JPH09147561A - 評価及び増幅回路 - Google Patents

評価及び増幅回路

Info

Publication number
JPH09147561A
JPH09147561A JP8277266A JP27726696A JPH09147561A JP H09147561 A JPH09147561 A JP H09147561A JP 8277266 A JP8277266 A JP 8277266A JP 27726696 A JP27726696 A JP 27726696A JP H09147561 A JPH09147561 A JP H09147561A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
evaluation
transistor
amplification
control signal
transistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8277266A
Other languages
English (en)
Inventor
Johann Rieger
リーガー ヨハン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH09147561A publication Critical patent/JPH09147561A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4091Sense or sense/refresh amplifiers, or associated sense circuitry, e.g. for coupled bit-line precharging, equalising or isolating
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/065Differential amplifiers of latching type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Lubrication Of Internal Combustion Engines (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速の動作速度を持つ評価及び増幅回路を提
供する。 【解決手段】 従来公知の評価及び増幅回路を二重に形
成する。この場合、この発明による評価及び増幅回路の
新しい部分は従来公知の回路部分よりも時間的に遅れて
スイッチングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、2つの信号線の
間に配置され、少なくとも2つの互いに直列接続された
所定のチャネル型の第一のトランジスタを備え、第一の
トランジスタのゲートが両信号線の各1つに接続され、
第一のトランジスタがこれらに共通の、第一の制御信号
が加えられる第一の結節点を形成しているフリップフロ
ップ型の評価及び増幅回路に関する。
【0002】
【従来の技術】このような評価及び増幅回路は特に、い
わゆる外部形或いは内部形読み取り増幅器としてRAM
とりわけDRAMにおいて使用される。この種の評価及
び増幅回路は少なくともDRAMの分野においては一般
的な専門知識に属している。図1はこのような回路を示
す。この場合、一般的に、評価及び増幅回路の両トラン
ジスタがpチャネル型かnチャネル型であるかどうかは
さして重要ではない。
【0003】例えばnチャネル型トランジスタを備えた
公知の評価及び増幅回路を特にRAMの読み取り増幅器
として使用する場合(公知のようにこの種の評価及び増
幅回路は各RAM当たり多数使用される)、次のような
問題が発生する。即ち、このような読み取り増幅器とし
て使用される評価及び増幅回路は、空間的に見て、第一
の供給電位VSS(多くの場合接地電位)用の配線の近
くに配置される場合は、いわゆる「物理的1」に相当す
る信号の評価及び増幅の際には迅速に評価及び増幅する
が、これに対して読み取り増幅器として使用されるこの
種の評価及び増幅回路が、この場合も空間的に見て第一
の供給電位VSS用の配線から遠くに配置される場合
は、いわゆる「物理的0」(電位的には第一の供給信号
の値において「物理的1」より近くにある)に相当する
信号の評価及び増幅に際して比較的緩慢に評価及び増幅
する。同様なことは、pチャネル型トランジスタを備え
た回路においても言える。よく知られているように、最
も遅い評価及び増幅回路がそれらが配置されている全体
の回路の動作速度を、即ちそれぞれのRAMの回路の動
作速度を決定する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、高
速の動作速度を持つ評価及び増幅回路を提供することに
ある。
【0005】
【課題を解決するための手段】この課題は、上述の種類
