す。
そして、ステップS7において、予め設定した値と比較
する。この値は、記憶媒体が寿命に達するリードライト
回数近くまで使用した場合に、外来雑音によって生じる
エラーの累積値を考慮して設定する。このようなエラー
発生の確率が極めて少ない場合には、それに応じた限界
値を設定する。そして、限界値以下の場合には今回発生
した回数を加えて訂正可能エラー発生回数を保存してお
く。そして、ステップS10でホストへデータを送る。
一方、限界値を越えた場合にはステップS9に移り、先
に説明した代替処理を実行する。
【0023】この第2の具体例では、上記のように読み
出しエラーの累積値を基準にして代替処理の必要の有無
を判断した。従って、半導体ディスク装置の場合には、
特に図6に示すような動作を行う傾向が強いため、これ
に適した代替処理の管理が可能となる。また、動作が不
安定になった段階で代替処理を行うためには、比較的短
期間に繰り返しエラーが発生したことを検出すればよ
い。従って、その記憶媒体の使用開始時からの累積値と
限界値を比較するのでなく、一定期間のエラー発生回数
を限界値と比較する。これによって、データの読み出し
時の訂正頻度を基準として代替処理を行うことができ
る。このようにしても記憶媒体の代替処理を効率的に行
うことができる。なお、数回連続してエラーが発生した
場合には永久故障と見なせるから、その場合に直ちに代
替処理を行ってもよい。
【0024】上記の具体例では、半導体ディスク装置を
例に挙げて説明を行った。しかしながら、磁気ディスク
装置、フロッピーディスク装置等、各種の記憶装置には
それぞれ類似した性質があり、先に説明したいずれかの
具体例を使用することによって適切な代替処理の管理が
可能となる。従って、いずれの場合にも記憶媒体の予備
領域を有効に利用し、記憶装置自体の長寿命化を図るこ
とが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による記憶媒体のリード動作フローチャ
ートである。
【図2】一般の記憶装置のブロック図である。
【図3】一般の記憶装置ライト動作フローチャートであ
る。
【図4】一般の記憶装置リード動作フローチャートであ
る。
【図5】代替処理の動作説明図である。
【図6】半導体ディスクのメモリ素子動作説明図であ
る。
【図7】限界値との比較動作説明図である。
【図8】本発明による別の具体例の動作フローチャート
である。
【符号の説明】
ステップS1〜ステップS9 処理ステップ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記憶媒体から読み出したデータにエラー
    があって、かつ、そのデータが訂正可能な場合に、 そのデータの訂正を行うとともに、読み出したデータに
    含まれる不良ビット数を検出し、 この不良ビット数が予め設定した値以下の場合には、そ
    のまま訂正後のデータを出力し、 不良ビット数が予め設定した値を越える場合には、前記
    記憶媒体の予備領域にそのデータを格納して、これまで
    格納していた記憶領域の使用を禁止する代替処理を実行
    することを特徴とする記憶装置のエラー訂正方法。
  2. 【請求項2】 記憶媒体から読み出したデータにエラー
    があって、かつ、そのデータが訂正可能な場合に、 そのデータの訂正を行うとともに、 そのデータの読み出し時の訂正回数を累積して記録し、 訂正回数が予め設定した限界値を越える場合には、 前記記憶媒体の予備領域にそのデータを格納して、これ
    まで格納していた記憶領域の使用を禁止する代替処理を
    実行することを特徴とする記憶装置のエラー訂正方法。
  3. 【請求項3】 記憶媒体から読み出したデータにエラー
    があって、かつ、そのデータが訂正可能な場合に、 そのデータの訂正を行うとともに、 そのデータの読み出し時の訂正が連続したかどうかを検
    出し、 訂正が連続的に生じた場合には、 前記記憶媒体の予備領域にそのデータを格納して、これ
    まで格納していた記憶領域の使用を禁止する代替処理を
    実行することを特徴とする記憶装置のエラー訂正方法。
  4. 【請求項4】 記憶媒体から読み出したデータにエラー
    があって、かつ、そのデータが訂正可能な場合に、 そのデータの訂正を行うとともに、 そのデータの読み出し時の訂正頻度を計算して、 訂正頻度が予め設定した限界値を越えているときは、 前記記憶媒体の予備領域にそのデータを格納して、これ
    まで格納していた記憶領域の使用を禁止する代替処理を
    実行することを特徴とする記憶装置のエラー訂正方法。
JP7346044A 1995-12-11 1995-12-11 記憶装置のエラー訂正方法 Pending JPH09160728A (ja)

Priority Applications (2)

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US08/740,899 US5740177A (en) 1995-12-11 1996-11-04 Method of correcting error, suitable for storage device

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