JPH09148260A - 半導体ウエハーの加熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体ウエハーＷを均一に加熱することができ
る半導体ウエハーの加熱処理装置を提供する。 【解決手段】半導体ウエハーＷを支持するウエハー支持
体２の基盤２１上に、整流板４を設け、昇降ロッド３１
の中空部３１ａを通して供給されるガスが、半導体ウエ
ハーＷの中央部に直接吹き付けられるのを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハー
の製造プロセスにおいて、アニール酸化膜を形成した
り、不純物を拡散させたり、蒸着膜を形成したりするた
めに使用される半導体ウエハーの加熱処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体ウエハーの製造プロセスに
おいては、焼鈍、リン，ヒ素等の不純物の拡散、酸化膜
の形成、化学蒸着等のために、急熱炉を備える加熱処理
装置が使用されている。この加熱処理装置の一つに、半
導体ウエハーを、一枚ずつ水平に支持した状態で加熱す
るものが提供されている（例えば特開平２−１４５１４
号公報参照）。

【０００３】この種の加熱処理装置は、プロセスチャン
バー内に供給された半導体ウエハーを、水平に支持する
ウエハー支持体と、このウエハー支持体を支承する筒状
の昇降ロッドを有し、当該ウエハー支持体に支持された
半導体ウエハーを、加熱チャンバーに移送する昇降手段
と、加熱チャンバーに移送された半導体ウエハーを、放
射加熱する赤外線ヒータ等を備えており、上記ウエハー
支持体を昇降手段によって上昇させることにより、ウエ
ハー支持体に支持された半導体ウエハーを、ローディン
グ位置から加熱チャンバーに移送して、所定の加熱処理
を行うことができる。この際、上記昇降ロッドの中空部
を通して、加熱処理に必要な酸素等のガスを、半導体ウ
エハーに供給する。そして、この加熱処理が完了した時
点で、ウエハー支持体を下降させることにより、半導体
ウエハーを再び上記ローディング位置に復帰させて、プ
ロセスチャンバーから取り出すことができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
加熱処理装置においては、円板状の半導体ウエハーを、
加熱チャンバーで加熱処理する際に、上記昇降ロッドの
中空部を通して供給されるガスが、半導体ウエハーの中
央部に直接吹き付けられるので、当該中央部が冷却され
ることになる。しかも、上記加熱処理装置は、半導体ウ
エハーと赤外線ヒータとの位置関係に起因して、半導体
ウエハーの中央部に対する赤外線の照射量が、その外周
側よりも少なくなるために、赤外線ヒータによる加熱温
度自体も、外周側よりも中心部が低くなる傾向がある。
このため、上記ガスの吹き付けによる半導体ウエハーの
温度低下の影響が大きく、成膜の厚みがばらついて、そ
の表面抵抗が不均一になったり、結晶欠陥を生じたりし
易いという問題があった。

【０００５】この発明は、上記問題点に鑑みてなされた
ものであり、半導体ウエハーをより均一に加熱すること
ができ、膜厚がばらついたり、結晶欠陥を生じたりする
のを防止することができる半導体ウエハーの加熱処理装
置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
のこの発明の半導体ウエハーの加熱処理装置は、円板状
の半導体ウエハーを、基盤上に立設された支持ピンによ
って、基盤から浮揚させた状態で水平に支持するウエハ
ー支持体と、上記ウエハー支持体を支承するとともに中
空部を通して半導体ウエハーにガスを供給する筒状の昇
降ロッドを有し、上記ウエハー支持体を昇降ロッドを介
して上昇させて、ウエハー支持体に支持された半導体ウ
エハーを加熱チャンバーに移送する昇降手段と、上記加
熱チャンバーに移送された半導体ウエハーを放射加熱す
るヒータとを備える半導体ウエハーの加熱処理装置にお
いて、上記基盤上に、上記昇降ロッドの中空部を通して
供給されるガスが、半導体ウエハーの中央部に直接吹き
付けられるのを防止する整流板を設けたことを特徴とす
るものである。

【０００７】上記の構成の半導体ウエハーの加熱処理装
置によれば、上記昇降ロッドの中空部を通して供給され
るガスが、半導体ウエハーの中央部に直接吹き付けられ
るのを、上記基盤上に設けた整流板によって防止するこ
とができる。このため、当該ガスによって半導体ウエハ
ーの中央部が冷却されるのを防止することができる。