の評価及び増幅回路に関して特許請求の範囲の請求項1
の特徴事項により解決される。好ましい構成及び実施態
様は請求項2以下に記載されている。
【0006】
【実施例】以下に図面を参照してこの発明を詳細に説明
する。
【0007】先ず図3を参照してこの発明の第一の実施
例を詳しく説明する。なおこの場合図3に同様に示され
ている第三のトランジスタTp1乃至Tp4は差し当り
無視する。このようにして考察される図3の部分は上述
の公知技術から既に知られているnチャネル型の第一の
トランジスタTn1及びTn2を示し、これらは互いに
直列に2つの信号線BL、バーBL(これらの信号線は
RAMにおいては一般にいわゆる「ビット線半部」とし
て知られている)の間に接続されている。トランジスタ
のゲートは互い違いに両方の信号線BL、バーBLに接
続され、即ち、第一のトランジスタTn1のゲートは他
方の信号線バーBLに、他方の第一のトランジスタTn
2のゲートは一方の信号線BLに接続されている。2つ
の第一のトランジスタTn1、Tn2の間の接続は第一
の信号SAN1が加えられる第一の結節点K1を形成す
る(時間経過は図5参照、第一の制御信号SAN1の立
ち下がりにより評価及び増幅動作が開始される)。この
発明によれば、第一のトランジスタTn1、Tn2に並
列に第一のトランジスタTn1、Tn2と同一のチャネ
ル型の第二のトランジスタTn3、Tn4が両信号線B
L、バーBLの間に接続される。それらのゲートも同様
に互い違いに第一のトランジスタTn1、Tn2のゲー
トに応じて両信号線BL、バーBLの間に接続されてい
る。2つの第二のトランジスタTn3、Tn4の間には
第二の制御信号SAN2が加えられる第二の結節点K2
が形成されている。
【0008】この実施例では、この発明によれば、第二
の制御信号SAN2が第一の制御信号SAN1に対して
遅れて発生する(これについては図5参照)ので、第一
の両トランジスタTn1、Tn2は既に両信号線BL、
バーBLに生ずる差信号D(RAMにおいては例えば一
方の(或いは両方の)信号線BL(もしくは信号線B
L、バーBL)に接続されたメモリセルの読み出しによ
って生ずる)の評価及び増幅を第一の制御信号の立ち下
がりにより開始し、一方第二のトランジスタTn3、T
n4は(第二の制御信号SAN2の立ち下がりに応じ
て)既に部分的に評価され増幅された差信号Dの評価及
び増幅を開始する。
【0009】図3において考察されたnチャネル型のト
ランジスタTn1乃至Tn4の代わりに第一もしくは第
二のトランジスタとしてpチャネル型のものを使用する
ことができることは当然である。その場合図3のこの第
一の実施例ではその代わりにpチャネル型のトランジス
タTp1乃至Tp4が結節点K3、K4及び制御信号S
AP1、SAP2、即ち、制御信号SAN1、SAN2
とは異なりその立ち上がりで評価及び増幅を行う制御信
号と共に考察される。
【0010】図4はこの発明の第二(また第四)の実施
例を示す。第二の実施例についてはこの場合も、図3に
よる第一の実施例について説明したのと同様に、差し当
りトランジスタTp1乃至Tp4及びその制御信号SA
Pを共に無視する。純回路技術的にはこの実施例は第一
の実施例と次の点で異なる。即ち、図3に示された2つ
の制御信号SAN1及びSAN2が唯一の制御信号SA
Nによって置き換えられ、これが両方の結節点K1及び
K2に接続されている。両方の第二のトランジスタTn
3、Tn4が、この発明の基本思想にあるように、差信
号Dの評価及び増幅を両方の第一のトランジスタTn
1、Tn2による評価及び増幅の開始後初めて行われる
ように、この実施例では、第二のトランジスタTn3、
Tn4が、第一の両方のトランジスタTn1、Tn2の
カットオフ電圧UTn1 、UTn2 とは異なるカットオフ電
圧UTn3 、UTn4 を持っている。これにより第一のトラ
ンジスタTn1、Tn2による差電圧Dの評価及び増幅
が第二のトランジスタTn3、Tn4によるよりも早い
時点で行われることが保証される。この場合も、第一の
実施例について説明したことと同様に、第一及び第二の
トランジスタはpチャネル型であり、即ち、図4におい
てトランジスタTn1乃至Tn4及び制御信号SANの
代わりにトランジスタTp1乃至Tp4が制御信号SA
Pと共に第二の実施例による評価及び増幅回路を構成す
ることができることは当然である。
【0011】図3全体で、即ち、全部のトランジスタT
n1乃至Tn4及びTp1乃至Tp4並びに制御信号S
AN1、SAN2、SAP1、SAP2でこの発明の第
三の実施例を説明する。例えば、DRAMの分野におけ
る一般的専門知識からは、第一のトランジスタTn1、
Tn2がこの種の評価及び増幅回路を形成していること
が分かるだけでなく、さらに、第一のトランジスタTn
1、Tn2に反対の導電型のトランジスタ、即ち第三の
トランジスタTp1、Tp2がこの評価及び増幅回路の
他の構成要素を構成していることも分かる。これは図2
に示されている。この第三のトランジスタTp1、Tp
2は同様に共通の結節点、即ち第三の制御信号SAP1
が加えられる第三の結節点K3を備えている。この第三
の制御信号SAP1の立ち上がりが、よく知られている
ように、第三のトランジスタTp1、Tp2における差
信号Dについて評価及び増幅動作を行わさせる。この発
明の第三の実施例は、(図3全体を参照)第一の実施例
について既に説明された、第一及び第二のトランジスタ
Tn1乃至Tn4からなる構成及び第三のトランジスタ
Tp1、Tp2の構成に対する補足として、第三のトラ
ンジスタTp1、Tp2と同一のチャネル型で、互いに
直列に、同様に両信号線BL、バーBLの間に接続され
た少なくとも2つの第四のトランジスタTp3、Tp4
を備えている。この場合生ずる両方の第四のトランジス
タTp3、Tp4の間の接続は第四の制御信号SAP2
が加えられる第四の結節点K4を形成する。この発明に
よれば、(図5参照)差信号Dの評価及び増幅を行わせ
る第四の制御信号SAP2の傾斜(pチャネル型のトラ
ンジスタTp3、Tp4の場合には当然立ち上がりであ
る)は第三の制御信号SAP1の対応の傾斜よりも時間
的に遅れている。これにより第四のトランジスタTp
3、Tp4による差信号Dの評価及び増幅も第三のトラ
ンジスタTp1、Tp2によるこの差信号Dの評価及び
増幅よりも時間的に遅れて行われる。
【0012】図4全体、即ち全トランジスタTn1乃至
Tn4及びTp1乃至Tp4を備えたものはこの発明の
第四の実施例を示す。この実施例は、純回路技術的に見
て、第三の実施例とただ次の点で異なる。即ち、第一の
制御信号SAN1と第二の制御信号SAN2とが共通の
信号SANに置き換えられ、第三の制御信号SAP1と
第四の制御信号SAP2とが共通の信号SAPに置き換
えられている。第一のトランジスタTn1、Tn2及び
第二のトランジスタTn3、Tn4は第二の実施例に対
応して互いに異なっている。しかしながら、その上にな
お第三のトランジスタTp1、Tp2のカットオフ電圧
Tp1 、UTp2 も同様に第四のトランジスタTp3、T
p4のそれぞれのカットオフ電圧UTp3 、UTp4 と異な
っている。それ故、この実施例においても第二のトラン
ジスタTn3、Tn4及び第四のトランジスタTp3、
Tp4による差電圧Dの評価及び増幅の開始は同様に第
一のトランジスタTn1、Tn2及び第三のトランジス
タTp1、Tp2による評価及び増幅のそれぞれの開始
よりも遅れることが保証される。
【0013】図5はこの発明に関するタイミングダイヤ
グラムであり、第一義的には既に説明した第三の実施例
における関係を示す。評価及び増幅を行わせる第二の制
御信号SAN2の傾斜(立ち下がり)は第一の制御信号
SAN1の対応の傾斜よりも時間的に遅れている。同様
に評価及び増幅を開始させる第四の制御信号SAP2の
傾斜(立ち上がり)は第三の制御信号SAP1の対応の
傾斜よりも時間的に遅れている(対応の時点T2、T1
及びT4、T3参照)。しかしながら、図5において制
御信号SAN1、SAN2を示す部分は第一の実施例に
対してまた典型的でもある。
【0014】第一もしくは第三のトランジスタ(Tn
1、Tn2、Tp1、Tp2)における対応の時点に関
して、第二のトランジスタTn3、Tn4もしくは第四
のトランジスタTp3、Tp4による評価及び増幅の異
なる時点は、勿論、他の方法でも、例えば当該トランジ
スタTn1乃至Tn4、Tp1乃至Tp4におけるチャ
ネル長及び/又は材料及び/又は使用される材料のドー
プ密度を適当に選ぶことにより或いは第一及び第二のも
しくは第三及び第四の制御信号SAN1、SAN2、S
AP1、SAP2における立ち上がりもしくは立ち下が
りの傾斜度を変えることにより実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】公知の評価及び増幅回路を示す結線図。
【図2】異なる公知の評価及び増幅回路を示す結線図。
【図3】この発明の第一並びに第三の実施例を示す結線
図。
【図4】この発明の第二並びに第四の実施例を示す結線
図。
【図5】この発明の実施例を説明するタイミングダイヤ
グラム。
【符号の説明】
Tn1、Tn2 第一のトランジスタ Tn3、Tn4 第二のトランジスタ Tp1、Tp2 第一のトランジスタ又は第三のトラ
ンジスタ Tp3、Tp4 第二のトランジスタ又は第四のトラ
ンジスタ SAN、SAP 制御信号 SAN1 第一の制御信号 SAN2 第二の制御信号 SAP1 第一の制御信号又は第三の制御信号 SAP2 第二の制御信号又は第四の制御信号 BL 信号線 バーBL 信号線 K1 第一の結節点 K2 第二の結節点 K3 第一の結節点又は第三の結節点 K4 第二の結節点又は第四の結節点

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 2つの信号線(BL、バーBL)の間に
    配置されている少なくとも2つの直列接続された所定の