【０００８】上記整流板は、円板状のものであって、そ
の外径を、半導体ウエハーの外径の６０％を超えるか、
又は上記昇降ロッドの中空部を通して供給されるガスの
吹き出し口の内径の２倍を超え、当該半導体ウエハーの
外径寸法未満の範囲に設定しておくのが好ましく、この
場合において、上記整流板と基盤との間隔は、ウエハー
支持体に支持された半導体ウエハーと基盤との間隔の１
５％を超え５０％未満の範囲に設定しておくのが好まし
い。

【０００９】上記整流板の外径が、半導体ウエハーの外
径の６０％以下又は上記ガスの吹き出し口の内径の２倍
以下であると、半導体ウエハーのうちの、整流板の外周
に対応する部分にガスが直接吹き付けられて、当該部分
の温度が低下し易い。また、上記整流板の外径が、半導
体ウエハーの外径寸法以上であると、半導体ウエハー全
体にわたってガスが直接吹き付けられるのを防止するこ
とができるが、ガスが大きく分散されて、ガス濃度が薄
くなるので、加熱処理に時間がかかることになる。一
方、上記整流板と基盤との間隔が、ウエハー支持体に支
持された半導体ウエハーと基盤との間隔の１５％以下で
あれば、供給ガスが直接半導体ウエハーに吹き付けられ
るのを効果的に防止することができるものの、半導体ウ
エハーと整流板との間隔が大きくなるので、半導体ウエ
ハーにガスを十分に供給することができなくなる。ま
た、上記整流板と基盤との間隔が、ウエハー支持体に支
持された半導体ウエハーと基盤との間隔の５０％以上で
あれば、半導体ウエハーの外周側に吹き付けられるガス
の量が増えるために、当該外周側の加熱温度が低下し易
くなる。

【００１０】上記整流板は、透明な石英からなるものが
好ましく、この場合には、加熱された半導体ウエハーか
ら放射される赤外線が、整流板を透過可能であるので、
当該赤外線を、整流板及び昇降ロッドの中空部を通し
て、昇降ロッドの下端部で受光して、半導体ウエハーの
表面温度を測定することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態につい
て、添付図面を参照しながら詳述する。図１はこの発明
の半導体ウエハーの加熱処理装置の一つの実施の形態を
示す要部拡大断面図であり、図２はその全体を示す概略
断面図である。この加熱処理装置は、半導体ウエハーＷ
を加熱する急熱炉１と、プロセスチャンバーＣの内部に
おいて半導体ウエハーＷを支持するウエハー支持体２
と、このウエハー支持体２を支承する昇降ロッド３１を
備え、当該ウエハー支持体２に支持された半導体ウエハ
ーＷを昇降させる昇降手段３と、上記昇降ロッド３１の
中空部３１ａを通して供給される加熱処理用のガスが、
半導体ウエハーＷの中央部に直接吹き付けられるのを防
止する整流板４と、半導体ウエハーＷの加熱温度を測定
する温度測定器５と、ウエハー支持体２に半導体ウエハ
ーＷを供給したり、ウエハー支持体２から半導体ウエハ
ーＷを取り出したりするハンドリング手段６と、上記昇
降手段３やハンドリング手段６の駆動を制御する制御部
７等によって主要部が構成されている。

【００１２】上記急熱炉１は、プロセスチャンバＣを構
成する筒体１１の上部外周に、赤外線ヒータ１２を配置
したものであり、上記筒体１１の途中部は、断熱材１３
によって覆われている。上記筒体１１は、石英、ＳｉＣ
等からなるものであり、上部が閉塞されているととも
に、下部が開口されている。この筒体１１の下部の開口
は、上記ハンドリング手段６が構成された搬送チャンバ
ーＢに連通されており、この搬送チャンバーＢの底部は
底板Ｂ１によって閉塞されている。なお、上記プロセス
チャンバＣの上部は加熱チャンバーＡとして構成されて
いる。