    チャネル型の第一のトランジスタ(Tn1、Tn2;T
    p1、Tp2)を備え、第一のトランジスタ(Tn1、
    Tn2;Tp1、Tp2)のゲートが両信号線(BL、
    バーBL)の各々1つ(バーBL、BL)に接続され、
    第一のトランジスタ(Tn1、Tn2;Tp1、Tp
    2)がこれらに共通の第一の制御信号(SAN1、SA
    P1)が加えられる第一の結節点(K1;K3)を形成
    しているフリップフロップ型の評価及び増幅回路におい
    て、評価及び増幅回路が第一のトランジスタ(Tn1、
    Tn2;Tp1、Tp2)に対して並列に第一のトラン
    ジスタ(Tn1、Tn2;Tp1、Tp2)と同一のチ
    ャネル型の少なくとも2つの第二のトランジスタ(Tn
    3、Tn4;Tp3、Tp4)の直列回路を備え、第二
    のトランジスタ(Tn3、Tn4;Tp3、Tp4)の
    ゲートが同様に互い違いに両信号線(BL、バーBL)
    のそれぞれの各1つ(バーBL、BL)に接続され、第
    二のトランジスタ(Tn3、Tn4;Tp3、Tp4)
    がこれらに共通の第二の制御信号(SAN2、SAP
    2)が加えられる第一の結節点(K2;K4)を形成
    し、信号線(BL、バーBL)に発生する差信号(D)
    の第二のトランジスタ(Tn3、Tn4;Tp3、Tp
    4)による評価及び増幅が第一のトランジスタ(Tn
    1、Tn2;Tp1、Tp2)による対応の評価及び増
    幅の開始後初めて行われることを特徴とする評価及び増
    幅回路。
  2. 【請求項2】 第二のトランジスタ(Tn3、Tn4;
    Tp3、Tp4)による評価及び増幅の遅れた開始が、
    評価及び増幅を行わせる第二の制御信号(SAN2、S
    AP2)の傾斜が第一の制御信号(SAN1、SAP
    1)の対応の傾斜に対して遅れて生ずることにより行わ
    れることを特徴とする請求項1記載の評価及び増幅回
    路。
  3. 【請求項3】 第二のトランジスタ(Tn3、Tn4;
    Tp3、Tp4)による評価及び増幅の遅れた開始が、
    評価及び増幅を行わせる第二の制御信号(SAN2、S
    AP2)の傾斜が第一の制御信号(SAN1、SAP
    1)の対応の傾斜に対して小さい傾斜度を持っているこ
    とにより行われることを特徴とする請求項1記載の評価
    及び増幅回路。
  4. 【請求項4】 第一の制御信号(SAN1、SAP1)
    と第二の制御信号(SAN2、SAP2)とが唯一の共
    通の制御信号(SAN、SAP)として形成され、第二
    のトランジスタ(Tn3、Tn4;Tp3、Tp4)に
    よる評価及び増幅の遅れた開始が、第一のトランジスタ
    (Tn1、Tn2)のカットオフ電圧(UTn1
    Tn2 )が第二のトランジスタ(Tn3、Tn4)のカ
    ットオフ電圧(UTn3 、UTn4 )と異なることにより行
    われることを特徴とする請求項1記載の評価及び増幅回
    路。
  5. 【請求項5】 第一のトランジスタ(Tn1、Tn2)
    と第二のトランジスタ(Tn3、Tn4)とが異なるチ
    ャネル長を持っていることを特徴とする請求項1又は4
    記載の評価及び増幅回路。
  6. 【請求項6】 第一のトランジスタ(Tn1、Tn2)
    と反対のチャネル型の少なくとも2つの第三のトランジ
    スタ(Tp1、Tp2)を備え、評価及び増幅回路が反
    対のチャネル型の少なくとも2つの第四のトランジスタ
    (Tp3、Tp4)を備え、第三及び第四のトランジス
    タ(Tp1乃至Tp4)が対応してかつ第一及び第二の
    トランジスタ(Tn1乃至Tn4)に対して並列に信号
    線(BL、バーBL)の間に配置され、それぞれ第三の
    制御信号(SAP1)及び第四の制御信号(SAP2)
    が加えられる第三の結節点(K3)及び第四の結節点
    (K4)を形成し、第四のトランジスタ(Tp3、Tp
    4)による差信号(D)の評価及び増幅が第三のトラン
    ジスタ(Tp1、Tp2)による対応の評価及び増幅の
    開始後初めて行われることを特徴とする請求項1乃至5
    の1つに記載の評価及び増幅回路。
  7. 【請求項7】 第四のトランジスタ(Tp3、Tp4)
    による評価及び増幅の遅れた開始が、評価及び増幅を行
    わせる第四の制御信号(SAP2)の傾斜が第三の制御
    信号(SAP1)の対応の傾斜に対して遅れて生ずるこ
    とにより行われることを特徴とする請求項6記載の評価
    及び増幅回路。
  8. 【請求項8】 第四のトランジスタ(Tp3、Tp4)
    による評価及び増幅の遅れた開始が、評価及び増幅を行
    わせる第四の制御信号(SAP2)の傾斜が第三の制御
    信号(SAP1)の対応の傾斜に対して小さい傾斜度を