【００１３】ウエハー支持体２は、石英、ＳｉＣ等から
なる平板状の基盤２１上に、石英からなる複数本の支持
ピン２２を立設したものである。各支持ピン２２の高さ
は、半導体ウエハーＷを水平に支持できるように、均一
に設定されている。なお、上記支持ピン２２の下端部
は、基盤２１に固着されている。また、上記基盤２１の
中央部には、ガス吹き出し口２１ａが形成されている。

【００１４】上記昇降手段３は、ウエハー支持体２を支
承する上記昇降ロッド３１のほか、この昇降ロッド３１
を昇降自在に支持する静圧軸受３２と、昇降ロッド３１
を昇降させる昇降駆動部３３とを備えている。上記昇降
ロッド３１は、石英管からなるものであり、その上端部
が上記ウエハー支持体２の基盤２１の底部に接続されて
いるとともに、その中空部３１ａが基盤２１のガス吹き
出し口２１ａに連通されており、当該中空部３１ａを通
して加熱処理に必要なドライ酸素等のガスを、半導体ウ
エハーＷに供給できるようになっている。

【００１５】上記昇降駆動部３３は、モータ３３ａと、
このモータ３３ａによって回転駆動されるスパイラルギ
ヤ３３ｂと、上記昇降ロッド３１の下端部が連結され、
スパイラルギヤ３３ｂに対して螺合された昇降部材３３
ｃと、昇降部材３３ｃの昇降をガイドするガイドロッド
３３ｄと、昇降ロッド３１の昇降ストロークを制御する
ためのエンコーダ３３ｅ等を備えている。また、上記昇
降手段３には、昇降ロッド３１を回転させるための回転
駆動機構も構成されている。

【００１６】上記整流板４は、ウエハー支持体２の基盤
２１と、ウエハー支持体２に支持された半導体ウエハー
Ｗとの間に介在されている。この整流板４は、上記昇降
ロッド３１の中空部３１ａ及び基盤２１のガス吹き出し
口２１ａを通して供給されるガスが、半導体ウエハーＷ
の中央部に直接吹き付けられるのを防止することによ
り、当該ガスによって半導体ウエハーＷの中央部が冷却
されるのを抑制する。この整流板４は、透明な石英から
なる円板状のものであり、その下面には、当該整流板４
を基盤２１から浮揚させた状態に配置するための複数の
脚４１が垂設されている。

【００１７】上記整流板４の外径Ｄ１と半導体ウエハー
Ｗの外径Ｄ２、及び基盤２１のガス吹き出し口２１ａの
内径Ｄ３の相互の関係は、 Ｄ２＞Ｄ１＞Ｄ３ となるように設定するのが好ましい。これは、Ｄ２≦Ｄ
１であれば、基盤２１のガス吹き出し口２１ａから吹き
出すガスが、半導体ウエハーＷの全体にわたって直接吹
き付けられるのを防止することができるが、ガスが広く
分散されて、半導体ウエハーＷを十分な濃度のガス雰囲
気におくことができなくなり、所定膜厚を得るために、
処理時間を長くする必要があるとともに、半導体ウエハ
ーＷが長時間にわたって高温雰囲気にさらされるため
に、格子欠陥が増えるという問題が生じるからであり、
また、Ｄ１≦Ｄ３であれば、ガス吹き出し口２１ａから
吹き出すガスが、半導体ウエハーＷの中央部に対して直
接吹き付けられるのを効果的に防止し得なくなるからで
ある。

【００１８】また、上記整流板４の外径Ｄ１の下限値に
ついては、半導体ウエハーＷの外径Ｄ２の６０％を超え
るか、又は上記ガス吹出し口２１ａの内径Ｄ３に対して
（Ｄ１／Ｄ３）＞２となる範囲に設定しておくのが好ま
しい。これは、上記整流板４の外径Ｄ１が、半導体ウエ
ハーＷの外径Ｄ２の６０％以下、又は（Ｄ１／Ｄ３）＜
２であると、半導体ウエハーＷのうちの、整流板４の外
周に対応する部分にガスが直接吹き付けられて、当該部
分の温度が低下するからである。従って、上記整流板４
の外径Ｄ１と、半導体ウエハーＷの外径Ｄ２又はガス吹
き出し口２１ａの内径Ｄ３との関係は、それぞれ １００（％）＞（Ｄ１／Ｄ２）×１００＞６０（％） 又はＤ２＞Ｄ１＞２×Ｄ３ となるのが好ましく、かかる範囲であれば、半導体ウエ
ハーＷの外周側により多くのガスが吹き付けられるが、
当該外周側は、炉壁から放射される赤外線の吸収量が多
く、高温になるため、半導体ウエハーＷ自体の温度低下
は生じ難い。なお、整流板４の外径Ｄ１の下限値は、半
導体ウエハーＷの外径Ｄ２と上記ガス吹出し口２１ａの
内径Ｄ３とを考慮し、（０．６×Ｄ２）と（２×Ｄ３）
の何れか小さい値に設定される。

【００１９】一方、上記整流板４と基盤２１との間隔Ｓ
１、及び半導体ウエハーＷと基盤２１との間隔Ｓ２の関
係は、 ５０（％）＞（Ｓ１／Ｓ２）×１００＞１５（％） となるのが好ましい。（Ｓ１／Ｓ２）×１００≦１５
（％）であれば、供給ガスが直接半導体ウエハーＷに吹
き付けられるのを効果的に防止することができるが、半
導体ウエハーＷと整流板４との間隔が大きくなるので、
半導体ウエハーＷを十分な濃度のガス雰囲気におくこと
ができなくなる。このため、所定膜厚を得るために、処
理時間を長くする必要があるとともに、半導体ウエハー
Ｗが長時間にわたって高温雰囲気にさらされるために、
格子欠陥が増えるという問題が生じる。また、（Ｓ１／
Ｓ２）×１００≧５０（％）であれば、半導体ウエハー
Ｗの外周側に吹き付けられるガスの量が増えるために、
当該外周側が冷却されて、その膜厚が薄くなり易いとと
もに、半導体ウエハーＷに整流板４が接近することか
ら、整流板４の透明度が下がり、赤外線を透過し難くな
って、半導体ウエハーＷの表面温度を性格に測定し難
い。

【００２０】温度測定器５は、加熱された半導体ウエハ
ーＷから照射される赤外線を、昇降ロッド３１の中空部
３１ａを通して、当該昇降ロッド３１の下端部で受光
し、この受光した赤外線と、比較放射体から放射される
赤外線とを比較して、零位法によって測定する熱線放射
温度計によって構成されている。

【００２１】ハンドリング手段６は、水平方向へ旋回可
能なロボットアーム６１の先端に、半導体ウエハーＷの
裏面（下面）を真空吸着するための吸着盤６２を設けた
ものであり（図１参照）、当該半導体ウエハーＷをウエ
ハー支持体２の支持ピン２２上に供給したり、加熱処理
が完了した半導体ウエハーＷを支持ピン２２上から取り
出したりすることができる。

【００２２】以上の構成であれば、加熱チャンバーＡに
おいて半導体ウエハーＷを加熱処理する際に、昇降ロッ
ド３１の中空部３１ａを通して供給されるガスが、半導
体ウエハーＷの中央部に直接吹き付けられるのを、上記
整流板４によって防止して、当該ガスによって半導体ウ
エハーＷの中央部が冷却されるのを防止することができ
る。このため、半導体ウエハーＷの外周側と中央部とを
均一に加熱することができる結果、半導体ウエハーＷの
成膜の厚みがばらついたり、結晶欠陥が生じたりするの
を防止することができる。

【００２３】特に、上記整流板４の外径Ｄ１を、半導体
ウエハーＷの外径Ｄ２の６０％を超えるか、又は上記ガ
ス吹出し口２１ａの内径Ｄ３の２倍を超え、半導体ウエ
ハーＷの外径寸法未満の範囲に設定している場合には、
当該半導体ウエハーＷをより均一に加熱することができ
るとともに、半導体ウエハーＷの処理時間を短くするこ
とができる。しかも、上記整流板４が、透明な石英によ
って形成されているので、加熱された半導体ウエハーＷ
から放射される赤外線を、支障なく透過させることがで
きる。このため、当該赤外線を温度測定器５によって受
光して、その表面温度を支障なく測定することができ
る。