    持っていることにより行われることを特徴とする請求項
    6記載の評価及び増幅回路。
  9. 【請求項9】 第三の制御信号(SAP1)と第四の制
    御信号(SAP2)とが唯一の共通の制御信号(SA
    P)として形成され、第四のトランジスタ(Tp3、T
    p4)による評価及び増幅の遅れた開始が、第三のトラ
    ンジスタ(Tp1、Tp2)のカットオフ電圧
    (UTp1 、UTp2 )が第四のトランジスタ(Tp3、T
    p4)のカットオフ電圧(UTp3 、UTp4 )と異なって
    いることにより行われることを特徴とする請求項6記載
    の評価及び増幅回路。
  10. 【請求項10】 第三のトランジスタ(Tp1、Tp
    2)と第四のトランジスタ(Tp3、Tp4)とが異な
    るチャネル長を持っていることを特徴とする請求項6又
    は9記載の評価及び増幅回路。
JP8277266A 1995-09-29 1996-09-27 評価及び増幅回路 Withdrawn JPH09147561A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19536486.4 1995-09-29
DE19536486A DE19536486C2 (de) 1995-09-29 1995-09-29 Bewerter- und Verstärkerschaltung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09147561A true JPH09147561A (ja) 1997-06-06

Family

ID=7773685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8277266A Withdrawn JPH09147561A (ja) 1995-09-29 1996-09-27 評価及び増幅回路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5731718A (ja)
EP (1) EP0766252A3 (ja)
JP (1) JPH09147561A (ja)
KR (1) KR970017657A (ja)
DE (1) DE19536486C2 (ja)
TW (1) TW366499B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001084767A (ja) * 1999-08-30 2001-03-30 Internatl Business Mach Corp <Ibm> センスアンプ
DE10260602B3 (de) 2002-12-23 2004-08-12 Infineon Technologies Ag Erfassungsverstärkervorrichtung für niedrige Spannungen
DE102004008152B3 (de) 2004-02-19 2005-09-15 Infineon Technologies Ag Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterspeichervorrichtung
KR100702004B1 (ko) * 2004-08-02 2007-03-30 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 비트 라인 센싱 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1985002314A2 (en) * 1983-12-02 1985-06-06 American Telephone & Telegraph Company Semiconductor memory
FR2603414B1 (fr) * 1986-08-29 1988-10-28 Bull Sa Amplificateur de lecture
EP0293933B1 (en) * 1987-06-04 1993-10-13 Nec Corporation Dynamic memory circuit with improved sensing scheme
JPH0192992A (ja) * 1987-10-02 1989-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd センスアンプ回路
JPH0758594B2 (ja) * 1988-12-27 1995-06-21 シャープ株式会社 ダイナミック型半導体記憶装置
JP3101297B2 (ja) * 1990-03-30 2000-10-23 株式会社東芝 半導体メモリ装置
KR920010346B1 (ko) * 1990-05-23 1992-11-27 삼성전자 주식회사 반도체 메모리의 센스앰프 구동회로