【００２４】［評価試験１］実施例として、透明な石英
からなる円板状の整流板４を作製し、これを図２に示す
縦型炉形式の加熱処理装置の基盤２１上に配置した。こ
の整流板４の外径Ｄ１は９０ｍｍ（半導体ウエハーの外
径Ｄ２の６０％）であり、厚みは１．５ｍｍである。ま
た、基盤２１との間隔Ｓ１は６．５ｍｍ（半導体ウエハ
ーＷと基盤２１との間隔Ｓ２の２２％）に設定した。な
お、基盤２１のガス吹き出し口２１ａの内径は２０．３
ｍｍである。

【００２５】上記実施例に示す加熱処理装置と、上記整
流板４を設けていない加熱処理装置（比較例）をそれぞ
れ用いて、以下の条件で半導体ウエハーに酸化膜を形成
し、その膜厚の均一性についての評価試験を行った。 ＜試験条件＞ 半導体ウエハー Ｓｉ製、平均外径１５０ｍｍ 加熱処理温度 １１５０°Ｃ 加熱処理時間 １２０秒 供給ガス ドライＯ₂ 加熱処理時のガス供給量 １０００ｃｃ／分 供給ガス圧 ４．５ｋｇ／ｃｍ²

【００２６】上記評価試験の結果を図３に示す。なお、
同図における横軸のｒは、半導体ウエハーＷの半径を示
している。この評価試験の結果、実施例の加熱処理装置
を用いた場合には、最大膜厚と最小膜厚との差が７オン
グストロームであったのに対して、比較例の加熱処理装
置のそれは、１３．１オングストロームであった。この
ことから、上記整流板４によって、半導体ウエハーＷの
外周側と中央部との間で加熱むらが生じるのが抑制され
ていることが明らかである。なお、上記平均膜厚は、２
２０オングストロームであった。

【００２７】［評価試験２］外径Ｄ１を半導体ウエハー
Ｗの外径Ｄ２の５０％、８０％，１２０％にそれぞれ設
定した整流板４を準備し、各整流板４を用いて、加熱処
理時間を１３０秒とした以外は上記試験条件と同一条件
で半導体ウエハーの膜厚の均一性についての評価試験を
行った。この評価試験の結果を、整流板４を用いない場
合の試験結果とともに図４に示す。同図より、整流板４
の外径Ｄ１が半導体ウエハーＷの外径Ｄ２の５０％の場
合には、半導体ウエハーＷのうちの、整流板４の外周に
対応する付近にガスが直接吹き付けられて、当該部分の
温度が低下し、膜厚が薄くなっていることが分かる。ま
た、整流板４の外径Ｄ１が半導体ウエハーＷの外径Ｄ２
の１２０％の場合には、全体的に膜厚が薄く、所望の膜
厚を得るためには加熱処理時間を長くする必要があるこ
とが分かる。従って、整流板４の外径Ｄ１は、半導体ウ
エハーの外径の６０％を超え１００％未満の範囲である
ことが好ましいと推察される。

【００２８】［評価試験３］評価試験１において、整流
板４と基盤２１との間隔Ｓ１を、半導体ウエハーＷと基
盤２１との間隔Ｓ２の１０％、３５％、８０％にそれぞ
れ変化させて、半導体ウエハーの膜厚の均一性について
の評価試験を行った。この評価試験の結果を、図５に示
す。同図より、整流板４と基盤２１との間隔Ｓ１が、半
導体ウエハーＷと基盤２１との間隔Ｓ２の１０％の場合
には、全体的に膜厚が薄く、所望の膜厚を得るためには
加熱処理時間を長くする必要があることが分かる。ま
た、整流板４と基盤２１との間隔Ｓ１が、半導体ウエハ
ーＷと基盤２１との間隔Ｓ２の８０％の場合には、半導
体ウエハーＷの外周側に吹き付けられるガスの量が増え
るために、当該外周側の膜厚が薄くなっていることが分
かる。従って、整流板４と基盤２１との間隔Ｓ１は、半
導体ウエハーＷと基盤２１との間隔Ｓ２の１５％を超え
５０％未満の範囲に設定するのが好ましいと推察され
る。

【００２９】

【発明の効果】以上のように、請求項１に係る半導体ウ
エハーの加熱処理装置によれば、昇降ロッドの中空部を
通して供給されるガスが、半導体ウエハーの中央部に直
接吹き付けられるのを、整流板によって防止することが
できるので、当該ガスによって半導体ウエハーの中央部
が冷却されるのを防止することができる。このため、半
導体ウエハーを均一に加熱することがことができる結
果、膜厚がばらついたり、結晶欠陥を生じたりするのを
防止することができる。

【００３０】請求項２に係る半導体ウエハーの加熱処理
装置によれば、上記整流板が、円板状のものであり、そ
の外径が、半導体ウエハーの外径の６０％又はガス吹き
出し口の内径の２倍を超え、半導体ウエハーの外径寸法
未満の範囲に設定されているので、半導体ウエハーをさ
らに均一に加熱することができるとともに、加熱処理時
間を短くすることができる。

【００３１】請求項３に係る半導体ウエハーの加熱処理
装置によれば、整流板と基盤との間隔が、半導体ウエハ
ーに支持された半導体ウエハーと基盤との間隔の１５％
を超え５０％未満の範囲に設定されているので、上記整
流板の外径が、半導体ウエハーの外径の６０％又はガス
吹き出し口の内径の２倍を超え、半導体ウエハーの外径
寸法未満の範囲に設定されている点と相まって、半導体
ウエハーをさらに均一に加熱することができるととも
に、加熱処理時間も短くすることができる。

【００３２】請求項４に係る半導体ウエハーの加熱処理
装置によれば、上記整流板が、透明な石英からり、加熱
された半導体ウエハーから放射される赤外線が、整流板
を透過可能であるので、当該赤外線を、整流板及び昇降
ロッドの中空部を通して、昇降ロッドの下端部で受光す
ることができる。このため、半導体ウエハーの表面温度
を、昇降ロッドの内部を通して支障なく測定することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の半導体ウエハーの加熱処理装置の一
つの実施の形態を示す要部拡大断面図である。

【図２】加熱処理装置の全体を示す概略断面図である。

【図３】評価試験結果を示すグラフ図である。

【図４】評価試験結果を示すグラフ図である。

【図５】評価試験結果を示すグラフ図である。

【符号の説明】

１ 急熱炉 １２ 赤外線ヒータ ２ ウエハー支持体 ２１ 基盤 ２１ａ ガス吹出し口 ２２ 支持ピン ３ 昇降手段 ３１ 昇降ロッド ３１ａ 中空部 ４ 整流板 Ａ 加熱チャンバー Ｗ 半導体ウエハー Ｄ１ 整流板の外径 Ｄ２ 半導体ウエハーの外径 Ｄ３ ガス吹出し口の内径 Ｓ１ 整流板と基盤との間隔 Ｓ２ 半導体ウエハーと基盤との間隔

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】円板状の半導体ウエハーを、基盤上に立設
   された支持ピンによって、基盤から浮揚させた状態で水
   平に支持するウエハー支持体と、 上記ウエハー支持体を支承するとともに中空部を通して
   半導体ウエハーにガスを供給する筒状の昇降ロッドを有
   し、上記ウエハー支持体を昇降ロッドを介して上昇させ
   て、ウエハー支持体に支持された半導体ウエハーを加熱
   チャンバーに移送する昇降手段と、 上記加熱チャンバーに移送された半導体ウエハーを放射
   加熱するヒータとを備える半導体ウエハーの加熱処理装
   置において、 上記基盤上に、上記昇降ロッドの中空部を通して供給さ
   れるガスが、半導体ウエハーの中央部に直接吹き付けら
   れるのを防止する整流板を設けたことを特徴とする半導
   体ウエハーの加熱処理装置。
2. 【請求項２】上記整流板が、円板状のものであり、その
   外径を、半導体ウエハーの外径の６０％又は上記ガスの
   吹き出し口の内径の２倍を超え、当該半導体ウエハーの
   外径寸法未満の範囲に設定している請求項１記載の半導
   体ウエハーの加熱処理装置。
3. 【請求項３】上記整流板と基盤との間隔を、ウエハー支
   持体に支持された半導体ウエハーと基盤との間隔の１５
   ％を超え５０％未満の範囲に設定している請求項２記載
   の半導体ウエハーの加熱処理装置。
4. 【請求項４】上記整流板が、透明な石英からなる請求項
   １記載の半導体ウエハーの加熱処理装置。