JPH0492287A (ja) * 1990-08-08 1992-03-25 Internatl Business Mach Corp <Ibm> ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ
JP2680936B2 (ja) * 1991-02-13 1997-11-19 シャープ株式会社 半導体記憶装置
US5455802A (en) * 1992-12-22 1995-10-03 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Dual dynamic sense amplifiers for a memory array
KR960011207B1 (ko) * 1993-11-17 1996-08-21 김광호 반도체 메모리 장치의 데이타 센싱방법 및 그 회로
KR0122108B1 (ko) * 1994-06-10 1997-12-05 윤종용 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱회로 및 그 방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE19536486C2 (de) 1997-08-07
EP0766252A2 (de) 1997-04-02
US5731718A (en) 1998-03-24
TW366499B (en) 1999-08-11
EP0766252A3 (de) 1999-06-02
DE19536486A1 (de) 1997-04-24
KR970017657A (ko) 1997-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5854562A (en) Sense amplifier circuit
US5525919A (en) Sense amplifier with limited output voltage swing
US7545180B2 (en) Sense amplifier providing low capacitance with reduced resolution time
US7038962B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JP2685357B2 (ja) 半導体記憶装置
US4649301A (en) Multiple-input sense amplifier with two CMOS differential stages driving a high-gain stage
JP3519499B2 (ja) 相補差動増幅器およびそれを備える半導体メモリ装置
US6222780B1 (en) High-speed SRAM having a stable cell ratio
US4658160A (en) Common gate MOS differential sense amplifier
US6721218B2 (en) Semiconductor memory device and data read method thereof
JPH09147561A (ja) 評価及び増幅回路
US4606012A (en) Sense amplifier
US5761134A (en) Data reading circuit
US6735136B2 (en) Semiconductor memory device capable of preventing coupling noise between adjacent bit lines in different columns
JPH06162779A (ja) 半導体記憶装置におけるセンスアンプ制御回路
JPH04232691A (ja) サイクル・タイムを短縮したクロック動作式増幅器
KR960000892B1 (ko) 데이타 전송회로
US6473324B2 (en) Layout of a sense amplifier with accelerated signal evaluation
US5525918A (en) Pre-sense amplifier for monolithic memories
US20030007404A1 (en) Sense amplifier circuit
US6002626A (en) Method and apparatus for memory cell array boost amplifier
JPS62145595A (ja) 半導体記憶装置
JPH0294096A (ja) 半導体記憶回路
WO2023042254A1 (ja) 半導体記憶装置
JP2001057080A (ja) 半導体記憶装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20031202